JP2001040181A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置Info
- Publication number
- JP2001040181A JP2001040181A JP11220484A JP22048499A JP2001040181A JP 2001040181 A JP2001040181 A JP 2001040181A JP 11220484 A JP11220484 A JP 11220484A JP 22048499 A JP22048499 A JP 22048499A JP 2001040181 A JP2001040181 A JP 2001040181A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- semiconductor
- component
- phosphorus compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】高い難燃性はもちろん、優れた耐湿性および流
動性を兼ね備えた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提
供する。 【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半導
体封止用エポキシ樹脂組成物である。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）無機質充填剤。 （Ｄ）下記の一般式（１）で表される有機燐化合物。 【化１】
動性を兼ね備えた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提
供する。 【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半導
体封止用エポキシ樹脂組成物である。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）無機質充填剤。 （Ｄ）下記の一般式（１）で表される有機燐化合物。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、難燃性はもちろ
ん、優れた耐湿信頼性および流動性を有する半導体封止
用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置に
関するものである。
ん、優れた耐湿信頼性および流動性を有する半導体封止
用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、トランジスター，ＩＣ，ＬＳ
Ｉ等の半導体素子は、エポキシ樹脂組成物を用い封止さ
れ電子部品化されている。その電子部品は、難燃性の規
格であるＵＬ９４Ｖ−０に適合することが不可欠である
ため、これまでは臭素化エポキシ樹脂および酸化アンチ
モンを添加することにより難燃性を付与する方法が採ら
れてきた。ところが、近年、環境保護の観点から、上記
ハロゲン系難燃剤やアンチモン化合物を用いることなく
難燃性を付与させる方法が要求されている。
Ｉ等の半導体素子は、エポキシ樹脂組成物を用い封止さ
れ電子部品化されている。その電子部品は、難燃性の規
格であるＵＬ９４Ｖ−０に適合することが不可欠である
ため、これまでは臭素化エポキシ樹脂および酸化アンチ
モンを添加することにより難燃性を付与する方法が採ら
れてきた。ところが、近年、環境保護の観点から、上記
ハロゲン系難燃剤やアンチモン化合物を用いることなく
難燃性を付与させる方法が要求されている。
【０００３】上記要求に対して、難燃付与を目的に、金
属水酸化物、硼素化合物、赤燐化合物等を用いることが
検討されてきたが、上記化合物の多くはこれらを用いる
ことにより、流動性の低下による成形性の不良、不純物
含有量の多さによる耐湿性の低下という問題を有してい
る。
属水酸化物、硼素化合物、赤燐化合物等を用いることが
検討されてきたが、上記化合物の多くはこれらを用いる
ことにより、流動性の低下による成形性の不良、不純物
含有量の多さによる耐湿性の低下という問題を有してい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】例えば、上記化合物に
おいて、金属水酸化物等においては板状の形状を有する
ことから、封止材となるエポキシ樹脂組成物の流動性が
低下するという欠点があった。また、赤燐化合物等にお
いては、水に溶解し易いことから、高温高湿下で燐酸等
の不純物イオンの析出が多くなり、耐湿信頼性の低下を
生じるという欠点があった。さらに、有機燐化合物も難
燃性を付与することができると考えられるが、上記赤燐
化合物と同様、耐湿信頼性の低下を生じるという欠点を
有している。
おいて、金属水酸化物等においては板状の形状を有する
ことから、封止材となるエポキシ樹脂組成物の流動性が
低下するという欠点があった。また、赤燐化合物等にお
いては、水に溶解し易いことから、高温高湿下で燐酸等
の不純物イオンの析出が多くなり、耐湿信頼性の低下を
生じるという欠点があった。さらに、有機燐化合物も難
燃性を付与することができると考えられるが、上記赤燐
化合物と同様、耐湿信頼性の低下を生じるという欠点を
有している。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、高い難燃性はもちろん、優れた耐湿性および流
動性を兼ね備えた半導体封止用エポキシ樹脂組成物およ
びそれを用いて得られる高い信頼性を有する半導体装置
の提供をその目的とする。
もので、高い難燃性はもちろん、優れた耐湿性および流
動性を兼ね備えた半導体封止用エポキシ樹脂組成物およ
びそれを用いて得られる高い信頼性を有する半導体装置
の提供をその目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を第１の要旨とする。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）無機質充填剤。 （Ｄ）下記の一般式（１）で表される有機燐化合物。
め、本発明は、下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を第１の要旨とする。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）無機質充填剤。 （Ｄ）下記の一般式（１）で表される有機燐化合物。
【０００７】
【化４】
【０００８】また、本発明は、上記半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物により半導体素子を封止してなる半導体装
置を第２の要旨とする。
シ樹脂組成物により半導体素子を封止してなる半導体装
置を第２の要旨とする。
【０００９】本発明者らは、難燃性付与を必須条件に、
これに加えて耐湿信頼性および流動性においても優れた
封止材となり得るエポキシ樹脂組成物を得ることを目的
に一連の研究を重ねた。その結果、上記一般式（１）で
表される特定の有機燐化合物を用いると、優れた難燃性
が付与されることはもちろん、耐湿信頼性においても優
れ、かつ先に述べた金属水酸化物等のように流動性の低
下を生じず所期の目的が達成されることを見出し本発明
に到達した。すなわち、上記一般式（１）で表される有
機燐化合物中の水酸基がエポキシ樹脂中のエポキシ基と
反応し硬化物中に分子レベルで取り込まれると考えられ
るため、例えば、従来の赤燐等の難燃剤の場合と比較し
て、高温高湿等の条件下での燐酸イオン等の不純物が析
出しにくく、その結果、耐湿信頼性に関して優れた封止
材料となるのである。
これに加えて耐湿信頼性および流動性においても優れた
封止材となり得るエポキシ樹脂組成物を得ることを目的
に一連の研究を重ねた。その結果、上記一般式（１）で
表される特定の有機燐化合物を用いると、優れた難燃性
が付与されることはもちろん、耐湿信頼性においても優
れ、かつ先に述べた金属水酸化物等のように流動性の低
下を生じず所期の目的が達成されることを見出し本発明
に到達した。すなわち、上記一般式（１）で表される有
機燐化合物中の水酸基がエポキシ樹脂中のエポキシ基と
反応し硬化物中に分子レベルで取り込まれると考えられ
るため、例えば、従来の赤燐等の難燃剤の場合と比較し
て、高温高湿等の条件下での燐酸イオン等の不純物が析
出しにくく、その結果、耐湿信頼性に関して優れた封止
材料となるのである。
【００１０】そして、上記（Ｃ）成分である無機質充填
剤を特定の範囲の含有量となるように用いる場合、難燃
性および流動性のバランスが特に良好となり、より優れ
た封止材を得ることができるようになる。
剤を特定の範囲の含有量となるように用いる場合、難燃
性および流動性のバランスが特に良好となり、より優れ
た封止材を得ることができるようになる。
【００１１】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を詳
しく説明する。
しく説明する。
【００１２】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、フェノール樹脂（Ｂ成
分）と、無機質充填剤（Ｃ成分）と、特定の有機燐化合
物（Ｄ成分）とを用いて得られるものであって、通常、
粉末状もしくはそれを打錠したタブレット状になってい
る。
は、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、フェノール樹脂（Ｂ成
分）と、無機質充填剤（Ｃ成分）と、特定の有機燐化合
物（Ｄ成分）とを用いて得られるものであって、通常、
粉末状もしくはそれを打錠したタブレット状になってい
る。
【００１３】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）としては、特
に限定するものではなく、ジシクロペンタジエン型，ク
レゾールノボラック型，フェノールノボラック型，ビス
フェノール型，ビフェニル型等の各種のエポキシ樹脂を
用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用い
てもよいし２種以上併用してもよい。そして、これらエ
ポキシ樹脂のなかでも、特に融点または軟化点が室温を
超えていることが好ましい。例えば、クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量１８０〜２
１０、軟化点６０〜１１０℃のものが好適に用いられ
る。また、上記ビフェニル型エポキシ樹脂としては、エ
ポキシ当量１８０〜２１０、融点８０〜１２０℃のもの
が好適に用いられる。
に限定するものではなく、ジシクロペンタジエン型，ク
レゾールノボラック型，フェノールノボラック型，ビス
フェノール型，ビフェニル型等の各種のエポキシ樹脂を
用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用い
てもよいし２種以上併用してもよい。そして、これらエ
ポキシ樹脂のなかでも、特に融点または軟化点が室温を
超えていることが好ましい。例えば、クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量１８０〜２
１０、軟化点６０〜１１０℃のものが好適に用いられ
る。また、上記ビフェニル型エポキシ樹脂としては、エ
ポキシ当量１８０〜２１０、融点８０〜１２０℃のもの
が好適に用いられる。
【００１４】上記フェノール樹脂（Ｂ成分）は、上記エ
ポキシ樹脂（Ａ成分）の硬化剤として作用するものであ
り、特に限定するものではなく、ジシクロペンタジエン
型フェノール樹脂，フェノールノボラック樹脂，クレゾ
ールノボラック樹脂，フェノールアラルキル樹脂等があ
げられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよい
し２種以上併用してもよい。そして、これらフェノール
樹脂としては、水酸基当量が７０〜２５０，軟化点が５
０〜１１０℃のものを用いることが好ましい。そして、
上記エポキシ樹脂（Ａ成分）とフェノール樹脂（Ｂ成
分）との好適な組み合わせとしては、エポキシ樹脂（Ａ
成分）としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を用
いる場合はフェノールノボラック樹脂を用いることが好
ましく、エポキシ樹脂（Ａ成分）としてビフェニル型エ
ポキシ樹脂を用いる場合はフェノールアラルキル樹脂を
用いることが好ましい。
ポキシ樹脂（Ａ成分）の硬化剤として作用するものであ
り、特に限定するものではなく、ジシクロペンタジエン
型フェノール樹脂，フェノールノボラック樹脂，クレゾ
ールノボラック樹脂，フェノールアラルキル樹脂等があ
げられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよい
し２種以上併用してもよい。そして、これらフェノール
樹脂としては、水酸基当量が７０〜２５０，軟化点が５
０〜１１０℃のものを用いることが好ましい。そして、
上記エポキシ樹脂（Ａ成分）とフェノール樹脂（Ｂ成
分）との好適な組み合わせとしては、エポキシ樹脂（Ａ
成分）としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を用
いる場合はフェノールノボラック樹脂を用いることが好
ましく、エポキシ樹脂（Ａ成分）としてビフェニル型エ
ポキシ樹脂を用いる場合はフェノールアラルキル樹脂を
用いることが好ましい。
【００１５】上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられ
る無機質充填剤（Ｃ成分）としては、特に限定するもの
ではなく従来公知の各種充填剤があげられ、例えば、石
英ガラス粉末、タルク、シリカ粉末（溶融シリカ粉末や
結晶性シリカ粉末等）、アルミナ粉末、窒化アルミニウ
ム粉末、窒化珪素粉末等があげられる。これらは単独で
もしくは２種以上併せて用いられる。なかでも、得られ
る硬化物の線膨張係数を低減できるという点から上記シ
リカ粉末を用いることが好ましく、上記シリカ粉末のな
かでも溶融シリカ粉末を用いることが高充填、高流動性
という点から特に好ましい。上記溶融シリカ粉末として
