JP2001046291A

JP2001046291A - ケミカルクリーンの布巾及びケミカルクリーンの無塵服及びその評価方法及び光学部材の清浄化方法

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Publication number: JP2001046291A
Application number: JP11225015A
Authority: JP
Inventors: Izumi Motoyama; いづみ元山
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1999-08-09
Filing date: 1999-08-09
Publication date: 2001-02-20

Abstract

(57)【要約】【課題】ケミカルクリーン仕様のクリーンルーム内
に保管した光学部材が汚染される問題を解決し、汚染が
生じない無塵服とその評価方法を提供することである。
更に、ケミカルクリーン仕様のクリーンルーム内で使用
したときに雰囲気を汚染せずまた光学部材を汚染しない
布巾とその評価方法、及び光学部材の清浄化方法を提供
することである。【解決手段】本発明の無塵服及び布巾は、バインダー及
び不純物を含まない、不織布または織布を素材とし、洗
剤洗浄を１回以上行なった後、純水または超純水による
すすぎを行ない、更に、有機溶剤による洗浄を１回以上
行なってから乾燥させる工程を経て得られる。そのため
無塵服は使用中に有機物質の塵やガスを実質的に脱離さ
せない。布巾は光学部材表面に有機物質を残留させるこ
となく、清浄化ができ、また有機物質の塵やガスを実質
的に脱離させない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機物の脱離が少
ないことが要求される、特にケミカルクリーンが要求さ
れる環境下で使用される、汚染物質特に有機物質の発生
が少ない用品、特にケミカルクリーンの布巾及びケミカ
ルクリーンの無塵服、及びこれらの用品の洗浄方法、及
びこれらの用品の評価方法、及び光学部材の清浄化方法
を提供するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置製造工程や液晶表示装置製造
工程に代表される電子デバイスの製造工程に於いて、リ
ソグラフィー工程に用いられる露光装置、等の光学装置
は、クリーンルームのような、極めてクリーン度の高い
密閉された室内に設置されている。これらクリーンルー
ム内の環境は、特に塵埃等に代表されるパーチクル汚染
を最も嫌っており、内部に設置している露光装置や検査
装置、等の光学装置はもとより、布巾や無塵服などの用
品、備品に至るまで、発塵の無いよう処理された物を使
用している。具体的には、クリーンルーム仕様の布巾や
無塵服は、超純水で洗浄した物を使用することは常とな
っている。洗浄専門業者によるクリーンルーム仕様洗浄
は、使用する製造工程以上にクリーン度の高いクリーン
ルーム内で、塵埃除去率が高い洗浄方法で行われるの
で、この方法により洗浄された無塵服をクリーンルーム
内、特に半導体装置製造工程のリソグラフィー工程の露
光工程で着用した場合、無塵服からのパーチクルの発生
がないために露光装置の光学部材をパーチクル汚染する
ことがない。またこの方法により洗浄された布巾を用い
て光学部材の乾拭きまたは溶剤や水を含浸させて拭きを
行なった場合、布巾からパーチクルの発生がないために
露光装置の光学部材にパーチクルが残らず、パーチクル
汚染の除去が完全に為されるのである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、近年、半導体
装置製造工程のリソグラフィー工程に於ける露光工程に
用いるクリーンルーム内に設置されている半導体露光装
置の透過率が低下したり、露光・現像により刻まれたレ
ジスト膜のパターンが矩形でなくなる問題が発生するよ
うになった。この問題は露光装置の使用波長が、特にＫ
ｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）エキシマレ
ーザ波長以下の場合に顕著になってきた。

【０００４】この問題の原因は、露光装置が設置されて
いるクリーンルーム内の雰囲気中に存在する、パーチク
ル汚染物以外の汚染物資、すなわち、有機物質の存在で
あることが解明されている。この有機物質が半導体装置
製造工程や液晶表示装置製造工程において用いられる露
光装置、等の光学装置の光学部材の表面に付着するため
に光学装置の性能が低下し、本来持つべき特性が得られ
なくなるのである。特に、上記ＫｒＦやＡｒＦエキシマ
レーザー、エックス線、電子線等の極短波長光で露光す
る半導体露光装置では、この有機物質が光学部材表面に
極僅かに残留しただけでも半導体露光装置の光線の透過
率を低下させる上、この有機物質がレジストに化学的作
用を与えて矩形のパターンが刻めなくする、等、パター
ン形成に悪影響を及ぼすのである。

【０００５】そのために、クリーンルーム内には水分や
オイルミスト、塵、埃、金属イオン等の無機物質等の汚
染物質を除去した空気が供給され、クリーンルームの内
壁面からは無機物質のパーチクルのみならず有機物質の
パーチクルやガスが発生しないようケミカルクリーンに
設計されている。ここで言うケミカルクリーンに設計さ
れたクリーンルームとは、クリーンルームの内部に供給
される空気にも、クリーンルームの壁面から放出するガ
スにも有機物質の成分がないことを意味する。

