JP2001068743A - 発光ダイオ−ドチップとその製造方法 - Google Patents
発光ダイオ−ドチップとその製造方法Info
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- JP2001068743A JP2001068743A JP24248299A JP24248299A JP2001068743A JP 2001068743 A JP2001068743 A JP 2001068743A JP 24248299 A JP24248299 A JP 24248299A JP 24248299 A JP24248299 A JP 24248299A JP 2001068743 A JP2001068743 A JP 2001068743A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＥＤチップの内部における出力光の損失を
軽減して輝度を向上させる発光ダイオ−ドチップとその
製造方法を提供すること。 【解決手段】 発光ダイオ−ドチップ１ｘは、表面側を
長辺、裏面側を短辺として断面形状が略逆台形状であ
り、表面側と裏面側にはそれぞれ表面電極と裏面電極を
設け内部に発光層２が形成されている。前記長辺の長さ
をＬ、表面側から発光層が形成された位置までの深さを
ｄ、長辺から引かれた垂線と長辺と短辺とを結ぶ線とが
なす角度をθとするときに、前記θを、（Ｌ−ｄ・ｔａ
ｎθ）・ｔａｎ２θ≧ｄ、に選定し、一方側面から微小
距離離れた発光層から当該一方側面に向かう出力光の反
射光を、他方側面の上端の位置よりも内側に入射させ
る。
軽減して輝度を向上させる発光ダイオ−ドチップとその
製造方法を提供すること。 【解決手段】 発光ダイオ−ドチップ１ｘは、表面側を
長辺、裏面側を短辺として断面形状が略逆台形状であ
り、表面側と裏面側にはそれぞれ表面電極と裏面電極を
設け内部に発光層２が形成されている。前記長辺の長さ
をＬ、表面側から発光層が形成された位置までの深さを
ｄ、長辺から引かれた垂線と長辺と短辺とを結ぶ線とが
なす角度をθとするときに、前記θを、（Ｌ−ｄ・ｔａ
ｎθ）・ｔａｎ２θ≧ｄ、に選定し、一方側面から微小
距離離れた発光層から当該一方側面に向かう出力光の反
射光を、他方側面の上端の位置よりも内側に入射させ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤチップの内
部における出力光の損失を軽減して輝度を向上させる発
光ダイオ−ドチップとその製造方法に関する。
部における出力光の損失を軽減して輝度を向上させる発
光ダイオ−ドチップとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図６の縦断側面図に示されている
ような発光ダイオ−ド（ＬＥＤ）チップが知られてい
る。図６において、ＬＥＤチップ１は断面形状が略矩形
状で、内部には発光層２が形成されており、また、その
表面側には表面電極３が、裏面側には裏面電極４が設け
られている。
ような発光ダイオ−ド（ＬＥＤ）チップが知られてい
る。図６において、ＬＥＤチップ１は断面形状が略矩形
状で、内部には発光層２が形成されており、また、その
表面側には表面電極３が、裏面側には裏面電極４が設け
られている。
【０００３】発光層２から下方側面に向けて発射される
出力光Ｒａは、ＬＥＤチップ１の側面Ｘで反射して反射
光Ｒｂとして底面に向かい、底面Ｚで反射して反射光Ｒ
ｃとして上方に向かう。反射光ＲｃはＬＥＤチップ１の
側面Ｙで反射し反射光ＲｄとしてＬＥＤチップ１の表面
から発射される。１０はこのような光の軌跡を示すもの
である。
出力光Ｒａは、ＬＥＤチップ１の側面Ｘで反射して反射
光Ｒｂとして底面に向かい、底面Ｚで反射して反射光Ｒ
ｃとして上方に向かう。反射光ＲｃはＬＥＤチップ１の
側面Ｙで反射し反射光ＲｄとしてＬＥＤチップ１の表面
から発射される。１０はこのような光の軌跡を示すもの
である。
【０００４】図７は別の従来例のＬＥＤチップ１ａを示
す縦断側面図である。このＬＥＤチップ１ａは、断面形
状が略台形状をしており傾斜面Ｘ、Ｙが形成されてい
る。この場合も発光層２から下方側面に向けて発射され
る出力光Ｒａは、一方の側面Ｘ、底面Ｚ、他方の側面Ｙ
で順次反射されてＲｂ、Ｒｃ、Ｒｄとなり、反射光Ｒｄ
がＬＥＤチップ１ａの表面から発射される。
す縦断側面図である。このＬＥＤチップ１ａは、断面形
状が略台形状をしており傾斜面Ｘ、Ｙが形成されてい
る。この場合も発光層２から下方側面に向けて発射され
る出力光Ｒａは、一方の側面Ｘ、底面Ｚ、他方の側面Ｙ
で順次反射されてＲｂ、Ｒｃ、Ｒｄとなり、反射光Ｒｄ
がＬＥＤチップ１ａの表面から発射される。
【０００５】図８は、図６に示した形状のＬＥＤチップ
１を多数製造する例の概略構成図である。図８におい
て、７はステ−ジ、８は貼着用テ−プである。基材とな
るウエハの内部に発光層を形成し、また、表面電極３、
裏面電極４をそれぞれ所定の間隔で形成する。裏面電極
４の表面に貼着用テ−プ８を貼り付けてステ−ジ７の上
に搬入する。
１を多数製造する例の概略構成図である。図８におい
て、７はステ−ジ、８は貼着用テ−プである。基材とな
るウエハの内部に発光層を形成し、また、表面電極３、
裏面電極４をそれぞれ所定の間隔で形成する。裏面電極
４の表面に貼着用テ−プ８を貼り付けてステ−ジ７の上
に搬入する。
【０００６】次に、断面形状が略矩形状のストレ−トブ
レ−ド５を矢視Ａ方向に移動してダイシング処理を行い
斜線部９を除去し、前記基材のウエハから切り離して個
別のＬＥＤチップ１を形成する。また、図９は図７に示
した形状のＬＥＤチップ１ａを多数製造する例の概略構
成図であり、この場合には断面略逆台形状のテ−パブレ
−ド６を矢視Ｂ方向に移動してダイシング処理を行い、
基材のウエハから斜線部を除去して個別のＬＥＤチップ
１ａを形成する。
レ−ド５を矢視Ａ方向に移動してダイシング処理を行い
斜線部９を除去し、前記基材のウエハから切り離して個
別のＬＥＤチップ１を形成する。また、図９は図７に示
した形状のＬＥＤチップ１ａを多数製造する例の概略構
成図であり、この場合には断面略逆台形状のテ−パブレ
−ド６を矢視Ｂ方向に移動してダイシング処理を行い、
基材のウエハから斜線部を除去して個別のＬＥＤチップ
１ａを形成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図６、図７に示したよ
うに、従来のＬＥＤチップにおいては、発光層から下方
側面に向けて発射される出力光は、ＬＥＤチップの一方
側面、底面、他方側面と三度ＬＥＤチップの内部で反射
してから外部に発射されている。このため、ＬＥＤチッ
プの内部で出力光の損失が大きくなり、外部に発射され
る出力光が減少して輝度が低下するという問題があっ
た。
うに、従来のＬＥＤチップにおいては、発光層から下方
側面に向けて発射される出力光は、ＬＥＤチップの一方
側面、底面、他方側面と三度ＬＥＤチップの内部で反射
してから外部に発射されている。このため、ＬＥＤチッ
プの内部で出力光の損失が大きくなり、外部に発射され
る出力光が減少して輝度が低下するという問題があっ
た。
【０００８】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであり、ＬＥＤチップの内部における出力光の損失
を軽減して輝度を向上させる発光ダイオ−ドチップとそ
の製造方法の提供を目的とする。
ものであり、ＬＥＤチップの内部における出力光の損失
