JP2001035424A

JP2001035424A - 発光装置

Info

Publication number: JP2001035424A
Application number: JP20464999A
Authority: JP
Inventors: Hidetoshi Saito; 秀俊齋藤; Hideo Kinoshita; 秀雄木下; Yoshitomo Ueda; 致知植田
Original assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1999-07-19
Filing date: 1999-07-19
Publication date: 2001-02-09

Abstract

(57)【要約】【課題】冷陰極素子の製造方法がスピント型素子よりも
簡単であって、発光効率の高い発光装置を得る。【解決手段】冷陰極素子１０は、部材３とゲート電極４
と区画部材６とを備えている。先ず、基板１１の一方の
面に多数の突起１２が形成された剣山状部材１を作製す
る。基板１１はＡｌ₂Ｏ₃単結晶板であり、突起１２は
酸化亜鉛である。この剣山状部材１の突起１２側の表面
全体に金属薄膜２を形成することにより、多数の突起状
の電子放出体３１を有する部材３を得る。突起１２の先
端部は凸状になっていて、その尖鋭度（頂点部分を所定
範囲で２次曲線に近似することにより算出される値）を
示す曲率半径は１０μｍ以下である。ガラス基板Ｇ１に
陽極Ｄ１と発光体Ｈを設け、発光体Ｈ側の面が電子放出
体３１と対向するようにガラス基板Ｇ１を配置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子とし
て冷陰極素子を備えた発光装置（例えば、電界放射型デ
ィスプレイ、ＯＡ機器の光源、照明器具等）に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子放出素子と発光体を備えた発光装置
の一例として、ブラウン管が挙げられるが、その電子放
出素子としては従来より熱陰極素子が用いられてきた。
しかしながら、熱陰極素子は、熱エネルギーによって電
子を放出させるため、エネルギー効率が低いという問題
点がある。そのため、近年は、電子放出に熱エネルギー
を使用しない冷陰極素子の需要が大きくなりつつある。

【０００３】電子放出素子として冷陰極素子を備えた発
光装置としては、例えば図９に示すものがある。この発
光装置では、真空の容器内に冷陰極素子１０と発光体Ｈ
とが配置されている。容器を構成する２枚のガラス基板
Ｇ１，Ｇ２が所定の間隔を開けて平行に配置されてお
り、一方のガラス基板Ｇ１の内面に、電極層（陽極）Ｄ
１を介して膜状の発光体Ｈが形成されている。他方のガ
ラス基板Ｇ２には、電極層（陰極）Ｄ２を介して冷陰極
素子１０が接合されている。

【０００４】冷陰極素子１０は、シリコン基板８上に、
多数のコーン状の電子放出体３１が隙間を開けて並列に
配置されたものである。各電子放出体３１は絶縁層６０
で分離された空洞内に配置され、この絶縁層６０の上
に、各電子放出体３１の先端部を露出させる穴４１を有
するゲート電極４が設けてある。そして、ゲート電極４
と陰極Ｄ２との間に印加された高電圧により、電子放出
体３１の先端に強い電界が生じて、電子放出体３１の先
端から電子が放出される。その電子が陽極Ｄ１に印加さ
れた高電圧で加速されて発光体Ｈに衝突することによ
り、発光体Ｈが発光して、ガラス基板Ｇ１から光が放射
されるようになっている。

【０００５】この発光装置において、電子放出体３１を
各画素に対応させて設けたものが電界放射型ディスプレ
イであり、赤、緑、青の光を出す３つの発光体を規則正
しく陽極Ｄ１上に塗布することによって、カラーディス
プレイが得られる。近年、この電界放射型ディスプレイ
についての研究開発が行われている。この発光装置の冷
陰極素子１０はスピント型と称され、例えば以下のよう
にして作製される。

【０００６】先ず、高導電率シリコン等からなる基板８
の上に、絶縁層６０となるシリコン酸化膜を形成し、そ
の上にゲート電極４となるモリブデン膜を成膜する。次
に、このモリブデン膜の上にホールパターンを形成し、
このパターンを用いてモリブデン膜とシリコン酸化膜を
エッチングする。これにより、モリブデン膜とシリコン
酸化膜に、各電子放出体の位置に対応させた穴が形成さ
れる。次に、モリブデン膜の穴の部分に、アルミニウム
の犠牲層を斜め蒸着した後、モリブデンをシリコン酸化
膜の穴にコーン状に蒸着する。次に、アルミニウムの犠
牲層をエッチングにより除去する。

【０００７】一方、従来より、多数の針状結晶を形成す
る方法として、有機金属熱分解法（以下ＭＯＣＶＤ法と
記述する）を用いて III−Ｖ族化合物半導体、IV−VI族
化合物半導体、元素半導体のいずれか少なくとも一者か
らなる針状結晶をＭＯＣＶＤ法を用いて形成する方法が
行われている。しかし、この方法で得られる針状結晶は
III−Ｖ族化合物半導体、IV−VI族化合物半導体、元素
半導体のいずれか少なくとも一者からなり、金属酸化物
の形成に関しては公知の文献には教示も示唆もない。

【０００８】さらに、常圧下、ＭＯＣＶＤ法を用いて金
属酸化物を形成する方法として、例えばジャーナル・オ
ブ・ザ・セラミック・ソサイエティー・オブ・ジャパ
ン，１０５（１９９７年）第５５１頁から第５５４頁
（ＪｏｕｒｎａｌｏｆｔｈｅＣｅｒａｍｉｃＳｏ
ｃｉｅｔｙｏｆＪａｐａｎ，１０５（１９９７）ｐ
ｐ．Ｌ５５１〜Ｒ５５４）に記載されている方法があ
る。しかし、該論文中に記載の方法では酸化チタン薄膜
が形成されるのみで、高い存在密度を有する針状結晶を
得る方法は開示されていない。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の冷陰極素子（スピント型素子）を備えた発光装置で
は、発光装置の用途によっては、電子放出体からの電子
放出量が不十分となって十分な輝度が得られない場合が
ある。冷陰極素子の電子放出体からの電子放出量は、電
子放出体の先端部の尖鋭度が高いほど高くなると考えら
れるが、スピント型素子の電子放出体をレーザー加工等
の機械的な加工法で作製すると、先端部の尖鋭度を十分
に高くすることが困難である。前述のエッチング加工を
行う方法によれば、レーザー加工等の機械的な加工法よ
りも高い尖鋭度でスピント型素子の電子放出体の先端部
を形成することができるが、この方法は、特にコーン状
の電子放出体の形成工程が非常に煩雑である。また、上
述の針状結晶の形成方法によっても、先端部の尖鋭度が
高い針状結晶を得ることは困難である。

