JP2001077335A - 半導体層の分離方法，半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造工程の途中において基体から半導体層が
剥離することなく、かつ後工程において基体から半導体
層を良好に分離することができる半導体層の分離方法、
並びにそれを用いた半導体基板の製造方法および半導体
装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 まず、陽極化成を行って形成用基板１１
の表面を多孔質化する。その際、低多孔率多孔質層１２
および高多孔率多孔質層１３を順次形成したのち、高多
孔率多孔質層１３の内側に低多孔率多孔質層１４を形成
して、低多孔率多孔質層１４により高多孔率多孔質層１
３と形成用基板１１とが完全に離間されるようにする。
次いで、低多孔率多孔質層１２上にエピタキシャル層１
５を形成し、エピタキシャル層１５上に基板本体を配設
したのち、エピタキシャル層１５を形成用基板１１から
分離する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基体の上に多孔質
層を介して形成された半導体層を基体から分離する方
法、並びにこの方法を用いた半導体基板の製造方法およ
び半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】多孔質（ポーラス）シリコンは、陽極に
シリコンを、イオン伝導体にフッ化水素酸（ＨＦ）をそ
れぞれ用いた電気分解（陽極化成）を行うことにより容
易に形成できることが知られている。この多孔質シリコ
ンを分離手段として用いて基体から素子形成層を分離す
る方法が、例えば特開平８−２１３６４５号公報および
特開平９−３１２３４９号公報に開示されている。

【０００３】なかでも、特開平９−３１２３４９号公報
では、以下に説明する方法が開示されている。すなわ
ち、まず、図９（Ａ）に示したように、単結晶シリコン
基板１０１の表面を多孔質化して多孔度（ポロシティ）
が低い多孔質層１０２を形成し、その内部側に中多孔度
の多孔質層１０３を形成する。そののち、図９（Ｂ）に
示したように、この中多孔度の多孔質層１０３の内部に
分離層となる高多孔度の多孔質層１０４を形成し、更に
多孔質層１０２の上にエピタキシャル成長法により単結
晶シリコン層１０５を成長させ、単結晶シリコン層１０
５を多孔質層１０４において単結晶シリコン基板１０１
から分離する。この方法では、主に陽極化成電流密度と
陽極化成時間とを調整することにより、各多孔質層１０
２〜１０４の多孔度を調整するようにしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
方法では、実際には、チョクラルスキー（ＣＺ；Czochr
alski ）法などを用いた単結晶シリコン基板１０１の製
造時に発生した結晶欠陥、および陽極化成装置の電解液
槽や電極の大きさあるいは形状などにより、陽極化成を
行う際に単結晶シリコン基板１０１に流れる電流の密度
が不均一になるという問題があった。

【０００５】そのため、図１０に示したように、多孔質
層１０４の形成される深さが場所によって異なってお
り、多孔質層１０４が波形状になっている場合があっ
た。そのような場合には、多孔質層１０４が多孔質層１
０３よりも単結晶シリコン基板１０１側に形成され、多
孔質層１０４と単結晶シリコン基板１０１との間に界面
が形成されると、素子形成を行っている間にこの界面に
おいて剥離してしまい、製造の歩留まりが低下するとい
う問題があった。特に、単結晶シリコン基板１０１の端
部近傍では、基板に電流が流れにくく、この問題が顕著
であった。

【０００６】また、このような問題を解決するために、
素子形成中に多孔質層１０４と単結晶シリコン基板１０
１とが剥離しないように多孔質層１０４の多孔度を出来
る限り小さくすると、単結晶シリコン基板１０１から単
結晶シリコン層１０５を分離する際に良好に剥離しない
という問題があった。

【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、製造工程の途中において単結晶シリ
コン層などの半導体層が基体から剥離することなく、か
つ後工程において基体から半導体層を良好に分離するこ
とができる半導体層の分離方法、並びにそれを用いた半
導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法を提供
することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体層の
分離方法は、基体の表面を多孔質化することにより多孔
質層を形成する工程と、基体上に多孔質層を介して半導
体層を形成する工程と、半導体層を、多孔質層において
基体から分離する工程とを含む半導体層の分離方法であ
って、多孔質層を形成する工程において、基体の表面か
ら内部側に向かって、第１の多孔質層と、この第１の多
孔質層よりも多孔度が低い第２の多孔質層とをこの順に
形成するようにし、半導体層を基体から分離する工程に
おいて、第１の多孔質層を利用して分離するようにした
ものである。

【０００９】本発明による半導体基板の製造方法は、基
体の表面を多孔質化することにより多孔質層を形成する
工程と、基体上に多孔質層を介して、半導体基板の少な
くとも一部となる半導体層を形成する工程と、半導体層
を、多孔質層において基体から分離する工程とを含む半
導体基板の製造方法であって、多孔質層を形成する工程
において、基体の表面から内部側に向かって、第１の多
孔質層と、この第１の多孔質層よりも多孔度が低い第２
の多孔質層とをこの順に形成するようにし、半導体層を
基体から分離する工程において、第１の多孔質層を利用
して分離するようにしたものである。

【００１０】本発明による半導体装置の製造方法は、基
体の表面を多孔質化することにより多孔質層を形成する
工程と、基体上に多孔質層を介して半導体素子を形成す
る工程と、半導体素子を、多孔質層において基体から分
離する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、多
孔質層を形成する工程において、基体の表面から内部側
に向かって、第１の多孔質層と、この第１の多孔質層よ
りも多孔度が低い第２の多孔質層とをこの順に形成する
ようにし、半導体素子を基体から分離する工程におい
て、第１の多孔質層を利用して分離するようにしたもの
である。

【００１１】本発明による半導体層の分離方法では、基
体の表面が多孔質化されて、表面から内部側に向かっ
て、第１の多孔質層と第１の多孔質層よりも多孔度が低
い第２の多孔質層とがこの順に形成され、これら第１お
よび第２の多孔質層を介して基体上に半導体層が形成さ
れたのち、第１の多孔質層を利用して半導体層が基体か
ら分離される。なお、本発明による半導体層の分離方法
では、基体の表面から内部側に向かって、第１の多孔質
層よりも多孔度が低い第３の多孔質層と第１の多孔質層
と第２の多孔質層とがこの順に形成されることが、より
好ましい。

【００１２】本発明による半導体基板の製造方法では、
本発明の半導体層の分離方法と同様にして基体の表面が
多孔質化されて第１および第２の多孔質層がそれぞれ形
成されたのち、基体上に第１および第２の多孔質層を介
して半導体基板の少なくとも一部となる半導体層が形成
され、第１の多孔質層を利用して半導体層が基体から分
離される。

【００１３】本発明による半導体装置の製造方法では、
本発明の半導体層の分離方法と同様にして基体の表面が
多孔質化されて第１および第２の多孔質層がそれぞれ形
成されたのち、基体上に第１および第２の多孔質層を介
して、半導体素子が形成され、第１の多孔質層を利用し
て半導体素子が基体から分離される。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００１５】［第１の実施の形態］まず、図１および図
２を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る半導体
基板の製造方法について説明する。なお、本実施の形態
に係る半導体層の分離方法は、本実施の形態に係る半導
体基板の製造方法によって具現化されるので、以下併せ
て説明する。

【００１６】まず、図１（Ａ）に示したように、例えば
（１００）結晶面の単結晶シリコンよりなる形成用基板
１１を用意する。単結晶シリコンとしては、例えばホウ
素などのｐ型不純物が１０¹⁹atoms ／ｃｍ³ 程度添加さ
れ、０．０１〜０．０２Ω・ｃｍ程度の比抵抗を有する
ものが好ましい。なお、形成用基板１１としては、後述
する陽極化成法によりその上に多孔質層を形成する観点
からは、ｐ型の単結晶シリコンよりなるものを用いるこ
とが望ましいが、条件設定によってはｎ型の単結晶シリ
コンや多結晶シリコンよりなるものを用いるようにして
もよい。ここで、形成用基板１１が、本発明の「基体」
の一具体例に対応している。

【００１７】次に、図１（Ｂ）に示したように、例え
ば、常温（２０℃）において、電解溶液（陽極化成溶
液）としてＨＦ（フッ化水素酸）：Ｃ₂ Ｈ₅ ＯＨ（エタ
ノール）＝１：１（４９％ＨＦ溶液と９９．５％Ｃ₂ Ｈ
₅ ＯＨ溶液との体積比）の電解溶液を用い、１〜７ｍＡ
／ｃｍ² 程度の電流密度で数分間、第１段階の陽極化成
を行うことにより、形成用基板１１の表面を多孔質化す
る。これにより、例えば厚さが３μｍ程度で多孔度が小
さい（例えば２０％以下）多孔質シリコンよりなる低多
孔率多孔質層１２が形成される。既に述べようように、
形成用基板（単結晶シリコン基板）１１の製造時におい
て発生した結晶欠陥、および陽極化成装置の電解液槽や
電極の大きさあるいは形状などにより、陽極化成を行う
際に形成用基板１１に流れる電流の密度は局所的に不均
一であり、低多孔率多孔質層１２と形成用基板１１との
界面は例えば波形状となる。なお、エタノールは、多孔
質層が形成されるときに発生する気泡を除去するための
ものであり、形成用基板１１の場所による電流密度のむ
らの発生を防止するためのものである。そののち、低多
孔率多孔質層１２が所望の厚さ（時間）になった時点で
通電を止める。ここで、低多孔率多孔質層１２が、本発
明の「第３の多孔質層」の一具体例に対応している。

【００１８】なお、陽極化成法は、形成用基板１１を陽
極としてフッ化水素酸中で通電を行う方法であり、例え
ば伊東等による「表面技術Vol.46.No.5.p8〜13,1995
[多孔質シリコンの陽極化成] 」に示された２重セル法
により行うことができる。この方法では、２つの電解溶
液槽の間に多孔質層（ここでは、低多孔率多孔質層１
２）を形成すべき形成用基板１１を配置し、両方の電解
溶液槽には直流電源と接続された白金電極を設置する。
そして、両電解溶液槽に電解溶液を入れ、白金電極に直
流電圧を印加する。これにより形成用基板１１の陽極側
の面が浸食されて多孔質化する。

【００１９】次に、図１（Ｃ）に示したように、上述し
た方法により例えば５０〜２００ｍＡ／ｃｍ² 程度の電
流密度で数秒間、第２段階の陽極化成を行って、例えば
厚さが１μｍ程度で多孔度が大きい（例えば３０〜７０
％程度）高多孔率多孔質層１３を形成する。このとき、
高多孔率多孔質層１３は低多孔率多孔質層１２の内側
（図の下側）に形成され、第１段階の陽極化成により形
成された表層の低多孔率多孔質層１２はそのまま低多孔
率を保っている。こののち、高多孔率多孔質層１３が所
望の厚さになった時点で通電を止める。ここで、高多孔
率多孔質層１３が、本発明の「第１の多孔質層」の一具
体例に対応している。

【００２０】次に、図１（Ｄ）に示したように、例えば
１〜７ｍＡ／ｃｍ² 程度の電流密度で数分間、第３段階
の陽極化成を行うことにより、例えば厚さが３μｍ程度
で多孔度が小さい（例えば２０％以下）低多孔率多孔質
層１４を形成する。このとき、低多孔率多孔質層１４
は、高多孔率多孔質層１３と形成用基板１１とを完全に
離間するように高多孔率多孔質層１３の内側に形成され
る。また、低多孔率多孔質層１２および高多孔率多孔質
層１３はそのまま多孔度を保っている。なお、低多孔率
多孔質層１４の多孔度と低多孔率多孔質層１２の多孔度
とは、同じであっても、異なっていても、共に高多孔率
多孔質層１３の多孔度よりも低ければよい。ここで、低
多孔率多孔質層１４が、本発明の「第２の多孔質層」の
一具体例に対応している。

【００２１】次に、例えば、水素ガス（Ｈ₂ ）雰囲気中
において９５０〜１１５０℃の温度で３０〜６０分程度
熱処理（水素アニール）を行う。熱処理を行うことによ
り、低多孔率多孔質層１２の表面に形成された自然酸化
膜、および各多孔質層中の酸素原子が除去されると共
に、低多孔率多孔質層１２の表面に存在する穴を塞がれ
るので、低多孔率多孔質層１２の表面が滑らかになる。