を軽減して輝度を向上させる発光ダイオ−ドチップとそ
の製造方法の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、請
求項１に係る発明において、発光ダイオ−ドチップを、
表面側を長辺、裏面側を短辺として断面形状が略逆台形
状であり、表面側と裏面側にはそれぞれ表面電極と裏面
電極を設け、内部に発光層が形成された発光ダイオ−ド
チップであって、前記長辺の長さをＬ、表面側から発光
層が形成された位置までの深さをｄ、前記長辺から引か
れた垂線と長辺と短辺とを結ぶ線とがなす角度をθとす
るときに、前記θを、（Ｌ−ｄ・ｔａｎθ）・ｔａｎ２
θ≧ｄ、に選定し、一方側面から微小距離離れた発光層
から当該一方側面に向かう出力光の反射光を、他方側面
の上端の位置よりも内側に入射する構成とすることによ
り達成される。
求項１に係る発明において、発光ダイオ−ドチップを、
表面側を長辺、裏面側を短辺として断面形状が略逆台形
状であり、表面側と裏面側にはそれぞれ表面電極と裏面
電極を設け、内部に発光層が形成された発光ダイオ−ド
チップであって、前記長辺の長さをＬ、表面側から発光
層が形成された位置までの深さをｄ、前記長辺から引か
れた垂線と長辺と短辺とを結ぶ線とがなす角度をθとす
るときに、前記θを、（Ｌ−ｄ・ｔａｎθ）・ｔａｎ２
θ≧ｄ、に選定し、一方側面から微小距離離れた発光層
から当該一方側面に向かう出力光の反射光を、他方側面
の上端の位置よりも内側に入射する構成とすることによ
り達成される。
【００１０】また請求項２に係る発明は、発光ダイオ−
ドチップの製造方法を、内部に発光層を形成したウエハ
の表面側と裏面側に、それぞれ個別の発光ダイオ−ドチ
ップに対応する表面電極と裏面電極を複数形成する工程
と、各表面電極に貼着テ−プを貼り、表面電極側を下側
に裏面電極側を上側にしてステ−ジ上に搬入する工程
と、赤外線光源の焦点距離を表面電極の位置に設定し表
面電極からの反射光を受光する工程と、表面電極の位置
を基準にして断面形状が略逆台形状のテ−パブレ−ドの
位置合わせを行なう工程と、前記テ−パブレ−ドにより
ウエハの所定の位置でダイシング処理をして個別の発光
ダイオ−ドチップを切り離す工程と、よりなることを特
徴としている。
ドチップの製造方法を、内部に発光層を形成したウエハ
の表面側と裏面側に、それぞれ個別の発光ダイオ−ドチ
ップに対応する表面電極と裏面電極を複数形成する工程
と、各表面電極に貼着テ−プを貼り、表面電極側を下側
に裏面電極側を上側にしてステ−ジ上に搬入する工程
と、赤外線光源の焦点距離を表面電極の位置に設定し表
面電極からの反射光を受光する工程と、表面電極の位置
を基準にして断面形状が略逆台形状のテ−パブレ−ドの
位置合わせを行なう工程と、前記テ−パブレ−ドにより
ウエハの所定の位置でダイシング処理をして個別の発光
ダイオ−ドチップを切り離す工程と、よりなることを特
徴としている。
【００１１】請求項１に係る発明の上記特徴によれば、
発光ダイオ−ドチップを、表面側を長辺、裏面側を短辺
として断面形状が略逆台形状に形成している。このた
め、発光層から下方側面に向けて発射される出力光は、
ＬＥＤチップの一方側面、他方側面と二度ＬＥＤチップ
の内部で反射してから外部に発射されている。このた
め、従来の構成よりもＬＥＤチップ内部での反射回数が
少なくなるので出力光の損失が減少し、輝度を向上させ
ることができる。
発光ダイオ−ドチップを、表面側を長辺、裏面側を短辺
として断面形状が略逆台形状に形成している。このた
め、発光層から下方側面に向けて発射される出力光は、
ＬＥＤチップの一方側面、他方側面と二度ＬＥＤチップ
の内部で反射してから外部に発射されている。このた
め、従来の構成よりもＬＥＤチップ内部での反射回数が