【００１０】本発明は、電子放出素子として冷陰極素子
を備えた発光装置において、冷陰極素子の製造方法がス
ピント型素子よりも簡単であって、高い発光効率が得ら
れる発光装置を提供することを課題とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、多数の突起状の電子放出体が隙間を開け
て並列に配置されている構造の冷陰極素子と発光体と
が、真空の容器内または気体が封入された容器内に配置
されていて、冷陰極素子から放出された電子線によって
発光体が発光するようになっている発光装置において、
電子放出体をなす突起は金属酸化物からなり、この突起
の先端部は凸状になっており、その頂点部分を所定範囲
で２次曲線に近似することにより算出される尖鋭度を示
す曲率半径が１０μｍ以下であることを特徴とする発光
装置を提供する。

【００１２】前記突起をなす金属酸化物が絶縁体の場合
には、突起の少なくとも先端部に導電性物質を被覆する
必要がある。突起をなす金属酸化物が導電性を有する
（金属的または半導体的な導電性を示す）場合には、必
ずしも導電性物質を被覆する必要はないが、例えば使用
する金属酸化物の導電率があまり高くない場合（半導体
的な導電性である場合）には、十分な電子放出作用を得
るために導電性物質を被覆することが好ましい。

【００１３】本発明においては、電子放出体をなす突起
の凸状先端部の尖鋭度を、凸状先端部の頂点部分を所定
範囲で２次曲線に近似することにより算出される曲率半
径で表している。この尖鋭度を示す曲率半径について、
図３を用いて説明する。ここでは、突起１２の基部１２
ａが円柱状で、先端部１２ｂが円錐状である場合を例に
とって説明する。図３（ａ）はこの突起の斜視図であ
る。この突起１２においては、先端部１２ｂをなす円錐
の頂点Ｃと、基部１２ａをなす円柱の中心軸Ｏとが一致
している。この中心軸Ｏに沿った平面で突起１２を切断
した面を図３（ｂ）に示す。

【００１４】図３（ｂ）には、突起１２の外形線を示す
線Ｅが示されるが、この線Ｅのうち先端部１２ｂの頂点
Ｃ（ここでは基部の底面円の中心点と同じ）から突起１
２の幅方向（ここでは基部の底面円の半径方向）両側に
１００ｎｍの範囲Ｗにある部分Ｅ₀を、図３（ｃ）に示
すように、点Ｃを原点とした２次曲線に近似する。そし
て、この２次曲線を表す２次方程式（ｙ＝ａｘ²＋ｂｘ
＋ｃ）の２次の項の係数ａを２倍した値の逆数（１／
（２ａ））を前記曲率半径とする。請求項１の「所定範
囲」は前記範囲Ｗを意味する。

【００１５】このように高い尖鋭度（前記曲率半径が１
０μｍ以下）の先端部を有する金属酸化物からなる突起
は、空気中の酸素または水と反応して酸化物を形成する
金属化合物を原材料として用い、所定圧力の空気が存在
する空間に設置された基板の面に、この金属化合物の気
体および／または微粒子を向かわせて、金属酸化物を基
板面上にエピタキシャル成長させる方法によって得るこ
とができる。この場合には、基板を設置する空間の圧力
を大気圧にすることが好ましい。また、原材料として使
用する金属化合物は揮発性の高いものであることが好ま
しい。また、基板の温度を、この基板面上に向かわせる
金属化合物の気体および／または微粒子よりも高い温度
に設定することが好ましい。

【００１６】この方法により、基板と金属酸化物からな
る多数の突起とで構成され、突起が基板面から垂直に延
びていて、隣り合う突起同士に隙間を有する剣山状部材
が得られる。なお、突起の断面の円換算径および配置密
度は、製造条件の設定などによって所定径および所定密
度に制御することができる。また、この方法は、前述の
スピント素子の製造方法よりも簡単である。

【００１７】前記曲率半径が小さいほど尖鋭度が高くな
るため、電子放出体をなす突起の先端部の前記曲率半径
は小さいほど好ましいが、上述の方法によっても突起の
先端部の前記曲率半径を０．００１μｍ未満にすること
は困難である。したがって、本発明の発光装置では、電
子放出体をなす突起の前記曲率半径の下限値を０．００
１μｍとする。

【００１８】本発明の発光装置において、電子放出体を
なす突起の横断面（突出方向（高さ方向）に垂直な断
面）の形状は円形、略円形、多角形、略多角形等、いず
れであってもよい。また、突起の横断面形状は、高さ方
向全体で同じであっても、途中で変化するものであって
もよい。ただし、少なくとも突起の先端部は上述の尖鋭
度にする必要がある。また、突起の横断面形状が途中で
変化する場合でも、隣り合う突起同士が接触しないよう
になっている必要がある。

【００１９】本発明の発光装置において、前記突起の横
断面は小さいほど好ましいが、上記方法によって、横断
面の円換算径が０．０１μｍ未満である突起を得ること
は困難である。また、突起の基部の横断面の円換算径が
１００００μｍを超えると、電子放出体としての作用が
十分に得られ難い。したがって、前記突起の基部の横断
面の円換算径の好ましい範囲は、高さ方向中心位置での
値で、０．０１μｍ以上１００００μｍ以下であり、よ
り好ましい範囲は０．０１μｍ以上１００μｍ以下であ
り、さらに好ましい範囲は０．１μｍ以上１０μｍ以下
である。

【００２０】なお、円換算径とは、例えば画像解析を利
用した従来公知の方法で測定された断面積を、円周率π
で除した値の平方根を２倍した値である。本発明の発光
装置において、突起のアスペクト比（前記円換算径に対
する突起の高さの比）は０．１以上であることが好まし
い。アスペクト比がこの範囲を外れると、電子放出体と
しての作用が十分に得られ難い。また、アスペクト比が
１．０を超えると、使用時に変形が生じる可能性が高く
なるため、１．０未満であることが好ましい。

