JP2001083337A - 光書込ブラッグ格子のアポディゼーション法 - Google Patents
光書込ブラッグ格子のアポディゼーション法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 光書込ブラッグ格子のアポディゼーション法
を提供する。 【解決手段】 ガイド１２０（またはファイバ）の上に
干渉縞を形成する装置１４０をガイド１１０の前に配置
し、前記干渉装置１４０にそって変調された並進速度を
もって光束３００によって前記干渉装置１４０を掃引す
る段階と、さらに光束３００の軌道上に干渉装置１４０
を配置することなく、ガイド１２０（またはファイバ）
を光束をもって変調された並進速度で走査する段階を含
み、ここに前記干渉装置１４０による掃引はガイド１２
０（またはファイバ）の中央部分の焼き付け時間を増大
させる焼き付け時間変調をもって実施され、また前記干
渉装置なしの掃引はガイド１２０（またはファイバ）の
中央部分の焼き付け時間を減少させる焼き付け時間の変
調をもって実施される。
を提供する。 【解決手段】 ガイド１２０（またはファイバ）の上に
干渉縞を形成する装置１４０をガイド１１０の前に配置
し、前記干渉装置１４０にそって変調された並進速度を
もって光束３００によって前記干渉装置１４０を掃引す
る段階と、さらに光束３００の軌道上に干渉装置１４０
を配置することなく、ガイド１２０（またはファイバ）
を光束をもって変調された並進速度で走査する段階を含
み、ここに前記干渉装置１４０による掃引はガイド１２
０（またはファイバ）の中央部分の焼き付け時間を増大
させる焼き付け時間変調をもって実施され、また前記干
渉装置なしの掃引はガイド１２０（またはファイバ）の
中央部分の焼き付け時間を減少させる焼き付け時間の変
調をもって実施される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光電分野に関するも
のであり、特に光学遠隔通信網の受動的または能動的光
書込素子の製造に関するものである。
のであり、特に光学遠隔通信網の受動的または能動的光
書込素子の製造に関するものである。
【０００２】光書込は、光ファイバ上であれシリコン上
の平面酸化シリコン・ガイド上であれ、ブラッグ格子を
形成するために広く使用されている。
の平面酸化シリコン・ガイド上であれ、ブラッグ格子を
形成するために広く使用されている。
【０００３】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】単位表面
から透過される光エネルギー（フルーエンス）をガイド
または光ファイバにそって変動させることによって、こ
のような格子が形成される。
から透過される光エネルギー（フルーエンス）をガイド
または光ファイバにそって変動させることによって、こ
のような格子が形成される。
【０００４】ガイド・レベル（または光ファイバの場合
には繊維の芯部のレベル）において、このレベルに対し
て垂直にピッチΛの干渉縞を形成することがしばしば問
題となる。このような照明の変調はガイドのレベルにお
いて、ブラッグ格子を形成する光の伝搬方向にそって屈
折指数の空間的変調を生じる。
には繊維の芯部のレベル）において、このレベルに対し
て垂直にピッチΛの干渉縞を形成することがしばしば問
題となる。このような照明の変調はガイドのレベルにお
いて、ブラッグ格子を形成する光の伝搬方向にそって屈
折指数の空間的変調を生じる。
【０００５】図３に図示のように、ガイド（または繊維
の芯）は現在普及しているその利用法においては、下記
式によって与えられる値のブラッグ波長（λＢ）と呼ば
れる波長を反射する： λＢ＝２・Ｎ（ｅｆｆ．）・Λ ここに、Ｎ（ｅｆｆ）はガイドの有効屈折指数、またΛ
は格子のピッチ。
の芯）は現在普及しているその利用法においては、下記
式によって与えられる値のブラッグ波長（λＢ）と呼ば
れる波長を反射する： λＢ＝２・Ｎ（ｅｆｆ．）・Λ ここに、Ｎ（ｅｆｆ）はガイドの有効屈折指数、またΛ
は格子のピッチ。
【０００６】従ってブラッグ格子、すなわち変調指数格
子を得るためには、ガイドにそって空間的に変調された
ＵＶ光束をもってガイドまたは繊維を焼き付けなければ
ならない。
子を得るためには、ガイドにそって空間的に変調された
ＵＶ光束をもってガイドまたは繊維を焼き付けなければ
ならない。
【０００７】ＵＶ光束の空間的変調を得るために下記の
２つの干渉組立体が広く使用されている。すなわち、位
相マスクとロイドミラーである。これらの組立体が図１
と図２に図示されている。
２つの干渉組立体が広く使用されている。すなわち、位
相マスクとロイドミラーである。これらの組立体が図１
と図２に図示されている。
【０００８】ＵＶ光束が狭い幅を有するので、焼き付け
組立体によって形成される光干渉区域はしばしば格子に
とって望ましい長さより短い。従って、ＵＶ光束の前方
にあるガイドと干渉装置からなる組立体を移動させるこ
とによって、この問題点を解決する。
組立体によって形成される光干渉区域はしばしば格子に
とって望ましい長さより短い。従って、ＵＶ光束の前方
にあるガイドと干渉装置からなる組立体を移動させるこ
とによって、この問題点を解決する。
【０００９】ゲルマニウムでドーピングされた酸化シリ
コン中のブラッグ格子の光書込は下記の２つの公知の現
象を生じる。すなわち、干渉図形によって生じる指数変
調および平均指数の増大。これら２つの効果は特に焼き
付けられたＵＶ光のフルーエンスおよび材料の感光度に
比例する。
コン中のブラッグ格子の光書込は下記の２つの公知の現
象を生じる。すなわち、干渉図形によって生じる指数変
調および平均指数の増大。これら２つの効果は特に焼き
付けられたＵＶ光のフルーエンスおよび材料の感光度に
比例する。
【００１０】不幸にして、図４（ａ）に図示のような一
定の変調振幅は（変調プロフィルからフーリエ変換され
た）基数サインの形の阻止スペクトルおよび消失スペク
トルを生じ、このスペクトルは相当に大きな側面ロー
ブ、これは特に波長分割マルチプレキシング格子の成分
のブラッグ格子にとって望ましくない。このような望ま
しくないスペクトルは図４（ｂ）に図示されている。
定の変調振幅は（変調プロフィルからフーリエ変換され
た）基数サインの形の阻止スペクトルおよび消失スペク
トルを生じ、このスペクトルは相当に大きな側面ロー
ブ、これは特に波長分割マルチプレキシング格子の成分
のブラッグ格子にとって望ましくない。このような望ま
しくないスペクトルは図４（ｂ）に図示されている。
【００１１】一般に、格子の特性的反射ピークができる
だけ狭いスペクトル幅を有し、またこのピークが側面ロ
ーブを備えないようするためには、著しくガウス曲線的
な変調屈折指数プロフィルと一定の平均指数とを求め
る。このような変調適合は「アポディゼーション」と呼
ばれる。
だけ狭いスペクトル幅を有し、またこのピークが側面ロ
ーブを備えないようするためには、著しくガウス曲線的
な変調屈折指数プロフィルと一定の平均指数とを求め
る。このような変調適合は「アポディゼーション」と呼
ばれる。
【００１２】ローブを除去するため、図６に図示のよう
に平均指数を一定に保持しながら、著しくガウス的な変
調プロフィル（または展開）を採用することは公知であ
る。
に平均指数を一定に保持しながら、著しくガウス的な変
調プロフィル（または展開）を採用することは公知であ
る。
【００１３】図５に図示されたようなガウス・プロフィ
ルの平均指数の場合、ファブリ−ペロー・キャビティが
格子の縁部の間に形成され、この場合に格子のこれらの
縁部は図５ｂに図示のように、中心によって反射された
波長よりも短いブラッグ波長を示す（λＢ＝２Λｎ
ｅｆｆ）。この現象は短い波長の近傍に寄生的側面ロー
ブが出現することによって表わされ、この寄生的側面ロ
ーブは平均指数が格子にそって均等となる時に消失す
る。
ルの平均指数の場合、ファブリ−ペロー・キャビティが
格子の縁部の間に形成され、この場合に格子のこれらの
縁部は図５ｂに図示のように、中心によって反射された
波長よりも短いブラッグ波長を示す（λＢ＝２Λｎ
ｅｆｆ）。この現象は短い波長の近傍に寄生的側面ロー
ブが出現することによって表わされ、この寄生的側面ロ
ーブは平均指数が格子にそって均等となる時に消失す
る。
【００１４】公知のアポディゼーション技術に関する一
