JP2001077429A - 発光ダイオード素子 - Google Patents
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Abstract
(57)【要約】
【課題】 波長変換型の発光ダイオードを製造するに際
して、製造工程の簡略化を図るようにする。 【解決手段】 上面にｎ型半導体１３とｐ型半導体１４
を成長させたサファイヤ基板１２の下面側に蛍光材含有
層１７をサファイヤ基板１２と一体に形成することによ
って、発光ダイオードの製造時には発光ダイオード素子
１１を搭載するだけで蛍光材含有層１７を配置できるよ
うにし、これによって発光ダイオードの製造工程を簡略
化する。
して、製造工程の簡略化を図るようにする。 【解決手段】 上面にｎ型半導体１３とｐ型半導体１４
を成長させたサファイヤ基板１２の下面側に蛍光材含有
層１７をサファイヤ基板１２と一体に形成することによ
って、発光ダイオードの製造時には発光ダイオード素子
１１を搭載するだけで蛍光材含有層１７を配置できるよ
うにし、これによって発光ダイオードの製造工程を簡略
化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長変換型の発光
ダイオード素子に関するものである。
ダイオード素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の発光ダイオード素子とし
ては、例えば窒化ガリウム系化合物半導体からなる青色
発光の発光ダイオード素子が知られており、この発光ダ
イオード素子と蛍光材とを組合せ、図６に示すような青
色発光を白色系発光に波長変換するタイプの発光ダイオ
ード１に利用されている。この発光ダイオード１では、
発光ダイオード素子４がメタルステム２に設けた凹部３
に載置され、ボンディングワイヤ６によってメタルポス
ト５に接続されている。これらの発光ダイオード素子４
及びボンディングワイヤ６は、砲弾形の透明樹脂体８に
よって封止されている。また、前記凹部３内には蛍光材
を分散した蛍光材含有樹脂７が発光ダイオード素子４の
上方を被うようにして充填されている。このような構成
からなる発光ダイオード１にあっては、発光ダイオード
素子４から発した青色発光が蛍光材含有樹脂７に分散さ
れている蛍光材に当たって蛍光材を励起し、それによっ
て青色発光を白色系発光に変換するものである。（特開
平７−９９３４５号参照）
ては、例えば窒化ガリウム系化合物半導体からなる青色
発光の発光ダイオード素子が知られており、この発光ダ
イオード素子と蛍光材とを組合せ、図６に示すような青
色発光を白色系発光に波長変換するタイプの発光ダイオ
ード１に利用されている。この発光ダイオード１では、
発光ダイオード素子４がメタルステム２に設けた凹部３
に載置され、ボンディングワイヤ６によってメタルポス
ト５に接続されている。これらの発光ダイオード素子４
及びボンディングワイヤ６は、砲弾形の透明樹脂体８に
よって封止されている。また、前記凹部３内には蛍光材
を分散した蛍光材含有樹脂７が発光ダイオード素子４の
上方を被うようにして充填されている。このような構成
からなる発光ダイオード１にあっては、発光ダイオード
素子４から発した青色発光が蛍光材含有樹脂７に分散さ
れている蛍光材に当たって蛍光材を励起し、それによっ
て青色発光を白色系発光に変換するものである。（特開
平７−９９３４５号参照）
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような発光ダイオード素子４にあっては、該素子と蛍光
材含有樹脂７とが別体であるため、波長変換型の発光ダ
イオード１を製造するに際しては、発光ダイオード素子
４の接着工程と蛍光材含有樹脂７の充填工程とを別々に
設けなければならなかった。
ような発光ダイオード素子４にあっては、該素子と蛍光
材含有樹脂７とが別体であるため、波長変換型の発光ダ
イオード１を製造するに際しては、発光ダイオード素子
４の接着工程と蛍光材含有樹脂７の充填工程とを別々に
設けなければならなかった。
【０００４】そこで、本発明の目的は、波長変換型の発
光ダイオードを製造するに際して、製造工程の簡略化が
図られるような発光ダイオード素子を提供するものであ
る。
光ダイオードを製造するに際して、製造工程の簡略化が
図られるような発光ダイオード素子を提供するものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明者は、発光ダイオード素子に蛍光材含有層を
一体に設けることで製造工程の簡略化を図るようにし
た。具体的には、請求項１の発明は、上面に半導体を成
長させた素子基板の下面側に蛍光材含有層が素子基板と
一体に形成されてなることを特徴とする発光ダイオード
素子によって、上述した課題を解決した。
に、本発明者は、発光ダイオード素子に蛍光材含有層を
一体に設けることで製造工程の簡略化を図るようにし