【００２１】本発明の発光装置において、突起の配置密
度は大きいほど好ましいが、上記方法によって、基板面
１００μｍ²当たりの配置密度が１００００本を超える
突起を得ることは困難である。基板面１００μｍ²当た
りの配置密度が０．００１本未満であると、電子放出体
としての作用が十分に得られ難い。突起の配置密度（基
板面１００μｍ²当たり）の好ましい範囲は０．００１
本以上１００００本以下であり、より好ましい範囲は
０．０１本以上１０００本以下であり、さらに好ましい
範囲は１本以上５００本以下である。

【００２２】本発明の発光装置において、突起の長さ
（突出方向の寸法、すなわち高さ）は、０．１μｍ以上
１００００μｍ以下であることが好ましい。突起の長さ
が０．１μｍ未満であると電子放出体としての作用が十
分に得られ難く、１００００μｍを超えると突起の機械
的強度が著しく低下する。突起の長さのより好ましい範
囲は１μｍ以上１０００μｍ以下であり、さらに好まし
い範囲は１０μｍ以上５００以下である。

【００２３】本発明の発光装置において、冷陰極素子は
電子放出素子をなす多数の突起を有するものであり、全
ての突起が同一の形状で得られない場合もある。即ちア
スペクト比や長さの異なる突起物の集合体となる場合が
ある。この場合には、アスペクト比や長さの平均値を用
いる。アスペクト比の平均値は、前記剣山状部材の中心
部の２００μｍの断面における加重平均値で示す。ま
た、長さの平均値は、前記剣山状部材の基板面の中心部
の１０μｍ×１０μｍの範囲での加重平均値で示す。

【００２４】また、突起の中心軸は相互に平行であるこ
とが好ましい。突起をなす金属酸化物は単結晶であるこ
とが好ましい。突起（金属酸化物結晶）は相互に平行
に、且つ結晶軸が同一方向に存在していることが好まし
い。本発明の発光装置の突起をなす金属酸化物として
は、例えば、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｉＯ
₂、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、チタン酸バリウム、
ＳｒＴｉＯ₃、ＬｉＮｉＯ₃、ＰＺＴ、ＹＢＣＯ、ＹＳ
Ｚ、ＹＡＧ、ＩＴＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃／ＳｎＯ₂）等が挙げ
られる。また、ＺｎＯ中にＡｌ₂Ｏ₃がドーピングされ
ているようなものであってよい。さらに、ＫＴａＯ
₃や、ＮｂＬｉＯ₃のような複合酸化物であってもよ
い。

【００２５】また、二種類以上の金属酸化物を用いても
よい。その場合、突起は、混合された金属酸化物により
形成されていてもよいし、組成の異なる金属酸化物の層
が積層された状態になっていてもよい。本発明の発光装
置を作製する際には、例えば、先ず、上記方法により、
基板上に多数の突起が形成された前記剣山状部材を作製
する。次に、必要に応じて、この剣山状部材の突起の表
面に導電性物質を被覆する。導電性物質の被覆は、少な
くとも突起の先端部に設けるが、突起の表面全体に設け
てあってもよい。

【００２６】突起に被覆する導電性物質としては、固有
抵抗率が１０Ω／ｍ以下、好ましくは１Ω／ｍ以下の物
質を使用する。具体的には、銅、ニッケル、クロム、
鉄、金、銀、パラジウム、アルミニウム、亜鉛、錫、ま
たはチタン等の金属、これらの金属の合金、シリコン、
ＩＴＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃／ＳｎＯ₂）、導電性樹脂、炭素薄
膜、ダイヤモンド薄膜等が挙げられる。

【００２７】突起の表面に導電性物質を被覆する方法と
しては、導電性物質を、気相や液相を通じて物理的また
は化学的に金属酸化物上に形成する方法、例えば、蒸
着、スパッタリング、ディッピング、および溶液鍍金等
の鍍金、塗布、印刷が挙げられる。また、焼き付け法
や、特公昭５７−１３５１５号公報や特開昭６１−１７
４７５号公報に記載の方法（導電性物質と金属酸化物の
間に該導電性物質の粉末または該導電性物質の主たる成
分とする粉末を介在させ、反応性または不活性な雰囲気
中で、導電性物質の融点より低い温度で加熱して熱処理
する方法）等が挙げられる。

【００２８】本発明の発光装置においては、剣山状部材
の突起が倒れたり折れたりすることを防止するために、
隣り合う突起同士の隙間の基板側の部分を合成樹脂やエ
ラストマー等で埋めることが好ましい。この隙間を埋め
る材料として使用可能な材料としては、熱可塑性樹脂、
熱硬化性樹脂、エラストマー、およびシアノアクリレー
トのような瞬間接着剤等の有機物質、または、ガラスや
セラミックス等の無機物質が挙げられる。［剣山状部材の作製方法］基板と金属酸化物からなる多
数の突起とで構成された前記剣山状部材を得るための、
上述の方法について、以下に詳述する。

【００２９】この方法は、原材料である金属化合物を
気体化および／または微粒子化する工程と、気体化お
よび／または微粒子化された金属化合物を、所定圧力の
空気が存在する空間に設置された基板の面に向かわせる
工程と、この金属化合物を空気中の酸素または水と反
応させて、金属酸化物からなる多数の突起を基板面上に
エピタキシャル成長させる工程とで構成される。

【００３０】原材料である金属化合物としては、空気中
の酸素または水と反応して目的とする金属酸化物が形成
されるものを使用する。このような金属化合物として
は、例えばアルコキシド類、配位子として、アセチ
ルアセトン、エチレンジアミン、ビピペリジン、ビピラ
ジン、シクロヘキサンジアミン、テトラアザシクロテト
ラデカン、エチレンジアミンテトラ酢酸、エチレンビス
（グアニド）、エチレンビス（サリチルアミン）、テト
ラエチレングリコール、アミノエタノール、グリシン、
トリグリシン、ナフチリジン、フェナントロリン、ペン
タンジアミン、ピリジン、サリチルアルデヒド、サリチ
リデンアミン、ポルフィリン、チオ尿素などから選ばれ
る１種あるいは２種以上を有する錯体、配位子とし
て、カルボニル基、アルキル基、アルケニル基、フェニ
ルあるいはアルキルフェニル基、オレフィン基、アリー
ル基、シクロブタジエン基をはじめとする共役ジエン
基、シクロペンタジエニル基をはじめとするジエニル
基、トリエン基、アレーン基、シクロヘプタトリエニル
基をはじめとするトリエニル基などから選ばれる１種あ
るいは２種以上を有する、各種の有機金属化合物および
ハロゲン化有機金属化合物が挙げられる。