【００２２】次に、図１（Ｅ）に示したように、シラン
（ＳｉＨ₄ ）などのガスを用いてエピタキシャル成長さ
せることにより、低多孔率多孔質層１２の上に、例えば
単結晶シリコンよりなるエピタキシャル層１５を形成す
る。なお、ジボラン（Ｂ₂ Ｈ₆ ）あるいはホスフィン
（ＰＨ₃ ）などのガスを供給すれば、ｐ型シリコンある
いはｎ型シリコンよりなるエピタキシャル層１５を形成
することができる。本実施の形態では、上述したよう
に、水素アニールを行って低多孔率多孔質層１２の表面
を滑らかにしているので、結晶性に優れたエピタキシャ
ル層１５を形成することができる。ここで、エピタキシ
ャル層１５が、本発明の「半導体層」の一具体例に対応
している。

【００２３】このように、水素アニールとエピタキシャ
ル成長とを行っている間に、各多孔質層中のシリコン原
子が移動し再配列される結果、高多孔率多孔質層１３の
各孔の大きさが更に大きくなり、高多孔率多孔質層１３
は一層脆弱なものとなる。

【００２４】次に、図２（Ａ）に示したように、例えば
フッ素樹脂、ポリカーボネートあるいはポリエチレンテ
レフタレートなどよりなるプラスチックフィルムにより
構成された基板本体２１を用意し、この基板本体２１を
エピタキシャル層１５の上に、例えばエポキシ樹脂より
なる接着層２２を介して接着させる。

【００２５】次に、図２（Ｂ）に示したように、エピタ
キシャル層１５を基板本体２１と共に高多孔率多孔質層
１３において形成用基板１１から分離し、エピタキシャ
ル層１５を基板本体２１に転写する。分離の際には、例
えば、水あるいはエタノールなどの溶液中に形成用基板
１１を浸し、超音波を照射して高多孔率多孔質層１３の
強度を弱めて分離する方法、基板本体２１と形成用基板
１１との間に引っ張り力を加える方法、遠心力を加え、
高多孔率多孔質層１３の強度を弱めて分離する方法、ま
たは上記３つの方法のうちの複数を併せて用いる。

【００２６】本実施の形態では、既に述べたように、高
多孔率多孔質層１３と形成用基板１１とを完全に離間す
るように高多孔率多孔質層１３の内側に低多孔率多孔質
層１４が形成されているので、上述した各製造工程にお
いて形成用基板１１とその上に形成された各層とが剥離
するおそれがない。また、エピタキシャル層１５を形成
用基板１１から分離する際には、高多孔率多孔質層１３
において良好に分離される。

【００２７】なお、エピタキシャル層分離後の形成用基
板１１については、表面に残存している多孔質層（高多
孔率多孔質層１３および低多孔率多孔質層１４）を通常
の研磨方法、電解研磨あるいはシリコンエッチングによ
り除去すれば、次回の半導体基板の作製工程において再
利用することが可能になる。

【００２８】最後に、例えばフッ化水素酸，硝酸（ＨＮ
Ｏ₃ ）および酢酸（ＣＨ₃ ＣＯＯＨ）の混合溶液を用い
てエッチングを行い、エピタキシャル層１５の裏面（図
の下側）に残存している多孔質層（低多孔率多孔質層１
２および高多孔率多孔質層１３）を除去する。これによ
り、図２（Ｃ）に示したように、基板本体２１の上に単
結晶シリコンよりなるエピタキシャル層１５を備えた半
導体基板が完成する。

【００２９】このように本実施の形態に係る半導体基板
の製造方法によれば、高多孔率多孔質層１３を形成した
のち、その内側に低多孔率多孔質層１４を形成するよう
にしたので、低多孔率多孔質層１４によって高多孔率多
孔質層１３と形成用基板１１とが完全に離間される。そ
のため、陽極化成を行う際に形成用基板１１に流れる電
流の密度が不均一であっても、各多孔質層およびエピタ
キシャル層１５を形成している間に、これらの層が形成
用基板１１から剥離するおそれがない。また、エピタキ
シャル層１５を形成用基板１１から分離する際には、エ
ピタキシャル層１５や基板本体２１に損傷を与えること
なく、高多孔率多孔質層１３において良好に分離するこ
とができる。従って、形成用基板１１上に形成されたエ
ピタキシャル層１５が基板本体２１に転写された半導体
基板を歩留りよく製造することができる。

【００３０】なお、図３に示したように、上記第１の実
施の形態における低多孔率多孔質層１２の形成工程と高
多孔率多孔質層１３の形成工程との間に、低多孔率多孔
質層１２よりも多孔度が大きく、かつ高多孔率多孔質層
１３よりも多孔度が小さい中多孔率多孔質層３１を形成
する工程を追加するようにしてもよい。

【００３１】この中多孔率多孔質層３１は、低多孔率多
孔質層１２と同様にして、陽極化成を行うことにより、
低多孔率多孔質層１２の内側に形成する。その際、例え
ば、電流密度５〜１５ｍＡ／ｃｍ² の条件で数分間行う
ようにする。なお、高多孔率多孔質層１３は、中多孔率
多孔質層３１の内側に形成するようにする。

【００３２】また、上記第１の実施の形態では、水素ア
ニールを行うことによって低多孔率多孔質層１２の表面
を滑らかにするようにしたが、陽極化成を行う際に用い
る電解溶液のフッ化水素酸の濃度を高くしても、低多孔
率多孔質層１２の表面の孔を小さくすることができ、低
多孔率多孔質層１２の表面が滑らかになる。これによっ
ても、結晶性に優れたエピタキシャル層１５を形成する
ことが可能になる。具体的には、例えば、上述したフッ
化水素酸およびエタノールが、フッ化水素酸：エタノー
ル＝２：１あるいは３：１の割合で混合された電解溶液
を用いることにより実現することができる。

【００３３】次に、本発明の第１の実施の形態に係る半
導体基板の製造方法の変形例について説明する。

【００３４】（第１の変形例）本変形例に係る製造方法
は、図４に示したように、上述した第１の実施の形態に
係るエピタキシャル層１５に代えて、エピタキシャル層
１５ａを形成することを除き、他は第１の実施の形態と
同様である。よって、ここではその説明を省略する。

【００３５】本変形例では、低多孔率多孔質層１２の表
面の水素アニールを行ったのち、例えば、９００℃にお
いてゲルマンガス（ＧｅＨ₄ ）およびシランガスを用い
たＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）を行うことに
より、低多孔率多孔質層１２上にシリコン・ゲルマニウ
ム混晶（ＳｉＧｅ混晶）よりなるエピタキシャル膜を成
長させる。

【００３６】続いて、温度を例えば８００℃に達するま
で下げつつ、シランガスの濃度を徐々に低減させ、８０
０℃において例えばゲルマンガスのみを用いてＣＶＤを
行うことにより、単結晶ゲルマニウムよりなるエピタキ
シャル膜を成長させる。このようにして、低多孔率多孔
質層１２上に、低多孔率多孔質層１２の側からシリコン
の組成比が漸次減少したシリコンゲルマニウム混晶膜、
およびゲルマニウム膜よりなるエピタキシャル層１５ａ
を形成する。

【００３７】なお、更に、ゲルマニウム膜の上に、ガリ
ウムヒ素（ＧａＡｓ）膜をヘテロエピタキシャル成長さ
せて、表面がガリウムヒ素よりなるエピタキシャル層を
形成することもできる。

【００３８】このように、ＣＶＤなどのヘテロエピタキ
シャル成長を行う際に用いるガスを適宜選択することに
より、所望の組成のエピタキシャル層を形成することが
できる。

【００３９】（第２の変形例）本変形例に係る製造方法
は、第１の実施の形態において説明した単結晶シリコン
よりなる形成用基板１１に代えて、板状の単結晶サファ
イア（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）の上に、例えばＣＶＤ法により単結
晶シリコン層が形成されてなる基板を形成用基板として
用いることを除き、他は第１の実施の形態と同様のプロ
セスである。なお、このような形成用基板を使用した場
合の陽極化成法については、特開平１１−１９５７７５
号公報において提案されている。

【００４０】本変形例では、形成用基板１１からエピタ
キシャル層１５を分離したのち、形成用基板側を通常の
方法によりエッチングすると、シリコンよりなる各多孔
質層および上述したサファイア上のシリコン層のみを容
易に除去することができる。従って、板状サファイア
は、繰り返し再利用しても劣化および損傷しにくく、板
状サファイアの再利用回数を形成用基板１１よりも増加
させることができる。また、特開平１１−１９５７７５
号公報においても述べられているように、面積の大きな
基板を用いても、多孔度が均一な多孔質層を形成するこ
とができる。

【００４１】（応用例）更に、本発明の第１の実施の形
態に係る半導体基板の製造方法の応用例について説明す
る。

【００４２】本応用例に係る製造方法は、図５（Ａ）な
いし図５（Ｄ）に示したように、上述した第１の実施の
形態に係る製造方法のエピタキシャル層１５の形成工程
と基板本体２１の．着工程との間に、絶縁層４１の形成
工程を追加したことを除き、他は第１の実施の形態と同
様である。よって、ここではその説明を省略する。

【００４３】エピタキシャル層１５を形成したのち、図
５（Ａ）に示したように、例えば水素ガスと酸素ガス
（Ｏ₂ ）との体積比が１：１の混合気流中（温度は、例
えば１０００℃）にエピタキシャル層１５の表面を曝
し、エピタキシャル層１５の表面を酸化（ウェット酸
化）することにより絶縁層４１を形成する。なお、エピ
タキシャル層１５の表面を酸素ガス雰囲気中に曝すこと
により絶縁層４１を形成することもできるが、ウェット
酸化により形成した方が、良質の絶縁層４１を形成する
ことができるので好ましい。

【００４４】絶縁層４１を形成したのち、図５（Ｂ）に
示したように、第１の実施の形態と同様にして、基板本
体２１を用意し、絶縁層４１の上に、接着層２２を介し
て基板本体２１を接着させる。本応用例においては、基
板本体として、例えばシリコン基板，酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ₂ ）基板あるいはプラスチック基板を用いる。その
のち、図５（Ｃ）に示したように、第１の実施の形態と
同様にして、エピタキシャル層１５を基板本体２１と共
に高多孔率多孔質層１３において形成用基板１１から分
離し、エピタキシャル層１５を基板本体２１に転写す
る。

【００４５】このように絶縁層４１を設けることによ
り、図５（Ｄ）に示したように、シリコン層がエピタキ
シャル成長法により形成された、良好なＳＯＩ（Silico
n-on-Insulator）基板を作製することができる。

【００４６】［第２の実施の形態］次に、図６ないし図
８および先の図１を参照して、本発明の第２の実施の形
態に係る半導体装置の製造方法としての薄膜太陽電池の
製造方法について説明する。なお、第１の実施の形態と
同一の構成要素には同一の符号を付し、ここではその詳
細な説明を省略する。

【００４７】まず、第１の実施の形態において図１
（Ａ）ないし図１（Ｄ）に示した工程と同様にして、形
成用基板１１の表面を多孔質化して、低多孔率多孔質層
１２，高多孔率多孔質層１３および低多孔率多孔質層１
４をそれぞれ形成したのち、水素アニールを行う。

【００４８】次に、図６（Ａ）に示したように、例え
ば、低多孔率多孔質層１２上に、例えばシランガスを用
いて１０５０℃の温度条件で単結晶シリコンよりなるエ
ピタキシャル層５１を成長させる。ここでは、エピタキ
シャル層５１として、例えばホウ素（Ｂ）などのｐ型不
純物を高濃度（１×１０¹⁹atoms ／ｃｍ³ 程度）に含む
ｐ⁺ 型領域５２と、例えばホウ素などのｐ型不純物を１
×１０¹⁶〜１×１０¹⁸atoms ／ｃｍ³ 含むｐ型領域５３
とを、これらの厚さの合計が例えば１０μｍとなるよう
に順次エピタキシャル成長させる。ここで、エピタキシ
ャル層５１が、本発明の「半導体層」の一具体例に対応
している。

