JP2001093637A - Ｉｃソケット - Google Patents
ＩｃソケットInfo
- Publication number
- JP2001093637A JP2001093637A JP27398499A JP27398499A JP2001093637A JP 2001093637 A JP2001093637 A JP 2001093637A JP 27398499 A JP27398499 A JP 27398499A JP 27398499 A JP27398499 A JP 27398499A JP 2001093637 A JP2001093637 A JP 2001093637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact pin
- socket
- electromagnetic field
- housing
- conductive material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Details Of Connecting Devices For Male And Female Coupling (AREA)
- Connecting Device With Holders (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣソケットにおいて、ソケット内部での電
磁界分布の不均一を改善し、コンタクトピンのインピー
ダンスミスマッチを低減すると共に、高周波特性を改善
する。 【解決手段】 絶縁性材料で形成された筐体１の内部に
導電性材料から成るコンタクトピン２を上記筐体１の上
面及び下面に上端部及び下端部を露出させて埋め込み、
該コンタクトピン２の中間部の近傍に、導電性材料で形
成されたグランド棒１０を配置したものである。これに
より、ソケット内部での電磁界分布の不均一を改善し、
コンタクトピン２のインピーダンスミスマッチを低減す
ることができる。また、高周波信号においては、インピ
ーダンスミスマッチから生じる入力波形の乱れや反射ノ
イズ、クロストークノイズを低減することができ、高周
波特性を改善することができる。
磁界分布の不均一を改善し、コンタクトピンのインピー
ダンスミスマッチを低減すると共に、高周波特性を改善
する。 【解決手段】 絶縁性材料で形成された筐体１の内部に
導電性材料から成るコンタクトピン２を上記筐体１の上
面及び下面に上端部及び下端部を露出させて埋め込み、
該コンタクトピン２の中間部の近傍に、導電性材料で形
成されたグランド棒１０を配置したものである。これに
より、ソケット内部での電磁界分布の不均一を改善し、
コンタクトピン２のインピーダンスミスマッチを低減す
ることができる。また、高周波信号においては、インピ
ーダンスミスマッチから生じる入力波形の乱れや反射ノ
イズ、クロストークノイズを低減することができ、高周
波特性を改善することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板とＩＣ
（集積回路）とが電気的導通をとれるように接続するＩ
Ｃソケットに関し、特に、ソケット内部での電磁界分布
の不均一を改善し、コンタクトピンのインピーダンスミ
スマッチを低減すると共に、高周波特性を改善すること
ができるＩＣソケットに関する。
（集積回路）とが電気的導通をとれるように接続するＩ
Ｃソケットに関し、特に、ソケット内部での電磁界分布
の不均一を改善し、コンタクトピンのインピーダンスミ
スマッチを低減すると共に、高周波特性を改善すること
ができるＩＣソケットに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のＩＣソケットは、図４に
示すように、絶縁性材料で形成された筐体１の内部に導
電性材料から成るコンタクトピン２を上記筐体１の上面
及び下面に上端部及び下端部を露出させて埋め込み、該
コンタクトピン２を介して下方側の回路基板３と上方側
のＩＣ４とが電気的導通をとれるように接続するように
なっていた。そして、上記コンタクトピン２は、中間部
に湾曲部５が形成されており、該コンタクトピン２の上
端部からＩＣ４が押し付けられることにより上記湾曲部
５が収縮すると共に反発するバネ性により、回路基板３
とＩＣ４との接続をとるようになっていた。なお、上記
コンタクトピン２の湾曲部５の内側部分６は空間部とさ
れ、この内側部分６は周囲環境の空気で満たされてい
た。
示すように、絶縁性材料で形成された筐体１の内部に導
電性材料から成るコンタクトピン２を上記筐体１の上面
及び下面に上端部及び下端部を露出させて埋め込み、該
コンタクトピン２を介して下方側の回路基板３と上方側
のＩＣ４とが電気的導通をとれるように接続するように
なっていた。そして、上記コンタクトピン２は、中間部
に湾曲部５が形成されており、該コンタクトピン２の上
端部からＩＣ４が押し付けられることにより上記湾曲部
５が収縮すると共に反発するバネ性により、回路基板３
とＩＣ４との接続をとるようになっていた。なお、上記
コンタクトピン２の湾曲部５の内側部分６は空間部とさ
れ、この内側部分６は周囲環境の空気で満たされてい
た。
【０００３】図５は、図４に示す一般的なＩＣソケット
の構造を対称面となるＡ−Ａ線で２分割して例えば左側
の半分だけを示し、その中の３個のコンタクトピン２だ
けを取り出して電磁界解析用にモデル化したものであ
る。図５の電磁界解析用モデル図において、総ての構造
を囲む一番外側の枠７は、解析に必要な周辺環境である
空気を定義したものであり、符号８，９は電気的解析の
ために設けた同軸線モデルである。そして、このモデル
を用いての電磁界解析では、解析したい形状の構造を入
力することによって、その形状の電気的な通過や反射の
周波数特性を解析することができる。また、その周波数
特性を基に、電気信号の通過波形やクロストーク量、反
射量等を解析することができる。
の構造を対称面となるＡ−Ａ線で２分割して例えば左側
の半分だけを示し、その中の３個のコンタクトピン２だ
けを取り出して電磁界解析用にモデル化したものであ
る。図５の電磁界解析用モデル図において、総ての構造
を囲む一番外側の枠７は、解析に必要な周辺環境である
空気を定義したものであり、符号８，９は電気的解析の
ために設けた同軸線モデルである。そして、このモデル
を用いての電磁界解析では、解析したい形状の構造を入
力することによって、その形状の電気的な通過や反射の
周波数特性を解析することができる。また、その周波数
特性を基に、電気信号の通過波形やクロストーク量、反
射量等を解析することができる。
【０００４】図５に示す電磁界解析用モデルを用いて解
析を行った例を示すと、３個のコンタクトピン２のうち
中央に位置するピンの下方の同軸線モデル９から入力振
幅が３Ｖ、立上り／立下り時間が８００psのパルス波形
を与えた場合、上記信号を入力したコンタクトピン２の
隣で下方の同軸線モデル９に誘起される近端クロストー
クは６０mV、上記コンタクトピン２の隣で上方の同軸線
モデル８に誘起される遠端クロストークは１２３mVであ
り、クロストークノイズが大きいことがわかる。
析を行った例を示すと、３個のコンタクトピン２のうち
中央に位置するピンの下方の同軸線モデル９から入力振
幅が３Ｖ、立上り／立下り時間が８００psのパルス波形
を与えた場合、上記信号を入力したコンタクトピン２の
隣で下方の同軸線モデル９に誘起される近端クロストー
クは６０mV、上記コンタクトピン２の隣で上方の同軸線
モデル８に誘起される遠端クロストークは１２３mVであ
り、クロストークノイズが大きいことがわかる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来のＩＣソケットにおいては、コンタクトピン２の湾曲
部５の内側部分６は空間部とされ、この内側部分６は周
囲環境の空気で満たされているだけなので、ソケット内
部の電磁界分布が不均一となっていた。このことから、
コンタクトピン２のインピーダンスミスマッチが大きく
なるものであった。また、そのインピーダンスミスマッ
チから、高周波信号においては、入力波形の乱れが生じ
たり、反射ノイズやクロストークノイズが大きくなり、
高周波特性が悪くなるものであった。
来のＩＣソケットにおいては、コンタクトピン２の湾曲
部５の内側部分６は空間部とされ、この内側部分６は周
囲環境の空気で満たされているだけなので、ソケット内
部の電磁界分布が不均一となっていた。このことから、
コンタクトピン２のインピーダンスミスマッチが大きく
なるものであった。また、そのインピーダンスミスマッ
チから、高周波信号においては、入力波形の乱れが生じ
たり、反射ノイズやクロストークノイズが大きくなり、
高周波特性が悪くなるものであった。
【０００６】そこで、本発明は、このような問題点に対
処し、ソケット内部での電磁界分布の不均一を改善し、
コンタクトピンのインピーダンスミスマッチを低減する
と共に、高周波特性を改善することができるＩＣソケッ
トを提供することを目的とする。
処し、ソケット内部での電磁界分布の不均一を改善し、
コンタクトピンのインピーダンスミスマッチを低減する
と共に、高周波特性を改善することができるＩＣソケッ
トを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるＩＣソケットは、絶縁性材料で形成さ
れた筐体の内部に導電性材料から成るコンタクトピンを
上記筐体の上面及び下面に上端部及び下端部を露出させ
て埋め込み、該コンタクトピンを介して回路基板とＩＣ
とが電気的導通をとれるように接続するＩＣソケットに
おいて、上記コンタクトピンの中間部の近傍に、導電性
材料で形成されたグランド棒を配置したものである。
に、本発明によるＩＣソケットは、絶縁性材料で形成さ
れた筐体の内部に導電性材料から成るコンタクトピンを
上記筐体の上面及び下面に上端部及び下端部を露出させ
