KR101598606B1 - Method for manufacturing connecting structure and connecting structure - Google Patents

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KR101598606B1
KR101598606B1 KR1020150103117A KR20150103117A KR101598606B1 KR 101598606 B1 KR101598606 B1 KR 101598606B1 KR 1020150103117 A KR1020150103117 A KR 1020150103117A KR 20150103117 A KR20150103117 A KR 20150103117A KR 101598606 B1 KR101598606 B1 KR 101598606B1
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안윤태
김태현
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(주) 루켄테크놀러지스
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Abstract

A method for manufacturing a connection structure is disclosed. The method comprises the following steps of: (a) manufacturing a plate portion which has a plurality of vertically penetrated mounting fixtures formed therein and comprises a plate layer made of a silicon wafer; (b) manufacturing a plurality of conductive modules; and (c) coupling the plate portion with the plurality of conductive modules. In the step (a), the plurality of mounting fixtures are formed on the plate portion by a MEMS process. Therefore, the connection structure can replace an existing rubber type socket with which highly dense probe arrangement is difficult.

Description

연결 구조체의 제조 방법 및 연결 구조체{METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING STRUCTURE AND CONNECTING STRUCTURE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a connection structure,

본원은 제1 대상물과 제2 대상물을 전기적으로 연결시키는 연결 구조체의 제조 방법 및 연결 구조체에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a connection structure for electrically connecting a first object and a second object and a connection structure.

일반적으로 BGA(ball grid array) 타입의 반도체 패키지는 최종적으로 검사 장치에 의해 각종 전기 시험을 통한 특성 측정 또는 불량 검사를 받게 된다. 이때, 검사 장치에 설치된 검사용 인쇄 회로 기판의 회로 패턴과 BGA 타입의 반도체 패키지의 컨택볼을 전기적으로 연결하기 위해 소켓이 사용된다.In general, a semiconductor package of a ball grid array (BGA) type is finally subjected to characteristic measurement or defect inspection through various electric tests by an inspection apparatus. At this time, a socket is used to electrically connect the circuit pattern of the inspection printed circuit board provided in the inspection apparatus with the contact ball of the BGA type semiconductor package.

종래에는 이러한 소켓으로 러버(rubber) 재질로 이루어진 러버 타입 소켓(rubber type socket)이 사용되었다. 그런데, 러버 타입 소켓은 반도체 패키지 검사 시에 수행되는 컨택볼에 대한 반복적인 접촉으로 인해 외관이 손상되고 복원력이 상실되었으며, 이에 따라, 컨택볼에 대한 일정한 컨택을 유지하지 못하는 문제가 있었다.Conventionally, a rubber type socket made of a rubber material is used as such a socket. However, the rubber-type socket has a problem in that it is damaged due to repetitive contact with the contact ball performed at the time of inspecting the semiconductor package and the restoring force is lost, thereby failing to maintain a constant contact with the contact ball.

또한, 종래의 소켓에 포함되는 컨택터의 팁부의 직경은 적어도 300 마이크로 미터 정도이기 때문에 고밀도의 미세 전극이 배열된 반도체 패키지를 검사하는 데 한계가 있었다. 특히, 탐침을 가공하는 기술적 한계로 인해 균일하고 정확히 배열된 탐침을 구비한 고밀도의 반도체 패키지 검사용 소켓을 제작하는데 어려움이 있었다.In addition, since the diameter of the tip portion of the contactor included in the conventional socket is at least about 300 micrometers, there is a limit to the inspection of the semiconductor package in which the high-density fine electrodes are arranged. In particular, due to technical limitations in processing the probe, it has been difficult to fabricate a socket for inspection of a high-density semiconductor package with uniformly and precisely arranged probes.

본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 단기 수명 및 컨택볼과의 접촉 시에 발생하는 충격에 대한 취약성을 가지며 고밀도의 탐침 배열이 어려운 종래의 러버 타입 소켓을 대체할 수 있는 연결 구조체의 제조 방법 및 연결 구조체를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a connector structure capable of replacing a conventional rubber type socket having a short life span and a vulnerability to impact generated when the contact ball is brought into contact with the probe, And a method for producing the same.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본원의 제1 측면에 따른 연결 구조체의 제조 방법은, (a) 상하로 통공되는 장착구 복수 개가 형성되며 실리콘 웨이퍼로 이루어진 플레이트 층을 포함하는 플레이트부를 제작하는 단계; (b) 복수 개의 전도성 모듈을 제작하는 단계; 및 (c) 상기 플레이트부와 상기 복수 개의 전도성 모듈을 결합하는 단계를 포함하되, 상기 (a) 단계에서, 상기 복수 개의 장착구는 멤스 공정에 의해 상기 플레이트부에 형성될 수 있다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a connection structure, comprising the steps of: (a) forming a plate portion including a plate layer formed of a plurality of mounting holes, Producing; (b) fabricating a plurality of conductive modules; And (c) coupling the plate portion and the plurality of conductive modules. In the step (a), the plurality of mounting holes may be formed in the plate portion by a MEMS process.

한편, 본원의 제2 측면에 따른 연결 구조체는, 제1 대상물과 제2 대상물을 전기적으로 연결시키는 연결 구조체에 있어서, 상하로 통공되는 복수 개의 장착구가 형성되며 실리콘 웨이퍼로 이루어진 플레이트 층을 포함하는 플레이트부; 및 상기 복수 개의 장착구 각각에 배치되는 전도성 모듈을 포함하되, 상기 복수 개의 장착구는 멤스(MEMS) 공정에 의해 상기 플레이트부에 형성될 수 있다According to a second aspect of the present invention, there is provided a connection structure for electrically connecting a first object and a second object, the connection structure including a plate layer formed of a silicon wafer and having a plurality of mounting holes vertically penetrating therethrough, Plate portion; And a conductive module disposed in each of the plurality of mounting holes, wherein the plurality of mounting holes can be formed in the plate portion by a MEMS process

전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 장착구가 멤스 공정에 의해 형성되는바, 플레이트부에는 고밀도의 미세 간격으로 복수 개의 장착구가 형성될 수 있고, 장착구의 직경이 미세한 사이즈로 형성될 수 있다. 이에 따라, 복수 개의 장착구 각각에 배치되는 전도성 모듈이 균일하고 정확한 간격을 두고 고밀도로 배열될 수 있고, 전도성 모듈을 미세한 사이즈로 구현할 수 있다. 이를 통해, 파인 피치(Fine pitch)에 대응 가능한 연결 구조체가 구현될 수 있다.According to the above-mentioned problem solving means of the present invention, since the mounting hole is formed by the MEMS process, a plurality of mounting holes can be formed in the plate portion at a high density and at a minute interval, and the diameter of the mounting hole can be formed in a fine size . Thus, the conductive modules disposed in each of the plurality of mounting holes can be arranged at a high density with uniform and precise spacing, and the conductive module can be realized in a minute size. Thus, a connection structure capable of coping with a fine pitch can be realized.

도 1은 본원의 일 실시예에 따른 연결 구조체의 일 구현예의 개략적인 분해 단면도이다.
도 2의 (a)는 본원의 일 실시예에 따른 연결 구조체의 다른 구현예의 개략적인 분해 단면도이다.
도 2의 (b)는 도 2의 (a)에 따른 연결 구조체의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본원의 일 실시예에 따른 전도성 모듈의 다양한 구현예를 상측에서 바라본 단면 및 측면에서 바라본 단면을 도시한 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 2의 (b)에 도시된 본원의 일 실시예에 따른 전도성 모듈의 다른 구현예의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본원의 일 실시예에 따른 전도성 모듈의 또 다른 구현예의 개략적인 단면도이다.
도 6의 (a)는 도 5에 도시된 전도성 모듈을 포함하는 본원의 일 실시예에 따른 연결 구조체의 개략적인 분해 단면도이다.
도 6의 (b)는 도 6의 (a)에 따른 연결 구조체의 개략적인 단면도이다.
도 7 내지 10은 본원의 다른 실시예에 따른 연결 구초제의 개략적인 분해 단면도이다.
도 11은 본원의 일 실시예에 따른 연결 구조체의 개략적인 사시도이다.
도 12는 단면의 형상이 사각형인 장착구를 갖는 본원의 일 실시예에 따른 플레이트부의 개략적인 단면도이다.
도 13은 본원의 일 실시예에 따른 연결 구조체의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 블록도이다.
도 14는 본원의 일 실시예에 따른 플레이트부를 제작하는 단계를 설명하기 위한 개략적인 개념 순서도이다.1 is a schematic exploded cross-sectional view of one embodiment of a connection structure according to one embodiment of the present application.
2 (a) is a schematic exploded cross-sectional view of another embodiment of the connecting structure according to one embodiment of the present invention.
Fig. 2 (b) is a schematic cross-sectional view of the connection structure according to Fig. 2 (a).
3 is a schematic cross-sectional view illustrating a cross-section and a side view of various embodiments of the conductive module according to one embodiment of the present invention as viewed from above.
Figure 4 is a schematic cross-sectional view of another embodiment of a conductive module according to one embodiment of the present disclosure shown in Figure 2 (b).
5 is a schematic cross-sectional view of another embodiment of a conductive module according to one embodiment of the present application.
FIG. 6 (a) is a schematic exploded cross-sectional view of a connection structure according to an embodiment of the present invention including the conductive module shown in FIG.
6 (b) is a schematic cross-sectional view of the connection structure according to Fig. 6 (a).
Figures 7 to 10 are schematic exploded cross-sectional views of a linkage system according to another embodiment of the present invention.
11 is a schematic perspective view of a connection structure according to one embodiment of the present application.
Figure 12 is a schematic cross-sectional view of a plate portion according to one embodiment of the present invention having a mounting with a square cross-sectional shape.
13 is a schematic block diagram for explaining a method of manufacturing a connection structure according to an embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a schematic conceptual flowchart for explaining a step of manufacturing a plate portion according to an embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. It should be understood, however, that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In the drawings, the same reference numbers are used throughout the specification to refer to the same or like parts.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. Throughout this specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it is not limited to a case where it is "directly connected" but also includes the case where it is "electrically connected" do.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a member is " on " another member, it includes not only when the member is in contact with the other member, but also when there is another member between the two members.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.Throughout this specification, when an element is referred to as "including " an element, it is understood that the element may include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise. The terms "about "," substantially ", etc. used to the extent that they are used throughout the specification are intended to be taken to mean the approximation of the manufacturing and material tolerances inherent in the stated sense, Accurate or absolute numbers are used to help prevent unauthorized exploitation by unauthorized intruders of the referenced disclosure. The word " step (or step) "or" step "used to the extent that it is used throughout the specification does not mean" step for.

본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 “이들의 조합”의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.Throughout this specification, the term " combination thereof " included in the expression of the machine form means one or more combinations or combinations selected from the group consisting of the constituents described in the expression of the machine form, And the like.

참고로, 본원의 실시예에 관한 설명 중 방향이나 위치와 관련된 용어(상측, 상부, 상단, 하측, 하부, 하단 등)는 도면에 나타나 있는 각 구성의 배치 상태를 기준으로 설정한 것이다. 예를 들어, 도 1을 보았을 때 전반적으로 12시를 향한 방향이 상측, 전반적으로12시를 향한 부분이 상부, 전반적으로 12시를 향한 단부가 상단, 전반적으로 6시를 향한 방향이 하측, 전반적으로 6시를 향한 부분이 하부, 전반적으로 6시를 향한 단부가 하단 등이 될 수 있다.For the sake of reference, the terms related to directions and positions (upper, upper, upper, lower, lower, lower ends, etc.) in the description of the embodiments of the present application are set based on the arrangement state of each structure shown in the drawings. For example, when viewed from FIG. 1, the direction toward 12 o'clock as a whole is upward, the portion toward 12 o'clock as a whole is at the top, the end toward 12 o'clock as a whole is at the top, The lower part toward the 6 o'clock, the lower part toward the 6 o'clock, and the like.

본원은 연결 구조체의 제조 방법 및 연결 구조체에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a connection structure and a connection structure.

먼저, 본원의 일 실시예에 따른 연결 구조체(이하 '본 연결 구조체'라 함)에 대해 설명하고, 그 후 본원의 일 실시예에 따른 연결 구조체의 제조 방법에 대해 설명한다.First, a connection structure according to an embodiment of the present invention (hereinafter referred to as " connection structure ") will be described, and then a method of manufacturing a connection structure according to an embodiment of the present invention will be described.

도 1은 본원의 일 실시예에 따른 연결 구조체의 일 구현예의 개략적인 분해 단면도이고, 도 2의 (a)는 본원의 일 실시예에 따른 연결 구조체의 다른 구현예의 개략적인 분해 단면도이며, 도 2의 (b)는 도 2의 (a)에 따른 연결 구조체의 개략적인 단면도이고, 도 3은 본원의 일 실시예에 따른 전도성 모듈의 다양한 구현예를 상측에서 바라본 단면 및 측면에서 바라본 단면을 도시한 개략적인 단면도이며, 도 4는 도 2의 (b)에 도시된 본원의 일 실시예에 따른 전도성 모듈의 다른 구현예의 개략적인 단면도이고, 도 5는 본원의 일 실시예에 따른 전도성 모듈의 또 다른 구현예의 개략적인 단면도이며, 도 6의 (a)는 도 5에 도시된 전도성 모듈을 포함하는 본원의 일 실시예에 따른 연결 구조체의 개략적인 분해 단면도이고, 도 6의 (b)는 도 6의 (a)에 따른 연결 구조체의 개략적인 단면도이며, 도 7은 본원의 일 실시예에 따른 연결 구조체의 개략적인 사시도이다.Figure 1 is a schematic exploded cross-sectional view of one embodiment of a connection structure according to one embodiment of the present application, Figure 2 (a) is a schematic exploded cross-sectional view of another embodiment of the connection structure according to one embodiment of the present application, (B) is a schematic cross-sectional view of the connection structure according to FIG. 2 (a), and FIG. 3 is a cross-sectional view of the conductive module according to one embodiment of the present invention, Figure 4 is a schematic cross-sectional view of another embodiment of a conductive module according to one embodiment of the present disclosure shown in Figure 2 (b), and Figure 5 is a cross-sectional view of another embodiment of a conductive module according to one embodiment of the present invention 6 (a) is a schematic exploded cross-sectional view of a connection structure according to an embodiment of the present invention including the conductive module shown in Fig. 5, and Fig. 6 (b) is a cross- (a) of the connecting structure 7 is a schematic perspective view of a connection structure according to one embodiment of the present application.

본 연결 구조체는 제1 대상물과 제2 대상물을 전기적으로 연결시키는 연결 구조체이다. 제1 대상물 및 제2 대상물은 본원에 한정되지 않으며, 본 연결 구조체가 적용되는 분야에 따라, 제1 대상물 및 제2 대상물은 달라질 수 있다. 예시적으로, 본 연결 구조체가 반도체 패키지 검사용 소켓에 적용되는 경우, 제1 대상물은 반도체 패키지가 될 수 있고, 제2 대상물은 인쇄 회로 기판(PCB 기판)이 될 수 있다. 또는, 다른 예로서, 본 연결 구조체가 패널의 점등 검사 등을 수행하는 프로브 카드에 적용되는 경우, 제1 대상물은 패널이 될 수 있고, 제2 대상물은 인쇄 회로 기판이 될 수 있다.The connection structure is a connection structure for electrically connecting the first object and the second object. The first object and the second object are not limited to the present invention, and depending on the field to which the present connection structure is applied, the first object and the second object may be different. Illustratively, when the present connection structure is applied to a socket for inspecting a semiconductor package, the first object may be a semiconductor package and the second object may be a printed circuit board (PCB). Alternatively, as another example, when the present connection structure is applied to a probe card that performs lighting inspection of a panel, the first object may be a panel, and the second object may be a printed circuit board.

도 1을 참조하면, 본 연결 구조체는 상하로 통공되는 장착구(113) 복수 개가 형성된 플레이트부(11)를 포함한다. 복수 개의 장착구(113)는 서로 일정 간격을 두고 형성될 수 있다.Referring to FIG. 1, the connection structure includes a plate portion 11 having a plurality of mounting holes 113, which are vertically penetrated. The plurality of mounting holes 113 may be formed at regular intervals from each other.

또한, 도 1을 참조하면, 본 연결 구조체는 복수 개의 장착구(113) 각각에 배치되는 전도성 모듈(12)을 포함한다. 전도성 모듈(12)의 상단은 제1 대상물에 접촉될 수 있다. 또한, 전도성 모듈(12)의 하단은 제2 대상물에 접촉될 수 있다. 전도성 모듈(12)의 상단 및 하단 각각이 제1 대상물 및 제2 대상물 각각에 접촉된 경우, 전도성 모듈(12)은 제1 대상물과 제2 대상물을 전기적으로 연결할 수 있다. 다시 말해, 제1 대상물에서 출력된 신호는 전도성 모듈(12)을 통해 제2 대상물에 전달될 수 있다. 또는, 제2 대상물에서 출력된 신호는 전도성 모듈(12)을 통해 제1 대상물에 전달될 수 있다.1, the present connection structure includes a conductive module 12 disposed in each of the plurality of mounting holes 113. [ The upper end of the conductive module 12 may be in contact with the first object. In addition, the lower end of the conductive module 12 may contact the second object. When the upper and lower ends of the conductive module 12 are in contact with the first object and the second object, respectively, the conductive module 12 can electrically connect the first object and the second object. In other words, the signal output from the first object may be transmitted to the second object via the conductive module 12. [ Alternatively, a signal output from the second object may be transmitted to the first object through the conductive module 12. [

또한, 플레이트부(11)에 있어서, 복수 개의 장착구(113)는 멤스(MEMS) 공정에 의해 형성된다. 여기서 멤스 공정은 실리콘 웨이퍼를 이용한 포토리소그래피 공정을 포함한다. 이러한 멤스 공정에 의해, 플레이트부(11)에는 고밀도의 미세 간격으로 복수 개의 장착구(113)가 형성될 수 있다. 또한, 장착구(113)의 직경은 미세한 사이즈로 형성 가능할 수 있다.In the plate portion 11, a plurality of mounting holes 113 are formed by a MEMS process. Here, the MEMS process includes a photolithography process using a silicon wafer. By this MEMS process, a plurality of mounting holes 113 can be formed in the plate portion 11 at a high density and at a minute interval. Further, the diameter of the mounting hole 113 can be formed in a fine size.

이에 따라, 복수 개의 장착구(113) 각각에 배치되는 전도성 모듈(12)이 균일하고 정확한 간격을 두고 고밀도로 배열될 수 있고, 전도성 모듈(12)의 직경이 미세한 사이즈로 구현될 수 있다. 다시 말해, 본 연결 구조체는 파인 피치(Fine pitch)에 대응하여 구현될 수 있다.Accordingly, the conductive modules 12 disposed in each of the plurality of mounting holes 113 can be arranged at a high density with uniform and precise spacing, and the diameter of the conductive module 12 can be realized in a minute size. In other words, this connection structure can be implemented corresponding to a fine pitch.

또한, 장착구(113)는 플레이트부(11)에 전도성 모듈(12)이 결합 및 고정이 될 수 있도록 그 상단 및 하단에 각각 단차가 생기도록 형성될 수 있다. 즉, 장착구(113)의 상단 및 하단의 직경의 크기가 그 중심부이 직경의 크기보다 작게 형성될 수 있다. In addition, the mounting hole 113 may be formed to have a step at an upper end and a lower end of the plate portion 11 so that the conductive module 12 can be coupled and fixed to the plate portion 11. That is, the diameter of the upper end and the lower end of the mounting hole 113 may be smaller than the diameter of the center portion.

이러한 플레이트부(11)는, 도 1에 나타난 바와 같이, 하나의 플레이트 층으로 이루어질 수 있다. 다시 말해, 하나의 플레이트 층이 플레이트부(11)일 수 있다.The plate portion 11 may be formed of one plate layer as shown in Fig. In other words, one plate layer may be the plate portion 11.

이때, 플레이트 층(플레이트부(11))은 그 표면에 절연막이 형성되도록 산화 처리된 것일 수 있다.At this time, the plate layer (plate portion 11) may be oxidized to form an insulating film on the surface thereof.

예시적으로, 플레이트 층은 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 또한, 절연막은 이산화규소(SiO2)일 수 있다. 이에 따라, 이에 따라, 전도성 모듈(12)이 제1 대상물과 제2 대상물을 전기적으로 연결할 때, 전도성 모듈(12)에 대한 전기적 간섭이 발생하는 것이 방지될 수 있고, 전기적 노이즈의 발생 없이 전기적 신호가 제1 대상물과 제2 대상물을 연결할 수 있다. Illustratively, the plate layer may be a silicon wafer. Further, the insulating film may be silicon dioxide (SiO2). Accordingly, when the conductive module 12 electrically connects the first object and the second object, it is possible to prevent the electrical interference to the conductive module 12 from occurring, and the electrical signal Can connect the first object and the second object.

특히, 전도성 모듈(12)에 대한 전기적 간섭의 발생을 방지하기 위해, 절연막은 플레이트 층의 장착구(113)의 내주면 상에 형성되어야 하며, 바람직하게는, 실리콘 웨이퍼(111)의 표면 전체에 형성 되어야 한다.Particularly, in order to prevent the occurrence of electrical interference with the conductive module 12, the insulating film should be formed on the inner circumferential surface of the mounting hole 113 of the plate layer, preferably formed on the entire surface of the silicon wafer 111 .

또한, 도 2의 (a)를 참조하면, 플레이트부(11)는, 각각에 복수 개의 장착구(113)가 형성된 복수 개의 플레이트 층이 상하로 적층된 것일 수 있다. 예시적으로, 도 2에 나타난 바와 같이, 플레이트부(11)는 두 개의 플레이트 층(111, 112)을 포함할 수 있다. 이러한 경우, 도 2의 (b)에 나타난 바와 같이, 하나의 플레이트 층(111)의 장착구(113)에는 전도성 모듈(12)의 상부가 위치할 수 있고, 다른 플레이트 층(112)의 장착구(113)에는 전도성 모듈(12)의 하부가 위치할 수 있다. 2 (a), the plate portion 11 may be formed by vertically stacking a plurality of plate layers each having a plurality of mounting holes 113 formed therein. Illustratively, as shown in FIG. 2, the plate portion 11 may include two plate layers 111, 112. In this case, as shown in FIG. 2 (b), the upper portion of the conductive module 12 may be positioned in the mounting hole 113 of one plate layer 111, And the lower portion of the conductive module 12 may be positioned on the upper surface 113.

이로 인해, 다양한 형상의 전도성 모듈(12)을 플레이트부(11)에 용이하게 결합할 수 있다. 또한, 전도성 모듈(12)의 길이가 긴 경우, 플레이트부(11)의 두께도 두꺼워져야 하는데, 복수 개의 장착구(113)가 형성된 플레이트 층을 복수 개 적층함으로써, 플레이트부(11)의 두께를 용이하게 조절할 수 있다. 이러한 플레이트부(11)가 포함하는 플레이트 층의 개수는 본원에 한정되지 않는다. 예를 들어, 플레이트부(11)는 3 개, 4 개 등의 플레이트 층이 상하로 적층됨으로써 구현될 수 있다.As a result, the conductive module 12 of various shapes can be easily coupled to the plate portion 11. [ When the length of the conductive module 12 is long, the thickness of the plate portion 11 must be increased. By stacking a plurality of plate layers on which the plurality of mounting holes 113 are formed, It can be easily adjusted. The number of the plate layers included in the plate portion 11 is not limited to the present invention. For example, the plate portion 11 can be realized by stacking three, four, etc. plate layers vertically.

이와 같이, 플레이트부(11)가 복수 개의 플레이트 층으로 이루어진 경우에도 복수 개의 플레이트 층 각각은 그 표면에 절연막이 형성되도록 산화 처리될 수 있다.In this way, even when the plate portion 11 is formed of a plurality of plate layers, each of the plurality of plate layers can be oxidized so that an insulating film is formed on the surface thereof.

상술한 바와 같이, 예시적으로, 플레이트 층은 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 또한, 절연막은 이산화규소(SiO2)일 수 있다. 또한, 전도성 모듈(12)에 대한 전기적 간섭의 발생을 방지하기 위해, 절연막은 특히 플레이트 층의 장착구(113)의 내주면 상에 형성되어야 하며, 바람직하게는, 실리콘 웨이퍼(111)의 표면 전체에 형성 되어야 한다.As described above, by way of example, the plate layer may be a silicon wafer. Further, the insulating film may be silicon dioxide (SiO2). In order to prevent the occurrence of electrical interference with the conductive module 12, the insulating film should be formed on the inner circumferential surface of the mounting portion 113 of the plate layer, and preferably on the entire surface of the silicon wafer 111 Should be formed.

한편, 도 3의 (a)를 참조하면, 전도성 모듈(12)은 전도성 파우더 유닛(121) 및 전도성 파우더 유닛(121)의 외주를 따라 구비되는 하우징(122)을 포함할 수 있다.3 (a), the conductive module 12 may include a housing 122 provided along the outer periphery of the conductive powder unit 121 and the conductive powder unit 121.

전도성 파우더 유닛(121)의 재질은 전도성 재질일 수 있다. 또한, 전도성 파우더 유닛(121)의 재질은 탄성을 가질 수 있다. 이에 따라, 전도성 파우더 유닛(121)의 제1 대상물 또는 제2 대상물에 대한 접촉시 발생하는 압력이 수용되어 내구성이 향상될 수 있다. 예시적으로, 전도성 파우더 유닛(121)은 전도성 파우더로 이루어질 수 있는데, 예시적으로, 전도성 파우더는 골드 파우더(gold powder)일 수 있다. The material of the conductive powder unit 121 may be a conductive material. Further, the material of the conductive powder unit 121 may have elasticity. Accordingly, the pressure generated when the conductive powder unit 121 contacts the first object or the second object can be accommodated and the durability can be improved. Illustratively, the conductive powder unit 121 may be comprised of a conductive powder, illustratively, the conductive powder may be a gold powder.

또한, 도 3의 (b) 및 (d)를 참조하면, 전도성 모듈(12)은 전도성 파우더 유닛(121)의 내부에 상하 방향으로 연장 구비되는 탄성 부재(123)를 포함할 수 있다.3 (b) and 3 (d), the conductive module 12 may include an elastic member 123 extending in the vertical direction inside the conductive powder unit 121.

예시적으로, 탄성 부재(123)는 스프링 형상일 수 있다. 이러한 경우, 도 3의 (b) 및 (d)의 전도성 모듈(12)을 상측에서 바라본 단면도에 나타난 바와 같이, 탄성 부재(123)는 하우징(122)의 내주면과 접촉되며 배치될 수 있다. 예시적으로, 탄성 부재(123)는 마이크로 스프링일 수 있다.Illustratively, the elastic member 123 may be spring-shaped. In this case, the elastic member 123 may be disposed in contact with the inner circumferential surface of the housing 122, as shown in the cross-sectional view of the conductive module 12 of Figs. 3 (b) Illustratively, the elastic member 123 may be a microspring.

탄성 부재(123)는 전도성 모듈(12)의 제1 대상물 또는 제2 대상물에 대한 접촉시 The elastic member 123 is configured to be in contact with the first object or the second object of the conductive module 12

예시적으로, 본 연결 구조체는, 반도체 패키지 검사용 소켓으로 적용될 수 있다. 이러한 경우, 제1 대상물은 반도체 패키지이고, 제2 대상물은 인쇄 회로 기판이 되며, 본 연결 구조체는 인쇄 회로 기판과 연결된 상태에서 상하 방향으로 구동하며 반도체 패키지에 접촉되거나 또는 접촉 해제됨으로써, 반도체 패키지에 대한 검사를 수행할 수 있다. Illustratively, the connection structure can be applied as a socket for inspecting a semiconductor package. In this case, the first object is a semiconductor package, the second object is a printed circuit board, and the connecting structure is vertically driven with the printed circuit board connected to the semiconductor package, Can be performed.

이와 같은 반도체 패키지에 대한 검사 시, 본 연결 구조체는 탄성 부재(123)를 통해, 반도체 패키지에 대한 접촉시 발생하는 압력을 수용하여 전도성 모듈(12)의 내구성 및 수명을 확보할 수 있다.When the semiconductor package is inspected, the connection structure receives the pressure generated upon contact with the semiconductor package through the elastic member 123, thereby securing the durability and lifetime of the conductive module 12.

참고로, 도 3의 (b)에 도시된 탄성 부재(123)와 도 3의 (d)에 도시된 탄성 부재(123)는 동일한 형상으로서, 다만, 도 3의 (b)에는 탄성 부재(123)의 정면을 도시하였고, 도 3의 (d)에는 탄성 부재(123)의 단면을 도시하였다.3 (b) and 3 (d) have the same shape. However, the elastic member 123 shown in FIG. 3 (b) FIG. 3 (d) shows a cross section of the elastic member 123. FIG.

또한, 도 3의 (c) 및 (d)를 참조하면, 전도성 모듈(12)은 전도성 파우더 유닛(121)의 내부에 상하 방향으로 연장 구비되는 와이어(124)를 포함할 수 있다. 와이어는 전도성 재질일 수 있다. 이에 따라, 전도성 모듈(12)을 통한 전기적 신호의 연결성을 보다 극대화할 수 있다. 참고로, 와이어(124)는 하나 이상 구비될 수 있다. 또한, 와이어(124)는 미세 와이어일 수 있다.3 (c) and 3 (d), the conductive module 12 may include a wire 124 extending in the vertical direction inside the conductive powder unit 121. The wire may be a conductive material. Thus, the connectivity of the electrical signal through the conductive module 12 can be maximized. For reference, at least one wire 124 may be provided. Further, the wire 124 may be a fine wire.