は、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末があげら
れるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を
用いることが好ましい。特に、平均粒径が１０〜６０μ
ｍの範囲、特に好ましくは２５〜４５μｍの範囲のもの
を用いることが好ましい。なお、上記平均粒径は、例え
ば、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定
することができる。
る無機質充填剤（Ｃ成分）としては、特に限定するもの
ではなく従来公知の各種充填剤があげられ、例えば、石
英ガラス粉末、タルク、シリカ粉末（溶融シリカ粉末や
結晶性シリカ粉末等）、アルミナ粉末、窒化アルミニウ
ム粉末、窒化珪素粉末等があげられる。これらは単独で
もしくは２種以上併せて用いられる。なかでも、得られ
る硬化物の線膨張係数を低減できるという点から上記シ
リカ粉末を用いることが好ましく、上記シリカ粉末のな
かでも溶融シリカ粉末を用いることが高充填、高流動性
という点から特に好ましい。上記溶融シリカ粉末として
は、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末があげら
れるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を
用いることが好ましい。特に、平均粒径が１０〜６０μ
ｍの範囲、特に好ましくは２５〜４５μｍの範囲のもの
を用いることが好ましい。なお、上記平均粒径は、例え
ば、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定
することができる。
【００１６】上記無機質充填剤（Ｃ成分）の含有量は、
エポキシ樹脂組成物全体の５０〜９５重量％の範囲内に
設定することが好ましく、特に好ましくは７０〜９０重
量％である。すなわち、５０重量％未満のように少なす
ぎると、エポキシ樹脂組成物中の有機成分の占める割合
が多くなり、硬化物の難燃効果に乏しくなり、９５重量
％を超えて多くなると、エポキシ樹脂組成物の流動性が
著しく低下する傾向がみられるからである。
エポキシ樹脂組成物全体の５０〜９５重量％の範囲内に
設定することが好ましく、特に好ましくは７０〜９０重
量％である。すなわち、５０重量％未満のように少なす
ぎると、エポキシ樹脂組成物中の有機成分の占める割合
が多くなり、硬化物の難燃効果に乏しくなり、９５重量
％を超えて多くなると、エポキシ樹脂組成物の流動性が
著しく低下する傾向がみられるからである。
【００１７】上記Ａ〜Ｃ成分とともに用いられる特定の
有機燐化合物（Ｄ成分）は、下記の一般式（１）で表さ
れる有機燐化合物である。
有機燐化合物（Ｄ成分）は、下記の一般式（１）で表さ
れる有機燐化合物である。
【００１８】
【化５】
【００１９】上記式（１）のなかでも、Ｒ部分において
フェノール性水酸基を有する１価の有機基を有する化合
物、すなわち、下記の一般式（２）で表される有機燐化
合物が好ましく用いられる。
フェノール性水酸基を有する１価の有機基を有する化合
物、すなわち、下記の一般式（２）で表される有機燐化
合物が好ましく用いられる。
【００２０】
【化６】
【００２１】特に、上記式（２）のなかでも具体的に下
記の化学式（３）で表される２−（９‘，１０’−ジヒ
ドロ−９‘−ホスファ−９’−オキシド−１０‘−オキ
サフェナンスレン−９’−イル）−１，４−ジヒドロキ
シベンゼンが好ましく用いられる。
記の化学式（３）で表される２−（９‘，１０’−ジヒ
ドロ−９‘−ホスファ−９’−オキシド−１０‘−オキ
サフェナンスレン−９’−イル）−１，４−ジヒドロキ
シベンゼンが好ましく用いられる。
【００２２】
【化７】
【００２３】さらに、上記式（３）で表される化合物の
置換基および置換位置のみ異なる化合物を用いることも
好ましい。これら化合物に関して、上記式（３）の置換
位置および置換基のみを変えて示すと、４−メチル、４
−エチル、４−ｔ−ブチル、（１‘−メチル）、（１’
−ｔ−ブチル）、（１‘−シクロヘキシル）、（１’，
３‘−ジメチル）、（１’−メチル）−４−メチル、
（１‘−ｔ−ブチル）−４−メチル、（１’−シクロヘ
キシル）−４−メチル、（１‘−メチル）−４−ｔ−ブ
チル、（１’−ｔ−ブチル）−４−ｔ−ブチル、（１
‘−シクロヘキシル）−４−ｔ−ブチル、（１’−シク
ロヘキシル）−４−ｔ−ブチル、（１‘，３’−ジメチ
ル）−４−メチル、（１‘，３’−ジメチル）−４−ｔ
−ブチル等があげられる。これら化合物は単独でもしく
は２種以上併せて用いられる。
置換基および置換位置のみ異なる化合物を用いることも
好ましい。これら化合物に関して、上記式（３）の置換
位置および置換基のみを変えて示すと、４−メチル、４
−エチル、４−ｔ−ブチル、（１‘−メチル）、（１’
−ｔ−ブチル）、（１‘−シクロヘキシル）、（１’，
３‘−ジメチル）、（１’−メチル）−４−メチル、
（１‘−ｔ−ブチル）−４−メチル、（１’−シクロヘ
キシル）−４−メチル、（１‘−メチル）−４−ｔ−ブ
チル、（１’−ｔ−ブチル）−４−ｔ−ブチル、（１
‘−シクロヘキシル）−４−ｔ−ブチル、（１’−シク
ロヘキシル）−４−ｔ−ブチル、（１‘，３’−ジメチ
ル）−４−メチル、（１‘，３’−ジメチル）−４−ｔ
−ブチル等があげられる。これら化合物は単独でもしく
は２種以上併せて用いられる。
【００２４】上記有機燐化合物（Ｄ成分）の含有量は、
エポキシ樹脂組成物全体中０．５〜２０重量％の範囲に
設定することが好ましく、特に好ましくは２〜１０重量
％の範囲である。すなわち、有機燐化合物の含有量が
０．５重量％未満のように少な過ぎると必須条件である
難燃効果に乏しく、逆に２０重量％を超えて多過ぎると
耐湿信頼性が低下する傾向がみられるからである。
エポキシ樹脂組成物全体中０．５〜２０重量％の範囲に
設定することが好ましく、特に好ましくは２〜１０重量
％の範囲である。すなわち、有機燐化合物の含有量が
０．５重量％未満のように少な過ぎると必須条件である
難燃効果に乏しく、逆に２０重量％を超えて多過ぎると
耐湿信頼性が低下する傾向がみられるからである。
【００２５】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）と、フェノー
ル樹脂（Ｂ成分）および有機燐化合物（Ｄ成分）との配
合割合は、エポキシ樹脂を硬化させるに充分な量に設定
することが好ましい。一般的には、エポキシ樹脂中のエ
ポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂（Ｂ成分）お
よび有機燐化合物（Ｄ成分）の両者の水酸基の合計が
０．７〜１．５当量となるように配合することが好まし
い。より好ましくは０．９〜１．２当量である。
ル樹脂（Ｂ成分）および有機燐化合物（Ｄ成分）との配
合割合は、エポキシ樹脂を硬化させるに充分な量に設定
することが好ましい。一般的には、エポキシ樹脂中のエ
ポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂（Ｂ成分）お
よび有機燐化合物（Ｄ成分）の両者の水酸基の合計が
０．７〜１．５当量となるように配合することが好まし
い。より好ましくは０．９〜１．２当量である。
【００２６】なお、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物には、上記Ａ〜Ｄ成分以外に必要に応じて、硬化
促進剤、Ｄ成分である有機燐化合物以外の難燃剤、難燃
助剤、離型剤、カーボンブラック等の顔料や着色料、γ
−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メル
カプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノエチル
アミノプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリ
ング剤、低応力化剤等他の添加剤を適宜配合することが
できる。
組成物には、上記Ａ〜Ｄ成分以外に必要に応じて、硬化
促進剤、Ｄ成分である有機燐化合物以外の難燃剤、難燃
助剤、離型剤、カーボンブラック等の顔料や着色料、γ
−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メル
カプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノエチル
アミノプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリ
ング剤、低応力化剤等他の添加剤を適宜配合することが
できる。
【００２７】上記硬化促進剤としては、従来公知のもの
が用いられる。具体的には、テトラフェニルボレート
や、トリフェニルホスフィン等の有機リン系化合物、
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−
７、１，５−ジアザビシクロ（４，３，０）ノネン−５
等のジアザビシクロアルケン系化合物等があげられる。
これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
が用いられる。具体的には、テトラフェニルボレート
や、トリフェニルホスフィン等の有機リン系化合物、
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−
７、１，５−ジアザビシクロ（４，３，０）ノネン−５
等のジアザビシクロアルケン系化合物等があげられる。
これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００２８】上記有機燐化合物以外の難燃剤としては、
下記の一般式（４）で表される多面体形状の複合化金属
水酸化物を用いることができる。この複合化金属水酸化
物は、結晶形状が多面体形状を有するものであり、従来
の六角板形状を有するもの、あるいは、鱗片状等のよう
に、いわゆる厚みの薄い平板形状の結晶形状を有するも
のではなく、縦、横とともに厚み方向（ｃ軸方向）への
結晶成長が大きい、例えば、板状結晶のものが厚み方向
（ｃ軸方向）に結晶成長してより立体的かつ球状に近似
した粒状の結晶形状、例えば、略１２面体、略８面体、
略４面体等の形状を有する複合化金属水酸化物をいう。
下記の一般式（４）で表される多面体形状の複合化金属
水酸化物を用いることができる。この複合化金属水酸化
物は、結晶形状が多面体形状を有するものであり、従来
の六角板形状を有するもの、あるいは、鱗片状等のよう
に、いわゆる厚みの薄い平板形状の結晶形状を有するも
のではなく、縦、横とともに厚み方向（ｃ軸方向）への
結晶成長が大きい、例えば、板状結晶のものが厚み方向
（ｃ軸方向）に結晶成長してより立体的かつ球状に近似
した粒状の結晶形状、例えば、略１２面体、略８面体、
略４面体等の形状を有する複合化金属水酸化物をいう。
【００２９】
【化８】
【００３０】上記一般式（４）で表される複合化金属水
酸化物に関して、式（４）中の金属元素を示すＭとして
は、Ａｌ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｃ
ｕ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｂ等があげられる。
酸化物に関して、式（４）中の金属元素を示すＭとして
は、Ａｌ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｃ
ｕ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｂ等があげられる。
【００３１】また、上記一般式（４）で表される複合化
金属水酸化物中のもう一つの金属元素を示すＱは、周期
律表のIVａ，Ｖａ，VIａ， VIIａ，VIII，Ｉｂ，IIｂか
ら選ばれた族に属する金属である。例えば、Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｚｎ等があげられ、単独でもし
くは２種以上併せて選択される。
金属水酸化物中のもう一つの金属元素を示すＱは、周期
律表のIVａ，Ｖａ，VIａ， VIIａ，VIII，Ｉｂ，IIｂか
ら選ばれた族に属する金属である。例えば、Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｚｎ等があげられ、単独でもし
くは２種以上併せて選択される。
【００３２】このような結晶形状が多面体形状を有する
複合化金属水酸化物は、例えば、複合化金属水酸化物の
製造工程における各種条件等を制御することにより、
縦，横とともに厚み方向（ｃ軸方向）への結晶成長が大
きい、所望の多面体形状、例えば、略１２面体、略８面
体、略４面体等の形状を有する複合化金属水酸化物を得
ることができ、通常、これらの混合物からなる。
複合化金属水酸化物は、例えば、複合化金属水酸化物の
製造工程における各種条件等を制御することにより、
縦，横とともに厚み方向（ｃ軸方向）への結晶成長が大
きい、所望の多面体形状、例えば、略１２面体、略８面
体、略４面体等の形状を有する複合化金属水酸化物を得
ることができ、通常、これらの混合物からなる。
【００３３】上記多面体形状を有する複合化金属水酸化
物の具体的な代表例としては、酸化マグネシウム・酸化
ニッケルの水和物、酸化マグネシウム・酸化亜鉛の水和
物、酸化マグネシウム・酸化銅の水和物等があげられ
る。
物の具体的な代表例としては、酸化マグネシウム・酸化
ニッケルの水和物、酸化マグネシウム・酸化亜鉛の水和
物、酸化マグネシウム・酸化銅の水和物等があげられ
る。
【００３４】そして、上記多面体形状を有する複合化金
属水酸化物としては、下記に示す粒度分布（α）〜
（γ）を有することが好ましい。なお、下記に示す粒度
分布の測定には、レーザー式粒度測定機を使用する。 （α）粒径１．３μｍ未満のものが１０〜３５重量％。 （β）粒径１．３〜２．０μｍ未満のものが５０〜６５
重量％。 （γ）粒径２．０μｍ以上のものが１０〜３０重量％。
属水酸化物としては、下記に示す粒度分布（α）〜
（γ）を有することが好ましい。なお、下記に示す粒度
分布の測定には、レーザー式粒度測定機を使用する。 （α）粒径１．３μｍ未満のものが１０〜３５重量％。 （β）粒径１．３〜２．０μｍ未満のものが５０〜６５
重量％。 （γ）粒径２．０μｍ以上のものが１０〜３０重量％。
【００３５】また、上記多面体形状を有する複合化金属
水酸化物のアスペクト比は、通常１〜８、好ましくは１
〜７、特に好ましくは１〜４である。ここでいうアスペ
クト比とは、複合化金属水酸化物の長径と短径との比で
表したものである。すなわち、アスペクト比が８を超え
ると、この複合化金属水酸化物を含有するエポキシ樹脂
組成物が溶融したときの粘度低下に対する効果が乏しく
なる。そして、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物の構成成分として用いられる場合には、一般的に、ア
スペクト比が１〜４のものが用いられる。
水酸化物のアスペクト比は、通常１〜８、好ましくは１
〜７、特に好ましくは１〜４である。ここでいうアスペ
クト比とは、複合化金属水酸化物の長径と短径との比で
表したものである。すなわち、アスペクト比が８を超え
ると、この複合化金属水酸化物を含有するエポキシ樹脂
組成物が溶融したときの粘度低下に対する効果が乏しく
なる。そして、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物の構成成分として用いられる場合には、一般的に、ア
スペクト比が１〜４のものが用いられる。
【００３６】上記離型剤としては、高級脂肪酸、高級脂
肪酸エステル、高級脂肪酸カルシウム等の化合物があげ
られ、例えば、カルナバワックスやポリエチレン系ワッ
クスが用いられ、これらは単独でもしくは２種以上併せ
て用いられる。
肪酸エステル、高級脂肪酸カルシウム等の化合物があげ
られ、例えば、カルナバワックスやポリエチレン系ワッ
クスが用いられ、これらは単独でもしくは２種以上併せ
て用いられる。
【００３７】また、上記低応力化剤としては、アクリル
酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体、メタクリル
酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体等のブタジエ
ン系ゴムやシリコーン化合物があげられる。さらに、耐
湿信頼性テストにおける信頼性向上を目的としてハイド
ロタルサイト類、水酸化ビスマス等のイオントラップ剤
を配合してもよい。
酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体、メタクリル
酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体等のブタジエ
ン系ゴムやシリコーン化合物があげられる。さらに、耐
湿信頼性テストにおける信頼性向上を目的としてハイド
ロタルサイト類、水酸化ビスマス等のイオントラップ剤
を配合してもよい。
【００３８】本発明に用いられる半導体封止用のエポキ
シ樹脂組成物は、例えば、つぎのようにして製造するこ
とができる。すなわち、前記エポキシ樹脂（Ａ成分）、
フェノール樹脂（Ｂ成分）、無機質充填剤（Ｃ成分）お
よび有機燐化合物（Ｄ成分）ならびに必要に応じて他の
添加剤を常法に準じて適宜配合し、ミキシングロール等
の混練機を用いて加熱状態で溶融混練した後、これを室
温下で冷却固化させる。その後、公知の手段により粉砕
し、必要に応じて打錠するという一連の工程により目的
とするエポキシ樹脂組成物を製造することができる。
シ樹脂組成物は、例えば、つぎのようにして製造するこ
とができる。すなわち、前記エポキシ樹脂（Ａ成分）、
フェノール樹脂（Ｂ成分）、無機質充填剤（Ｃ成分）お
よび有機燐化合物（Ｄ成分）ならびに必要に応じて他の
添加剤を常法に準じて適宜配合し、ミキシングロール等
の混練機を用いて加熱状態で溶融混練した後、これを室
温下で冷却固化させる。その後、公知の手段により粉砕
し、必要に応じて打錠するという一連の工程により目的
とするエポキシ樹脂組成物を製造することができる。
【００３９】このようにして得られたエポキシ樹脂組成
物を用いての半導体素子の封止は、特に制限するもので
はなく、通常のトランスファー成形等の公知のモールド
方法により行うことができる。
物を用いての半導体素子の封止は、特に制限するもので
はなく、通常のトランスファー成形等の公知のモールド
方法により行うことができる。
【００４０】このようにして得られる半導体装置は、封
止用樹脂組成物として用いられるエポキシ樹脂組成物中
に、前記特定の有機燐化合物（Ｄ成分）が含有されてい
るため、これが高い難燃性を有するとともに、優れた耐
湿信頼性および流動性を備えていることから、高い信頼
性を備えた半導体装置となる。
止用樹脂組成物として用いられるエポキシ樹脂組成物中
に、前記特定の有機燐化合物（Ｄ成分）が含有されてい
るため、これが高い難燃性を有するとともに、優れた耐
湿信頼性および流動性を備えていることから、高い信頼
性を備えた半導体装置となる。
【００４１】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
明する。
【００４２】まず、下記に示す各成分を準備した。
【００４３】〔エポキシ樹脂ａ〕クレゾールノボラック
型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９５、軟化点７０℃）
型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９５、軟化点７０℃）
【００４４】〔エポキシ樹脂ｂ〕下記の式（ｂ）で表さ
れるビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９２、
融点１０７℃）
れるビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９２、
融点１０７℃）
【化９】
【００４５】〔フェノール樹脂ｃ〕フェノールノボラッ
ク樹脂（水酸基当量１０７、軟化点８５℃）
ク樹脂（水酸基当量１０７、軟化点８５℃）
【００４６】〔フェノール樹脂ｄ〕下記の式（ｄ）で表
されるフェノール樹脂（水酸基当量１７４、軟化点７０
℃）
されるフェノール樹脂（水酸基当量１７４、軟化点７０
℃）
【化１０】
【００４７】〔無機質充填剤〕球状溶融シリカ粉末（平
均粒径３０μｍ）
均粒径３０μｍ）
【００４８】〔硬化促進剤〕トリフェニルホスフィン
【００４９】〔カップリング剤〕γ−メルカプトプロピ
ルトリメトキシシラン
ルトリメトキシシラン
【００５０】〔エステル系ワックス〕カルナバワックス
【００５１】〔オレフィン系ワックス〕ポリエチレン系
ワックス
ワックス
【００５２】〔有機燐化合物ｅ〕下記の化学式（ｅ）で
表される環状有機燐化合物（三光社製、ＨＣＡ−ＨＱ）
表される環状有機燐化合物（三光社製、ＨＣＡ−ＨＱ）
【化１１】
【００５３】〔赤燐系難燃剤〕赤燐含有率９３重量％、
平均粒径３０μｍ（燐化学工業社製、ノーバエクセル）
平均粒径３０μｍ（燐化学工業社製、ノーバエクセル）
【００５４】〔金属水酸化物〕板状結晶構造の複合化金
属水酸化物（タテホ化学社製、エコーマグＺ−１０）
属水酸化物（タテホ化学社製、エコーマグＺ−１０）
【００５５】
【実施例１〜１０、比較例１〜３】下記の表１〜表３に
示す各原料を同表に示す割合で同時に配合し、ミキシン
グロール機（温度１００℃）で３分間溶融混練した。つ
ぎに、この溶融物を冷却した後粉砕することにより目的
とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
示す各原料を同表に示す割合で同時に配合し、ミキシン
グロール機（温度１００℃）で３分間溶融混練した。つ
ぎに、この溶融物を冷却した後粉砕することにより目的
とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
【００５６】
【表１】
【００５７】
【表２】
【００５８】
【表３】
【００５９】このようにして得られた実施例および比較
例のエポキシ樹脂組成物を用い、下記の方法に従って不
純物イオン濃度を測定した。さらに、上記各エポキシ樹
脂組成物を用いて厚み１／１６インチの試験片を成形
し、ＵＬ９４ Ｖ−０規格の方法に従って難燃性を評価
した。なお「合格」とは９４−Ｖ０の合格を意味する。
例のエポキシ樹脂組成物を用い、下記の方法に従って不
純物イオン濃度を測定した。さらに、上記各エポキシ樹
脂組成物を用いて厚み１／１６インチの試験片を成形
し、ＵＬ９４ Ｖ−０規格の方法に従って難燃性を評価
した。なお「合格」とは９４−Ｖ０の合格を意味する。
【００６０】〔不純物イオン濃度〕各エポキシ樹脂組成
物を用い下記の条件で硬化体を作製した。そして、得ら
れた硬化体を粉砕した後、１６０℃×２０時間の抽出条
件にて燐酸イオンを抽出してそのイオン量をイオンクロ
マト分析にて測定した。 （硬化体作製条件） 温度：１７５℃ 時間：２分
物を用い下記の条件で硬化体を作製した。そして、得ら
れた硬化体を粉砕した後、１６０℃×２０時間の抽出条
件にて燐酸イオンを抽出してそのイオン量をイオンクロ
マト分析にて測定した。 （硬化体作製条件） 温度：１７５℃ 時間：２分
【００６１】また、上記実施例および比較例で得られた
エポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子（チップサイ
ズ：７．５×７．５ｍｍ）をトランスファー成形（条
件：１７５℃×２分）し、１７５℃×５時間の後硬化す
ることより半導体パッケージを得た。このパッケージ
は、８０ピンＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ、サ
イズ：２０ｍｍ×１４ｍｍ×厚み２ｍｍ）であり、ダイ
パッドサイズは８×８ｍｍである。
エポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子（チップサイ
ズ：７．５×７．５ｍｍ）をトランスファー成形（条
件：１７５℃×２分）し、１７５℃×５時間の後硬化す
ることより半導体パッケージを得た。このパッケージ
は、８０ピンＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ、サ
イズ：２０ｍｍ×１４ｍｍ×厚み２ｍｍ）であり、ダイ
パッドサイズは８×８ｍｍである。
【００６２】このようにして作製した半導体パッケージ
を用いて、プレッシャークッカー試験（ＰＣＴテスト）
をバイアスを印加して行った（条件１３０℃／８５％Ｒ
Ｈ、３０Ｖバイアス）。なお、不良モードはリーク不良
およびオープン不良を測定し、これら不良が発生するま
での時間を測定して耐湿性を評価した。
を用いて、プレッシャークッカー試験（ＰＣＴテスト）
をバイアスを印加して行った（条件１３０℃／８５％Ｒ
Ｈ、３０Ｖバイアス）。なお、不良モードはリーク不良
およびオープン不良を測定し、これら不良が発生するま
での時間を測定して耐湿性を評価した。
【００６３】さらに下記の方法に示すスパイラルフロー
（ＳＦ）により流動性の評価を行った。 〔スパイラルフローの測定〕スパイラルフロー測定用金
型を用い、１７５±５℃にてＥＭＭＩ １−６６に準じ
てスパイラルフロー値を測定した。
（ＳＦ）により流動性の評価を行った。 〔スパイラルフローの測定〕スパイラルフロー測定用金
型を用い、１７５±５℃にてＥＭＭＩ １−６６に準じ
てスパイラルフロー値を測定した。
【００６４】これらの測定・評価結果を後記の表４〜表
６に併せて示す。
６に併せて示す。
【００６５】
【表４】
【００６６】
【表５】
【００６７】
【表６】
【００６８】上記表４〜表６の結果、全ての実施例品は
良好な難燃性を示すとともに、燐酸イオン量が少なく、
耐湿性評価試験および流動性評価試験においても優れた
結果が得られた。これに対して、シリカ粉末を含有しな
い比較例１品は耐湿信性評価試験は問題なかったが、難
燃性に劣りかつ燐酸イオン量も高かった。また、難燃剤
として赤燐を用いた比較例２品は良好な難燃性を示した
が、燐酸イオン量が極端に高く、耐湿性評価試験結果が
悪かった。また、金属水酸化物を用いた比較例３品は良
好な難燃性を示したが、流動性評価試験の結果が悪かっ
た。
良好な難燃性を示すとともに、燐酸イオン量が少なく、
耐湿性評価試験および流動性評価試験においても優れた
結果が得られた。これに対して、シリカ粉末を含有しな
い比較例１品は耐湿信性評価試験は問題なかったが、難
燃性に劣りかつ燐酸イオン量も高かった。また、難燃剤
として赤燐を用いた比較例２品は良好な難燃性を示した
が、燐酸イオン量が極端に高く、耐湿性評価試験結果が
悪かった。また、金属水酸化物を用いた比較例３品は良
好な難燃性を示したが、流動性評価試験の結果が悪かっ
た。
【００６９】
【発明の効果】以上のように、本発明は、前記Ａ〜Ｃ成
分とともに前記一般式（１）で表される有機燐化合物
（Ｄ成分）を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物
である。このため、高い難燃性はもちろん、高温高湿条
件下での不純物が従来よりも析出し難くなり、優れた耐
湿信頼性および流動性を有するようになる。したがっ
て、この半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導
体素子を封止することにより、信頼性に優れた半導体装
置を得ることができる。
分とともに前記一般式（１）で表される有機燐化合物
（Ｄ成分）を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物
である。このため、高い難燃性はもちろん、高温高湿条
件下での不純物が従来よりも析出し難くなり、優れた耐
湿信頼性および流動性を有するようになる。したがっ
て、この半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導
体素子を封止することにより、信頼性に優れた半導体装
置を得ることができる。
【００７０】そして、上記（Ｃ）成分である無機質充填
剤を特定の範囲の含有量となるように用いる場合、難燃
性および流動性のバランスが特に良好となり、より優れ
た封止材を得ることができるようになる。
剤を特定の範囲の含有量となるように用いる場合、難燃
性および流動性のバランスが特に良好となり、より優れ