た。具体的には、請求項１の発明は、上面に半導体を成
長させた素子基板の下面側に蛍光材含有層が素子基板と
一体に形成されてなることを特徴とする発光ダイオード
素子によって、上述した課題を解決した。
【０００６】この発明によれば、発光ダイオード素子に
蛍光材含有層が一体に設けてあるので、発光ダイオード
の製造時には発光ダイオード素子を搭載するだけで同時
に蛍光材含有層も配置されることになり、従来に比べて
発光ダイオードの製造工程を簡略化できる。
蛍光材含有層が一体に設けてあるので、発光ダイオード
の製造時には発光ダイオード素子を搭載するだけで同時
に蛍光材含有層も配置されることになり、従来に比べて
発光ダイオードの製造工程を簡略化できる。
【０００７】請求項２の発明は、請求項１に記載の発光
ダイオード素子において、前記素子基板がサファイヤ基
板であり、その上面に成長させた半導体が窒化ガリウム
系化合物半導体であることを特徴とする。
ダイオード素子において、前記素子基板がサファイヤ基
板であり、その上面に成長させた半導体が窒化ガリウム
系化合物半導体であることを特徴とする。
【０００８】この発明によれば、透明のサファイヤガラ
スを用いたことで発光ダイオード素子の下面側への発光
が可能となり、さらにこのサファイヤガラスに蛍光材含
有層を一体に設けることによって、発光ダイオード素子
の下面側にも波長変換させた後の発光が高輝度で得られ
る。
スを用いたことで発光ダイオード素子の下面側への発光
が可能となり、さらにこのサファイヤガラスに蛍光材含
有層を一体に設けることによって、発光ダイオード素子
の下面側にも波長変換させた後の発光が高輝度で得られ
る。
【０００９】請求項３の発明は、請求項１に記載の発光
ダイオード素子において、前記素子基板の下面側に形成
された蛍光材含有層がイットリウム化合物からなる蛍光
材を含有していることを特徴とする。
ダイオード素子において、前記素子基板の下面側に形成
された蛍光材含有層がイットリウム化合物からなる蛍光
材を含有していることを特徴とする。
【００１０】この発明によれば、サファイヤガラスと一
体にイットリウム化合物からなる蛍光材を設けたので、
発光ダイオード素子の青色発光を効果的に白色系発光に
波長変換することができる。
体にイットリウム化合物からなる蛍光材を設けたので、
発光ダイオード素子の青色発光を効果的に白色系発光に
波長変換することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
に係る発光ダイオード素子の実施形態を詳細に説明す
る。図１乃至図３は本発明の第１の実施形態を示したも
のであり、図１は発光ダイオード素子の全体構造、図２
はこの発光ダイオード素子を用いた表面実装型の発光ダ
イオードの斜視図、図３は発光ダイオードをマザーボー
ドに実装した状態を示す断面図である。
に係る発光ダイオード素子の実施形態を詳細に説明す
る。図１乃至図３は本発明の第１の実施形態を示したも
のであり、図１は発光ダイオード素子の全体構造、図２
はこの発光ダイオード素子を用いた表面実装型の発光ダ
イオードの斜視図、図３は発光ダイオードをマザーボー
ドに実装した状態を示す断面図である。
【００１２】図１に示したように、発光ダイオード素子
１１は窒化ガリウム系化合物半導体からなる青色発光素
子であり、透明ガラスであるサファイヤ基板１２の上面
にｎ型半導体１３とｐ型半導体１４を成長させた構造で
ある。ｎ型半導体１３及びｐ型半導体１４は、それぞれ
の上面に電極１５，１６を備えている。この電極１５，
１６は、発光ダイオード素子１１の上面側に発光させる
場合にはできるだけ小さく形成して発光進路を妨げない
ようにする一方、サファイヤ基板１２を通して発光ダイ
オード素子１１の下面側に発光させる場合には上方を遮
光するためにできるだけ大きく形成し、ｎ型半導体１３
及びｐ型半導体１４の各上面を電極１５，１６で覆い隠
すようにする。電極１５，１６は、スパッタリングや真
空蒸着によって所望の大きさに形成することができる。
１１は窒化ガリウム系化合物半導体からなる青色発光素
子であり、透明ガラスであるサファイヤ基板１２の上面
にｎ型半導体１３とｐ型半導体１４を成長させた構造で
ある。ｎ型半導体１３及びｐ型半導体１４は、それぞれ
の上面に電極１５，１６を備えている。この電極１５，
１６は、発光ダイオード素子１１の上面側に発光させる
場合にはできるだけ小さく形成して発光進路を妨げない
ようにする一方、サファイヤ基板１２を通して発光ダイ
オード素子１１の下面側に発光させる場合には上方を遮
光するためにできるだけ大きく形成し、ｎ型半導体１３
及びｐ型半導体１４の各上面を電極１５，１６で覆い隠
すようにする。電極１５，１６は、スパッタリングや真
空蒸着によって所望の大きさに形成することができる。
【００１３】また、この実施形態では上記発光ダイオー
ド素子１１のサファイヤ基板１２の下面に蛍光材含有層