【０００６】ところが、以上のようなケミカルクリーン
に設計されたクリーンルームに於いても、露光装置、等
の光学装置の透過率が低下する問題、また露光パターン
が矩形にならない問題が充分に解決出来なかった。この
ことは、例えば以下の事実によっても示される。即ち、
反射防止膜を有するガラス基板を、図３に示すような一
般的な５槽式洗浄機により洗浄した。洗浄は図３の左側
の洗剤槽１から右側のＩＰＡ洗剤槽５まで順に光学部材
を浸漬して行った。この洗浄されたガラス基板の透過率
は、図４に示すように、洗浄直後には１９３ｎｍのエキ
シマレーザ波長にて約９９．５％であった。図４では図
３の５層式洗浄機を用いたが、必要な清浄度に応じて洗
浄槽の数を増減した。ここで清浄度と光透過率との関係
を述べる。我々の測定対象の光学部材は、測定光に対し
て極めて低反射な反射防止膜が形成され、且つ透明なの
で、表面に何も付着していない状態、即ち清浄度が高い
ときに透過率が高く１００％に近いが、清浄度が低下
し、有機物または無機物の汚染物が付着している状態で
はこれらの汚染物は一般に光吸収性であるので、透過率
が低下する。即ち、清浄度と透過率は比例関係にある。
従ってこの９９．５％の透過率を示す光学部材は極めて
清浄度が高い表面を持つことを意味する。このガラス基
板をケミカルクリーンに設計されたクリーンルームに保
管したところ、この９９．５％の透過率は、保管後５日
で９６％に低下してしまった。これはガラス基板の表面
が保管中に汚染されたことを意味する。

【０００７】このガラス基板に一般的な光洗浄機（図
５）を用いて約１０分間の光洗浄を施したところ、その
透過率（点線）が多槽式洗浄機による洗浄直後（実線）
と同等の値にまで復活していた（図６）。これは、ガラ
ス基板に付着していた汚染物質が光洗浄によって完全に
近く除去されたことを示している。光洗浄で洗浄を行っ
たガラス基板は、洗浄直後はきわめて清浄な表面を持っ
ているが、光洗浄機から取り出した直後から、多層式洗
浄機で洗浄したとき以上の速度で汚染が進む。その汚染
の進行の様子は図４に示されている。図４にて、反射防
止膜をコートしたガラス基板をクリーンルーム内で保管
した場合の１９３ｎｍにおける透過率は、光洗浄直後９
９．５％あった透過率が２時間後には９９．３％に低下
し、更に１週間経過で９５．５％まで低下していた。こ
のように光洗浄によって得た清浄な表面は、表面が非常
に活性であるため、汚れが再付着する速度が非常に速
く、一般的に行われている超音波洗浄や蒸気洗浄のよう
な最終仕上げに有機溶剤を使用している洗浄方法と比
べ、汚染速度が大きくなる。

【０００８】以上のような事実からケミカルクリーン仕
様で設計されたクリーンルーム内に設置された半導体露
光装置は時間と共に透過率が低下し、且つ現像パターン
が矩形にならない問題が発生するのである。更に従来の
ケミカルクリーン仕様のクリーンルーム内で使用される
布巾は、これを使って清浄化のために光学部材を拭く
と、透過率がかえって低下する。この透過率低下の原因
は拭きによって光学部材の表面が汚染されることを示
す。

【０００９】従来の波長が３５０ｎｍ以上の露光波長を
用いる半導体露光装置では、このような汚染物質の光学
部材への付着が光学性能に悪影響を与えることはなかっ
た。しかし、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）やＡｒＦ（１９３ｎ
ｍ）エキシマレーザー光、エックス線、電子線、等を露
光に用いる半導体露光装置においては、使用波長が非常
に短く、これらの短波長光はこれら汚染物質に対する透
過率が極めて低いため、極僅かな汚染であっても透過率
の低下を招くのである。

【００１０】本発明は、このようなケミカルクリーン仕
様のクリーンルーム内に保管した光学部材が汚染され、
更に光学部材を布巾で清浄化のために拭いたときに光学
部材が汚染される原因を調べ、ケミカルクリーン仕様の
クリーンルーム内で使用したときに光学部材に汚染が生
じないクリーンルーム用品、特に布巾と無塵服、及びそ
の評価方法を提供する。更に、光学部材の清浄化方法を
提供する。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では第一に、バインダー及び不純物を含まな
い、不織布または織布を素材とし、光学部材の拭きによ
る清浄化に使用され、拭きの間に有機物質の脱離がない
ために、光学部材表面に有機物質を残留させることな
く、光学部材の清浄化ができることを特徴とするケミカ
ルクリーンの布巾（請求項１）を提供する。

【００１２】第二に、前記ケミカルクリーンの布巾が、
使用の前に、洗剤洗浄を１回以上行なった後、純水また
は超純水によるすすぎを行ない、更に、有機溶剤による
洗浄を１回以上行なってから乾燥させる工程を経て得ら
れることを特徴とする請求項１記載のケミカルクリーン
の布巾（請求項２）を提供する。第三に、前記有機溶剤
が、高揮発性であって前記有機溶剤による洗浄後に前記
不織布または前記織布の内部に実質的に残留しないか、
或いは残留しても使用中に脱離したガスが第三の物質表
面に吸着し皮膜を形成することも他の物質と反応して第
三成分を生成することも尚且つ作業工程上必要な反応を
阻害することもないかの何れかであることを特徴とする
請求項２記載のケミカルクリーンの布巾（請求項３）を
提供する。