連の出版物を末尾部分に記載した。
連の出版物を末尾部分に記載した。
【００１５】光ファイバに関して採択された方法は、フ
ァイバの前面において位相マスクを通して指数のガウス
変調部分を光書込し、同時的に後面において平均指数を
一定にするためこれを連続的に修正する方向である。
ァイバの前面において位相マスクを通して指数のガウス
変調部分を光書込し、同時的に後面において平均指数を
一定にするためこれを連続的に修正する方向である。
【００１６】ファイバとマスクをＵＶ光束の前において
移動させる際に、ＵＶ光束のレーザ強さの空間的変動に
よって、変調指数と連続的修正のガウス包絡線が得られ
る。このような変動は、図７に図示のように、各光束の
前にファイバに連結して２つの補助マスクＤ１とＤ２と
を配置し、各マスク上の考慮される箇所に従って変動す
る透過率を表示することによって得られる。
移動させる際に、ＵＶ光束のレーザ強さの空間的変動に
よって、変調指数と連続的修正のガウス包絡線が得られ
る。このような変動は、図７に図示のように、各光束の
前にファイバに連結して２つの補助マスクＤ１とＤ２と
を配置し、各マスク上の考慮される箇所に従って変動す
る透過率を表示することによって得られる。
【００１７】Ｄ１，Ｄ２、位相マスクおよびファイバを
備える組立体が光書込中に、２つのレーザ光束の前を移
動し、Ｄ１とＤ２上の２つの密度分布によって指数変調
の包絡線が得られる。
備える組立体が光書込中に、２つのレーザ光束の前を移
動し、Ｄ１とＤ２上の２つの密度分布によって指数変調
の包絡線が得られる。
【００１８】このような技術は光ファイバについてのみ
適用され、実際上、シリコン上の酸化シリコンガイドの
場合には、シリコンを通して光書込することは不可能で
ある。しかし、一方はマスクＤ１および位相マスクを備
え他方は位相マスクなしでマスクＤ２を備えた２つの通
路を通すことによってアポディゼーション化された格子
を実現することが可能である。しかし大きな問題点が残
る。すなわち、２つの光書込通過中に密度Ｄ１とＤ２が
一致しないことである。
適用され、実際上、シリコン上の酸化シリコンガイドの
場合には、シリコンを通して光書込することは不可能で
ある。しかし、一方はマスクＤ１および位相マスクを備
え他方は位相マスクなしでマスクＤ２を備えた２つの通
路を通すことによってアポディゼーション化された格子
を実現することが可能である。しかし大きな問題点が残
る。すなわち、２つの光書込通過中に密度Ｄ１とＤ２が
一致しないことである。
【００１９】アポディゼーションの第２の方法は、光書
込格子の縁部における平均焼き付けがほとんど連続的と
なり縞の混濁が減少して行って中心においてもはや存在
しなくなるように光書込格子の縁部から中心にむかって
変動する振動振幅をもって、ファイバまたは位相マスク
を圧電作用によって振動させる方法である。
込格子の縁部における平均焼き付けがほとんど連続的と
なり縞の混濁が減少して行って中心においてもはや存在
しなくなるように光書込格子の縁部から中心にむかって
変動する振動振幅をもって、ファイバまたは位相マスク
を圧電作用によって振動させる方法である。
【００２０】この第２技術はシリコン上酸化シリコンガ
イドについて適用することができる。なぜかならば、す
べてが前面において生じるからである。しかしまずシリ
コン基板を振動させることが困難であり、また他方、シ
リコン基板の振動はシリコンガイド組立体において通常
見られるようなファイバ／ガイド連結を成す接着剤を破
損する危険性があるからである。
イドについて適用することができる。なぜかならば、す
べてが前面において生じるからである。しかしまずシリ
コン基板を振動させることが困難であり、また他方、シ
リコン基板の振動はシリコンガイド組立体において通常
見られるようなファイバ／ガイド連結を成す接着剤を破
損する危険性があるからである。
【００２１】いずれの場合にも、ファイバ軸線にそった
指数分布は好ましくは図６に図示の包絡線をもってアポ
ディゼーションされることが好ましい。
指数分布は好ましくは図６に図示の包絡線をもってアポ
ディゼーションされることが好ましい。
【００２２】またフランス特許２，７９４，３９４にお
いて、位相マスクの前にスクリュー状の回転マスクを備
え、このマスクがその回転中に光束を間欠的に遮断する
方法が提案されている。
いて、位相マスクの前にスクリュー状の回転マスクを備
え、このマスクがその回転中に光束を間欠的に遮断する
方法が提案されている。
【００２３】この回転マスクはさらに光束に対して横方
向に可動であり、回転マスクの中心に対して光束が離間
するに従って、光束の平均掩蔽率が多少とも増大する。
ガイドが光束の前を移動する際に光束に対する回転マス
クの横方向位置を変動させることによって、ガイドの各
部分に加えられるフルーエンスの変調が選択される。
向に可動であり、回転マスクの中心に対して光束が離間
するに従って、光束の平均掩蔽率が多少とも増大する。
ガイドが光束の前を移動する際に光束に対する回転マス
クの横方向位置を変動させることによって、ガイドの各
部分に加えられるフルーエンスの変調が選択される。
【００２４】この方法は満足な結果を与えるが、その実
施が相当に複雑であることが明かとなり、またその生じ
るアポディゼーションの精度をさらに改良しなければな
らない。
施が相当に複雑であることが明かとなり、またその生じ
るアポディゼーションの精度をさらに改良しなければな
らない。
【００２５】本発明の課題は、ガイド、特にシリコンガ
イドに対して実施することが容易でありまた特に精度の
高いアポディゼーション法を提供するにある。
イドに対して実施することが容易でありまた特に精度の
高いアポディゼーション法を提供するにある。
【００２６】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によれ
ば、ガイド（ファイバ）を光束によって走査し、また光
束がガイド（またはファイバ）のそれぞれの箇所にその
箇所によって変動する時間、対向配置されるようにガイ
ド（またはファイバ）にそった光束の並進速度を変動さ
せることによってガイド（またはファイバ）にそって焼
き付け時間を変調させる手段を備えるように成された感
光性ガイドまたは光ファイバの上にブラッグ格子を作製
する焼き付け法において、前記方法はガイド（またはフ
ァイバ）の上に干渉縞を形成する装置をガイドの前に配
置し、前記干渉装置にそって変調された並進速度をもっ
て光束によって前記干渉装置を掃引する段階と、さらに
光束の軌道上に干渉装置を配置することなく、ガイド
（またはファイバ）を光束をもって変調された並進速度
で走査する段階を含み、ここに前記干渉装置による掃引
はガイド（またはファイバ）の中央部分の焼き付け時間
を増大させる焼き付け時間変調をもって実施され、また
前記干渉装置なしの掃引はガイド（またはファイバ）の
中央部分の焼き付け時間を減少させる焼き付け時間の変
調をもって実施されることを特徴とするブラッグ格子を
作製するための焼き付け法によって達成される。
ば、ガイド（ファイバ）を光束によって走査し、また光
束がガイド（またはファイバ）のそれぞれの箇所にその
箇所によって変動する時間、対向配置されるようにガイ
ド（またはファイバ）にそった光束の並進速度を変動さ
せることによってガイド（またはファイバ）にそって焼
き付け時間を変調させる手段を備えるように成された感
光性ガイドまたは光ファイバの上にブラッグ格子を作製
する焼き付け法において、前記方法はガイド（またはフ
ァイバ）の上に干渉縞を形成する装置をガイドの前に配
置し、前記干渉装置にそって変調された並進速度をもっ
て光束によって前記干渉装置を掃引する段階と、さらに
光束の軌道上に干渉装置を配置することなく、ガイド
（またはファイバ）を光束をもって変調された並進速度
で走査する段階を含み、ここに前記干渉装置による掃引
はガイド（またはファイバ）の中央部分の焼き付け時間
を増大させる焼き付け時間変調をもって実施され、また
前記干渉装置なしの掃引はガイド（またはファイバ）の
中央部分の焼き付け時間を減少させる焼き付け時間の変
調をもって実施されることを特徴とするブラッグ格子を
作製するための焼き付け法によって達成される。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施形