【００４９】次に、図６（Ｂ）に示したように、例えば
エキシマレーザを用いて、ｐ型領域５３およびｐ⁺ 型領
域５２を順次選択的に除去する。これにより、各太陽電
池素子形成領域に応じてｐ型領域５３およびｐ⁺ 型領域
５２がそれぞれ分離され、各太陽電池素子に分離する。

【００５０】次に、図６（Ｃ）に示したように、各ｐ型
領域５３にホウ素などのｐ型不純物を高濃度に導入し、
ｐ⁺ 型領域５４を形成する。また、各ｐ型領域５３にリ
ンなどのｎ型不純物を導入し、ｎ型領域５５を形成す
る。

【００５１】次に、図６（Ｄ）に示したように、例えば
エピタキシャル層５１を熱酸化することにより、エピタ
キシャル層５１の表面に絶縁膜５６ａを選択的に形成す
ると共に、エピタキシャル層５１の側面に絶縁膜５６ｂ
を形成する。なお、絶縁膜５６ａは、保護膜として機能
するものである。また、絶縁膜５６ｂは、各太陽電池素
子を絶縁分離する役割を果たすものであり、例えば絶縁
膜５６ａよりも厚い膜（例えば、０．２μｍ程度）とな
るように形成する。そののち、絶縁膜５６ａ上に例えば
酸化チタン（ＴｉＯ₂ ）よりなる反射防止膜５７を形成
し、更に、例えば、互いに隣接する太陽電池素子を直列
に接続するように、アルミニウムなどよりなる金属電極
５８を選択的にそれぞれ形成する。

【００５２】次に、図７（Ａ）に示したように、例えば
フッ素樹脂、ポリカーボネートあるいはポリエチレンテ
レフタレートよりなるプラスチックフィルムにより構成
された転写用基板６１を用意し、この転写用基板６１を
太陽電子素子の表面側（図の上側）に接着層２２を介し
て接着させる。

【００５３】次に、図７（Ｂ）に示したように、第１の
実施の形態と同様にして、各太陽電池素子を転写用基板
６１と共に高多孔率多孔質層１３において形成用基板１
１から分離し、太陽電池素子を転写用基板６１に転写す
る。

【００５４】次に、図８（Ａ）に示したように、第１の
実施の形態と同様にして、エピタキシャル層５１の裏面
（図の下側）に残存している多孔質層（低多孔率多孔質
層１２および高多孔率多孔質層１３）を除去する。これ
により、多孔質層によって短絡されていた隣接する太陽
電池素子は完全に分離される。

【００５５】最後に、図８（Ｂ）に示したように、太陽
電池素子の裏面側に、例えばエポキシ樹脂よりなる接着
層６２を介して、例えばプラスチックフィルムよりなる
基板６３を接着させる。これにより、転写用基板６１に
太陽電池素子が配設された薄膜太陽電池が完成する。

【００５６】このように本実施の形態に係る薄膜太陽電
池の製造方法によれば、第１の実施の形態と同様の理由
により、陽極化成を行う際に形成用基板１１に流れる電
流の密度が不均一であっても、各多孔質層および太陽電
池素子を形成している間に、これらの層が形成用基板１
１から剥離するおそれがない。また、太陽電池素子を形
成用基板１１から分離する際には、高多孔率多孔質層１
３において良好に分離することができる。従って、形成
用基板１１上に形成された太陽電池素子が形成用基板６
１に転写された薄膜太陽電池を歩留りよく製造すること
ができる。

【００５７】

【実施例】更に、本発明の具体的な実施例について詳細
に説明する。

【００５８】（実施例１）まず、（１００）結晶面のｐ
型単結晶シリコン（比抵抗０．０１〜０．０２Ω・ｃ
ｍ）よりなる形成用基板を用意した。次に、ＨＦ：Ｃ₂
Ｈ₅ ＯＨ＝１：１（４９％ＨＦ溶液と９９．５％Ｃ₂ Ｈ
₅ ＯＨ溶液との体積比）の混合溶液を電解溶液として用
いて、２ｍＡ／ｃｍ² の電流密度で６分間陽極化成を行
うことにより、形成用基板の表面に、低多孔率多孔質層
を形成した。

【００５９】次に、１５０ｍＡ／ｃｍ² の電流密度で数
秒間陽極化成を行って、高多孔率多孔質層を形成した。
続いて、２ｍＡ／ｃｍ² の電流密度で５分間陽極化成を
行うことにより、低多孔率多孔質層を形成した。この低
多孔率多孔質層は、高多孔率多孔質層と形成用基板とを
完全に離間するように高多孔率多孔質層の内側に形成さ
れると共に、先に形成した低多孔率多孔質層および高多
孔率多孔質層はそのまま多孔度を保っていた。

【００６０】次に、水素ガス雰囲気中において１１００
℃の温度で熱処理を行った。これにより、先に形成した
低多孔率多孔質層の表面が滑らかになった。また、各多
孔質層中のシリコン原子が移動し再配列されて、高多孔
率多孔質層は一層脆弱なものとなり、強度が最も弱い分
離層となった。

【００６１】次に、シランガスを用いて１０５０℃でＣ
ＶＤを行って、後に形成した低多孔率多孔質層の上に、
ｐ型不純物としてホウ素を高濃度に含んだｐ⁺ 型領域、
および同じくｐ型不純物としてホウ素を含んだｐ型の単
結晶シリコンよりなるｐ型領域を、これらの層の厚さの
合計が１０μｍになるまで成長させてエピタキシャル層
を形成した。

【００６２】次に、ｐ型領域の表面にリンを拡散してｎ
型領域を形成することにより、エピタキシャル層にｐｎ
接合を形成した。そののち、エピタキシャル層上に酸化
チタンよりなる反射防止膜を形成し、更に、電極を選択
的に形成した。

【００６３】次に、プラスチックフィルムよりなる転写
用基板を用意し、この転写用基板をエピタキシャル層の
表面側に紫外線（ＵＶ）硬化性樹脂よりなる接着層を介
して接着させた。そののち、高多孔率多孔質層に対して
超音波を照射して高多孔率多孔質層を破壊し、ｐｎ接合
が形成されたエピタキシャル層を転写用基板と共に高多
孔率多孔質層において形成用基板から分離して、エピタ
キシャル層を転写用基板に転写した。