한편, 하우징(122)의 재질은, 러버(rubber)일 수 있다. 이에 따라, 상술한 바와 같이, 탄성을 갖는 전도성 모듈(12)의 탄성 구동에 연계되어 하우징(122) 또한 탄성 구동할 수 있다. Meanwhile, the material of the housing 122 may be rubber. Accordingly, as described above, the housing 122 can also be elastically driven in association with the elastic driving of the elastic conductive module 12.

또는, 하우징(122)의 재질은 금속일 수 있다.Alternatively, the material of the housing 122 may be metal.

하우징(122)의 재질이 금속인 경우, 도 4에 도시된 바와 같이, 전도성 파우더 유닛(121)의 상단은 하우징(122)의 상단보다 상측으로 더 돌출될 수 있다. 또한, 전도성 파우더 유닛(121)의 하단은 하우징(122)의 하단보다 하측으로 더 돌출될 수 있다. 이에 따라, 하우징(122)이 비탄성 재질인 금속이더라도, 전도성 파우더 유닛(121)은 하우징(122)과 별개로 대상물에 대한 접촉시 탄성 구동할 수 있다.When the housing 122 is made of metal, the upper end of the conductive powder unit 121 may protrude more upward than the upper end of the housing 122, as shown in FIG. In addition, the lower end of the conductive powder unit 121 may protrude further downward than the lower end of the housing 122. Accordingly, even when the housing 122 is made of an inelastic material, the conductive powder unit 121 can be elastically driven upon contact with an object independently of the housing 122. [

한편, 전도성 모듈(12)의 다른 구현예로서, 도 5 및 도 6을 참조하면, 전도성 모듈(12)은, 상단으로부터 하측으로 함몰된 함몰구(1291)가 형성된 하우징(129), 함몰구(1291)의 상단에 삽입되는 핀(128), 핀(128)의 하부로부터 파측으로 연장되어 함몰구(1291) 내에 구비되는 탄성체(127)를 포함할 수 있다.5 and 6, the conductive module 12 includes a housing 129 having a depression 1291 depressed downward from the top, a depression (not shown) A pin 128 inserted into the upper end of the pin 1291 and an elastic body 127 extending from the lower portion of the pin 128 to the wave side and provided in the depression 1291.

이때, 하우징(129), 핀(128) 및 탄성체(127) 각각의 재질은 금속일 수 있다. 여기서, 핀(128)은 제1대상물, 예컨대, 반도체 패키지에 접촉하는 부재이며, 그 접촉되는 부분의 형상은 원기둥 형상일 수 있으며, 그 외의 크라운 형상, 오목한 형상으로 변형될 수 있다. 또한, 핀(128)은 Be-Cu 합금일 수 있으나, 그 외 다른 금속일 수 있다.At this time, the material of each of the housing 129, the pin 128 and the elastic body 127 may be metal. Here, the pin 128 is a member that contacts the first object, for example, a semiconductor package, and the shape of the contact portion may be a columnar shape and may be deformed into other crown shape or concave shape. In addition, pin 128 may be a Be-Cu alloy, but may be other metals.

한편, 핀(127)이 제1 대상물로부터 수용한 전기적 신호는 핀(128)과 직접 및 간접적(탄성체(127)를 통한 접촉)으로 접촉된 하우징(129)을 통해 제2 대상물로 전달될 수 있다. 또한, 제2 대상물로부터 하우징(129)이 수용한 전기적 신호는 하우징(129)과 직접 및 간접적으로 접촉된 핀(128)을 통해 제1 대상물에 전달될 수 있다. 또한, 탄성체(127)에 의해, 핀(128)은 탄성 구동할 수 있다. On the other hand an electrical signal received by the pin 127 from the first object can be transmitted to the second object via the housing 129 which is in contact with the pin 128 directly and indirectly (via the elastic 127) . Electrical signals received by the housing 129 from the second object can also be transmitted to the first object through the pin 128 that is in direct and indirect contact with the housing 129. Further, the elastic body 127 allows the pin 128 to be driven elastically.

도 7 내지 도 10은 각각 전도성 모듈(12)의 다른 실시예를 도시하고 있다. Figures 7 to 10 illustrate another embodiment of the conductive module 12, respectively.

먼저, 도 7 은 탄성체로 이루어진 판재 형상의 전도성 모듈(12)을 도시하고 있다.First, FIG. 7 shows a conductive module 12 in the form of a plate made of an elastic body.

이러한 전도성 모듈(12)은 예컨대, 반도체 패키지와 접촉하는 팁부(1201), 팁부(1201)와 연결되며, ㄷ자 형상에 의해 스프링 작용을 행하는 스프링부(1202) 및 스프링부(1202)와 연결되며, 인쇄회로기판과 접촉하는 접속부(1203)를 포함한다. 또한, 전도성 모듈(12)는 멤스 공정 또는 기계 가공 공정에 의해 판재 형상으로 제작될 수 있다. The conductive module 12 includes a tip portion 1201 contacting the semiconductor package, a spring portion 1202 connected to the tip portion 1201 and having a U-shaped spring action, and a spring portion 1202, And a connection portion 1203 that contacts the printed circuit board. Also, the conductive module 12 can be formed into a plate shape by a MEMS process or a machining process.

도 8은 도 7에 도시된 전도성 모듈(12)의 스프링부(1202)의 다양한 구현예를 도시하고 있다.FIG. 8 shows various embodiments of the spring portion 1202 of the conductive module 12 shown in FIG.

이와 같이, 전도성 모듈(12)의 스프링부를 멤스 공정 또는 기계 가공 공정을 통해 다양한 형상으로 제작함으로써, 각 전도성 모듈이 필요로 하는 탄성의 정도를 조절할 수 있다. As described above, the spring portion of the conductive module 12 can be formed into various shapes through the MEMS process or the machining process, so that the degree of elasticity required by each conductive module can be controlled.

또한, 도 7, 도 9 및 도 10의 실시예에서는 플레이트부(11)의 장착구의 하단에 단차를 형성하지 않고, 장착구에 전도성 모듈(12) 에 삽입한 후, 플레이트부(11)의 하면에 필름부(13)를 형성할 수 있다. 이러한 구성에 의해, 전도성 모듈(12)을 플레이트부(11)에 용이하게 결합할 수 있다.7, 9, and 10, a step is not formed at the lower end of the mounting portion of the plate portion 11, and after inserting the mounting portion into the conductive module 12, the lower surface of the plate portion 11 The film portion 13 can be formed. With this configuration, the conductive module 12 can be easily coupled to the plate portion 11. [

다음에, 도 9는 핀(1204), 핀(1204)과 연결되며, 판재 형상 또는 원형으로 이루어진 탄성부(1205)를 포함하는 전도성 모듈(12)을 도시하고 있다. Next, FIG. 9 shows a conductive module 12 including an elastic portion 1205 that is connected to a pin 1204, a pin 1204, and is formed into a plate-like shape or a circular shape.

핀(1204)은 예컨대, 반도체 패키지와 접촉하는 부분으로서, 그 상단부가 하단부보다 직경 또는 두께가 작게 형성되어 단차를 갖고 있다. 예컨대, 도 9에 도시된 바와 같이, 핀(1204)의 상단부, 하단부, 중심부의 순으로 그 직경 또는 두께가 커질 수 있다. 즉, 도 9에서의 핀(1204)은 상단부와 중심부간의 단차와, 중심부와 하단부간의 단차를 갖고 있다. 이러한 구성에 의해, 핀(1204)의 단차가 장착구(113)의 단차에 대응하게 되어, 핀(1204)을 플레이트부(11)에 용이하게 결합할 수 있다. 탄성부(1205)는 전도성 모듈(12)이 반도체 패키지와 접촉할 때, 스프링 작용을 행하는 부분이다. 여기서, 탄성부(1205)의 직경 또는 두께는 핀(1204)의 직경 또는두께보다 작을 수 있으며, 탄성부(1205)는 핀(1204)의 내부에 삽입, 결합될 수 있다. The fin 1204 is, for example, a portion in contact with the semiconductor package, and its upper end portion is formed to be smaller in diameter or thickness than the lower end portion, and has a step. For example, as shown in Fig. 9, the diameter or the thickness of the pin 1204 may be increased in the order of the upper end portion, the lower end portion, and the center portion. That is, the pin 1204 in Fig. 9 has a step between the upper end and the central portion and a step between the central portion and the lower end. With this configuration, the stepped portion of the pin 1204 corresponds to the stepped portion of the mounting hole 113, so that the pin 1204 can be easily coupled to the plate portion 11. The elastic portion 1205 is a portion that performs a spring action when the conductive module 12 contacts the semiconductor package. Here, the diameter or thickness of the elastic portion 1205 may be smaller than the diameter or the thickness of the pin 1204, and the elastic portion 1205 may be inserted and coupled to the inside of the pin 1204.

다음에, 도 10은 도 9의 전도성 모듈(12)의 다른 구현예를 도시하고 있다. Next, Fig. 10 shows another embodiment of the conductive module 12 of Fig.

도 10의 전도성 모듈(12)은 도 9의 전도성 모듈(12)과 그 구성이 유사하나, 탄성부(1205)의 두께가 도 9의 경우보다 넓다는 점이 상이하다. The conductive module 12 of FIG. 10 is similar in construction to the conductive module 12 of FIG. 9, except that the thickness of the elastic portion 1205 is wider than that of FIG.

도 10의 탄성부(1205)는 판재 형상으로 형성되며, 전도성 모듈(12)이 반도체 패키지와 접촉할 때, 스프링 작용을 행한다.The elastic portion 1205 of Fig. 10 is formed in a plate shape and performs a spring action when the conductive module 12 contacts the semiconductor package.

또한, 도 1, 도 2, 도 6 내지 도 11을 참조하면, 본 연결 구조체는 플레이트부(11)의 테두리를 따라 구비되는 하우징 프레임(3)을 포함할 수 있다. 1, 2, and 6 to 11, the connection structure may include a housing frame 3 provided along the rim of the plate portion 11. In addition,

한편, 장착구(113)의 단면의 형상은 원형일 수 있다. 이러한 경우, 도 3에 도시된 바와 같이, 전도성 모듈(12)의 단면의 형상은 원형일 것이다. 또는, 장착구(113)의 단면의 형상은 도 12를 참조하면, 사각형일 수 있다. 이러한 경우, 전도성 모듈(12)의 단면의 형상은 사각형일 것이다.On the other hand, the shape of the cross section of the mounting opening 113 may be circular. In such a case, as shown in Fig. 3, the shape of the cross section of the conductive module 12 may be circular. Alternatively, the shape of the cross section of the mounting hole 113 may be a rectangle with reference to FIG. In this case, the shape of the cross section of the conductive module 12 may be a rectangle.

한편, 이하에서는 전술한 본원의 일 실시예에 따른 연결 구조체를 제조하기 위한 본원의 일 실시예에 따른 연결 구조체의 제조 방법(이하 '본 제조 방법'이라 함)에 대해 설명한다. 다만, 앞서 살핀 본원의 일 실시예에 따른 연결 구조체에서 설명한 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.Hereinafter, a method for manufacturing a connection structure according to an embodiment of the present invention for manufacturing a connection structure according to an embodiment of the present invention (hereinafter referred to as "the present manufacturing method") will be described. However, the same reference numerals are used for the same or similar components as those described in connection structure according to one embodiment of the present application, and redundant description will be simplified or omitted.

도 13은 본원의 일 실시예에 따른 연결 구조체의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 블록도이고, 도 14는 본원의 일 실시예에 따른 플레이트부를 제작하는 단계를 설명하기 위한 개략적인 개념 순서도이다.FIG. 13 is a schematic block diagram for explaining a method of manufacturing a connection structure according to an embodiment of the present invention, and FIG. 14 is a schematic conceptual flowchart for explaining a step of manufacturing a plate portion according to an embodiment of the present invention.

도 13을 참조하면, 본 제조 방법은, 상하로 통공되는 장착구(113) 복수 가 형성되는 플레이트부(11)를 제작하는 단계(S100), 복수 개의 전도성 모듈(12)을 제작하는 단계(S300) 및 플레이트부(11)와 전도성 모듈(12)을 결합하는 단계(S500)를 포함한다. 참고로, S300 단계는 S100 단계의 이전, 이후 또는 동시에 수행될 수 있다. 13, the manufacturing method includes a step (S100) of fabricating a plate portion (11) in which a plurality of mounting holes (113) are vertically drilled, a plurality of conductive modules (12) And coupling the plate portion 11 and the conductive module 12 (S500). For reference, step S300 may be performed before, after, or simultaneously with step S100.

플레이트부(11)를 제작하는 단계(S100)에서, 복수 개의 장착구(113)는 멤스 공정, 즉, 실리콘 웨이퍼(111)를 이용한 포토리소그래피 공정에 의해 플레이트부(11)에 형성된다.A plurality of mounting holes 113 are formed in the plate portion 11 by a MEMS process, that is, a photolithography process using a silicon wafer 111, in a step S100 of manufacturing the plate portion 11. [

예시적으로, 플레이트부(11)가 하나의 플레이트 층으로 이루어지는 경우, 플레이트부(11)를 제작하는 단계(S100)은 이하와 같이 수행될 수 있다.Illustratively, when the plate portion 11 is formed of one plate layer, the step S100 of manufacturing the plate portion 11 may be performed as follows.

플레이트부(11)를 제작하는 단계(S100)는, 도 14의 (a)에 나타난 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(111)를 준비하는 단계를 포함할 수 있다.Step S100 of manufacturing the plate portion 11 may include preparing the silicon wafer 111 as shown in Fig. 14 (a).

또한, 플레이트부(11)를 제작하는 단계(S100)는, 도 14의 (b) 내지 (e)를 참조하면, 포토리소그래피 공정을 이용해 실리콘 웨이퍼(111)에 복수 개의 장착구(113)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 예시적으로, 장착구(113)를 형성하는 단계는, 도 14의 (b)에 나타난 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(111) 상에 포토 레지스트층(9)을 배치하는 단계, 도 14의 (c)에 나타난 바와 같이, 포토 레지스트층(9)에 복수 개의 장착구(113)와 대응하는 패턴을 패터닝하는 단계, 도 14의 (d)에 나타난 바와 같이, 패터닝된 포토 레지스트층(9)을 이용해 실리콘 웨이퍼(111)에 복수 개의 장착구(113)를 형성하는 단계 및 도 14의 (e)에 나타난 바와 같이, 포토 레지스트층(9)을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 14 (b) to (e), the step (S100) of manufacturing the plate portion 11 includes a step of forming a plurality of mounting holes 113 in the silicon wafer 111 by using a photolithography process . Illustratively, the step of forming the mounting hole 113 includes the steps of disposing a photoresist layer 9 on the silicon wafer 111 as shown in Fig. 14 (b) , Patterning a pattern corresponding to the plurality of mounting apertures 113 on the photoresist layer 9 as shown in Fig. 14 (d), using the patterned photoresist layer 9, The step of forming a plurality of mounting holes 113 on the wafer 111 and the step of removing the photoresist layer 9 as shown in Fig. 14 (e) may be included.

