JP2001085356A

JP2001085356A - 薄膜の形成方法およびその形成装置

Info

Publication number: JP2001085356A
Application number: JP26112099A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Hiroi; 政幸廣井
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1999-09-14
Filing date: 1999-09-14
Publication date: 2001-03-30

Abstract

(57)【要約】【課題】化学気相成長法によってＣｕ等の金属材料の薄
膜を形成する際に、成膜室内の圧力増大および排気時間
の増大を招くこと無く、基板裏面側への汚染を効果的に
抑制する薄膜の形成方法を提供することにある。【解決手段】基板裏面側と成膜室とを基板を介して分
離、排気を行うことを特徴とする。基板支持機構の基板
裏面側は、不活性ガスの導入口と成膜室外部の排気系へ
と接続される排気口を備える構造とし、ガス導入および
排気速度を調節することによって成膜室内よりも十分高
く、しかし基板を破損しない程度には低い圧力を保持す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は化学気相成長法によ
る薄膜の形成方法とその装置に関し、特に基板支持機構
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より半導体デバイスの配線部にはア
ルミニウム（Ａｌ）が広く用いられてきたが、近年にな
って導電性に優れる銅（Ｃｕ）の使用が検討、実施され
るようになってきた。Ｃｕを半導体デバイスの配線に用
いるためには、半導体基板上にＣｕを薄膜として形成す
る必要があり、このための手法としては、めっき法、ス
パッタ法、化学気相成長（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏ
ｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）法が一般的であ
る。このうちＣＶＤ法は、成膜すべき基板表面に対して
原料分子を気体として供給し、当該表面での化学反応に
よって成膜を行うもので、奥まった穴や細い溝を充填す
るのに有効な手法である。

【０００３】ＣｕのＣＶＤに際しては、Ｃｕがシリコン
（Ｓｉ）中で大きな拡散速度を持ち、かつ成膜時の基板
温度が比較的高温（〜２００℃）であることから、成膜
時におけるＳｉ半導体基板の裏面へのＣｕ汚染を抑制す
ることが特に重要となる。成膜時に基板裏面に付着した
Ｃｕは拡散して深部に達するため、成膜後の洗浄による
除去が困難である。除去されなかったＣｕは、Ｃｕ成膜
後の絶縁膜形成などの熱処理工程において基板表面近傍
のデバイス領域に拡散し、デバイス特性を悪化させてし
まうからである。

【０００４】従来、成膜時においてＣｕを含む原料およ
びＣｕを含む反応副生成物の基板裏面への回り込みを抑
制するために、主として基板端部から不活性ガスを照射
する方法と基板裏面部に不活性ガスを照射する方法、も
しくは両者を組み合わせた方法が用いられてきた。

【０００５】前者の基板端部から不活性ガスを照射する
方法は、元来基板端部における不要な堆積を防ぐために
開発された手法である。例えば、特開平９−０８２６５
３号公報に記載のような、基板上端部から不活性ガスを
照射する方法、特開平７−２２１０２４号公報に記載の
ような、基板下端部から不活性ガスを照射する方法があ
る。

【０００６】上記の基板上端部から不活性ガスを照射す
る方法では、図５に示すように、半導体基板すなわち基
板１は基板支持部２上に載置され、ヒータ３によって加
熱される。そして、基板支持部２の端より内側に置かれ
た基板１の端部に対して、成膜室壁４に設けられた不活
性ガス導入口５から導入される不活性ガスが、基板支持
部２とガイド６との間を通過する形で照射され、成膜室
内に流出し、成膜雰囲気とともに排気される。ここで、
図６に示すように基板１の上端部に遮蔽物７を置くこと
によって、基板１表面側からの成膜雰囲気を遮蔽する効
果を高めた方法も実施されている。

【０００７】また、図で示さないが、上記の基板下端部
から不活性ガスを照射する方法においても、基板１が基
板支持部２の端をはみ出すように載置する以外は、図５
で説明したのと同様の構造となっている。

【０００８】後者の基板裏面部に不活性ガスを照射する
方法は、元来不活性ガスによる熱伝導を用いて基板面内
の温度を均一、安定化させる目的で開発された手法であ
り、多くのドライエッチング装置に採用されている。図
７に示されるように、基板裏面側に不活性ガスを導入す
るだけの機構を用いる方法のほか、図８に示されるよう
に、不活性ガスが成膜室内へ放出される構造を用いるも
のもある。

【０００９】図７および図８の両図において、不活性ガ
ス導入口８から基板１の裏面と基板支持部２との間の空
洞９に導入された不活性ガスは、ヒータ３によって加熱
された基板支持部２から基板１へ熱を伝導させる働きを
担う。気体を熱伝導体として用いることにより、基板１
と基板支持部２との接触状態に余り依存しない基板加熱
が可能である。基板１の反り具合などによって基板１と
基板支持部２の接触状態が変動する場合、固体である基
板１と基板支持部２との直接接触による熱伝導のみでは
基板１の温度分布が変動すると共に均一性が低下する
が、気体を媒介とした上記の熱伝導を行うことによりこ
の不具合を解決している。

【００１０】図７に示されるような、基板裏面側に不活
性ガスを導入するだけの機構を用いる方法においては、
不活性ガス導入口８から基板１の裏面と基板支持部２と
の間の空洞９に導入された不活性ガスは、基板１と基板
支持部２との隙間からしか排気されない。ここで、基板
支持部２の空洞９に接する表面は、必ずしも平坦である
必要はない。多くのドライエッチング装置では、静電チ
ャックによって基板１を基板支持部２に密着させる手法
が用いられており、このとき基板１の端部だけでなく、
中心により近い位置においても支持するように、凹凸が
設けられている。静電チャックなどを用いて、基板１を
基板支持部２に密着させると、空洞９から成膜室内への
不活性ガスの流出は非常に少ない。したがって、加熱さ
れた基板支持部２からの熱を基板１に効率よく均一に与
えるために必要な、基板１裏面と基板支持部２との間の
空間における比較的高い圧力を、非常に少ない流量の不
活性ガスで達成することができる。

【００１１】これに対して、図８に示されるような、不
活性ガスが成膜室内へ放出される構造では、基板１の裏
面と基板支持部２との空間に導入された不活性ガスは、
開口部１０を通って成膜室内へ流出し、成膜雰囲気とと
もに排気される。したがって、基板１裏面とを基板支持
部２との空洞９における圧力を高めるためには、図７の
ような構造に比べて高い不活性ガス流量を必要とする
が、基板１を基板支持部２に乗せた状態でも、開口部１
０が存在するために、導入された不活性ガスを容易に排
気することができる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
基板端部から不活性ガスを照射する方法のみでは、基板
裏面は成膜室内の汚染雰囲気にさらされるため、基板裏
面における微量な汚染を十分に抑制することは困難であ
った。裏面汚染を低減するためには不活性ガスを多量に
流す必要があるが、基板近傍のガスの流れを制御するの
が困難となり、かつ成膜室内の圧力を増大させてしまう
欠点があった。また、基板裏面全面が基板支持部に接す
るため、基板搬送時などに基板支持部表面に付着したＣ
ｕ含有化合物が基板裏面に転写されやすいという欠点も
あった。

【００１３】一方、後者の基板裏面部に不活性ガスを照
射する方法においても、単独では基板端部の不要な堆積
を抑制できないほか、基板裏面側に導入された不活性ガ
スの排気と汚染抑制を両立することが困難であった。

【００１４】図７に示されるような、基板裏面側に導入
された不活性ガスが基板と基板支持部との隙間からしか
排気できない構造では、排気時間が長くなるという欠点
に加えて、よどみが生じるために汚染物質を効果的に除
外することが困難となる問題があった。図８に示される
ような不活性ガスを成膜室内に流出させる方法では、比
較的排気時間を小さくできるものの、開口部を介して基
板裏面側と成膜室内がつながっているために成膜時にお
けるＣｕ含有雰囲気が基板裏面側へ到達してしまう。Ｃ
ｕ含有雰囲気の基板裏面側への回り込み抑制の効果を高
めるためには、基板裏面側へ導入する不活性ガスの流量
およびガス圧力を増大させる必要があるが、成膜室内の
圧力を増大させてしまうという弊害があった。

【００１５】総じて、従来の手法においては、基板裏面
の汚染を抑制するために用いる不活性ガスの流れ出す先
を成膜室内とする構造となっていた。したがって、不活
性ガスの流れる経路から、流れと逆方向の拡散によって
Ｃｕ含有雰囲気が基板裏面に到達しうる。汚染抑制の効
果を高めるためには不活性ガス照射部の圧力を高める必
要があるが、そのためには不活性ガスの流量を増すか、
不活性ガスを流出しにくくする必要がある。従来のいず
れの構造においても、不活性ガスを多量に流すと成膜室
内の圧力上昇を招き、不活性ガスを流出しにくくする
と、排気が困難となり、よどみが生じ易い。基板端部か
ら不活性ガスを照射する方法と基板裏面部に不活性ガス
を照射する方法を組み合わせた場合においても、この欠
点は解決されないため、同様の問題が生じていた。

【００１６】本発明の目的は、成膜時の雰囲気による基
板裏面汚染を抑制した、効率の良いＣＶＤによる成膜方
法とその装置を提供することである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、ＣＶＤにおい
て基板裏面側の汚染を抑制するために、基板裏面側と成
膜室とを基板を介して分離、排気を行うことを特徴とす
る。基板支持機構の基板裏面側は、不活性ガスの導入口
と成膜室外部の排気系へと接続される排気口を備える構
造とし、ガス導入および排気速度を調節することによっ
て成膜室内よりも十分高く、しかし基板を破損しない程
度には低い圧力を保持する。

【００１８】従来の手法の問題点は全て、基板裏面と成
膜室内とが不活性ガスの流出経路でつながっていたこと
に起因する。不活性ガスの流出経路は、そのまま成膜時
のＣｕ汚染雰囲気の汚染経路となりうるからである。し
たがって、不活性ガスの流出先として成膜室とは別の排
気口を設けることによって、不活性ガスの流出経路から
のＣｕ汚染雰囲気の混入を抑制することができる。

【００１９】また、不活性ガスを成膜室とは別の排気口
から排出できるため、成膜室内の圧力増大および排気時
間の増大を招くこと無く、基板裏面側に多くの不活性ガ
スを導入できる。したがって、基板裏面側の圧力を成膜
室内の圧力より高く設定して稼動することが容易であ
り、基板裏面と基板支持部との隙間からの汚染雰囲気の
混入を抑制しやすい。さらに、不活性ガスは、基板裏面
側において、よどむこと無く、高い流量で用いることが
できるので、基板裏面側に混入したＣｕ含有物を効率的
にパージ、排気することが可能である。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の第１の実施の形
態の動作を図面を参照して詳細に説明する。ここで、図
１は、本発明の実施の形態の一例となる装置構成部の模
式図である。本実施例は、本発明による基板裏面側の基
板支持部構造に加え、図５に示された基板端部における
不要な堆積抑制の機構を組み合わせた例である。

【００２１】図１において、基板１は基板支持部２の上
に設置され、基板支持部２と基板１裏面との間に設けら
れる空洞９は、基板１によって基板１表面側の成膜雰囲
気と分離される。基板１の加熱は、ヒータ３によって加
熱される基板支持部２から、不活性ガス導入口８から空
洞９に導入される不活性ガスを媒介に行われる。

【００２２】図５の従来例と同様に、不活性ガス導入口
５から導入された不活性ガスは、ガイド６に沿って基板
１の端部に照射され、基板１端部における不要な堆積を
抑制する。この基板１端部における不要な堆積抑制のた
めの不活性ガスの流れが維持される場合には、必然的に
不活性ガス導入口５からガイド６で構成される不活性ガ
スの通り道における圧力は、基板１表面側における成膜
室内圧力よりも高くなる。

【００２３】一方、従来例とは異なり、基板支持部２に
は、不活性ガス導入口８のほかに成膜室外部と接続され
る不活性ガス排出口１１が設けられ、基板１裏面と基板
支持部２との間の空洞９に不活性ガスを成膜室外へ排気
することができる。不活性ガス導入口８へ供給される不
活性ガスの流量と不活性ガス排出口１１からの排気速度
のどちらかもしくは両方を調節することによって、基板
支持部２と基板１裏面との間の空間における圧力を成膜
室内とは別に制御することができる。

【００２４】基板１裏面側の空洞９へ反応雰囲気中の汚
染物質が回り込む経路は、ガイド６と基板１表面との隙
間を通ってから、基板１と基板支持部２との隙間を通過
するしかない。ここで、基板１と基板支持部２との隙間
からの成膜雰囲気の混入を抑制するためには、基板支持
部２と基板１裏面との間の空洞９における圧力を、不活
性ガス口５からガイド６で構成される不活性ガスの通り
道における圧力よりも高くすることが有効である。この
場合、基板１裏面側の空洞９における圧力は、基板１表
面側の圧力よりも高くなることになる。また、基板支持
部２からの基板１へ与えられる不活性ガスの熱伝導の効
率と基板１面内の温度の均一化のためにも、空洞９内の
圧力はある程度高いほうが都合が良い。しかし、基板１
の裏面側、表面側の圧力差が大きすぎる場合には基板１
が破損してしまうため、空洞９における圧力設定は基板
１の強度を考慮して上限を設定する必要がある。さら
に、空洞９内に導入、排気される不活性ガスの流量を増
大することによって、空洞９に混入した汚染物質を除去
する効率を高めることができる。このためには、不活性
ガス導入口８へ供給される不活性ガスの流量と不活性ガ
ス排出口１１からの排気速度の両方を高く設定すればよ
い。しかし、不活性ガスの流れが速すぎる場合には、不
活性ガスの温度が、基板支持部２と同程度の温度まで十
分に上昇しなくなるので、基板１の温度およびその面内
均一性を低下させないように上限を定める必要がある。

【００２５】さらに、構成部品のうち、ガイド６など
の、高温となり、かつ成膜雰囲気にさらされる表面を、
成膜対象物と同様の物質で構成することによって、当該
表面において堆積が生ずることによる、パーティクルの
発生や堆積物のハガレなどを抑制することができる。

【００２６】なお、上記実施の形態においては、基板端
部における不要な堆積を防ぐための手法として、図５に
示された方法を用いたものであるが、図２のように、図
６に示された遮蔽物７を用いて基板端部に不活性ガスを
照射する方法と組み合わせることも可能である。さら
に、基板端部に不活性ガスを照射する必要が無い場合に
も、適用可能なことは明らかである。

【００２７】

【実施例】上記の第１の実施の形態である、図１に示し
た構造の装置を用いて、Ｃｕ原料としてＣｕ（ｈｆａ
ｃ）ｔｍｖｓ（ｈｆａｃ＝１，１，１，５，５，５−ｈ
ｅｘａｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｙｌａｃｅｔｎａｔｅ、ｔ
ｍｖｓ＝ｔｒｉｍｅｔｙｌｓｉｌａｎｅ）を用いて、Ｃ
ｕ成膜を行った。基板１には、シリコン基板上に５００
ｎｍのシリコン酸化膜、１００ｎｍのＴｉ、１００ｎｍ
のＴｉＮを順次堆積したものを用い、成膜時の温度は１
９５℃とした。上記原料流量０．５ｇ／ｍｉｎを水素６
００ｓｃｃｍ（ｓｃｃｍ＝ｓｔａｎｄａｒｄｃｕｂｉ
ｃｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ）をキャリアとして気化、輸
送して成膜室に導入して１０分間の成膜を行った。図１
に示される不活性ガス導入口８にはヘリウム１０ｓｃｃ
ｍを導入したところ、空洞９内のヘリウム圧力は３ＫＰ
ａであった。基板端部の不要な堆積抑制のために、不活
性ガス導入口５からはアルゴン１５０ｓｃｃｍを導入し
た。このときの成膜室内圧力は１ＫＰａである。基板１
端部とガイド６の上部から見た重なり部分は基板端から
１．５ｍｍ、基板１端部とガイド６との間隔は０．１５
ｍｍである。このアルゴン導入によって、成膜が抑制さ
れた領域は、基板端から２ｍｍの範囲であった。成膜
後、基板１裏面のＣｕ汚染をＩＣＰ−ＭＳ（Ｉｎｄｕｃ
ｅｄＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ−ＭａｓｓＳｐ
ｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）法によって評価したところ、３
×１０¹⁰ｃｍ^-2のＣｕが検出された。このとき、各ガス
導入を遮断してから成膜室内の圧力が１０^-4Ｔｏｒｒま
で排気されるまでの時間は９秒であった。

【００２８】これと比較するために、従来の手法に係る
図５に示した構造の装置を用いて、同様の成膜を行って
Ｃｕ汚染を評価したところ、基板１裏面のＣｕ汚染が大
きいことが確認された。上記と同様の基板、基板温度、
原料流量、キャリアヘリウム流量を用い、図５に示す基
板１端部とガイド６の上部から見た重なり部分を基板端
から１．５ｍｍ、基板１端部とガイド６との間隔を０．
１５ｍｍとし、不活性ガス導入口５からアルゴン１５０
ｓｃｃｍを導入して１０分間の成膜を行い、同様にＩＣ
Ｐ−ＭＳ法によって基板裏面のＣｕ汚染を評価したとこ
ろ、８×１０¹²ｃｍ^-2のＣｕが検出された。不活性ガス
導入口５に導入するアルゴン流量を６００ｓｃｃｍに増
大したところ、基板裏面のＣｕ汚染は３×１０¹²ｃｍ^-2
まで低減したが、成膜室内の圧力が、１．２ＫＰａに増
大し、また、基板端部における非堆積部分が基板端から
の４ｍｍに拡大してしまった。

【００２９】さらに、従来の手法に係る図７に示した構
造の装置を用いて、同様の成膜を行ってＣｕ汚染を評価
したところ、やはり基板１裏面のＣｕ汚染が大きく、排
気時間が増大してしまうことが確認された。上記と同様
の基板、基板温度、原料流量、キャリアヘリウム流量を
用い、図７に示す不活性ガス導入口８にヘリウムを１ｓ
ｃｃｍ導入して空洞９の圧力が３Ｋｐａとして、１０分
間の成膜を行った。ＩＣＰ−ＭＳ法によって基板裏面の
Ｃｕ汚染を評価した結果、２×１０¹²ｃｍ^-2のＣｕが検
出されたが、各ガス導入を遮断してから成膜室内の圧力
が１０^-4Ｔｏｒｒまで排気されるまでの時間が２８秒と
なった。

【００３０】したがって、本発明を用いることによっ
て、成膜室内の圧力上昇を招かず、かつ排気時間の増大
もない状態で、成膜時の雰囲気による基板裏面汚染を効
果的に抑制することが可能であることが確認された。

【００３１】次に、本発明の第２の実施の形態を説明す
る。図３は、この場合の装置構成部の模式図である。本
形態は、基板裏面側に導入した不活性ガスを用いて、基
板端部における不要な堆積抑制のために用いるものであ
る。図５に示された基板端部への不活性ガス照射と、図
８に示された基板裏面側への不活性ガス照射を組み合わ
せたものであるが、本発明の実施の形態が従来例と根本
的に異なる点は、不活性ガス排出口１１が存在すること
である。

【００３２】不活性ガス導入口８から基板１裏面側に導
入された不活性ガスは、開口部１０を通り抜け、ガイド
６と基板１表面の間隙から成膜室内に導入されるが、こ
の経路を逆流する形で反応雰囲気中の汚染物質が回り込
む可能性がある。この回り込みを抑制するためには、図
８でも説明したように、ガイド６と基板１表面との隙間
を境界として、基板１表面側の成膜雰囲気圧力よりも、
基板１裏面側の不活性ガス雰囲気圧力を十分に高くする
必要がある。このとき、成膜室内圧力をいたずらに増加
させないためには、ガイド６と基板１表面との隙間をで
きるだけ狭くし、基板１裏面側から基板１表面側へ流れ
る不活性ガスの量をできるだけ小さくせねばならない。
これはすなわち、成膜室側からは、基板１裏面側に導入
された不活性ガスを効率的に排気できなくすることを意
味する。したがって、不活性ガス排出口１１が存在しな
い場合には、成膜終了時等において基板１裏面側に導入
された不活性ガスを排気する際に、成膜室の排気機構の
排気能力によらず、非常に長い排気時間が必要となって
しまう。不活性ガス排出口１１を設置することによっ
て、ガイド６と基板１表面との隙間に頼らずに、基板１
裏面側の不活性ガスを排気できるため、排気時間の増大
を考慮せずに基板１裏面側の圧力を十分高く設定するこ
とができる。

【００３３】また、図４は、図３に示された構成に加え
て、基板端部照射用に別の不活性ガス導入口５を加えた
形態の例である。基板１裏面側の空洞９に導入される不
活性ガスは、基板支持部２からの基板１へ熱伝導と温度
の面内均一性を高めるためにも用いられるが、そのため
に用いられる不活性ガスとしてはヘリウムが最も熱伝導
効率が良く適している。しかし、ヘリウムはアルゴンや
水素、窒素などの他の不活性ガスよりも比較的高価であ
るため、熱伝導の効率を必要としない基板端部への照射
に関しては、別の安価な不活性ガスを導入するという方
法がコスト的に有効である。したがって、例えば不活性
ガス導入口８からはヘリウムを、不活性ガス導入口５か
らはアルゴンを導入する、といった使用が考えられる。

【００３４】この例の場合も上述の図３の例と同様に、
ガイド６と基板１表面との隙間をできるだけ狭くして、
成膜室内圧力の増大を抑えた状態でも排気時間を短くす
ることができる。ここで、不活性ガス導入口８から導入
される、空洞９における不活性ガスの圧力を、不活性ガ
ス導入口５から導入された不活性ガスの圧力よりも高く
設定することによって、基板１裏面側に不活性ガス導入
口８から導入された不活性ガス以外の雰囲気の回り込み
を更に抑制することができる。

【００３５】なお、本発明は上記各実施の形態に限定さ
れず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形
態は適宜変更され得ることは明らかである。

【００３６】

【発明の効果】以上に説明したように、上述したような
本発明の薄膜の形成方法および薄膜の形成装置であれ
ば、成膜室内の圧力上昇をまねかず、かつ排気時間の増
大もない状態で、成膜時の雰囲気による基板裏面汚染を
効果的に抑制することが可能である。

【００３７】このために、半導体装置の溝配線に用いら
れるＣｕのＣＶＤ法による成膜において、Ｃｕの基板裏
面への付着が完全に防止されるようになり、高性能ある
いは多機能の半導体装置の開発が促進されるようにな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態を説明する化学気相
成長装置の要部の横断面図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態の別の例を示す化学
気相成長装置の要部の横断面図である。

【図３】本発明の第２の実施の形態を説明する化学気相
成長装置の要部の横断面図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態の別の例を示す化学
気相成長装置の要部の横断面図である。

【図５】従来の基板支持機構の一例を示す横断面図であ
る。

【図６】従来の基板支持機構の別の一例を示す横断面図
である。

【図７】従来の基板支持機構の一例を示す横断面図であ
る。

【図８】従来の基板支持機構の別の一例を示す横断面図
である。

【符号の説明】

１基板２基板支持部３ヒータ４成膜室壁５，８不活性ガス導入口６ガイド７遮蔽物９空洞１０開口部１１不活性ガス排出口

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板表面に原料を含む気体を供給するこ
とにより前記基板表面に薄膜を形成する化学気相成長法
において、前記基板の裏面側に不活性ガスを導入するこ
とと、前記基板の裏面側に導入された不活性ガスを、前
記基板の表面側に供給される原料気体を含む雰囲気とは
別の排気機構によって排気することを特徴とする薄膜の
形成方法。
【請求項２】前記基板表面側における原料を含む気体
の圧力よりも、前記基板裏面側における不活性ガスの圧
力を高く設定することを特徴とする請求項１に記載の薄
膜の形成方法。
【請求項３】前記薄膜が金属であり、前記原料気体が
有機金属化合物であることを特徴とする請求項１または
請求項２に記載の薄膜の形成方法。
【請求項４】前記薄膜が銅であり、前記原料気体が銅
の有機金属錯体であることを特徴とする請求項１または
請求項２に記載の薄膜の形成方法。
【請求項５】前記不活性ガスが、ヘリウム、ネオン、
クリプトン、アルゴン、キセノンなどの希ガス元素、も
しくは水素、窒素であることを特徴とする請求項１から
請求項４のうち１つの請求項に記載の薄膜の形成方法。
【請求項６】真空容器内に基板を加熱、保持する機構
と、原料を含む気体を前記基板表面に供給する機構と、
前記原料を含む気体を真空容器外へ排気する機構と、不
活性ガスを前記基板の裏面側に導入する機構と、前記基
板裏面側に導入された不活性ガスを前記原料を含む気体
とは別に排気する機構とを備えた薄膜の形成装置。
【請求項７】前記基板表面側における原料を含む気体
の圧力よりも、前記基板裏面側における不活性ガスの圧
力が高く設定できることを特徴とする請求項６に記載の
薄膜の形成装置。
【請求項８】前記薄膜が金属であり、前記原料気体が
有機金属化合物であることを特徴とする請求項６または
請求項７に記載の薄膜の形成装置。
【請求項９】前記薄膜が銅であり、前記原料気体が銅
の有機金属錯体であることを特徴とする請求項６または
請求項７に記載の薄膜の形成装置。
【請求項１０】前記不活性ガスが、ヘリウム、ネオ
ン、クリプトン、アルゴン、キセノンなどの希ガス元
素、もしくは水素、窒素であることを特徴とする請求項
６から請求項９のうち１つの請求項に記載の薄膜の形成
装置。