少なくなるので出力光の損失が減少し、輝度を向上させ
ることができる。
【００１２】また、長辺の長さをＬ、表面側から発光層
が形成された位置までの深さをｄ、前記長辺から引かれ
た垂線と長辺と短辺とを結ぶ線とがなす角度をθとする
ときに、前記θを、（Ｌ−ｄ・ｔａｎθ）・ｔａｎ２θ
≧ｄ、に選定しているので、ＬＥＤチップの一方の端面
から微小距離離れた発光層の位置Ｔから発光した出力光
を、他方の側面の上端よりも内側に到達させることがで
き、ＬＥＤチップの表面から発射される出力光の割合が
増大して、発光効率が向上する。
が形成された位置までの深さをｄ、前記長辺から引かれ
た垂線と長辺と短辺とを結ぶ線とがなす角度をθとする
ときに、前記θを、（Ｌ−ｄ・ｔａｎθ）・ｔａｎ２θ
≧ｄ、に選定しているので、ＬＥＤチップの一方の端面
から微小距離離れた発光層の位置Ｔから発光した出力光
を、他方の側面の上端よりも内側に到達させることがで
き、ＬＥＤチップの表面から発射される出力光の割合が
増大して、発光効率が向上する。
【００１３】また、請求項２に係る発明においては、光
源として赤外線を使用しているので、出力光はウエハ内
に入射して表面電極の位置で反射し、反射光はウエハ内
を進行して外部に発射される。このため、ダイシング処
理を行なう際のテーパブレ−ドの位置合わせが正確にな
される。
源として赤外線を使用しているので、出力光はウエハ内
に入射して表面電極の位置で反射し、反射光はウエハ内
を進行して外部に発射される。このため、ダイシング処
理を行なう際のテーパブレ−ドの位置合わせが正確にな
される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照して説明する。図３は、ＬＥＤチップ１ｘを
示す縦断側面図、図４はＬＥＤチップ１ｘを多数製造す
る例の概略構成図である。従来例と同じ部分または対応
する部分については同一の符号を付しており、詳細な説
明は省略する。
て図を参照して説明する。図３は、ＬＥＤチップ１ｘを
示す縦断側面図、図４はＬＥＤチップ１ｘを多数製造す
る例の概略構成図である。従来例と同じ部分または対応
する部分については同一の符号を付しており、詳細な説
明は省略する。
【００１５】図３において、ＬＥＤチップ１ｘは、表面
側が長辺、裏面側が短辺で、裏面から表面に向けて仰角
で傾斜する傾斜面を有しており、断面形状が略逆台形状
をしている。発光層２から下方側面に向けて発射される
出力光Ｒｐは、一方の側面Ｘで法線１４ａに対して入射
角と対称の反射角で反射して反射光Ｒｑとなる。
側が長辺、裏面側が短辺で、裏面から表面に向けて仰角
で傾斜する傾斜面を有しており、断面形状が略逆台形状
をしている。発光層２から下方側面に向けて発射される
出力光Ｒｐは、一方の側面Ｘで法線１４ａに対して入射
角と対称の反射角で反射して反射光Ｒｑとなる。
【００１６】前記の反射光Ｒｑは、ＬＥＤチップ１ｘの
他方の側面Ｙで法線１４ｂに対して入射角と対称の反射
角で反射して反射光Ｒｓとなり、ＬＥＤチップ１ｘの表
面から外部に発射される。
他方の側面Ｙで法線１４ｂに対して入射角と対称の反射
角で反射して反射光Ｒｓとなり、ＬＥＤチップ１ｘの表
面から外部に発射される。
【００１７】このように、図３の構成においては、発光
層から下方側面に向けて発射される出力光は、ＬＥＤチ
ップの一方側面、他方側面と二度ＬＥＤチップの内部で
反射してから外部に発射されている。このため、底面で
反射する反射光がなく、従来の構成よりもＬＥＤチップ
内部での反射回数が少なくなるので出力光の損失が減少
し、輝度を向上させることができる。
層から下方側面に向けて発射される出力光は、ＬＥＤチ
ップの一方側面、他方側面と二度ＬＥＤチップの内部で
反射してから外部に発射されている。このため、底面で
反射する反射光がなく、従来の構成よりもＬＥＤチップ
内部での反射回数が少なくなるので出力光の損失が減少
し、輝度を向上させることができる。
【００１８】図４において、基材となるウエハは、裏面
電極４を上側に、表面電極３を下側にして、表面電極３
に貼着用テ−プ８を貼り付けてステ−ジ７の上に搬入す
る。次に、断面形状が逆台形状のテ−パブレ−ド６を矢
視Ｂ方向に移動してダイシング処理を行い斜線部９を切
除し、個別のＬＥＤチップ１ｙを形成する。貼着用テ−
プ８を除去して、前記個別のＬＥＤチップ１ｙを反転さ
せることにより、図３の構成のＬＥＤチップ１ｘが得ら
れる。
電極４を上側に、表面電極３を下側にして、表面電極３
に貼着用テ−プ８を貼り付けてステ−ジ７の上に搬入す
る。次に、断面形状が逆台形状のテ−パブレ−ド６を矢
視Ｂ方向に移動してダイシング処理を行い斜線部９を切
除し、個別のＬＥＤチップ１ｙを形成する。貼着用テ−
プ８を除去して、前記個別のＬＥＤチップ１ｙを反転さ
せることにより、図３の構成のＬＥＤチップ１ｘが得ら
れる。
【００１９】ところで、基材となるウエハをダイシング
処理して個別のＬＥＤチップを形成する際には、可視光
線を照射してその反射光により表面電極の位置を認識し
て、表面電極の位置を基準としてブレ−ドの位置合わせ
をしている。しかしながら、図４に示すように表面電極
を下側にしてダイシング処理を行なう場合には、従来の
ような可視光線の照射による反射光を用いて表面電極の
位置を認識することはできない。
処理して個別のＬＥＤチップを形成する際には、可視光
線を照射してその反射光により表面電極の位置を認識し
て、表面電極の位置を基準としてブレ−ドの位置合わせ
をしている。しかしながら、図４に示すように表面電極
を下側にしてダイシング処理を行なう場合には、従来の
ような可視光線の照射による反射光を用いて表面電極の
位置を認識することはできない。
【００２０】図５は、本発明において表面電極の位置を
認識する構成を説明する概略の構成図である。図５にお
いて、１１は光源で赤外線を発光するＬＥＤを使用す
る。光源１１の焦点距離は、表面電極３の位置に合わせ
る。１２は赤外線カメラであり、表面電極３からの反射
光Ｒｘが入射されることにより表面電極３の位置を認識
する。
認識する構成を説明する概略の構成図である。図５にお
いて、１１は光源で赤外線を発光するＬＥＤを使用す
る。光源１１の焦点距離は、表面電極３の位置に合わせ
る。１２は赤外線カメラであり、表面電極３からの反射
光Ｒｘが入射されることにより表面電極３の位置を認識
する。
【００２１】このように、図５の構成では光源として赤
外線を使用しているので、出力光はウエハ内に入射して
表面電極３の位置で反射し、反射光Ｒｘはウエハ内を進
行して外部に発射される。このため、ダイシング処理を
行なう際のテーパブレ−ドの位置合わせが正確になされ
る。
外線を使用しているので、出力光はウエハ内に入射して
表面電極３の位置で反射し、反射光Ｒｘはウエハ内を進
行して外部に発射される。このため、ダイシング処理を
行なう際のテーパブレ−ドの位置合わせが正確になされ
る。
【００２２】図１は、ダイシング処理の際のＬＥＤチッ
プ１ｘに対する切削角度θ、すなわち、長辺から引かれ
た垂線と長辺と短辺とを結ぶ線とがなす角度をθとする
ときに、θを選定する一例を示す説明図であり、図２は
図１のＢ部を拡大して示す説明図である。図１に示すよ
うに、ＬＥＤチップ１ｘの長辺の長さ（一方の側面Ｘの
上端から他方側面Ｙの上端までの長さ）をＬ、表面側か
ら発光層２が形成された位置までの深さ（ジャンクショ
ン深さ）をｄとする。
プ１ｘに対する切削角度θ、すなわち、長辺から引かれ
た垂線と長辺と短辺とを結ぶ線とがなす角度をθとする
ときに、θを選定する一例を示す説明図であり、図２は
図１のＢ部を拡大して示す説明図である。図１に示すよ
うに、ＬＥＤチップ１ｘの長辺の長さ（一方の側面Ｘの
上端から他方側面Ｙの上端までの長さ）をＬ、表面側か
ら発光層２が形成された位置までの深さ（ジャンクショ
ン深さ）をｄとする。
【００２３】ＬＥＤチップ１ｘの一方の端面Ｘから微小
距離ΔＬ離れた発光層２の位置Ｔから発光した出力光
が、他方の側面Ｙの上端Ａよりも内側に到達するように
ＬＥＤチップ１ｘに対する切削角度θを選定すれば、側
面から漏洩する出力光が減少し、ＬＥＤチップ１ｘの表
面から発射される出力光の割合が増大して、ＬＥＤチッ
プ１ｘの発光効率が向上する。
距離ΔＬ離れた発光層２の位置Ｔから発光した出力光
が、他方の側面Ｙの上端Ａよりも内側に到達するように
ＬＥＤチップ１ｘに対する切削角度θを選定すれば、側
面から漏洩する出力光が減少し、ＬＥＤチップ１ｘの表
面から発射される出力光の割合が増大して、ＬＥＤチッ
プ１ｘの発光効率が向上する。
【００２４】図２において、発光層の前記Ｔの位置から
発射される出力光の一方側面Ｘに対する入射光をＰ、当
該入射光Ｐが法線１４ａに対して入射角と等しい反射角
で反射した反射光をＱとする。このときの前記入射角と
反射角はいずれも前記切削角度θと等しいものとする。
発射される出力光の一方側面Ｘに対する入射光をＰ、当
該入射光Ｐが法線１４ａに対して入射角と等しい反射角
で反射した反射光をＱとする。このときの前記入射角と
反射角はいずれも前記切削角度θと等しいものとする。
【００２５】ここで、Ｅ＝ｄ・ｔａｎθであるから、Ｌ
ａ＝Ｌ−Ｅ＝Ｌ−ｄ・ｔａｎθとなる。また、ｔａｎ２
θ＝（ｄ／Ｌａ）から、Ｌａ・ｔａｎ２θ＝ｄが得ら
れ、前記切削角度θは、（Ｌ−ｄ・ｔａｎθ）・ｔａｎ
２θ≧ｄ、の条件を満足するように選定される。
ａ＝Ｌ−Ｅ＝Ｌ−ｄ・ｔａｎθとなる。また、ｔａｎ２
θ＝（ｄ／Ｌａ）から、Ｌａ・ｔａｎ２θ＝ｄが得ら
れ、前記切削角度θは、（Ｌ−ｄ・ｔａｎθ）・ｔａｎ
２θ≧ｄ、の条件を満足するように選定される。
【００２６】例えば、Ｌ＝２７０μｍ、ｄ＝２０μｍと
したときには、θは約４．２３度となる。したがって、
切削角度θをこれよりも大きな角度に選定することによ
り、ＬＥＤチップ１ｘの発光効率を向上させることがで
きる。
したときには、θは約４．２３度となる。したがって、
切削角度θをこれよりも大きな角度に選定することによ
り、ＬＥＤチップ１ｘの発光効率を向上させることがで
きる。
【００２７】
【発明の効果】請求項１に係る発明の上記特徴によれ
ば、発光ダイオ−ドチップを、表面側を長辺、裏面側を
短辺として断面形状が略逆台形状に形成している。この
ため、発光層から下方側面に向けて発射される出力光
は、ＬＥＤチップの一方側面、他方側面と二度ＬＥＤチ
ップの内部で反射してから外部に発射されている。この
ため、従来の構成よりもＬＥＤチップ内部での反射回数
が少なくなるので出力光の損失が減少し、輝度を向上さ
せることができる。
ば、発光ダイオ−ドチップを、表面側を長辺、裏面側を
短辺として断面形状が略逆台形状に形成している。この
ため、発光層から下方側面に向けて発射される出力光
は、ＬＥＤチップの一方側面、他方側面と二度ＬＥＤチ
ップの内部で反射してから外部に発射されている。この
ため、従来の構成よりもＬＥＤチップ内部での反射回数
が少なくなるので出力光の損失が減少し、輝度を向上さ
せることができる。
【００２８】また、長辺の長さをＬ、表面側から発光層
が形成された位置までの深さをｄ、前記長辺から引かれ
た垂線と長辺と短辺とを結ぶ線とがなす角度をθとする
ときに、前記θを、（Ｌ−ｄ・ｔａｎθ）・ｔａｎ２θ
≧ｄ、に選定しているので、ＬＥＤチップの一方の端面
から微小距離離れた発光層の位置Ｔから発光した出力光
を、他方の側面の上端よりも内側に到達させることがで
