JP2001038950A - Ｌｅｄアレイチップ、ｌｅｄアレイヘッド及び画像形成装置 - Google Patents
Ｌｅｄアレイチップ、ｌｅｄアレイヘッド及び画像形成装置Info
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- JP2001038950A JP2001038950A JP11217489A JP21748999A JP2001038950A JP 2001038950 A JP2001038950 A JP 2001038950A JP 11217489 A JP11217489 A JP 11217489A JP 21748999 A JP21748999 A JP 21748999A JP 2001038950 A JP2001038950 A JP 2001038950A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 視覚特性上発光のムラが認識されにくく且つ
歩留まりの良いＬＥＤチップを提供する。 【解決手段】 チップ両端部について端部から０．６ｍ
ｍの範囲にある発光画素の平均光量からチップ全体の平
均光量を差し引いた値が前記チップ全体の平均光量に対
して第１の所定値の範囲内にあること、１ｍｍ幅の範囲
で連続する発光画素の平均光量のチップ内での最大値と
最小値との差が前記チップ全体の平均光量に対して第２
の所定値以下の比にあること、チップ内の全ての範囲に
おいて、０．０９ｍｍの範囲にある発光画素の平均光量
の０．１７ｍｍの範囲での最大値と最小値との差が前記
０．０９ｍｍの範囲をとって更に前記０．１７ｍｍの範
囲をとることにより形成される０．３０ｍｍの範囲を含
む１ｍｍの範囲にある発光画素の平均光量に対して第３
の所定値以下の比にあること、が満たされる。
歩留まりの良いＬＥＤチップを提供する。 【解決手段】 チップ両端部について端部から０．６ｍ
ｍの範囲にある発光画素の平均光量からチップ全体の平
均光量を差し引いた値が前記チップ全体の平均光量に対
して第１の所定値の範囲内にあること、１ｍｍ幅の範囲
で連続する発光画素の平均光量のチップ内での最大値と
最小値との差が前記チップ全体の平均光量に対して第２
の所定値以下の比にあること、チップ内の全ての範囲に
おいて、０．０９ｍｍの範囲にある発光画素の平均光量
の０．１７ｍｍの範囲での最大値と最小値との差が前記
０．０９ｍｍの範囲をとって更に前記０．１７ｍｍの範
囲をとることにより形成される０．３０ｍｍの範囲を含
む１ｍｍの範囲にある発光画素の平均光量に対して第３
の所定値以下の比にあること、が満たされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真記録方式
により記録媒体に永久可視像を形成するための記録用発
光素子として用いられるＬＥＤアレイヘッド及びそれに
備わるＬＥＤアレイチップに関するものである。このＬ
ＥＤアレイヘッドは、複数のＬＥＤ発光素子を一列に整
列して構成した半導体チップ（すなわち、ＬＥＤアレイ
チップ）を、複数、ガラスエポキシ基板などの整列用の
基板上に一列又は複数列に整列させ、記録すべき画像の
画像信号に応じた所望の駆動信号に応じた駆動電流によ
り、各ＬＥＤ発光素子を発光させ、各ＬＥＤ発光素子よ
り射出された光が所定の倍率のセルフォックレンズアレ
イなどのレンズを介して記録媒体に到達するものであ
る。また、本発明はＬＥＤアレイヘッドを備える画像形
成装置に関する。
により記録媒体に永久可視像を形成するための記録用発
光素子として用いられるＬＥＤアレイヘッド及びそれに
備わるＬＥＤアレイチップに関するものである。このＬ
ＥＤアレイヘッドは、複数のＬＥＤ発光素子を一列に整
列して構成した半導体チップ（すなわち、ＬＥＤアレイ
チップ）を、複数、ガラスエポキシ基板などの整列用の
基板上に一列又は複数列に整列させ、記録すべき画像の
画像信号に応じた所望の駆動信号に応じた駆動電流によ
り、各ＬＥＤ発光素子を発光させ、各ＬＥＤ発光素子よ
り射出された光が所定の倍率のセルフォックレンズアレ
イなどのレンズを介して記録媒体に到達するものであ
る。また、本発明はＬＥＤアレイヘッドを備える画像形
成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子写真記録方式の露光装置として用い
られるＬＥＤアレイヘッドにおいては、アレイ状に並べ
られた個々のＬＥＤ発光素子において発光量にムラがあ
る。電子写真の露光装置の光量ムラは、即画像の濃度変
化に影響し、特にハーフトーン画像を広いエリアに亘り
描かれた場合、ＬＥＤの発光量のムラによる濃度ムラに
よるスジが顕著に現れる。従来技術ではこのＬＥＤ発光
素子の発光量のムラを全て一定になるように半導体であ
るＬＥＤを製造することは難しく、電子写真の露光装置
として使用する為には、光量が一定になるように上記個
々のＬＥＤ発光素子全ての発光ムラを制御していた。ま
た、１つのＬＥＤ発光素子より成る１画素でもある光量
補正できない光量ムラレベルを越えたＬＥＤアレイチッ
プは不良とされていたため、歩留まりが悪かった。
られるＬＥＤアレイヘッドにおいては、アレイ状に並べ
られた個々のＬＥＤ発光素子において発光量にムラがあ
る。電子写真の露光装置の光量ムラは、即画像の濃度変
化に影響し、特にハーフトーン画像を広いエリアに亘り
描かれた場合、ＬＥＤの発光量のムラによる濃度ムラに
よるスジが顕著に現れる。従来技術ではこのＬＥＤ発光
素子の発光量のムラを全て一定になるように半導体であ
るＬＥＤを製造することは難しく、電子写真の露光装置
として使用する為には、光量が一定になるように上記個
々のＬＥＤ発光素子全ての発光ムラを制御していた。ま
た、１つのＬＥＤ発光素子より成る１画素でもある光量
補正できない光量ムラレベルを越えたＬＥＤアレイチッ
プは不良とされていたため、歩留まりが悪かった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のよ
うに、ＬＥＤ発光素子全ての光量を調整しようとすれ
ば、例えばＡ３の用紙幅に対応した６００ｄｐｉ(Dots
Per Inch、１inch≒25.4mm)のＬＥＤアレイヘッドを作
る場合、ＬＥＤ発光素子数は７０００素子を越えるた
め、これら７０００個以上の全てのＬＥＤの発光量を一
定になるように制御するには７０００個各ＬＥＤの光量
データを把握し、そのデータをＲＯＭ等のメモリーに書
き込み、そのデータを参照し発光ＤＵＴＹやＬＥＤに流
れる電流の調整を７０００個分行わなくてはならない。
それ故かなりコスト高になってしまうという問題があっ
た。
うに、ＬＥＤ発光素子全ての光量を調整しようとすれ
ば、例えばＡ３の用紙幅に対応した６００ｄｐｉ(Dots
Per Inch、１inch≒25.4mm)のＬＥＤアレイヘッドを作
る場合、ＬＥＤ発光素子数は７０００素子を越えるた
め、これら７０００個以上の全てのＬＥＤの発光量を一
定になるように制御するには７０００個各ＬＥＤの光量
データを把握し、そのデータをＲＯＭ等のメモリーに書
き込み、そのデータを参照し発光ＤＵＴＹやＬＥＤに流
れる電流の調整を７０００個分行わなくてはならない。
それ故かなりコスト高になってしまうという問題があっ
た。
【０００４】また、上記１画素単位ごとの光量調整で
は、１画素でも光量調整できないレベルまで光量ムラが
ある場合には、不良チップとされ歩留まりを悪化させる
という問題も発生していた。
は、１画素でも光量調整できないレベルまで光量ムラが
ある場合には、不良チップとされ歩留まりを悪化させる
という問題も発生していた。
【０００５】本発明は、視覚特性上発光のムラが認識さ
れにくく且つ歩留まりの良いＬＥＤチップ及びそれを備
えるＬＥＤアレイヘッドを提供することを目的とする。
れにくく且つ歩留まりの良いＬＥＤチップ及びそれを備
えるＬＥＤアレイヘッドを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上のような問題点を解
決するために、１画素に対応する１つのＬＥＤ発光素子
の光量ムラのレベルで光量ムラを定義するのではなく、
ある程度空間的な幅（空間的周波数）によって光量ムラ
を定義し、１画素単位で不良レベルとされていた光量ム
ラのチップの歩留まりを上げる。なぜなら、例えば６０
０ｄｐｉの解像度で並べられたＬＥＤの１画素の光量ム
ラは画像にした場合、人の目には感じにくいムラであ
る。目には画像ムラとして感じやすい区間周波数帯と感
じにくい周波数帯があり、この空間周波数の違いにより
人の目には見えやすいある程度幅をもった数十画素の低
周波領域の光量ムラは比較的厳しく、数画素の高周波な
空間周波数帯においてはムラを人の目には感じにくい程
度まで緩く不良となるレベルを緩和することにより、歩
留まりを上げることができる。また、周波数帯で光量ム
ラを定義し、人の目に目立ちにくいレベル内のチップの
みを使用することにより、各画素ごとに必要であった光
量補正をなくすことができるＬＥＤアレイチップのコス
トダウンをはかれる。
決するために、１画素に対応する１つのＬＥＤ発光素子
の光量ムラのレベルで光量ムラを定義するのではなく、
ある程度空間的な幅（空間的周波数）によって光量ムラ
を定義し、１画素単位で不良レベルとされていた光量ム
ラのチップの歩留まりを上げる。なぜなら、例えば６０
０ｄｐｉの解像度で並べられたＬＥＤの１画素の光量ム
ラは画像にした場合、人の目には感じにくいムラであ
る。目には画像ムラとして感じやすい区間周波数帯と感
じにくい周波数帯があり、この空間周波数の違いにより
人の目には見えやすいある程度幅をもった数十画素の低
周波領域の光量ムラは比較的厳しく、数画素の高周波な
空間周波数帯においてはムラを人の目には感じにくい程
度まで緩く不良となるレベルを緩和することにより、歩
留まりを上げることができる。また、周波数帯で光量ム
ラを定義し、人の目に目立ちにくいレベル内のチップの
みを使用することにより、各画素ごとに必要であった光
量補正をなくすことができるＬＥＤアレイチップのコス
トダウンをはかれる。
【０００７】本発明によるＬＥＤアレイチップは、一列
に整列する複数のＬＥＤ発光素子を備えるＬＥＤアレイ
チップを、複数、一列又は複数列に整列させ、所望の駆
動信号により、各ＬＥＤ発光素子を所定の駆動電流で発
光させ、各ＬＥＤ発光素子より射出された光が所定の倍
率のレンズを介して記録媒体に到達するＬＥＤアレイヘ
ッドで用いられるＬＥＤアレイチップにおいて、当該Ｌ
ＥＤアレイチップにおける光量分布について、チップ両
端部について端部から記録媒体での距離換算で０．６ｍ
ｍの範囲にある発光画素の平均光量からチップ全体の平
均光量を差し引いた値が前記チップ全体の平均光量に対
して第１の所定値の範囲内にあること、記録媒体での距
離換算で１ｍｍ幅の範囲で連続する発光画素の平均光量
のチップ内での最大値と最小値との差が前記チップ全体
の平均光量に対して第２の所定値以下の比にあること、
チップ内の全ての範囲において、記録媒体での距離換算
で０．１３ｍｍの範囲にある発光画素の平均光量の記録
媒体での距離換算で０．２１ｍｍの範囲での最大値と最
小値との差が前記０．１３ｍｍの範囲をとって更に前記
０．２１ｍｍの範囲をとることにより形成される記録媒
体での距離換算で０．３０ｍｍの範囲を含む記録媒体で
の距離換算で１ｍｍの範囲にある発光画素の平均光量に
対して第３の所定値以下の比にあること、が満たされる
ことを特徴とする。
に整列する複数のＬＥＤ発光素子を備えるＬＥＤアレイ
チップを、複数、一列又は複数列に整列させ、所望の駆
動信号により、各ＬＥＤ発光素子を所定の駆動電流で発
光させ、各ＬＥＤ発光素子より射出された光が所定の倍
率のレンズを介して記録媒体に到達するＬＥＤアレイヘ
ッドで用いられるＬＥＤアレイチップにおいて、当該Ｌ
ＥＤアレイチップにおける光量分布について、チップ両
端部について端部から記録媒体での距離換算で０．６ｍ
ｍの範囲にある発光画素の平均光量からチップ全体の平
均光量を差し引いた値が前記チップ全体の平均光量に対
して第１の所定値の範囲内にあること、記録媒体での距
離換算で１ｍｍ幅の範囲で連続する発光画素の平均光量
のチップ内での最大値と最小値との差が前記チップ全体
の平均光量に対して第２の所定値以下の比にあること、
チップ内の全ての範囲において、記録媒体での距離換算
で０．１３ｍｍの範囲にある発光画素の平均光量の記録
媒体での距離換算で０．２１ｍｍの範囲での最大値と最
小値との差が前記０．１３ｍｍの範囲をとって更に前記
０．２１ｍｍの範囲をとることにより形成される記録媒
体での距離換算で０．３０ｍｍの範囲を含む記録媒体で
の距離換算で１ｍｍの範囲にある発光画素の平均光量に
対して第３の所定値以下の比にあること、が満たされる
ことを特徴とする。
【０００８】また、本発明によるＬＥＤアレイチップ
は、上記のＬＥＤアレイチップにおいて、前記第１の所
定値の範囲は、±３．０％であることを特徴とする。
は、上記のＬＥＤアレイチップにおいて、前記第１の所
定値の範囲は、±３．０％であることを特徴とする。
【０００９】更に、本発明によるＬＥＤアレイチップ
は、上記のＬＥＤアレイチップにおいて、前記第２の所
定値は６．０％であることを特徴とする。
は、上記のＬＥＤアレイチップにおいて、前記第２の所
定値は６．０％であることを特徴とする。
【００１０】更に、本発明によるＬＥＤアレイチップ
は、上記のＬＥＤアレイチップにおいて、前記第３の所
定値は７．０％であることを特徴とする。
は、上記のＬＥＤアレイチップにおいて、前記第３の所
定値は７．０％であることを特徴とする。
【００１１】更に、本発明によるＬＥＤアレイチップ
は、上記のＬＥＤアレイチップにおいて、１２８個のＬ
ＥＤ発光素子が６００ｄｐｉ(Dots Per Inch)の間隔で
整列することを特徴とする。
は、上記のＬＥＤアレイチップにおいて、１２８個のＬ
ＥＤ発光素子が６００ｄｐｉ(Dots Per Inch)の間隔で
整列することを特徴とする。
【００１２】更に、本発明によるＬＥＤアレイチップ
は、上記のＬＥＤアレイチップにおいて、いずれかのＬ
ＥＤ発光素子の光量が全てのＬＥＤ発光素子の平均光量
から１０％以上の誤差を有することを特徴とする。
は、上記のＬＥＤアレイチップにおいて、いずれかのＬ
ＥＤ発光素子の光量が全てのＬＥＤ発光素子の平均光量
から１０％以上の誤差を有することを特徴とする。
【００１３】更に、本発明によるＬＥＤアレイチップ
は、一列に６００ｄｐｉの間隔で整列する１２８個のＬ
ＥＤ発光素子を備えるＬＥＤアレイチップを、複数、一
列又は複数列に整列させ、所望の駆動信号により、各Ｌ
ＥＤ発光素子を所定の駆動電流で発光させ、各ＬＥＤ発
光素子より射出された光が所定の倍率のレンズを介して
記録媒体に到達するＬＥＤアレイヘッドで用いられるＬ
ＥＤアレイチップにおいて、当該ＬＥＤアレイチップに
おける光量分布について、 １）１つの半導体チップ上の各ＬＥＤ発光素子の光量を
Ｄn Ｄn （ｎ＝１、２、・・・、１２８） ３画素平均光量Ｅn を Ｅn ＝ａｖｇ（Ｄn-1 、Ｄn 、Ｄn+1 ）（２≦ｎ≦１２
７） ３画素平均された光量の５画素内の最大値Ｅnmaxを Ｅnmax＝ｍａｘ（Ｅn-2 、Ｅn-1 、Ｅn 、Ｅn+1 、Ｅ
n+2 ） ３画素平均された光量の５画素内の最小値Ｅnminを Ｅnmin＝ｍｉｎ（Ｅn-2 、Ｅn-1 、Ｅn 、Ｅn+1 、Ｅ
n+2 ） 前記最大値及び最小値をとる範囲を含む２３画素の平均
光量Ａnを Ａn ＝ａｖｇ（Ｄn-11、Ｄn-10、Ｄn-9 、…、Ｄn+9 、
Ｄn+10、Ｄn+11） 但し、ｎ≦１１では、Ａn ＝ａｖｇ（Ｄ1 、…、
Ｄn+9 、Ｄn+10、Ｄn+11） ｎ≧１１８では、Ａn＝ａｖｇ(Ｄn-11、Ｄn-10、
Ｄn-9、…、Ｄ128) としたときに、１ｍｍ幅以内に存在する注目発光素子の
周辺０．３ｍｍ以内にある連続する発光画素の平均光量
の最大値と最小値の差の該１ｍｍ以内にある全発光画素
の平均光量に対する比Ｓn： Ｓn ＝（Ｅnmax−Ｅnmin）／Ａn ×１００（４≦ｎ≦１
２５） の最大値Ｓ： Ｓ＝ｍａｘ（Ｓ4 、Ｓ5 、Ｓ6 、…、Ｓ125 ）（％） が第１の所定値以下であること、 ２）１つの半導体チップ全体の平均光量Ｃを Ｃ＝ａｖｇ（Ｄ1 、Ｄ2 、Ｄ3 、…、Ｄ128 ） ２３画素平均された１２８画素中の最大値Ａmax を Ａmax ＝ｍａｘ（Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 、…、Ａ126 、Ａ
127 、Ａ128 ） ２３画素平均された１２８画素中の最小値 Ａmin を Ａmin ＝ｍｉｎ（Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 、…、Ａ126 、Ａ
127 、Ａ128 ） としたときに、１ｍｍ幅以内にある連続する発光素子の
平均光量のチップ内最大値と最小値の差のチップ全体の
平均光量に対する比Ｍ： Ｍ＝（Ａmax −Ａmin ）／Ｃ×１００（％） が第２の所定値以下であること、 ３）１から１２画素までの平均光量Ａfを Ａf ＝ａｖｇ（Ｄ1 、Ｄ2 、…、Ｄ12） １１７から１２８画素までの平均光量Ａrを Ａr ＝ａｖｇ（Ｄ117 、Ｄ118 、…、Ｄ128 ） としたときに、チップ両端部０．６ｍｍ以内にある発光
素子の平均光量のチップ全体の平均光量に対する比であ
る、発光画素の１から１２ｂｉｔまでの平均光量のチッ
プ全体の平均光量に対する比Ｌf ： Ｌf ＝（Ａf −Ｃ）／Ｃ×１００（％） 及び発光画素の１１７から１２８ｂｉｔまでの平均光量
のチップ全体の平均光量に対する比Ｌr ： Ｌr ＝（Ａr −Ｃ）／Ｃ×１００（％） がそれぞれ第３の所定値の範囲内にあること、が満たさ
れることを特徴とする。
は、一列に６００ｄｐｉの間隔で整列する１２８個のＬ
ＥＤ発光素子を備えるＬＥＤアレイチップを、複数、一
列又は複数列に整列させ、所望の駆動信号により、各Ｌ
ＥＤ発光素子を所定の駆動電流で発光させ、各ＬＥＤ発
光素子より射出された光が所定の倍率のレンズを介して
記録媒体に到達するＬＥＤアレイヘッドで用いられるＬ
ＥＤアレイチップにおいて、当該ＬＥＤアレイチップに
おける光量分布について、 １）１つの半導体チップ上の各ＬＥＤ発光素子の光量を
Ｄn Ｄn （ｎ＝１、２、・・・、１２８） ３画素平均光量Ｅn を Ｅn ＝ａｖｇ（Ｄn-1 、Ｄn 、Ｄn+1 ）（２≦ｎ≦１２
７） ３画素平均された光量の５画素内の最大値Ｅnmaxを Ｅnmax＝ｍａｘ（Ｅn-2 、Ｅn-1 、Ｅn 、Ｅn+1 、Ｅ
n+2 ） ３画素平均された光量の５画素内の最小値Ｅnminを Ｅnmin＝ｍｉｎ（Ｅn-2 、Ｅn-1 、Ｅn 、Ｅn+1 、Ｅ
n+2 ） 前記最大値及び最小値をとる範囲を含む２３画素の平均
光量Ａnを Ａn ＝ａｖｇ（Ｄn-11、Ｄn-10、Ｄn-9 、…、Ｄn+9 、
Ｄn+10、Ｄn+11） 但し、ｎ≦１１では、Ａn ＝ａｖｇ（Ｄ1 、…、
Ｄn+9 、Ｄn+10、Ｄn+11） ｎ≧１１８では、Ａn＝ａｖｇ(Ｄn-11、Ｄn-10、
Ｄn-9、…、Ｄ128) としたときに、１ｍｍ幅以内に存在する注目発光素子の
周辺０．３ｍｍ以内にある連続する発光画素の平均光量
の最大値と最小値の差の該１ｍｍ以内にある全発光画素
の平均光量に対する比Ｓn： Ｓn ＝（Ｅnmax−Ｅnmin）／Ａn ×１００（４≦ｎ≦１
２５） の最大値Ｓ： Ｓ＝ｍａｘ（Ｓ4 、Ｓ5 、Ｓ6 、…、Ｓ125 ）（％） が第１の所定値以下であること、 ２）１つの半導体チップ全体の平均光量Ｃを Ｃ＝ａｖｇ（Ｄ1 、Ｄ2 、Ｄ3 、…、Ｄ128 ） ２３画素平均された１２８画素中の最大値Ａmax を Ａmax ＝ｍａｘ（Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 、…、Ａ126 、Ａ
127 、Ａ128 ） ２３画素平均された１２８画素中の最小値 Ａmin を Ａmin ＝ｍｉｎ（Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 、…、Ａ126 、Ａ
127 、Ａ128 ） としたときに、１ｍｍ幅以内にある連続する発光素子の
平均光量のチップ内最大値と最小値の差のチップ全体の
平均光量に対する比Ｍ： Ｍ＝（Ａmax −Ａmin ）／Ｃ×１００（％） が第２の所定値以下であること、 ３）１から１２画素までの平均光量Ａfを Ａf ＝ａｖｇ（Ｄ1 、Ｄ2 、…、Ｄ12） １１７から１２８画素までの平均光量Ａrを Ａr ＝ａｖｇ（Ｄ117 、Ｄ118 、…、Ｄ128 ） としたときに、チップ両端部０．６ｍｍ以内にある発光
素子の平均光量のチップ全体の平均光量に対する比であ
る、発光画素の１から１２ｂｉｔまでの平均光量のチッ
プ全体の平均光量に対する比Ｌf ： Ｌf ＝（Ａf −Ｃ）／Ｃ×１００（％） 及び発光画素の１１７から１２８ｂｉｔまでの平均光量
のチップ全体の平均光量に対する比Ｌr ： Ｌr ＝（Ａr −Ｃ）／Ｃ×１００（％） がそれぞれ第３の所定値の範囲内にあること、が満たさ
れることを特徴とする。
【００１４】更に、本発明によるＬＥＤアレイチップ
は、上記のＬＥＤアレイチップにおいて、前記第１の所
定値が７．０（％）であることを特徴とする。
は、上記のＬＥＤアレイチップにおいて、前記第１の所
定値が７．０（％）であることを特徴とする。
【００１５】更に、本発明によるＬＥＤアレイチップ
は、上記のＬＥＤアレイチップにおいて、前記第２の所
定値が６．０（％）であることを特徴とする。
は、上記のＬＥＤアレイチップにおいて、前記第２の所
定値が６．０（％）であることを特徴とする。
【００１６】更に、本発明によるＬＥＤアレイチップ
は、上記のＬＥＤアレイチップにおいて、前記第３の所
定値の範囲は±３．０（％）であることを特徴とする。
は、上記のＬＥＤアレイチップにおいて、前記第３の所
定値の範囲は±３．０（％）であることを特徴とする。
【００１７】更に、本発明によるＬＥＤアレイチップ
は、上記のＬＥＤアレイチップにおいて、いずれかのＬ
ＥＤ発光素子の光量が全てのＬＥＤ発光素子の平均光量
から１０％以上の誤差を有することを特徴とする。
は、上記のＬＥＤアレイチップにおいて、いずれかのＬ
ＥＤ発光素子の光量が全てのＬＥＤ発光素子の平均光量
から１０％以上の誤差を有することを特徴とする。
【００１８】本発明によるＬＥＤアレイヘッドは上記の
ＬＥＤアレイチップを備えることを特徴とする。
ＬＥＤアレイチップを備えることを特徴とする。
【００１９】本発明による画像形成装置は、上記のＬＥ
Ｄアレイヘッドを備えることを特徴とする。
Ｄアレイヘッドを備えることを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】［実施形態１］以下、図面を参照
して本実施形態を説明する。
して本実施形態を説明する。
【００２１】図６に、本発明の実施形態によるカラー記
録装置の一例を示す。この装置は、マゼンタ、シアン、
イエロー、ブラックの４色のトナーを重ね合わせて画像
の形成を行なうカラー電子写真複写機である。
録装置の一例を示す。この装置は、マゼンタ、シアン、
イエロー、ブラックの４色のトナーを重ね合わせて画像
の形成を行なうカラー電子写真複写機である。
【００２２】１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋはそれぞ
れイエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの画像形成部
であり、８は転写ベルトである。
れイエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの画像形成部
であり、８は転写ベルトである。
【００２３】カセット１に収納された記録紙は、給紙ロ
ーラー２により給紙された後、搬送ローラー３〜６によ
り搬送されレジストローラー７に到達する。記録紙は、
レジストローラー７により斜行等が補正され、タイミン
グをとって転写ベルト８に向かって送り出される。転写
ベルト８は絶縁性樹脂のシート材でできており、転写ベ
ルト８の下側にある帯電器１１によりシート表面が帯電
される。この間に、原稿読み取り装置１２、あるいはコ
ンピュータ等の出力装置（不図示）より送られた画像情
報信号によって感光ドラム１３Ｃ、１３Ｍ、１３Ｙ、１
３Ｋ上にはそれぞれ各色に対応した潜像が形成される。
レジストローラー７より送り出された記録紙は、帯電さ
れた転写ベルト上に静電吸着され、転写ベルト８により
各色画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋの下を
通過しながら搬送されていく。
ーラー２により給紙された後、搬送ローラー３〜６によ
り搬送されレジストローラー７に到達する。記録紙は、
レジストローラー７により斜行等が補正され、タイミン
グをとって転写ベルト８に向かって送り出される。転写
ベルト８は絶縁性樹脂のシート材でできており、転写ベ
ルト８の下側にある帯電器１１によりシート表面が帯電
される。この間に、原稿読み取り装置１２、あるいはコ
ンピュータ等の出力装置（不図示）より送られた画像情
報信号によって感光ドラム１３Ｃ、１３Ｍ、１３Ｙ、１
３Ｋ上にはそれぞれ各色に対応した潜像が形成される。
レジストローラー７より送り出された記録紙は、帯電さ
れた転写ベルト上に静電吸着され、転写ベルト８により
各色画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋの下を
通過しながら搬送されていく。
【００２４】各画像形成部においては、感光ドラム１３
のまわりに帯電器１４、露光ＬＥＤアレイヘッド１５、
現像器１６、クリーナー１７が配置され、電子写真プロ
セスにより感光ドラム１３の表面に各色のトナー像を形
成する。
のまわりに帯電器１４、露光ＬＥＤアレイヘッド１５、
現像器１６、クリーナー１７が配置され、電子写真プロ
セスにより感光ドラム１３の表面に各色のトナー像を形
成する。
【００２５】転写ベルト８に静電吸着されて搬送された
記録紙が、転写ベルト８と感光ドラム１３が近接すると
ころで、各色の画像が順次記録紙上に転写される。４色
の転写が終了した記録紙は、曲率分離により転写ベルト
８から剥がされ、定着ローラー対１８，１９に達する。
定着ローラー１８は、ヒーター（不図示）により加熱さ
れており、各色のトナーは熱溶融し記録紙上に定着され
カラー画像が完成する。
記録紙が、転写ベルト８と感光ドラム１３が近接すると
ころで、各色の画像が順次記録紙上に転写される。４色
の転写が終了した記録紙は、曲率分離により転写ベルト
８から剥がされ、定着ローラー対１８，１９に達する。
定着ローラー１８は、ヒーター（不図示）により加熱さ
れており、各色のトナーは熱溶融し記録紙上に定着され
カラー画像が完成する。
【００２６】定着ローラー対１８，１９によりトナー画
像が表面に定着された記録紙は、装置外部に突出した排
紙トレイ２０上に排出される。
像が表面に定着された記録紙は、装置外部に突出した排
紙トレイ２０上に排出される。
【００２７】図７を参照すると、本発明の実施形態によ
るＬＥＤアレイチップを搭載したＬＥＤアレイヘッド１
５は、アルミ基台９０１、アルミ基台に載置されるＬＥ
Ｄアレイ基板としてのガラスエポキシ基板９０２、ガラ
スエポキシ基板に形成される電極パターン９０３、導電
性ペースト９０４、電極パターン９０３と導電性ペース
ト９０４を介して接続され且つ一列に整列する複数のＬ
ＥＤ発光素子を備える半導体チップであるＬＥＤアレイ
チップ９０５、アルミ基台９０１に載置される絶縁シー
トとしてのシリコンシート９０６、アルミ基台９０１に
シリコンシート９０６を介して載置されるドライバ基板
９０７、ドライバ基板９０７からＬＥＤアレイチップに
信号や電源を供給するためのフレキシブルケーブル９０
８及び金ワイヤなどの導電性ワイヤ９０９、セルフォッ
クレンズアレイ（ＳＬＡ）９１０、シリコン材９１１な
どより構成される。
るＬＥＤアレイチップを搭載したＬＥＤアレイヘッド１
５は、アルミ基台９０１、アルミ基台に載置されるＬＥ
Ｄアレイ基板としてのガラスエポキシ基板９０２、ガラ
スエポキシ基板に形成される電極パターン９０３、導電
性ペースト９０４、電極パターン９０３と導電性ペース
ト９０４を介して接続され且つ一列に整列する複数のＬ
ＥＤ発光素子を備える半導体チップであるＬＥＤアレイ
チップ９０５、アルミ基台９０１に載置される絶縁シー
トとしてのシリコンシート９０６、アルミ基台９０１に
シリコンシート９０６を介して載置されるドライバ基板
９０７、ドライバ基板９０７からＬＥＤアレイチップに
信号や電源を供給するためのフレキシブルケーブル９０
８及び金ワイヤなどの導電性ワイヤ９０９、セルフォッ
クレンズアレイ（ＳＬＡ）９１０、シリコン材９１１な
どより構成される。
【００２８】ＬＥＤアレイチップ９０５は奥行き方向に
複数個並ぶ。ＬＥＤアレイチップ９０５に搭載される複
数のＬＥＤ発光素子９２１は図７（ａ）の奥行き方向に
１列に並び、ＳＬＡ９１０の各レンズも図７（ａ）の奥
行き方向に一列に並ぶ。この様子を模式的に図７（ｂ）
に示す。なお、図７ではＬＥＤアレイチップ９０５とＳ
ＬＡ９１０は一列に形成されるとしたが、これらが複数
列形成されていても良い。
複数個並ぶ。ＬＥＤアレイチップ９０５に搭載される複
数のＬＥＤ発光素子９２１は図７（ａ）の奥行き方向に
１列に並び、ＳＬＡ９１０の各レンズも図７（ａ）の奥
行き方向に一列に並ぶ。この様子を模式的に図７（ｂ）
に示す。なお、図７ではＬＥＤアレイチップ９０５とＳ
ＬＡ９１０は一列に形成されるとしたが、これらが複数
列形成されていても良い。
【００２９】図８は、このＳＬＥＤの一例の構造を示す
図である。図９はこのＳＬＥＤを制御するため従来のコ
ントロール信号及びタイミングであり、全素子を点灯す
る場合の例である。以下、図８、９を参照して、ＳＬＥ
Ｄの構成及び駆動方法を説明する。
図である。図９はこのＳＬＥＤを制御するため従来のコ
ントロール信号及びタイミングであり、全素子を点灯す
る場合の例である。以下、図８、９を参照して、ＳＬＥ
Ｄの構成及び駆動方法を説明する。
【００３０】図８を参照すると、ＶＧＡはＳＬＥＤの接
地電圧にあたり、スタートパルスφＳにカスケードに接
続されている複数のダイオードに抵抗を介して接続され
ている。ＳＬＥＤはアレー状に配列した転送用のサイリ
スタと、アレー状に配列した発光用サイリスタを備え、
各段のそれぞれの種類のサイリスタのゲート信号は互い
に接続され、１段目の２つのサイリスタのゲートはスタ
ートパルスφＳの信号入力部に接続される。２段目の２
つのサイリスタのゲートはスタートパルスφＳ入力用の
端子にアノードが接続されたダイオードのカソードに接
続される。３段目以降についても同様である。
地電圧にあたり、スタートパルスφＳにカスケードに接
続されている複数のダイオードに抵抗を介して接続され
ている。ＳＬＥＤはアレー状に配列した転送用のサイリ
スタと、アレー状に配列した発光用サイリスタを備え、
各段のそれぞれの種類のサイリスタのゲート信号は互い
に接続され、１段目の２つのサイリスタのゲートはスタ
ートパルスφＳの信号入力部に接続される。２段目の２
つのサイリスタのゲートはスタートパルスφＳ入力用の
端子にアノードが接続されたダイオードのカソードに接
続される。３段目以降についても同様である。
【００３１】図９のタイミングチャートに従い転送及び
発光について説明する。まず、転送はスタートパルスφ
Ｓを０Ｖから５Ｖに変化させることにより始まる。スタ
ートパルスφＳが５Ｖにであるときには、ダイオードの
順方向電圧降下を１．４Ｖとすると、Ｖａ＝５Ｖ、Ｖｂ
＝３．６Ｖ、Ｖｃ＝２．２Ｖ、Ｖｄ以降は０Ｖとなり、
転送用サイリスタＳ１′とＳ２′のゲート信号はそれぞ
れ５Ｖ、３．７Ｖとなる。この状態で、シフトパルスφ
１を５Ｖから０Ｖにすることにより、転送用サイリスタ
Ｓ１′の各部の電位は、アノード：５Ｖ、カソード：０
Ｖ、ゲート：３．７Ｖとなり、転送用サイリスタＳ１′
についてＯＮ条件が満たされ、転送用サイリスタＳ１′
がＯＮするが、その状態でシフトパルスφＳを０Ｖに変
えても、転送用サイリスタＳ１′がＯＮしているためＶ
ａ≒５Ｖとなる。何故ならば、φＳは抵抗を介してパル
スが印加されており、サイリスタはＯＮするとアノード
とゲート間の電位がほぼひとしくなるからである。この
ため、スタートパルスφＳを０Ｖにしても１番目の転送
用サイリスタＳ１′のＯＮ条件が保持され１番目のシフ
ト動作が完了する。この状態で発光サイリスタ駆動クロ
ックφＩ信号を５Ｖから０Ｖにすると、転送用サイリス
タがＯＮした条件と同じになるため発光サイリスタＳ１
がＯＮして、１番目のＬＥＤが点灯することになる。１
番目のＬＥＤは発光サイリスタ駆動クロックφＩを５Ｖ
に戻すことにより発光サイリスタＳ１のアノード・カソ
ード間の電位差が無くなりサイリスタの最低保持電流を
流せなくなるため発光サイリスタＳ１はＯＦＦする。
発光について説明する。まず、転送はスタートパルスφ
Ｓを０Ｖから５Ｖに変化させることにより始まる。スタ
ートパルスφＳが５Ｖにであるときには、ダイオードの
順方向電圧降下を１．４Ｖとすると、Ｖａ＝５Ｖ、Ｖｂ
＝３．６Ｖ、Ｖｃ＝２．２Ｖ、Ｖｄ以降は０Ｖとなり、
転送用サイリスタＳ１′とＳ２′のゲート信号はそれぞ
れ５Ｖ、３．７Ｖとなる。この状態で、シフトパルスφ
１を５Ｖから０Ｖにすることにより、転送用サイリスタ
Ｓ１′の各部の電位は、アノード：５Ｖ、カソード：０
Ｖ、ゲート：３．７Ｖとなり、転送用サイリスタＳ１′
についてＯＮ条件が満たされ、転送用サイリスタＳ１′
がＯＮするが、その状態でシフトパルスφＳを０Ｖに変
えても、転送用サイリスタＳ１′がＯＮしているためＶ
ａ≒５Ｖとなる。何故ならば、φＳは抵抗を介してパル
スが印加されており、サイリスタはＯＮするとアノード
とゲート間の電位がほぼひとしくなるからである。この
ため、スタートパルスφＳを０Ｖにしても１番目の転送
用サイリスタＳ１′のＯＮ条件が保持され１番目のシフ
ト動作が完了する。この状態で発光サイリスタ駆動クロ
ックφＩ信号を５Ｖから０Ｖにすると、転送用サイリス
タがＯＮした条件と同じになるため発光サイリスタＳ１
がＯＮして、１番目のＬＥＤが点灯することになる。１
番目のＬＥＤは発光サイリスタ駆動クロックφＩを５Ｖ
に戻すことにより発光サイリスタＳ１のアノード・カソ
ード間の電位差が無くなりサイリスタの最低保持電流を
流せなくなるため発光サイリスタＳ１はＯＦＦする。
【００３２】つぎに、転送用サイリスタ１′から転送用
サイリスタ２′へのサイリスタのＯＮ条件の転送につい
て説明すると、発光サイリスタＳ１がＯＦＦしてもシフ
トパルスφ１が０Ｖのままであり、従って転送用サイリ
スタＳ１′はＯＮのままなので、転送用サイリスタＳ
１′のゲート電圧Ｖａ≒５Ｖであり、転送用サイリスタ
Ｓ２′のゲート電圧Ｖｂ＝３．７Ｖである。この状態で
シフトパルスφ２を５Ｖから０Ｖに変化させることによ
り転送用サイリスタＳ２′の各部の電位はアノード：５
Ｖ、カソード：０Ｖ、ゲート：３．７Ｖとなるので、転
送用サイリスタＳ２′はＯＮする。転送用サイリスタＳ
２′がＯＮした後にシフトパルスφ１を０Ｖから５Ｖに
変えることにより転送用サイリスタＳ１′は発光サイリ
スタＳ１がＯＦＦしたのと同様にＯＦＦする。こうし
て、ＯＮする転送用サイリスタは転送用サイリスタＳ
１′から転送用サイリスタＳ２′に移る。そして、発光
サイリスタ駆動クロックφＩを５Ｖから０Ｖにすると発
光用サイリスタＳ２がＯＮし発光する。なお、ＯＮして
いる転送用サイリスタに対応した発光サイリスタのみ発
光できる理由は、転送用サイリスタがＯＮしていない場
合、ＯＮしているサイリスタの隣のサイリスタを除いて
ゲート電圧が０ＶであるためサイリスタのＯＮ条件とな
らないからである。隣のサイリスタについても発光用サ
イリスタがＯＮすることにより発光サイリスタ駆動クロ
ックφＩの電位は３．４Ｖ（発光用サイリスタの順方向
電圧降下分）となるため、隣のサイリスタは、ゲート・
カソード間の電位差がないためＯＮすることができな
い。
サイリスタ２′へのサイリスタのＯＮ条件の転送につい
て説明すると、発光サイリスタＳ１がＯＦＦしてもシフ
トパルスφ１が０Ｖのままであり、従って転送用サイリ
スタＳ１′はＯＮのままなので、転送用サイリスタＳ
１′のゲート電圧Ｖａ≒５Ｖであり、転送用サイリスタ
Ｓ２′のゲート電圧Ｖｂ＝３．７Ｖである。この状態で
シフトパルスφ２を５Ｖから０Ｖに変化させることによ
り転送用サイリスタＳ２′の各部の電位はアノード：５
Ｖ、カソード：０Ｖ、ゲート：３．７Ｖとなるので、転
送用サイリスタＳ２′はＯＮする。転送用サイリスタＳ
２′がＯＮした後にシフトパルスφ１を０Ｖから５Ｖに
変えることにより転送用サイリスタＳ１′は発光サイリ
スタＳ１がＯＦＦしたのと同様にＯＦＦする。こうし
て、ＯＮする転送用サイリスタは転送用サイリスタＳ
１′から転送用サイリスタＳ２′に移る。そして、発光
サイリスタ駆動クロックφＩを５Ｖから０Ｖにすると発
光用サイリスタＳ２がＯＮし発光する。なお、ＯＮして
いる転送用サイリスタに対応した発光サイリスタのみ発
光できる理由は、転送用サイリスタがＯＮしていない場
合、ＯＮしているサイリスタの隣のサイリスタを除いて
ゲート電圧が０ＶであるためサイリスタのＯＮ条件とな
らないからである。隣のサイリスタについても発光用サ
イリスタがＯＮすることにより発光サイリスタ駆動クロ
ックφＩの電位は３．４Ｖ（発光用サイリスタの順方向
電圧降下分）となるため、隣のサイリスタは、ゲート・
カソード間の電位差がないためＯＮすることができな
い。
【００３３】上記の説明のＳＬＥＤでは、チップに供給
する信号はスタートパルスφＳ、シフトパルス（奇数側
転送サイリスタ信号）φ１、シフトパルス（偶数側転送
サイリスタ信号）φ２、発光サイリスタ駆動クロックφ
Ｉ、電源５Ｖ及びＧＮＤの６個の信号のみであり、これ
らにより１チップ上に並べられたｎ個の発光素子を順次
発光させることができる。本実施形態のＳＬＥＤではＬ
ＥＤアレイチップの裏面から５Ｖを給電し、その他５本
の信号はＬＥＤアレイチップ上に設けられた各信号毎の
電極パッドに金ワイヤーにて信号を供給する構成をと
る。なお、金ワイヤの他の導電性のワイヤを用いても良
い。また本実施形態では１チップ上に６００ｄｐｉの解
像度で１２８個発光サイリスタを一直線上に配列したＬ
ＥＤアレイチップを使って感光体露光用ＬＥＤアレイヘ
ッドを構成する。本実施形態のＬＥＤアレイヘッドは本
実施形態のＳＬＥＤを５６個並べ、を総計で７１６８個
の発光素子を６００ｄｐｉの解像度で一直線上に配置し
Ａ３用紙サイズのプリンタに使える感光体露光用ＬＥＤ
ヘッドである。
する信号はスタートパルスφＳ、シフトパルス（奇数側
転送サイリスタ信号）φ１、シフトパルス（偶数側転送
サイリスタ信号）φ２、発光サイリスタ駆動クロックφ
Ｉ、電源５Ｖ及びＧＮＤの６個の信号のみであり、これ
らにより１チップ上に並べられたｎ個の発光素子を順次
発光させることができる。本実施形態のＳＬＥＤではＬ
ＥＤアレイチップの裏面から５Ｖを給電し、その他５本
の信号はＬＥＤアレイチップ上に設けられた各信号毎の
電極パッドに金ワイヤーにて信号を供給する構成をと
る。なお、金ワイヤの他の導電性のワイヤを用いても良
い。また本実施形態では１チップ上に６００ｄｐｉの解
像度で１２８個発光サイリスタを一直線上に配列したＬ
ＥＤアレイチップを使って感光体露光用ＬＥＤアレイヘ
ッドを構成する。本実施形態のＬＥＤアレイヘッドは本
実施形態のＳＬＥＤを５６個並べ、を総計で７１６８個
の発光素子を６００ｄｐｉの解像度で一直線上に配置し
Ａ３用紙サイズのプリンタに使える感光体露光用ＬＥＤ
ヘッドである。
【００３４】次に、本実施形態による６００ｄｐｉの解
像度に一直線上に配列された複数の発光素子を有するＬ
ＥＤアレイチップであって、発光素子を１チップ内に１
２８画素有する代表的な例を用いて本実施形態を説明す
る。
像度に一直線上に配列された複数の発光素子を有するＬ
ＥＤアレイチップであって、発光素子を１チップ内に１
２８画素有する代表的な例を用いて本実施形態を説明す
る。
【００３５】図１は一般的なＬＥＤアレイチップの各画
素における光量データの代表図であり、本実施形態で説
明する１２８ｂｉｔの発光素子を有するものである。
素における光量データの代表図であり、本実施形態で説
明する１２８ｂｉｔの発光素子を有するものである。
【００３６】図１においては第１１３画素においてチッ
プの平均光量から１０％以上の光量ダウンが発生してい
る。従来のＬＥＤアレイチップにおいては、１ｂｉｔ単
位でチップ平均光量から１０％以上光量段差が発生した
ものがあればＬＥＤアレイチップ全体が不良とされてい
たため、歩留まりが非常に悪かった。しかし、６００ｄ
ｐｉの解像度のＬＥＤアレイチップにおいては、実際に
１画素のみにおいてチップ内平均光量に対し１０％の光
量ダウンが発生したとしても電子写真の露光装置として
使用された場合に、ほとんど画像に影響を受けないこと
が分かってきた。
プの平均光量から１０％以上の光量ダウンが発生してい
る。従来のＬＥＤアレイチップにおいては、１ｂｉｔ単
位でチップ平均光量から１０％以上光量段差が発生した
ものがあればＬＥＤアレイチップ全体が不良とされてい
たため、歩留まりが非常に悪かった。しかし、６００ｄ
ｐｉの解像度のＬＥＤアレイチップにおいては、実際に
１画素のみにおいてチップ内平均光量に対し１０％の光
量ダウンが発生したとしても電子写真の露光装置として
使用された場合に、ほとんど画像に影響を受けないこと
が分かってきた。
【００３７】そこで、本実施形態においては、複数のＬ
ＥＤ発光素子を一列に整列、構成した半導体チップを、
複数、基板上に一列に整列させ、所望の駆動信号によ
り、各ＬＥＤ発光素子を所定の駆動電流で発光させるＬ
ＥＤアレイヘッドにおいて、ＬＥＤ半導体チップは個別
のチップ内における光量分布が、チップ内の全てにおい
て１ｍｍ幅以内に存在する注目発光画素の周辺０．３ｍ
ｍ以内にある連続する発光画素の平均光量の最大値と最
小値の差が該１ｍｍ以内にある全発光画素の平均光量に
対し、７．０％以下の比を満たすものであれば電子写真
の画像への影響は少ないとし、充分に使用できるものと
判断する。
ＥＤ発光素子を一列に整列、構成した半導体チップを、
複数、基板上に一列に整列させ、所望の駆動信号によ
り、各ＬＥＤ発光素子を所定の駆動電流で発光させるＬ
ＥＤアレイヘッドにおいて、ＬＥＤ半導体チップは個別
のチップ内における光量分布が、チップ内の全てにおい
て１ｍｍ幅以内に存在する注目発光画素の周辺０．３ｍ
ｍ以内にある連続する発光画素の平均光量の最大値と最
小値の差が該１ｍｍ以内にある全発光画素の平均光量に
対し、７．０％以下の比を満たすものであれば電子写真
の画像への影響は少ないとし、充分に使用できるものと
判断する。
【００３８】その判断と指標として次の計算式を用い
る。
る。
【００３９】１チップ上に１列に６００ｄｐｉの間隔で
ＬＥＤがアレイ状に配列され、１チップ上に１２８画素
の発光ＬＥＤを持つことを特徴とするＬＥＤアレイチッ
プにおいて、ＬＥＤ半導体チップは個別のチップ内にお
ける光量分布が以下の要件を満たすもののみからなるこ
とを特徴とするＬＥＤアレイチップで、１ｍｍ幅以内に
存在する注目発光画素の周辺０．３ｍｍ以内にある連続
する発光画素の平均光量の最大値と最小値の差の該１ｍ
ｍ以内にある全発光画素の平均光量に対する比（ムラ
Ｓ） Ｓn ＝（Ｅnmax−Ｅnmin）／Ａn ×１００（４≦ｎ≦１
２５） のムラＳ最大値 Ｓ＝ｍａｘ（Ｓ4 、Ｓ5 、Ｓ6 、…、
Ｓ125 ）（％）が所定の数値以下であること。
ＬＥＤがアレイ状に配列され、１チップ上に１２８画素
の発光ＬＥＤを持つことを特徴とするＬＥＤアレイチッ
プにおいて、ＬＥＤ半導体チップは個別のチップ内にお
ける光量分布が以下の要件を満たすもののみからなるこ
とを特徴とするＬＥＤアレイチップで、１ｍｍ幅以内に
存在する注目発光画素の周辺０．３ｍｍ以内にある連続
する発光画素の平均光量の最大値と最小値の差の該１ｍ
ｍ以内にある全発光画素の平均光量に対する比（ムラ
Ｓ） Ｓn ＝（Ｅnmax−Ｅnmin）／Ａn ×１００（４≦ｎ≦１
２５） のムラＳ最大値 Ｓ＝ｍａｘ（Ｓ4 、Ｓ5 、Ｓ6 、…、
Ｓ125 ）（％）が所定の数値以下であること。
【００４０】但し、 １ｃｈｉｐ上の各素子の光量 Ｄn Ｄn （ｎ＝１、２、３、・・・、１２８）、 ３画素平均光量 Ｅn Ｅn ＝ａｖｇ（Ｄn-1 、Ｄn、Ｄn+1 ）（２≦ｎ≦１２
７） ３画素平均された光量の５画素（５画素に亘る距離は
０．２１２ｍｍ≒０．２１ｍｍ）内の最大 Ｅnmax Ｅnmax＝ｍａｘ（Ｅn-2 、Ｅn-1 、Ｅn 、Ｅn+1 、Ｅ
n+2 ） ３画素平均された光量の５画素内の最小 Ｅnmin Ｅnmin＝ｍｉｎ（Ｅn-2 、Ｅn-1 、Ｅn 、Ｅn+1 、Ｅ
n+2 ） ２３画素平均光量 Ａn Ａn ＝ａｖｇ（Ｄn-11、Ｄn-10、Ｄn-9 、…、Ｄn+9 、
Ｄn+10、Ｄn+11） 但し、ｎ≦１１では、Ａn ＝ａｖｇ（Ｄ1 、…、
Ｄn+9 、Ｄn+10、Ｄn+11） ｎ≧１１８では、Ａn ＝ａｖｇ(Ｄn-11、Ｄn-10、Ｄ
n-9 、…、Ｄ128) この計算により、図２に示すように、画素における１２
８ｂｉｔの光量データから２３画素の移動平均の光量デ
ータを計算される。２３画素で平均をとる理由は、６０
０ｄｐｉの解像度においては２３画素の周期（すなわ
ち、１ｍｍの周期）のムラが視覚的に一番よく光量ムラ
を感じやすいためである。また上記計算によって３画素
の移動平均も計算される。上記ムラＳという規格の趣旨
は、２３画素の移動平均から見た３画素（３画素に亘る
距離は０．１２７ｍｍ≒０．１３ｍｍ）の移動平均の変
化の指標であり、３画素の移動平均の変化は７画素（７
画素に亘る距離は０．２９６ｍｍ≒０．３０ｍｍ）の範
囲での光量変化を検出するためのものである。
７） ３画素平均された光量の５画素（５画素に亘る距離は
０．２１２ｍｍ≒０．２１ｍｍ）内の最大 Ｅnmax Ｅnmax＝ｍａｘ（Ｅn-2 、Ｅn-1 、Ｅn 、Ｅn+1 、Ｅ
n+2 ） ３画素平均された光量の５画素内の最小 Ｅnmin Ｅnmin＝ｍｉｎ（Ｅn-2 、Ｅn-1 、Ｅn 、Ｅn+1 、Ｅ
n+2 ） ２３画素平均光量 Ａn Ａn ＝ａｖｇ（Ｄn-11、Ｄn-10、Ｄn-9 、…、Ｄn+9 、
Ｄn+10、Ｄn+11） 但し、ｎ≦１１では、Ａn ＝ａｖｇ（Ｄ1 、…、
Ｄn+9 、Ｄn+10、Ｄn+11） ｎ≧１１８では、Ａn ＝ａｖｇ(Ｄn-11、Ｄn-10、Ｄ
n-9 、…、Ｄ128) この計算により、図２に示すように、画素における１２
８ｂｉｔの光量データから２３画素の移動平均の光量デ
ータを計算される。２３画素で平均をとる理由は、６０
０ｄｐｉの解像度においては２３画素の周期（すなわ
ち、１ｍｍの周期）のムラが視覚的に一番よく光量ムラ
を感じやすいためである。また上記計算によって３画素
の移動平均も計算される。上記ムラＳという規格の趣旨
は、２３画素の移動平均から見た３画素（３画素に亘る
距離は０．１２７ｍｍ≒０．１３ｍｍ）の移動平均の変
化の指標であり、３画素の移動平均の変化は７画素（７
画素に亘る距離は０．２９６ｍｍ≒０．３０ｍｍ）の範
囲での光量変化を検出するためのものである。
【００４１】これにより、図３に示すよう図１で従来の
規格ではＮＧと判断されてしまっていた１１３画素あた
りの光量が、この新しいムラ規格ムラＳでは４％とな
り、充分使用可能となっている。
規格ではＮＧと判断されてしまっていた１１３画素あた
りの光量が、この新しいムラ規格ムラＳでは４％とな
り、充分使用可能となっている。
【００４２】［実施形態２］図４は本実施形態のムラＭ
の計算の方法を表している。
の計算の方法を表している。
【００４３】上記でも述べたように、人の視覚的には６
００ｂｐｉの解像度であれば２３画素（１ｍｍピッチ）
がもっとも光量ムラ（電子写真では濃度ムラ）を感じや
すい。そのため２３画素の移動平均でのチップ光量変化
を計算し、視覚的に見えるムラであればそのＬＥＤアレ
イチップは使用しない方が、濃度ムラに少ない鮮明な画
像形成ができる。
００ｂｐｉの解像度であれば２３画素（１ｍｍピッチ）
がもっとも光量ムラ（電子写真では濃度ムラ）を感じや
すい。そのため２３画素の移動平均でのチップ光量変化
を計算し、視覚的に見えるムラであればそのＬＥＤアレ
イチップは使用しない方が、濃度ムラに少ない鮮明な画
像形成ができる。
【００４４】よって本実施形態では、チップ内の全てに
おいて、１ｍｍ幅以内にある連続する発光画素の平均光
量のチップ内最大値と最小値の差がチップ全体の平均光
量に対し、所定値以下の比にあるＬＥＤアレイチップの
みを使用する、例えば、チップ内の全てにおいて、１ｍ
ｍ幅以内にある連続する発光画素の平均光量のチップ内
最大値と最小値の差がチップ全体の平均光量に対し、
６．０％以下の比を満たすＬＥＤアレイチップのみを使
用する。その判断の計算方法として以下の計算式を用い
ている。
おいて、１ｍｍ幅以内にある連続する発光画素の平均光
量のチップ内最大値と最小値の差がチップ全体の平均光
量に対し、所定値以下の比にあるＬＥＤアレイチップの
みを使用する、例えば、チップ内の全てにおいて、１ｍ
ｍ幅以内にある連続する発光画素の平均光量のチップ内
最大値と最小値の差がチップ全体の平均光量に対し、
６．０％以下の比を満たすＬＥＤアレイチップのみを使
用する。その判断の計算方法として以下の計算式を用い
ている。
【００４５】１ｍｍ幅以内にある連続する発光画素の平
均光量のチップ内最大値と最小値の差のチップ全体の平
均光量に対する比（ムラＭ） Ｍ＝（Ａmax −Ａmin ）／Ｃ×１００（％） が所定の数値以下であること。
均光量のチップ内最大値と最小値の差のチップ全体の平
均光量に対する比（ムラＭ） Ｍ＝（Ａmax −Ａmin ）／Ｃ×１００（％） が所定の数値以下であること。
【００４６】但し、 ｃｈｉｐ全体の平均光量 Ｃ Ｃ＝ａｖｇ（Ｄ1 、Ｄ2 、Ｄ3 、…、Ｄ128 ） ２３画素平均された１２８画素中の最大値 Ａmax Ａmax ＝ｍａｘ（Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 、…、Ａ126 、Ａ
127 、Ａ128 ） ２３画素平均された１２８画素中の最小値 Ａmin Ａmin ＝ｍｉｎ（Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 、…、Ａ126 、Ａ
127 、Ａ128 ） 上記計算により求められたムラＭで、ムラＭが６．０％
以内であれば視覚的にムラの見えにくいＬＥＤアレイチ
ップとして判断し、ＬＥＤアレイヘッドへ利用すること
ができる。
127 、Ａ128 ） ２３画素平均された１２８画素中の最小値 Ａmin Ａmin ＝ｍｉｎ（Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 、…、Ａ126 、Ａ
127 、Ａ128 ） 上記計算により求められたムラＭで、ムラＭが６．０％
以内であれば視覚的にムラの見えにくいＬＥＤアレイチ
ップとして判断し、ＬＥＤアレイヘッドへ利用すること
ができる。
【００４７】［実施形態３］図５はＬＥＤアレイチップ
を３つ並べた場合の光量データである。ＬＥＤアレイヘ
ッドを形成する場合、本実施例で説明しているように１
チップあたり１２８ｂｉｔを有する６００ｄｐｉのＬＥ
Ｄアレイチップであれば、電子写真の露光装置としてＡ
３伸びサイズまで対応する場合には、５６チップ直線上
に並べる必要がある。図５のマルで囲まれた部分におい
て、隣あうチップとの光量段差が発生する可能性がある
が、本発明においてはこのチップ相互間のつなぎ部分に
当たる光量ムラを規定することで隣接チップ間において
光量ムラの少ないＬＥＤアレイヘッドを形成することを
可能にしている。
を３つ並べた場合の光量データである。ＬＥＤアレイヘ
ッドを形成する場合、本実施例で説明しているように１
チップあたり１２８ｂｉｔを有する６００ｄｐｉのＬＥ
Ｄアレイチップであれば、電子写真の露光装置としてＡ
３伸びサイズまで対応する場合には、５６チップ直線上
に並べる必要がある。図５のマルで囲まれた部分におい
て、隣あうチップとの光量段差が発生する可能性がある
が、本発明においてはこのチップ相互間のつなぎ部分に
当たる光量ムラを規定することで隣接チップ間において
光量ムラの少ないＬＥＤアレイヘッドを形成することを
可能にしている。
【００４８】本発明における隣接チップ間の光量ムラを
一定値以下に押さえるためにまず、チップ両端部０．６
ｍｍの範囲にある発光画素の平均光量のチップ全体の平
均光量に対する比が所定値以下にあることが条件とな
る。０．６ｍｍは６００ｄｐｉでは約１２画素分にあた
り、１２画素にしている理由は、隣のチップ端部との１
２画素の光量ムラとを並べて見た場合に約２３画素の光
量ムラとして視覚的に感じるためである。
一定値以下に押さえるためにまず、チップ両端部０．６
ｍｍの範囲にある発光画素の平均光量のチップ全体の平
均光量に対する比が所定値以下にあることが条件とな
る。０．６ｍｍは６００ｄｐｉでは約１２画素分にあた
り、１２画素にしている理由は、隣のチップ端部との１
２画素の光量ムラとを並べて見た場合に約２３画素の光
量ムラとして視覚的に感じるためである。
【００４９】チップ端部の計算方法は次の通りである。
【００５０】チップ両端部０．６ｍｍ以内にある発光画
素の平均光量のチップ全体の平均光量に対する比で、第
１番目の発光画素から第１２番目の発光画素までの平均
光量のチップ全体の平均光量に対する比（ムラＬf ） Ｌf ＝（Ａf −Ｃ）／Ｃ×１００（％） 第１１７番目の発光画素から第１２８番目の発光画素ま
での平均光量のチップ全体の平均光量に対する比（ムラ
Ｌr ） Ｌr ＝（Ａr −Ｃ）／Ｃ×１００（％） がそれぞれ所定の数値以下であること。
素の平均光量のチップ全体の平均光量に対する比で、第
１番目の発光画素から第１２番目の発光画素までの平均
光量のチップ全体の平均光量に対する比（ムラＬf ） Ｌf ＝（Ａf −Ｃ）／Ｃ×１００（％） 第１１７番目の発光画素から第１２８番目の発光画素ま
での平均光量のチップ全体の平均光量に対する比（ムラ
Ｌr ） Ｌr ＝（Ａr −Ｃ）／Ｃ×１００（％） がそれぞれ所定の数値以下であること。
【００５１】但し、 １から１２画素までの平均光量 Ａf Ａf ＝ａｖｇ（Ｄ1 、Ｄ2 、…、Ｄ12） １１７から１２８画素までの平均光量 Ａr Ａr ＝ａｖｇ（Ｄ117 、Ｄ118 、…、Ｄ128 ） 上記ムラＬの計算において、 Ｌf ≦ ±３．０（％）、Ｌr ≦ ±３．０（％） であることを満たすもののみからなることを特徴とする
ＬＥＤアレイチップであれば、隣接チップ間の光量ムラ
をおさえ、濃度ムラのない鮮明な画像形成ができる。
ＬＥＤアレイチップであれば、隣接チップ間の光量ムラ
をおさえ、濃度ムラのない鮮明な画像形成ができる。
【００５２】半導体チップのいずれかのＬＥＤ発光素子
の光量がその半導体チップの全てのＬＥＤ発光素子の平
均光量から１０％以上の誤差を有していても、本発明の
実施形態１〜３の条件を満たす半導体チップは検査合格
となり、画像形成装置などの製品に投入することが出来
る。
の光量がその半導体チップの全てのＬＥＤ発光素子の平
均光量から１０％以上の誤差を有していても、本発明の
実施形態１〜３の条件を満たす半導体チップは検査合格
となり、画像形成装置などの製品に投入することが出来
る。
【００５３】なお、上記の距離についての数値はレンズ
の倍率が１倍の場合のものである。レンズの倍率が１倍
でない場合には、上記の距離の数値は、ＬＥＤアレイチ
ップ上での距離を記録媒体上での距離に換算した数値と
なる。
の倍率が１倍の場合のものである。レンズの倍率が１倍
でない場合には、上記の距離の数値は、ＬＥＤアレイチ
ップ上での距離を記録媒体上での距離に換算した数値と
なる。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、ＬＥＤアレイチッ
プにおいて、チップ両端部０．６ｍｍ以内にある発光画
素の平均光量のチップ全体の平均光量に対する比が所定
値以下であり、チップ内の全てにおいて、１ｍｍ幅以内
にある連続する発光画素の平均光量のチップ内最大値と
最小値の差がチップ全体の平均光量に対し、所定値以下
の比にあり、且つチップ内の全てにおいて、１ｍｍ幅以
内に存在する注目発光画素の周辺０．３ｍｍ以内にある
連続する発光画素の平均光量の最大値と最小値の差が該
１ｍｍ以内にある全発光画素の平均光量に対し、所定値
以下の比にあるＬＥＤアレイチップのみを使用し、ＬＥ
Ｄアレイヘッドを構成することによって、電子写真にお
いて光量ムラによる濃度ムラの少ない鮮明な画像形成が
可能となるばかりではなく、従来では平均光量からの光
量ダウンが所定以下であれば使用不可能と判断されてい
たチップを、空間的周波数でムラをスクリーニングする
ことによって、歩留まりを抑えることが可能となった。
プにおいて、チップ両端部０．６ｍｍ以内にある発光画
素の平均光量のチップ全体の平均光量に対する比が所定
値以下であり、チップ内の全てにおいて、１ｍｍ幅以内
にある連続する発光画素の平均光量のチップ内最大値と
最小値の差がチップ全体の平均光量に対し、所定値以下
の比にあり、且つチップ内の全てにおいて、１ｍｍ幅以
内に存在する注目発光画素の周辺０．３ｍｍ以内にある
連続する発光画素の平均光量の最大値と最小値の差が該
１ｍｍ以内にある全発光画素の平均光量に対し、所定値
以下の比にあるＬＥＤアレイチップのみを使用し、ＬＥ
Ｄアレイヘッドを構成することによって、電子写真にお
いて光量ムラによる濃度ムラの少ない鮮明な画像形成が
可能となるばかりではなく、従来では平均光量からの光
量ダウンが所定以下であれば使用不可能と判断されてい
たチップを、空間的周波数でムラをスクリーニングする
ことによって、歩留まりを抑えることが可能となった。
【図１】本発明の実施形態における６００ｄｐｉの解像
度の発光素子を１２８ｂｉｔ一直線上に有するＬＥＤア
レイの光量データのグラフの一例。
度の発光素子を１２８ｂｉｔ一直線上に有するＬＥＤア
レイの光量データのグラフの一例。
【図２】図１の光量データに対し、２３画素の移動平均
と３画素の移動平均した光量データ。
と３画素の移動平均した光量データ。
【図３】図１に示す光量分布を基に本発明の実施形態に
おける計算方法で計算した光量ムラデータのグラフ。
おける計算方法で計算した光量ムラデータのグラフ。
【図４】本発明の実施形態における６００ｄｐｉの解像
度の発光素子を１２８ｂｉｔ一直線上に有するＬＥＤア
レイの光量データのグラフの別の一例と、その光量デー
タに２３画素の移動平均を計算したデータのグラフ。
度の発光素子を１２８ｂｉｔ一直線上に有するＬＥＤア
レイの光量データのグラフの別の一例と、その光量デー
タに２３画素の移動平均を計算したデータのグラフ。
【図５】本発明の実施形態における６００ｄｐｉの解像
度の発光素子を１２８ｂｉｔ一直線上に有するＬＥＤア
レイを３チップ並べたときの光量データの一例。
度の発光素子を１２８ｂｉｔ一直線上に有するＬＥＤア
レイを３チップ並べたときの光量データの一例。
【図６】本発明の実施形態によるＬＥＤアレイヘッドを
用いた画像形成装置の概略断面図である。
用いた画像形成装置の概略断面図である。
【図７】 本発明の実施形態によるＬＥＤアレイチップ
を搭載したＬＥＤアレイヘッドの断面図である。
を搭載したＬＥＤアレイヘッドの断面図である。
【図８】本発明の実施形態によるＬＥＤアレイチップの
等価回路図である。
等価回路図である。
【図９】図６のＬＥＤアレイチップの駆動信号のタイミ
ング図である。
ング図である。
９０１ アルミ基台 ９０２ ガラスエポキシ基板 ９０３ 電極パターン ９０４ 導電性ペースト ９０５ ＬＥＤアレイチップ ９０６ シリコンシート ９０７ ドライバ基板 ９０８ フレキシブルケーブル ９０９ 導電性ワイヤ ９１０ セルフォックレンズアレイ（ＳＬＡ） ９１１ シリコン材 ９１２ 感光体ドラム
Claims (13)
- 【請求項１】 一列に整列する複数のＬＥＤ発光素子を
備えるＬＥＤアレイチップを、複数、一列又は複数列に
整列させ、所望の駆動信号により、各ＬＥＤ発光素子を
所定の駆動電流で発光させ、各ＬＥＤ発光素子より射出
された光が所定の倍率のレンズを介して記録媒体に到達
するＬＥＤアレイヘッドで用いられるＬＥＤアレイチッ
プにおいて、 当該ＬＥＤアレイチップにおける光量分布について、 チップ両端部について端部から記録媒体での距離換算で
０．６ｍｍの範囲にある発光画素の平均光量からチップ
全体の平均光量を差し引いた値が前記チップ全体の平均
光量に対して第１の所定値の範囲内にあること、 記録媒体での距離換算で１ｍｍ幅の範囲で連続する発光
画素の平均光量のチップ内での最大値と最小値との差が
前記チップ全体の平均光量に対して第２の所定値以下の
比にあること、 チップ内の全ての範囲において、記録媒体での距離換算
で０．１３ｍｍの範囲にある発光画素の平均光量の記録
媒体での距離換算で０．２１ｍｍの範囲での最大値と最
小値との差が前記０．１３ｍｍの範囲をとって更に前記
０．２１ｍｍの範囲をとることにより形成される記録媒
体での距離換算で０．３０ｍｍの範囲を含む記録媒体で
の距離換算で１ｍｍの範囲にある発光画素の平均光量に
対して第３の所定値以下の比にあること、が満たされる
ことを特徴とするＬＥＤアレイチップ。 - 【請求項２】 請求項１に記載のＬＥＤアレイチップに
おいて、前記第１の所定値の範囲は、±３．０％である
ことを特徴とするＬＥＤアレイチップ。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載のＬＥＤアレイチ
ップにおいて、前記第２の所定値は６．０％であること
を特徴とするＬＥＤアレイチップ。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
ＬＥＤアレイチップにおいて、前記第３の所定値は７．
０％であることを特徴とするＬＥＤアレイチップ。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の
ＬＥＤアレイチップにおいて、１２８個のＬＥＤ発光素
子が６００ｄｐｉ(Dots Per Inch)の間隔で整列するこ
とを特徴とするＬＥＤアレイチップ。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の
ＬＥＤアレイチップにおいて、いずれかのＬＥＤ発光素
子の光量が全てのＬＥＤ発光素子の平均光量から１０％
以上の誤差を有することを特徴とするＬＥＤアレイチッ
プ。 - 【請求項７】 一列に６００ｄｐｉの間隔で整列する１
２８個のＬＥＤ発光素子を備えるＬＥＤアレイチップ
を、複数、一列又は複数列に整列させ、所望の駆動信号
により、各ＬＥＤ発光素子を所定の駆動電流で発光さ
せ、各ＬＥＤ発光素子より射出された光が所定の倍率の
レンズを介して記録媒体に到達するＬＥＤアレイヘッド
で用いられるＬＥＤアレイチップにおいて、当該ＬＥＤ
アレイチップにおける光量分布について、 １）１つの半導体チップ上の各ＬＥＤ発光素子の光量を
Ｄn Ｄn （ｎ＝１、２、・・・、１２８） ３画素平均光量Ｅn を Ｅn ＝ａｖｇ（Ｄn-1 、Ｄn 、Ｄn+1 ）（２≦ｎ≦１２
７） ３画素平均された光量の５画素内の最大値Ｅnmaxを Ｅnmax＝ｍａｘ（Ｅn-2 、Ｅn-1 、Ｅn 、Ｅn+1 、Ｅ
n+2 ） ３画素平均された光量の５画素内の最小値Ｅnminを Ｅnmin＝ｍｉｎ（Ｅn-2 、Ｅn-1 、Ｅn 、Ｅn+1 、Ｅ
n+2 ） 前記最大値及び最小値をとる範囲を含む２３画素の平均
光量Ａnを Ａn ＝ａｖｇ（Ｄn-11、Ｄn-10、Ｄn-9 、…、Ｄn+9 、
Ｄn+10、Ｄn+11） 但し、ｎ≦１１では、Ａn ＝ａｖｇ（Ｄ1 、…、
Ｄn+9 、Ｄn+10、Ｄn+11） ｎ≧１１８では、Ａn＝ａｖｇ(Ｄn-11、Ｄn-10、
Ｄn-9、…、Ｄ128) としたときに、１ｍｍ幅以内に存在する注目発光素子の
周辺０．３ｍｍ以内にある連続する発光画素の平均光量
の最大値と最小値の差の該１ｍｍ以内にある全発光画素
の平均光量に対する比Ｓn： Ｓn ＝（Ｅnmax−Ｅnmin）／Ａn ×１００（４≦ｎ≦１
２５） の最大値Ｓ： Ｓ＝ｍａｘ（Ｓ4 、Ｓ5 、Ｓ6 、…、Ｓ125 ）（％） が第１の所定値以下であること、 ２）１つの半導体チップ全体の平均光量Ｃを Ｃ＝ａｖｇ（Ｄ1 、Ｄ2 、Ｄ3 、…、Ｄ128 ） ２３画素平均された１２８画素中の最大値Ａmax を Ａmax ＝ｍａｘ（Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 、…、Ａ126 、Ａ
127 、Ａ128 ） ２３画素平均された１２８画素中の最小値 Ａmin を Ａmin ＝ｍｉｎ（Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 、…、Ａ126 、Ａ
127 、Ａ128 ） としたときに、１ｍｍ幅以内にある連続する発光素子の
平均光量のチップ内最大値と最小値の差のチップ全体の
平均光量に対する比Ｍ： Ｍ＝（Ａmax −Ａmin ）／Ｃ×１００（％） が第２の所定値以下であること、 ３）１から１２画素までの平均光量Ａfを Ａf ＝ａｖｇ（Ｄ1 、Ｄ2 、…、Ｄ12） １１７から１２８画素までの平均光量Ａrを Ａr ＝ａｖｇ（Ｄ117 、Ｄ118 、…、Ｄ128 ） としたときに、チップ両端部０．６ｍｍ以内にある発光
素子の平均光量のチップ全体の平均光量に対する比であ
る、発光画素の１から１２ｂｉｔまでの平均光量のチッ
プ全体の平均光量に対する比Ｌf ： Ｌf ＝（Ａf −Ｃ）／Ｃ×１００（％） 及び発光画素の１１７から１２８ｂｉｔまでの平均光量
のチップ全体の平均光量に対する比Ｌr ： Ｌr ＝（Ａr −Ｃ）／Ｃ×１００（％） がそれぞれ第３の所定値の範囲内にあること、が満たさ
れることを特徴とするＬＥＤアレイチップ。 - 【請求項８】 請求項７に記載のＬＥＤアレイチップに
おいて、前記第１の所定値が７．０（％）であることを
特徴とするＬＥＤアレイチップ。 - 【請求項９】 請求項７又は８に記載のＬＥＤアレイチ
ップにおいて、前記第２の所定値が６．０（％）である
ことを特徴とするＬＥＤアレイチップ。 - 【請求項１０】 請求項７乃至９のいずれか１項に記載
のＬＥＤアレイチップにおいて、前記第３の所定値の範
囲は±３．０（％）であることを特徴とするＬＥＤアレ
イチップ。 - 【請求項１１】 請求項７乃至１０のいずれか１項に記
載のＬＥＤアレイチップにおいて、いずれかのＬＥＤ発
光素子の光量が全てのＬＥＤ発光素子の平均光量から１
０％以上の誤差を有することを特徴とするＬＥＤアレイ
チップ。 - 【請求項１２】 請求項１乃至１１のいずれか１項に記
載のＬＥＤアレイチップを備えることを特徴とするＬＥ
Ｄアレイヘッド。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載のＬＥＤアレイヘッ
ドを備えたことを特徴とする画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11217489A JP2001038950A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | Ｌｅｄアレイチップ、ｌｅｄアレイヘッド及び画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11217489A JP2001038950A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | Ｌｅｄアレイチップ、ｌｅｄアレイヘッド及び画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001038950A true JP2001038950A (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=16705049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11217489A Pending JP2001038950A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | Ｌｅｄアレイチップ、ｌｅｄアレイヘッド及び画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001038950A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006240214A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光ヘッドの光量補正方法並びに露光装置 |
| JP2011056961A (ja) * | 2010-10-25 | 2011-03-24 | Canon Inc | 記録装置 |
-
1999
- 1999-07-30 JP JP11217489A patent/JP2001038950A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006240214A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光ヘッドの光量補正方法並びに露光装置 |
| JP4662796B2 (ja) * | 2005-03-07 | 2011-03-30 | 富士フイルム株式会社 | 露光ヘッドの光量補正方法並びに露光装置 |
| JP2011056961A (ja) * | 2010-10-25 | 2011-03-24 | Canon Inc | 記録装置 |
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