【００３１】この中でも、アセチルアセトンを配位子と
して有する錯体およびアルコキシド類がより好ましく用
いられる。の工程が金属化合物を気体化する工程であ
る場合には、の工程では、蒸発圧が十分高くなる温度
に金属化合物を加熱することを行う。この加熱温度は使
用する金属化合物によって異なるが、例えば３０℃以上
６００℃以下、５０℃以上３００℃以下とする。使用す
る金属化合物が、アルコキシド類やアセチルアセトンを
配位子として有する錯体である場合には、８０〜１８０
℃とすることが好ましい。

【００３２】の工程が金属化合物を微粒子化する工程
である場合には、の工程では、金属化合物を蒸気圧が
十分高くなる温度に加熱して気体化した後、得られた金
属化合物の蒸気を冷却するか、金属化合物を液状で噴霧
するか、金属化合物を固体の状態で擦り潰すことを行
う。の工程では、系内に、酸素や水を存在させない
か、その存在量を極めて少なくしておくことが好まし
い。このようにしないと、の工程で金属化合物と酸素
または水との反応が生じ、配管に詰まりが生じたり、所
望の形態の金属酸化物が基板面上に形成されない恐れが
ある。ただし、使用する金属化合物の酸素および水との
反応速度が極めて遅い場合には、の工程で系内に酸素
や水を共存させてもよい。

【００３３】の工程では、金属化合物の気体および／
または微粒子のみをそのまま基板面に向かわせてもよい
し、キャリヤガスを用いて金属化合物の気体および／ま
たは微粒子を積極的に移動させ、キャリアガスとの混合
状態でノズルから基板面に吹き付けてもよい。この場合
のキャリアガスの流量は、の工程の温度や基板を設置
する空間の雰囲気によってその最適値が異なる。

【００３４】基板の設置空間が室温、常圧雰囲気である
場合には、キャリアガスの流量を、空間体積値が２０／
分以下となるようにすることが好ましく、５／分以下と
なるようにすることがより好ましい。ここで、空間体積
値とは、キャリアガスの流量Ｒ（１分当たりの体積）
と、の工程で金属化合物を気体化および／または微粒
子化させる加熱槽（キャリアガスが導入される空間）の
体積Ｖとの比（Ｒ／Ｖ）に相当する。

【００３５】キャリアガスは、原材料の金属化合物と反
応しないものであれば特に限定されない。具体例とし
て、窒素ガスやヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活性
ガス、炭酸ガス、有機弗素ガス、あるいはヘプタン、ヘ
キサン等の有機物質等が挙げられる。これらのうちで、
安全性、経済性の上から不活性ガスが好ましい。特に窒
素ガスが経済性の面より最も好ましい。

【００３６】キャリアガスを用いて、金属化合物をノズ
ルから基板面に吹き付ける方法を採用する場合は、ノズ
ルの吹き出し口と基板面との距離を所定範囲内とするこ
とが好ましい。この範囲は、吹き出し口の開口部の長軸
（断面が長方形である場合には長辺の長さ、正方形であ
る場合には１辺の長さ）をＬ、吹き出し口と基板面との
距離をＫとしたときに、その比（Ｋ／Ｌ）が０．０１以
上１以下となるようにすることが好ましく、０．０５以
上０．７以下となるようにすることがより好ましく、
０．１以上０．５以下となるようにすることがさらに好
ましい。この比（Ｋ／Ｌ）が１を超えると、の工程で
金属化合物が金属酸化物に変換される効率が低くなる。

【００３７】基板の設置空間の雰囲気は、減圧下、常圧
下、あるいは加圧下のいずれでもよい。しかしながら、
高度な減圧下、例えば超真空下であると、酸化物単結晶
の成長速度が遅く、生産性に劣るため好ましくない。加
圧下で実施する場合、酸化物単結晶のの成長速度に関し
ては問題ないが、加圧するための設備が必要となって好
ましくない。したがって、基板の設置空間の雰囲気は、
０．００１〜２０ａｔｍとすることが好ましく、０．１
〜１０ａｔｍとすることがより好ましく、常圧とするこ
とが最も好ましい。

【００３８】の工程で使用する基板をなす材料として
は、例えば、酸化アルミニウムのような金属酸化物の単
結晶、半導体の単結晶、セラミック、シリコンを含む金
属、ガラス、プラスチックが挙げられる。ガラス板やプ
ラスチック板を使用する際は、表面が配向処理されてい
るものが好ましい。これらの中で好ましく用いられる基
板材料は、シリコンを含む金属、金属酸化物、及びＺｎ
Ｔｅ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の半導体単結晶であ
る。

【００３９】金属酸化物や半導体の単結晶からなる基板
を使用する場合には、基板の単結晶種として、その格子
定数が、基板面上にエピタキシャル成長させる金属酸化
物（突起）の結晶種の格子定数と近いものを選択するこ
とが好ましい。格子定数の測定は、広角Ｘ線回折法等の
従来公知の方法で行うことができる。基板をなす単結晶
種としては、突起をなす単結晶種の基板との接触面の格
子定数（Ａ）と、基板をなす単結晶種の突起との接触面
の格子定数（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）が、０．８以上１．
２以下となるものを選択することが好ましい。この比
（Ａ／Ｂ）が０．９以上１．１以下となるものを選択す
ることがさらに好ましく、０．９５以上１．０５以下と
なるものを選択することが特に好ましい。

【００４０】基板をなす単結晶種として特に好ましく用
いられるものは、シリコンや、酸化アルミニウム、酸化
マグネシウム、ＳｒＴｉＯ₃等の金属酸化物である。基
板は、一種類以上の単結晶からなるものであっても、多
結晶からなるものであってもよい。非晶部と結晶部を同
時に有する一種類以上の半結晶性物質からなるものであ
ってもよい。また、これらの混合物であってもよい。し
かしながら、一種類の単結晶からなるものが最も好まし
い。

【００４１】この場合、基板の表面は単結晶の特定の面
になっていることが好ましい。具体的には、例えば、基
板面上にエピタキシャル成長させる金属酸化物が酸化チ
タンであって、基板が酸化マグネシウム基板である場合
には、基板表面の結晶面を（１００）面とすることが好
ましい。また、基板面上にエピタキシャル成長させる金
属酸化物が酸化亜鉛であって、基板がシリコン基板であ
る場合には、基板表面の結晶面を（１１１）面とするこ
とが、基板が酸化アルミニウム基板である場合には基板
表面の結晶面を（０００１）面とすることが、基板がＳ
ｒＴｉＯ₃基板である場合には基板表面の結晶面を（０
０１）面とすることが好ましい。

【００４２】の工程で基板面上に形成される金属酸化
物の状態は、主に、基板温度と原材料である金属化合物
の過飽和度によって決定される。基板温度は原材料の基
板面での拡散距離を決定する因子であり、この拡散距離
によって単位面積当たりの金属酸化物結晶の数、すなわ
ち核生成密度が決定される。一般に、基板温度が高いと
核生成密度は小さくなって、単位面積当たりの金属酸化
物結晶の数が小さくなる。基板温度が低いと核生成密度
は大きくなって、単位面積当たりの金属酸化物結晶の数
が大きくなる。したがって、基板温度は、必要とする突
起の形成密度に応じて設定すればよい。この基板温度と
しては、例えば、０℃以上８００℃以下が好ましく、２
０℃以上８００℃以下がより好ましく、１００℃以上７
００℃以下がさらに好ましい。

【００４３】金属化合物の過飽和度は結晶晶癖を決定す
る因子であり、この結晶晶癖で金属酸化物結晶の径およ
び長さ、すなわちアスペクト比が決定される。一般に、
過飽和度が低いと、金属酸化物結晶は、基板面に垂直な
方向よりも水平な方向に成長する傾向にあるため、アス
ペクト比が小さくなる。過飽和度が高いと、金属酸化物
結晶は、基板面に水平な方向よりも垂直な方向に成長す
る傾向にあるため、アスペクト比が大きくなる。

【００４４】金属酸化物結晶のアスペクト比を１以上と
するためには、過飽和度を１％以上とすることが好まし
い。また、この過飽和度は１０％以上とすることがより
好ましく、２０％以上とすることがさらに好ましい。こ
の場合の過飽和度の定義は、［（実際の蒸気圧−平衡蒸
気圧）／平衡蒸気圧］×１００である。の工程で、金
属化合物を空気中の酸素または水と反応させて、金属酸
化物からなる多数の突起を基板面上にエピタキシャル成
長させるための最適な反応時間は、反応条件や使用する
原材料の種類に応じて異なる。例えば、原材料として亜
鉛アセチルアセトネートを用いた場合は、通常の室温、
常圧雰囲気下では１０分以上とすることが好ましい。さ
らに好ましくは３０分以上、特に好ましくは１時間以上
である。また、原材料としてテトライソプロポキシチタ
ネートを用いた場合は、通常の室温、常圧雰囲気下では
３分以下とすることが好ましく、９０秒以下とすること
がさらに好ましい。

【００４５】金属酸化物が基板面上でエピタキシャル成
長しているかどうかは、通常のＸ線回折法により確認す
ることができる。特に、基板と突起（金属酸化物結晶）
との面内方位関係を、φスキャン法で観察する方法を採
用することが好ましい。金属酸化物結晶の結晶軸が同一
方向にある（結晶軸方位が揃っている）ことが好まし
い。例えば、Ｘ線ロッキング曲線法において測定される
結晶軸方位のゆらぎが１０度以内であることが好まし
く、５度以内であることがさらに好ましい。

【００４６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図１は、本発明の一実施形態に相当する発光
装置を示す断面図である。図２はこの発光装置の冷陰極
素子を示す平面図であって、図１の冷陰極素子の部分は
図２のＡ−Ａ線断面図に相当する。

【００４７】この発光装置では、真空の容器内に冷陰極
素子１０と発光体Ｈとが配置されている。容器を構成す
る２枚のガラス基板Ｇ１，Ｇ２が、所定の間隔を開けて
平行に配置されており、一方のガラス基板Ｇ１の内面
に、電極層（陽極）Ｄ１を介して膜状の発光体Ｈが形成
されている。他方のガラス基板Ｇ２には、電極層（陰
極）Ｄ２を介して冷陰極素子１０が接合されている。ま
た、ゲート電極（陽極）４と冷陰極素子１０側の電極層
（陰極）Ｄ２との間に電源Ｂ１が、冷陰極素子１０側の
電極層（陰極）Ｄ２と発光体Ｈ側の電極層（陽極）Ｄ１
との間に電源Ｂ２がそれぞれ接続されている。

【００４８】冷陰極素子１０は、多数の突起状の電子放
出体３１を有する部材３として、剣山状部材１の突起１
２側の表面全体に金属薄膜２が被覆された部材を備えて
いる。この冷陰極素子１０は、さらに、電子放出体３１
の先端部を露出させる穴４１を有するゲート電極４と、
電子放出体３１を複数個毎に区分する空洞６１を形成す
る区画部材６とを備えている。

【００４９】この冷陰極素子１０は、以下のようにして
作製される。先ず、以下のようにして剣山状部材１を得
る。この剣山状部材１は、基板１１と多数の突起１２と
からなり、基板１１の一方の面から多数の突起１２が垂
直に延びている。また、隣り合う突起１２が接触してい
ないため、隣り合う突起１２同士に隙間がある。基板１
１はＡｌ₂Ｏ₃単結晶板からなり、突起１２は酸化亜鉛
からなる。

【００５０】この剣山状部材１は、図４に示すような製
造装置を用い、基板１１の一方の面に金属酸化物からな
る突起１２を、所定条件でエピタキシャル成長させるこ
とによって得られる。この製造装置は、キャリアガスで
ある窒素の供給源５１と、キャリアガスの流量を調整す
る流量計５２と、原材料である金属化合物を気化する加
熱槽５３と、キャリアガスを加熱槽５３に導入する配管
５４と、加熱槽５３で気化された金属化合物を基板１１
に向かわせる配管５５と、基板１１を加熱状態で保持す
る基板ステージ５６とで構成されている。配管５４には
液体窒素トラップ５７が設けてある。この液体窒素トラ
ップ５７は、供給源５１から供給されたキャリアガス中
に含まれる液体窒素を除去するものである。

【００５１】配管５５の先端部には所定形状の吹き出し
口５８が接続してあり、この吹き出し口５８の開口部５
８ａは、配管５５からの気体が、基板１１の突起１２を
形成する面全体に吹き出されるように形成されている。
また、配管５５および吹き出し口５８はリボンヒータで
加熱されている。基板ステージ５６は、吹き出し口５８
と基板１１の面との距離Ｋが、吹き出し口の開口部５８
ａの長軸Ｌに対する比（Ｋ／Ｌ）で０．６となるように
配置されている。

【００５２】吹き出し口５８および基板ステージ５６を
常温の実験室内に配置し、吹き出し口５８と基板ステー
ジ５６との間の空間を大気圧とした。基板１１は、一方
の面が結晶面（０００１）に沿うように形成されたもの
であり、この面を上に向けて基板ステージ５６に設置し
た。この基板１１を基板ステージ５６で５５０℃に加熱
するとともに、加熱槽５３内に亜鉛アセチルアセトネー
トを入れて１１５℃に加熱した。この状態で、供給源５
１から配管５４に窒素を１．２ｄｍ³／ｍｉｎで供給す
ることにより、金属化合物の気体と窒素ガスとの混合気
体を、配管５５を介して吹き出し口５８から基板１１の
面に吹き付けた。

【００５３】これにより、原材料である金属化合物は、
基板１１面上およびその近傍で、空気中の酸素または水
と反応して金属酸化物となり、この金属酸化物が基板１
１面上にエピタキシャル成長する。その結果、基板１１
の一方の面上に多数の突起１２が垂直に延びている剣山
状部材１が得られる。このようにして得られた剣山状部
材１は、混合ガスの吹き付け時間を１０分とした場合、
突起１２の長さが１μｍ、突起１２の断面の円換算径が
２μｍ、断面の円換算径に対する長さの比が０．５とな
った。また、得られた剣山状部材１の電子顕微鏡写真を
図５に示す。この図から、突起１２の先端は略円錐状に
なっていることが分かる。

【００５４】次に、このようにして得られた剣山状部材
１の突起１２側の表面に、スパッタリング法により例え
ばニッケル等の金属薄膜２を形成することにより、部材
３を得る。次に、導電性材料からなる板材に、この部材
３の各突起１２の位置に対応させた穴４１を形成するこ
とにより、ゲート電極４を得る。次に、このゲート電極
４の一方の面に、電子放出体３１を複数個毎に区分する
区画部材６を固定する。この区画部材６は絶縁性材料で
形成する。

【００５５】次に、この区画部材６を部材３の金属薄膜
２側の面に固定する。このとき、区画部材６が突起１２
同士の隙間に配置されるようにする。この区画部材６に
より、ゲート電極４と部材３との間に、電子放出体３１
を複数個毎に区分する空洞６１が形成される。次に、ガ
ラス基板Ｇ２の一方の面にスパッタリング法等によって
導電性膜を成膜することにより、電極層Ｄ２を形成す
る。このガラス基板Ｇ２の電極層Ｄ２側の面に、冷陰極
素子１０の基板１１の裏面を接合する。また、金属薄膜
２と電極層Ｄ２とを導電性ペースト等によって接続す
る。ガラス基板Ｇ１の一方の面には、スパッタリング法
等によって導電性膜を成膜することにより電極層Ｄ１を
形成した後、この電極層Ｄ１側の面に蛍光体を塗布する
ことにより膜状の発光体Ｈを形成する。

【００５６】次に、電極層Ｄ１と発光体Ｈが形成された
ガラス基板Ｇ１と、冷陰極素子１０が一体化されたガラ
ス基板Ｇ２とを、発光体Ｈ側および冷陰極素子１０側を
内側にして、発光体Ｈとゲート電極４との間に所定の間
隔を開けて平行に配置する。その状態で側面部全体を枠
部材で囲い、内部を真空にして密封する。したがって、
この発光装置の電源Ｂ１，Ｂ２から、陰極Ｄ２とゲート
電極（陽極）４および陽極Ｄ１との間にそれぞれ高電圧
を印加することにより、電子放出体３１の先端に強い電
界が生じて電子放出体３１の先端から電子が放出され、
その電子が加速されて発光体Ｈに衝突することにより発
光体Ｈが発光する。その結果、陽極Ｄ１が透明電極であ
れば、ガラス基板Ｇ１から光が放射される。また、この
発光装置の冷陰極素子１０は、従来のスピント素子と比
較して、突起状の電子放出体の形成方法が簡単であるた
め、製造コストを低減することができる。

【００５７】なお、この実施形態では、剣山状部材１を
形成する際の基板１１としてＡｌ₂Ｏ₃単結晶板を用
い、この基板１１の上に酸化亜鉛の突起１２をエピタキ
シャル成長させている。このように、基板１１の材質
は、成長させる突起１２と異なるものであってもよい
し、同じであってもよい。また、この実施形態の発光装
置はゲート電極４を有する構成になっているが、用途に
よってはゲート電極４を設ける必要がない。

【００５８】また、この実施形態の発光装置では、発光
体Ｈをガラス基板Ｇ１の内側面に設けることにより、発
光面を平面にしているが、発光面は曲面であってもよ
い。また、この実施形態の発光装置では、電子放出体３
１を平面基板１１から突出させて、基板１１と発光面と
を平行に配置しているが、電子放出体３１は曲面状に配
置されていてもよい。

【００５９】しかしながら、この実施形態のように、平
面状の発光面と平面状に配置された電子放出体３１とが
平行に配置されている発光装置とすることが好ましい。
そして、この場合に、発光面の対角線の長さの、電子放
出体３１の先端位置と発光体Ｈとの距離（図７の距離Ｄ
に相当する距離）に対する比が大きいほど、発光効率が
高くなるため好ましい。

【００６０】また、この実施形態の発光装置で陽極Ｄ１
を透明電極とすれば、電子放出体３１が形成されている
側（ガラス基板Ｇ２側）ではなくこれに対向する側（ガ
ラス基板Ｇ１側）から光が放射されるが、電子放出体３
１が形成されている側から光が放射されるようになって
いてもよい。また、本発明の発光装置は、従来の各種発
光デバイスに代わるものとして使用することができる。
その用途としては、磁気コアメモリー、光電変換デバイ
ス、照明、コピー機、ファックス等の光源やバックライ
ト、サイドライト等の光源、各種ディスプレイ等が挙げ
られる。特に、光源やディスプレイ等の用途に好適であ
る。

【００６１】ディスプレイとしては、液晶ディスプレイ
（ＬＣＤ）、分散粒子配向型ディスプレイ（ＳＰＤ）、
プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、エレクトロルミネッ
センス（ＥＬＤ）、蛍光表示管ディスプレイ（ＶＦ
Ｄ）、ブラウン管ディスプレイ（ＣＲＴ）等があり、本
発明の発光装置はこれらの代替品とすることができる。
また、これらのディスプレイの電子放出素子として、金
属酸化物からなる突起を電子放出体として有するもの、
すなわち前述の剣山状部材１を使用することもできる。

【００６２】

【実施例】［実施例１］前記部材３の電子放出特性を以
下のようにして測定した。先ず、前記と同じ条件で、Ａ
ｌ₂Ｏ₃単結晶板からなる基板１１の上に、酸化亜鉛か
らなる突起１２を形成することにより、剣山状部材１を
作製した。得られた剣山状部材１の、基板１１面に対す
る突起１２の配置密度は２００万本／ｍｍ ²（１００μ
ｍ²当たり２００本）であった。また、突起１２の長さ
は１μｍ、突起１２の断面の円換算径は２μｍ、断面の
円換算径に対する長さの比は０．５であった。次に、こ
の剣山状部材１をスパッタリング試料とするために、図
６に示すように、剣山状部材１の基板１１の裏面にシリ
コン基板７１を両面テープで貼り付けた。

【００６３】この試料をスパッタリング装置に入れて、
剣山状部材１側の面に金属薄膜２を形成した。スパッタ
リング装置としては、日電アネルバ（株）製「ＳＰＦ−
３３２」を使用した。スパッタリング条件は、Ａｒ雰囲
気、圧力０．１ｔｏｒｒ、スパッタリング時間４時間と
し、金属薄膜２としてニッケル薄膜を形成した。この金
属薄膜２は、剣山状部材１の突起１２側の表面全体と、
基板１１の端面およびシリコン基板７１の表面に形成さ
れた。

【００６４】この金属薄膜２を形成した後に剣山状部材
１のＳＥＭ写真を撮り、その写真を用いて、金属薄膜２
形成後の突起１２について、凸状先端部の尖鋭度を示す
前述の曲率半径を算出したところ、その値は１．５μｍ
であった。次に、この試料のシリコン基板７１の裏面
に、シリコン基板７１より外形寸法の大きな銅製の電極
板７２を取り付けて、この電極板７２をアースに接続し
た。次に、この電極板７２のシリコン基板７１より外側
となる部分に、シリコン基板７１の外形寸法より一回り
大きな寸法の貫通穴７３ａを有するシリコン製のスペー
サ７３を取り付けた。次に、この貫通穴７３ａとシリコ
ン基板７１との隙間を導電性ペースト７４で塞ぐことに
より、金属薄膜２と電極板７２を電気的に接続した。

【００６５】このスペーサ７３およびシリコン基板７１
の上に、剣山状部材１の周囲を囲むようにシリコン製の
スペーサ７５を取り付けた。このスペーサ７５の高さ
は、取り付けたときに、部材３の電子放出体３１の上方
に所定寸法の空間７６が形成される高さとした。次に、
絶縁フィルム７７の中心部に正方形の切り抜き部７７ａ
を設けた後、この絶縁フィルム７７を、銅製の電極板７
８の一方の面に貼りつけた。

【００６６】次に、この電極板７８を、絶縁フィルム７
７側の面を下側にしてスペーサ７５の上に載せることに
より、電極板７８の絶縁フィルム７７で覆われていない
部分（切り抜き部）７７ａと電子放出体３１とを対向さ
せた。この電極板７８を陽極に接続した。これにより、
部材３を陰極とする回路が形成された。図６はこの回路
を示す。ここでは、切り抜き部７７ａをなす正方形の一
辺を２ｍｍとし、電子放出体３１の先端と電極板７８と
の距離Ｄを０．５ｍｍとした。

【００６７】この回路を真空チャンバ内に入れ、チャン
バ内圧力を６×１０^-6ｔｏｒｒにした。この回路の陽極
とアースの間に電流電圧計と高圧電源を取り付け、高圧
電源から電圧を印加してこの回路に流れる電流を測定し
た。その結果、陽極−アース間の電位差が３ｋＶの時に
部材３からの放出電流は０．４μＡであり、４ｋＶの時
には３μＡであった。

【００６８】次に、図７に示す回路を作製して、この発
光装置の発光特性を測定した。先ず、ＩＴＯ薄膜からな
る透明電極９１が一方の面に形成されているガラス基板
９２を用意し、このガラス基板９２のＩＴＯ電極９１側
の面に、スパッタリング法により発光体膜９３を形成し
た。このスパッタリングは、スパッタリング装置として
日電アネルバ（株）製「ＳＰＦ−３３２」を用い、ター
ゲットとして日亜化学工業（株）製の蛍光体「ＮＰ−１
０２４−０１（商品名）」を用い、Ａｒガス雰囲気、雰
囲気圧０．１ｔｏｒｒ、成膜時間１５分間の条件で行っ
た。

【００６９】次に、このガラス基板９２を、図６の回路
（部材３の電子放出特性の測定用回路）の絶縁フィルム
７７と電極板７８の代わりに、発光体膜９３側の面を部
材３と向き合わせてスペーサ７５の上に載せて、ＩＴＯ
電極９１を陽極に接続した。ここでは、部材３の電子放
出体３１の先端と発光体膜９３との距離Ｄを０．５ｍｍ
とした。

【００７０】この回路を真空チャンバ内に入れ、チャン
バ内圧力を６×１０^-6ｔｏｒｒにした。この回路の陽極
とアースの間に電圧計と高圧電源を取り付け、高圧電源
から電圧を印加し徐々に電圧を上げたところ、陽極−ア
ース間の電位差が２ｋＶを越えた段階で、発光体膜９３
の発光が観察された。［実施例２］実施例１で得られた剣山状部材１に、金属
薄膜２として、ニッケル薄膜をスパッタリング時間を１
２分にして形成した。この金属薄膜２を形成した後に剣
山状部材１のＳＥＭ写真を撮り、その写真を用いて、金
属薄膜２形成後の突起１２について、凸状先端部の尖鋭
度を示す前述の曲率半径を算出したところ、その値は
０．４μｍであった。

【００７１】これ以外の点は実施例１と同じ方法で、図
６および７の回路を作製した。図６の回路を用いて、上
記と同じ方法で放出電流を測定したところ、陽極−アー
ス間の電位差が３ｋＶの時に部材３からの放出電流は６
μＡであり、４ｋＶの時には４０μＡであった。また、
図７の回路を用いて、上記と同じ方法で高圧電源から電
圧を印加したところ、陽極−アース間の電位差が１．５
ｋＶを越えた段階で、発光体膜９３の発光が観察され
た。［比較例１］実施例１で得られた剣山状部材１に、金属
薄膜２として、ニッケル薄膜をスパッタリング時間を１
６時間にして形成した。この金属薄膜２を形成した後に
剣山状部材１のＳＥＭ写真を撮り、その写真を用いて、
金属薄膜２形成後の突起１２について、凸状先端部の尖
鋭度を示す前述の曲率半径を算出したところ、その値は
１２μｍであった。

【００７２】これ以外の点は実施例１と同じ方法で、図
６および７の回路を作製した。図６の回路を用いて、上
記と同じ方法で放出電流を測定したところ、陽極−アー
ス間の電位差が３ｋＶの時に部材３からの放出電流は
０．０２μＡであり、４ｋＶの時には０．１５μＡであ
った。また、図７の回路を用いて、上記と同じ方法で高
圧電源から電圧を印加したところ、陽極−アース間の電
位差が６ｋＶを越えた段階でも、発光体膜９３の発光が
観察されなかった。

【００７３】実施例１，２および比較例１の部材３は、
同じ剣山状部材１の突起１２にスパッタリング時間を変
えてニッケル薄膜（金属薄膜）２をスパッタリングする
ことにより、突起１２の先端部の形状が異なるものとな
っている。図８（ａ）は実施例１の部材３の断面図を、
（ｂ）は実施例２の部材３の断面図を、（ｃ）は比較例
１の部材３の断面図をそれぞれ示す。このように、突起
２の少なくとも先端部に導電性物質を被覆する場合に
は、導電性物質の形成条件によって突起１２の先端部の
尖鋭度を制御することもできる。

【００７４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
発光効率の高い発光装置が得られる。特に、請求項３お
よび４によれば、冷陰極素子の製造方法がスピント型素
子よりも簡単であって、発光効率の高い発光装置が得ら
れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に相当する発光装置を示す
概略構成図である。

【図２】図１の発光装置を構成する電子放電素子を示す
平面図である。

【図３】電子放出体をなす突起の凸状先端部の尖鋭度を
示す曲率半径を説明するための図である。

【図４】剣山状部材を製造するための製造装置を示す概
略構成図である。

【図５】実施形態で得られた剣山状部材の突起の結晶構
造を示す図面代用写真である。

【図６】電子放出特性を測定するために作製した回路を
示す概略構成図である。

【図７】発光特性を測定するために作製した回路を示す
概略構成図である。

【図８】実施例１，２および比較例１で作製された、多
数の電子放出体を備えた部材を示す断面図である。

【図９】発光装置の従来例を示す概略断面図である。

【符号の説明】

Ｈ発光体Ｇ１ガラス基板（容器）Ｇ２ガラス基板（容器）１剣山状部材２金属薄膜３多数の電子放出体を備えた部材４ゲート電極６区画部材１０冷陰極素子１１基板１２突起１２ａ突起の基部１２ｂ突起の凸部３１電子放出体５１窒素の供給源５２流量計５３加熱槽５４配管５５配管５６基板ステージ５７液体窒素トラップ５８吹き出し口５８ａ開口部６１空洞

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０４Ｎ 5/68 Ｈ０１Ｊ 1/30 Ｆ (72)発明者植田致知神奈川県川崎市川崎区夜光１丁目３番１号旭化成工業株式会社内Ｆターム(参考） 5C031 DD09 DD17 DD19 5C036 EE01 EG12 EH01 EH11 EH23 5C039 MM09 5C058 AA03 AA05 AB06 BA05 BA35 CA14

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】多数の突起状の電子放出体が隙間を開け
て並列に配置されている構造の冷陰極素子と発光体と
が、真空の容器内または気体が封入された容器内に配置
されていて、冷陰極素子から放出された電子線によって
発光体が発光するようになっている発光装置において、電子放出体をなす突起は金属酸化物からなり、この突起
の先端部は凸状になっており、その頂点部分を所定範囲
で２次曲線に近似することにより算出される尖鋭度を示
す曲率半径が１０μｍ以下であることを特徴とする発光
装置。
【請求項２】前記突起の少なくとも先端部に導電性物
質が被覆されていることを特徴とする請求項１記載の発
光装置。
【請求項３】前記突起は、空気中の酸素または水と反
応して酸化物を形成する金属化合物を原材料として用
い、所定圧力の空気が存在する空間に設置された基板の
面に、この金属化合物の気体および／または微粒子を向
かわせて、金属酸化物を基板面上にエピタキシャル成長
させることによって得られたものであることを特徴とす
る請求項１または２記載の発光装置。
【請求項４】基板を設置する空間の圧力は大気圧であ
ることを特徴とする請求項３記載の発光装置。
【請求項５】前記突起は、高さ方向中心位置での横断
面の円換算径が０．０１μｍ以上１００００μｍ以下で
あり、アスペクト比（前記円換算径に対する高さの比）
が０．１以上であることを特徴とする請求項１〜４のい
ずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】前記突起の配置密度は１００μｍ²当た
り０．００１本以上１００００本以下であることを特徴
とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。