JP2012133343A - 露光用マスクの表面イオン濃度のモニター方法およびモニターシステム、該モニターシステムを備えた露光用マスク洗浄装置、並びに残留イオン濃度を保証した露光用マスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光用マスクの洗浄後に、マスク表面に残留するイオン濃度のモニター方法であって、マスク洗浄装置内で、マスクを洗浄後に、マスク表面に純水または温純水を給水して盛り、表面張力で純水または温純水を一定時間保持後、マスク1枚毎にマスク表面から純水または温純水を回収し、回収した純水または温純水を順にイオン分析装置へ圧送し、マスク1枚毎に回収した純水または温純水のイオン濃度の分析を行うことを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
図1は、本発明の露光用マスクの表面イオン濃度のモニター方法およびモニターシステム、該モニターシステムを備えたマスク洗浄装置を説明するためのマスク洗浄実施フローの一実施形態を示すフロー図である。
次に、イオン濃度モニターステップ16について詳しく説明する。
本発明によれば、フォトマスク製造において、マスク洗浄装置内でマスク表面に純水または温純水を表面張力で保持し、その純水または温純水を回収し、イオンクロマトグラフなどのイオン分析装置にて回収した純水または温純水を分析することで、マスク1枚毎の表面イオン濃度をオンラインで測定することが可能となり、表面イオン濃度の値が付与され、マスク表面に残留しているイオン濃度の値が保証された露光用マスクを提供することが可能となる。残留イオン濃度値のデータの付与は、具体的には、マスク収納ケースにデータを貼付する、あるいはマスク検査表にデータを記入するなどの方法が用いられる。
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。
まず、マスク表面に盛られた純水または温純水をこぼし落として回収する方法について予めテストした。
露光用マスクを水平に保持し1枚毎に洗浄するマスク洗浄装置を用い、図1に示すフロー図において、硫酸は使用せずに露光用マスクを洗浄した。次に、マスク洗浄装置内のリンス部において、スピンナー上のマスク表面に液温85℃の温純水を給水して盛り、表面張力で30秒間温純水を保持した後、低速でスピンナーを回転させて、マスク表面からこぼれ落ちる温純水を回収し、回収した温純水をイオンクロマトグラフ装置へ圧送し、硫酸イオン濃度の分析を行った。露光用マスクの測定サンプルは2点で、いずれも6インチ角の石英基板上にクロム薄膜を形成したクロム基板を用いたマスクである。
表1は、予備テスト1における硫酸イオン濃度の測定結果である。
本実施例は、マスク表面に盛られた純水または温純水を吸い上げて回収する方法の例である。
露光用マスクを、パターン面を上にして水平に保持し1枚毎に洗浄するマスク洗浄装置を用い、図1に示すフロー図において、硫酸は使用せずに露光用マスクを洗浄した。次に、マスク洗浄装置内のリンス部において、スピンナー上のマスク表面に液温85℃の温純水を給水して盛り、表面張力で30秒間温純水を保持した後、チューブを用いて吸い上げて回収し、回収した温純水をイオンクロマトグラフ装置へ圧送し、硫酸イオン濃度の分析を行った。チューブによる回収時間は3分であった。露光用マスクの測定サンプルは2−1、2−2の2点で、いずれも6インチ角の石英基板上にクロム薄膜を形成したクロム基板を用いたマスクである。
表2は、実施例1における硫酸イオン濃度の測定結果である。
本実施例は、マスク洗浄に硫酸を使用した場合の例で、イオン抽出液である純水または温純水の温度の違いによる検出イオン量を比較した例である。
表3は、実施例1と同様にしてマスク洗浄し、マスクの表裏面を純水または温純水でリンスした後、マスク表面に盛った純水(20℃)または温純水(85℃)と、さらにそれらをマスク裏面側から液温85℃の温純水を当てて加温した場合と、加温せずに常温(20℃)の純水を当てた場合とにおいて、表面張力で30秒間温純水を保持した後、チューブを用いて吸い上げて回収し、回収した温純水をイオンクロマトグラフ装置へ圧送し、硫酸イオン濃度の分析を行い、検出された硫酸イオン濃度の結果である。サンプルは4点で、いずれも石英基板上にクロム薄膜を形成したクロム基板を用いたマスクである。マスク表面に盛った純水または温純水の保持時間は、いずれも30秒間である。
本予備テストは、マスク用石英基板を対象にして、マスク洗浄に硫酸を使用し、イオン抽出液である純水または温純水の温度の違いによる検出イオン量を比較したテストである。洗浄方法および石英基板表面の純水または温純水の回収条件は、実施例2と同様である。
露光用マスクとして、6インチ角の石英基板上にモリブデンシリサイド(MoSi)系薄膜によりパターンを形成したハーフトーン型位相シフトマスクを作成した。マスクを水平に保持し、図4に示す1枚毎に洗浄するマスク洗浄装置を用いて、マスクの洗浄を行った。洗浄に硫酸は使用しなかった。次に、マスク洗浄装置内のリンス部において、マスク洗浄後のスピンナー上のマスク表面に85℃の温純水を給水して盛り、表面張力で30秒間温純水を保持した後、チューブを用いて温純水を回収し、回収した温純水をイオンクロマトグラフ装置へ圧送し、硫酸イオン濃度およびアンモニウムイオン濃度の分析を行った。温純水の回収には3分を要した。測定結果は、硫酸イオン濃度が0.3ppb、アンモニウムイオン濃度が3.7ppbであった。