１７が一体に形成されている。この蛍光材含有層１７
は、無色の透明樹脂の中に適当量の蛍光材１８を均一に
分散させたものである。蛍光材１８は、発光ダイオード
素子１１の発光エネルギによって励起され短波長の可視
光を長波長の可視光に変換するものである。イットリウ
ム化合物からなる蛍光物質を用いた場合には、発光ダイ
オード素子１１で発光した青色発光を白色系発光に変換
することができる。なお無色の透明樹脂として、例えば
エポキシ樹脂を利用することができる。
ド素子１１のサファイヤ基板１２の下面に蛍光材含有層
１７が一体に形成されている。この蛍光材含有層１７
は、無色の透明樹脂の中に適当量の蛍光材１８を均一に
分散させたものである。蛍光材１８は、発光ダイオード
素子１１の発光エネルギによって励起され短波長の可視
光を長波長の可視光に変換するものである。イットリウ
ム化合物からなる蛍光物質を用いた場合には、発光ダイ
オード素子１１で発光した青色発光を白色系発光に変換
することができる。なお無色の透明樹脂として、例えば
エポキシ樹脂を利用することができる。
【００１４】上述の蛍光材含有層１７は、蛍光材１８を
分散させた透明樹脂を塗料化し、これを前記サファイヤ
基板１２の下面に所望の厚みに印刷するか、若しくは、
蛍光材１８を分散させた透明樹脂をシート化し、これを
サファイヤ基板１２の下面に貼付することでサファイヤ
基板１２と一体に形成することができる。印刷又はシー
トの貼付は、半導体ウエハの段階で行なってもよく、又
は半導体ウエハを分割した個々のチップにしてから行な
うこともできる。
分散させた透明樹脂を塗料化し、これを前記サファイヤ
基板１２の下面に所望の厚みに印刷するか、若しくは、
蛍光材１８を分散させた透明樹脂をシート化し、これを
サファイヤ基板１２の下面に貼付することでサファイヤ
基板１２と一体に形成することができる。印刷又はシー
トの貼付は、半導体ウエハの段階で行なってもよく、又
は半導体ウエハを分割した個々のチップにしてから行な
うこともできる。
【００１５】従って、上記のような構成からなる発光ダ
イオード素子１１にあっては、ｎ型半導体１３とｐ型半
導体１４との境界面からの発光は、上方、側方及び下方
へ青色光として発光するが、特に下方側へ発光した青色
光は蛍光材含有層１７の中に分散されている蛍光材１８
に当たって蛍光材１８を励起し、それによって長波長の
可視光に波長変換する。この時、蛍光材含有層１７の下
面に銅箔やアルミ箔など反射率の高い反射膜１９が設け
てあると、この反射膜１９によって上方への発光が強く
なる。なお、前述したように、発光ダイオード素子１１
の上面電極１５，１６が大きい場合には、上方への発光
を遮ることで蛍光材含有層１７の下面側を発光させるこ
とができる。
イオード素子１１にあっては、ｎ型半導体１３とｐ型半
導体１４との境界面からの発光は、上方、側方及び下方
へ青色光として発光するが、特に下方側へ発光した青色
光は蛍光材含有層１７の中に分散されている蛍光材１８
に当たって蛍光材１８を励起し、それによって長波長の
可視光に波長変換する。この時、蛍光材含有層１７の下
面に銅箔やアルミ箔など反射率の高い反射膜１９が設け
てあると、この反射膜１９によって上方への発光が強く
なる。なお、前述したように、発光ダイオード素子１１
の上面電極１５，１６が大きい場合には、上方への発光
を遮ることで蛍光材含有層１７の下面側を発光させるこ
とができる。
【００１６】図２及び図３は、上記の発光ダイオード素
子１１を用いて構成した波長変換型の表面実装型発光ダ
イオード２１を示したものである。この発光ダイオード
２１は、四角形状のガラスエポキシ基板（以下、ガラエ
ポ基板という）２２の上面に一対の外部接続用電極２
３，２４をパターン形成し、これと一体に成形された下
面電極２３ａ，２４ａをマザーボード２５上のプリント
配線２６，２７に半田２８で固定することによって表面
実装が実現するものである。
子１１を用いて構成した波長変換型の表面実装型発光ダ
イオード２１を示したものである。この発光ダイオード
２１は、四角形状のガラスエポキシ基板（以下、ガラエ
ポ基板という）２２の上面に一対の外部接続用電極２
３，２４をパターン形成し、これと一体に成形された下
面電極２３ａ，２４ａをマザーボード２５上のプリント
配線２６，２７に半田２８で固定することによって表面
実装が実現するものである。
【００１７】前記ガラエポ基板２２の上面中央部には上
述の発光ダイオード素子１１が透明接着剤によって固着
されている。発光ダイオード素子１１の上面電極１５，
１６は、ガラエポ基板２２の外部接続用電極２３，２４
にボンディングワイヤ２９，３０によって接続され、さ
らにその上方が無色透明の樹脂封止体３１によって保護
されている。
述の発光ダイオード素子１１が透明接着剤によって固着
されている。発光ダイオード素子１１の上面電極１５，
１６は、ガラエポ基板２２の外部接続用電極２３，２４
にボンディングワイヤ２９，３０によって接続され、さ
らにその上方が無色透明の樹脂封止体３１によって保護
されている。
【００１８】従って、上記の発光ダイオード２１にあっ
ては、発光ダイオード素子１１から下方に出た青色発光
が、蛍光材含有層１７の中に分散されている蛍光材１８
に当たって蛍光材１８を励起し、長波長の可視光に波長
変換される。そして、前述の反射膜１９又はガラエポ基
板２２の上面に反射されて上方向に発光し、マザーボー
ド２５の上面側を照射する白色系発光が得られることに
なる。
ては、発光ダイオード素子１１から下方に出た青色発光
が、蛍光材含有層１７の中に分散されている蛍光材１８
に当たって蛍光材１８を励起し、長波長の可視光に波長
変換される。そして、前述の反射膜１９又はガラエポ基
板２２の上面に反射されて上方向に発光し、マザーボー
ド２５の上面側を照射する白色系発光が得られることに
なる。
【００１９】図４及び図５は、表面実装型発光ダイオー
ドの第２の実施形態を示したものである。この実施形態
に係る表面実装型の発光ダイオード４１は、前記発光ダ
イオード素子１１を無色の透明ガラス基板４２の上面に
透明接着剤５１で固着し、透明ガラス基板４２の下面側
に発光するよう構成したものである。そのため、この実
施形態では発光ダイオード素子１１のｎ型半導体１３及
びｐ型半導体１４の各上面に設けられる電極も非透光性
の遮光電極４３，４４として上面全体に形成される。こ
の遮光電極４３，４４によって、発光ダイオード素子１
１からの青色発光は上方側への発光が略完全に遮られ、
その大部分が透明のサファイヤ基板１２を透過する。そ
して、サファイヤ基板１２と一体に形成されている蛍光
剤含有層１７を通過する際、発光ダイオード素子１１か
らの青色発光が可視光の長波長に変換される。
ドの第２の実施形態を示したものである。この実施形態
に係る表面実装型の発光ダイオード４１は、前記発光ダ
イオード素子１１を無色の透明ガラス基板４２の上面に
透明接着剤５１で固着し、透明ガラス基板４２の下面側
に発光するよう構成したものである。そのため、この実
施形態では発光ダイオード素子１１のｎ型半導体１３及
びｐ型半導体１４の各上面に設けられる電極も非透光性
の遮光電極４３，４４として上面全体に形成される。こ
の遮光電極４３，４４によって、発光ダイオード素子１
１からの青色発光は上方側への発光が略完全に遮られ、
その大部分が透明のサファイヤ基板１２を透過する。そ
して、サファイヤ基板１２と一体に形成されている蛍光
剤含有層１７を通過する際、発光ダイオード素子１１か
らの青色発光が可視光の長波長に変換される。
【００２０】また、この実施形態では発光ダイオード素
子１１の外部接続用電極４５，４６が、透明ガラス基板
４２の上部外周を四角に囲うプラスッチクの枠体４７に
形成されている。この枠体４７は、透明ガラス基板４２
とは別工程で作られ、発光ダイオード素子１１が搭載さ
れた基板上面に接着剤などによって固定される。外部接
続用電極４５，４６は、枠体４７の成形時に蒸着などに
よってパターン形成され、前記発光ダイオード素子１１
の各遮光電極４３，４４とボンディングワイヤ４８，４
９によって接続されるカソード電極４５ａ及びアノード
電極４６ａと、マザーボード接続用電極４５ｂ，４６ｂ
とを有する。カソード電極４５ａ及びアノード電極４６
ａは、枠体４７の一対の内側底面部４７ａに所定幅で設
けられ、マザーボード接続用電極４５ｂ，４６ｂは、そ
れと同じ側の縦壁４７ｂの外周面全体に設けられ、両者
はプリント電極４５ｃ、４６ｃによって接続されてい
る。
子１１の外部接続用電極４５，４６が、透明ガラス基板
４２の上部外周を四角に囲うプラスッチクの枠体４７に
形成されている。この枠体４７は、透明ガラス基板４２
とは別工程で作られ、発光ダイオード素子１１が搭載さ
れた基板上面に接着剤などによって固定される。外部接
続用電極４５，４６は、枠体４７の成形時に蒸着などに
よってパターン形成され、前記発光ダイオード素子１１
の各遮光電極４３，４４とボンディングワイヤ４８，４
９によって接続されるカソード電極４５ａ及びアノード
電極４６ａと、マザーボード接続用電極４５ｂ，４６ｂ
とを有する。カソード電極４５ａ及びアノード電極４６
ａは、枠体４７の一対の内側底面部４７ａに所定幅で設
けられ、マザーボード接続用電極４５ｂ，４６ｂは、そ
れと同じ側の縦壁４７ｂの外周面全体に設けられ、両者
はプリント電極４５ｃ、４６ｃによって接続されてい
る。
【００２１】この実施形態では上記枠体４７の内部に樹
脂封止体５０が充填される。この充填によって、透明ガ
ラス基板４２の上面に搭載された発光ダイオード素子１
１及びボンディングワイヤ４８，４９が封止される。樹
脂封止体５０は、無色透明である必要はない。
脂封止体５０が充填される。この充填によって、透明ガ
ラス基板４２の上面に搭載された発光ダイオード素子１
１及びボンディングワイヤ４８，４９が封止される。樹
脂封止体５０は、無色透明である必要はない。
【００２２】上述のような構成からなる発光ダイオード
４１あっては、発光ダイオード素子１１のｎ型半導体１
３とｐ型半導体１４との境界面から上下方向に青色光が
発光するが、上方向へ発光した青色光は発光ダイオード
素子１１の上面全体に設けられた遮光電極４３，４４に
よって遮られるために、樹脂封止体５０内への透過が殆
どない状態で遮光電極４３，４４の反射を受ける。これ
らの反射光及び最初からサファイヤ基板１２を透過して
下方側に向かう青色発光は、蛍光剤含有層１７及び透明
接着剤５１を介して透明ガラス基板４２を透過し、透明
ガラス基板４２の下面側を照射する。その際、蛍光剤含
有層１７の中に分散されている蛍光材１８が青色発光の
短波長によって励起され、青色発光が黄色味がかった長
波長の発光に変換される。そして、元々の青色発光と波
長変換された黄色発光とが互いに混色することで、透明
ガラス基板４２の下面側では白色に近い発光が得られる
ことになる。
４１あっては、発光ダイオード素子１１のｎ型半導体１
３とｐ型半導体１４との境界面から上下方向に青色光が
発光するが、上方向へ発光した青色光は発光ダイオード
素子１１の上面全体に設けられた遮光電極４３，４４に
よって遮られるために、樹脂封止体５０内への透過が殆
どない状態で遮光電極４３，４４の反射を受ける。これ
らの反射光及び最初からサファイヤ基板１２を透過して
下方側に向かう青色発光は、蛍光剤含有層１７及び透明
接着剤５１を介して透明ガラス基板４２を透過し、透明
ガラス基板４２の下面側を照射する。その際、蛍光剤含
有層１７の中に分散されている蛍光材１８が青色発光の
短波長によって励起され、青色発光が黄色味がかった長
波長の発光に変換される。そして、元々の青色発光と波
長変換された黄色発光とが互いに混色することで、透明
ガラス基板４２の下面側では白色に近い発光が得られる
ことになる。
【００２３】次に、上記構成からなる発光ダイオード４
１の表面実装方法を説明する。図５は、マザーボード２
５に発光ダイオード４１を表面実装した時の状態を示し
たものである。この実施形態では、前記発光ダイオード
４１を上下逆にしてマザーボード２５上に載置し、マザ
ーボード２５上のプリント配線２６，２７に枠体４７の
外周面に形成されたマザーボード接続用電極４５ｂ，４
６ｂを半田２８で固定する。マザーボード接続用電極４
５ｂ，４６ｂは外周面全体に形成されているので、取付
け位置の調整が容易であると共に、半田２８による確実
な固定が得られる。
１の表面実装方法を説明する。図５は、マザーボード２
５に発光ダイオード４１を表面実装した時の状態を示し
たものである。この実施形態では、前記発光ダイオード
４１を上下逆にしてマザーボード２５上に載置し、マザ
ーボード２５上のプリント配線２６，２７に枠体４７の
外周面に形成されたマザーボード接続用電極４５ｂ，４
６ｂを半田２８で固定する。マザーボード接続用電極４
５ｂ，４６ｂは外周面全体に形成されているので、取付
け位置の調整が容易であると共に、半田２８による確実
な固定が得られる。
【００２４】上述の実装手段では、発光ダイオード４１
が上下逆に実装されるために、マザーボード２５の上面
側が発光ダイオード４１によって照射されることにな
る。その際、蛍光材１８が分散されている蛍光材含有層
１７の中で波長変換が行われ、そのまま透明ガラス基板
４２を透過していくので、信頼性の優れた高輝度の白色
発光が長期間に亘って得られることになる。
が上下逆に実装されるために、マザーボード２５の上面
側が発光ダイオード４１によって照射されることにな
る。その際、蛍光材１８が分散されている蛍光材含有層
１７の中で波長変換が行われ、そのまま透明ガラス基板
４２を透過していくので、信頼性の優れた高輝度の白色
発光が長期間に亘って得られることになる。
【００２５】上述した全ての実施形態では、発光ダイオ
ード素子と外部接続用電極とをボンディングワイヤによ
って接続した場合について説明したが、この発明はこれ
に限定されるものではなく、例えば半田バンプを用いた
フリップチップ実装などの接続方法も含まれるものであ
る。また、第２の実施形態では発光ダイオード素子の上
面に遮光電極を形成した場合について説明したが、樹脂
封止体を黒色樹脂で形成するなど、発光ダイオード素子
の上面側を遮光できるものであれば、上記実施形態のも
のに限られないのは勿論である。
ード素子と外部接続用電極とをボンディングワイヤによ
って接続した場合について説明したが、この発明はこれ
に限定されるものではなく、例えば半田バンプを用いた
フリップチップ実装などの接続方法も含まれるものであ
る。また、第２の実施形態では発光ダイオード素子の上
面に遮光電極を形成した場合について説明したが、樹脂
封止体を黒色樹脂で形成するなど、発光ダイオード素子
の上面側を遮光できるものであれば、上記実施形態のも
のに限られないのは勿論である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る発光
ダイオード素子によれば、上面に半導体を成長させた素
子基板の下面側に蛍光材含有層を素子基板と一体に形成
したので、発光ダイオードの製造時には発光ダイオード
素子を搭載するだけで同時に蛍光材含有層も配置される
ことになり、従来に比べて発光ダイオードの製造工程を
簡略化できる。
ダイオード素子によれば、上面に半導体を成長させた素
子基板の下面側に蛍光材含有層を素子基板と一体に形成
したので、発光ダイオードの製造時には発光ダイオード
素子を搭載するだけで同時に蛍光材含有層も配置される
ことになり、従来に比べて発光ダイオードの製造工程を
簡略化できる。
【図１】本発明に係る発光ダイオード素子の断面図であ
る。
る。
【図２】上記発光ダイオード素子を用いた発光ダイオー
ドの第１実施形態を示す斜視図である。
ドの第１実施形態を示す斜視図である。
【図３】上記発光ダイオードをマザーボードに実装した
時の、上記図２におけるＡ−Ａ線に沿った断面図であ
る。
時の、上記図２におけるＡ−Ａ線に沿った断面図であ
る。
【図４】上記発光ダイオード素子を用いた発光ダイオー
ドの第２実施形態を示す斜視図である。
ドの第２実施形態を示す斜視図である。
【図５】上記発光ダイオードをマザーボードに実装した
時の、上記図４におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図であ
る。
時の、上記図４におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図であ
る。
【図６】従来における波長変換型の発光ダイオードの一
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
１１ 発光ダイオード素子 １２ サファイヤ基板（素子基板） １３ ｎ型半導体 １４ ｐ型半導体 １７ 蛍光材含有層 １８ 蛍光材 １９ 反射膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土屋 康介 山梨県富士吉田市上暮地１丁目23番１号 株式会社シチズン電子内 Ｆターム(参考） 5F041 AA14 CA02 CA12 CA13 CA40 CA46 DA03 DA07 DA09 DA12 DA20 DB03 EE25 5F047 AA19 BA12 CA08
Claims (3)
- 【請求項１】 上面に半導体を成長させた素子基板の下
面側に蛍光材含有層が素子基板と一体に形成されてなる
ことを特徴とする発光ダイオード素子。 - 【請求項２】 前記素子基板がサファイヤ基板であり、
その上面に成長させた半導体が窒化ガリウム系化合物半
導体であることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオ
ード素子。 - 【請求項３】 前記素子基板の下面側に形成された蛍光
材含有層がイットリウム化合物からなる蛍光材を含有し
ていることを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24902099A JP3798588B2 (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24902099A JP3798588B2 (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077429A true JP2001077429A (ja) | 2001-03-23 |
| JP3798588B2 JP3798588B2 (ja) | 2006-07-19 |
Family
ID=17186824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24902099A Expired - Fee Related JP3798588B2 (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 発光ダイオード |
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|---|---|
| JP (1) | JP3798588B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002314147A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
| JP2003078167A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Abel Systems Inc | 発光ダイオードとその製造方法 |
| JP2003243717A (ja) * | 2002-02-14 | 2003-08-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
| US6878971B2 (en) * | 1998-08-03 | 2005-04-12 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting apparatus |
| DE102005046394A1 (de) * | 2005-09-28 | 2007-04-05 | Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. | Weiße Mehrwellenlängen-Leuchtdiode und deren Herstellungsverfahren |
| JP2007088318A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Taiwan Oasis Technology Co Ltd | 白色発光ダイオード及びその製造工程 |
| JP2010087292A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子 |
| US10121934B2 (en) | 2014-12-12 | 2018-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor light emitting device package |
| JP2018186166A (ja) * | 2017-04-25 | 2018-11-22 | 株式会社ディスコ | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE202005002110U1 (de) * | 2004-02-19 | 2005-05-04 | Hong-Yuan Technology Co., Ltd., Yonghe | Lichtemittierende Vorrichtung |
-
1999
- 1999-09-02 JP JP24902099A patent/JP3798588B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US6878971B2 (en) * | 1998-08-03 | 2005-04-12 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting apparatus |
| JP2002314147A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
| JP2003078167A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Abel Systems Inc | 発光ダイオードとその製造方法 |
| JP4704628B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2011-06-15 | アーベル・システムズ株式会社 | 発光ダイオード |
| JP2003243717A (ja) * | 2002-02-14 | 2003-08-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
| JP2007088318A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Taiwan Oasis Technology Co Ltd | 白色発光ダイオード及びその製造工程 |
| DE102005046394A1 (de) * | 2005-09-28 | 2007-04-05 | Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. | Weiße Mehrwellenlängen-Leuchtdiode und deren Herstellungsverfahren |
| JP2010087292A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子 |
| US10121934B2 (en) | 2014-12-12 | 2018-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor light emitting device package |
| JP2018186166A (ja) * | 2017-04-25 | 2018-11-22 | 株式会社ディスコ | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ |
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