態について詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形
態によって限定されるものではない。
態について詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形
態によって限定されるものではない。
【００２８】図８の焼き付け装置は特にリニアモータ１
００を含み、このモータは発電器２２０によって給電さ
れ、この発電器はコンピュータ２３０によって制御され
る。モータ１００は上部プレート１１０を移動させるよ
うに成され、このプレート１１０の上に配置された組立
体は、シリコン基板１３０上に固着された酸化シリコン
ガイド１２０と、位相マスク１４０とを含む。レーザ光
束３００がマスク１４０の作用でガイド１２０の上に縞
を形成するように、この組立体の固定点に加えられる。
００を含み、このモータは発電器２２０によって給電さ
れ、この発電器はコンピュータ２３０によって制御され
る。モータ１００は上部プレート１１０を移動させるよ
うに成され、このプレート１１０の上に配置された組立
体は、シリコン基板１３０上に固着された酸化シリコン
ガイド１２０と、位相マスク１４０とを含む。レーザ光
束３００がマスク１４０の作用でガイド１２０の上に縞
を形成するように、この組立体の固定点に加えられる。
【００２９】コンピュータ２３０は、プレート１１０を
ステップ並進運動させまた各ステップの間にメモリに記
憶された特定の待機時間を配置するに適したパルスを電
源２２０において発生するようにプログラミングされて
いる。
ステップ並進運動させまた各ステップの間にメモリに記
憶された特定の待機時間を配置するに適したパルスを電
源２２０において発生するようにプログラミングされて
いる。
【００３０】各箇所における屈折指数はこの箇所の前の
光束停止時間に比例する。コンピュータそれ自体が所望
の指数分布の関数として各ピッチの停止時間を計算す
る。
光束停止時間に比例する。コンピュータそれ自体が所望
の指数分布の関数として各ピッチの停止時間を計算す
る。
【００３１】さらに詳しくは、コンピュータ２３０は種
々の屈折指数変調曲線を示すメニューをユーザに対して
提案する。変調包絡曲線が選択されると、コンピュータ
は、ユーザによって選択されたものと同一の予登録され
た曲線に従って、対応キャリジの前進コマンドデータを
利用する。すなわち、各ピッチにおける光束の待機時間
分布を利用する。
々の屈折指数変調曲線を示すメニューをユーザに対して
提案する。変調包絡曲線が選択されると、コンピュータ
は、ユーザによって選択されたものと同一の予登録され
た曲線に従って、対応キャリジの前進コマンドデータを
利用する。すなわち、各ピッチにおける光束の待機時間
分布を利用する。
【００３２】従って、レーザ光束の強度変動に基づか
ず、レーザ光束の位置の関数として露出時間に作用する
アポディゼーション技術を提案する。
ず、レーザ光束の位置の関数として露出時間に作用する
アポディゼーション技術を提案する。
【００３３】この実施の形態においては、コンピュータ
２３０はレーザ光束の前のキャリジ１００の順次２回の
通過をコマンドする。すなわち、第１回の通過は位相マ
スク１４０をガイド１２０の前に配置して実施され、第
２回の通過はマスク１４０なしで実施される。これらの
２つの通過は、２つの通過の間の戻りキャリジを避ける
ため逆方向に実施される。マスク１４０を使用する第１
通過に際して、光束は各ピッチごとにガイド上に、光束
と整列された狭い区域の中に干渉縞を形成する。
２３０はレーザ光束の前のキャリジ１００の順次２回の
通過をコマンドする。すなわち、第１回の通過は位相マ
スク１４０をガイド１２０の前に配置して実施され、第
２回の通過はマスク１４０なしで実施される。これらの
２つの通過は、２つの通過の間の戻りキャリジを避ける
ため逆方向に実施される。マスク１４０を使用する第１
通過に際して、光束は各ピッチごとにガイド上に、光束
と整列された狭い区域の中に干渉縞を形成する。
【００３４】従ってマスク１４０はガイド上の位置に依
存する焼き付け時間を有するブラッグ格子のピッチごと
に縞を形成し、また各縞の形成時間はマスク前の光束の
存在時間によって変調される。従って光束について図９
に図示のようなガウス型の曲線に従う可変通過時間を採
用すれば、図１０に図示のような屈折指数分布が得られ
る。すなわち、ガウス曲線に従って変動する振幅を有す
る正弦波を成す指数分布が得られる。
存する焼き付け時間を有するブラッグ格子のピッチごと
に縞を形成し、また各縞の形成時間はマスク前の光束の
存在時間によって変調される。従って光束について図９
に図示のようなガウス型の曲線に従う可変通過時間を採
用すれば、図１０に図示のような屈折指数分布が得られ
る。すなわち、ガウス曲線に従って変動する振幅を有す
る正弦波を成す指数分布が得られる。
【００３５】言い換えれば、干渉縞はその位置に従って
変動する時間、ガイドを焼き付け、この焼き付け時間は
光束の移動する速度に依存する。
変動する時間、ガイドを焼き付け、この焼き付け時間は
光束の移動する速度に依存する。
【００３６】図９の曲線はガイドにそった位置の関数と
して焼き付け時間を示し、またはこの位置の前の光束の
通過時間を示す。言い換えれば、この曲線の縦座標はガ
イドの各箇所の前を通過する光束の平均速度の縦座標に
逆比例し、この平均速度はこの点の前の光束の存在時間
に対する光束幅によって定義される。
して焼き付け時間を示し、またはこの位置の前の光束の
通過時間を示す。言い換えれば、この曲線の縦座標はガ
イドの各箇所の前を通過する光束の平均速度の縦座標に
逆比例し、この平均速度はこの点の前の光束の存在時間
に対する光束幅によって定義される。
【００３７】マスクを通さない第２通過は屈折指数の連
続的修正を加え、すなわち干渉縞のない場合に対応す
る。
続的修正を加え、すなわち干渉縞のない場合に対応す
る。
【００３８】従って図１１の線図はこの第２段階中にガ
イド上の考慮される位置の関数としての光束通過時間を
示す。この曲線は逆ガウス形を示す。言い換えれば、ガ
イドの両端はガイドの中央部よりも長い時間、焼き付け
される。従ってこの第２通過はガイドの両端レベルにお
いて屈折指数の増大を生じる。
イド上の考慮される位置の関数としての光束通過時間を
示す。この曲線は逆ガウス形を示す。言い換えれば、ガ
イドの両端はガイドの中央部よりも長い時間、焼き付け
される。従ってこの第２通過はガイドの両端レベルにお
いて屈折指数の増大を生じる。
【００３９】この連続第２焼き付け後に、格子の平均指
数は再び光書込部において一定となる。
数は再び光書込部において一定となる。
【００４０】この２つの通過後の指数の最終分布は図１
２に図示され、この図において線図は水平直線に対して
相互に対称的な２つの包絡線の間を揺動する正弦波の形
を示す。従って屈折指数はガイド全体にそって同一の平
均値の回りを変動する。
２に図示され、この図において線図は水平直線に対して
相互に対称的な２つの包絡線の間を揺動する正弦波の形
を示す。従って屈折指数はガイド全体にそって同一の平
均値の回りを変動する。
【００４１】このようにして最適アポディゼーション曲
線が得られるが、この線図は下記に述べる特定の指数分
布関数を選択することによってさらに改良される。
線が得られるが、この線図は下記に述べる特定の指数分
布関数を選択することによってさらに改良される。
【００４２】アポディゼーションの第１段階として、フ
ルーエンスＹの分布について採用される従来の式は下記
であり、ここにＸはガイド上の光束の縦方向位置であ
り、Ｘ＝０はガイドの中心に対応しまたＬは光書込長さ
である。
ルーエンスＹの分布について採用される従来の式は下記
であり、ここにＸはガイド上の光束の縦方向位置であ
り、Ｘ＝０はガイドの中心に対応しまたＬは光書込長さ
である。
【００４３】−ガウスの式：Ｙ＝Ａ・ｅｘｐ〔−Ｇ（Ｘ
／Ｌ）２〕 ここにＧ＝１５、 −ハミングの式：Ｙ＝Ａ（１＋Ｈｃｏｓ〔（２πＸ／
Ｌ）／１＋Ｈ〕） ここにＨ＝０．５５、 −ブラックマンの式： Ｙ＝〔１＋（１＋Ｂ）ｃｏｓ（２πＸ／Ｌ）＋Ｂｃｏｓ
（４πＸ／Ｌ）〕／（２＋２Ｂ） ここにＢ＝０．１８ 次の式によって計算することを提案する。
／Ｌ）２〕 ここにＧ＝１５、 −ハミングの式：Ｙ＝Ａ（１＋Ｈｃｏｓ〔（２πＸ／
Ｌ）／１＋Ｈ〕） ここにＨ＝０．５５、 −ブラックマンの式： Ｙ＝〔１＋（１＋Ｂ）ｃｏｓ（２πＸ／Ｌ）＋Ｂｃｏｓ
（４πＸ／Ｌ）〕／（２＋２Ｂ） ここにＢ＝０．１８ 次の式によって計算することを提案する。
【００４４】Ｙ１＝Ａｃｏｓ４（Ｍ．Ｘ／Ｌ）、ここに
Ｍ＝２．７８． この式は、非常に大きな利用柔軟性と非常に大きな精度
をもって、平面ガイドにそった格子の屈折指数の変調を
変調包絡線の形でアポディゼーションすることを可能と
する。
Ｍ＝２．７８． この式は、非常に大きな利用柔軟性と非常に大きな精度
をもって、平面ガイドにそった格子の屈折指数の変調を
変調包絡線の形でアポディゼーションすることを可能と
する。
【００４５】この式においてＹ１は焼き付け時間、Ａは
ＵＶレーザ（２４４ｎｍ）の出力である。定数Ｍはアポ
ディゼーション包絡線を最適化する。
ＵＶレーザ（２４４ｎｍ）の出力である。定数Ｍはアポ
ディゼーション包絡線を最適化する。
【００４６】焼き付け第２段階として、フルーエンス分
布Ｙ２を適用する。フルーエンスは式：［レーザ出力］
・［時間］／［単位面積］（ファイバについて提案され
る方法）またはこの実施形態の場合には露出時間によっ
て与えられる： Ｙ２（Ｘ）＝（Ｙ０−Ｙ１（Ｘ））／２ この式において、Ｙ０は横座標０におけるＹ１の値、す
なわちガイドにそったＹ１の極大値である。
布Ｙ２を適用する。フルーエンスは式：［レーザ出力］
・［時間］／［単位面積］（ファイバについて提案され
る方法）またはこの実施形態の場合には露出時間によっ
て与えられる： Ｙ２（Ｘ）＝（Ｙ０−Ｙ１（Ｘ））／２ この式において、Ｙ０は横座標０におけるＹ１の値、す
なわちガイドにそったＹ１の極大値である。
【００４７】２つの通過間の位置の一致は１ピッチの精
度で実施される（すなわち本明細書のモータについては
１μｍ）。
度で実施される（すなわち本明細書のモータについては
１μｍ）。
【００４８】この場合、曲線：時間＝ｆ（位置）がＰＣ
型のコンピュータ中にプログラミングされる。単位時間
はＰＣのクロック時間である。好ましい実施態様におい
ては、コマンド装置は下記の選択枝を有するメニューを
提案する。
型のコンピュータ中にプログラミングされる。単位時間
はＰＣのクロック時間である。好ましい実施態様におい
ては、コマンド装置は下記の選択枝を有するメニューを
提案する。
【００４９】−使用される式（ブラックマン、ガウ
ス．．．）、 −適用される計数、 −光書込の長さ、 −移動ピッチ。
ス．．．）、 −適用される計数、 −光書込の長さ、 −移動ピッチ。
【００５０】これはこの方法に最大の柔軟性を与える。
【００５１】光書込中に、ディスプレーは＜時間＝ｆ
（位置）＞を理論曲線と実現曲線とで表示する。
（位置）＞を理論曲線と実現曲線とで表示する。
【００５２】レーザ出力の調整の可能性と、得られた曲
線に対して片寄（オフセット）を加える可能性とを予定
することが望ましい。
線に対して片寄（オフセット）を加える可能性とを予定
することが望ましい。
【００５３】前述のアポディゼーション実施形態におい
て、ガイドはシリコン上の酸化シリコンの直線ガイドで
ある。前記のアポディゼーション法は、ブラッグ格子を
利用するあらゆるシリコン上酸化シリコンおよび光ファ
イバ部品に適用される。
て、ガイドはシリコン上の酸化シリコンの直線ガイドで
ある。前記のアポディゼーション法は、ブラッグ格子を
利用するあらゆるシリコン上酸化シリコンおよび光ファ
イバ部品に適用される。
【００５４】しかし下記において、前記の方法によって
光書込するのに特に適した光学ガイドを成す組立体につ
いて説明する。
光書込するのに特に適した光学ガイドを成す組立体につ
いて説明する。
【００５５】本発明は、光ファイバ上で得られるのと同
一品質のシリコン上酸化シリコンガイドに形成されるブ
ラッグ格子の光書込を実施し、特に０．８ｎｍ以下のス
ペクトル幅を得ることを可能とする。
一品質のシリコン上酸化シリコンガイドに形成されるブ
ラッグ格子の光書込を実施し、特に０．８ｎｍ以下のス
ペクトル幅を得ることを可能とする。
【００５６】出願人は、シリコン上酸化シリコンガイド
に対する光書込法は、ファイバ上の光書込法とは逆に、
また特にブラッグ格子の場合、酸化シリコンの光伝導層
とシリコン基板との接合によって形成されるジオプトリ
による紫外線書込束の寄生的反射の問題のあることを確
認した。
に対する光書込法は、ファイバ上の光書込法とは逆に、
また特にブラッグ格子の場合、酸化シリコンの光伝導層
とシリコン基板との接合によって形成されるジオプトリ
による紫外線書込束の寄生的反射の問題のあることを確
認した。
【００５７】入射光束に加えて、ガイド中において反射
光束が重ね合される。この制御されない反射光束が直接
的書込を実際上不成立とするまで擾乱する。
光束が重ね合される。この制御されない反射光束が直接
的書込を実際上不成立とするまで擾乱する。
【００５８】図１３に図示されているようにファイバ上
に光書込する場合、紫外線レーザ光束がこの放射線に対
して不感性の光学被覆を通過して、例えばファイバの感
光性芯部中にブラッグ格子を光書込する。この特定の場
合に、光束は光書込後に、その行程を続けてファイバか
ら出る。
に光書込する場合、紫外線レーザ光束がこの放射線に対
して不感性の光学被覆を通過して、例えばファイバの感
光性芯部中にブラッグ格子を光書込する。この特定の場
合に、光束は光書込後に、その行程を続けてファイバか
ら出る。
【００５９】図１４と図１７に図示のように、シリコン
上酸化シリコンの光学ガイドを成す組立体（Ｓｉ／Ｓｉ
Ｏ２）は通常シリコンの基板またはプラットフォームを
含み、この基板上に純粋酸化シリコンの＜シース層＞と
呼ばれる層２０が堆積され、次にこのシース層２０上に
ゲルマニウムをドーピングされた酸化シリコンからなる
光学ガイド３０が堆積される。これらのガイド３０と層
２０は純粋酸化シリコン被覆層４０によって被覆され
る。
上酸化シリコンの光学ガイドを成す組立体（Ｓｉ／Ｓｉ
Ｏ２）は通常シリコンの基板またはプラットフォームを
含み、この基板上に純粋酸化シリコンの＜シース層＞と
呼ばれる層２０が堆積され、次にこのシース層２０上に
ゲルマニウムをドーピングされた酸化シリコンからなる
光学ガイド３０が堆積される。これらのガイド３０と層
２０は純粋酸化シリコン被覆層４０によって被覆され
る。
【００６０】平面ガイドＳｉ／ＳｉＯ２に対して入射紫
外線光束５０がこの放射線に対して不感性の被覆層４０
を通過して、指数モチーフに従って芯部３０に光書込す
る。書込後に、紫外線光束５０は酸化シリコン堆積２０
を透過し、シース層２０と基質１０との間に形成された
ジオプトリーＳｉ／ＳｉＯ２ 上で、２４４ｎｍの波長
で６０％に近い反射率をもって反射する。
外線光束５０がこの放射線に対して不感性の被覆層４０
を通過して、指数モチーフに従って芯部３０に光書込す
る。書込後に、紫外線光束５０は酸化シリコン堆積２０
を透過し、シース層２０と基質１０との間に形成された
ジオプトリーＳｉ／ＳｉＯ２ 上で、２４４ｎｍの波長
で６０％に近い反射率をもって反射する。
【００６１】反射された光束は再び芯部３０に光書込す
るが、この場合には入射光束と異なる幾何光学的特性を
もって書込する。
るが、この場合には入射光束と異なる幾何光学的特性を
もって書込する。
【００６２】光ファイバの場合には、干渉によって空間
的に変調された入射光束がブラッグ格子に書込し、この
格子は代表的には０．８ｎｍ以下のスペクトル幅と３５
ｄＢ以上の振幅とをもってλＢを反射する（これらの値
は一例として示す）。
的に変調された入射光束がブラッグ格子に書込し、この
格子は代表的には０．８ｎｍ以下のスペクトル幅と３５
ｄＢ以上の振幅とをもってλＢを反射する（これらの値
は一例として示す）。
【００６３】この装置においても、反射ＵＶ光束はブラ
ッグ格子を書込し、この格子は所望の入射格子に重なり
合うが、ジオプトリーＳｉ／ＳｉＯ２ が完全なミラー
でないので、それぞれ入射光束と反射光束によって形成
された２つの格子は相互に相違する波長、それぞれλＢ
ｉとλＢｒを有する。出願人は、これらの２つの波長が
代表的には０．２５ｎｍに等しい差ΔλＢを示すことを
確認した。
ッグ格子を書込し、この格子は所望の入射格子に重なり
合うが、ジオプトリーＳｉ／ＳｉＯ２ が完全なミラー
でないので、それぞれ入射光束と反射光束によって形成