11a ローダ
12 薬液洗浄ステップ
12a 薬液洗浄部
13 リンスステップ
13a リンス部
14 物理洗浄ステップ
14a 物理洗浄部
15 リンスステップ
15a リンス部
16 イオン濃度モニターステップ
16a イオン濃度モニター部
17 乾燥ステップ
17a 乾燥部
18 アンロード
18a アンローダ
21 スピンナー
22 マスク
23 給水管
24 純水または温純水
25 温純水
26 チューブ
31 分離カラム
32 溶離液
33 ポンプ
34 回収した温純水
35 バルブ
36 サプレッサー
37 検出器
38 廃液
Claims (14)
- 露光用マスクの洗浄後に、前記マスク表面に残留するイオン濃度のモニター方法であって、
(1)前記マスクを水平に保持し1枚毎に洗浄するマスク洗浄装置内で、前記マスクを洗浄後に、前記水平に保持したマスク表面に純水または温純水を給水して盛り、表面張力で前記純水または温純水を保持する工程と、
(2)前記純水または温純水を一定時間前記マスク表面に保持後、前記マスク1枚毎に前記マスク表面から前記純水または温純水を回収する工程と、
(3)前記マスク1枚毎に回収した前記純水または温純水を順にイオン分析装置へ圧送する工程と、
(4)前記イオン分析装置にて前記マスク1枚毎に回収した前記純水または温純水のイオン濃度の分析を自動で行う工程と、
を含むことを特徴とする露光用マスクの表面イオン濃度のモニター方法。 - 前記工程(1)に加えて、前記マスクおよび前記マスク表面に保持された前記純水または温純水を加温する工程を有することを特徴とする請求項1に記載の露光用マスクの表面イオン濃度のモニター方法。
- 前記マスクの裏面側に温純水を当て、前記マスクおよび前記マスク表面に保持された前記純水または温純水を加温することを特徴とする請求項2に記載の露光用マスクの表面イオン濃度のモニター方法。
- 前記工程(2)において、チューブを用いて、前記マスク1枚毎に前記マスク表面から前記純水または温純水を吸い上げて回収することを特徴とする請求項1から請求項3までのうちのいずれか1項に記載の露光用マスクの表面イオン濃度のモニター方法。
- 前記イオン分析装置が、イオンクロマトグラフ装置、キャピラリー電気泳動装置およびICPマススペクトル装置のうちのいずれかの装置であることを特徴とする請求項1から請求項4までのうちのいずれか1項に記載の露光用マスクの表面イオン濃度のモニター方法。
- 前記マスク表面でモニターする残留イオンは、硫酸イオン、シュウ酸イオン、アンモニウムイオンの中から選ばれた少なくとも1種のイオンを含むものであることを特徴とする請求項1から請求項5までのうちのいずれか1項に記載の露光用マスクの表面イオン濃度のモニター方法。
- 露光用マスクの洗浄後に、前記マスク表面に残留するイオン濃度のモニターシステムであって、
前記マスクを水平に保持し1枚毎に洗浄するマスク洗浄装置内で、前記マスクを洗浄後に、前記水平に保持したマスク表面に純水または温純水を給水して盛り、表面張力で前記純水または温純水を保持する給水保持手段と、
前記純水または温純水を一定時間前記マスク表面に保持後、前記マスク1枚毎に前記マスク表面から前記純水または温純水を回収する回収手段と、
前記マスク1枚毎に回収した純水または温純水を順にイオン分析装置へ圧送する圧送手段と、
前記イオン分析装置にて前記マスク1枚毎に回収した純水または温純水のイオン濃度の分析を自動で行うイオン分析手段と、
を備えることを特徴とする露光用マスクの表面イオン濃度のモニターシステム。 - 前記給水保持手段とともに、前記マスクおよび前記保持されたマスク表面の前記純水または温純水を加温する加温手段を有することを特徴とする請求項7に記載の露光用マスクの表面イオン濃度のモニターシステム。
- 前記加温手段が、前記マスクの裏面側に温純水を当てる手段であることを特徴とする請求項8に記載の露光用マスクの表面イオン濃度のモニターシステム。
- 前記回収手段が、チューブを用いて前記純水または温純水を吸い上げて回収する手段であることを特徴とする請求項7から請求項9までのうちのいずれか1項に記載の露光用マスクの表面イオン濃度のモニターシステム。
- 前記イオン分析装置が、イオンクロマトグラフ装置、キャピラリー電気泳動装置およびICPマススペクトル装置のうちのいずれかの装置であることを特徴とする請求項7から請求項10までのうちのいずれか1項に記載の露光用マスクの表面イオン濃度のモニターシステム。
- 露光用マスク洗浄装置であって、前記マスク洗浄装置が、請求項7から請求項11までのうちのいずれか1項に記載の露光用マスクの表面イオン濃度のモニターモニターシステムを備えたことを特徴とする露光用マスク洗浄装置。
- 露光用マスクであって、前記マスクが、マスク1枚毎にマスク表面に残留しているイオン濃度の値が保証されていることを特徴とする露光用マスク。
