JP5007568B2 - レチクル検査方法及びレチクルの管理方法 - Google Patents
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Description
従来は、スキャナー・ステッパー露光におけるレチクルへの紫外線暴露は、露光エネルギーがある程度小さく、また、露光波長も長い場合は問題なかった。しかし、最近は、スキャナー・ステッパーの露光波長は短くなり、現在、配線の幅が90nmとする半導体素子に対しては、露光光としては、ArF光(193nm)が主流となっている。このために、エネルギーの大きいArF光等の紫外線に暴露されることで、レチクルに成長性異物(一般に、ヘイズ又はくもりとも呼ばれる。)が発生してしまう。このヘイズによって、紫外線光を遮光されることでウェーハのパターンが影響を受けて、実際には用いることができず、破棄される不良品が生産されるために、生産性が低下するという問題がある。そこで、レチクルの検査方法、搬送方法等の信頼性を高める必要がある。さらに、レチクル上のヘイズの発生を防止する必要がある。
また、特許文献2では、アルミニウム合金の表面を陽極酸化処理したものからなり、硫酸イオン、硝酸イオン、塩素イオン、及び有機酸(シュウ酸、蟻酸、及び酢酸の総量)のそれぞれの含有量が、前記フレームの表面積100cm2あたり25℃の純水100ml中への168時間浸漬後の溶出濃度で1.1ppm以下であるペリクルフレームが開示されている。
または、レチクルにおける成長性異物の発生を予見し、レチクルの使用を妨げず、フォトリソグラフィ工程内で効率よく用いるためにレチクルを管理するレチクルの管理方法を提供することである。
本発明のレチクルの管理方法は、透光性基板の表面に被転写体に転写するためのパターンを有するレチクルを管理するにあたり、成長性異物が発生する場所と、その成長度合い、転写によりウェーハに与える影響を考慮して透光性基板のパターンを有しない表面をレーザー散乱光検出型異物検査装置等安価で高スループットな検査装置(以後異物検査装置と呼ぶ)による検査をして、成長性異物レチクルの使用可否の判断をして、さらに、その判断がフォトリソグラフィ工程におけるスループットに与える影響を小さくして生産性を高めてレチクルを管理するものである。
また、本発明のレチクルの管理方法は、透光性基板の表面に被転写体に転写するためのパターンを有するレチクルの使用を管理するレチクルの管理方法にあたり、成長性異物の分析と成長していく過程を考慮して、レチクルの残留汚染物質とレチクル使用環境における環境物質を調べ、これらの物質が結晶化して成長していくためのエネルギーとしての露光光をモニタすることで、フォトリソグラフィ工程においてレチクルに成長性異物が発生する時期を予測するものである。とくに、露光光として、波長が短くてエネルギーの強い紫外線の積算紫外線暴露量と紫外線暴露密度とで管理するものである。
また、本発明によると、紫外線露光によるフォトリソグラフィ工程を行う際に、フォトリソグラフィ工程で用いるフォトマスクの使用限界を簡易に評価することができ、特に、将来の微細加工の主流となる波長193nm以下の紫外線を用いるフォトリソグラフィ工程において顕著な効果を奏する。
図1は、本発明のレチクルの管理方法に用いられるレチクルの構造を示す概略図である。
レチクル10には、透光性基板11の一つの面に半導体装置を製造するために、ウェーハに転写するパターン14と、その上に形成されるペリクル膜12と、このペリクル膜12を固定して保護するペリクルフレーム13とから構成されている。
透光性基板11としては、ガラス基板が用いられている。
パターン14としては、アルミニウム、クロム等の真空蒸着された金属膜が用いられている。
ペリクル膜12は、ニトロセルロース等の有機薄膜が用いられ、ペリクルフレーム13は、表面を陽極酸化処理したアルミニウム合金を用いている。さらに、ペリクル膜12、ペリクルフレーム13を透光性基板11に固定するために、ポリブテン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂等からなる接着剤(図示しない)を用いて貼着している。
このレチクル10をフォトリソグラフィ工程における露光により照射された紫外線23は、パターン14の形成されていないガラス面22側から入射して、パターン14が形成されているパターン面21側へ入射し、パターン14で一部は遮られ、その他は、透光性基板10とペリクル膜12との界面を通過して、ペリクル膜12へ入り、外部へ抜ける。
レチクル10上の成長性異物201、202が形成される原因として、レチクル製造時のレチクル10上に残留する汚染物質として、例えば、洗浄するための洗剤、または、透光性基板11とペリクル膜12、ペリクルフレーム13を固定するための接着剤が汚染物質として挙げられ、具体的には洗剤の影響が大きく、SO4イオン、NH3イオン等が挙げられる。また、レチクル10の使用環境における雰囲気内の汚染物質として、レチクルストッカー内、スキャナー・ステッパー内、クリーンルーム内、レチクル輸送ケース等にある、例えば、SO4イオン、SOX(ここで、Xは自然数とする)、NOX(ここで、Xは自然数とする)、NH3イオン等が挙げられる。