き、ＬＥＤチップの表面から発射される出力光の割合が
増大して、発光効率が向上する。
が形成された位置までの深さをｄ、前記長辺から引かれ
た垂線と長辺と短辺とを結ぶ線とがなす角度をθとする
ときに、前記θを、（Ｌ−ｄ・ｔａｎθ）・ｔａｎ２θ
≧ｄ、に選定しているので、ＬＥＤチップの一方の端面
から微小距離離れた発光層の位置Ｔから発光した出力光
を、他方の側面の上端よりも内側に到達させることがで
き、ＬＥＤチップの表面から発射される出力光の割合が
増大して、発光効率が向上する。
【００２９】また、請求項２に係る発明においては、光
源として赤外線を使用しているので、出力光はウエハ内
に入射して表面電極の位置で反射し、反射光はウエハ内
を進行して外部に発射される。このため、ダイシング処
理を行なう際のテーパブレ−ドの位置合わせが正確にな
される。
源として赤外線を使用しているので、出力光はウエハ内
に入射して表面電極の位置で反射し、反射光はウエハ内
を進行して外部に発射される。このため、ダイシング処
理を行なう際のテーパブレ−ドの位置合わせが正確にな
される。
【図１】本発明の実施の形態に係るＬＥＤチップに対す
るダイシング処理の際の切削角度θを選定する一例を示
す説明図である。
るダイシング処理の際の切削角度θを選定する一例を示
す説明図である。
【図２】図１のＢ部を拡大した説明図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るＬＥＤチップを示す
縦断側面図である。
縦断側面図である。
【図４】ＬＥＤチップを多数製造する例の概略構成図で
ある。
ある。
【図５】本発明の実施の形態において、表面電極の位置
を認識する構成を説明する概略の構成図である。
を認識する構成を説明する概略の構成図である。
【図６】従来例のＬＥＤチップを示す縦断側面図であ
る。
る。
【図７】従来例のＬＥＤチップを示す縦断側面図であ
る。
る。
【図８】図６のＬＥＤチップを多数製造する例の概略構
成図である。
成図である。
【図９】図７のＬＥＤチップを多数製造する例の概略構
成図である。
成図である。
１ｘ ＬＥＤチップ ２ 発光層 ３ 表面電極 ４ 裏面電極 ６ テ−パブレ−ド ７ ステ−ジ ８ 貼着用テ−プ １１ 赤外線光源 １２ 赤外線受光カメラ
Claims (2)
- 【請求項１】 表面側を長辺、裏面側を短辺として断面
形状が略逆台形状であり、表面側と裏面側にはそれぞれ
表面電極と裏面電極を設け、内部に発光層が形成された
発光ダイオ−ドチップであって、前記長辺の長さをＬ、
表面側から発光層が形成された位置までの深さをｄ、前
記長辺から引かれた垂線と長辺と短辺とを結ぶ線とがな
す角度をθとするときに、前記θを、（Ｌ−ｄ・ｔａｎ
θ）・ｔａｎ２θ≧ｄ、に選定し、一方側面から微小距
離離れた発光層から当該一方側面に向かう出力光の反射
光を、他方側面の上端の位置よりも内側に入射すること
を特徴とする発光ダイオ−ドチップ。 - 【請求項２】 内部に発光層を形成したウエハの表面側
と裏面側に、それぞれ個別の発光ダイオ−ドチップに対
応する表面電極と裏面電極を複数形成する工程と、各表
面電極に貼着テ−プを貼り、表面電極側を下側に裏面電
極側を上側にしてステ−ジ上に搬入する工程と、赤外線
光源の焦点距離を表面電極の位置に設定し表面電極から
の反射光を受光する工程と、表面電極の位置を基準にし
て断面形状が略逆台形状のテ−パブレ−ドの位置合わせ
を行なう工程と、前記テ−パブレ−ドによりウエハの所
定の位置でダイシング処理をして個別の発光ダイオ−ド
チップを切り離す工程と、よりなることを特徴とする発
光ダイオ−ドチップの製造方法。
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