【００１３】第四に、請求項２、３何れか１項記載の布
巾を用い、且つ請求項２、３何れか１項記載の有機溶剤
を用いて光学部材を拭きにより洗浄する段階を具えるこ
とを特徴とする光学部材の清浄化方法（請求項４）を提
供する。第五に、バインダー及び不純物を含まない、不
織布または織布を素材とし、有機物質の塵やガスを実質
的に脱離させないことを特徴とするケミカルクリーンの
無塵服（請求項５）を提供する。

【００１４】第六に、前記ケミカルクリーンの無塵服
が、使用の前に、洗剤洗浄を１回以上行なった後、純水
または超純水によるすすぎを行ない、更に、有機溶剤に
よる洗浄を１回以上行なってから乾燥させる工程を経て
得られることを特徴とする請求項５記載のケミカルクリ
ーンの無塵服（請求項６）を提供する。第七に、前記有
機溶剤が、高揮発性であって前記有機溶剤による洗浄後
に前記不織布または前記織布の内部に実質的に残留しな
いか、或いは残留しても使用中に脱離したガスが第三の
物質表面に吸着し皮膜を形成することも他の物質と反応
して第三成分を生成することも尚且つ作業工程上必要な
反応を阻害することもないかの何れかであることを特徴
とする請求項６記載の無塵服（請求項７）を提供する。

【００１５】第八に、評価用基板の表面を清浄化する段
階、被検布巾または前記被検布巾と同一素材の布片で前
記評価用基板を乾拭きまたは溶剤を含浸させた状態で拭
きを行なう段階、前記評価用基板の光学特性を測定する
段階、前記布巾の清浄度を前記光学特性により評価する
段階を有することを特徴とするケミカルクリーンの布巾
の評価方法（請求項８）を提供する。

【００１６】第九に、密閉容器中に被検布巾または前記
被検布巾と同一素材の布片と、表面が清浄化された評価
用基板とを設置する段階、前記被検布巾または前記布片
に光線を照射するか、密閉容器中を加熱するか、または
密閉容器中を減圧状態にするかの少なくとも一つ以上を
行う段階、前記評価用基板の光学特性を測定する段階、
前記布巾の清浄度を前記光学特性により評価する段階を
有することを特徴とするケミカルクリーンの布巾の評価
方法（請求項９）を提供する。

【００１７】第十に、密閉容器中に被検布巾または前記
被検布巾と同一素材の布片を設置する段階、前記被検布
巾または前記布片に光線を照射するか、密閉容器中を加
熱するか、または密閉容器中を減圧状態にするかの少な
くとも一つ以上を行う段階、化学分析装置により前記密
閉容器中のガスを分析する段階、前記布巾の清浄度を前
記分析結果により評価する段階を有することを特徴とす
るケミカルクリーンの布巾の評価方法（請求項１０）を
提供する。

【００１８】第十一に、前記化学分析装置が、ＧＣ−Ｍ
Ｓであることを特徴とする請求項１０記載のケミカルク
リーンの布巾の評価方法（請求項１１）を提供する。第
十二に、被検布巾または前記被検布巾と同一素材の布片
を有機溶剤中に浸漬する段階、浸漬後前記有機溶剤を分
析する段階、前記布巾の清浄度を前記分析結果により評
価する段階を有することを特徴とするケミカルクリーン
の布巾の評価方法（請求項１２）を提供する。

【００１９】第十三に、評価用基板の表面を清浄化する
段階、被検無塵服と同一素材の布片で前記評価用基板を
乾拭きまたは溶剤を含浸させた状態で拭きを行なう段
階、前記評価用基板の光学特性を測定する段階、前記無
塵服の清浄度を前記光学特性により評価する段階を有す
ることを特徴とするケミカルクリーンの無塵服の評価方
法（請求項１３）を提供する。

【００２０】第十四に、密閉容器中に被検無塵服または
前記被検無塵服と同一素材の布片と、表面が清浄化され
た評価用基板とを設置する段階、前記被検無塵服または
前記布片に光線を照射するか、密閉容器中を加熱または
減圧状態にするかの片方または両方を行う段階、前記評
価用基板の光学特性を測定する段階、前記無塵服の清浄
度を前記光学特性により評価する段階を有することを特
徴とするケミカルクリーンの無塵服の評価方法（請求項
１４）を提供する。

【００２１】第十五に、密閉容器中に被検無塵服または
前記被検無塵服と同一素材の布片を設置する段階、前記
被検無塵服または前記布片に光線を照射するか、密閉容
器中を加熱するか、または密閉容器中を減圧状態にする
かの少なくとも一つ以上を行う段階、化学分析装置によ
り前記密閉容器中のガスを分析する段階、前記無塵服の
清浄度を前記分析結果により評価する段階を有すること
を特徴とするケミカルクリーンの無塵服の評価方法（請
求項１５）を提供する。

