JP2001046884A - 光触媒酸化チタン膜の製造方法 - Google Patents
光触媒酸化チタン膜の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 無機、金属を問わず密着性が良く、また光触
媒活性を付与することのできる光触媒酸化チタン膜の製
造方法を提供することにある。 【解決手段】 真空容器２内に基板１を絶縁固定し、真
空容器２内にチタニウムテトライソプロポキシドの気体
を原料ガスとして導入すると同時に減圧状態に維持し、
高周波放電によりプラズマを生成し、基板１に負電位の
パルス電圧を繰り返し印加することによってプラズマ中
の正イオンを基板１に吸引加速し、注入と同時に基板１
に酸化チタン膜を成膜し、この方法により製造した酸化
チタン膜を４００〜６５０℃の範囲内で加熱することに
より結晶化させ、光触媒活性を付与する。
媒活性を付与することのできる光触媒酸化チタン膜の製
造方法を提供することにある。 【解決手段】 真空容器２内に基板１を絶縁固定し、真
空容器２内にチタニウムテトライソプロポキシドの気体
を原料ガスとして導入すると同時に減圧状態に維持し、
高周波放電によりプラズマを生成し、基板１に負電位の
パルス電圧を繰り返し印加することによってプラズマ中
の正イオンを基板１に吸引加速し、注入と同時に基板１
に酸化チタン膜を成膜し、この方法により製造した酸化
チタン膜を４００〜６５０℃の範囲内で加熱することに
より結晶化させ、光触媒活性を付与する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、基板に対しイオ
ンを照射あるいは注入することにより酸化チタン膜形成
を行い、膜形成後の基板加熱により結晶化させ、光触媒
活性を有する光触媒酸化チタン膜の製造方法に関するも
のである。
ンを照射あるいは注入することにより酸化チタン膜形成
を行い、膜形成後の基板加熱により結晶化させ、光触媒
活性を有する光触媒酸化チタン膜の製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、酸化チタン膜製造方法として、ゾ
ルゲール法、塗布法、ＣＶＤ法などの方法があったが、
いずれも基材上への積み上げ法であり、基材の種類によ
っては酸化チタン膜の密着性に問題があり、特定の基材
に対して用いられるか、あるいはアンダーコーティング
により密着強度の改善が行われてきた。
ルゲール法、塗布法、ＣＶＤ法などの方法があったが、
いずれも基材上への積み上げ法であり、基材の種類によ
っては酸化チタン膜の密着性に問題があり、特定の基材
に対して用いられるか、あるいはアンダーコーティング
により密着強度の改善が行われてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術ではガラスあるいはセラミックなどの酸化基材に対
しては問題ないが、金属に対しては十分な密着強度が与
えられないか、与えられたとしても前処理の工程が必要
であった。またゾルーゲル法等の塗布法では光触媒特性
を発揮できる厚さの酸化チタン膜を得るために、１０回
程度繰り返し膜形成、焼成結晶化を繰り返す必要があ
り、長い日数を要していた。
技術ではガラスあるいはセラミックなどの酸化基材に対
しては問題ないが、金属に対しては十分な密着強度が与
えられないか、与えられたとしても前処理の工程が必要
であった。またゾルーゲル法等の塗布法では光触媒特性
を発揮できる厚さの酸化チタン膜を得るために、１０回
程度繰り返し膜形成、焼成結晶化を繰り返す必要があ
り、長い日数を要していた。
【０００４】この発明は、上記のような課題に鑑み、そ
の課題を解決すべく創案されたものであって、その目的
とするところは、無機、金属を問わず密着性が良く、ま
た光触媒活性を付与することのできる光触媒酸化チタン
膜の製造方法を提供することにある。
の課題を解決すべく創案されたものであって、その目的
とするところは、無機、金属を問わず密着性が良く、ま
た光触媒活性を付与することのできる光触媒酸化チタン
膜の製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