された２つの格子は相互に相違する波長、それぞれλＢ
ｉとλＢｒを有する。出願人は、これらの２つの波長が
代表的には０．２５ｎｍに等しい差ΔλＢを示すことを
確認した。
【００６４】図１６には、先行技術によって得られた格
子の透過スペクトルを示した。このスペクトルは小振幅
（６ｄＢ）の広いスペクトル幅の使用不能の反射ピーク
を示す。従って、ジオプトリーＳｉ／ＳｉＯ２ によっ
て反射された光束を禁止する必要がある。
子の透過スペクトルを示した。このスペクトルは小振幅
（６ｄＢ）の広いスペクトル幅の使用不能の反射ピーク
を示す。従って、ジオプトリーＳｉ／ＳｉＯ２ によっ
て反射された光束を禁止する必要がある。
【００６５】図１８には、本発明の実施の形態による光
学ガイド組立体を示す。
学ガイド組立体を示す。
【００６６】この組立体は図１４と図１７に図示の公知
の装置について前述した種々の構成部分を含み、さらに
シリコン層１０とガイド３０との間に配置された中間層
１５を含む。
の装置について前述した種々の構成部分を含み、さらに
シリコン層１０とガイド３０との間に配置された中間層
１５を含む。
【００６７】さらに詳しくは、この層１５は純粋酸化シ
リコンシース層２０と層１０との間に延在する。
リコンシース層２０と層１０との間に延在する。
【００６８】この層１５の役割は、組立体の表面から各
層を透過する入射光線をシリコン層１０の中に透過する
にある。層１５は入射光束５０に対して反射防止機能を
示す層である。この組立体は前述の先行技術の装置と同
様に、一連の層を順次に堆積させることによって形成さ
れる。
層を透過する入射光線をシリコン層１０の中に透過する
にある。層１５は入射光束５０に対して反射防止機能を
示す層である。この組立体は前述の先行技術の装置と同
様に、一連の層を順次に堆積させることによって形成さ
れる。
【００６９】周知のように、シリコンはＵＶ放射線、特
にこの場合に使用される２４４ｎｍの波長の放射線を吸
収する。入射放射線５０全部がシリコン１０によって吸
収されるためには、この層１５がこの放射線全部を透過
する必要がある。
にこの場合に使用される２４４ｎｍの波長の放射線を吸
収する。入射放射線５０全部がシリコン１０によって吸
収されるためには、この層１５がこの放射線全部を透過
する必要がある。
【００７０】反射防止層１５は装置の製作に際して、酸
化シリコン層の堆積とは別個に、真空蒸着技術によって
蒸着される。出願人はそのため特に効率的な材料とこの
選択された材料に特に適した層１５の特有の厚さを識別
した。この層１５の屈折指数は好ましくは、この層を包
囲しまたこの層と接触する２つの層の指数の積の平方根
に近い。
化シリコン層の堆積とは別個に、真空蒸着技術によって
蒸着される。出願人はそのため特に効率的な材料とこの
選択された材料に特に適した層１５の特有の厚さを識別
した。この層１５の屈折指数は好ましくは、この層を包
囲しまたこの層と接触する２つの層の指数の積の平方根
に近い。
【００７１】この場合、層１５の指数 Ｎ（anti-reflet
s) は下記の式（１）によって与えられる。
s) は下記の式（１）によって与えられる。
【００７２】 Ｎ（anti-reflets)＝〔Ｎ（酸化シリコン）Ｎ（シリコン）〕１／２ …（ １） 入射光線の入射角度αに対して、層１５の厚さＥｐは望
ましくは下記である。
ましくは下記である。
【００７３】 Ｅｐ＝（２ｋ＋１）λ／４ＮＡＲＣＯＳα …（２） ここに、ＮＡＲ は層１５の屈折指数、λは入射光線の
波長、またｋは任意の整数である。
波長、またｋは任意の整数である。
【００７４】明かに公知の酸化シリコンおよびシリコン
の屈折指数は、この場合にはコーシーの式からの外挿に
よって２４４ｎｍの波長に対して計算され、また式
（１）の指数規準に対応する物質として、ＳｉＯ２、Ｓ
ｉ３Ｎ４またはＴｉＯ２ を発見した。
の屈折指数は、この場合にはコーシーの式からの外挿に
よって２４４ｎｍの波長に対して計算され、また式
（１）の指数規準に対応する物質として、ＳｉＯ２、Ｓ
ｉ３Ｎ４またはＴｉＯ２ を発見した。
【００７５】本実施形態において、厚みは、式（２）中
でｋ＝１およびα＝１３°の関係で選択される。
でｋ＝１およびα＝１３°の関係で選択される。
【００７６】この場合、位相マスク１４０などの干渉装
置を使用する光書込法においては、この干渉装置の出力
において、被覆層４０の上側面のレベルで各干渉縞につ
いて、装置上側面の垂線に対して１３度の傾斜角度αお
よび−αを有する２つの入射光束が得られる。
置を使用する光書込法においては、この干渉装置の出力
において、被覆層４０の上側面のレベルで各干渉縞につ
いて、装置上側面の垂線に対して１３度の傾斜角度αお
よび−αを有する２つの入射光束が得られる。
【００７７】その際に４％のオーダの特に小さな残留反
射が得られ、この反射は、空気と酸化シリコン被覆層４
０との間に入力面に形成された他のジオプトリーによる
反射のみから成ると思われる。従って反射防止層１５の
透過係数はきわめて１に近い。
射が得られ、この反射は、空気と酸化シリコン被覆層４
０との間に入力面に形成された他のジオプトリーによる
反射のみから成ると思われる。従って反射防止層１５の
透過係数はきわめて１に近い。
【００７８】図１５に見られるように、得られた反射ス
ペクトルは０．５ｎｍのスペクトル長さと４０ｄＢの振
幅とを示す。従ってこの条件における光書込はもはや反
射光束の寄生的な制御不能の効果を生じることなく、ま
たファイバ上の品質を再現する。
ペクトルは０．５ｎｍのスペクトル長さと４０ｄＢの振
幅とを示す。従ってこの条件における光書込はもはや反
射光束の寄生的な制御不能の効果を生じることなく、ま
たファイバ上の品質を再現する。
【図１】先行技術による位相マスク組立体を示す概略図
である。
である。
【図２】先行技術によるロイド・ミラー組立体の概略図
である。
である。
【図３】公知の型のブラッグ網の概略図である。
【図４】（ａ）は、平均指数を一定として光学ガイドに
そった屈折指数分布を示す線図であり、また、（ｂ）
は、（ａ）の線図にそって光記入された光学ガイドの反
射スペクトルである。
そった屈折指数分布を示す線図であり、また、（ｂ）
は、（ａ）の線図にそって光記入された光学ガイドの反
射スペクトルである。
【図５】（ａ）は、ガウス型の平均指数分布アポディゼ
ーション線図であり、また、（ｂ）は、（ａ）に記載の
指数分布によって得られた反射スペクトルである。
ーション線図であり、また、（ｂ）は、（ａ）に記載の
指数分布によって得られた反射スペクトルである。
【図６】（ａ）は、ガウス包絡線型の平均指数を一定と
する指数分布アポディゼーション線図であり、また、
（ｂ）は、（ａ）の線図に従ってアポディゼーションさ
れたガイドの反射スペクトルである。
する指数分布アポディゼーション線図であり、また、
（ｂ）は、（ａ）の線図に従ってアポディゼーションさ
れたガイドの反射スペクトルである。
【図７】先行技術による強度マスク型アポディゼーショ
ン組立体の概念図である。
ン組立体の概念図である。
【図８】本発明によるアポディゼーション組立体の概念
図である。
図である。
【図９】本発明の方法によって得られたガイドにそった
焼き付け時間分布を示すグラフである。
焼き付け時間分布を示すグラフである。
【図１０】本発明のアポディゼーション第１段階による
屈折指数分布を示す線図である。
屈折指数分布を示す線図である。
【図１１】本発明によりガイドにそった焼き付け時間の
変調を示す線図である。
変調を示す線図である。
【図１２】本発明のアポディゼーション第２段階による
光学ガイドにそった屈折指数分布を示す線図である。
光学ガイドにそった屈折指数分布を示す線図である。
【図１３】先行技術による焼き付け中の光ファイバの断
面図である。
面図である。
【図１４】先行技術による焼き付け中の光ファイバの断
面図である。
面図である。
【図１５】本発明による光学ガイドのスペクトル応答を
示す線図である。
示す線図である。
【図１６】先行技術による焼き付け中の光ファイバの断
面図である。
面図である。
【図１７】先行技術による光学ガイドを成す組立体の横
断面図である。
断面図である。
【図１８】本発明による光学ガイドを成す組立体の横断
面図である。
面図である。
１０ シリコン基板 １５ 反射防止層 ２０ 酸化シリコンシース ３０ ガイド ４０ コーティング ５０ 紫外線束 １００ リニアモータ １１０ プレート １２０ ガイド １３０ シリコン基板 １４０ 位相マスク ２２０ 発電器 ２３０ コンピュータ （出版物のリスト） （１）B.MALO および Al.Ei Letters, V31,p.223(199
5)(CRC.Ottawa).可変密度のマスク（cos2)を通り位相マ
スクを使用しない第１通過、次に補足的マスクを通り位
相マスクを使用する第２通過。 （２）J.ALBERT and Al El Letters, V31,No.3,p.222(1
995)(CRC, Ottawa).不定のグラビア深さ（ガウス）を有
する位相マスクにより光書込。 （３）M.J.COLE and Al. Letters.V31,No.17, p.488(19
95)(University ofSouthampton) and Al. Opt. Letter
s, V20, No.20, p.2051 (1995) (Universityof Southam
pton).圧電モジュールによって制御されるファイバの振
動により、縁部において混濁し中心において同調した光
書込法（ガウスおよびブラックマン型の周波数の振幅） （４）R.KASHIAP and Al. Letters,V32, No13, p.226(1
996) (British Eelecom,Ipswich).ファイバを２つの別
々の位置上を引き抜く２つの圧電モジュールによって縁
部において半周期ずらされ中心において同相の２つの格
子を同時的に光書込する方法（コサイン形のアポディゼ
ーションの結果）。 （５）M.GUY and AI.ECO 97, P.195(INO,Sainte Foy(Qu
ebec).位相マスクの前に配置された電流計上に取付けら
れたミラーによる光書込法、縞はその角度によって混濁
されまたは重ね合される。 （６）K.E.CHISOHOLM and AI.ECOC 98, P.385 (Univers
ity of Birmingham) 同上、ガウスおよびコサイン形を有する COLE et LOH。
位相マスク上の圧電モジュール。 （７）H.SINGH and Al. ECOC 98, P.189 (3M Bragg Gra
ting Technologies,Bloomfield USA).レーザ光束を２部
分に分離。第１部分が所望のアポディゼーション・プロ
フィルを有するフィルタを通り、次にファイバの焼き付
け前に位相マスク上を通る。第２部分は、一定平均指数
を有するため第１フィルタと逆のプロフィルを有するフ
ィルタを通って、逆方向に（マスクによって回折される
ことなく）ファブリックを焼き付ける。 （８）P.MERCIER and Al. JNOG 98, P.359(Alcatel, Ma
rcoussis).ブラックマン形のアポディゼーション。 （９）P.Y.CORTES and Al. E.Letters, V34, No.4, p.3
96(1998)(UniversiteLaval Quebec).ガウス振幅縞格子
を形成する目的で、干渉計組立体をファイバと位相マス
クお後方に配置する。 （１０）H.G.FROHLICH and R.KASHYAP, Opt com, V157,
p.273(dec. 1998)(BT, Ipswich). ＜ヤングのスリット＞型干渉組立体（囲障マスクなし）
を使用する２方法、 − ２４４ｎｍに近い波長の（多色）非干渉性光。この
場合、干渉縞はガウス包絡線を有する。 − コヒーレント光。第１光書込後に第２動作として、
１つの光束の上に酸化シリコンクサビを配置し、行程お
よび位置の差異を導入すると、第１干渉縞に重なり合っ
た干渉縞を生じ、最終的にガウス包絡線の変調振幅を得
る。 （１１）L.QUETEL and L.RIVOALLAN (特許 ９７）（Hi
ghware Optical Technologies, Lannion) 光束の軌道上に特別形の回転羽根を配置することにより
焼き付けられるＵＶ出力の変動。これが光書込指数変調
のガウス形振幅を誘導する。 （１２）V.MIZRAHI and J.E.SIPE (AT&T Bell labs and
Uiversity Toronto). ＜Optical properties of photosensitive fiber phase
gratings> Jounal of lightware technology, V11,No.10,p.1513,1
993 (ファブリ−ペロー効果とシースモードのモデル化−実
測比較) （１３）D.PASTOR and Al (ETSI telecommunication, V
alencia) <Design of apodized linearly chirped fiber grating
s for dispersioncompensation> Journal of lightware technology, V.14,No.11,p113,1
996 (種々のアポディゼーション機能の理論的比較) （１４）J.CANNINGU and Al (APCRC, New South Wales
(Austrlie) <Chaacterization of apodized fiber Bragg gratings
for rejection filterapplications> Applied optics,V36,No.36,p9378, 1997 （レイリー拡散によってアポディゼーションされたブラ
ッグ格子指数の正確な測定）
5)(CRC.Ottawa).可変密度のマスク（cos2)を通り位相マ
スクを使用しない第１通過、次に補足的マスクを通り位
相マスクを使用する第２通過。 （２）J.ALBERT and Al El Letters, V31,No.3,p.222(1
995)(CRC, Ottawa).不定のグラビア深さ（ガウス）を有
する位相マスクにより光書込。 （３）M.J.COLE and Al. Letters.V31,No.17, p.488(19
95)(University ofSouthampton) and Al. Opt. Letter
s, V20, No.20, p.2051 (1995) (Universityof Southam
pton).圧電モジュールによって制御されるファイバの振
動により、縁部において混濁し中心において同調した光
書込法（ガウスおよびブラックマン型の周波数の振幅） （４）R.KASHIAP and Al. Letters,V32, No13, p.226(1
996) (British Eelecom,Ipswich).ファイバを２つの別
々の位置上を引き抜く２つの圧電モジュールによって縁
部において半周期ずらされ中心において同相の２つの格
子を同時的に光書込する方法（コサイン形のアポディゼ
ーションの結果）。 （５）M.GUY and AI.ECO 97, P.195(INO,Sainte Foy(Qu
ebec).位相マスクの前に配置された電流計上に取付けら
れたミラーによる光書込法、縞はその角度によって混濁
されまたは重ね合される。 （６）K.E.CHISOHOLM and AI.ECOC 98, P.385 (Univers
ity of Birmingham) 同上、ガウスおよびコサイン形を有する COLE et LOH。
位相マスク上の圧電モジュール。 （７）H.SINGH and Al. ECOC 98, P.189 (3M Bragg Gra
ting Technologies,Bloomfield USA).レーザ光束を２部
分に分離。第１部分が所望のアポディゼーション・プロ
フィルを有するフィルタを通り、次にファイバの焼き付
け前に位相マスク上を通る。第２部分は、一定平均指数
を有するため第１フィルタと逆のプロフィルを有するフ
ィルタを通って、逆方向に（マスクによって回折される
ことなく）ファブリックを焼き付ける。 （８）P.MERCIER and Al. JNOG 98, P.359(Alcatel, Ma
rcoussis).ブラックマン形のアポディゼーション。 （９）P.Y.CORTES and Al. E.Letters, V34, No.4, p.3
96(1998)(UniversiteLaval Quebec).ガウス振幅縞格子
を形成する目的で、干渉計組立体をファイバと位相マス
クお後方に配置する。 （１０）H.G.FROHLICH and R.KASHYAP, Opt com, V157,
p.273(dec. 1998)(BT, Ipswich). ＜ヤングのスリット＞型干渉組立体（囲障マスクなし）
を使用する２方法、 − ２４４ｎｍに近い波長の（多色）非干渉性光。この
場合、干渉縞はガウス包絡線を有する。 − コヒーレント光。第１光書込後に第２動作として、
１つの光束の上に酸化シリコンクサビを配置し、行程お
よび位置の差異を導入すると、第１干渉縞に重なり合っ
た干渉縞を生じ、最終的にガウス包絡線の変調振幅を得
る。 （１１）L.QUETEL and L.RIVOALLAN (特許 ９７）（Hi
ghware Optical Technologies, Lannion) 光束の軌道上に特別形の回転羽根を配置することにより
焼き付けられるＵＶ出力の変動。これが光書込指数変調
のガウス形振幅を誘導する。 （１２）V.MIZRAHI and J.E.SIPE (AT&T Bell labs and
Uiversity Toronto). ＜Optical properties of photosensitive fiber phase
gratings> Jounal of lightware technology, V11,No.10,p.1513,1
993 (ファブリ−ペロー効果とシースモードのモデル化−実
測比較) （１３）D.PASTOR and Al (ETSI telecommunication, V
alencia) <Design of apodized linearly chirped fiber grating
s for dispersioncompensation> Journal of lightware technology, V.14,No.11,p113,1
996 (種々のアポディゼーション機能の理論的比較) （１４）J.CANNINGU and Al (APCRC, New South Wales
(Austrlie) <Chaacterization of apodized fiber Bragg gratings
for rejection filterapplications> Applied optics,V36,No.36,p9378, 1997 （レイリー拡散によってアポディゼーションされたブラ
ッグ格子指数の正確な測定）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ミシェル、ノルフ フランス国ランゴア、リュ、クレール、フ ォンテーヌ、４ (72)発明者 フィリップ、グロソ フランス国ラニオン、セルベル、ルート、 ド、トレブルダン
Claims (12)
- 【請求項１】ガイド（ファイバ）（１２０）を光束（３
００）によって走査し、また光束（３００）がガイド
（１２０）（またはファイバ）のそれぞれの箇所にその
箇所によって変動する時間、対向配置されるようにガイ
ド（１２０）（またはファイバ）にそった光束（３０
０）の並進速度を変動させることによってガイド（また
はファイバ）にそって焼き付け時間を変調させる手段
（１００，２２０，２３０）を備えるように成された感
光性ガイド（１２０）または光ファイバ（１２０）の上
にブラッグ格子を作製する焼き付け法において、 前記方法は、ガイド（１２０）（またはファイバ）の上
に干渉縞を形成する装置（１４０）をガイド（１１０）
の前に配置し、前記干渉装置（１４０）にそって変調さ
れた並進速度をもって光束（３００）によって前記干渉
装置（１４０）を掃引する段階と、 さらに光束（３００）の軌道上に干渉装置（１４０）を
配置することなく、ガイド（１２０）（またはファイ
バ）を光束をもって変調された並進速度で走査する段階
を含み、 ここに前記干渉装置（１４０）による掃引はガイド（１
２０）（またはファイバ）の中央部分の焼き付け時間を
増大させる焼き付け時間変調をもって実施され、また前
記干渉装置なしの掃引はガイド（１２０）（またはファ
イバ）の中央部分の焼き付け時間を減少させる焼き付け
時間の変調をもって実施されることを特徴とするブラッ
グ格子を作製するための焼き付け法。 - 【請求項２】光束（３００）とガイド（１２０）（ファ
イバ）の相対運動を生じるためにプログラマブル制御式
（２３０）自動駆動装置（１００，２２０，２３０）を
使用することを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】前記駆動装置（１００，２２０，２３０）
はガイド（１２０）（ファイバ）と光束（３００）の相
対ステップ移動を生じるように成され、また前記制御装
置（２３０）はメモリを含み、このメモリの中に各ステ
ップごとの光束（３００）とガイド（１２０）（ファイ
バ）の固定時間が記憶されることを特徴とする請求項２
に記載の方法。 - 【請求項４】紫外線束に露出された時に屈折指数の増大
する物質から成る部分（３０）と前記紫外線に対して感
光性の部分（３０）のベースを成す部分（１０）とを備
える組立体上で実施され、また前記組立体が感光性部分
（３０）とそのベース（１０）との間に反射防止手段
（１５）を含むことを特徴とする請求項１ないし３のい
ずれかに記載の方法。 - 【請求項５】前記感光性部分（３０）が酸化シリコンか
らなり、また前記ベース（１０）がシリコンからなるこ
とを特徴とする請求項４に記載の方法。 - 【請求項６】前記反射防止手段（１５）は層（１５）か
らなり、この層（１５）はこれと両側において接触する
２層（１０，２０）の屈折指数の積の平方根に近い屈折
指数（ＮＡＲ）を有することを特徴とする請求項４また
は５に記載の方法。 - 【請求項７】前記反射防止手段（１５）は酸化シリコン
層（２０）とシリコン層（１０）との間に接触するよう
に配置された層（１５）からなることを特徴とする請求
項５に記載の方法。 - 【請求項８】前記組立体は、この組立体がブラッグ格子
を形成するようなガイド（３０）にそった屈折指数変調
を示すことを特徴とする請求項４ないし７のいずれかに
記載の方法。 - 【請求項９】反射防止手段（１５）は例えばＳｉＯ２，
Ｓｉ３Ｎ４およびＴｉＯ２などの適合性屈折指数を有す
る物質を含むグループから選定される物質によって構成
されることを特徴とする請求項４ないし８のいずれかに
記載の方法。 - 【請求項１０】波長λと、組立体の上側面（４０）のレ
ベルにおいてこの上側面の垂線に対して測定された入射
角度αとを有する少なくとも１つの光束によってガイド
（３０）を焼き付け、また感光性部分（３０）とベース
（１０）との間に反射防止層（１５）を配置し、この反
射防止層（１５）の厚さは値λ／４Ｎｃｏｓα（ここに
Ｎは反射防止層（１５）の屈折指数）の基数倍にほぼ等
しく選定されることを特徴とする請求項１ないし９のい
ずれかに記載の方法。 - 【請求項１１】反射防止層（１５）の厚さを３λ／４Ｎ
ｃｏｓαにほぼ等しく選定することを特徴とする請求項
１ないし１０のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１２】前記少なくとも１つの入射光束につい
て、１３゜にほぼ等しい傾斜角度を選択することを特徴
とする請求項１０または１１に記載の方法。
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|---|---|---|---|
| FR9909443 | 1999-07-21 | ||
| FR9909443A FR2796728B1 (fr) | 1999-07-21 | 1999-07-21 | Procede d'apodisation de reseau de bragg photoinscrit |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001083337A true JP2001083337A (ja) | 2001-03-30 |
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ID=9548339
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|---|---|---|---|