【００２２】第十六に、前記化学分析装置が、ＧＣ−Ｍ
Ｓであることを特徴とする請求項１５記載のケミカルク
リーンの無塵服の評価方法（請求項１６）を提供する。
第十七に、被検無塵服または前記被検無塵服と同一素材
の布片を有機溶剤中に浸漬する段階、浸漬後前記有機溶
剤を分析する段階、前記無塵服の清浄度を前記分析結果
により評価する段階を有することを特徴とするケミカル
クリーンの無塵服の評価方法（請求項１７）を提供す
る。

【００２３】

【発明の実施の形態】我々はケミカルクリーン仕様のク
リーンルーム内に保管した光学部材の透過率が低下する
原因を化学分析により調べた。その結果、この透過率低
下の原因はクリーンルーム内に持ち込まれ使用される無
塵服、布巾の素材に含まれる汚染物質にあることを気付
き、これら汚染物質の混入ルートには少なくとも以下の
３通りあることを見つけた。

【００２４】第一は、繊維製造時のモノマーや添加物
（可塑剤、安定剤）であり、ポリエステル繊維の場合、
テレフタール酸やエチレングリコール、リン化合物、等
のモノマーや安定剤である。また、無塵服、布巾の素材
が不織布の場合には、接着用のバインダーとして用いら
れるポリアクリル酸エステルエマルジョン、合成ゴムラ
ッテクス、ポリビニルアルコール、等がある。更にま
た、紡糸時に通す紡糸液がある。

【００２５】第二は、製造工程の紡織時に付着する機械
油のミストや、壁等から発生するフタール酸ジブチルの
ような芳香族、アジピン酸ジオクチル、環状シロキサ
ン、等の化学汚染物質である。第三は、クリーニング時
に付着する界面活性剤、クリーニング用溶剤（塩素系溶
剤）の洗剤成分である。

【００２６】これら何れか一つ以上のルートから混入し
た汚染物質が、クリーンルーム内で使用されている間に
分解して脱離し、これらガス状汚染物質がクリーンルー
ム内の雰囲気中に漂い、光学部材に付着するのである。
更に、光学部材が布巾による拭きにより、却って汚染さ
れる原因を調べた。その結果、布巾に含まれている上記
何れか一つ以上のルートから混入した汚染物質が、拭き
の間に光学部材に移って付着した結果であることが分か
った。

【００２７】そこで、我々は以下のような無塵服、布
巾、それらの評価方法、光学基板の清浄化方法を提供す
る。［実施形態１］本実施形態の布巾は、不織布または織布
から成り、それの素材が不揮発性（常温で極めて低蒸気
圧）であるのみならず、それにはバインダー、等の添加
物や不純物、等の汚染物質を含まない。

【００２８】本発明の布巾は、添加物や不純物、等の汚
染物質を含まず、またクリーンルーム仕様洗浄が行われ
るため、本発明の布巾には使用中に脱離する有機物質及
び無機物質を含まない。そのために、ケミカルクリーン
を要求するクリーンルームで、本発明の布巾を用い、乾
拭きまたは溶剤や水を含浸させて光学部材の拭きを行な
ったときに、無機物質や有機物質が光学部材表面に残ら
ない。布巾に含浸させる有機溶剤は拭きを行ったときに
光学部材の表面に残るが、これらは通常極めて揮発性が
高いので、光学部材の使用時には表面に残留していない
のである。［実施形態２］本実施形態の無塵服は、不織布または織
布から成り、それの素材が不揮発性（常温で極めて低蒸
気圧）であるのみならず、それにはバインダー、等の添
加物や不純物、等の汚染物質を含まない。

【００２９】本発明の無塵服は、添加物や不純物を含ま
ず、またクリーンルーム仕様洗浄が行われるため、本発
明の無塵服には着用中に脱離する有機物質及び無機物質
を含まない。そのために、ケミカルクリーンを要求する
クリーンルームで、本発明の無塵服を着用して作業して
も、無塵服から素材の可塑剤や接着剤成分、その他製造
工程で付着した油汚れ、等の有機物質の揮発がなく、そ
のために、これらガス状有機物質が半導体露光装置、等
の光学装置の光学部材に付着することがない。［実施形態３］本実施形態の布巾は、実施形態１の材料
から成り、且つ、好ましくは洗剤と純水を用いたクリー
ンルーム仕様洗浄が行われる。より好ましくは洗剤と純
水だけでなく、有機溶剤による仕上げ洗浄を含んだクリ
ーンルーム仕様洗浄が行われる。