또한, 플레이트부(11)를 제작하는 단계(S100)는, 도 14의 (f)를 참조하면, 실리콘 웨이퍼(111)의 표면 상에 절연막(119)이 형성되도록, 실리콘 웨이퍼(111)를 산화시키는 단계를 포함할 수 있다. 특히, 절연막(119)은 장착구(113)의 내주면 상에 형성되어야 하며, 실리콘 웨이퍼(111)의 표면 전체에 형성됨이 바람직하다. 14 (f), the silicon wafer 111 is oxidized so that the insulating film 119 is formed on the surface of the silicon wafer 111. In the step (S100) of manufacturing the plate portion 11, . ≪ / RTI > In particular, the insulating film 119 should be formed on the inner circumferential surface of the mounting hole 113 and formed on the entire surface of the silicon wafer 111.

이때, 실리콘 웨이퍼는 규소(Si)인바, 절연막은 이산화규소(SiO2)일 수 있다.At this time, the silicon wafer may be silicon (Si), and the insulating film may be silicon dioxide (SiO 2).

또는, 플레이트부(11)를 제작하는 단계(S100)의 다른 구현예로서, 플레이트부(11)를 제작하는 단계는, 멤스 공정을 이용해 하나의 플레이트 층(111)에 복수 개의 장착구(113)를 형성하는 단계, 멤스 공정을 이용해 다른 플레이트 층(112)에 복수 개의 장착구(113)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.Alternatively, the step of fabricating the plate portion 11 may include the step of forming a plurality of mounting holes 113 in one plate layer 111 by using a MEMS process, And forming a plurality of mounting holes 113 in the other plate layer 112 using the MEMS process.

이때, 멤스 공정을 이용해 하나의 플레이트 층(111)에 복수 개의 장착구(113)를 형성하는 단계는, 도 14의 (a)에 나타난 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(111)를 준비하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 도 14의 (b) 내지 (e)를 참조하면, 포토리소그래피 공정을 이용해 실리콘 웨이퍼(111)에 복수 개의 장착구(113)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 도 14의 (f)를 참조하면, 실리콘 웨이퍼(111)의 표면 상에 절연막(119)이 형성되도록, 실리콘 웨이퍼(111)를 산화시키는 단계를 포함할 수 있다. 특히, 절연막(119)은 장착구(113)의 내주면 상에 형성되어야 하며, 실리콘 웨이퍼(111)의 표면 전체에 형성됨이 바람직하다. At this time, the step of forming the plurality of mounting holes 113 in one plate layer 111 using the MEMS process includes a step of preparing the silicon wafer 111 as shown in FIG. 14 (a) . 14 (b) to 14 (e), a step of forming a plurality of mounting holes 113 in the silicon wafer 111 using a photolithography process may be included. 14 (f), the step of oxidizing the silicon wafer 111 may include the step of oxidizing the silicon wafer 111 so that the insulating film 119 is formed on the surface of the silicon wafer 111. In particular, the insulating film 119 should be formed on the inner circumferential surface of the mounting hole 113 and formed on the entire surface of the silicon wafer 111.

이때, 실리콘 웨이퍼는 규소(Si)이고, 절연막은 이산화규소(SiO2)일 수 있다.At this time, the silicon wafer may be silicon (Si), and the insulating film may be silicon dioxide (SiO2).

또한, 다른 플레이트 층(112)에 복수 개의 장착구(113)를 형성하는 단계는 하나의 플레이트 층(111)에 복수 개의 장착구(113)를 형성하는 단계와 동일하게 이루어질 수 있다. The step of forming the plurality of mounting holes 113 in the other plate layer 112 may be the same as the step of forming the plurality of mounting holes 113 in one plate layer 111.

또한, 다른 구현예에 따라 플레이트부의 제작이 이루어지는 경우, 플레이트부(11)와 복수 개의 전도성 모듈(12)을 결합하는 단계는, 하나의 플레이트 층(111)에 복수 개의 전도성 모듈을 삽입하는 단계 및 하나의 플레이트 층(111) 상에 다른 플레이트 층(112)을 적층하는 단계를 포함할 수 있다. 이때, 다른 플레이트 층(112)은 그의 복수 개의 장착구(113)가 하나의 플레이트 층(111)에 삽입된 복수 개의 전도성 모듈(12) 각각이 위치하도록 적층될 수 있다. In addition, when the plate portion is manufactured according to another embodiment, the step of joining the plate portion 11 and the plurality of conductive modules 12 includes the steps of inserting a plurality of conductive modules into one plate layer 111 and And stacking another plate layer 112 on one plate layer 111. [ At this time, the other plate layer 112 may be laminated such that each of the plurality of the conductive modules 12 inserted into one plate layer 111 is positioned.

이에 따라, 복수 개의 플레이트 층이 상하로 적층된 플레이트부(11)를 포함하는 연결 구조체가 구현될 수 있다. 참고로, 본원에서는, 플레이트 층이 2 개인 경우를 예로 들어 일 실시예를 구현하였지만, 다른 구현예로서, 플레이트 층은 3 개, 4 개 등일 수 있다.Accordingly, a connection structure including a plate portion 11 in which a plurality of plate layers are stacked up and down can be realized. For reference, in this embodiment, one embodiment is implemented by taking the case of two plate layers as an example, but as another embodiment, the plate layer may be three, four, and the like.

전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.It will be understood by those of ordinary skill in the art that the foregoing description of the embodiments is for illustrative purposes and that those skilled in the art can easily modify the invention without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single entity may be distributed and implemented, and components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

11: 플레이트부 111: 하나의 플레이트 층
112: 다른 플레이트 층 113: 장착구
12: 전도성 모듈 121: 전도성 파우더 유닛
122: 하우징 123: 탄성 부재
124: 와이어 129: 하우징
1291: 함몰구 128: 핀
127: 탄성체 119: 절연막
3: 하우징 프레임 9: 포토 레지스트층11: plate portion 111: one plate layer
112: another plate layer 113: mounting hole
12: Conductive module 121: Conductive powder unit
122: housing 123: elastic member
124: wire 129: housing
1291: Depression 128: Pin
127: elastic body 119: insulating film
3: Housing frame 9: Photoresist layer

Claims (20)

연결 구조체의 제조 방법에 있어서,
(a) 상하로 통공되는 복수 개의 장착구가 형성되며 실리콘 웨이퍼로 이루어진 적어도 하나 이상의 플레이트 층을 포함하는 플레이트부를 제작하는 단계;
(b) 복수 개의 전도성 모듈을 제작하는 단계; 및
(c) 상기 플레이트부와 상기 복수 개의 전도성 모듈을 결합하는 단계를 포함하되,
상기 (a) 단계는,
멤스(MEMS) 공정을 이용해 상기 실리콘 웨이퍼에 상기 복수 개의 장착구를 형성하는 단계; 및
상기 실리콘 웨이퍼의 표면 상에 절연막이 형성되도록, 상기 실리콘 웨이퍼를 산화시키는 단계를 포함하는 것인 연결 구조체의 제조 방법. In the manufacturing method of the connection structure,
(a) fabricating a plate portion having a plurality of mounting holes formed in a vertical direction and including at least one plate layer made of a silicon wafer;
(b) fabricating a plurality of conductive modules; And
(c) coupling the plate portion and the plurality of conductive modules,
The step (a)
Forming the plurality of mounting holes on the silicon wafer using a MEMS process; And
And oxidizing the silicon wafer so that an insulating film is formed on the surface of the silicon wafer. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 절연막은 상기 장착구의 내주면 상에 형성되는 것인 연결 구조체의 제조 방법.The method according to claim 1,
And the insulating film is formed on the inner circumferential surface of the mounting hole. 제1항에 있어서,
상기 플레이트부는, 복수 개의 플레이트 층으로 이루어진 것이고,
상기 (a) 단계는,
(a1) 멤스 공정을 이용해 하나의 플레이트 층에 상기 복수 개의 장착구를 형성하는 단계;
(a2) 멤스 공정을 이용해 다른 플레이트 층에 상기 복수 개의 장착구를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 (c) 단계는,
(c1) 상기 하나의 플레이트 층의 상기 복수 개의 장착구 각각에 상기 복수 개의 전도성 모듈 각각을 삽입하는 단계; 및
(c2) 상기 하나의 플레이트 층에 삽입된 상기 복수 개의 전도성 모듈 각각이 상기 다른 플레이트 층의 상기 복수 개의 장착구 내에 위치하도록, 상기 하나의 플레이트 층 상에 상기 다른 플레이트 층을 적층하는 단계를 포함하는 것인 연결 구조체의 제조 방법.The method according to claim 1,
The plate portion is composed of a plurality of plate layers,
The step (a)
(a1) forming the plurality of mounting holes in one plate layer using a MEMS process;
(a2) forming the plurality of mounting holes in another plate layer using a MEMS process,
The step (c)
(c1) inserting each of the plurality of conductive modules into each of the plurality of mounting holes of the one plate layer; And
(c2) stacking the other plate layers on the one plate layer so that each of the plurality of conductive modules inserted in the one plate layer is positioned in the plurality of mounting holes of the other plate layer ≪ / RTI > 삭제delete 제4항에 있어서,
상기 절연막은 상기 장착구의 내주면 상에 형성되는 것인 연결 구조체의 제조 방법.5. The method of claim 4,
And the insulating film is formed on the inner circumferential surface of the mounting hole. 제1 대상물과 제2 대상물을 전기적으로 연결시키는 연결 구조체에 있어서,
상하로 통공되는 복수 개의 장착구가 형성되며 실리콘 웨이퍼로 이루어진 플레이트 층을 포함하는 플레이트부; 및
상기 복수 개의 장착구 각각에 배치되는 전도성 모듈을 포함하되,
상기 복수 개의 장착구는 멤스 공정에 의해 상기 플레이트부에 형성되고,
상기 플레이트 층은, 그 표면에 절연막이 형성되도록 산화 처리 된 것인 연결 구조체.A connection structure for electrically connecting a first object and a second object,
A plate portion including a plate layer made of a silicon wafer and having a plurality of mounting apertures vertically penetrating therethrough; And
And a conductive module disposed in each of the plurality of mounting holes,
Wherein the plurality of mounting holes are formed in the plate portion by a MEMS process,
Wherein the plate layer is oxidized to form an insulating film on the surface thereof. 제7항에 있어서,
상기 플레이트부는,
상기 복수 개의 장착구가 형성된 하나의 플레이트 층인 것인 연결 구조체.8. The method of claim 7,
The plate portion
Wherein the plurality of mounting holes are one plate layer in which the plurality of mounting holes are formed. 제7항에 있어서,
상기 플레이트부는,
각각에 상기 복수 개의 장착구가 형성되어 상하로 적층되는 복수 개의 플레이트 층을 포함하는 것인 연결 구조체.8. The method of claim 7,
The plate portion
And a plurality of plate layers each having the plurality of mounting holes formed therein and stacked thereon. 삭제delete 제7항에 있어서,
상기 절연막은 상기 장착구의 내주면에 형성된 것인 연결 구조체.8. The method of claim 7,
And the insulating film is formed on the inner peripheral surface of the mounting hole. 제7항에 있어서,
상기 전도성 모듈은,
전도성 파우더 유닛 및 상기 전도성 파우더 유닛의 외주를 따라 구비되는 하우징을 포함하는 것인 연결 구조체.8. The method of claim 7,
The conductive module includes:
A conductive powder unit and a housing provided along an outer periphery of the conductive powder unit. 제12항에 있어서,
상기 전도성 모듈은,
상기 전도성 파우더 유닛의 내부에 상하 방향으로 연장 구비되는 탄성 부재를 더 포함하는 것인 연결 구조체. 13. The method of claim 12,
The conductive module includes:
And an elastic member extending vertically inside the conductive powder unit. 제13항에 있어서,
상기 탄성 부재는 스프링이고,
상기 스프링은 상기 하우징의 내주면과 접촉되며 배치되는 것인 연결 구조체.14. The method of claim 13,
The elastic member is a spring,
And the spring is disposed in contact with the inner circumferential surface of the housing. 제12항에 있어서,
상기 전도성 모듈은,
상기 전도성 파우더 유닛의 내부에 상하 방향으로 연장 구비되는 와이어를 더 포함하는 것인 연결 구조체.13. The method of claim 12,
The conductive module includes:
And a wire extending vertically inside the conductive powder unit. 제12항에 있어서,
상기 하우징의 재질이 금속인 경우,
상기 전도성 파우더 유닛의 상단은 상기 하우징의 상단보다 상측으로 더 돌출되고,
상기 전도성 파우더 유닛의 하단은 상기 하우징의 하단보다 하측으로 더 돌출되는 것인 연결 구조체.13. The method of claim 12,
When the material of the housing is metal,
The upper end of the conductive powder unit further projects upward from the upper end of the housing,
And the lower end of the conductive powder unit further protrudes downward from the lower end of the housing. 제7항에 있어서,
상기 전도성 모듈은,
상단으로부터 하측으로 함몰된 함몰구가 형성된 하우징;
상기 함몰구의 상단에 삽입되는 핀;
상기 핀의 하부로부터 하측으로 연장되어 상기 함몰구 내에 구비되는 탄성체를 포함하되,
상기 하우징, 상기 핀 및 상기 탄성체 각각의 재질은 전도성인 것인 연결 구조체.8. The method of claim 7,
The conductive module includes:
A housing having a depression recessed downward from an upper end thereof;
A pin inserted into the top of the recess;
And an elastic body extending downward from a lower portion of the pin and provided in the recess,
Wherein the material of each of the housing, the pin, and the elastic body is conductive. 제7항에 있어서,
상기 전도성 모듈은,
팁부;
상기 팁부와 연결되며, ㄷ 자 형상의 스프링부;
상기 스프링부와 연결되는 접속부를 포함하되,
상기 팁부, 스프링부 및 접속부는 일체로 형성되며, 판재 형상인 것인 연결 구조체.8. The method of claim 7,
The conductive module includes:
A tip portion;
A spring portion connected to the tip portion and having a U-shaped shape;
And a connecting portion connected to the spring portion,
Wherein the tip portion, the spring portion, and the connection portion are integrally formed and have a plate shape. 제 7항에 있어서,
상기 전도성 모듈은,
상단부, 중심부 및 하단부를 가지며, 상기 상단부와 상기 중심부간의 단차와 상기 중심부와 상기 하단부간의 단차를 갖는 핀;
상기 핀의 내측으로 삽입 결합되는 탄성부를 포함하는 것인 연결 구조체.8. The method of claim 7,
The conductive module includes:
A pin having an upper end, a central portion and a lower end, the pin having a step between the upper end and the central portion and a step between the central portion and the lower end;
And an elastic portion inserted and coupled to the inside of the pin. 제19항에 있어서,
상기 탄성부의 직경 또는 두께는 상기 핀의 하단부의 직경 또는 두께보다 작은 것인 연결 구조체.
20. The method of claim 19,
And the diameter or thickness of the elastic portion is smaller than the diameter or the thickness of the lower end portion of the pin.
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