これらの物質が存在している場所に、スキャナー・ステッパーでの高エネルギーの紫外線23に暴露されることで、そして、露光時に、環境中やペリクルの他の構成部材などからのNH3イオンやシアン化合物、その他炭化水素化合物などがペリクルと透光性基板との間に形成する閉空間内にガス状に発生し、光化学反応を引き起こし、硫酸アンモニウム等に代表される物質が生成し、いわゆる成長性異物201、202を発生させて、レチクル10上へ析出する。また、レチクル10上の成長性異物202は先ず、パターン14のないガラス面22に発生し始める。その後、紫外線暴露を続けると、ある程度ガラス面22の異物が成長した後、成長性異物201は、レチクル10のパターン14が存在するパターン面21に発生する。
図3と図4とは、ある使用環境におけるレチクル作製時の残留SO4イオン濃度の場合の月間暴露量、積算紫外線暴露量とガラス面22にある成長性異物の発生の関係を示している。図3の使用環境における残留SO4イオン濃度が、図4の使用環境における残留SO4イオン濃度より高い。また、紫外線暴露密度は、月間暴露量で表している。また、使用環境の雰囲気内の汚染物質として、NOxが存在している。
図4に示すように、レチクル10の残留SO4イオンが低い場合は、月間暴露量がB’以上、積算暴露量がA’以上で成長性異物の発生が確認されている。このとき、残留SO4イオン濃度の高い低いに逆比例の関係が成立しており、A<A’及びB<B’の関係が成立している。また、これらガラス面22に成長性異物202が発生したレチクル10のパターン面21をレチクル専用の検査装置で検査したところ成長性異物201の発生は無かった。しかし、ガラス面22に成長性異物202が発生したことは、紫外線23の積算暴露量、暴露密度によってパターン面21にも成長性異物202が生ずるので、パターン面21に生ずる前に又は転写するウェーハに悪影響を及ぼす前に、レチクル10を洗浄する。これによって、予め成長性異物201の発生を予見することができ、転写したウェーハに不良品を出すことがなく、また、時間的に余裕を持ってレチクル10を洗浄することができ、半導体装置のスループットを低下させることがない。
また、異物検査装置で検査して使用可否を判断することで、レチクル10への積算紫外線暴露量と紫外線暴露密度と予め定めた値が正当であるか確認することができる。予め定めた値に達したときに、異物検査装置で検査しても、成長性異物201が少ないか、実際には使用可能である場合は、予め定めた値をより大きな値に設定し直して、次回からの異物検査装置の検査を実施する。予め定めた値で異物検査装置で検査した時に、または、ウェーハの製造工程の中で実際に使用不能になっている場合は、予め定めた値をより小さい値に設定し直して、次回からの異物検査装置の検査を実施する。これによって、積算紫外線暴露量と紫外線暴露密度との予め定める値の精度を高めることができる。さらに、予め定める値を、ガラス面22に成長性異物202が発生するときに設定するのではなく、パターン面21に成長性異物201が発生し、転写ウェーハに悪影響を与えるときに設定することもでき、半導体装置のスループットを向上させることができる。
図5は、従来のレチクルの管理方法を示すフローチャートである。
まず、初めに、ウェーハへパターンを転写するためにレチクルを、ステッパー・スキャナ等のフォトリソグラフィ工程用の露光装置に使用を開始するために搬送する(ステップS‘1)。露光装置で使用を開始して、つまり、レチクルに紫外線を照射して露光し、ウェーハにパターンを転写する(ステップS’2)。露光によりパターンを形成したウェーハの転写後のパターンを検査する(ステップS’3)。ウェーハに欠陥を検出しなかった場合は、そのまま次の露光工程に用いるために、露光装置に搬入し、ウェーハに欠陥を検出した場合は、レチクルの検査をする(ステップS‘4)。ウェーハそのものの欠陥か否かを検査し、ウェーハそのものの欠陥でないことを確認後レチクル検査を行う(ステップS’5)。レチクルの検査をし、レチクルそのものに欠陥がないことを検査する(ステップS’6)。その後、レチクルにおける成長性異物の検査を行うが、ここでは、ウェーハ上に欠陥が生じない場合でも定期的に検査する場合がある(ステップS’7)。レチクルのパターン面に成長性異物がない場合は、露光における失敗であり、レチクルをそのまま再度露光装置へ搬送し、成長性異物が発見された場合はレチクルを洗浄工程に移す(ステップS’8)。レチクルを分解して洗浄し、再度組み立てて、フォトリソグラフィ工程用の露光装置に搬送する(ステップS’9)。
したがって、レチクルは、ウェーハ上に欠陥が生ずるか、適当な時期が来たときに検査される。ウェーハ上に欠陥が生じた後では、欠陥が発見されたウェーハはもちろん、いつから欠陥が生じていたかはっきりさせなければならず、ウェーハの検査に多くの時間と労力が必要になり、さらに、レチクルの検査・洗浄をしなければならず、時間と労力が必要になる。また、適当な検査でも、レチクルに成長性異物がない場合は検査のための時間と労力が無駄になる。
図6は、本発明のレチクルの管理方法を示すフローチャートである。
図6は、第1の実施例で、ガラス面の成長性異物の検査のみで、レチクルの成長性異物を管理・運用する方法を示している。