- 請求項13に記載のイオン濃度の値が、請求項1から請求項6までのうちのいずれか1項に記載の露光用マスクの表面イオン濃度のモニター方法により測定した値であることを特徴とする露光用マスク。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014224981A (ja) * | 2013-04-25 | 2014-12-04 | 旭硝子株式会社 | フォトマスク用ガラス基板の洗浄方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63104331A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 現像処理方法 |
JPH02304923A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Fujitsu Ltd | ドライクリーニング方法 |
JPH0822945A (ja) * | 1994-07-07 | 1996-01-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001059834A (ja) * | 1999-08-23 | 2001-03-06 | Sumika Chemical Analysis Service Ltd | 物質表面のイオン成分定量方法 |
JP2006011048A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Hoya Corp | リソグラフィーマスクの製造方法及びリソグラフィーマスク |
WO2008001698A1 (en) * | 2006-06-26 | 2008-01-03 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP2008051880A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光用マスクの管理方法および露光用マスク |
JP2008197109A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 汚染分析装置及びその方法並びにそれを用いたレチクル洗浄システム |
JP2010164957A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-07-29 | Central Glass Co Ltd | トップコート組成物 |
-
2011
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63104331A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 現像処理方法 |
JPH02304923A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Fujitsu Ltd | ドライクリーニング方法 |
JPH0822945A (ja) * | 1994-07-07 | 1996-01-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001059834A (ja) * | 1999-08-23 | 2001-03-06 | Sumika Chemical Analysis Service Ltd | 物質表面のイオン成分定量方法 |
JP2006011048A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Hoya Corp | リソグラフィーマスクの製造方法及びリソグラフィーマスク |
WO2008001698A1 (en) * | 2006-06-26 | 2008-01-03 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP2008051880A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光用マスクの管理方法および露光用マスク |
JP2008197109A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 汚染分析装置及びその方法並びにそれを用いたレチクル洗浄システム |
JP2010164957A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-07-29 | Central Glass Co Ltd | トップコート組成物 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014224981A (ja) * | 2013-04-25 | 2014-12-04 | 旭硝子株式会社 | フォトマスク用ガラス基板の洗浄方法 |
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