CN112951970B - 一种发光装置制作方法及发光装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 50
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 6
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007723 die pressing method Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种发光装置制作方法及发光装置，制作方法包括步骤：在光转换膜上制作若干切割部件；将发光元件固定在光转换膜上，且发光元件位于相邻的两个间隔较大的切割部件之间；在发光元件的四个侧面与切割部件之间覆盖一层第一光透过层；沿切割部件进行切割，得到若干单颗带光转换膜和第一透过层的发光元件；将带光转换膜和第一光透过层的发光元件固定在基体上；在第一光透过层的侧面覆盖一层光反射层；模压封装，覆盖一层第二光透过层；相邻的两颗发光元件的中线切割，得到单颗的发光装置。本发明在光转换膜制作切割部件，在芯片四周铺设第一光透过层时，对第一光透过层起阻挡作用，有利于倾斜面形成，倾斜面角度可以通过切割部件的位置进行控制。
Description
技术领域
本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种发光装置制作方法及发光装置。
背景技术
发光二极管作为一种常用的电子元器件，为了提升其性能，通常会对发光二极管的制作方法进行优化。
公开号为CN107507904A的申请，公开了一种CSP LED及其制造方法，包含：S1：将荧光膜固定在基板上，在荧光膜上放置方形透光胶块；S2：将发光芯片面朝下沉入透光胶块中，通过挤压方式在外侧形成倾斜面；S3：在发光芯片之间和电极之间点一层白胶，固化后，切割白胶得到单面CSP LED。
公开号为CN109273579A的申请，公开了一种LED灯珠制备方法，包含：S1：将荧光膜固定在基板上；S2：将倒装蓝光LED芯片按阵列方式固定在荧光膜上；S3：在相邻的LED 芯片间印刷适量的硅胶，在芯片四周形成倾斜面；S4：沿相邻LED芯片之间的沟槽进行切割，得到单颗带荧光膜的LED芯片；S5：将单颗带荧光膜的LED芯片固定在基板上；S6：在相邻LED芯片之间填充白胶；S7：沿相邻LED芯片之间的沟槽进行切割，得到LED灯珠。
这两件专利公开的LED装置，其侧面的蓝光可以通过白胶反射，经过荧光膜转换，从正出光面发出，不仅能够防止装置的侧面漏蓝光，还能提高正出光面的光通量，但是使用这两种制作方法，其芯片四周的倾斜面的弧度和角度可控性低，由于表面张力影响，硅胶容易在荧光膜表面流平，造成倾斜面的弧度和角度不恰当，会影响正出光面的光通量和工艺良率。
发明内容
为了克服上述技术缺陷，本发明提供了一种发光装置制作方法及发光装置，其能提高发光元件的光通量和工艺良率。
为了解决上述问题，本发明按以下技术方案予以实现的：
本发明提供了一种发光装置的制作方法，包括步骤：
在光转换膜上制作若干切割部件；
将发光元件固定在所述光转换膜上，且所述发光元件位于相邻的两个间隔较大的切割部件之间；
在所述发光元件的四个侧面与所述切割部件之间覆盖一层第一光透过层；
沿所述切割部件进行切割，得到若干单颗带光转换膜和第一透过层的发光元件；
将所述带光转换膜和第一光透过层的发光元件固定在基体上；
在所述第一光透过层的侧面覆盖一层光反射层；
模压封装，覆盖一层第二光透过层；
相邻的两颗发光元件的中线切割，得到单颗的发光装置。
作为本发明的进一步改进，所述在光转换膜上制作若干切割部件，具体为：
在所述光转换膜上制作若干孔槽。
作为本发明的进一步改进，所述在光转换膜上制作若干切割部件，具体为：
在光转换膜上制作若干方形凸起。
作为本发明的进一步改进，所述在光转换膜上制作若干切割部件，具体为：
采用模压工艺，在光转换膜上制作若干切割部件。
此外，本发明还提供了一种发光装置，其采用上述制作方法制作而得，包括：基体、发光元件、光转换膜、光反射层、第一光透过层和第二光透过层；
所述发光元件固定在所述基体的上表面，所述第一光透过层铺设于所述发光元件的四个侧面、所述光转换膜未与所述发光元件相接触的下表面，所述光反射层铺设于未被所述发光元件覆盖的上表面，且包覆所述第一光透过层的侧面，所述第二光透过层铺设于所述光转换膜的表面、光反射层的表面以及所述基体未被覆盖的表面。
作为本发明的进一步改进，所述第一光透过层的形状为类三角形，类三角形的一条直角边与所述发光元件的侧面相贴合，类三角形的另一条直角边与所述光转换膜未被所述发光覆盖的下表面相贴合，类三角形的第三条边为具有弧度的第一曲面。
作为本发明的进一步改进，所述第一曲面为向直角边方向内凹的曲面。
作为本发明的进一步改进，所述光反射层的水平长度和宽度均大于发光元件的长度和宽度。
作为本发明的进一步改进，所述光反射层的形状为类三角形，类三角形的底边与所述基体的上表面相贴合，类三角形的第二曲面与所述第一曲面向贴合，类三角形的斜面由所述基体的上表面延伸至所述光转换膜底部的边缘。
作为本发明的进一步改进，所述第二光透过层铺设于所述光转换膜的上表面、所述光转换膜的四个侧面、所述光反射层的斜面、所述基体未被所述光反射层覆盖上表面以及所述基体未被所述发光元件覆盖的上表面。
与现有技术相比，本发明具有以下技术效果：在光转换膜上制作切割部件，在芯片四周铺设第一光透过层时，可以对第一光透过层起到阻挡作用，更有利于倾斜面的形成，且倾斜面的角度可以通过切割部件的位置进行控制。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明，其中：
图1为实施例一所述步骤S11的示意图；
图2为实施例一所述步骤S12的示意图；
图3为实施例一所述步骤S13的示意图；
图4为实施例一所述步骤S14的示意图；
图5为实施例一所述步骤S15的示意图；
图6为实施例一所述步骤S16的示意图；
图7为实施例一所述步骤S17的示意图；
图8为实施例二所述步骤S21的示意图；
图9为实施例二所述步骤S22的示意图；
图10为实施例二所述步骤S23的示意图；
图11为实施例二所述步骤S24的示意图；
图12为实施例二所述步骤S25的示意图；
图13为实施例二所述步骤S26的示意图；
图14为实施例二所述步骤S27的示意图；
图15为实施例三所述发光装置的结构示意图；
标记说明：1、基体；2、发光元件；3、光转换膜；4、第一光透过层；5、光反射层；6、第二光透过层；7、孔槽；8、方形凸起。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例一
本实施例提供了一种发光装置的制作方法，包括步骤：
S11、如图1所示，采用模压工艺，在光转换膜3上制作若干孔槽7；
S12、如图2所示，将发光元件2固定在光转换膜3上，且发光元件2位于相邻的两个间隔较大的切割部件之间；
S13、如图3所示，在发光元件2的四个侧面与孔槽7之间覆盖一层第一光透过层4；
S14、如图4所示，沿切割部件进行切割，得到若干单颗带光转换膜3和第一透过层的发光元件202；
S15、如图5所示，将带光转换膜3和第一光透过层4的发光元件202固定在基体1上；
S16、如图6所示，在第一光透过层204的侧面覆盖一层光反射层5；
S17、如图7所示，模压封装，覆盖一层第二光透过层6；
S18、相邻的两颗发光元件2的中线切割，得到单颗的发光装置。
实施例二
本实施例提供了一种发光装置的制作方法，包括步骤：
S21、如图8所示，采用模压工艺，在光转换膜3上制作若干方形凸起8；
S22、如图9所示，将发光元件202固定在光转换膜3上，且发光元件2位于相邻的两个间隔较大的切割部件之间；
S23、如图10所示，在发光元件2的四个侧面与方形凸起8之间覆盖一层第一光透过层 4；
S24、如图11所示，沿切割部件进行切割，得到若干单颗带光转换膜3和第一透过层的发光元件2；
S25、如图12所示，将带光转换膜3和第一光透过层4的发光元件2固定在基体1上；
S26、如图13所示，在第一光透过层4的侧面覆盖一层光反射层5；
S27、如图14所示，模压封装，覆盖一层第二光透过层6；
S28、相邻的两颗发光元件2的中线切割，得到单颗的发光装置。
实施例三
本实施例提供了一种发光装置，如图15所示，包括：基体1、发光元件2、光转换膜3、光反射层5、第一光透过层4和第二光透过层6；发光元件2固定在基体1的上表面，第一光透过层4铺设于发光元件2的四个侧面、光转换膜3未与发光元件2相接触的下表面，光反射层5铺设于未被发光元件2覆盖的上表面，且包覆第一光透过层4的侧面，第二光透过层 6铺设于光转换膜3的上表面、光转换膜3的四个侧面、光反射层5的斜面、基体1未被光反射层5覆盖上表面以及基体1未被发光元件2覆盖的上表面。
在上述实施例中，第一光透过层4的形状为类三角形，类三角形的一条直角边与发光元件2的侧面相贴合，类三角形的另一条直角边与光转换膜3未被发光覆盖的下表面相贴合，类三角形的第三条边为具有弧度的第一曲面。
在上述实施例中，第一曲面为向直角边方向内凹的曲面。
在上述实施例中，光反射层5的水平长度和宽度均大于发光元件2的长度和宽度。
在上述实施例中，光反射层5的形状为类三角形，类三角形的底边与基体1的上表面相贴合，类三角形的第二曲面与第一曲面向贴合，类三角形的斜面由基体1的上表面延伸至光转换膜3底部的边缘。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，故凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (8)
1.一种发光装置的制作方法，其特征在于，包括步骤：
在光转换膜上制作若干切割部件，具体为在所述光转换膜上制作若干孔槽或方形凸起；
将发光元件固定在所述光转换膜上，且所述发光元件位于相邻的两个间隔较大的切割部件之间；
在所述发光元件的四个侧面与所述切割部件之间覆盖一层第一光透过层；
沿所述切割部件进行切割，得到若干单颗带光转换膜和第一透过层的发光元件；
将所述带光转换膜和第一光透过层的发光元件固定在基体上；
在所述第一光透过层的侧面覆盖一层光反射层；
模压封装，覆盖一层第二光透过层；
相邻的两颗发光元件的中线切割，得到单颗的发光装置；
第一光透过层的形状为类三角形，类三角形的一条直角边与发光元件的侧面相贴合，类三角形的另一条直角边与光转换膜未被发光覆盖的下表面相贴合，类三角形的第三条边为具有弧度的第一曲面；
第一曲面为向直角边方向内凹的曲面；
第二光透过层铺设于光转换膜的上表面、光转换膜的四个侧面、光反射层的斜面、基体未被光反射层覆盖上表面以及基体未被发光元件覆盖的上表面。
2.根据权利要求1所述的发光装置制作方法，其特征在于，所述在光转换膜上制作若干切割部件，具体为：
采用模压工艺，在光转换膜上制作若干切割部件。
3.一种发光装置，其特征在于，采用如权利要求1-2任一项所述的制作方法制作而得，包括：基体、发光元件、光转换膜、光反射层、第一光透过层和第二光透过层；
所述发光元件固定在所述基体的上表面，所述第一光透过层铺设于所述发光元件的四个侧面、所述光转换膜未与所述发光元件相接触的下表面，所述光反射层铺设于未被所述发光元件覆盖的上表面，且包覆所述第一光透过层的侧面，所述第二光透过层铺设于所述光转换膜的表面、光反射层的表面以及所述基体未被覆盖的表面。
4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述第一光透过层的形状为类三角形，类三角形的一条直角边与所述发光元件的侧面相贴合，类三角形的另一条直角边与所述光转换膜未被所述发光覆盖的下表面相贴合，类三角形的第三条边为具有弧度的第一曲面。
5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，所述第一曲面为向直角边方向内凹的曲面。
6.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述光反射层的水平长度和宽度均大于发光元件的长度和宽度。
7.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，所述光反射层的形状为类三角形，类三角形的底边与所述基体的上表面相贴合，类三角形的第二曲面与所述第一曲面向贴合，类三角形的斜面由所述基体的上表面延伸至所述光转换膜底部的边缘。
8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述第二光透过层铺设于所述光转换膜的上表面、所述光转换膜的四个侧面、所述光反射层的斜面、所述基体未被所述光反射层覆盖上表面以及所述基体未被所述发光元件覆盖的上表面。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011641053.3A CN112951970B (zh) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 一种发光装置制作方法及发光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011641053.3A CN112951970B (zh) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 一种发光装置制作方法及发光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112951970A CN112951970A (zh) | 2021-06-11 |
| CN112951970B true CN112951970B (zh) | 2023-12-08 |
Family
ID=76235007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011641053.3A Active CN112951970B (zh) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 一种发光装置制作方法及发光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112951970B (zh) |
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| KR102346798B1 (ko) * | 2015-02-13 | 2022-01-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광장치 |
-
2020
- 2020-12-31 CN CN202011641053.3A patent/CN112951970B/zh active Active
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| WO2020103898A1 (zh) * | 2018-11-22 | 2020-05-28 | 江西省晶能半导体有限公司 | Led灯珠制备方法 |
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| CN111063784A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-04-24 | 江西省晶能半导体有限公司 | Led灯珠制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112951970A (zh) | 2021-06-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |