JP2001052906A - サーミスタの絶縁装置 - Google Patents

サーミスタの絶縁装置

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JP2001052906A
JP2001052906A JP11223933A JP22393399A JP2001052906A JP 2001052906 A JP2001052906 A JP 2001052906A JP 11223933 A JP11223933 A JP 11223933A JP 22393399 A JP22393399 A JP 22393399A JP 2001052906 A JP2001052906 A JP 2001052906A
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JP
Japan
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thermistor element
thermistor
polyimide
tube
wire
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Pending
Application number
JP11223933A
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English (en)
Inventor
Yoshio Eguchi
由夫 江口
Toshimi Nakamura
利美 中村
Takeshi Nakajima
武史 中島
Norio Kasahara
範雄 笠原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Original Assignee
Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 サーミスターの絶縁。 【構成】 サーミスター素子1よし平行にジメット線
2、2を突き出させ、ジメット線2、2にはポリイミド
チューブ3、3を被せ、サーミスター素子1は金属保護
管4で保護したものにおいて、前記サーミスター素子1
近傍のジメット線2の露出部分は高温下でも絶縁不良に
ならないようにサーミスター素子1からポリイミドチュ
ーブ3に跨がってポリイミドのワニス8で被覆したサー
ミスタの絶縁装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、サーミスタの絶縁装置
に係るものである。
【0002】
【従来技術】従来、サーミスター素子より平行にジメッ
ト線を突き出させ、ジメット線にはポリイミドチューブ
を被せ、サーミスター素子は金属保護管で保護し、金属
保護管内には、シリコン等の接着剤を充填したものは公
知である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前記公知のシリコン等
の接着剤は、高温になると、サーミスター素子近傍のジ
メット線の露出部分が絶縁不良になって、誤作動するこ
とがあった。
【0004】
【課題を解決するための手段】よって、本発明は、サー
ミスター素子1より平行にジメット線2、2を突き出さ
せ、ジメット線2、2にはポリイミドチューブ3、3を
被せ、サーミスター素子1は金属保護管4で保護したも
のにおいて、前記サーミスター素子1近傍のジメット線
2の露出部分は高温下でも絶縁不良にならないようにサ
ーミスター素子1からポリイミドチューブ3に跨がって
ポリイミドのワニス8で被覆したサーミスタの絶縁装置
としたものである。
【0005】
【実施例】本発明の実施例を図面により説明すると、1
はサーミスター素子と呼ばれる感温部、2はサーミスタ
ー素子1より平行に突き出すジメット線、3はジメット
線2に被せたポリイミドチューブ、4はサーミスター素
子1を覆う金属保護管、5はポリイミドチューブ3を抑
える保護リング、6はポリイミドチューブ3を抑える樹
脂モ−ルド、7は接続管である。
【0006】しかして、上記の構成において、高温にな
ると、サーミスター素子1近傍のジメット線2の露出部
分は絶縁不良になって、誤作動することがあり、よって
本願は、前記露出部分をサーミスター素子1からポリイ
ミドチューブ3に掛けて図3のようにポリイミドのワニ
ス8で被覆したものである。
【0007】
【作用】次に作用を述べる。本発明の構成は上記に通り
だから、サーミスター素子1より2本の平行なジメット
線2を突き出させ、ジメット線2にはポリイミドチュー
ブ3を被せ、サーミスター素子1は金属保護管4で保護
するが、この場合、上記の構成において、高温になる
と、サーミスター素子1近傍のジメット線2の露出部分
は絶縁不良になって、誤作動することがあったが、本願
は、前記露出部分をサーミスター素子1からポリイミド
チューブ3に掛けて図3のようにポリイミドのワニス8
で被覆したので、絶縁不良を防止する。
【0008】
【効果】本発明は、サーミスター素子1より平行にジメ
ット線2、2を突き出させ、ジメット線2、2にはポリ
イミドチューブ3、3を被せ、サーミスター素子1は金
属保護管4で保護したものにおいて、前記サーミスター
素子1近傍のジメット線2の露出部分は高温下でも絶縁
不良にならないようにサーミスター素子1からポリイミ
ドチューブ3に跨がってポリイミドのワニス8で被覆し
たサーミスタの絶縁装置としたものであるから、ポリイ
ミドのワニス8は高温下でも完全に絶縁するので、高性
能の温度検知ができる効果がある。なお、ポリイミドの
ワニス8による被覆は、金属保護管4内に充填する方法
でも、どぶ漬け塗装する方法でもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 全体の一部断面側面図。
【図2】 サーミスター素子のジメット線にポリイミド
チューブを被覆した状態図。
【図3】 図2にポリイミドのワニスを塗布した状態
図。
【符号の説明】
1…サーミスター素子、2…ジメット線、3…ポリイミ
ドチューブ、4…金属保護管、5…保護リング、6…樹
脂モ−ルド、7…接続管、8…ポリイミドのワニス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中島 武史 埼玉県浦和市沼影1丁目17番17号 三井金 属鉱業株式会社部品加工事業本部サーミス タ事業部内 (72)発明者 笠原 範雄 埼玉県浦和市沼影1丁目17番17号 三井金 属鉱業株式会社部品加工事業本部サーミス タ事業部内 Fターム(参考) 5E034 BA09 BB01 DA01 DB03 DB05 DC02 DC05

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 サーミスター素子1より平行にジメット
    線2、2を突き出させ、ジメット線2、2にはポリイミ
    ドチューブ3、3を被せ、サーミスター素子1は金属保
    護管4で保護したものにおいて、前記サーミスター素子
    1近傍のジメット線2の露出部分は高温下でも絶縁不良
    にならないようにサーミスター素子1からポリイミドチ
    ューブ3に跨がってポリイミドのワニス8で被覆したサ
    ーミスタの絶縁装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011004496A (ja) * 2009-06-17 2011-01-06 Aisin Seiki Co Ltd ステータ
CN113994180A (zh) * 2019-12-24 2022-01-28 株式会社大泉制作所 温度传感器

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