【００６４】次に、ｐ⁺ 型領域の裏面側に、アルミニウ
ムよりなる裏面電極を形成した。そののち、転写用基板
および接着層のうちの、電極形成領域に対応する部分を
窓開けして電極を取り出して、転写用基板の上に太陽電
池素子が配設された薄膜太陽電池を作製した。

【００６５】（実施例２）まず、（１００）結晶面のｐ
型単結晶シリコン（比抵抗０．０１〜０．０２Ω・ｃ
ｍ）よりなる形成用基板を用意した。次に、ＨＦ：Ｃ₂
Ｈ₅ ＯＨ＝１：１（４９％ＨＦ溶液と９９．５％Ｃ₂ Ｈ
₅ ＯＨ溶液との体積比）の混合溶液を電解溶液として用
いて、１ｍＡ／ｃｍ² の電流密度で８分間陽極化成を行
うことにより、形成用基板の表面に、低多孔率多孔質層
を形成した。そののち、７ｍＡ／ｃｍ² の電流密度で８
分間陽極化成を行って、低多孔率多孔質層の内側に、中
多孔率多孔質層を形成した。

【００６６】次に、２００ｍＡ／ｃｍ² の電流密度で数
秒間陽極化成を行って、高多孔率多孔質層を形成した。
続いて、７ｍＡ／ｃｍ² の電流密度で８分間陽極化成を
行うことにより、低多孔率多孔質層を形成した。この低
多孔率多孔質層は、高多孔率多孔質層と形成用基板とを
完全に離間するように高多孔率多孔質層の内側に形成さ
れると共に、先に形成された低多孔率多孔質層および高
多孔率多孔質層はそのまま多孔度を保っていた。

【００６７】次に、水素ガス雰囲気中において１１００
℃の温度で熱処理を行った。これにより、後に形成した
低多孔率多孔質層の表面が滑らかになった。また、各多
孔質層中のシリコン原子が移動し再配列されて、高多孔
率多孔質層は一層脆弱なものとなり、強度が最も弱い分
離層となった。

【００６８】次に、シランガスを用いて１０５０℃でＣ
ＶＤを行って、後に形成した低多孔率多孔質層の上に単
結晶シリコンよりなるエピタキシャル層を１０μｍ成長
させた。

【００６９】次に、ポリカーボネートよりなるプラスチ
ックフィルムにより構成された基板本体を用意し、この
基板本体をエピタキシャル層の上に、エポキシ樹脂より
なる接着層を介して接着させた。

【００７０】次に、高多孔率多孔質層に対して超音波を
照射してその強度を弱めて、エピタキシャル層を基板本
体と共に高多孔率多孔質層において形成用基板から分離
し、エピタキシャル層を基板本体に転写した。

【００７１】最後に、フッ化水素酸，硝酸および酢酸の
混合溶液を用いてエッチングを行い、エピタキシャル層
の裏面に残存している多孔質層を除去して、基板本体の
上に単結晶シリコンよりなるエピタキシャル層が配設さ
れた半導体基板を得た。

【００７２】（実施例３）水素アニールを１０００℃で
行ったこと、および９００℃においてゲルマンガスおよ
びシランガスを用いたＣＶＤを行って低多孔率多孔質層
上にシリコンゲルマニウム混晶よりなるエピタキシャル
膜を成長させたのち、温度を８００℃に達するまで下げ
つつ、シランガスの濃度を徐々に低減させ、８００℃に
おいてゲルマンガスのみを用いてヘテロエピタキシャル
成長させることにより、単結晶ゲルマニウムよりなるエ
ピタキシャル膜を０．１μｍ成長させて、エピタキシャ
ル層を形成したことを除き、他は実施例２と同一の条件
で半導体基板を作製した。

【００７３】（実施例４）エピタキシャル層を形成した
のち、エピタキシャル層の上に、更にトリメチルガリウ
ムとトリエチルヒ素とを用いてガリウムヒ素膜を１μｍ
ヘテロエピタキシャル成長させて、表面がガリウムヒ素
よりなるエピタキシャル層を形成したことを除き、他は
実施例３と同一の条件で半導体基板を作製した。

【００７４】（実施例５）陽極化成を行う際の電解溶液
として、ＨＦ：Ｃ₂ Ｈ₅ ＯＨ＝２：１（４９％ＨＦ溶液
と９９．５％Ｃ₂ Ｈ₅ ＯＨ溶液との体積比）の混合溶液
を用いたこと、先に形成する低多孔率多孔質層を７ｍＡ
／ｃｍ² の電流密度で４分間陽極化成を行うことにより
形成したこと、中多孔率多孔質層を形成しなかったこ
と、高多孔率多孔質層を５０ｍＡ／ｃｍ² の電流密度で
１分間陽極化成を行うことにより形成したこと、および
後に形成する低多孔率多孔質層を７ｍＡ／ｃｍ² の電流
密度で４分間陽極化成を行うことにより形成したことを
除き、他は実施例２と同一の条件で半導体基板を作製し
た。

【００７５】（実施例６）先に形成する低多孔率多孔質
層を７ｍＡ／ｃｍ² の電流密度で５分間陽極化成を行う
ことにより形成したこと、および後に形成する低多孔率
多孔質層を７ｍＡ／ｃｍ² の電流密度で８分間陽極化成
を行うことにより形成したことを除き、他は実施例５と
同一の条件で半導体基板を作製した。本実施例において
は、エピタキシャル層を形成用基板から分離した分離面
が、平滑であり、鏡面のようになっていた。

【００７６】（実施例７）陽極化成を行う際の電解溶液
として、ＨＦ：Ｃ₂ Ｈ₅ ＯＨ＝３：１（４９％ＨＦ溶液
と９９．５％Ｃ₂ Ｈ₅ ＯＨ溶液との体積比）の混合溶液
を用いたこと、先に形成する低多孔率多孔質層を７ｍＡ
／ｃｍ² の電流密度で５分間陽極化成を行うことにより
形成したこと、および高多孔率多孔質層を２００ｍＡ／
ｃｍ² の電流密度で数秒間陽極化成を行うことにより形
成したことを除き、他は実施例５と同一の条件で半導体
基板を作製した。

【００７７】（実施例８）本実施例では、まず、（１０
０）結晶面のｐ型単結晶シリコン（比抵抗０．０１〜
０．０２Ω・ｃｍ）よりなる形成用基板を用意した。次
に、ＨＦ：Ｃ₂ Ｈ₅ＯＨ＝１：１（４９％ＨＦ溶液と９
９．５％Ｃ₂ Ｈ₅ ＯＨ溶液との体積比）の混合溶液を電
解溶液として用いて、７ｍＡ／ｃｍ² の電流密度で２分
間陽極化成を行うことにより、形成用基板の表面に、低
多孔率多孔質層を形成した。

【００７８】次に、１００ｍＡ／ｃｍ² の電流密度で数
秒間陽極化成を行って、低多孔率多孔質層の内側に高多
孔率多孔質層を形成した。続いて、７ｍＡ／ｃｍ² の電
流密度で２分間陽極化成を行うことにより、低多孔率多
孔質層を形成した。

【００７９】次に、水素ガス雰囲気中において１１００
℃の温度で熱処理を行ったのち、シランガスを用いて１
０５０℃でＣＶＤを行って、先に形成した低多孔率多孔
質層の上に単結晶シリコンよりなるエピタキシャル層を
１０μｍ成長させた。

【００８０】次に、水素ガスと酸素ガスとの体積比が
１：１の１０００℃の混合気流中にエピタキシャル層の
表面を曝し、エピタキシャル層の表面を酸化することに
より絶縁層を形成した。そののち、表面を熱酸化させた
シリコンよりなる基板本体を用意し、この基板本体を絶
縁層の上に、酸化シリコンよりなる接着層を介して接着
させた。

【００８１】次に、高多孔率多孔質層に対して超音波を
照射してその強度を弱めて、エピタキシャル層および絶
縁層を基板本体と共に高多孔率多孔質層において形成用
基板から分離し、エピタキシャル層および絶縁層を基板
本体に転写した。

【００８２】最後に、フッ化水素酸，硝酸および酢酸の
混合溶液を用いてエッチングを行い、エピタキシャル層
の裏面に残存している多孔質層を除去して、基板本体の
上に絶縁層およびエピタキシャル層が配設されたＳＯＩ
基板を得た。

【００８３】（実施例９）まず、Ｒ面の単結晶サファイ
ア基板の上に、シランガスとジボランガスとを用いて１
０５０℃でＣＶＤを行って、ｐ型単結晶シリコン層を５
μｍ成長させて、形成用基板を作製した。

【００８４】次に、この形成用基板を用いて陽極化成を
行うことにより、低多孔率多孔質層，高多孔率多孔質層
および低多孔率多孔質層を、形成用基板の内部側に向か
って順次形成した。そののち、水素ガス雰囲気中におい
て１１００℃の温度で熱処理を行った。更に、シランガ
スを用いて１０５０℃でＣＶＤを行って、先に形成した
低多孔率多孔質層の上に単結晶シリコンよりなるエピタ
キシャル層を１０μｍ成長させた。それ以降の工程は、
実施例２と同様にして行い、基板本体の上に単結晶シリ
コンよりなるエピタキシャル層が配設された半導体基板
を得た。

【００８５】以上の各実施例を行うことにより、形成用
基板の表面を多孔質化する際に、形成用基板の表面から
内部側に向かって、高多孔率多孔質層と低多孔率多孔質
層とをこの順に形成し、エピタキシャル層を形成用基板
から分離すれば、歩留りよく半導体基板あるいは薄膜太
陽電池を作製できることが分かった。

【００８６】以上、実施の形態および実施例を挙げて本
発明を説明したが、本発明は上記各実施の形態および各
実施例に限定されるものではなく、種々変形可能であ
る。例えば、上記各実施の形態では、単結晶シリコンよ
りなる形成用基板１１の上にエピタキシャル層１５を形
成する場合について説明したが、例えばＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体などの単結晶シリコン以外の半導体よりなる
形成用基板１１を用いてエピタキシャル層１５を形成す
ることも可能である。

【００８７】また、上記各実施の形態では、半導体層
（エピタキシャル層１３，５１）を単結晶シリコンによ
り構成するようにしたが、単結晶に限らず、多結晶やア
モルファスのいずれか、あるいはそれらの複合体や複合
層により構成するようにしてもよい。

【００８８】更に、上記各実施の形態では、低多孔率多
孔質層１２を設ける場合について説明したが、低多孔率
多孔質層１２を必ずしも設ける必要はない。要は、高多
孔率多孔質層１３を形成したのちに、高多孔率多孔質層
１３と形成用基板１１とを完全に離間するように高多孔
率多孔質層１３の内側に低多孔率多孔質層１４が形成さ
れればよい。

【００８９】加えて、上記各実施の形態では、陽極化成
溶液としてフッ化水素酸とエタノールとの混合溶液を用
いるようにしたが、フッ化水素酸とメタノールとの混合
溶液を用いるようにしてもよい。また、陽極化成溶液と
してフッ化水素酸を用い、多孔質層を形成する際に発生
する気泡を超音波により除去するようにしてもよい。

【００９０】更に、上記第２の実施の形態では、半導体
装置として太陽電池素子を備えた薄膜太陽電池を例に挙
げて説明したが、本発明は、その他の受光素子あるいは
発光素子、液晶表示素子、集積回路素子など他の半導体
素子を備えた半導体装置についても広く適用される。

【００９１】

【発明の効果】以上説明したように請求項１または請求
項２記載の半導体層の分離方法あるいは請求項３ないし
請求項１１のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方
法あるいは請求項１２ないし請求項１４のいずれか１項
に記載の半導体装置の製造方法によれば、基体の表面か
ら内部に向かって、第１の多孔質層および第２の多孔質
層をこの順に形成するようにしたので、第２の多孔質層
によって、多孔度が高い第１の多孔質層と基体とを離間
させることができる。その結果、基板上に半導体層を形
成している間に、多孔質層が基体から剥離するおそれが
ない。また、半導体層を基体から分離する際には、第１
の多孔質層において良好に分離することができる。よっ
て、基体から半導体層を歩留りよく分離することができ
るという効果を奏する。

【００９２】特に、請求項２記載の半導体層の分離方法
あるいは請求項４記載の半導体基板の製造方法あるいは
請求項１３記載の半導体装置の製造方法によれば、基体
の表面から内部側に向かって、第１の多孔質層よりも多
孔度が低い第３の多孔質層と第１の多孔質層と第２の多
孔質層とをこの順に形成するようにしたので、第３の多
孔質層上に、良質の半導体層を形成することができると
いう効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体基板の
製造工程を説明するための断面図である。

【図２】図１に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。

【図３】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る半導
体基板の製造工程を説明するための断面図である。

【図４】本発明の第１の実施の形態の第１の変形例に係
る半導体基板の製造工程を説明するための断面図であ
る。

【図５】本発明の第１の実施の形態の応用例に係る半導
体基板の製造工程を説明するための断面図である。

【図６】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜太陽電池
の製造工程を説明するための断面図である。

【図７】図６に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。

【図８】図７に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。

【図９】従来の半導体素子の分離方法の一例を説明する
ための断面図である。

【図１０】従来の半導体素子の分離方法の問題点を説明
するための断面図である。

【符号の説明】

１１…形成用基板、１２，１４…低多孔率多孔質層、１
３…高多孔率多孔質層、１５，１５ａ，５１…エピタキ
シャル層、２１…基板本体、２２，６２…接着層、３１
…中多孔率多孔質層、４１…絶縁層、５６ａ，５６ｂ…
絶縁膜、５７…反射防止膜、５８…金属電極、６１…転
写用基板、６３…基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田舎中 博士 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 水野 真一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5F051 GA04 GA06 GA11 GA20

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体の表面を多孔質化することにより多
   孔質層を形成する工程と、 前記基体上に前記多孔質層を介して半導体層を形成する
   工程と、 前記半導体層を、前記多孔質層において前記基体から分
   離する工程とを含む半導体層の分離方法であって、 前記多孔質層を形成する工程において、前記基体の表面
   から内部側に向かって、第１の多孔質層と、この第１の
   多孔質層よりも多孔度が低い第２の多孔質層とをこの順
   に形成すると共に、前記半導体層を基体から分離する工
   程において、前記第１の多孔質層を利用して分離するよ
   うにしたことを特徴とする半導体層の分離方法。
2. 【請求項２】 前記多孔質層を形成する工程において、
   前記基体の表面から内部側に向かって、前記第１の多孔
   質層よりも多孔度が低い第３の多孔質層と、前記第１の
   多孔質層と、前記第２の多孔質層とをこの順に形成する
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体層の分離方法。
3. 【請求項３】 基体の表面を多孔質化することにより多
   孔質層を形成する工程と、 前記基体上に前記多孔質層を介して、半導体基板の少な
   くとも一部となる半導体層を形成する工程と、 前記半導体層を、前記多孔質層において前記基体から分
   離する工程とを含む半導体基板の製造方法であって、 前記多孔質層を形成する工程において、前記基体の表面
   から内部側に向かって、第１の多孔質層と、この第１の
   多孔質層よりも多孔度が低い第２の多孔質層とをこの順
   に形成すると共に、前記半導体層を基体から分離する工
   程において、前記第１の多孔質層を利用して分離するよ
   うにしたことを特徴とする半導体基板の製造方法。
4. 【請求項４】 前記多孔質層を形成する工程において、
   前記基体の表面から内部側に向かって、前記第１の多孔
   質層よりも多孔度が低い第３の多孔質層と、前記第１の
   多孔質層と、前記第２の多孔質層とをこの順に形成する
   ことを特徴とする請求項３記載の半導体基板の製造方
   法。
5. 【請求項５】 前記基体として、少なくとも表面が半導
   体よりなる基体を用いることを特徴とする請求項３記載
   の半導体基板の製造方法。
6. 【請求項６】 前記基体として、少なくとも表面がシリ
   コンよりなる基体を用いると共に、前記多孔質層として
   多孔質シリコン層を形成することを特徴とする請求項５
   記載の半導体基板の製造方法。
7. 【請求項７】 前記多孔質層を、陽極化成により形成す
   ることを特徴とする請求項３記載の半導体基板の製造方
   法。
8. 【請求項８】 前記陽極化成における電流密度または前
   記陽極化成を行う時間を調整することにより、前記多孔
   質層の多孔度を調整することを特徴とする請求項７記載
   の半導体基板の製造方法。
9. 【請求項９】 前記半導体層を、エピタキシャル成長法
   により形成することを特徴とする請求項３記載の半導体
   基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記半導体層を基体から分離する工程
    の前に、更に、 前記半導体層の前記第１の多孔質層と反対側に、半導体
    基板の一部となる絶縁層を形成する工程を含むことを特
    徴とする請求項３記載の半導体基板の製造方法。
11. 【請求項１１】 更に、前記半導体層の前記第１の多孔
    質層と反対側に、半導体基板の一部となる基板本体を配
    設する工程を含むことを特徴とする請求項３記載の半導
    体基板の製造方法。
12. 【請求項１２】 基体の表面を多孔質化することにより
    多孔質層を形成する工程と、 前記基体上に多孔質層を介して半導体素子を形成する工
    程と、 前記半導体素子を、前記多孔質層において前記基体から
    分離する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、 前記多孔質層を形成する工程において、前記基体の表面
    から内部側に向かって、第１の多孔質層と、この第１の
    多孔質層よりも多孔度が低い第２の多孔質層とをこの順
    に形成すると共に、前記半導体素子を基体から分離する
    工程において、前記第１の多孔質層を利用して分離する
    ようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記多孔質層を形成する工程におい
    て、前記基体の表面から内部側に向かって、前記第１の
    多孔質層よりも多孔度が低い第３の多孔質層と、前記第
    １の多孔質層と、前記第２の多孔質層とをこの順に形成
    することを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製
    造方法。
14. 【請求項１４】 更に、前記半導体素子の前記第１の多
    孔質層と反対側に、転写用基板を配設する工程を含むと
    共に、前記半導体素子を基体から分離する工程におい
    て、前記半導体素子を前記転写用基板に転写するように
    したことを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製
    造方法。