| JP2000221300A Withdrawn JP2001083337A (ja) | 1999-07-21 | 2000-07-21 | 光書込ブラッグ格子のアポディゼーション法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP1070974A1 (ja) |
| JP (1) | JP2001083337A (ja) |
| FR (1) | FR2796728B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002090557A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-03-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路型回折格子素子、光導波路型回折格子素子製造方法、合分波モジュールおよび光伝送システム |
Families Citing this family (14)
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|---|---|---|---|---|
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| US8413080B1 (en) * | 2005-08-29 | 2013-04-02 | Lockheed Martin Corporation | Binary half-tone photolithographic optical apodization mask |
| US8685628B2 (en) * | 2006-04-24 | 2014-04-01 | Stc.Unm | Large area patterning using interferometric lithography |
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| TW200918977A (en) * | 2007-10-26 | 2009-05-01 | Univ Nat Chiao Tung | Method to modulate refractivity of the optic fiber grating |
| CN100437168C (zh) * | 2007-12-06 | 2008-11-26 | 西安盛佳光电有限公司 | 一种保偏光纤切趾双光栅的制作方法 |
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| US8728719B2 (en) * | 2009-08-19 | 2014-05-20 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Diffractive laser beam homogenizer including a photo-active material and method of fabricating the same |
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Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1211868A (en) * | 1982-04-16 | 1986-09-23 | Yoshikazu Nishiwaki | Method of forming diffraction gratings and optical branching filter elements produced thereby |
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| JPH0798404A (ja) * | 1993-08-02 | 1995-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回折格子の製造方法 |
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| CA2202308C (en) * | 1996-04-19 | 2001-05-08 | Michihiro Nakai | Optical waveguide grating and production method therefor |
| SE510703C2 (sv) * | 1996-09-17 | 1999-06-14 | Optisk Forskning Inst | Optisk organ samt förfarande vid sådant organ |
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| US6035083A (en) * | 1997-10-02 | 2000-03-07 | 3M Innovative Company | Method for writing arbitrary index perturbations in a wave-guiding structure |
| JPH11133220A (ja) * | 1997-10-27 | 1999-05-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光フィルタの作製方法 |
| US6289154B1 (en) * | 1997-11-04 | 2001-09-11 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Grating-type optical component and method of manufacturing the same |
-
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2000
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- 2000-07-21 JP JP2000221300A patent/JP2001083337A/ja not_active Withdrawn
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002090557A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-03-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路型回折格子素子、光導波路型回折格子素子製造方法、合分波モジュールおよび光伝送システム |
| WO2002025332A1 (fr) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Réseau de diffraction pour guide d'ondes optiques, procédé de fabrication de réseau de diffraction pour guide d'ondes optiques, module de multiplexage/démultiplexage, et système de transmission optique |
| US6882777B2 (en) | 2000-09-20 | 2005-04-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical waveguide diffraction grating device, method for fabricating optical waveguide diffraction grating device, multiplexing/demultiplexing module, and optical transmission system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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