JP2001051017A - Semiconductor device measuring socket and measuring method using the same - Google Patents
Semiconductor device measuring socket and measuring method using the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する分野】本発明は、半導体装置の電気的耐
性等を測定する半導体装置測定用ソケット及びそれを用
いた半導体装置の測定方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device measuring socket for measuring electrical resistance and the like of a semiconductor device and a method for measuring a semiconductor device using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、半導体装置の樹脂封止組立工
程が終了した後には、製品としての半導体装置の性能を
検査するために、電気的な性能を検査するために及びバ
ーンイン検査工程等が行われていた。このバーンイン検
査工程は、半導体装置の初期不良（主に使用開始後約１
０００時間までに生じる不良）の発生率が近年の半導体
製造工程の微細化に伴って増大している現状に鑑み、温
度と電圧とにより加速して検出し、初期不良の発生を可
能な限り少なくするための検査工程である。一般に、こ
のバーンイン検査工程は、約１２５℃の温度条件下で、
通常使用される電圧よりも高い電圧を半導体装置に印加
し、数時間から１週間程度行われる検査であることが多
い。2. Description of the Related Art Conventionally, after a resin sealing and assembling process of a semiconductor device is completed, a semiconductor device as a product is inspected for electrical performance, a burn-in inspection process, and the like. It was done. This burn-in inspection process is based on the initial failure of the semiconductor device (mainly about 1
In view of the fact that the incidence of failures occurring up to 000 hours) has increased with the recent miniaturization of semiconductor manufacturing processes, the occurrence of initial failures is minimized as much as possible by detecting temperature and voltage. This is an inspection process for performing Generally, this burn-in inspection process is performed under a temperature condition of about 125 ° C.
In many cases, a test is performed in which a voltage higher than a voltage normally used is applied to the semiconductor device and the test is performed for several hours to one week.
【０００３】以下に、従来における半導体装置の電気的
な特性等を測定するために用いられる半導体装置測定用
ソケット及びそれを用いた半導体装置の測定方法に関し
て図面を用いて説明する。図５は、従来における半導体
装置測定用ソケット（以下、ソケットとする）の構成を
示す側部断面図である。図５（ａ）に示すように、樹脂
封止工程を終了した半導体装置２はパッケージ外に半田
ボールからなる複数の電極２１を露出させてなる。ま
た、半導体装置２の電気的特性を測定するためのソケッ
ト１の本体１１は箱形状をなしており、上面には半導体
装置２が挿入可能である凹形状の挿入面１２が設けられ
ていた。ここで、前記上面とは、ソケット１における半
導体装置２の挿入面１２を指し、上面と対向する面を下
面として説明する。この挿入面１２には複数の開口部１
０３ｄが配設され、係る開口部１０３ｄは本体の下面に
貫通してなるスルーホール１３の一方の開口部１０３ｄ
をなしていた。ここで、スルーホール１３は、挿入され
る半導体装置２の電極２１の位置、すなわち規格に対応
して前記挿入面１２に配設されていた。また、各々のス
ルーホール１３内には弾性体等を具備して両開口部方向
に摺動可能な導電性のコンタクタ１４が収納されてい
た。このコンタクタ１４の一方の端部は半導体装置２の
電極２１と効率的に接するように構成され、他方の端部
はソケット１の下方に設置されたテストボード３上の電
極パッド３１に接するように位置されていた。さらに、
挿入された半導体装置２の上面を押下するプッシャ４が
ソケット１の上方に設置されていた。A conventional semiconductor device measuring socket used for measuring electrical characteristics and the like of a semiconductor device and a method of measuring a semiconductor device using the same will be described below with reference to the drawings. FIG. 5 is a side sectional view showing a configuration of a conventional semiconductor device measuring socket (hereinafter, referred to as a socket). As shown in FIG. 5A, the semiconductor device 2 after the resin sealing step has a plurality of electrodes 21 made of solder balls exposed outside the package. Further, the main body 11 of the socket 1 for measuring the electrical characteristics of the semiconductor device 2 has a box shape, and a concave insertion surface 12 into which the semiconductor device 2 can be inserted is provided on the upper surface. Here, the upper surface refers to the insertion surface 12 of the semiconductor device 2 in the socket 1, and a surface facing the upper surface is described as a lower surface. This insertion surface 12 has a plurality of openings 1.
03d is provided, and the opening 103d is one opening 103d of the through hole 13 penetrating through the lower surface of the main body.
Was doing. Here, the through-hole 13 was provided on the insertion surface 12 in accordance with the position of the electrode 21 of the semiconductor device 2 to be inserted, that is, according to the standard. In each of the through holes 13, a conductive contactor 14 having an elastic body or the like and slidable in both opening directions is housed. One end of the contactor 14 is configured to efficiently contact the electrode 21 of the semiconductor device 2, and the other end is configured to contact the electrode pad 31 on the test board 3 installed below the socket 1. Was located. further,
A pusher 4 that presses the upper surface of the inserted semiconductor device 2 is provided above the socket 1.