【００３０】仕上げ洗浄に使用される有機溶剤として
は、芳香族やアミン、チオール系など、クリーンルーム
に於いて行なう作業工程または作業工程後人的または物
理的に有害なガスを発生させる成分や、発生したガスが
第三の物質表面上に吸着し被膜を形成する成分、反応性
が高く単独または他の物質と反応して第三成分を生成す
る成分、作業工程上必要な反応（例えばレジストの光化
学反応）を阻害する成分を含むものであってはならな
い。ここで用いる有機溶剤としては、好ましくはメタノ
ール、エタノール、イソプロピルアルコール、等のアル
コール類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の飽和炭化
水素、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、等の
エーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、等のケト
ン類、等から選ばれた一種類以上が挙げられ、より好ま
しくはメタノール、エタノール、ジエチルエーテル、メ
チルエチルエーテル、アセトンが挙げられる。ここに挙
げた有機溶剤以外でも、上記の条件に合致すれば採用可
能である。

【００３１】以上のように有機物を除去する洗浄が行わ
れるため、本実施形態の布巾は、素材と洗浄の両方の効
果によって、素材の可塑剤や接着剤成分、等の有機物質
を揮発させることがなく、且つ使用に際して有機物質ま
たは無機物質の片方または両方の汚れを脱離させて光学
部材表面に残すことがない。そのために、ケミカルクリ
ーンを要求するクリーンルームで、雰囲気を汚染させな
いで光学部材表面の有機物質または無機物質の片方また
は両方の汚れを除去するために好ましく使用できる。［実施形態４］本実施形態の無塵服は、実施形態２の材
料から成り、且つ、好ましくは洗剤と純水を用いたクリ
ーンルーム仕様洗浄が行われる。より好ましくは洗剤と
純水だけでなく、有機溶剤による仕上げ洗浄を含んだク
リーンルーム仕様洗浄が行われる。

【００３２】仕上げ洗浄に使用される有機溶剤として
は、芳香族やアミン、チオール系など、クリーンルーム
に於いて行なう作業工程または作業工程後人的または物
理的に有害なガスを発生させる成分や、発生したガスが
第三の物質表面上に吸着し被膜を形成する成分、反応性
が高く単独もしくは他の物質と反応して第三成分を生成
する成分、作業工程上必要な反応（例えばレジストの光
化学反応）を阻害する成分を含むものであってはならな
い。ここで用いる有機溶剤としては、好ましくはメタノ
ール、エタノール、イソプロピルアルコール、等のアル
コール類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の飽和炭化
水素、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、等の
エーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、等のケト
ン類、等から選ばれた一種類以上が挙げられ、より好ま
しくはメタノール、エタノール、ジエチルエーテル、メ
チルエチルエーテル、アセトンが挙げられる。ここに挙
げた有機溶剤以外でも、上記の条件に合致すれば採用可
能である。

【００３３】以上のように有機物を除去する洗浄が行わ
れるため、本実施形態の無塵服は、素材と洗浄の両方の
効果によって、着用中に有機物質または無機物質の片方
または両方を、特に素材の可塑剤や接着剤成分、その他
製造工程で付着した油汚れの有機物質が揮発、等して脱
離することがない。そのために、ケミカルクリーンを要
求するクリーンルーム内で、本実施形態の無塵服を着用
して作業しても、これらガス状有機物質が半導体露光装
置、等の光学装置の光学部材に付着することがない。［実施形態５］本実施形態はケミカルクリーンを要求す
るクリーンルームで使用する布巾及び無塵服の評価方法
を提供する。布巾と無塵服の評価方法には本質的な違い
はない。

【００３４】第一の方法は、評価用基板を清浄化のため
に洗浄し、直ちに光学特性の評価を行う。この基板を評
価対象の布巾にて乾拭きもしくは溶剤を含浸させた状態
で拭きを行なう。この拭きを行った後に評価用基板の光
学特性を測定し、その光学特性を洗浄直後の光学特性と
比較する。その光学特性の変化により評価対象の布巾か
ら脱離し評価用基板に付着する成分の有無或いは大小を
評価することにより布巾の清浄度を評価する方法であ
る。光学特性としては好ましくは透過率が用いられる。
洗浄方法として好ましくは光洗浄が行われる。

【００３５】第二の方法は、内壁面がケミカルクリーン
に仕上げてある密閉容器中に評価対象の布巾もしくは同
一素材の布片と共に、洗浄により清浄化された評価用基
板を設置し、密閉容器中の布巾もしくは布片に光線を照
射したり、密閉容器中を加熱または減圧状態にし、布巾
もしくは布片から直接もしくは分解して脱離し、評価用
基板に付着する成分の有無または大小を、評価用基板の
光学特性の変化により布巾の清浄度を評価する方法であ
る。光学特性としては好ましくは透過率が用いられ、洗
浄方法として好ましくは光洗浄が行われる。また照射す
る光線として好ましくは露光装置の露光光源と同一波長
の光源、またはクリーンルーム内で用いる光源と同一波
長の光源が用いられる。

【００３６】第三の方法は、内壁面がケミカルクリーン
に仕上げてある密閉容器中に評価対象の布巾もしくは同
一素材の布片を設置し、密閉容器中の布巾もしくは布片
に高エネルギーの光線を照射したり、密閉容器中を加熱
または減圧状態にし、布巾もしくは布片から直接もしく
は分解して脱離する成分の有無または大小を化学分析装
置によって分析して布巾の清浄度を評価する方法であ
る。化学分析装置としては好ましくはＧＣ−ＭＳが用い
られる。