まず、初めに、ウェーハへパターンを転写するためにレチクルを、ステッパー・スキャナ等のフォトリソグラフィ工程用の露光装置に使用を開始するために搬送する(ステップS1)。露光装置で使用を開始して、つまり、レチクルに紫外線を照射して露光し、ウェーハにパターンを転写する(ステップS2)。使用しているレチクルに関して、定期的に検査するための時期を定めておき、その時期に達するまでは、レチクルはそのまま使用し続ける(ステップS3)。とくに、ここでは、パターンのある面ではなく、パターンのないガラス面を検査する時期を定めている。
ガラス面を定期的な検査時期に達したら、レチクルの成長性異物の有無を異物検査装置で検査する(ステップS4)。ガラス面に成長性異物が検出できない場合には、そのまま使用し続けるために、露光装置に搬送する。ガラス面に成長性異物が検出された場合には、パターン面に成長性異物が発生する時期も迫っていることを示しており、ウェーハのスループットを低下させず、生産性を確保するために、洗浄する。
次に、レチクルを分解して洗浄し、再度組み立てて、フォトリソグラフィ工程用の露光装置に搬送する(ステップS5)。
これによって、ウェーハの生産効率を低下させることなく、レチクルを管理することができる。
なお、後述する実施例2のベース管理2で定義したレチクル洗浄を行うべき積算紫外線照射量から、レチクルのガラス面検査の周期を定め、定期的にガラス面検査を行ない、成長性異物を検出したら、レチクルを洗浄に出す。このとき、積算紫外線暴露量をモニタしておけば、ベース管理2の取得データとして利用することも出来る。
図7は、本発明のレチクルの管理方法を示すフローチャートである。
実施例2のレチクルの管理方法では、レチクルの運用とは別に、ベース管理1として、レチクル最終洗浄時の残留イオン濃度(ステップS21)とレチクル使用環境の汚染濃度(ステップS22)を把握管理する。さらに、ベース管理2として、ベース管理1環境下で、レチクルを実際に露光装置に搬入して使用する時期を管理する(ステップS23)。さらに、暴露することでレチクルへの積算紫外線暴露量と紫外線暴露密度とを把握管理する(ステップS24)。この場合、従来からの経験でレチクルの洗浄時期を定義することができる。一方、更に洗浄時期の精度を高めるには、ベース管理2では、実施例1と同様に、予め決めていた時期にレチクルの異物検査装置で、ガラス面を検査する(ステップS26)。この検査で、ガラス面に成長性異物が検出できない場合には、次の検査の時期までそのまま使用し続けける。ガラス面に成長性異物が検出された場合には、パターン面に成長性異物が発生する時期も迫っていることを示しており、洗浄する時期を決定する(ステップS25)。このデータを用いることで、洗浄時期の精度を高めることができる。
次に、ベース管理1からのレチクル洗浄時の残留イオン濃度とレチクル使用環境の汚染濃度と、さらに、ベース管理2からの、洗浄のためのレチクルへの積算紫外線暴露量と紫外線暴露密度とを考慮して、レチクルの洗浄時期になったことを決定する(ステップS14)。さらに、レチクルの洗浄を行う(ステップS15)。次に、レチクル洗浄が完了したら、露光装置に搬入して使用を開始し、紫外線暴露量等の管理をあらたに始める。
これによって、ウェーハの生産効率を低下させることなく、レチクルを管理することができる。
11 透光性基板
12 ペリクル膜
13 ペリクルフレーム
14 パターン
21 パターン面
22 ガラス面
23 紫外線
201、202 成長性異物
Claims (5)
- 透光性基板の表面に被転写体に転写するためのパターンを有するレチクルを管理するレチクルの管理方法において、
前記レチクルの残留汚染物質と、
前記レチクルの使用環境における環境物質と、
前記レチクルへの積算紫外線暴露量と紫外線暴露密度とに基づいて、成長性異物の発生を予測するレチクルの管理方法であって、
前記レチクルへの積算紫外線暴露量と紫外線暴露密度とが、両方とも予め定めた値以上になったときに、前記レチクルを洗浄する
ことを特徴とするレチクルの管理方法。 - 請求項1に記載のレチクルの管理方法において、
前記レチクルの残留汚染物質が、SO 4 イオンである
ことを特徴とするレチクルの管理方法。 - 請求項1又は2に記載のレチクルの管理方法において、
前記レチクル使用環境における環境物質が、SO X (Xは自然数)、NO X (Xは自然数)である
ことを特徴とするレチクルの管理方法。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載のレチクルの管理方法において、
前記透光性基板の前記パターンを有しないもう一方の表面に発生する成長性異物を予測する
ことを特徴とするレチクル検査方法。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載のレチクルの管理方法において、
前記予め定めた値は、
前記レチクルの残留汚染物質と、
前記レチクルの使用環境における環境物質と、
前記レチクルへの積算紫外線暴露量と紫外線暴露密度とに基づいて、成長性異物の発生を検査して定める
ことを特徴とするレチクルの管理方法。
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