JP2001085846A - Method for manufacturing wiring board - Google Patents

Method for manufacturing wiring board

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JP2001085846A
JP2001085846A JP26132099A JP26132099A JP2001085846A JP 2001085846 A JP2001085846 A JP 2001085846A JP 26132099 A JP26132099 A JP 26132099A JP 26132099 A JP26132099 A JP 26132099A JP 2001085846 A JP2001085846 A JP 2001085846A
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Japan
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resin
insulating layer
layer
etching
wiring board
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JP26132099A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuhisa Sato
和久 佐藤
Haruhiko Murata
晴彦 村田
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Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a wiring board for surely removing resin at the bottom surface of a hole, formed at the resin insulating layer laminated on the surface of a laminated substrate. SOLUTION: An insulating layer formation process is provided, where, on a laminated substrate 1 comprising a metal layer 3 on its surface, a resin insulating layer 13 comprising a bottomed hole 12 whose bottom surface is a part of the metal layer 3 is formed. Furthermore, a resin removing process is provided, where a pure water is jetted under high pressure from the side of a surface 13A of the resin insulating layer 13 to remove the resin on the metal layer 3 of a bottomed hole bottom surface 12C.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂絶縁層を有す
る配線基板の製造方法に関し、特に、表面に金属層を有
する被積層基板の表面に、金属層を底面とする有底孔を
有する樹脂絶縁層を積層した配線基板の製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board having a resin insulating layer, and more particularly, to a resin having a bottomed hole having a metal layer as a bottom surface on a surface of a laminated substrate having a metal layer on the surface. The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board on which insulating layers are laminated.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、配線基板を製造するにあた
り、表面に金属層を有する被積層基板、例えばコア基板
の表面に配線層が形成されたものや、樹脂絶縁層を有す
る基板の表面に配線層が形成されたものなどに、さらに
金属層を底面としたビアホールなどの有底孔を有する樹
脂絶縁層を形成することがある。具体的には、例えば図
13(a)に示すように、表面に配線層82を有する被
積層基板81上に感光性の樹脂層を形成し、所定パター
ンのマスクを用いて露光・現像し、その後樹脂層を硬化
させて、配線層82の一部を底面としたビアホール83
を有する樹脂絶縁層84を形成することが行われてい
る。さらにその後は、メッキ処理やエッチングなどを行
って、図13(b)に示すように、ビアホール83内や
樹脂絶縁層84の表面84A上に、ビア導体85や配線
層86などの導体を形成する。このようにビアホール底
面83Cの配線層82とビア導体85とを接続すること
により、被積層基板81の配線層82と、樹脂絶縁層8
4上の配線層86とが接続される。
2. Description of the Related Art Conventionally, in manufacturing a wiring board, a wiring board having a metal layer on the surface, for example, a wiring board formed with a wiring layer on the surface of a core substrate, or a wiring board formed on the surface of a substrate having a resin insulating layer, has In some cases, a resin insulating layer having a bottomed hole such as a via hole having a metal layer as a bottom surface may be further formed on the layer where the layer is formed. Specifically, for example, as shown in FIG. 13A, a photosensitive resin layer is formed on a laminated substrate 81 having a wiring layer 82 on the surface, and is exposed and developed using a mask having a predetermined pattern. Thereafter, the resin layer is cured to form a via hole 83 having a part of the wiring layer 82 as a bottom surface.
Is formed. Thereafter, a plating process, etching, or the like is performed to form a conductor such as a via conductor 85 or a wiring layer 86 in the via hole 83 or on the surface 84A of the resin insulating layer 84, as shown in FIG. . By connecting the wiring layer 82 of the via hole bottom surface 83C and the via conductor 85 in this manner, the wiring layer 82 of the laminated substrate 81 and the resin insulating layer 8
4 is connected to the wiring layer 86.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、樹脂絶
縁層84に形成されたビアホール底面83Cには、図1
3(a)に示すように、現像が不十分であったため除去
しきれなかった樹脂JZが残ったり、現像時に溶解した
樹脂JZが溜まったりすることがある。このように樹脂
JZがある状態で、ビアホール83内にビア導体85を
形成すると、図13(b)に示すように、このビア導体
85とビアホール底面83Cの配線層82との間で導通
(接続)不良を生じることがある。また、例えば、被積
層基板81上に樹脂絶縁層を形成し、これをレーザ等で
穿孔してビアホールを形成する場合においても、レーザ
等で除去しきれなかった樹脂がビアホール底面に残るこ
とがある。この場合も、上記と同様、ビアホール内に形
成するビア導体との間で導通不良を生じることがある。
However, the bottom surface 83C of the via hole formed in the resin insulating layer 84 has a structure shown in FIG.
As shown in FIG. 3A, the resin JZ that could not be completely removed due to insufficient development may remain, or the resin JZ dissolved during the development may accumulate. When the via conductor 85 is formed in the via hole 83 in the state where the resin JZ is present, conduction (connection) is established between the via conductor 85 and the wiring layer 82 on the via hole bottom surface 83C as shown in FIG. ) Failure may occur. Further, for example, even when a resin insulating layer is formed on the substrate 81 to be laminated and the via hole is formed by piercing the resin insulating layer with a laser or the like, the resin that cannot be completely removed by the laser or the like may remain on the bottom surface of the via hole. . Also in this case, similarly to the above, poor conduction may occur between the via conductor and the via conductor formed in the via hole.

【0004】ところで、樹脂絶縁層84とその上に形成
する配線層や樹脂絶縁層との密着強度を向上させるため
に、樹脂絶縁層84の表面を粗面とする場合には、樹脂
絶縁層84をエッチング粗化するとともに、ビアホール
底面83Cに残った樹脂JZをも除去することが可能で
ある。しかし、ビアホール底面83Cに残った樹脂JZ
を完全に除去するためにエッチング条件を強くすると、
樹脂絶縁層84の表面が必要以上に荒れすぎて、その後
形成する配線層や樹脂絶縁層との密着強度がかえって低
下することがある。
When the surface of the resin insulating layer 84 is roughened in order to improve the adhesion strength between the resin insulating layer 84 and a wiring layer or a resin insulating layer formed thereon, And the resin JZ remaining on the via hole bottom surface 83C can be removed. However, the resin JZ remaining on the via hole bottom surface 83C
If the etching conditions are increased to completely remove
The surface of the resin insulating layer 84 may be roughened more than necessary, and the adhesive strength to the wiring layer or the resin insulating layer to be formed later may be rather reduced.

【0005】本発明はかかる現状に鑑みてなされたもの
であって、被積層基板の表面に積層された樹脂絶縁層に
形成された有底孔の底面の樹脂を確実に除去することの
できる配線基板の製造方法を提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in view of the above situation, and is a wiring which can surely remove the resin at the bottom of a bottomed hole formed in a resin insulating layer laminated on the surface of a substrate to be laminated. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a substrate.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、表面に金属層を有する被積層基板のうち上記表
面に、上記金属層の一部を底面とした有底孔を有する樹
脂絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記樹脂絶縁層
の表面側から、少なくとも上記有底孔に物体を高速で衝
突させて、上記有底孔底面の金属層上の樹脂を除去する
樹脂除去工程と、を備える配線基板の製造方法である。
Means for Solving the Problems, Actions and Effects The solution is to provide a resin insulating material having a bottomed hole having a part of the metal layer as a bottom surface on the surface of the laminated substrate having a metal layer on the surface. An insulating layer forming step of forming a layer, and a resin removing step of removing a resin on the metal layer on the bottom surface of the bottomed hole by causing an object to collide with at least the bottomed hole at a high speed from the surface side of the resin insulation layer. And a method for manufacturing a wiring board comprising:

【0007】本発明によれば、絶縁層形成工程で樹脂絶
縁層を形成した後、樹脂除去工程で有底孔に物体を高速
で衝突させる。これにより、有底孔を形成する際に有底
孔底面に残った樹脂を確実に除去し、有底孔底面に金属
層を完全に露出させることができる。このため、その後
に、有底孔底面及び有底孔内壁面に導体層を形成してビ
ア導体などとしたり、有底孔底面に導体層を形成してパ
ッドやランドなどとしたり、有底孔底面にハンダを溶着
したり、金属ボールをハンダで融着したりしてハンダバ
ンプや金属ボールバンプとしたりする。この際、有底孔
底面の金属層と導体やハンダなどとの接続が良好とな
り、導通不良が少なくなる。従って、本発明の製造方法
により、接続信頼性の高い配線基板を製造することがで
きる。
According to the present invention, after the resin insulating layer is formed in the insulating layer forming step, the object is caused to collide with the bottomed hole at a high speed in the resin removing step. Thereby, the resin remaining on the bottom surface of the bottomed hole when forming the bottomed hole can be reliably removed, and the metal layer can be completely exposed on the bottom surface of the bottomed hole. Therefore, after that, a conductor layer is formed on the bottom surface of the bottomed hole and the inner wall surface of the bottomed hole to be a via conductor, or a conductor layer is formed on the bottom surface of the bottomed hole to be a pad or a land. Solder is welded to the bottom, or metal balls are fused with solder to form solder bumps or metal ball bumps. At this time, the connection between the metal layer on the bottom surface of the bottomed hole and the conductor, solder, or the like becomes good, and the conduction failure is reduced. Therefore, a wiring board with high connection reliability can be manufactured by the manufacturing method of the present invention.

【0008】ここで、被積層基板は、その表面に例えば
配線層などの金属層を有し、その上に樹脂絶縁層を形成
することができるものであればいずれのものでも良い
が、具体的には、エポキシ樹脂、ガラス繊維−エポキシ
樹脂複合材料など樹脂や複合材料からなるコア基板、ア
ルミナや窒化アルミニウムなどからなるセラミック板や
セラミック多層配線板、コア基板やセラミック多層配線
板等の表面に既に樹脂絶縁層が形成された積層基板等か
らなり、表面に金属層を有するものが挙げられる。
Here, the substrate to be laminated may be any substrate as long as it has a metal layer such as a wiring layer on the surface and a resin insulating layer can be formed thereon. The surface of a core board made of a resin or a composite material such as an epoxy resin or a glass fiber-epoxy resin composite material, a ceramic board or a ceramic multilayer wiring board made of an alumina or aluminum nitride, etc. Examples include a laminate substrate having a resin insulating layer formed thereon and a metal layer on the surface.