て埋め込み、該コンタクトピンを介して回路基板とＩＣ
とが電気的導通をとれるように接続するＩＣソケットに
おいて、上記コンタクトピンの中間部の近傍に、導電性
材料で形成されたグランド棒を配置したものである。
【０００８】また、上記グランド棒は、筐体の内部に埋
め込まれたコンタクトピンの中間部に形成された湾曲部
の内側に挿通されたものとしてもよい。
め込まれたコンタクトピンの中間部に形成された湾曲部
の内側に挿通されたものとしてもよい。
【０００９】さらに、上記グランド棒は、その一端部が
接地されたものとしてもよい。
接地されたものとしてもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。図１は本発明によるＩＣソケ
ットの実施の形態を示す平面図であり、図２はその側面
断面図である。このＩＣソケットは、回路基板３とＩＣ
（集積回路）４とが電気的導通をとれるように接続する
もので、筐体１とコンタクトピン２とを有し、さらにグ
ランド棒１０を備えて成る。
図面に基づいて説明する。図１は本発明によるＩＣソケ
ットの実施の形態を示す平面図であり、図２はその側面
断面図である。このＩＣソケットは、回路基板３とＩＣ
（集積回路）４とが電気的導通をとれるように接続する
もので、筐体１とコンタクトピン２とを有し、さらにグ
ランド棒１０を備えて成る。
【００１１】上記筐体１は、このＩＣソケットの本体部
分をなすもので、絶縁性材料で例えば箱状に形成されて
いる。
分をなすもので、絶縁性材料で例えば箱状に形成されて
いる。
【００１２】上記筐体１の内部には、複数のコンタクト
ピン２が列状に埋め込まれている。このコンタクトピン
２は、回路基板３とＩＣ４とを電気的に接続するもの
で、導電性材料から成り、上記筐体１の上面及び下面に
その上端部及び下端部を露出させて埋め込まれ、図に示
すように、例えば所定距離だけ離れて対向し２列に配置
されている。そして、上記コンタクトピン２の上端部に
ＩＣ４のリード１１，１１が接触され、該コンタクトピ
ン２の下端部が回路基板３の接続パッドに接触するよう
になっている。これにより、該コンタクトピン２を介し
て下方側の回路基板３と上方側のＩＣ４とが電気的導通
をとれるように接続される。
ピン２が列状に埋め込まれている。このコンタクトピン
２は、回路基板３とＩＣ４とを電気的に接続するもの
で、導電性材料から成り、上記筐体１の上面及び下面に
その上端部及び下端部を露出させて埋め込まれ、図に示
すように、例えば所定距離だけ離れて対向し２列に配置
されている。そして、上記コンタクトピン２の上端部に
ＩＣ４のリード１１，１１が接触され、該コンタクトピ
ン２の下端部が回路基板３の接続パッドに接触するよう
になっている。これにより、該コンタクトピン２を介し
て下方側の回路基板３と上方側のＩＣ４とが電気的導通
をとれるように接続される。
【００１３】なお、上記コンタクトピン２は、図２に示
すように中間部に湾曲部５が形成されており、該コンタ
クトピン２の上端部からＩＣ４が押し付けられることに
より上記湾曲部５が収縮すると共に反発するバネ性によ
り、回路基板３とＩＣ４との接続をとるようになってい
る。また、上記コンタクトピン２の湾曲部５の内側部分
６は空間部とされ、この内側部分６は周囲環境の空気で
満たされている。
すように中間部に湾曲部５が形成されており、該コンタ
クトピン２の上端部からＩＣ４が押し付けられることに
より上記湾曲部５が収縮すると共に反発するバネ性によ
り、回路基板３とＩＣ４との接続をとるようになってい
る。また、上記コンタクトピン２の湾曲部５の内側部分
６は空間部とされ、この内側部分６は周囲環境の空気で
満たされている。
【００１４】ここで、本発明においては、上記筐体１の
内部にてコンタクトピン２の中間部の近傍に、グランド
棒１０が配置されている。このグランド棒１０は、上記
コンタクトピン２の中間部の近傍における電磁界分布の
不均一を改善するためのもので、導電性材料から成り、
例えば円柱状の棒材に形成されている。この場合、上記
グランド棒１０の存在により、周囲環境の電磁界分布の
不均一が改善される。
内部にてコンタクトピン２の中間部の近傍に、グランド
棒１０が配置されている。このグランド棒１０は、上記
コンタクトピン２の中間部の近傍における電磁界分布の
不均一を改善するためのもので、導電性材料から成り、
例えば円柱状の棒材に形成されている。この場合、上記
グランド棒１０の存在により、周囲環境の電磁界分布の
不均一が改善される。
【００１５】具体的には、上記グランド棒１０は、図２
に示すように筐体１の内部に埋め込まれたコンタクトピ
ン２の中間部に形成された湾曲部５の内側部分６の中に
て、列状に配置されたコンタクトピン２を突き刺すよう
に挿通されている。このようにすると、グランド棒１０
がコンタクトピン２の中間部の近傍に位置する距離が長
くなり、電磁界分布の不均一の改善効果が大きくなる。
に示すように筐体１の内部に埋め込まれたコンタクトピ
ン２の中間部に形成された湾曲部５の内側部分６の中に
て、列状に配置されたコンタクトピン２を突き刺すよう
に挿通されている。このようにすると、グランド棒１０
がコンタクトピン２の中間部の近傍に位置する距離が長
くなり、電磁界分布の不均一の改善効果が大きくなる。
【００１６】図３は、図２に示す本発明のＩＣソケット
の構造を対称面となるＢ−Ｂ線で２分割して例えば左側
の半分だけを示し、その中の３個のコンタクトピン２だ
けを取り出して電磁界解析用にモデル化したものであ
る。図３において、コンタクトピン２を突き刺すように
グランド棒１０を挿通した以外は、前述の図５に示す電
磁界解析用モデル図と同じである。そして、このモデル
を用いての電磁界解析では、解析したい形状の構造を入
力することによって、その形状の電気的な通過や反射の
周波数特性を解析することができる。また、その周波数
特性を基に、電気信号の通過波形やクロストーク量、反
射量等を解析することができる。
の構造を対称面となるＢ−Ｂ線で２分割して例えば左側
の半分だけを示し、その中の３個のコンタクトピン２だ
けを取り出して電磁界解析用にモデル化したものであ
る。図３において、コンタクトピン２を突き刺すように
グランド棒１０を挿通した以外は、前述の図５に示す電
磁界解析用モデル図と同じである。そして、このモデル
を用いての電磁界解析では、解析したい形状の構造を入
力することによって、その形状の電気的な通過や反射の
周波数特性を解析することができる。また、その周波数
特性を基に、電気信号の通過波形やクロストーク量、反
射量等を解析することができる。
【００１７】図３に示す電磁界解析用モデルを用いて解
析を行った例を示すと、３個のコンタクトピン２のうち
中央に位置するピンの下方の同軸線モデル９から入力振
幅が３Ｖ、立上り／立下り時間が８００psのパルス波形
を与えた場合、上記信号を入力したコンタクトピン２の
隣で下方の同軸線モデル９に誘起される近端クロストー
クは５６mV、上記コンタクトピン２の隣で上方の同軸線
モデル８に誘起される遠端クロストークは１１４mVの結
果が得られた。これは上記グランド棒１０を用いない図
５に示す従来のＩＣソケットの解析結果に比べ、近端ク
ロストーク及び遠端クロストークとも約７％のクロスト
ークノイズの低減が達成できるという結果である。
析を行った例を示すと、３個のコンタクトピン２のうち
中央に位置するピンの下方の同軸線モデル９から入力振
幅が３Ｖ、立上り／立下り時間が８００psのパルス波形
を与えた場合、上記信号を入力したコンタクトピン２の
隣で下方の同軸線モデル９に誘起される近端クロストー
クは５６mV、上記コンタクトピン２の隣で上方の同軸線
モデル８に誘起される遠端クロストークは１１４mVの結
果が得られた。これは上記グランド棒１０を用いない図
５に示す従来のＩＣソケットの解析結果に比べ、近端ク
ロストーク及び遠端クロストークとも約７％のクロスト
ークノイズの低減が達成できるという結果である。
【００１８】なお、上記グランド棒１０は、図示省略し
ているが、その一端部をアース線にて接地してもよい。
このようにすると、上記グランド棒１０が接地電位とな
るので、電磁界分布の不均一の改善効果が更に大きくな
る。
ているが、その一端部をアース線にて接地してもよい。
このようにすると、上記グランド棒１０が接地電位とな
るので、電磁界分布の不均一の改善効果が更に大きくな
る。
【００１９】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されたので、
絶縁性材料で形成された筐体の内部に導電性材料から成
るコンタクトピンを上記筐体の上面及び下面に上端部及
び下端部を露出させて埋め込み、該コンタクトピンの中
間部の近傍に、導電性材料で形成されたグランド棒を配
置したことにより、ソケット内部での電磁界分布の不均
一を改善し、コンタクトピンのインピーダンスミスマッ
チを低減することができる。また、高周波信号において
は、インピーダンスミスマッチから生じる入力波形の乱
れや反射ノイズ、クロストークノイズを低減することが
でき、高周波特性を改善することができる。
絶縁性材料で形成された筐体の内部に導電性材料から成
るコンタクトピンを上記筐体の上面及び下面に上端部及
び下端部を露出させて埋め込み、該コンタクトピンの中
間部の近傍に、導電性材料で形成されたグランド棒を配
置したことにより、ソケット内部での電磁界分布の不均
一を改善し、コンタクトピンのインピーダンスミスマッ
チを低減することができる。また、高周波信号において
は、インピーダンスミスマッチから生じる入力波形の乱
れや反射ノイズ、クロストークノイズを低減することが
でき、高周波特性を改善することができる。
【図１】本発明によるＩＣソケットの実施の形態を示す
平面図である。
平面図である。
【図２】上記ＩＣソケットの側面断面図である。
【図３】図２に示す本発明のＩＣソケットの構造を対称
面となるＢ−Ｂ線で２分割して例えば左側の半分だけを
示し、その中の３個のコンタクトピンだけを取り出して
電磁界解析用にモデル化した説明図である。
面となるＢ−Ｂ線で２分割して例えば左側の半分だけを
示し、その中の３個のコンタクトピンだけを取り出して
電磁界解析用にモデル化した説明図である。
【図４】従来のこの種のＩＣソケットを示す側面断面図
である。
である。
【図５】図４に示す従来のＩＣソケットの構造を対称面
となるＡ−Ａ線で２分割して例えば左側の半分だけを示
し、その中の３個のコンタクトピンだけを取り出して電
磁界解析用にモデル化した説明図である。
となるＡ−Ａ線で２分割して例えば左側の半分だけを示
し、その中の３個のコンタクトピンだけを取り出して電
磁界解析用にモデル化した説明図である。
１…筐体 ２…コンタクトピン ３…回路基板 ４…ＩＣ ５…湾曲部 ６…内側部分 １０…グランド棒
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 良 彦 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 藤 井 武 東京都渋谷区東３丁目16番３号 日立電子 エンジニアリング株式会社内 Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AG01 AG07 AH09 5E021 FA05 FA20 FB03 FC20 FC23 LA10 LA30 5E024 CA07 CB04
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性材料で形成された筐体の内部に導
電性材料から成るコンタクトピンを上記筐体の上面及び
下面に上端部及び下端部を露出させて埋め込み、該コン
タクトピンを介して回路基板とＩＣとが電気的導通をと
れるように接続するＩＣソケットにおいて、上記コンタ
クトピンの中間部の近傍に、導電性材料で形成されたグ
ランド棒を配置したことを特徴とするＩＣソケット。 - 【請求項２】 上記グランド棒は、筐体の内部に埋め込
まれたコンタクトピンの中間部に形成された湾曲部の内
側に挿通されたものであることを特徴とする請求項１記
載のＩＣソケット。 - 【請求項３】 上記グランド棒は、その一端部が接地さ
れたものであることを特徴とする請求項１又は２記載の
ＩＣソケット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27398499A JP2001093637A (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | Ｉｃソケット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27398499A JP2001093637A (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | Ｉｃソケット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001093637A true JP2001093637A (ja) | 2001-04-06 |
Family
ID=17535325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27398499A Pending JP2001093637A (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | Ｉｃソケット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001093637A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190009279A (ko) * | 2016-06-17 | 2019-01-28 | 오므론 가부시키가이샤 | 프로브 핀 |
-
1999
- 1999-09-28 JP JP27398499A patent/JP2001093637A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190009279A (ko) * | 2016-06-17 | 2019-01-28 | 오므론 가부시키가이샤 | 프로브 핀 |
| KR102088123B1 (ko) * | 2016-06-17 | 2020-03-11 | 오므론 가부시키가이샤 | 프로브 핀 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
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| A02 | Decision of refusal |
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