めに、請求項１の発明は、真空容器内に基板を絶縁固定
し、真空容器内にチタニウムテトライソプロポキシドの
気体を原料ガスとして導入すると同時に減圧状態に維持
し、高周波放電によりプラズマを生成し、基板に負電位
のパルス電圧を繰り返し印加することによってプラズマ
中の正イオンを基板に吸引加速し、注入と同時に基板に
酸化チタン膜を成膜する手段よりなるものである。
めに、請求項１の発明は、真空容器内に基板を絶縁固定
し、真空容器内にチタニウムテトライソプロポキシドの
気体を原料ガスとして導入すると同時に減圧状態に維持
し、高周波放電によりプラズマを生成し、基板に負電位
のパルス電圧を繰り返し印加することによってプラズマ
中の正イオンを基板に吸引加速し、注入と同時に基板に
酸化チタン膜を成膜する手段よりなるものである。
【０００６】また、請求項２の発明は、真空容器内に基
板を絶縁固定し、真空容器内にチタニウムテトライソプ
ロポキシドの気体を原料ガスとして導入すると同時に減
圧状態に維持し、高周波放電によりプラズマを生成し、
基板に負電位のパルス電圧を繰り返し印加することによ
ってプラズマ中の正イオンを基板に吸引加速し、注入と
同時に基板に酸化チタン膜を成膜し、この方法により製
造した酸化チタン膜を４００〜６５０℃の範囲内で加熱
することにより結晶化させ、光触媒活性を付与するする
手段よりなるものである。
板を絶縁固定し、真空容器内にチタニウムテトライソプ
ロポキシドの気体を原料ガスとして導入すると同時に減
圧状態に維持し、高周波放電によりプラズマを生成し、
基板に負電位のパルス電圧を繰り返し印加することによ
ってプラズマ中の正イオンを基板に吸引加速し、注入と
同時に基板に酸化チタン膜を成膜し、この方法により製
造した酸化チタン膜を４００〜６５０℃の範囲内で加熱
することにより結晶化させ、光触媒活性を付与するする
手段よりなるものである。
【０００７】ここで、プラズマ中の正イオンを基板取付
台の表面の基板載置面に印加した負電位パルスにより引
き込み、基板に照射する工程を繰り返し行う。
台の表面の基板載置面に印加した負電位パルスにより引
き込み、基板に照射する工程を繰り返し行う。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面に記載の発明の実施の
形態に基づいて、この発明をより具体的に説明する。こ
こで、図１は装置の概略側面図である。
形態に基づいて、この発明をより具体的に説明する。こ
こで、図１は装置の概略側面図である。
【０００９】図において、石英ガラス、シリコンウエハ
又はＳＵＳ３１６Ｌなどの無機又は金属からなる基板１
の表面に酸化チタン膜を成膜するために使用される真空
容器２には、排気手段の真空ポンプ３及び原料となるチ
タニウムテトライソプロポキシドを加熱気化して気体の
原料ガスとして導入するための原料ガス導入系４がそれ
ぞれ接続されている。
又はＳＵＳ３１６Ｌなどの無機又は金属からなる基板１
の表面に酸化チタン膜を成膜するために使用される真空
容器２には、排気手段の真空ポンプ３及び原料となるチ
タニウムテトライソプロポキシドを加熱気化して気体の
原料ガスとして導入するための原料ガス導入系４がそれ
ぞれ接続されている。
【００１０】真空容器２内には、基板１を絶縁固定する
基板取付台５が配置されている。基板取付台５は基板１
を載せて固定する載置面５ａ部分は導電性の材質で形成
され、これを真空容器２内に支持する支柱５ｂは絶縁部
材で形成されている。
基板取付台５が配置されている。基板取付台５は基板１
を載せて固定する載置面５ａ部分は導電性の材質で形成
され、これを真空容器２内に支持する支柱５ｂは絶縁部
材で形成されている。
【００１１】この基板取付台５の導電性の表面には電流
導入端子６を介して配線ケーブル７が接続され、図示し
ないパルス電源が電気的に接続されており、負電位のパ
ルスバイアスが周期的に印加される。
導入端子６を介して配線ケーブル７が接続され、図示し
ないパルス電源が電気的に接続されており、負電位のパ
ルスバイアスが周期的に印加される。
【００１２】真空容器２内の一端側にはアンテナ８が配
置されている。このアンテナ８には電流導入端子９を介
して配線ケーブル１０が接続され、プラズマを発生させ
るための高周波電力を、電流導入端子９を通じてアンテ
ナ８に給電している。
置されている。このアンテナ８には電流導入端子９を介
して配線ケーブル１０が接続され、プラズマを発生させ
るための高周波電力を、電流導入端子９を通じてアンテ
ナ８に給電している。
【００１３】また、真空容器２には、酸素ガスを導入す
るたの酸素ガス導入系１１が接続されている。この酸素
ガス導入系１１の途中には流量調整器１２が設けられて
いる。真空容器２にこの酸素ガス導入系１１を通じて酸
素ガスを導入することで、酸化を促進させることができ
る。
るたの酸素ガス導入系１１が接続されている。この酸素
ガス導入系１１の途中には流量調整器１２が設けられて
いる。真空容器２にこの酸素ガス導入系１１を通じて酸
素ガスを導入することで、酸化を促進させることができ
る。
【００１４】以上のような構成からなる装置を使用して
基板１の表面に酸化チタン膜を成膜する。先ず、真空容
器２内に配置された基板取付台５に基板１を絶縁固定
し、真空容器２内に原料ガス導入系４を通じてチタニウ
ムテトライソプロポキシドの気体を原料ガスとして導入
すると同時に、真空ポンプ３を作動させて真空容器２内
を減圧状態に維持する。
基板１の表面に酸化チタン膜を成膜する。先ず、真空容
器２内に配置された基板取付台５に基板１を絶縁固定
し、真空容器２内に原料ガス導入系４を通じてチタニウ
ムテトライソプロポキシドの気体を原料ガスとして導入
すると同時に、真空ポンプ３を作動させて真空容器２内
を減圧状態に維持する。
【００１５】そして、高周波電源から例えば 13.56ＭＨ
ｚの高周波をアンテナ８に伝送することによって、真空
容器２内に高周波放電によるプラズマを生成させる。基
板１に負電位のパルス電圧を繰り返し印加することによ
って、プラズマ中の正イオンを基板１に吸引加速し、注
入と同時に基板１に酸化チタン膜を成膜する。
ｚの高周波をアンテナ８に伝送することによって、真空
容器２内に高周波放電によるプラズマを生成させる。基
板１に負電位のパルス電圧を繰り返し印加することによ
って、プラズマ中の正イオンを基板１に吸引加速し、注
入と同時に基板１に酸化チタン膜を成膜する。
【００１６】このとき、プラズマ中の正イオンは基板取
付台５の表面の基板１の載置面５ａに印加した負電位パ
ルスにより引き込まれ、基板１に照射する工程が繰り返
し行われて、酸化チタン膜の成膜が促進される。
付台５の表面の基板１の載置面５ａに印加した負電位パ
ルスにより引き込まれ、基板１に照射する工程が繰り返
し行われて、酸化チタン膜の成膜が促進される。
【００１７】以上のようにして、基板１の表面に酸化チ
タン膜の成膜が行われた後に、酸化チタン膜の成膜が行
われた基板１を、４００〜６５０℃の範囲内で１時間
程、加熱させて酸化チタン膜を結晶化させる。酸化チタ
ン膜を結晶化させることによって、結晶化した酸化チタ
ン膜には光触媒活性が付与される。
タン膜の成膜が行われた後に、酸化チタン膜の成膜が行
われた基板１を、４００〜６５０℃の範囲内で１時間
程、加熱させて酸化チタン膜を結晶化させる。酸化チタ
ン膜を結晶化させることによって、結晶化した酸化チタ
ン膜には光触媒活性が付与される。
【００１８】
【発明の実験例】前記で説明した装置を用いて、以下の
条件下で基板に酸化チタン膜を成膜する実験を行った。
条件下で基板に酸化チタン膜を成膜する実験を行った。
【００１９】 〔成膜の実験条件〕 基板 ：石英ガラス、シリコンウエハ、ＳＵＳ３１６Ｌ 真空容器サイズ：内径５００ｍｍ、長さ６５０ｍｍ 導入ガス ：チタニウムテトライソプロポキシド（Ti(OC3H7)4，TTIP） マントルヒーターで加熱気化した後に真空容器内に導入 成膜時の真空度：約５×１０-3Torr プラズマ発生用高周波出力：５０Ｗ パルス電圧 ：２０ｋＶ パルス周波数 ：１００Ｈｚ パルス時間 ：５０μｓ
【００２０】〔成膜の実験結果〕基板の表面に成膜され
た酸化チタンの膜厚は約５５０ｎｍである。
た酸化チタンの膜厚は約５５０ｎｍである。
【００２１】〔成膜結晶化の実験条件〕 加熱温度：４００℃〜６５０℃の所定の温度 加熱時間：１時間
【００２２】〔成膜結晶化後の評価方法〕膜の結晶構造
をＸ線回析により調べ、組成および結合状態をＸＰＳお
よびＦＴ−ＩＲを用いて調べた。また、光触媒効果につ
いて評価するために、成膜した基板を濃度１０ｐｐｍの
メチレンブルー水溶液中に浸漬し、所定時間紫外線を照
射した後、分光光度計で吸光度を調べた。
をＸ線回析により調べ、組成および結合状態をＸＰＳお
よびＦＴ−ＩＲを用いて調べた。また、光触媒効果につ
いて評価するために、成膜した基板を濃度１０ｐｐｍの
メチレンブルー水溶液中に浸漬し、所定時間紫外線を照
射した後、分光光度計で吸光度を調べた。
【００２３】〔実験結果および考察〕作製した酸化チタ
ン膜は黒色であったが、４５０℃以上の加熱により無色
透明となった。ＸＰＳ測定の結果、加熱前の試料には炭
素が多く含まれ、加熱温度が高くなるに伴い減少し、６
５０℃で加熱した試料の組成は化学量論組成（TiO2)に
なっていた。図２にＸ線回析測定結果を示している。比
較のためゾルーゲル法によりコーティングした後、６５
０℃で１時間加熱結晶化した試料についての測定結果も
併せて示している。この発明の方法（プラズマソースイ
オン注入（ＰＳＩＩ）法）で作製した試料については、
加熱前の試料には回析線は見られず、４５０℃以上の加
熱によりアナターゼ型構造に由来する回析線が見られ
る。また６００℃以上の加熱によりルチル型構造も生成
していることがわかる。ゾルーゲル法により作製した酸
化チタン膜はＡ(101) 優先配向性であるのに対し、この
発明の方法（プラズマソースイオン注入（ＰＳＩＩ）
法）で作製した酸化チタン膜はＡ(004) 優先配向性の傾
向がある。メチレンブルー水溶液を用いて光触媒効果に
ついて調べた結果、ゾルーゲル法で作製した酸化チタン
（TiO2）膜と同程度の脱色効果が得られた。
ン膜は黒色であったが、４５０℃以上の加熱により無色
透明となった。ＸＰＳ測定の結果、加熱前の試料には炭
素が多く含まれ、加熱温度が高くなるに伴い減少し、６
５０℃で加熱した試料の組成は化学量論組成（TiO2)に
なっていた。図２にＸ線回析測定結果を示している。比
較のためゾルーゲル法によりコーティングした後、６５
０℃で１時間加熱結晶化した試料についての測定結果も
併せて示している。この発明の方法（プラズマソースイ
オン注入（ＰＳＩＩ）法）で作製した試料については、
加熱前の試料には回析線は見られず、４５０℃以上の加
熱によりアナターゼ型構造に由来する回析線が見られ
る。また６００℃以上の加熱によりルチル型構造も生成
していることがわかる。ゾルーゲル法により作製した酸
化チタン膜はＡ(101) 優先配向性であるのに対し、この
発明の方法（プラズマソースイオン注入（ＰＳＩＩ）
法）で作製した酸化チタン膜はＡ(004) 優先配向性の傾
向がある。メチレンブルー水溶液を用いて光触媒効果に
ついて調べた結果、ゾルーゲル法で作製した酸化チタン
（TiO2）膜と同程度の脱色効果が得られた。
【００２４】図３に１０ｐｐｍのメチレンブルー溶液に
アナターゼ型に結晶化した酸化チタン膜をコーティング
したガラスの基板を入れ、市販の殺菌灯を照射した時の
波長６６５ｎｍにおける吸光度の時間変化を示してい
る。急激にメチレンブルーが分解され、約２１０分後に
はほとんど濃度ゼロになっていることから、製造した酸
化チタン膜は光触媒作用をもっていることがわかる。
アナターゼ型に結晶化した酸化チタン膜をコーティング
したガラスの基板を入れ、市販の殺菌灯を照射した時の
波長６６５ｎｍにおける吸光度の時間変化を示してい
る。急激にメチレンブルーが分解され、約２１０分後に
はほとんど濃度ゼロになっていることから、製造した酸
化チタン膜は光触媒作用をもっていることがわかる。
【００２５】
【発明の効果】以上の記載より明らかなように、請求項
１の発明に係る光触媒酸化チタン膜の製造方法によれ
ば、真空容器内に基板を絶縁固定し、真空容器内にチタ
ニウムテトライソプロポキシドの気体を原料ガスとして
導入すると同時に減圧状態に維持し、高周波放電により
プラズマを生成し、基板に負電位のパルス電圧を繰り返
し印加することによってプラズマ内の正イオンを基板に
吸引加速し、注入と同時に基板に酸化チタン膜を成膜す
ることにより、無機、金属を問わず３次元立体物の全表
面に密着性の良い光触媒酸化チタン膜を成膜することが
できる。
１の発明に係る光触媒酸化チタン膜の製造方法によれ
ば、真空容器内に基板を絶縁固定し、真空容器内にチタ
ニウムテトライソプロポキシドの気体を原料ガスとして
導入すると同時に減圧状態に維持し、高周波放電により
プラズマを生成し、基板に負電位のパルス電圧を繰り返
し印加することによってプラズマ内の正イオンを基板に
吸引加速し、注入と同時に基板に酸化チタン膜を成膜す
ることにより、無機、金属を問わず３次元立体物の全表
面に密着性の良い光触媒酸化チタン膜を成膜することが
できる。
【００２６】また、請求項２の発明に係る光触媒酸化チ
タン膜の製造方法によれば、真空容器内に基板を絶縁固
定し、真空容器内にチタニウムテトライソプロポキシド
の気体を原料ガスとして導入すると同時に減圧状態に維
持し、高周波放電によりプラズマを生成し、基板に負電
位のパルス電圧を繰り返し印加することによってプラズ
マ内の正イオンを基板に吸引加速し、注入と同時に基板
に酸化チタン膜を成膜することにより、無機、金属を問
わず３次元立体物の全表面に密着性の良い光触媒酸化チ
タン膜を成膜することができると共に、製造した酸化チ
タン膜を４００〜６５０℃の範囲内で加熱することによ
り結晶化させて、酸化チタン膜に光触媒活性を付与する
ことができる。
タン膜の製造方法によれば、真空容器内に基板を絶縁固
定し、真空容器内にチタニウムテトライソプロポキシド
の気体を原料ガスとして導入すると同時に減圧状態に維
持し、高周波放電によりプラズマを生成し、基板に負電
位のパルス電圧を繰り返し印加することによってプラズ
マ内の正イオンを基板に吸引加速し、注入と同時に基板
に酸化チタン膜を成膜することにより、無機、金属を問
わず３次元立体物の全表面に密着性の良い光触媒酸化チ
タン膜を成膜することができると共に、製造した酸化チ
タン膜を４００〜６５０℃の範囲内で加熱することによ
り結晶化させて、酸化チタン膜に光触媒活性を付与する
ことができる。
【００２７】また、請求項３のように、プラズマ中の正
イオンを基板取付台の表面の基板載置面に印加した負電
位パルスにより引き込み、基板に照射する工程を繰り返
し行うことにより、酸化チタン膜の成膜を促進させるこ
とができる。
イオンを基板取付台の表面の基板載置面に印加した負電
位パルスにより引き込み、基板に照射する工程を繰り返
し行うことにより、酸化チタン膜の成膜を促進させるこ
とができる。
【図１】この発明の実施の形態を示す装置の概略側面図
である。
である。
【図２】この発明の方法によって成膜結晶化した酸化チ
タン膜のＸ線回析測定を示したグラフである。
タン膜のＸ線回析測定を示したグラフである。
【図３】この発明の方法によって成膜結晶化した酸化チ
タン膜によるメチレンブルーの分解を示したグラフであ
る。
タン膜によるメチレンブルーの分解を示したグラフであ
る。
１ 基板 ２ 真空容器 ３ 真空ポンプ ４ 原料ガス導入系 ５ 基板取付台 ５ａ 載置面 ５ｂ 支柱 ６ 電流導入端子 ７ 配線ケーブル ８ アンテナ ９ 電流導入端子 １０ 配線ケーブル １１ 酸素ガス導入系 １２ 流量調整器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２３Ｃ 16/509 Ｃ０４Ｂ 35/00 Ｊ Ｆターム(参考） 4G012 MA00 4G030 AA16 AA37 AA64 BA34 GA35 4G069 AA03 AA08 AA09 BA04A BA04B BA04C BA48A BA48C DA06 EA08 FA02 FB02 FB29 FB40 4K030 AA11 BA18 FA04 JA10 JA17 LA11
Claims (3)
- 【請求項１】 真空容器内に基板を絶縁固定し、真空容
器内にチタニウムテトライソプロポキシドの気体を原料
ガスとして導入すると同時に減圧状態に維持し、高周波
放電によりプラズマを生成し、基板に負電位のパルス電
圧を繰り返し印加することによってプラズマ中の正イオ
ンを基板に吸引加速し、注入と同時に基板に酸化チタン
膜を成膜することを特徴とする光触媒酸化チタン膜の製
造方法。 - 【請求項２】 真空容器内に基板を絶縁固定し、真空容
器内にチタニウムテトライソプロポキシドの気体を原料
ガスとして導入すると同時に減圧状態に維持し、高周波
放電によりプラズマを生成し、基板に負電位のパルス電
圧を繰り返し印加することによってプラズマ中の正イオ
ンを基板に吸引加速し、注入と同時に基板に酸化チタン
膜を成膜し、この方法により製造した酸化チタン膜を４
００〜６５０℃の範囲内で加熱することにより結晶化さ
せ、光触媒活性を付与することを特徴とする光触媒酸化
チタン膜の製造方法。 - 【請求項３】 プラズマ中の正イオンを基板取付台の表
面の基板載置面に印加した負電位パルスにより引き込
み、基板に照射する工程を繰り返し行う請求項１又は請
求項２記載の光触媒酸化チタン膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11228370A JP2001046884A (ja) | 1999-08-12 | 1999-08-12 | 光触媒酸化チタン膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11228370A JP2001046884A (ja) | 1999-08-12 | 1999-08-12 | 光触媒酸化チタン膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001046884A true JP2001046884A (ja) | 2001-02-20 |
Family
ID=16875410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11228370A Withdrawn JP2001046884A (ja) | 1999-08-12 | 1999-08-12 | 光触媒酸化チタン膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001046884A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008080113A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-04-10 | Nagasaki Univ | 医療用器具及びその使用 |
| JP2008080102A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-04-10 | Nagasaki Univ | インプラント |
| JP2011252233A (ja) * | 2011-07-15 | 2011-12-15 | Yamaguchi Prefectural Industrial Technology Institute | 薄膜の成膜方法 |
| JP2014061479A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Nagasaki Prefecture | チタン叉はチタン合金表面への二酸化チタン光触媒製法 |
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-
1999
- 1999-08-12 JP JP11228370A patent/JP2001046884A/ja not_active Withdrawn
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| CN117416072A (zh) * | 2023-12-19 | 2024-01-19 | 晋江市创佳纺织科技有限公司 | 一种纳米防水鞋面的制作工艺及制作设备 |
| CN117416072B (zh) * | 2023-12-19 | 2024-03-08 | 晋江市创佳纺织科技有限公司 | 一种纳米防水鞋面的制作工艺及制作设备 |
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