【００３７】第四の方法は、評価対象の布巾もしくは同
一素材の布片を有機溶剤中に浸漬し、常温もしくは加熱
状態で長時間放置した後に、布巾もしくは布片からの溶
出成分の有無または大小を有機溶剤を分析することによ
り布巾の清浄度を評価する方法である。第五の方法は、
評価用基板を洗浄により清浄化し、直ちに光学特性の測
定を行う。この基板を評価対象の無塵服と同一素材の布
片にて乾拭きもしくは溶剤を含浸させた状態で拭きを行
ない、この拭きを行った後に評価用基板の光学特性を測
定し、その光学特性を光洗浄直後の光学特性と比較す
る。その光学特性の変化により布片から脱離し評価用基
板に付着する成分の有無或いは大小を評価し、無塵服の
清浄度を評価する方法である。光学特性としては好まし
くは透過率が用いられる。洗浄方法として好ましくは光
洗浄が行われる。

【００３８】第六の方法は、内壁面がケミカルクリーン
に仕上げてある密閉容器中に評価対象の無塵服もしくは
同一素材の布片と共に、洗浄により清浄化された評価用
基板を設置し、密閉容器中の無塵服もしくは布片に光線
を照射したり、密閉容器中を加熱または減圧状態にし、
無塵服もしくは布片から直接もしくは分解して脱離し、
評価用基板に付着する成分の有無または大小を、評価用
基板の光学特性の変化により無塵服の清浄度を評価する
方法である。光学特性としては好ましくは透過率が用い
られる。洗浄方法として好ましくは光洗浄が行われる。

【００３９】第七の方法は、内壁面がケミカルクリーン
に仕上げてある密閉容器中に評価対象の無塵服もしくは
同一素材の布片を設置し、密閉容器中の無塵服もしくは
布片に高エネルギーの光線を照射したり、密閉容器中を
加熱または減圧状態にし、無塵服もしくは布片から直接
もしくは分解して脱離する成分の有無または大小を化学
分析装置によって分析して無塵服の清浄度を評価する方
法である。化学分析装置としては好ましくはＧＣ−ＭＳ
が用いられる。

【００４０】第八の方法は、評価対象の無塵服もしくは
同一素材の布片を有機溶剤中に浸漬し、常温もしくは加
熱状態で長時間放置した後に、無塵服もしくは布片から
の溶出成分の有無または大小を有機溶剤を分析すること
により無塵服の清浄度を評価する方法である。上記評価
方法に於いて、評価に先立って、評価対象の布巾及び無
塵服は、好ましくは洗浄される。洗浄は、以下の手順で
行なう。先ず洗剤により洗浄を行い、次に純水もしくは
超純水によりすすぎを行なった後、有機溶剤による洗浄
を１回以上行なってから乾燥させる。この有機溶剤とし
ては実施形態１で挙げられた条件を充たすものから選ば
れる。ここで、以上の何れかの評価方法で不満足な結果
が得られたら、有機溶剤の種類、洗浄時間、等の洗浄条
件を変更するのである。

【００４１】

【実施例】［実施例１］半導体露光装置用光学部材の表
面処理工程で、布巾として旭化成（株）製ベンコットス
ーパーＣＮおよびＲＰ−４を用いて手拭きによる清浄化
処理を行なった。ここでいう手拭きによる清浄化処理(
手拭き処理) は、そのまま或いは有機溶剤をしみ込ませ
た布巾を手に持って布巾で光学部材上の有機物質または
無機物質の片方または両方の汚れを拭い取ることにより
光学部材表面を清浄化する方法であり、光学工業で古く
から慣用的に行われている。ここで手拭き処理用有機溶
剤としてメタノール試薬特級を使用した。手拭き処理を
行った光学部材はガラス基板に反射防止膜を形成したも
のである。図１に、光洗浄を行なって清浄にした直後の
光学部材と、当該布巾によって清浄にした光学部材と
の、透過率の比較を行なった。手拭き処理前後の透過率
変化を示した。実線が光洗浄直後の透過率を、破線が光
洗浄直後スーパＣＮで手拭き処理をしたときの透過率
を、そして点線が光洗浄直後ＲＰ−４で手拭き処理をし
たときの透過率を示す。光洗浄直後の清浄面と比較する
と、手拭き後の透過率に変化が無いことから、光学部材
の表面に有機物質の付着が生じなかったことが確認でき
る。この布巾、スーパーＣＮ及びＲＰ−４を使用するこ
とにより、光学部材の表面に有機物がないことが必要な
表面処理工程であっても、従来必要としていた多槽式洗
浄機や光洗浄機を使うことなく、極めて清浄な表面処理
が行なえるのである。［実施例２］半導体露光装置用光学部材の表面処理に、
布巾として帝人（株）製ミクロスターＷＣを用いた手拭
き処理を行なった。拭き用溶剤としてメタノール試薬特
級を使用した。手拭き処理に用いた上記光学部材はガラ
ス基板に反射防止膜を形成したものとした。図２に、光
洗浄を行なって清浄にしたガラス基板の透過率（実線）
を各種洗浄法で洗浄した上記ミクロスターを用いて手拭
きにより清浄にしたガラス基板の透過率と比較した。各
種洗浄法としては、メタノール洗浄なし（二点鎖線）、
メタノール洗浄１回（一点鎖線）、メタノール洗浄２回
（破線）を選んだ。メタノール洗浄なしの布巾で清浄化
した基板の透過率を光洗浄で得た清浄な基板と比較する
と、メタノール洗浄なしの基板の透過率が２００ｎｍで
約０．３％低下していることが分かる。

【００４２】上記ミクロスターをメタノール中で３時間
浸漬洗浄を行なったのち、自然乾燥にて乾燥させたも
の、即ちメタノール洗浄１回品を用いてガラス基板の手
拭きを行なって測定された透過率を、光洗浄を行なった
基板の透過率と比較すると、メタノール洗浄１回品の基
板の透過率が波長２００ｎｍで約０．１％低下してお
り、透過率の低下量がメタノール洗浄なしの基板のと比
較して１／３に低減した。また、上記ミクロスターをメ
タノール中で３時間浸漬洗浄を行なったのち、自然乾燥
にて乾燥させたものを再び液交換されたメタノール中で
３時間浸漬洗浄を行なったのち、自然乾燥にて乾燥させ
たもの、即ちメタノール洗浄２回品を用いてガラス基板
の手拭きを行なって測定された透過率を、光洗浄を行な
った基板の透過率と比較すると、光洗浄を行なった基板
と同等の透過率が得られたことから、光洗浄によるもの
と同程度の清浄な面が得られたことが確認できた。［実施例３］実施形態４の無塵服を着用してケミカルク
リーンに設計されたクリーンルーム内で半導体装置製造
工程におけるパターン焼き付け作業を行った。このと
き、従来の無塵服で作業した場合に作業環境中に多量に
存在したパターン形成に有害な有機物質の浮遊量が激減
し、有機物質の影響が無くなったため、半導体露光装置
の透過率が低下することなく、レジストにパターン形成
に悪影響を与えるような化学的作用を与えることがなく
なったため、損品率が減少し、スループットが向上し
た。

【００４３】

【発明の効果】上記のように、本発明の布巾及び無塵服
によれば、特にケミカルクリーンが要求されるクリーン
ルーム内で使用したときに、布巾及び無塵服から汚染物
質、特に有機物質が発生することがないので、光学部材
の汚染を防止でき、従って、特に半導体製造工程や液晶
製造工程で用いられる露光装置、等の光学装置の透過率
の低下を防ぐことができ、レジストのパターン形成に悪
影響を与える化学的作用を防止することができる。ま
た、本発明の布巾によれば、光学部材の特に有機物汚染
を残留させないで清浄化することができ、また本発明の
評価方法によれば布巾及び無塵服の清浄度を適切に評価
できる。また本発明の光学部材の清浄化方法によれば、
特に有機物の汚染がない光学部材を得ることができる。

【００４４】以上本発明は特に波長３５０ｎｍ以下の紫
外光にて有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の布巾の拭きの効果を示す、光学部材の
透過率のグラフ。

【図２】本発明の布巾の拭きの効果を示す、光学部材の
透過率のグラフ。

【図３】一般的な５槽式洗浄機。

【図４】クリーンルーム内のデシケータに保管された光
学部材の透過率変化を示すグラフ。

【図５】一般的な光洗浄機。

【図６】ケミカルクリーン仕様のクリーンルーム内に保
管された光学部材が汚染されることを示すグラフ。

【符号の説明】

１洗剤槽２市水槽３純水槽４ＩＰＡ槽５ＩＰＡベーパー槽６超音波振動子７間接加熱器８冷却管９光学部材１０光学部材保持用具１１紫外線ランプ１２外殻１３ＩＰＡ１４紫外線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】バインダー及び不純物を含まない、不織布
または織布を素材とし、光学部材の拭きによる清浄化に
使用され、拭きの間に有機物質の脱離がないために、光
学部材表面に有機物質を残留させることなく、光学部材
の清浄化ができることを特徴とするケミカルクリーンの
布巾。
【請求項２】前記ケミカルクリーンの布巾が、使用の前
に、洗剤洗浄を１回以上行なった後、純水または超純水
によるすすぎを行ない、更に、有機溶剤による洗浄を１
回以上行なってから乾燥させる工程を経て得られること
を特徴とする請求項１記載のケミカルクリーンの布巾。
【請求項３】前記有機溶剤が、高揮発性であって前記有
機溶剤による洗浄後に前記不織布または前記織布の内部
に実質的に残留しないか、或いは残留しても使用中に脱
離したガスが第三の物質表面に吸着し皮膜を形成するこ
とも他の物質と反応して第三成分を生成することも尚且
つ作業工程上必要な反応を阻害することもないかの何れ
かであることを特徴とする請求項２記載のケミカルクリ
ーンの布巾。
【請求項４】請求項２、３何れか１項記載の布巾を用
い、且つ請求項２、３何れか１項記載の有機溶剤を用い
て光学部材を拭きにより洗浄する段階を具えることを特
徴とする光学部材の清浄化方法。
【請求項５】バインダー及び不純物を含まない、不織布
または織布を素材とし、有機物質の塵やガスを実質的に
脱離させないことを特徴とするケミカルクリーンの無塵
服。
【請求項６】前記ケミカルクリーンの無塵服が、使用の
前に、洗剤洗浄を１回以上行なった後、純水または超純
水によるすすぎを行ない、更に、有機溶剤による洗浄を
１回以上行なってから乾燥させる工程を経て得られるこ
とを特徴とする請求項５記載のケミカルクリーンの無塵
服。
【請求項７】前記有機溶剤が、高揮発性であって前記有
機溶剤による洗浄後に前記不織布または前記織布の内部
に実質的に残留しないか、或いは残留しても使用中に脱
離したガスが第三の物質表面に吸着し皮膜を形成するこ
とも他の物質と反応して第三成分を生成することも尚且
つ作業工程上必要な反応を阻害することもないかの何れ
かであることを特徴とする請求項６記載の無塵服。
【請求項８】評価用基板の表面を清浄化する段階、被検
布巾または前記被検布巾と同一素材の布片で前記評価用
基板を乾拭きまたは溶剤を含浸させた状態で拭きを行な
う段階、前記評価用基板の光学特性を測定する段階、前
記布巾の清浄度を前記光学特性により評価する段階を有
することを特徴とするケミカルクリーンの布巾の評価方
法。
【請求項９】密閉容器中に被検布巾または前記被検布巾
と同一素材の布片と、表面が清浄化された評価用基板と
を設置する段階、前記被検布巾または前記布片に光線を
照射するか、密閉容器中を加熱するか、または密閉容器
中を減圧状態にするかの少なくとも一つ以上を行う段
階、前記評価用基板の光学特性を測定する段階、前記布
巾の清浄度を前記光学特性により評価する段階を有する
ことを特徴とするケミカルクリーンの布巾の評価方法。
【請求項１０】密閉容器中に被検布巾または前記被検布
巾と同一素材の布片を設置する段階、前記被検布巾また
は前記布片に光線を照射するか、密閉容器中を加熱する
か、または密閉容器中を減圧状態にするかの少なくとも
一つ以上を行う段階、化学分析装置により前記密閉容器
中のガスを分析する段階、前記布巾の清浄度を前記分析
結果により評価する段階を有することを特徴とするケミ
カルクリーンの布巾の評価方法。
【請求項１１】前記化学分析装置が、ＧＣ−ＭＳである
ことを特徴とする請求項１０記載のケミカルクリーンの
布巾の評価方法。
【請求項１２】被検布巾または前記被検布巾と同一素材
の布片を有機溶剤中に浸漬する段階、浸漬後前記有機溶
剤を分析する段階、前記布巾の清浄度を前記分析結果に
より評価する段階を有することを特徴とするケミカルク
リーンの布巾の評価方法。
【請求項１３】評価用基板の表面を清浄化する段階、被
検無塵服と同一素材の布片で前記評価用基板を乾拭きま
たは溶剤を含浸させた状態で拭きを行なう段階、前記評
価用基板の光学特性を測定する段階、前記無塵服の清浄
度を前記光学特性により評価する段階を有することを特
徴とするケミカルクリーンの無塵服の評価方法。
【請求項１４】密閉容器中に被検無塵服または前記被検
無塵服と同一素材の布片と、表面が清浄化された評価用
基板とを設置する段階、前記被検無塵服または前記布片
に光線を照射するか、密閉容器中を加熱または減圧状態
にするかの片方または両方を行う段階、前記評価用基板
の光学特性を測定する段階、前記無塵服の清浄度を前記
光学特性により評価する段階を有することを特徴とする
ケミカルクリーンの無塵服の評価方法。
【請求項１５】密閉容器中に被検無塵服または前記被検
無塵服と同一素材の布片を設置する段階、前記被検無塵
服または前記布片に光線を照射するか、密閉容器中を加
熱するか、または密閉容器中を減圧状態にするかの少な
くとも一つ以上を行う段階、化学分析装置により前記密
閉容器中のガスを分析する段階、前記無塵服の清浄度を
前記分析結果により評価する段階を有することを特徴と
するケミカルクリーンの無塵服の評価方法。
【請求項１６】前記化学分析装置が、ＧＣ−ＭＳである
ことを特徴とする請求項１５記載のケミカルクリーンの
無塵服の評価方法。
【請求項１７】被検無塵服または前記被検無塵服と同一
素材の布片を有機溶剤中に浸漬する段階、浸漬後前記有
機溶剤を分析する段階、前記無塵服の清浄度を前記分析
結果により評価する段階を有することを特徴とするケミ
カルクリーンの無塵服の評価方法。