【0009】有底孔を有する樹脂絶縁層は、被積層基板
に感光性の未硬化樹脂層を形成し、露光・現像により有
底孔を形成し、さらに、未硬化樹脂層を硬化させること
により形成することができる。この場合、未硬化樹脂と
しては、露光された部位が現像液で不溶となるネガ型の
ものでも、露光された部位が現像液で可溶となるポジ型
のものでも良い。また、有底孔を有する樹脂絶縁層は、
被積層基板に樹脂絶縁層を形成し、レーザやドリル等に
より所定の位置に有底孔を穿孔することにより形成する
こともできる。さらに、被積層基板に未硬化樹脂を所定
のパターンに塗布し、その後硬化させることにより、有
底孔を有する樹脂絶縁層を形成することもできる。いず
れの場合も、有底孔底面の金属層上に樹脂が残りやすい
ので、樹脂除去工程でこの樹脂を除去することにより、
金属層とその後形成する導体やハンダ等との導通が良好
となる。
A resin insulating layer having a bottomed hole is obtained by forming a photosensitive uncured resin layer on a substrate to be laminated, forming a bottomed hole by exposure and development, and further curing the uncured resin layer. Can be formed. In this case, the uncured resin may be a negative type in which the exposed portion is insoluble in the developing solution, or a positive type in which the exposed portion is soluble in the developing solution. In addition, the resin insulating layer having a bottomed hole,
It can also be formed by forming a resin insulating layer on the substrate to be laminated, and drilling a bottomed hole at a predetermined position using a laser, a drill, or the like. Further, a resin insulating layer having a bottomed hole can be formed by applying an uncured resin in a predetermined pattern to the substrate to be laminated and then curing the resin. In any case, the resin is likely to remain on the metal layer on the bottom surface of the bottomed hole, so by removing this resin in the resin removing step,
The conduction between the metal layer and a conductor or solder to be formed thereafter is improved.

【0010】また、高速で衝突させる物体としては、樹
脂絶縁層の材質や厚さ等を考慮して選択すれば良いが、
例えば、圧縮空気や圧縮窒素などの圧縮気体、水、エッ
チング液、現像液、リンス液、フッ素系溶剤等の液体、
シリカ粉末、プラスチック粉末やガラスビーズ等のサン
ドブラスト用メディア等の固体が挙げられる。また、水
にシリカ粉末などのメディアを混ぜたスラリー(固体と
液体の混合物)など、これらを適宜混合したものを用い
ることもできる。
The object to be collided at a high speed may be selected in consideration of the material and thickness of the resin insulating layer.
For example, a compressed gas such as compressed air or compressed nitrogen, water, an etching solution, a developing solution, a rinsing solution, a liquid such as a fluorine-based solvent,
Solids such as silica powder, plastic powder, and sand blasting media such as glass beads are exemplified. Further, a mixture of these as appropriate, such as a slurry (a mixture of a solid and a liquid) in which a medium such as a silica powder is mixed in water, can also be used.

【0011】また、樹脂除去工程では、物体を少なくと
も有底孔に衝突させれば良く、用いる物体やその速度等
を考慮して、樹脂絶縁層表面全面に衝突させるようにす
る他、保護マスクを配置したりレジスト層を形成するこ
とで、有底孔以外を覆って物体の衝撃から保護するよう
にしても良い。
In the resin removing step, the object may be caused to collide with at least the bottomed hole. In consideration of the object to be used and its speed, the object is caused to collide with the entire surface of the resin insulating layer. By arranging or forming a resist layer, portions other than the bottomed hole may be covered to protect the object from impact.

【0012】さらに、上記の配線基板の製造方法であっ
て、前記樹脂除去工程で、前記物体として液体を用いる
ことを特徴とする配線基板の製造方法とすると良い。
Further, in the above-described method for manufacturing a wiring board, it is preferable that a liquid is used as the object in the resin removing step.

【0013】衝突させる物体として液体を用いれば、十
分な衝撃を得られ、効率よく樹脂を除去できる上、シリ
カ粉末等の固体や固体を液体に混ぜたスラリーを用いる
場合のように、樹脂絶縁層や金属層の表面を傷つけた
り、樹脂絶縁層や金属層に突き刺さって残留することが
ない。液体としては、金属層や樹脂絶縁層等の材質を考
慮して選択すれば良いが、水の他、例えば樹脂絶縁層を
エッチング粗化する樹脂エッチング液、金属層をエッチ
ングするエッチング液や粗化する粗化液、樹脂絶縁層や
レジスト層を現像する現像液、リンス液、フッ素系溶剤
等などを用いることができる。
If a liquid is used as the object to be colliding, a sufficient impact can be obtained, the resin can be efficiently removed, and a solid such as silica powder or a slurry obtained by mixing a solid with the liquid can be used as in the case of using a resin insulating layer. Or the surface of the metal layer is not damaged or penetrated into the resin insulating layer or the metal layer. The liquid may be selected in consideration of the material of the metal layer, the resin insulating layer, and the like. In addition to water, for example, a resin etching solution for etching and roughening the resin insulating layer, an etching solution for etching the metal layer, and a roughening method. For example, a roughening solution, a developing solution for developing a resin insulating layer or a resist layer, a rinsing solution, a fluorine-based solvent, or the like can be used.

【0014】さらに、上記の配線基板の製造方法であっ
て、前記樹脂除去工程は、前記物体として前記樹脂絶縁
層をエッチングして粗化する樹脂エッチング液を用い、
前記有底孔底面の金属層上の樹脂を除去するとともに、
上記樹脂絶縁層をエッチングして粗化する樹脂除去・樹
脂エッチング工程であることを特徴とする配線基板の製
造方法とするのが好ましい。
Further, in the above method for manufacturing a wiring board, in the resin removing step, a resin etchant for etching and roughening the resin insulating layer is used as the object.
While removing the resin on the metal layer on the bottom surface of the bottomed hole,
It is preferable to provide a method for manufacturing a wiring board, which is a resin removal / resin etching step of etching and roughening the resin insulating layer.

【0015】衝突させる物体として、過マンガン酸カリ
ウムなど樹脂絶縁層をエッチング粗化する樹脂エッチン
グ液を用いる場合には、有底孔底面に残った樹脂を衝撃
力により除去するだけでなく、樹脂を溶解することによ
っても除去することができる。このため、有底孔底面に
残った樹脂をより確実に除去し、金属層を露出させるこ
とができる。しかも、樹脂エッチング液を用いれば、有
底孔底面の樹脂が除去されるとともに、樹脂絶縁層の表
面が粗面となる。このため、この樹脂絶縁層とその後に
形成する配線層(導体層)や樹脂絶縁層などとの密着強
度を高めることもできる。
When a resin etching solution such as potassium permanganate for etching and roughening a resin insulating layer is used as an object to be collided, not only the resin remaining on the bottom surface of the bottomed hole is removed by an impact force but also the resin is removed. It can also be removed by dissolution. Therefore, the resin remaining on the bottom surface of the bottomed hole can be more reliably removed, and the metal layer can be exposed. In addition, when the resin etching solution is used, the resin on the bottom surface of the bottomed hole is removed, and the surface of the resin insulating layer becomes rough. Therefore, the adhesive strength between the resin insulating layer and a wiring layer (conductor layer) or a resin insulating layer to be formed later can be increased.

【0016】あるいは、上記の配線基板の製造方法であ
って、前記樹脂除去工程は、前記物体として前記有底孔
底面の金属層をエッチングする金属層エッチング液を用
い、上記金属層をエッチングするとともに前記樹脂を除
去する樹脂除去・金属層エッチング工程であることを特
徴とする配線基板の製造方法とするのが好ましい。
Alternatively, in the above method for manufacturing a wiring board, in the resin removing step, the metal layer is etched using a metal layer etching solution for etching the metal layer on the bottom surface of the bottomed hole as the object. Preferably, the method is a method for manufacturing a wiring board, which is a resin removal / metal layer etching step of removing the resin.

【0017】衝突させる物体として、硫酸ナトリウム溶
液など配線層をエッチングするエッチング液を用いる場
合には、有底孔底面に残った樹脂を衝撃力により除去す
るだけでなく、有底孔底面の金属層を溶解して樹脂を浮
かせることによっても除去することができる。このた
め、有底孔底面に残った樹脂をより確実に除去し、金属
層を露出させることができる。
When an etching solution for etching the wiring layer such as a sodium sulfate solution is used as the object to be collided, not only the resin remaining on the bottom of the bottomed hole is removed by an impact force, but also the metal layer on the bottom of the bottomed hole is removed. Can also be removed by dissolving and floating the resin. Therefore, the resin remaining on the bottom surface of the bottomed hole can be more reliably removed, and the metal layer can be exposed.

【0018】あるいは、上記の配線基板の製造方法であ
って、前記樹脂除去工程で、前記物体として水を用いる
ことを特徴とする配線基板の製造方法とするのが好まし
い。衝突させる物体として水を用いる場合には、樹脂絶
縁層や金属層などを溶解、腐食させることがない。ま
た、水を衝突させた後には乾燥させれば済み、廃液の処
理も容易である。なお、使う水は、純水、好ましくは導
電率が0.1mS以下の純水を用いると良い。不純物に
より樹脂絶縁層や金属層その他が汚染されるのを防止で
きるからである。
Alternatively, it is preferable that the method for manufacturing a wiring board described above is characterized in that water is used as the object in the resin removing step. When water is used as the object to be collided, the resin insulating layer and the metal layer do not dissolve or corrode. Further, after the collision with water, drying is sufficient, and the treatment of waste liquid is easy. Note that pure water, preferably pure water having a conductivity of 0.1 mS or less, is preferably used. This is because contamination of the resin insulating layer, the metal layer, and the like by impurities can be prevented.

【0019】さらに、上記の配線基板の製造方法であっ
て、前記樹脂除去工程で、前記液体を30kg/cm2
以上50kg/cm2 以下の圧力で吹き付けることを特
徴とする配線基板の製造方法とすると良い。
Further, in the above-mentioned method for manufacturing a wiring board, in the resin removing step, the liquid may be supplied in an amount of 30 kg / cm 2.
Preferably, the method is a method for manufacturing a wiring board, characterized by spraying at a pressure of 50 kg / cm 2 or less.

【0020】衝突させる圧力を30kg/cm2 以上と
するのは、これ以下では、衝撃が小さいため有底孔底面
の樹脂が除去されにくいからであり、30kg/cm2
以上とすることにより有底孔底面の樹脂を確実に除去す
ることができる。一方、圧力を50kg/cm2 以下と
するのは、これ以上では、衝撃が大きすぎて樹脂絶縁層
の表面などが極端に荒れたり、有底孔が拡がるなど変形
したりするからであり、50kg/cm2 以下とするこ
とにより樹脂絶縁層等に悪影響を与えることなく確実に
樹脂を除去することができる。
[0020] to the pressure impinging 30kg / cm 2 or more, which in the following, is because the resin of the bottomed hole bottom for shock is small is difficult to remove, 30kg / cm 2
By doing so, the resin on the bottom surface of the bottomed hole can be reliably removed. On the other hand, the reason why the pressure is set to 50 kg / cm 2 or less is that if the pressure is more than 50 kg / cm 2 , the impact is too large, and the surface of the resin insulating layer is extremely roughened and the bottomed hole is expanded and deformed. / Cm 2 or less ensures that the resin can be removed without adversely affecting the resin insulating layer and the like.

【0021】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
の製造方法であって、前記絶縁層形成工程後、前記樹脂
除去工程前に、前記樹脂絶縁層をエッチングして粗化す
る樹脂エッチング工程を備えることを特徴とする配線基
板の製造方法とすると良い。
Further, in the method for manufacturing a wiring board according to any one of the above, a resin etching step of etching and roughening the resin insulating layer after the insulating layer forming step and before the resin removing step is provided. It is preferable to provide a method for manufacturing a wiring board, comprising:

【0022】樹脂エッチング工程で樹脂絶縁層をエッチ
ング粗化すると、有底孔底面上に残った樹脂の一部がエ
ッチング液により溶解して除去されるので、その後、樹
脂除去工程を行うことにより、より確実に樹脂を除去す
ることができる。しかも、このような樹脂エッチング工
程を行えば、樹脂絶縁層と有底孔に形成する導体層等と
の密着強度が、アンカー効果により向上する。また、樹
脂絶縁層上に配線層(導体層)や樹脂絶縁層を形成する
場合には、配線層との密着強度や樹脂絶縁層同士の密着
強度が向上する。
When the resin insulating layer is roughened by etching in the resin etching step, a part of the resin remaining on the bottom surface of the bottomed hole is dissolved and removed by the etchant. Thereafter, by performing the resin removing step, The resin can be more reliably removed. Moreover, by performing such a resin etching step, the adhesion strength between the resin insulating layer and the conductor layer formed in the bottomed hole is improved by the anchor effect. In the case where a wiring layer (conductor layer) or a resin insulating layer is formed on the resin insulating layer, the adhesive strength between the wiring layer and the resin insulating layer is improved.

【0023】また、従来のように樹脂エッチング(樹脂
エッチング工程)だけで有底孔底面に残った樹脂を除去
するのではなく、樹脂エッチング工程と樹脂除去工程を
併用することにより、有底孔底面の樹脂を除去している
ので、樹脂エッチングの条件を強くしすぎて必要以上に
樹脂絶縁層の表面を荒らしてしまうことがない。従っ
て、樹脂絶縁層の表面を所望の粗さにするとともに、有
底孔底面に残った樹脂を確実に除去することができる。
なお、このエッチング粗化としては、樹脂絶縁層を例え
ば過マンガン酸カリウム水溶液などの樹脂エッチング液
で処理すれば良く、樹脂絶縁層の表面粗度を考慮して、
樹脂エッチング液の組成や反応条件等を適宜選択すれば
良い。
Further, instead of removing the resin remaining on the bottom surface of the bottomed hole only by resin etching (resin etching step) as in the prior art, the resin etching step and the resin removal step are used in combination, so that the bottom surface of the bottomed hole is removed. Since the resin is removed, the condition of the resin etching is not made too strong and the surface of the resin insulating layer is not unnecessarily roughened. Therefore, the surface of the resin insulating layer can be made to have a desired roughness, and the resin remaining on the bottom surface of the bottomed hole can be reliably removed.
In addition, as this etching roughening, the resin insulating layer may be treated with a resin etching solution such as an aqueous solution of potassium permanganate, and in consideration of the surface roughness of the resin insulating layer,
What is necessary is just to select the composition of the resin etching solution, reaction conditions, and the like as appropriate.

【0024】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
の製造方法であって、前記絶縁層形成工程後、または前
記樹脂エッチング工程を備える場合には樹脂エッチング
工程後であって、前記樹脂除去工程前に、前記有底孔底
面の金属層をエッチングする金属層エッチング工程を備
えることを特徴とする配線基板の製造方法とすると良
い。
Further, in the method for manufacturing a wiring board according to any one of the above, after the insulating layer forming step or after the resin etching step when the method includes the resin etching step, the resin removing step Preferably, the method further comprises a metal layer etching step of etching the metal layer on the bottom surface of the bottomed hole.

【0025】樹脂除去工程前に金属層をエッチングする
と、有底孔底面上に残った樹脂も一緒に除去されたり、
あるいは、樹脂が有底孔底面から部分的に浮いた状態に
なりやすい。このため、その後、樹脂除去工程を行うこ
とにより、より確実に樹脂が除去される。また、この金
属層エッチング工程前に、上述した樹脂エッチング工程
を備える場合には、絶縁層形成工程後に有底孔底面の金
属層全体を樹脂が覆っていたとしても、樹脂の一部が除
去され、金属層が所々で露出するようになる。このた
め、金属層エッチング工程で有底孔底面の金属層を効率
よくエッチングすることができるようになる。
When the metal layer is etched before the resin removing step, the resin remaining on the bottom surface of the bottomed hole is removed together,
Alternatively, the resin is likely to partially float from the bottom surface of the bottomed hole. Therefore, the resin is more reliably removed by performing the resin removing step thereafter. Further, when the above-described resin etching step is provided before the metal layer etching step, even if the resin covers the entire metal layer on the bottom surface of the bottomed hole after the insulating layer forming step, a part of the resin is removed. In some cases, the metal layer is exposed in some places. Therefore, the metal layer on the bottom surface of the bottomed hole can be efficiently etched in the metal layer etching step.

【0026】なお、このエッチングとしては、有底孔底
面の金属層を例えば硫酸ナトリウム溶液などの金属層エ
ッチング液や、擬酸を含む金属層エッチング液(粗化
液)で処理すれば良く、金属層の材質などを考慮して、
金属層エッチング液の組成や反応条件等を適宜選択すれ
ば良い。金属層エッチング液として粗化液を用いる場合
には、金属層エッチング工程で金属層の表面を粗面とす
ることができるので、金属層と有底孔底面に形成する導
体層との密着強度をアンカー効果により高くすることも
できる。
In this etching, the metal layer on the bottom surface of the bottomed hole may be treated with a metal layer etching solution such as a sodium sulfate solution or a metal layer etching solution containing a pseudo acid (roughening solution). Considering the material of the layer,
The composition and reaction conditions of the metal layer etching solution may be appropriately selected. When a roughening solution is used as the metal layer etching solution, the surface of the metal layer can be roughened in the metal layer etching step, so that the adhesion strength between the metal layer and the conductor layer formed on the bottom surface of the bottomed hole is reduced. The height can be increased by the anchor effect.

【0027】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
の製造方法であって、前記絶縁層形成工程後、前記樹脂
除去工程前に、前記樹脂絶縁層をプラズマ処理するプラ
ズマ処理工程を備えることを特徴とする配線基板の製造
方法とするのが好ましい。プラズマ処理工程で樹脂絶縁
層を粗化すると、有底孔底面上に残った樹脂が一部除去
されるので、その後、樹脂除去工程を行うことにより、
より確実に樹脂を除去することができる。さらに、プラ
ズマ処理により、樹脂絶縁層と有底孔に形成する導体等
との密着強度が、アンカー効果により向上する。また、
樹脂絶縁層上に配線層(導体層)や樹脂絶縁層を形成す
る場合には、これらとの密着強度も向上する。
Further, the method for manufacturing a wiring board according to any of the above, further comprising a plasma processing step of performing a plasma processing on the resin insulating layer after the insulating layer forming step and before the resin removing step. It is preferable to use a method of manufacturing a characteristic wiring board. When the resin insulating layer is roughened in the plasma processing step, a portion of the resin remaining on the bottom surface of the bottomed hole is partially removed.
The resin can be more reliably removed. Further, the plasma treatment improves the adhesion strength between the resin insulating layer and the conductor formed in the bottomed hole due to the anchor effect. Also,
When a wiring layer (conductor layer) or a resin insulating layer is formed on the resin insulating layer, the adhesive strength with these layers is also improved.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】(実施形態1)以下、本発明の実
施の形態を、図を参照しつつ説明する。配線基板を製造
するにあたり、図1に部分拡大断面図を示す被積層基板
1を予め用意しておく。この被積層基板1は、ガラス−
BT樹脂のコア基板2からなり、その上面2A及び図示
しない下面に、それぞれ配線層3(金属層)を有する。
また、コア基板2に形成された多数の孔4の内周面には
スルービア導体5を有し、上下面の配線層3と導通して
いる。そして、このスルービア導体5の貫通孔には樹脂
6が充填されている。
Embodiment 1 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In manufacturing a wiring substrate, a laminated substrate 1 whose partial enlarged sectional view is shown in FIG. 1 is prepared in advance. This laminated substrate 1 is made of glass
It consists of a BT resin core substrate 2 and has a wiring layer 3 (metal layer) on its upper surface 2A and lower surface (not shown).
Further, through-hole conductors 5 are provided on the inner peripheral surface of the large number of holes 4 formed in the core substrate 2 and are electrically connected to the upper and lower wiring layers 3. The through-hole of the through-via conductor 5 is filled with a resin 6.

【0029】この被積層基板1は、次のようにして製造
される。即ち、コア基板2の両面に銅箔を張った両面銅
張り基板を、ドリルにより穿孔する。そして、この基板
に無電解メッキ、電解メッキを順次施し、銅箔上及び穿
孔した孔の内周面にメッキ層を形成する。その後所定の
パターンにエッチングする。これにより、コア基板2の
上面2A及び下面に上記配線層3が形成され、穿孔した
孔の内周面に上記スルービア導体5が形成される。その
後、スルービア導体5の貫通孔を樹脂6で埋めれば、上
記被積層基板1となる。
The laminated substrate 1 is manufactured as follows. That is, a double-sided copper-clad board having copper foil on both sides of the core board 2 is drilled by a drill. Then, electroless plating and electrolytic plating are sequentially performed on the substrate, and a plating layer is formed on the copper foil and on the inner peripheral surface of the perforated hole. After that, it is etched into a predetermined pattern. As a result, the wiring layer 3 is formed on the upper surface 2A and the lower surface of the core substrate 2, and the through via conductor 5 is formed on the inner peripheral surface of the perforated hole. Thereafter, when the through-hole of the through via conductor 5 is filled with the resin 6, the laminated substrate 1 is obtained.

【0030】まず、絶縁層形成工程において、図2に示
すように、上記被積層基板1の表面1Aに感光性の未硬
化(半硬化状態)の樹脂層11を形成する。具体的に
は、エポキシ系樹脂からなるドライフィルム(未硬化の
フィルム状樹脂)を被積層基板1の表面1Aに貼り付け
る。なお、この感光性の樹脂層11は、露光された部位
が硬化して現像液に不溶となるネガ型のものである。次
に、遮光パターンが形成されたガラスマスク(図示しな
い)を用いて樹脂層11を露光し、露光部を硬化させ
る。
First, in the insulating layer forming step, as shown in FIG. 2, a photosensitive uncured (semi-cured) resin layer 11 is formed on the surface 1A of the substrate 1 to be laminated. Specifically, a dry film (uncured film-like resin) made of an epoxy resin is attached to the surface 1A of the substrate 1 to be laminated. The photosensitive resin layer 11 is of a negative type in which an exposed portion is cured and becomes insoluble in a developer. Next, the resin layer 11 is exposed using a glass mask (not shown) on which a light-shielding pattern is formed, and the exposed portions are cured.

【0031】次に、被積層基板1の表面1A側(樹脂層
11の表面側)から、現像液をシャワー状にかけて、ビ
アホール(有底孔)12を形成する(図3参照)。この
状態で、本来ビアホール底面(有底孔底面)12Cに、
被積層基板1の表面1Aの配線層3が露出するはずであ
るが、現像が不十分で未硬化の樹脂がビアホール底面1
2Cの一部あるいは全面に残ることがある。あるいは、
現像時に溶解した樹脂がビアホール底面12Cに付いて
樹脂皮膜として残ることがある(図3参照)。
Next, a developer is showered from the surface 1A side of the laminated substrate 1 (the surface side of the resin layer 11) to form via holes (holes with bottoms) 12 (see FIG. 3). In this state, the via hole bottom (bottomed hole bottom) 12C should be
The wiring layer 3 on the surface 1A of the substrate 1 to be laminated should be exposed, but the resin which has not been sufficiently developed and has not been hardened becomes the via hole bottom surface 1A.
It may remain on part or the entire surface of 2C. Or,
The resin dissolved during development may adhere to the via hole bottom surface 12C and remain as a resin film (see FIG. 3).

【0032】現像後は、加熱し、樹脂層11を十分に硬
化させて、図3に示すように、多数(図中1ヶ)のビア
ホール(有底孔)12をそれぞれ所定の位置に有する樹
脂絶縁層13を形成する。この状態においても、現像で
ビアホール底面(有底孔底面)12Cから除去しきれな
かった未硬化の樹脂が硬化してそのまま残っている。従
って、この状態でビアホール底面12C及びビアホール
内壁面(有底孔内壁面)12Dにビア導体(導体層)を
形成すると、この樹脂JSにより、後述するビア導体1
7とビアホール底面12Cの配線層3との間で導通不良
(接続不良)が生じることがある。
After the development, the resin layer 11 is heated and sufficiently cured, and as shown in FIG. 3, a resin having a large number (one in the figure) of via holes (bottomed holes) 12 at predetermined positions. An insulating layer 13 is formed. Even in this state, the uncured resin that cannot be completely removed from the via hole bottom surface (bottomed hole bottom surface) 12C by development is hardened and remains. Therefore, when a via conductor (conductor layer) is formed on the via hole bottom surface 12C and the via hole inner wall surface (bottomed hole inner wall surface) 12D in this state, the resin JS causes the via conductor 1 described later to be formed.
7 and the wiring layer 3 on the via hole bottom surface 12C may cause a conduction failure (connection failure).

【0033】次に、樹脂エッチング工程において、図4
に示すように、上記絶縁層形成工程で形成された樹脂絶
縁層13をエッチング粗化する。具体的には、過マンガ
ン酸カリウム水溶液からなるエッチング液を、樹脂絶縁
層13が形成された被積層基板1にシャワー状にかけ
て、樹脂絶縁層13の表面13Aをエッチング粗化す
る。このエッチング粗化により、ビアホール底面12C
に残った樹脂JSを一部溶解して除去することができ
る。ここで、エッチング条件を強くするほど、樹脂JS
はそれだけ除去されるようになるが、樹脂絶縁層13の
表面13Aが粗くなりすぎるので、樹脂絶縁層13の材
質や表面粗度を考慮してその条件を定めなければならな
い。このため、ビアホール底面12Cには、樹脂JSが
完全に除去されずに残ることがある。
Next, in the resin etching step, FIG.
As shown in (2), the resin insulating layer 13 formed in the insulating layer forming step is roughened by etching. Specifically, an etching solution composed of an aqueous solution of potassium permanganate is showered onto the substrate 1 on which the resin insulating layer 13 is formed, and the surface 13A of the resin insulating layer 13 is etched and roughened. By this etching roughening, the via hole bottom surface 12C
The resin JS remaining in the resin can be partially dissolved and removed. Here, the stronger the etching conditions, the more the resin JS
However, since the surface 13A of the resin insulating layer 13 becomes too rough, the conditions must be determined in consideration of the material and the surface roughness of the resin insulating layer 13. Therefore, the resin JS may remain on the via hole bottom surface 12C without being completely removed.

【0034】次に、金属層エッチング工程において、図
5に示すように、ビアホール底面12Cに露出する配線
層3をエッチングする。具体的には、硫酸ナトリウム溶
液を、樹脂エッチング工程後の被積層基板1にシャワー
状にかけて、ビアホール底面12Cの18μm厚の配線
層3の表面3Aを約1.5μmエッチングする。
Next, in the metal layer etching step, as shown in FIG. 5, the wiring layer 3 exposed at the via hole bottom surface 12C is etched. Specifically, a sodium sulfate solution is showered on the substrate 1 to be laminated after the resin etching step, and the surface 3A of the 18 μm-thick wiring layer 3 on the via hole bottom surface 12C is etched by about 1.5 μm.

【0035】このエッチングにより、ビアホール底面1
2Cの配線層3の表層が溶解するとともに、この配線層
3上に残った樹脂JSの一部も一緒に除去される。ある
いは、樹脂JSの一部が部分的に配線層3から剥がれ、
浮いた状態になる。この配線層3のエッチングにおいて
も、エッチング条件を強くするほど、樹脂JSが除去さ
れやすくなるが、エッチング液が樹脂絶縁層13の下側
の配線層3にまで回り込んでエッチングされ、不具合を
引き起こすことになるので、エッチング条件を強くしす
ぎないように制御する必要がある。このため、ビアホー
ル底面12Cには、なお樹脂JSが完全に除去されずに
残ることがある。なお、本実施形態では、この金属層エ
ッチング工程の前に樹脂エッチング工程を行っているの
で、樹脂絶縁層13形成後に樹脂JSが厚く残っている
場合においても、樹脂エッチング工程で樹脂JSの一部
が除去され、配線層3が所々で露出するので(図4参
照)、効率よく配線層3をエッチングすることができ
る。
By this etching, the via hole bottom 1
The surface layer of the 2C wiring layer 3 is dissolved, and a part of the resin JS remaining on the wiring layer 3 is also removed. Alternatively, a part of the resin JS is partially peeled from the wiring layer 3,
Become floating. In the etching of the wiring layer 3 as well, the stronger the etching conditions, the more easily the resin JS is removed. However, the etchant reaches the lower wiring layer 3 under the resin insulating layer 13 and is etched, causing a problem. Therefore, it is necessary to control the etching conditions so as not to be too strong. Therefore, the resin JS may remain on the via hole bottom surface 12C without being completely removed. In this embodiment, since the resin etching step is performed before the metal layer etching step, even if the resin JS remains thick after the resin insulating layer 13 is formed, a part of the resin JS is formed in the resin etching step. Is removed and the wiring layer 3 is exposed in some places (see FIG. 4), so that the wiring layer 3 can be efficiently etched.

【0036】次に、樹脂除去工程において、図6(a)
に示すようにして純水WAを高圧(高速)で衝突させ、
図7に示すように、ビアホール底面12Cの樹脂JSを
完全に除去する。具体的には、図6(a)に示すよう
に、筺体J内において、コンベアCON上に載置し、搬
送している被積層基板1の樹脂絶縁層13に向けて、高
圧のポンプPMで加圧した純水WAを配管PIを通じて
ノズルNZから噴射させて衝突させる。これにより、図
7に示すように、ビアホール底面12Cの樹脂JSが完
全に除去され、ビアホール底面12Cに被積層基板1の
表面1Aの配線層3が露出する。
Next, in the resin removing step, FIG.
Pure water WA is caused to collide at high pressure (high speed) as shown in
As shown in FIG. 7, the resin JS on the via hole bottom surface 12C is completely removed. Specifically, as shown in FIG. 6A, in the housing J, a high-pressure pump PM is applied to the resin insulating layer 13 of the substrate 1 to be stacked and conveyed, which is placed on the conveyor CON. The pressurized pure water WA is ejected from the nozzle NZ through the pipe PI to collide. Thereby, as shown in FIG. 7, the resin JS on the via hole bottom surface 12C is completely removed, and the wiring layer 3 on the surface 1A of the laminated substrate 1 is exposed on the via hole bottom surface 12C.

【0037】なお、本実施形態では、樹脂除去工程の前
に、樹脂エッチング工程で樹脂絶縁層13の表面13A
を粗化するとともに、ビアホール底面12Cの樹脂JS
の一部を除去し、さらに、金属層エッチング工程で、ビ
アホール底面12Cの配線層3の表面をエッチングする
とともに、ビアホール底面12Cの樹脂JSの一部を除
去している。このため、樹脂除去工程により、確実にビ
アホール底面12Cの樹脂JSを除去することができ、
ビアホール底面12Cに完全に配線層3を露出させるこ
とができる。
In this embodiment, before the resin removing step, the surface 13A of the resin insulating layer 13 is etched by a resin etching step.
And the resin JS on the via hole bottom surface 12C
Are further removed, and in the metal layer etching step, the surface of the wiring layer 3 on the via hole bottom surface 12C is etched, and a part of the resin JS on the via hole bottom surface 12C is removed. Therefore, the resin JS on the via hole bottom surface 12C can be surely removed by the resin removing step,
The wiring layer 3 can be completely exposed at the via hole bottom surface 12C.

【0038】ここで、本実施形態では、純水WAを約4
0kg/cm2 の圧力で衝突させている。この圧力につ
いては、30kg/cm2 以下では、樹脂JSが完全に
除去されずに、その結果配線基板に導通不良を生じるも
のがあった。また、圧力が50kg/cm2 以上では、
被積層基板1上の樹脂絶縁層13に傷が付いたり、ビア
ホール12が変形するなどの不具合を生じるものが見ら
れた。このため、本実施形態にように、純水WAを衝突
させる圧力は、30kg/cm2 以上50kg/cm2
以下の範囲とするのが好ましい。
In this embodiment, the pure water WA is set to about 4
The collision was performed at a pressure of 0 kg / cm 2 . If the pressure is 30 kg / cm 2 or less, the resin JS may not be completely removed, and as a result, a conduction failure may occur in the wiring board. When the pressure is 50 kg / cm 2 or more,
In some cases, the resin insulating layer 13 on the laminated substrate 1 was damaged or the via hole 12 was deformed. Therefore, as in the present embodiment, the pressure at which the pure water WA collides is 30 kg / cm 2 or more and 50 kg / cm 2.
It is preferable to set the following range.

【0039】また、純水WAとして、導電率0.1mS
以下のものを用いている。このように不純物の少ない純
水を用いることにより、樹脂絶縁層13や配線層3など
が汚染されるのを防止することができる。さらに、純水
WAを使うことにより、樹脂絶縁層13や配線層3など
を溶解、腐食させることがなく、吹き付け後は、乾燥さ
せれば済み、廃液の処理も容易である。
The pure water WA has a conductivity of 0.1 mS.
The following are used. By using pure water having a small amount of impurities as described above, it is possible to prevent the resin insulating layer 13 and the wiring layer 3 from being contaminated. Further, by using the pure water WA, the resin insulating layer 13 and the wiring layer 3 do not dissolve or corrode, and after spraying, it is only necessary to dry, and the disposal of waste liquid is easy.

【0040】次に、導体形成工程において、ビアホール
底面12C及びビアホール内壁面12D、並びに樹脂絶
縁層13の表面13Aに導体層を形成する。具体的に
は、無電解メッキを全面に施して、ビアホール底面12
C及びビアホール内壁面12D、並びに樹脂絶縁層13
の表面13Aに無電解メッキ層を形成し、さらに、電解
メッキを施して、無電解メッキ層上に電解メッキ層を形
成する。そしてその後、所定のパターンのエッチングレ
ジスト層を形成して、メッキ層のうち不要部をエッチン
グ除去する。これにより、ビアホール底面12C及びビ
アホール内壁面12Dにビア導体17(導体層)が形成
され、樹脂絶縁層13上に配線層18(導体層)が形成
される。
Next, in the conductor forming step, a conductor layer is formed on the via hole bottom surface 12C, the via hole inner wall surface 12D, and the surface 13A of the resin insulating layer 13. Specifically, electroless plating is applied to the entire surface to form a via hole bottom surface 12.
C and via hole inner wall surface 12D, and resin insulating layer 13
An electroless plating layer is formed on the surface 13A of the substrate, and electrolytic plating is further performed to form an electrolytic plating layer on the electroless plating layer. Thereafter, an etching resist layer having a predetermined pattern is formed, and unnecessary portions of the plating layer are removed by etching. As a result, the via conductor 17 (conductor layer) is formed on the via hole bottom surface 12C and the via hole inner wall surface 12D, and the wiring layer 18 (conductor layer) is formed on the resin insulating layer 13.

【0041】その際、ビアホール底面12Cには配線層
3が完全に露出しているので、この配線層3とビア導体
17とが確実に接続される。このため、ビアホール底面
12Cの配線層3と、ビア導体17やこれと導通した樹
脂絶縁層13上の配線層18との間での前述した導通不
良の発生が少なくなる。なお、樹脂エッチング工程で樹
脂絶縁層13を粗化しているので、樹脂絶縁層13とビ
ア導体17や配線層18との密着強度が高くなる。ま
た、樹脂エッチング工程のみでビアホール底面12Cの
樹脂JSを除去する場合と異なり、液体(純水WA)の
吹き付けによる樹脂除去工程を併用しているため、樹脂
絶縁層13の表面13Aが荒れすぎるという不具合の発
生を防止することができる。
At this time, since the wiring layer 3 is completely exposed from the via hole bottom surface 12C, the wiring layer 3 and the via conductor 17 are securely connected. For this reason, the occurrence of the above-described conduction failure between the wiring layer 3 on the via hole bottom surface 12C and the wiring layer 18 on the via conductor 17 and the resin insulating layer 13 which is conductive therewith is reduced. Since the resin insulating layer 13 is roughened in the resin etching step, the adhesion strength between the resin insulating layer 13 and the via conductor 17 or the wiring layer 18 increases. Also, unlike the case where the resin JS on the via hole bottom surface 12C is removed only by the resin etching process, the resin removal process by spraying a liquid (pure water WA) is also used, so that the surface 13A of the resin insulating layer 13 is too rough. Failures can be prevented from occurring.

【0042】導体形成工程後は、樹脂絶縁層13及び配
線層18上に、さらに図示しない樹脂絶縁層を積層しビ
ア導体や配線層等を形成する。さらに必要に応じて、樹
脂絶縁層、配線層等を形成したり、ソルダーレジスト層
を形成したり、入出力端子等を形成したりして、配線基
板を完成させる。このように製造した配線基板は、配線
層3,18とビア導体17とが確実に接続されているの
で、配線層3,18間の接続信頼性が高い。
After the conductor forming step, a resin insulating layer (not shown) is further laminated on the resin insulating layer 13 and the wiring layer 18 to form a via conductor, a wiring layer, and the like. Further, if necessary, a resin insulating layer, a wiring layer, and the like, a solder resist layer, an input / output terminal, and the like are formed to complete the wiring substrate. In the wiring board manufactured in this manner, the wiring layers 3 and 18 and the via conductors 17 are securely connected to each other, so that the connection reliability between the wiring layers 3 and 18 is high.

【0043】以上で説明したように、本実施形態の配線
基板の製造方法によれば、樹脂除去工程で、樹脂絶縁層
13の表面13A側から、30〜50kg/cm2 の圧
力で純水WAを衝突させるので、ビアホール底面12C
に残った樹脂JSを確実に除去することができる。この
ため、ビアホール底面12Cの配線層(金属層)3とビ
ア導体(導体層)17との接続信頼性が高い。
As described above, according to the method for manufacturing a wiring board of the present embodiment, in the resin removing step, pure water WA is applied from the surface 13A side of the resin insulating layer 13 at a pressure of 30 to 50 kg / cm 2. Collides with the via hole bottom surface 12C
The resin JS remaining on the substrate can be reliably removed. Therefore, the connection reliability between the wiring layer (metal layer) 3 on the via hole bottom surface 12C and the via conductor (conductor layer) 17 is high.

【0044】また、樹脂除去工程前に、樹脂エッチング
工程を行い、この工程でビアホール底面12Cの樹脂J
Sの一部を除去しているので、樹脂除去工程でより確実
にビアホール底面12Cの配線層3を露出させることが
できる。さらに、樹脂エッチング工程後、樹脂除去工程
前に、金属層エッチング工程を行い、この工程でビアホ
ール底面12Cの樹脂JSの一部を除去しているので、
樹脂除去工程でさらに確実にビアホール底面12Cの配
線層3を露出させることができる。なお、本実施形態で
は、樹脂除去工程で純水WAを衝突させているが、水以
外の液体を高圧で衝突させても良い。液体を用いれば、
十分な衝撃が得られ、効率よく樹脂JSを除去できる
上、シリカ粉末等の固体を用いる場合や固体を液体に混
ぜたスラリーを用いる場合のように樹脂絶縁層13等に
刺さって残留することがない。
Before the resin removing step, a resin etching step is performed. In this step, the resin J on the bottom surface 12C of the via hole is removed.
Since a part of S is removed, the wiring layer 3 on the via hole bottom surface 12C can be more reliably exposed in the resin removing step. Further, after the resin etching step and before the resin removing step, a metal layer etching step is performed, and in this step, a part of the resin JS on the via hole bottom surface 12C is removed.
In the resin removing step, the wiring layer 3 on the via hole bottom surface 12C can be more reliably exposed. In the present embodiment, the pure water WA is made to collide in the resin removing step, but a liquid other than water may collide with high pressure. If you use liquid,
A sufficient impact is obtained, the resin JS can be efficiently removed, and the resin JS can be stuck and remain in the resin insulating layer 13 or the like as in the case of using a solid such as silica powder or a slurry in which the solid is mixed with a liquid. Absent.

【0045】(実施形態2)次いで、実施形態2につい
て、図9を参照しつつ説明する。本実施形態では、被積
層基板101の表面上に、端子用ホール(有底孔)11
2を有する樹脂絶縁層113を形成した後、この端子用
ホール112に端子用導体117を形成して、その後、
端子用導体117に外部端子としてのピン121をハン
ダ付けする点が上記実施形態1と異なる。
(Embodiment 2) Next, Embodiment 2 will be described with reference to FIG. In the present embodiment, terminal holes (bottomed holes) 11 are provided on the surface of the laminated substrate 101.
After forming the resin insulating layer 113 having a terminal 2, a terminal conductor 117 is formed in the terminal hole 112, and thereafter,
This embodiment differs from the first embodiment in that a pin 121 as an external terminal is soldered to the terminal conductor 117.

【0046】まず、上記実施形態1と同様に、予め被積
層基板101を用意し、樹脂除去工程まで、上記実施形
態1と同様にして、配線基板を製造する。即ち、絶縁層
形成工程において、被積層基板101上に端子用ホール
(有底孔)112を有する樹脂絶縁層113を形成す
る。次に、樹脂エッチング工程において、被積層基板1
01に形成された樹脂絶縁層113をエッチング粗化す
るとともに、端子用ホール底面112Cの樹脂の少なく
とも一部を除去する。さらに、金属層エッチング工程
で、端子用ホール底面112Cに露出する配線層103
をエッチングするとともに、端子用ホール底面112C
に残った樹脂の少なくとも一部を除去する。次に、樹脂
除去工程において、純水を高圧で衝突させて、端子用ホ
ール底面112Cの樹脂を完全に除去し、配線層103
を完全に露出させる。
First, as in the first embodiment, the substrate to be laminated 101 is prepared in advance, and a wiring board is manufactured in the same manner as in the first embodiment until the resin removing step. That is, in the insulating layer forming step, the resin insulating layer 113 having the terminal holes (bottomed holes) 112 is formed on the laminated substrate 101. Next, in the resin etching step, the laminated substrate 1
In addition, the resin insulating layer 113 formed on the substrate 01 is roughened by etching, and at least a part of the resin on the terminal hole bottom surface 112C is removed. Further, in the metal layer etching step, the wiring layer 103 exposed on the terminal hole bottom surface 112C is formed.
And the terminal hole bottom surface 112C
At least a part of the resin remaining in is removed. Next, in a resin removing step, pure water is caused to collide with high pressure to completely remove the resin from the terminal hole bottom surface 112C.
Completely exposed.

【0047】その後、本実施形態では、導体形成工程に
おいて、端子用ホール底面112C、端子用ホール内壁
面112D、及び樹脂絶縁層113のうち端子用ホール
112周縁に、端子用導体117を形成する。この端子
用導体117は、上記実施形態1のビア導体17の形成
と同様に、全面にメッキを施し、不要部をエッチング除
去することにより形成すれば良い。
Thereafter, in the present embodiment, in the conductor forming step, a terminal conductor 117 is formed on the terminal hole bottom surface 112C, the terminal hole inner wall surface 112D, and the resin insulating layer 113 on the periphery of the terminal hole 112. The terminal conductor 117 may be formed by plating the entire surface and removing unnecessary portions by etching, similarly to the formation of the via conductor 17 of the first embodiment.

【0048】次に、樹脂絶縁層113上に、端子用導体
117から若干隙間を開けてソルダーレジスト層120
を形成する(図9参照)。次に、略円柱形状の先端部1
21Aと、略円柱形状で先端部121Aよりも短い基端
部121Cと、これら先端部121A及び基端部121
Cよりも径大な略円盤形状の中間部121Bとからなる
ピン121を用意する。そして、図9に示すように、ピ
ン121の基端部121Cを端子用導体117内に挿入
し、中間部121Bを端子用導体117に当接させて、
ピン121を端子用導体117にハンダ材123で固着
する。このようにして配線基板が完成する。
Next, the solder resist layer 120 is formed on the resin insulating layer 113 with a slight gap from the terminal conductor 117.
Is formed (see FIG. 9). Next, a substantially cylindrical tip 1
21A, a base end 121C having a substantially cylindrical shape and shorter than the front end 121A, and a front end 121A and a base end 121A.
A pin 121 including a substantially disk-shaped intermediate portion 121B having a diameter larger than C is prepared. Then, as shown in FIG. 9, the base end portion 121C of the pin 121 is inserted into the terminal conductor 117, and the intermediate portion 121B is brought into contact with the terminal conductor 117.
The pin 121 is fixed to the terminal conductor 117 with a solder material 123. Thus, a wiring board is completed.