た封止材を得ることができるようになる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 (72)発明者 池村 和弘 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 Ｆターム(参考） 4J002 CC032 CC042 CC052 CD021 CD041 CD051 CD061 CD071 DE146 DF006 DJ016 DJ046 EW147 FD016 GQ05 4M109 AA01 BA01 CA21 EA02 EB03 EB04 EB06 EB07 EB08 EB12 EB19 EC01 EC20
Claims (5)
- 【請求項１】 下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有するこ
とを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）無機質充填剤。 （Ｄ）下記の一般式（１）で表される有機燐化合物。 【化１】 - 【請求項２】 上記（Ｄ）成分である有機燐化合物が、
下記の一般式（２）で表される有機燐化合物である請求
項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化２】 - 【請求項３】 上記（Ｄ）成分である有機燐化合物が、
下記の化学式（３）で表される有機燐化合物である請求
項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化３】 - 【請求項４】 上記（Ｃ）成分である無機質充填剤の含
有量がエポキシ樹脂組成物全体中５０〜９５重量％の範
囲に設定されている請求項１〜３のいずれか一項に記載
の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか一項に記載の半
導体封止用エポキシ樹脂組成物により半導体素子を封止
してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22048499A JP4286394B2 (ja) | 1999-08-03 | 1999-08-03 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22048499A JP4286394B2 (ja) | 1999-08-03 | 1999-08-03 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001040181A true JP2001040181A (ja) | 2001-02-13 |
| JP4286394B2 JP4286394B2 (ja) | 2009-06-24 |
Family
ID=16751811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22048499A Expired - Fee Related JP4286394B2 (ja) | 1999-08-03 | 1999-08-03 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4286394B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007169655A (ja) * | 2007-01-22 | 2007-07-05 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
| US8609806B2 (en) | 2008-09-16 | 2013-12-17 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. | Phosphorus-containing phenol compound, production method therefor, and curable resin compositons and cured products using the compound |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61231080A (ja) * | 1985-04-04 | 1986-10-15 | Sanko Kagaku Kk | 有機物質用安定剤組成物 |
| JPH0411662A (ja) * | 1990-05-01 | 1992-01-16 | Toto Kasei Kk | 難燃剤及び該難燃剤を含有した熱硬化性難燃性樹脂組成物 |
| JPH05331179A (ja) * | 1992-09-11 | 1993-12-14 | Sanko Kagaku Kk | 有機環状りん化合物及びその製造法 |
| JPH08188638A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-07-23 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置並びにその製造方法 |
| JP2000080251A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-21 | Matsushita Electric Works Ltd | リン変性難燃性エポキシ樹脂組成物およびその製造方法およびそのリン変性難燃性エポキシ樹脂組成物を用いた成形品および積層体 |
| JP2000212391A (ja) * | 1999-01-21 | 2000-08-02 | Nippon Kayaku Co Ltd | 難燃性エポキシ樹脂組成物 |
-
1999
- 1999-08-03 JP JP22048499A patent/JP4286394B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61231080A (ja) * | 1985-04-04 | 1986-10-15 | Sanko Kagaku Kk | 有機物質用安定剤組成物 |
| JPH0625664A (ja) * | 1985-04-04 | 1994-02-01 | Sanko Kagaku Kk | 有機環状りん化合物系安定剤 |
| JPH0411662A (ja) * | 1990-05-01 | 1992-01-16 | Toto Kasei Kk | 難燃剤及び該難燃剤を含有した熱硬化性難燃性樹脂組成物 |
| JPH05331179A (ja) * | 1992-09-11 | 1993-12-14 | Sanko Kagaku Kk | 有機環状りん化合物及びその製造法 |
| JPH08188638A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-07-23 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置並びにその製造方法 |