【０００４】次に、従来におけるソケットを用いた半導
体装置の測定方法について図５を用いて説明する。図５
（ｂ）に示すように、挿入面１２に測定検査対象である
半導体装置２が設置されると、係る半導体装置２の電極
２１はスルーホール１３内に設置されたコンタクタ１４
の一方の端部と接触し、コンタクタ１４自身を下面方向
に付勢する。その後、図５（ｃ）に示すように、半導体
装置２の上方からプッシャ４が下方、すなわち半導体装
置２に付勢する態様で加圧する。これによって、コンタ
クタ１４の他方の端部はソケット１の下面に開口するス
ルーホール１３から突出して、テストボード３上の電極
パッド３１に接することとなり、電極パッド３１から発
せられる電気信号によって半導体装置２の電気的な測定
が行われていた。Next, a conventional method for measuring a semiconductor device using a socket will be described with reference to FIG. FIG.
As shown in (b), when the semiconductor device 2 to be measured and inspected is installed on the insertion surface 12, the electrodes 21 of the semiconductor device 2 are connected to the contactors 14 installed in the through holes 13.
, And urges the contactor 14 itself toward the lower surface. Thereafter, as shown in FIG. 5C, the pressure is applied from above the semiconductor device 2 so that the pusher 4 presses the semiconductor device 2 downward. As a result, the other end of the contactor 14 protrudes from the through hole 13 opened on the lower surface of the socket 1 and comes into contact with the electrode pad 31 on the test board 3, and the semiconductor device 2 is driven by an electric signal emitted from the electrode pad 31. Electrical measurements were made.
【０００５】しかし、以上に説明した従来のソケット
は、大量の半導体装置を繰り返し検査する装置であるた
めに、半導体装置の脱着操作による摩擦や測定時に発生
する電界によって、前記挿入面の近傍に静電気が蓄積さ
れることが多かった。すなわち、静電気が蓄積されるこ
とによって帯電した挿入面に、新たな半導体装置が装着
されると、挿入面に帯電した静電気が、新たに挿入され
た半導体装置に転移し、その結果として、半導体装置を
静電破壊させてしまうことがあった。係る問題に対して
多くの場合は、ソケットの周辺からソケットの挿入面に
イオン風を吹き付ける等の手段を用いて、ソケットに帯
電した静電気の除去を行っていた。また、導電物質を含
む樹脂からなるソケットを採用することにより、ソケッ
トに帯電した静電気の除去を行うといった技術が特開平
５−１２９４８０号公報に開示されている。However, since the conventional socket described above is a device for repeatedly inspecting a large number of semiconductor devices, static electricity is generated in the vicinity of the insertion surface due to friction caused by a detachment operation of the semiconductor device and an electric field generated during measurement. Was often accumulated. That is, when a new semiconductor device is mounted on the insertion surface charged by the accumulation of static electricity, the static electricity charged on the insertion surface is transferred to the newly inserted semiconductor device, and as a result, the semiconductor device May be electrostatically destroyed. In many cases, the static electricity charged in the socket is removed by means such as blowing ion wind from the periphery of the socket to the insertion surface of the socket. Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-129480 discloses a technique in which a socket made of a resin containing a conductive material is employed to remove static electricity charged in the socket.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置測定用ソケット及びそれを用いた測定方法に
おいては次の二点の問題があった。第一の問題点は、半
導体装置の電気的な測定を行うにあたって、半導体装置
測定用ソケットに向けてその周辺からイオン風を送風し
た場合、プッシャが前記挿入面を塞いでしまうことであ
る。これにより、半導体装置の電極近傍に送風させるは
ずのイオン風がソケットの挿入面に当たらないため、効
率よく静電気を除去することができなかった。また、第
二の問題点は、導電物質を混入した樹脂からなる半導体
装置測定用ソケットを用いた場合、導電性を有する樹脂
は抵抗率の設定が困難であるため、結果として抵抗率の
ばらつきが大となり、リーク不良等の不具合が生じてい
た。さらに言えば、１０１０Ω・cm〜１０１２Ω・cm程
度の抵抗率を有する樹脂を用いた場合、機械的強度及び
耐熱性に信頼度が低いために、機械精度や使用時の耐久
性に悪影響を及ぼす可能性が高かった。However, the conventional semiconductor device measuring socket and the measuring method using the same have the following two problems. A first problem is that, when an ion wind is blown from a periphery thereof to a semiconductor device measuring socket when an electrical measurement of the semiconductor device is performed, a pusher blocks the insertion surface. As a result, the ion wind that should be blown to the vicinity of the electrode of the semiconductor device does not hit the insertion surface of the socket, so that the static electricity cannot be efficiently removed. The second problem is that when a semiconductor device measuring socket made of a resin mixed with a conductive substance is used, it is difficult to set the resistivity of the conductive resin, and as a result, the variation in the resistivity is reduced. It became large, and a defect such as a leak defect occurred. More, in the case of using a resin having a 10 10 Ω · cm~10 12 Ω · cm approximately resistivity, due to low reliability in mechanical strength and heat resistance, the durability in mechanical precision and use The potential for adverse effects was high.
【０００７】本発明は、以上の従来技術における問題に
鑑みてなされたものであり、ソケットから半導体装置へ
の静電気の転移を防止すると共に、半導体装置へ帯電す
る静電気を完全に取り除く半導体装置測定用ソケット及
びそれを用いた測定方法を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems in the prior art, and is intended to prevent the transfer of static electricity from a socket to a semiconductor device and completely remove static electricity charged to the semiconductor device. An object of the present invention is to provide a socket and a measuring method using the same.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に提供する本願第一の発明に係る半導体装置測定用ソケ
ットは、複数の電極を有した半導体装置が挿入される挿
入面に複数の開口部が設けられ、係る開口部はスルーホ
ールの開口部と空洞部の開口部とからなり、スルーホー
ルは前記半導体装置が挿入される面と対向する面に貫通
してテストボード上の電極パッドと前記電極とを電気的
に導通せしめるコンタクタを内蔵し、前記空洞部は半導
体装置の下部にイオン風を送風する送風機が一方に接続
された孔であることを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device measuring socket provided with a plurality of openings in an insertion surface into which a semiconductor device having a plurality of electrodes is inserted. The opening is formed of an opening of a through hole and an opening of a cavity, and the through hole penetrates a surface opposite to a surface into which the semiconductor device is inserted and an electrode pad on a test board. A contactor for electrically connecting the electrode to the electrode is built in, and the cavity is a hole connected to one side of a blower for blowing ionic wind to a lower part of the semiconductor device.
【０００９】係る構成を採用することによって、半導体
装置の下部、すなわち半導体装置の電極及びスルーホー
ルの近傍へイオン風を確実に送風させることができ、多
数回にわたる半導体装置の着脱によって前記電極近傍に
生じる静電気を除去することが可能となる。従って、静
電気の発生によって生じる半導体装置の測定誤差や、半
導体装置の静電破壊を未然に防止することができる。By adopting such a configuration, it is possible to reliably send the ion wind to the lower portion of the semiconductor device, that is, to the vicinity of the electrode and the through hole of the semiconductor device, and the vicinity of the electrode is obtained by attaching and detaching the semiconductor device many times. The generated static electricity can be removed. Therefore, measurement errors of the semiconductor device caused by generation of static electricity and electrostatic breakdown of the semiconductor device can be prevented.
【００１０】前記課題を解決するために提供する本願第
二の発明に係る半導体装置測定用ソケットは、半導体装
置の下面にイオン風の通路となる空洞部が設けられ、係
る空洞部の一方にイオン風送風機が接続されてなること
を特徴とする。A semiconductor device measuring socket according to a second aspect of the present invention, which is provided to solve the above-described problem, has a cavity serving as an ion wind passage provided on the lower surface of the semiconductor device, and one of the cavities is provided with an ion. It is characterized in that an air blower is connected.
【００１１】半導体装置の下面にイオン風の通路となる
空洞部が設けられ、係る空洞部の一方にイオン風送風機
が接続されてなることによって、効率的に半導体装置の
電極近傍に生じ得る静電気を除去することができ、半導
体の静電破壊等の不具合を生じにくくすることが可能で
ある。A cavity serving as an ion wind passage is provided on the lower surface of the semiconductor device, and an ion wind blower is connected to one of the cavities, so that static electricity which can be efficiently generated in the vicinity of the electrode of the semiconductor device can be efficiently generated. It can be removed, and it is possible to make it difficult to cause problems such as electrostatic breakdown of the semiconductor.
【００１２】前記課題を解決するために提供する本願第
三の発明に係る半導体装置測定用ソケットは、スルーホ
ールの開口部が形成される範囲内に前記空洞部の開口部
が配設されることを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided a socket for measuring a semiconductor device, wherein the opening of the cavity is provided within a range in which the opening of the through hole is formed. It is characterized by.
【００１３】スルーホールの開口部が形成される範囲内
に前記空洞部の開口部が配設されることによって、半導
体装置の下部にイオン風が充満しやすくなり、静電気の
さらなる除去効率を上げることができる。[0013] By providing the opening of the cavity within a range in which the opening of the through hole is formed, the lower portion of the semiconductor device is more likely to be filled with ionic wind and the efficiency of removing static electricity is further increased. Can be.
【００１４】前記課題を解決するために提供する本願第
四の発明に係る半導体装置測定用ソケットは、空洞部の
開口部が前記スルーホールの開口部であることを特徴と
する。A semiconductor device measuring socket according to a fourth aspect of the present invention provided to solve the above-mentioned problem is characterized in that an opening of a cavity is an opening of the through hole.
【００１５】空洞部の開口部が前記スルーホールの開口
部であることによって、半導体装置の電極近傍に生じる
静電気の除去に限らず、スルーホール内に堆積した半田
屑等をイオン風によって除去することができ、スルーホ
ール内のコンタクタの摺動性の劣化を防止することも可
能である。Since the opening of the cavity is the opening of the through hole, not only the removal of static electricity generated near the electrode of the semiconductor device but also the removal of solder debris and the like accumulated in the through hole by ion wind. It is also possible to prevent the slidability of the contactor in the through hole from deteriorating.
【００１６】前記課題を解決するために提供する本願第
五の発明に係る半導体装置測定用ソケットは、少なくと
も一以上のスルーホールと前記空洞部とが連結されるこ
とを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device measuring socket, wherein at least one or more through-holes are connected to the cavity.
【００１７】少なくとも一以上のスルーホールと前記空
洞部とが連結されることによって、イオン風が直接半導
体装置の電極に送風され、前記電極近傍に発生した静電
気を効率よく除去することが可能である。[0017] By connecting at least one or more through-holes and the cavity, the ion wind is directly blown to the electrode of the semiconductor device, and the static electricity generated near the electrode can be efficiently removed. .
【００１８】前記課題を解決するために提供する本願第
六の発明に係る半導体装置測定用ソケットは、隣接する
スルーホールが互いに連結され、さらに空洞部とも連結
されることを特徴とする。A semiconductor device measuring socket according to a sixth aspect of the present invention provided to solve the above problem is characterized in that adjacent through holes are connected to each other and further to a cavity.
【００１９】隣接するスルーホールが互いに連結され、
さらに空洞部とも連結されることによって、半導体装置
測定用ソケット内に複雑な構造を有する空洞部を設ける
ことなく、簡単な工程で、効率よく半導体装置の下面に
イオン風を送り込むことができる。Adjacent through holes are connected to each other,
Further, by being connected to the cavity, the ion wind can be efficiently sent to the lower surface of the semiconductor device by a simple process without providing a cavity having a complicated structure in the semiconductor device measurement socket.
【００２０】前記課題を解決するために提供する本願第
七の発明に係る半導体装置測定用ソケットは、スルーホ
ールと空洞部とが一対一で接続されることを特徴とす
る。A semiconductor device measuring socket according to a seventh aspect of the present invention provided to solve the above-mentioned problem is characterized in that the through-hole and the cavity are connected one-to-one.
【００２１】スルーホールと空洞部とが一対一で接続さ
れることによって、安定したイオン風の排出をスルーホ
ールを介して半導体装置の電極に対して行うことができ
る。Since the through-hole and the cavity are connected one-to-one, stable discharge of ion wind can be performed to the electrode of the semiconductor device through the through-hole.
【００２２】前記課題を解決するために提供する本願第
八の発明に係る半導体装置測定用ソケットを用いた半導
体装置の測定方法は、コンタクタを収納するスルーホー
ルに連結された空洞部の開口部から半導体装置の下部に
イオン風を送り込むことを特徴とする。According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a method of measuring a semiconductor device using a socket for measuring a semiconductor device according to an eighth aspect of the present invention, comprising the steps of: It is characterized in that an ion wind is sent to a lower portion of the semiconductor device.
【００２３】コンタクタを収納するスルーホールに連結
された空洞部の開口部から半導体装置の下部にイオン風
を送り込むことによって、By sending ionic wind to the lower part of the semiconductor device from the opening of the cavity connected to the through hole for accommodating the contactor,
【００２４】前記課題を解決するために提供する本願第
九の発明に係る半導体装置測定用ソケットを用いた半導
体装置の測定方法は、空洞部に接続された送風装置から
任意の温度のイオン風を空洞部に送り込むことを特徴と
する。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a method for measuring a semiconductor device using a socket for measuring a semiconductor device according to a ninth aspect of the present invention. It is characterized in that it is sent into the cavity.
【００２５】空洞部に接続された送風装置から任意の温
度のイオン風を空洞部に送り込むことによって、半導体
装置の静電破壊を防止すると共に、バーンイン検査の代
替として恒温槽や雰囲気温度の設定等を行うことなく半
導体装置自体の高温環境下若しくは低温環境下での半導
体装置の測定をも可能とする。[0025] By sending ionic wind of an arbitrary temperature from a blower connected to the cavity to the cavity, electrostatic destruction of the semiconductor device is prevented and, as an alternative to the burn-in inspection, setting of a constant temperature bath and ambient temperature, etc. The measurement of the semiconductor device in a high-temperature environment or a low-temperature environment of the semiconductor device itself can be performed without performing the measurement.
【００２６】[0026]
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下に、本発明
に係る半導体装置測定用ソケットの第１の実施の形態に
おける構成及びそれを用いた半導体装置の測定方法につ
いて図面を参照して説明する。図１は、本発明に係る半
導体装置測定用ソケットの第１の実施の形態における構
造を示す側部断面図である。図１に示すように、本発明
に係る半導体装置測定用ソケットは箱形状の本体１１よ
りなり、係る本体１１の上面には半導体装置２が挿入さ
れる挿入面１２が凹形状をなして形成される。ここで、
上面とは、本発明に係る半導体装置測定用ソケットと後
述のテストボードとの位置関係における方向を指し、本
発明に係る半導体装置測定用ソケットにおいては、前記
テストボードに対向する面を下面として以下に説明す
る。挿入面１２には半導体装置２に設けられる電極２１
の位置、すなわち規格に対応して複数の開口部１０３ｄ
が形成されており、係る開口部１０３ｄを一方の開口部
として下面に貫通するスルーホール１３が形成されてい
る。例えば測定検査対象がＤＩＰ型半導体装置であった
場合、その半導体装置のパッケージ幅とほぼ同じ間隔を
有して２列にスルーホール１３が配設される。このスル
ーホール１３の中には、導電性のコンタクタ１４が弾性
体を具備して両開口部方向に摺動可能な態様で内蔵さ
れ、このコンタクタ１４は、それぞれの端部が開口部か
ら自在に突出するように設置されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (Embodiment 1) The configuration of a semiconductor device measuring socket according to a first embodiment of the present invention and a method for measuring a semiconductor device using the same will be described with reference to the drawings. explain. FIG. 1 is a side sectional view showing a structure of a semiconductor device measuring socket according to a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the socket for measuring a semiconductor device according to the present invention includes a box-shaped main body 11, and an insertion surface 12 into which the semiconductor device 2 is inserted is formed in a concave shape on the upper surface of the main body 11. You. here,
The upper surface refers to a direction in a positional relationship between the semiconductor device measurement socket according to the present invention and a test board described below. In the semiconductor device measurement socket according to the present invention, the surface facing the test board is defined as a lower surface. Will be described. An electrode 21 provided on the semiconductor device 2 is provided on the insertion surface 12.
Position, that is, a plurality of openings 103d corresponding to the standard
Is formed, and a through hole 13 penetrating the lower surface with the opening 103d as one opening is formed. For example, when a measurement / inspection target is a DIP type semiconductor device, the through holes 13 are arranged in two rows at substantially the same interval as the package width of the semiconductor device. In the through-hole 13, a conductive contactor 14 is provided with an elastic body so as to be slidable in both opening directions, and each end of the contactor 14 is freely movable from the opening. It is installed to protrude.
【００２７】挿入面１２にはスルーホール１３の他に開
口部１０３が複数設けられており、係る開口部１０３を
一方の開口部１０３ａ及び開口部１０３ｂとしてソケッ
ト１内部に空洞部１０１が設けられている。この空洞部
１０１の他方の開口部１０３ｃはソケットの側面に設け
られ、この開口部１０３ｃとイオン風送風機１００とが
送風管１０２を介して接続されている。ソケット１内部
においては、空洞部１０１とスルーホール１３とが連結
しないようにそれぞれ設けられている。すなわち、前記
他方の開口部１０３ｃがソケット１の側面に設けられた
空洞部１０１は、ソケット１内部で二の空洞部１０１に
分岐し、その二の空洞部１０１が挿入面１２に貫通して
それぞれが開口部１０３ａ及び開口部１０３ｂといった
一方の開口部１０３を形成する。The insertion surface 12 is provided with a plurality of openings 103 in addition to the through-holes 13, and the opening 103 is used as one opening 103 a and the opening 103 b, and a cavity 101 is provided inside the socket 1. I have. The other opening 103 c of the cavity 101 is provided on the side surface of the socket, and the opening 103 c is connected to the ion blower 100 via a blower tube 102. Inside the socket 1, the cavity 101 and the through hole 13 are provided so as not to be connected. That is, the cavity 101 in which the other opening 103 c is provided on the side surface of the socket 1 branches into two cavities 101 inside the socket 1, and the two cavities 101 penetrate the insertion surface 12, respectively. Forms one opening 103 such as the opening 103a and the opening 103b.
【００２８】次に、本発明に係る半導体装置測定用ソケ
ットの一実施の形態における半導体装置の測定方法につ
いて図面を参照して以下に説明する。図２は、本発明に
係る半導体装置測定用ソケットの一実施の形態における
半導体装置の測定方法を示す側部断面図である。図２
（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、挿入面１２に測定
検査対象である半導体装置２が設置されると、係る半導
体装置２の電極２１はスルーホール１３内に設置された
コンタクタ１４の一方の端部と接触し、弾性体を具備し
たコンタクタ１４の一方の端部が前記電極２１に付勢す
る。その後、半導体装置２の上方からプッシャ４が下
方、すなわち半導体装置２に付勢する。これによって、
コンタクタ１４の他方の端部はソケット１の下面に開口
するスルーホール１３から突出して、テストボード３上
の電極パッド３１に接することとなり、電極パッド３１
から発せられる電気信号によって半導体装置２の測定を
行っていた。この様に半導体装置２の測定を行っている
間、挿入面１２に設けられたスルーホール１３以外の開
口部、すなわち空洞部１０１の開口部１０３からはイオ
ン風が常時、若しくは所定の間隔を有して排出されてい
る。ここで、挿入面１２上の空洞部１０１の開口部１０
３はスルーホール１３の開口部が形成する範囲内に設け
られることが望ましい。すなわち、平行に配設されたス
ルーホール１３の開口部群によって形成される領域内に
空洞部の開口部１０３が設けられることによって、イオ
ン風は挿入された半導体装置２の真下に直接送風される
こととなり、挿入面１２近傍に帯電した静電気を効率よ
く除去することができる。また、一のスルーホール１３
と一の空洞部１０１とを一対一で連結することによっ
て、均一にイオン風を半導体装置２に送風させるといっ
た構成をなしてもよい。Next, a method for measuring a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a side sectional view showing a method for measuring a semiconductor device in one embodiment of a socket for measuring a semiconductor device according to the present invention. FIG.
As shown in FIG. 2A and FIG. 2B, when the semiconductor device 2 to be measured and inspected is installed on the insertion surface 12, the electrodes 21 of the semiconductor device 2 are connected to the contactors 14 installed in the through holes 13. And one end of the contactor 14 having an elastic body urges the electrode 21. Thereafter, the pusher 4 urges the semiconductor device 2 downward from above the semiconductor device 2. by this,
The other end of the contactor 14 protrudes from the through hole 13 opened on the lower surface of the socket 1 and comes into contact with the electrode pad 31 on the test board 3, so that the electrode pad 31
The measurement of the semiconductor device 2 is performed by an electric signal emitted from the semiconductor device 2. During the measurement of the semiconductor device 2 as described above, the ion wind always flows from the opening other than the through hole 13 provided in the insertion surface 12, that is, the opening 103 of the cavity 101, or has a predetermined interval. Has been discharged. Here, the opening 10 of the cavity 101 on the insertion surface 12
3 is desirably provided in a range formed by the opening of the through hole 13. That is, by providing the opening 103 of the cavity in a region formed by the group of openings of the through holes 13 arranged in parallel, the ion wind is directly blown directly below the inserted semiconductor device 2. As a result, static electricity charged near the insertion surface 12 can be efficiently removed. In addition, one through hole 13
By connecting the one and one cavity 101 in a one-to-one manner, a configuration may be provided in which the ion wind is uniformly blown to the semiconductor device 2.
【００２９】（実施の形態２）以下に、本発明に係る半
導体装置測定用ソケットの第２の実施の形態における構
成及び半導体装置の測定方法について図面を参照して説
明する。なお、本発明に係る半導体装置測定用ソケット
の第２の実施の形態における半導体装置の測定方法につ
いては、前述の本発明に係る半導体装置測定用ソケット
の第１の実施の形態における半導体装置の測定方法とほ
ぼ同様であるので、その説明を省略する。図３は、本発
明に係る半導体装置測定用ソケットの第２の実施の形態
における構成を示す側部断面図である。図３に示すよう
に、本発明に係る半導体装置測定用ソケット１は略箱状
の本体１１よりなり、係る本体１１の上面には半導体装
置２が挿入される挿入面１２が凹形状をなして形成され
る。挿入面１２には半導体装置２に設けられる電極２１
の位置、すなわち規格に対応して複数の開口部１０３が
形成されており、係る開口部１０３を一方の開口部とし
て下面に貫通するスルーホール１３が形成されている。
ここで、測定検査対象をＤＩＰ型半導体装置であるとす
ると、その半導体装置のパッケージ幅とほぼ同じ間隔を
有して２列にスルーホール１３が配設される。このスル
ーホール１３の中には、導電性のコンタクタ１４が弾性
体を具備して両開口部方向に摺動可能な態様で内蔵さ
れ、このコンタクタ１４は、それぞれの端部が開口部１
０３から自在に突出するように設置されている。(Embodiment 2) Hereinafter, a configuration of a semiconductor device measuring socket according to a second embodiment of the present invention and a method of measuring a semiconductor device will be described with reference to the drawings. The method of measuring a semiconductor device according to the second embodiment of the socket for measuring a semiconductor device according to the present invention is described in detail in the measurement method of the semiconductor device according to the first embodiment of the socket for measuring a semiconductor device according to the first embodiment. Since the method is almost the same, the description is omitted. FIG. 3 is a side sectional view showing a configuration of a semiconductor device measuring socket according to a second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, the semiconductor device measuring socket 1 according to the present invention includes a substantially box-shaped main body 11, and an insertion surface 12 into which the semiconductor device 2 is inserted has a concave shape on the upper surface of the main body 11. It is formed. An electrode 21 provided on the semiconductor device 2 is provided on the insertion surface 12.
, That is, a plurality of openings 103 are formed corresponding to the standard, and a through-hole 13 penetrating the lower surface with the opening 103 as one opening is formed.
Here, assuming that the measurement / inspection target is a DIP type semiconductor device, the through holes 13 are arranged in two rows at substantially the same interval as the package width of the semiconductor device. In the through hole 13, a conductive contactor 14 is provided with an elastic body so as to be slidable in both opening directions, and each end of the contactor 14 has an opening 1
It is installed so as to freely protrude from 03.
【００３０】挿入面１２にはスルーホール１３の他に開
口部１０３が複数設けられており、係る開口部１０３ａ
及び開口部１０３ｂを一方の開口部としてソケット１内
部に空洞部１０１が設けられている。この空洞部１０１
の他方の開口部１０３ｃはソケット１の側面に設けら
れ、この開口部１０３ｃとイオン風送風機１００とが送
風管１０２を介して接続されている。加えて、ソケット
１内部においては、隣接するスルーホール１３同士がコ
ンタクタ１４の挙動を妨げない様に連結され、係るスル
ーホール１３と空洞部１０１とが連結して設けられてい
る。この様な構成を有することによって、挿入面１２に
おけるスルーホール１３の開口部１０３から半導体装置
２の下面にイオン風を送風して挿入面１２近傍に発生し
た静電気を除去することができると共に、スルーホール
１３内に堆積した半田屑等をも同時に除去することが可
能となる。The insertion surface 12 is provided with a plurality of openings 103 in addition to the through holes 13.
The cavity 101 is provided inside the socket 1 with the opening 103b as one opening. This hollow part 101
The other opening 103 c is provided on a side surface of the socket 1, and the opening 103 c and the ion blower 100 are connected via a blower tube 102. In addition, inside the socket 1, the adjacent through holes 13 are connected so as not to hinder the behavior of the contactor 14, and the through holes 13 and the hollow portion 101 are provided so as to be connected. By having such a configuration, it is possible to remove the static electricity generated in the vicinity of the insertion surface 12 by blowing an ionic wind from the opening 103 of the through hole 13 in the insertion surface 12 to the lower surface of the semiconductor device 2, It is also possible to simultaneously remove solder dust and the like accumulated in the hole 13.
【００３１】また、本発明に係る半導体装置測定用ソケ
ット及びそれを用いた半導体装置の測定方法の他の実施
の形態として、半導体装置２を予備加熱若しくは予備冷
却した後に任意の温度に設定されたイオン風を挿入面１
２に挿入された半導体装置２の下部に吹き付けることに
よって、半導体装置２の高温状態又は低温状態における
電気的な試験をも行うことが可能である。As another embodiment of the semiconductor device measuring socket and the semiconductor device measuring method using the same according to the present invention, the semiconductor device 2 is set to an arbitrary temperature after preheating or precooling of the semiconductor device 2. Insertion surface for ion wind 1
By spraying the lower part of the semiconductor device 2 inserted in the semiconductor device 2, it is possible to perform an electrical test in a high temperature state or a low temperature state of the semiconductor device 2.
【００３２】[0032]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置測定用ソケット及びそれを用いた半導体装置の測
定方法を採用することによって、半導体装置測定用ソケ
ットから半導体装置への静電気の転移を防ぐことができ
るとともに、半導体装置に帯電する静電気を除電するこ
とができ、結果として半導体装置の静電破壊を未然に防
ぎ、歩留まりの向上を図ることが可能となる。また、ス
ルーホールと空洞部とが連結されることによって、イオ
ン風送風機から吹き込まれたイオン風がスルーホール内
を通過し、スルーホール内に堆積した半田屑等をも除去
することが可能である。さらに、任意の温度を設定して
イオン風を半導体装置の下部に吹き込むことによって、
半導体装置の静電気を除去すると共に半導体装置の高温
状態及び低温状態におけるテスト等も同時に行うことが
できる。すなわち、本発明に係る装置を採用することに
よって、バーンイン検査で行われてきた恒温槽及び雰囲
気温度等の設定を簡略化することができ、電気的な検査
において同様の検査を同時に行うことが可能である。As described above, the transfer of static electricity from the semiconductor device measuring socket to the semiconductor device can be prevented by employing the semiconductor device measuring socket and the semiconductor device measuring method using the same according to the present invention. It is possible to prevent static electricity charged in the semiconductor device and to eliminate static electricity. As a result, electrostatic breakdown of the semiconductor device is prevented beforehand, and the yield can be improved. In addition, by connecting the through hole and the cavity, the ion wind blown from the ion wind blower passes through the through hole, and it is possible to remove solder dust and the like deposited in the through hole. . Furthermore, by setting an arbitrary temperature and blowing ion wind into the lower part of the semiconductor device,
In addition to removing static electricity from the semiconductor device, a test and the like in a high temperature state and a low temperature state of the semiconductor device can be performed at the same time. That is, by adopting the apparatus according to the present invention, it is possible to simplify the setting of the constant temperature chamber and the ambient temperature, etc., which have been performed in the burn-in inspection, and it is possible to perform the same inspection simultaneously in the electrical inspection. It is.
【００３３】[0033]
【図１】本発明に係る半導体装置測定用ソケットの一実
施の形態における構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a semiconductor device measuring socket according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明に係る半導体装置測定用ソケットの一実
施の形態における測定方法を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a measuring method in one embodiment of the semiconductor device measuring socket according to the present invention.
【図３】本発明に係る半導体装置測定用ソケットの第２
の実施の形態における構成を示す断面図である。FIG. 3 shows a second embodiment of the semiconductor device measuring socket according to the present invention.
It is sectional drawing which shows the structure in embodiment.
【図４】本発明に係る半導体装置測定用ソケットの第２
の実施の形態における測定方法を示す断面図である。FIG. 4 shows a second embodiment of the semiconductor device measuring socket according to the present invention.
It is sectional drawing which shows the measuring method in embodiment.
【図５】従来における半導体装置測定用ソケットの構成
を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a configuration of a conventional semiconductor device measuring socket.
１．半導体装置測定用ソケット ２．半導体装置 ３．テストボード １１．本体 １２．挿入面 １３．スルーホール １４．コンタクタ ２１．電極 ３１．パッド電極 １００．イオン風送風機 １０１．空洞部 １０２．送風管 １０３．開口部 1. 1. Socket for semiconductor device measurement Semiconductor device 3. Test board 11. Main body 12. Insertion surface 13. Through hole 14. Contactor 21. Electrode 31. Pad electrode 100. Ion wind blower 101. Cavity 102. Blower tube 103. Aperture
Claims (9)
る挿入面に複数の開口部が設けられ、係る開口部はスル
ーホールの開口部と空洞部の開口部とからなり、スルー
ホールは前記挿入面と対向する面に貫通してテストボー
ド上の電極パッドと前記電極とを電気的に導通せしめる
コンタクタを内蔵し、前記空洞部は半導体装置の下部に
イオン風を送風する送風機が一方に接続された孔である
ことを特徴とする半導体装置測定用ソケット。A plurality of openings are provided on an insertion surface into which a semiconductor device having a plurality of electrodes is inserted. The openings include a through-hole opening and a cavity opening, and the through-hole is provided. A contactor that penetrates a surface opposite to the insertion surface and electrically connects the electrode pad on the test board to the electrode is built in, and the blower that blows ionic wind to the lower part of the semiconductor device is provided on one side of the cavity. A socket for measuring a semiconductor device, wherein the socket is a connected hole.
な挿入面を上面に有し、上下面を貫通して前記電極の個
々に対応して設けられた複数のスルーホールの内部に前
記電極の個々とテストボード上の電極パッドとを導通せ
しめるコンタクタが設けられた半導体装置測定用ソケッ
トにおいて、半導体装置の下面にイオン風の通路となる
空洞部が設けられ、係る空洞部の一方にイオン風送風機
が接続されてなることを特徴とする半導体装置測定用ソ
ケット。2. A semiconductor device having a plurality of electrodes, the upper surface of which has an insertion surface into which a semiconductor device having a plurality of electrodes can be inserted. In a semiconductor device measurement socket provided with a contactor for electrically connecting each of the semiconductor device and an electrode pad on a test board, a cavity serving as an ion wind passage is provided on a lower surface of the semiconductor device, and one of the cavities is provided with an ion wind. A socket for measuring a semiconductor device, wherein a blower is connected.
囲内に前記空洞部の開口部が配設されることを特徴とす
る請求項１又は請求項２に記載の半導体装置測定用ソケ
ット。3. The semiconductor device measuring socket according to claim 1, wherein an opening of the cavity is provided within a range in which the opening of the through hole is formed.
部であることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れ
か一に記載の半導体装置測定用ソケット。4. The semiconductor device measuring socket according to claim 1, wherein an opening of the cavity is an opening of the through hole.
洞部とが連結されることを特徴とする請求項１乃至請求
項４の何れか一に記載の半導体装置測定用ソケット。5. The semiconductor device measuring socket according to claim 1, wherein at least one or more through holes are connected to the cavity.
さらに空洞部とも連結されることを特徴とする請求項１
乃至請求項５の何れか一に記載の半導体装置測定用ソケ
ット。6. Adjacent through holes are connected to each other,
2. The method according to claim 1, further comprising the step of connecting to a cavity.
A semiconductor device measuring socket according to claim 5.
れることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか一
に記載の半導体装置測定用ソケット。7. The semiconductor device measuring socket according to claim 1, wherein the through hole and the cavity are connected one to one.
体装置の上面をプッシャが下方へ付勢するとともに、半
導体装置の電極の各々とテストボード上に設けられた複
数の電極パッドの各々とがコンタクタを介して電気的に
導通することによって行われる半導体装置の測定用ソケ
ットの測定方法において、前記コンタクタを収納するス
ルーホールに連結された空洞部の開口部から半導体装置
の下部にイオン風を送り込むことを特徴とする半導体装
置の測定方法。8. A pusher for urging the upper surface of the semiconductor device inserted into the insertion frame provided on the upper surface downward, and each of the electrodes of the semiconductor device and each of the plurality of electrode pads provided on the test board. Is electrically conducted through a contactor, the measuring method of the measuring socket of the semiconductor device, wherein the ion wind is applied to the lower part of the semiconductor device from the opening of the cavity connected to the through hole for accommodating the contactor. A method for measuring a semiconductor device.
の温度のイオン風を空洞部に送り込むことを特徴とする
請求項８に記載の半導体装置の測定方法。9. The method for measuring a semiconductor device according to claim 8, wherein an ion wind of an arbitrary temperature is sent into the cavity from a blower connected to the cavity.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP22977599A JP3334689B2 (en) | 1999-08-16 | 1999-08-16 | Semiconductor device measuring socket and measuring method using the same |
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|---|---|
| JP2001051017A true JP2001051017A (en) | 2001-02-23 |
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