【0049】本実施形態の配線基板の製造においても、
上記実施形態1と同様に、樹脂除去工程において、端子
用ホール底面121Cの樹脂を完全に除去しているの
で、端子用ホール底面121Cに露出した配線層103
と端子用導体117とを確実に接続することができる。
従って、接続信頼性の高い配線基板を製造することがで
きる。また、上記実施形態1と同様に、樹脂エッチング
工程で、樹脂絶縁層113の表面をエッチング粗化して
いるので、端子用導体117と樹脂絶縁層113との密
着強度をアンカー効果により高くすることができる。ま
た、ソルダーレジスト層120と樹脂絶縁層113との
密着強度もアンカー効果により高くすることができる。
In the manufacture of the wiring board of this embodiment,
As in the first embodiment, in the resin removing step, the resin on the terminal hole bottom surface 121C is completely removed, so that the wiring layer 103 exposed on the terminal hole bottom surface 121C is removed.
And the terminal conductor 117 can be reliably connected.
Therefore, a wiring board with high connection reliability can be manufactured. Further, since the surface of the resin insulating layer 113 is etched and roughened in the resin etching step as in the first embodiment, the adhesion strength between the terminal conductor 117 and the resin insulating layer 113 can be increased by the anchor effect. it can. Further, the adhesion strength between the solder resist layer 120 and the resin insulating layer 113 can be increased by the anchor effect.

【0050】(実施形態3)次いで、実施形態3につい
て、図10を参照しつつ説明する。本実施形態では、樹
脂絶縁層213の端子用ホール(有底孔)212に形成
された端子用導体217に、外部端子としてのハンダバ
ンプ223を形成する点が上記実施形態2と異なる。ま
ず、上記各実施形態1,2と同様に、予め被積層基板2
01を用意し、絶縁層形成工程、樹脂エッチング工程、
金属層エッチング工程、及び樹脂除去工程を行い、有底
孔底面212Cから樹脂を除去して配線層203を露出
させる。そして、上記実施形態2と同様にして、導体形
成工程で、端子用ホール底面212C、端子用ホール内
壁面212D、及び樹脂絶縁層213のうち端子用ホー
ル212周縁に、端子用導体217を形成する。
(Embodiment 3) Next, Embodiment 3 will be described with reference to FIG. The present embodiment is different from the second embodiment in that solder bumps 223 as external terminals are formed on terminal conductors 217 formed in terminal holes (bottomed holes) 212 of a resin insulating layer 213. First, similarly to the first and second embodiments, the laminated substrate 2
01, an insulating layer forming step, a resin etching step,
A metal layer etching step and a resin removing step are performed to remove the resin from the bottom surface 212C of the bottomed hole, exposing the wiring layer 203. Then, in the same manner as in the second embodiment, in the conductor forming step, the terminal conductors 217 are formed on the terminal hole bottom surfaces 212C, the terminal hole inner wall surfaces 212D, and the resin insulating layer 213 on the periphery of the terminal holes 212. .

【0051】次に、本実施形態では、端子用導体217
の周縁に若干掛かるようにして、樹脂絶縁層213上に
ソルダーレジスト層220を形成する。その後、端子用
導体217内に充填され、ソルダーレジスト層220か
ら露出した端子用導体217から略半球状に膨出するハ
ンダバンプ223を形成する。このハンダバンプ223
は、所定パターンのマスクを用いて、端子用導体217
にハンダペーストを印刷し、その後リフローすることに
より形成される。このようにして、本実施形態の配線基
板が完成する。
Next, in this embodiment, the terminal conductor 217 is used.
The solder resist layer 220 is formed on the resin insulating layer 213 so as to slightly cover the periphery of the solder resist layer 213. Thereafter, solder bumps 223 which fill the terminal conductors 217 and bulge substantially hemispherically from the terminal conductors 217 exposed from the solder resist layer 220 are formed. This solder bump 223
The terminal conductor 217 is formed using a mask having a predetermined pattern.
Is formed by printing a solder paste and then reflowing. Thus, the wiring board of the present embodiment is completed.

【0052】このような配線基板の製造においても、上
記各実施形態1,2と同様に、樹脂除去工程において、
端子用ホール底面212Cの樹脂を完全に除去している
ので、端子用ホール底面212Cに露出した配線層20
3と端子用導体217とを確実に接続することができ
る。従って、接続信頼性の高い配線基板を製造すること
ができる。また、上記各実施形態1,2と同様に、樹脂
エッチング工程で樹脂絶縁層213の表面をエッチング
粗化しているので、端子用導体217と樹脂絶縁層21
3との密着強度をアンカー効果により高くすることので
きる。また、ソルダーレジスト層220と樹脂絶縁層2
13との密着強度も同様に高くすることができる。
In the production of such a wiring board, as in the first and second embodiments, in the resin removing step,
Since the resin of the terminal hole bottom surface 212C is completely removed, the wiring layer 20 exposed on the terminal hole bottom surface 212C is removed.
3 and the terminal conductor 217 can be reliably connected. Therefore, a wiring board with high connection reliability can be manufactured. Further, as in the first and second embodiments, the surface of the resin insulating layer 213 is etched and roughened in the resin etching step, so that the terminal conductor 217 and the resin insulating layer 21 are formed.
3 can be made higher by the anchor effect. Also, the solder resist layer 220 and the resin insulation layer 2
13 can be similarly increased.

【0053】(実施形態4)次いで、実施形態4につい
て、図11を参照しつつ説明する。本実施形態では、被
積層基板301の表面(配線層303の表面)に、有底
孔312を有する樹脂絶縁層313を形成した後、有底
孔312に外部端子としてのピン321を挿入し、有底
孔底面312Cの配線層303とハンダ付けする点が上
記各実施形態1〜3と異なる。まず、上記各実施形態1
〜3と同様に、予め被積層基板301を用意し、絶縁層
形成工程、樹脂エッチング工程、金属層エッチング工
程、及び樹脂除去工程を行い、有底孔底面312Cの樹
脂を除去し、配線層303を露出させる。
(Embodiment 4) Next, Embodiment 4 will be described with reference to FIG. In the present embodiment, after a resin insulating layer 313 having a bottomed hole 312 is formed on the surface of the laminated substrate 301 (the surface of the wiring layer 303), a pin 321 as an external terminal is inserted into the bottomed hole 312, The third embodiment differs from the first to third embodiments in that it is soldered to the wiring layer 303 of the bottomed hole bottom surface 312C. First, the first embodiment
As in the same manner as in Steps 1 to 3, a substrate 301 to be laminated is prepared in advance, and an insulating layer forming step, a resin etching step, a metal layer etching step, and a resin removing step are performed. To expose.

【0054】次に、略円柱形状の先端部321Aと、先
端部321Aよりも径大で略円盤形状の基端部321B
とからなるピン321を用意する。そして、図11に示
すように、ピン321の基端部321B及び先端部32
1Aの一部を有底孔312内に挿入し、基端部321B
を有底孔底面312Cの配線層303に当接させて、配
線層303にハンダ材323で固着する。このようにし
て配線基板が完成する。
Next, a substantially cylindrical distal end 321A and a substantially disk-shaped base end 321B larger in diameter than the distal end 321A.
Is prepared. Then, as shown in FIG. 11, the base end 321 </ b> B and the tip 32
1A is inserted into the bottomed hole 312, and the base end portion 321B is inserted.
Is brought into contact with the wiring layer 303 on the bottom surface 312C of the bottomed hole, and is fixed to the wiring layer 303 with a solder material 323. Thus, a wiring board is completed.

【0055】本実施形態の配線基板の製造においても、
上記実施形態と同様に、樹脂除去工程において、有底孔
底面312Cの樹脂を完全に除去する。このため、有底
孔底面321Cに露出した配線層303とピン321と
をハンダ材323により確実に接続することができる。
従って、接続信頼性の高い配線基板を製造することがで
きる。なお、本実施形態では、上記各実施形態1〜3の
ように、樹脂絶縁層13,113,213上に配線層1
8やソルダーレジスト層120,220等を形成しない
ため、樹脂絶縁層313の表面を粗化する必要がない。
従って、樹脂エッチング工程を省略することもできる
が、前述したように、樹脂エッチング工程を行うことに
より、樹脂エッチング工程で有底孔底面312の樹脂の
一部を除去することができ、樹脂除去工程でより確実に
樹脂を除去することができる。
In the manufacture of the wiring board of this embodiment,
Similarly to the above embodiment, in the resin removing step, the resin on the bottom surface 312 </ b> C of the bottomed hole is completely removed. Therefore, the wiring layer 303 exposed on the bottom surface 321 </ b> C of the bottomed hole and the pin 321 can be reliably connected by the solder material 323.
Therefore, a wiring board with high connection reliability can be manufactured. In this embodiment, as in the first to third embodiments, the wiring layer 1 is formed on the resin insulating layers 13, 113, and 213.
8 and the solder resist layers 120 and 220 are not formed, so that the surface of the resin insulating layer 313 does not need to be roughened.
Accordingly, although the resin etching step can be omitted, as described above, by performing the resin etching step, a part of the resin on the bottomed bottom surface 312 can be removed in the resin etching step. Thus, the resin can be more reliably removed.

【0056】(実施形態5)次いで、実施形態5につい
て、図12を参照しつつ説明する。本実施形態では、ソ
ルダーレジスト層(樹脂絶縁層)413に形成された有
底孔412に、有底孔412内から略半球状に膨出する
ハンダバンプ423を形成する点が上記実施形態4と異
なる。まず、上記各実施形態1〜4と同様に、予め被積
層基板401を用意する。そして、絶縁層形成工程で、
被積層基板401の表面に未硬化樹脂を所定パターンに
塗布し、その後硬化させて、有底孔412を有するソル
ダーレジスト層413を形成する。
(Fifth Embodiment) Next, a fifth embodiment will be described with reference to FIG. The present embodiment is different from the above-described fourth embodiment in that solder bumps 423 that bulge in a substantially hemispherical shape from inside the bottomed holes 412 are formed in the bottomed holes 412 formed in the solder resist layer (resin insulating layer) 413. . First, as in the first to fourth embodiments, the laminated substrate 401 is prepared in advance. Then, in the insulating layer forming step,
An uncured resin is applied to the surface of the laminated substrate 401 in a predetermined pattern, and then cured to form a solder resist layer 413 having a bottomed hole 412.

【0057】その後は、上記各実施形態1〜4と異な
り、樹脂エッチング工程を行わずに、金属層エッチング
工程で、有底孔412に露出する配線層403をエッチ
ングするとともに、有底孔底面412Cに残った樹脂の
少なくとも一部を除去する。そしてその後、樹脂除去工
程で、純水を高圧で衝突させて、有底孔底面412Cの
樹脂を除去し、配線層403を完全に露出させる。次
に、有底孔412内に充填され、有底孔412から略半
球状に膨出するハンダバンプ423を形成する。このハ
ンダバンプ423は、上記実施形態3と同様に、所定パ
ターンのマスクを用いて、ハンダペーストを印刷し、リ
フローすることにより形成すれば良い。このようにし
て、本実施形態の配線基板が完成する。本実施形態の配
線基板の製造においても、上記各実施形態1〜4と同様
に、樹脂除去工程において、有底孔底面412Cの樹脂
を完全に除去する。このため、有底孔底面412Cに露
出した配線層403とハンダバンプ423とを確実に接
続することができる。従って、接続信頼性の高い配線基
板を製造することができる。
Thereafter, unlike the above-described first to fourth embodiments, the wiring layer 403 exposed to the bottomed hole 412 is etched in the metal layer etching step without performing the resin etching step, and the bottomed hole bottom surface 412C is formed. At least a part of the resin remaining in is removed. Then, in a resin removing step, pure water is caused to collide with high pressure to remove the resin on the bottom surface 412C of the bottomed hole, thereby completely exposing the wiring layer 403. Next, a solder bump 423 that fills the bottomed hole 412 and bulges substantially hemispherically from the bottomed hole 412 is formed. The solder bumps 423 may be formed by printing a solder paste using a mask having a predetermined pattern and performing reflow, similarly to the third embodiment. Thus, the wiring board of the present embodiment is completed. Also in the manufacture of the wiring board of the present embodiment, the resin of the bottomed bottom surface 412C is completely removed in the resin removing step, as in the first to fourth embodiments. Therefore, the wiring layer 403 exposed on the bottomed bottom surface 412C and the solder bump 423 can be reliably connected. Therefore, a wiring board with high connection reliability can be manufactured.

【0058】なお、従来のように、樹脂エッチング工程
によって、ソルダーレジスト層(樹脂絶縁層)413の
表面をエッチング粗化するとともに、有底孔底面412
Cの樹脂を除去する場合には、例えば、この配線基板に
ICチップを搭載する際に不具合を生じることがある。
即ち、この配線基板のハンダバンプ423に、ICチッ
プを接続し、さらに、配線基板とICチップとの間にア
ンダーフィル材を充填して固着する場合には、ソルダー
レジスト層413の表面が荒れすぎていると、アンダー
フィル材の流れが悪くなり、うまくICチップの下側に
充填できないという問題が生じることがある。
As in the prior art, the surface of the solder resist layer (resin insulating layer) 413 is roughened by etching in a resin etching step, and the bottom surface 412 of the bottomed hole is formed.
When the C resin is removed, for example, a problem may occur when an IC chip is mounted on the wiring board.
That is, when an IC chip is connected to the solder bumps 423 of the wiring board and an underfill material is filled and fixed between the wiring board and the IC chip, the surface of the solder resist layer 413 is too rough. In such a case, the flow of the underfill material is deteriorated, which may cause a problem that the lower side of the IC chip cannot be filled properly.

【0059】これに対し、本実施形態では、樹脂エッチ
ング工程を行わないので、ソルダーレジスト層413の
表面が荒れることがなく、よって、上記の不具合を生じ
ることがない。また、上記各実施形態1〜4のようにし
て、絶縁層形成工程後、金属層エッチング工程前に、樹
脂エッチング工程を行う場合においても、本実施形態で
は、樹脂除去工程等により有底孔底面412Cの樹脂を
除去することができるので、ソルダーレジスト層413
の表面が荒れすぎないように樹脂エッチングの条件を調
整することができる。
On the other hand, in the present embodiment, since the resin etching step is not performed, the surface of the solder resist layer 413 does not become rough, so that the above-mentioned problem does not occur. Further, in the case where the resin etching step is performed after the insulating layer forming step and before the metal layer etching step as in each of Embodiments 1 to 4, in the present embodiment, the bottomed bottom surface is formed by the resin removing step and the like. Since the resin 412C can be removed, the solder resist layer 413
The conditions for resin etching can be adjusted so that the surface is not too rough.

【0060】以上において、本発明を各実施形態1〜5
に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変
更して適用できることはいうまでもない。例えば、上記
各実施形態1〜5では、樹脂除去工程において、樹脂絶
縁層13の全面に純水WAを衝突させている(図6
(a)参照)が、図6(b)に示すように、所定位置に
透孔MSKTを有する保護マスクMSKを樹脂絶縁層1
3等に載置して、純水WAが樹脂絶縁層13等の表面1
3Aのうち透孔MSKTに対応する部分にのみ当たるよ
うにしても良い。このようにすると、保護マスクMSK
によって、純水WAの衝撃から樹脂絶縁層13等を保護
できるので、さらに好ましい。一方、保護マスクMSK
を用いない上記実施形態では、保護マスクMSKを用意
したり、これを位置合わせをして載置する等の面倒がな
いため、樹脂除去工程を簡易なものとすることができ
る。
In the above, the present invention has been described with reference to each of Embodiments 1 to 5.
However, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately modified and applied without departing from the gist of the present invention. For example, in each of Embodiments 1 to 5, in the resin removing step, pure water WA is caused to collide with the entire surface of the resin insulating layer 13 (FIG. 6).
6 (a)), as shown in FIG. 6 (b), a protective mask MSK having a through hole MSKT at a predetermined position is placed on the resin insulating layer 1.
3 and the pure water WA is placed on the surface 1 of the resin insulation layer 13 and the like.
Only the portion corresponding to the through hole MSKT in 3A may be applied. By doing so, the protection mask MSK
Thereby, the resin insulating layer 13 and the like can be protected from the impact of the pure water WA, which is more preferable. On the other hand, the protective mask MSK
In the above-described embodiment that does not use, there is no trouble such as preparing the protection mask MSK or positioning and mounting the protection mask MSK, so that the resin removing step can be simplified.

【0061】また、上記各実施形態1〜4では、樹脂エ
ッチング工程を備えているが、この工程を省略すること
もできる。特に、上記実施形態4のように、樹脂絶縁層
313,413上に、配線層や樹脂絶縁層、ソルダーレ
ジスト層等を形成しない場合には、これらとの密着強度
等を考慮する必要がないので省略することもできる。し
かし、樹脂エッチング工程を行うことにより、前記のよ
うに有底孔底面12C等の樹脂JSをより確実に除去で
きるので好ましい。
In each of the first to fourth embodiments, the resin etching step is provided, but this step may be omitted. In particular, when a wiring layer, a resin insulating layer, a solder resist layer, and the like are not formed on the resin insulating layers 313 and 413 as in the above-described fourth embodiment, it is not necessary to consider adhesion strength with these. It can be omitted. However, the resin etching step is preferable because the resin JS on the bottom surface 12C of the bottomed hole can be more reliably removed as described above.

【0062】また、上記各実施形態1〜5では、金属層
エッチング工程を備えているが、この工程を省略するこ
ともできる。但し、前記のように、ビアホール底面12
C等の配線層3等と導体等との密着強度を向上させると
ともに、ビアホール底面12C等の樹脂JSをより確実
に除去することができることから、金属エッチング工程
を行うのが好ましい。
In each of the first to fifth embodiments, the metal layer etching step is provided, but this step can be omitted. However, as described above, the via hole bottom surface 12
It is preferable to perform a metal etching step because the adhesion strength between the wiring layer 3 and the like such as C and the conductor and the like can be improved and the resin JS on the via hole bottom surface 12C and the like can be more reliably removed.

【0063】また、上記各実施形態1〜5では、樹脂除
去工程で純水WAを高圧で衝突させているが、水以外の
液体や、粉体などの固体、あるいは液体に固体を混ぜた
スラリーを高速で衝突させることによっても、ビアホー
ル底面12C等の樹脂JSを除去することができる。水
以外のものを用いる場合には、被積層基板1等や樹脂絶
縁層13等への影響等も考慮して衝突させる条件などを
適宜変更するようにする。
In each of the first to fifth embodiments, the pure water WA is caused to collide with the high pressure in the resin removing step. However, a liquid other than water, a solid such as a powder, or a slurry obtained by mixing the solid with the liquid is used. Can be removed at a high speed to remove the resin JS from the via hole bottom surface 12C and the like. In the case of using a material other than water, the conditions for collision are appropriately changed in consideration of the influence on the laminated substrate 1 and the like and the resin insulating layer 13 and the like.

【0064】なお、純水WAに代えて樹脂絶縁層13等
をエッチング粗化する樹脂エッチング液を用いる場合に
は、衝撃力だけでなく、樹脂を溶解することによって
も、有底孔底面3C等の樹脂JSの一部を除去すること
ができ、さらに、樹脂絶縁層13等をエッチング粗化す
ることもできる。従って、この場合には樹脂エッチング
工程を別途行わなくても良い。
When a resin etchant for etching and roughening the resin insulating layer 13 and the like is used instead of the pure water WA, not only the impact force but also the dissolution of the resin can be used to obtain the bottomed bottom surface 3C and the like. Of the resin JS can be removed, and the resin insulating layer 13 and the like can be roughened by etching. Therefore, in this case, it is not necessary to separately perform the resin etching step.

【0065】また、純水WAに代えてビアホール底面1
2等の配線層3等をエッチングするエッチング液を用い
る場合には、衝撃力だけでなく、配線層3等を溶解して
樹脂JSを浮かせることによっても、ビアホール底面1
2C等の樹脂JSの一部を除去することができる。従っ
て、この場合には金属層エッチング工程を別途行わなく
ても良い。また、純水WAに代えて、水等の液体にシリ
カ粉末等のメディアを混合したものを高速で衝突させる
場合には、液体のみの場合に比してさらに効率よく樹脂
を除去することができる。
Further, instead of the pure water WA, the via hole bottom 1
When an etching solution for etching the wiring layer 3 such as 2 is used, not only the impact force but also the dissolution of the wiring layer 3 and the like to float the resin JS can be used to obtain the via hole bottom surface 1.
Part of the resin JS such as 2C can be removed. Therefore, in this case, it is not necessary to separately perform the metal layer etching step. Also, in the case where a mixture of a liquid such as water and a medium such as a silica powder is collided at a high speed in place of the pure water WA, the resin can be removed more efficiently than in the case of using only the liquid. .

【0066】また、上記各実施形態1〜4では、絶縁層
形成工程で、感光性の樹脂を用い、露光・現像によりビ
アホール12等の有底孔を有する樹脂絶縁層13等を形
成したが、これ以外の方法により有底孔を有する樹脂絶
縁層を形成することもできる。具体的には、例えば、被
積層基板1等の表面1Aにフィルム状の樹脂絶縁層を貼
り付けて熱硬化させ、その後、レーザやドリル等により
有底孔を形成するようにしても良い。この場合において
も、レーザ等で除去しきれなかった樹脂を樹脂除去工程
等で確実に除去することができるので接続信頼性の高い
配線基板を製造することができる。
In each of the first to fourth embodiments, in the insulating layer forming step, the photosensitive resin is used, and the resin insulating layer 13 having the bottomed holes such as the via holes 12 is formed by exposure and development. A resin insulating layer having a bottomed hole can be formed by other methods. Specifically, for example, a film-shaped resin insulating layer may be attached to the surface 1A of the laminated substrate 1 or the like and thermally cured, and then a bottomed hole may be formed by a laser or a drill. Also in this case, the resin that cannot be completely removed by the laser or the like can be surely removed in a resin removing step or the like, so that a wiring board with high connection reliability can be manufactured.

【0067】また、上記実施形態5のように、被積層基
板1等の表面1Aに樹脂を所定パターンに塗布して硬化
させることにより、有底孔を有する樹脂絶縁層を形成す
ることもできる。この場合も、有底孔底面に樹脂が濡れ
拡がって導通不良を生じることがあるので、上記のよう
に樹脂除去工程等を行うことにより、有底孔底面の樹脂
を確実に除去し、ビア導体等との接続信頼性を向上させ
ることができる。
Further, as in the fifth embodiment, a resin insulating layer having bottomed holes can be formed by applying a resin on the surface 1A of the laminated substrate 1 or the like in a predetermined pattern and curing the resin. In this case, too, the resin may wet and spread on the bottom surface of the bottomed hole, causing a conduction failure. Therefore, by performing the resin removing step or the like as described above, the resin on the bottom surface of the bottomed hole is reliably removed, and the via conductor is removed. It is possible to improve the connection reliability with the like.

【0068】また、上記各実施形態1〜4の樹脂エッチ
ング工程の代わりに、あるいは樹脂エッチング工程に加
えて、樹脂絶縁層13等をプラズマ処理するプラズマ処
理工程を行っても良い。プラズマ処理により、ビアホー
ル底面12C等の樹脂JSの一部が除去され、樹脂除去
工程でより確実に樹脂JSを除去できるようになる。ま
た、樹脂絶縁層13等を表面粗化するので、樹脂絶縁層
13等に形成する導体等との密着強度を高くすることも
できる。
Further, instead of or in addition to the resin etching step of each of the above-described embodiments 1 to 4, a plasma processing step of performing a plasma processing on the resin insulating layer 13 and the like may be performed. By the plasma treatment, a part of the resin JS on the via hole bottom surface 12C and the like is removed, and the resin JS can be more reliably removed in the resin removing step. Further, since the surface of the resin insulating layer 13 and the like is roughened, the adhesion strength to a conductor and the like formed on the resin insulating layer 13 and the like can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態1に係り、被積層基板を示す部分拡大
断面図である。
FIG. 1 is a partially enlarged cross-sectional view showing a laminated substrate according to a first embodiment.

【図2】実施形態1に係る配線基板の製造方法を示す図
であり、被積層基板に未硬化の樹脂層を形成した状態を
示す部分拡大断面図である。
FIG. 2 is a partial enlarged cross-sectional view illustrating a state in which an uncured resin layer is formed on the laminated substrate, according to the first embodiment of the present invention.

【図3】実施形態1に係る配線基板の製造方法を示す図
であり、ビアホールを有する樹脂絶縁層を形成した状態
を示す部分拡大断面図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a method of manufacturing the wiring board according to the first embodiment and is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a state where a resin insulating layer having a via hole is formed.

【図4】実施形態1に係る配線基板の製造方法を示す図
であり、樹脂絶縁層をエッチング粗化した状態を示す部
分拡大断面図である。
FIG. 4 is a view showing the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment, and is a partially enlarged cross-sectional view showing a state where the resin insulating layer is roughened by etching.

【図5】実施形態1に係る配線基板の製造方法を示す図
であり、有底孔底面の配線層をエッチング粗化した状態
を示す部分拡大断面図である。
FIG. 5 is a view showing the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment, and is a partially enlarged cross-sectional view showing a state in which the wiring layer on the bottom surface of the bottomed hole is etched and roughened.

【図6】実施形態1に係る配線基板の製造方法を示す図
であり、(a)はマスクを用いない樹脂除去工程を示す
説明図であり、(b)はマスクを用いる樹脂除去工程を
示す説明図である。
6A and 6B are diagrams illustrating a method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment, in which FIG. 6A is an explanatory diagram illustrating a resin removing process without using a mask, and FIG. 6B is a diagram illustrating a resin removing process using a mask. FIG.

【図7】実施形態1に係る配線基板の製造方法を示す図
であり、樹脂除去工程でビアホール底面の樹脂を除去し
た状態を示す部分拡大断面図である。
FIG. 7 is a view illustrating the method of manufacturing the wiring board according to the first embodiment, and is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a state where the resin on the bottom surface of the via hole is removed in the resin removing step.

【図8】実施形態1に係る配線基板の製造方法を示す図
であり、ビア導体及び配線層を形成した状態を示す部分
拡大断面図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating the method of manufacturing the wiring board according to the first embodiment, and is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a state where a via conductor and a wiring layer are formed.

【図9】実施形態2に係る配線基板を示す部分拡大断面
図である。
FIG. 9 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a wiring board according to a second embodiment.

【図10】実施形態3に係る配線基板を示す部分拡大断
面図である。
FIG. 10 is a partially enlarged sectional view showing a wiring board according to a third embodiment.

【図11】実施形態4に係る配線基板を示す部分拡大断
面図である。
FIG. 11 is a partially enlarged sectional view showing a wiring board according to a fourth embodiment.

【図12】実施形態5に係る配線基板を示す部分拡大断
面図である。
FIG. 12 is a partially enlarged sectional view showing a wiring board according to a fifth embodiment.

【図13】従来技術に係る配線基板の製造方法を示す図
であり、(a)は被積層基板にビアホールを有する樹脂
絶縁層を形成した状態を示す部分拡大断面図であり、
(b)はビア導体を形成した状態を示す部分拡大断面図
である。
13A and 13B are diagrams illustrating a method of manufacturing a wiring board according to the related art, and FIG. 13A is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a state in which a resin insulating layer having a via hole is formed in a laminated substrate;
(B) is a partial enlarged sectional view showing a state where a via conductor is formed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,101,201,301,401 被積層基板 1A (被積層基板の)表面 3,103,203、303,403 (被積層基板表
面の)配線層(金属層) 3A (被積層基板表面の配線層の)
表面 11 樹脂層 12 ビアホール(有底孔) 12C ビアホール底面(有底孔底面) 12D ビアホール内壁面(有底孔内壁
面) 13,113,213,313,413 樹脂絶縁層 13A (樹脂絶縁層の)表面 17 ビア導体 18 (樹脂絶縁層上の)配線層 112,212 端子用ホール(有底孔) 112C,212C 端子用ホール底面(有底孔底
面) 117,217 端子用導体 121,321 ピン 223,423 ハンダバンプ 312,412 有底孔 312C,412C 有底孔底面 JS 樹脂 WA 純水
1,101,201,301,401 Laminated substrate 1A Surface (of laminated substrate) 3,103,203,303,403 Wiring layer (metal layer) (of laminated substrate surface) 3A (Wiring of laminated substrate surface) Layer)
Surface 11 Resin layer 12 Via hole (bottomed hole) 12C Via hole bottom (bottomed hole bottom) 12D Via hole inner wall (bottomed hole inner wall) 13, 113, 213, 313, 413 Resin insulating layer 13A (of resin insulating layer) Surface 17 Via conductor 18 Wiring layer (on resin insulating layer) 112, 212 Terminal hole (bottomed hole) 112C, 212C Terminal hole bottom (bottomed hole bottom) 117, 217 Terminal conductor 121, 321 Pin 223 423 Solder bump 312, 412 Bottom hole 312C, 412C Bottom hole bottom JS resin WA Pure water

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E343 AA12 DD76 EE10 EE36 EE37 GG02 5E346 AA43 CC08 CC55 EE19 FF24 FF34 GG09 GG15 GG22 GG27 HH07 HH31  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5E343 AA12 DD76 EE10 EE36 EE37 GG02 5E346 AA43 CC08 CC55 EE19 FF24 FF34 GG09 GG15 GG22 GG27 HH07 HH31

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】表面に金属層を有する被積層基板のうち上
記表面に、上記金属層の一部を底面とした有底孔を有す
る樹脂絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、 上記樹脂絶縁層の表面側から、少なくとも上記有底孔に
物体を高速で衝突させて、上記有底孔底面の金属層上の
樹脂を除去する樹脂除去工程と、を備える配線基板の製
造方法。
An insulating layer forming step of forming a resin insulating layer having a bottomed hole with a part of the metal layer as a bottom surface on the surface of the laminated substrate having a metal layer on the surface; A resin removing step of colliding an object with at least the bottomed hole at a high speed from the surface side of the layer to remove the resin on the metal layer on the bottom surface of the bottomed hole.
【請求項2】請求項1に記載の配線基板の製造方法であ
って、 前記樹脂除去工程で、前記物体として液体を用いること
を特徴とする配線基板の製造方法。
2. The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein a liquid is used as the object in the step of removing the resin.
【請求項3】請求項2に記載の配線基板の製造方法であ
って、 前記樹脂除去工程で、前記液体を30kg/cm2 以上
50kg/cm2 以下の圧力で吹き付けることを特徴と
する配線基板の製造方法。
3. A method of manufacturing a wiring board according to claim 2, wherein in the resin removing step, the wiring board, characterized in that spraying the liquid at 30kg / cm 2 or more 50 kg / cm 2 or less of pressure Manufacturing method.
【請求項4】請求項1〜請求項3のいずれかに記載の配
線基板の製造方法であって、 前記絶縁層形成工程後、前記樹脂除去工程前に、前記樹
脂絶縁層をエッチングして粗化する樹脂エッチング工程
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
4. The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein said resin insulating layer is etched after said insulating layer forming step and before said resin removing step. A method for manufacturing a wiring board, comprising: a step of etching a resin.
【請求項5】請求項1〜請求項4のいずれかに記載の配
線基板の製造方法であって、 前記絶縁層形成工程後、または前記樹脂エッチング工程
を備える場合には樹脂エッチング工程後であって、前記
樹脂除去工程前に、前記有底孔底面の金属層をエッチン
グする金属層エッチング工程を備えることを特徴とする
配線基板の製造方法。
5. The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein after the insulating layer forming step or after the resin etching step when the method includes the resin etching step. And a metal layer etching step of etching the metal layer on the bottom surface of the bottomed hole before the resin removing step.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008016794A (en) * 2006-06-08 2008-01-24 Hitachi Chem Co Ltd Manufacturing method of printed wiring board
US10297540B2 (en) 2017-05-17 2019-05-21 Shinko Electric Industries, Co., Ltd. Wiring substrate

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008016794A (en) * 2006-06-08 2008-01-24 Hitachi Chem Co Ltd Manufacturing method of printed wiring board
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