| JP2000080251A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-21 | Matsushita Electric Works Ltd | リン変性難燃性エポキシ樹脂組成物およびその製造方法およびそのリン変性難燃性エポキシ樹脂組成物を用いた成形品および積層体 |
| JP2000212391A (ja) * | 1999-01-21 | 2000-08-02 | Nippon Kayaku Co Ltd | 難燃性エポキシ樹脂組成物 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007169655A (ja) * | 2007-01-22 | 2007-07-05 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
| US8609806B2 (en) | 2008-09-16 | 2013-12-17 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. | Phosphorus-containing phenol compound, production method therefor, and curable resin compositons and cured products using the compound |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4286394B2 (ja) | 2009-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100997606B1 (ko) | 에폭시 수지 조성물 및 반도체장치 | |
| JPH0697325A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3380560B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法 | |
| US6297306B1 (en) | Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JP2003064185A (ja) | エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び半導体装置 | |
| JP3976652B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| US20030152777A1 (en) | Semiconductor encapsulating flame retardant epoxy resin composition and semiconductor device | |
| TW202225244A (zh) | 半導體密封用樹脂組成物及半導體裝置 | |
| JPH08151427A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2001040181A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JP5379066B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3858353B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP5038972B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびその製法、ならびにそれを用いた半導体装置 | |
| JP2002179773A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP4910240B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
| JP2007077237A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られた半導体装置 | |
| JPH1135798A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP2002265753A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JP3969402B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPH01188518A (ja) | エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2003040981A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2000281874A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3982518B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP2001081287A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2001031840A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051114 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080401 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080602 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080902 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20081022 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20081027 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081127 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090310 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090325 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120403 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120403 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150403 Year of fee payment: 6 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |