JP2001035360A - 電子放出源の製造方法、電子放出源及び蛍光発光型表示器 - Google Patents

電子放出源の製造方法、電子放出源及び蛍光発光型表示器

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JP2001035360A JP20246299A JP20246299A JP2001035360A JP 2001035360 A JP2001035360 A JP 2001035360A JP 20246299 A JP20246299 A JP 20246299A JP 20246299 A JP20246299 A JP 20246299A JP 2001035360 A JP2001035360 A JP 2001035360A
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茂生 伊藤
Gentaro Tanaka
源太郎 田中
Hirokazu Takanashi
浩和 高梨
Yasuo Tanabe
泰雄 田辺
Toshiyuki Tsuboi
利行 坪井
Kenji Nawamaki
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 カーボンナノチューブ、フラーレン、ナノパ
ーティクル、ナノカプセル及びカーボンナノホーンの中
の少なくとも一つを有するカーボン材料を用いて、低電
圧駆動で高効率な電子放出を可能にすること。 【解決手段】 絶縁基板101上に、カソード導体10
2、カーボンナノチューブを含むペースト状のカーボン
層201を積層した後、カーボン層201に紙301を
付着して乾燥させることによりカーボン層201と紙3
01を一体化し、カーボン層201からカーボン層の表
面部及び紙301を剥離した後、カーボン層201を焼
成することによりエミッタを形成する。その後、ゲート
電極を形成することにより電子放出源が完成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子を放出する電
子放出源の製造方法、これによって製造した電子放出源
及び前記電子放出源を使用した蛍光発光型表示器に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来から、カソード導体とゲート電極
(引き出し電極)間に、電子を放出する電子放出材料に
よって形成されたエミッタを配設し、前記カソード導体
とゲート電極間に電圧を印加することにより前記エミッ
タから電子を放出する電子放出源が一部で実用化され
又、研究が進められている。
【0003】電界の作用によって電子を放出する電界電
子放出源は、金属または半導体等の表面の印加電界を1
V/m程度にするとトンネル効果により障壁を通過
して常温でも真空中に電子放出が行われる現象であり、
熱エネルギーを利用する電子源(熱電子放出源)に比
べ、省エネルギーで長寿命化が可能等、多くの優れた点
を有している。エミッタ材料としては、シリコン等の半
導体、タングステン、モリブデンなどの金属、ダイヤモ
ンドライクカーボン(DLC;Diamond-Like Carbon)
等がある。
【0004】エミッタに印加される電界強度によって、
その引き出し電流が決定されるため、低電圧駆動で高効
率な電子放出源を構成するためには、鋭利な先端を持つ
エミッタを使用する必要があるため、前記半導体や金属
等を使用してエミッタを形成する場合には、電子放出部
の先端を鋭利な針状に加工することが必要となる。しか
しながら、前記半導体や金属等の先端を鋭利な針状に加
工することは容易でなく又、大規模な装置が必要になる
ため極めて高価になるという問題がある。
【0005】以上の点から、最近、カーボンナノチュー
ブが電子放出材料として注目されつつある。カーボンナ
ノチューブはその外径が1〜数10nmと非常に小さい
繊維状のカーボン材料であり、形状的には電界集中が起
きやすく低電圧で電子放出を行わせるのに十分な構造形
態を持ち、その材料であるカーボンは化学的に安定、機
械的にも強靱であるという特徴を持つため、エミッタに
適した材料である。
【0006】例えば、カーボンナノチューブを利用した
電子放出源として、特開平10−31954号公報に記
載されているように、カーボンナノチューブを含むペー
スト材料をカソード導体上、あるいは前記カソード導体
上に被着された抵抗層上に印刷後、焼成し、その上方に
リブ状のゲート電極を配置した構造のものがあり、前記
カソード導体とゲート電極間に電圧を印加することによ
り、電子を放出させることができる。
【0007】また、前記電子放出源を蛍光発光型表示器
の電子放出源として使用する場合には、前記電子放出源
に対向するように蛍光体を被着したアノード電極を設け
て、これらを真空気密容器内に配設することによって蛍
光発光型表示器を形成する。かかる構成とすることによ
り、前記ゲート電極及びアノード電極を所定の正電位に
駆動することによって、低電圧で、前記カーボンナノチ
ューブから放出される電子により前記蛍光体を励起し、
発光表示させることができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】前記公報に記載された
電子放出源においては、カーボンナノチューブを含むカ
ーボン材料をペースト化し、このペースト材料を印刷形
成後、乾燥、焼成するにすぎないため、前記カーボン材
料をペースト化するための溶剤に含まれる成分が焼成後
も残存し、これがカーボンナノチューブの表面を覆った
状態でエミッタが形成されるため、前記エミッタの仕事
関数が高くなってしまう。よって、低電圧での電子放出
が困難になり又、電子放出効率が低いという問題があっ
た。また、前記エミッタ中に含まれるカーボンナノチュ
ーブは前記絶縁基板とほぼ平行に寝た状態で固まったも
のが多いため、カーボンナノチューブの先端に電界が集
中し難く、低電圧での電子放出が困難になり又、電子放
出効率が低いという問題があった。
【0009】さらに、カーボンナノチューブ以外にも微
少なカーボン材料としてフラーレン、ナノパーティク
ル、ナノカプセルあるいはカーボンナノホーン等が注目
されているが、これらのペースト材料を用いてエミッタ
を形成した場合にも、前記同様に、前記溶剤に含まれる
成分がカーボンナノチューブの表面を覆った状態でエミ
ッタが形成され、低電圧で高効率に電子放出を生じさせ
ることが困難であるという問題があった。したがって、
前記方法で得られた電子放出源を蛍光発光型表示器に使
用した場合に、低電圧の駆動では高輝度な発光表示を得
ることが困難であるという問題があった。
【0010】本発明は、前記問題点に鑑み成されたもの
で、カーボンナノチューブ、フラーレン、ナノパーティ
クル、ナノカプセル及びカーボンナノホーンの中の少な
くとも一つを有するカーボン材料を用いて、低電圧駆動
で高効率な電子放出を可能にすることを課題としてい
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、カソー
ド導体とゲート電極間にエミッタを配設し、前記カソー
ド導体とゲート電極間に電圧を印加することにより前記
エミッタから電子を放出する電子放出源の製造方法にお
いて、絶縁基板にカソード導体を被着する工程と、前記
カソード導体にカーボンナノチューブ、フラーレン、ナ
ノパーティクル、ナノカプセル及びカーボンナノホーン
の中の少なくとも一つを含むペースト材料を塗布してカ
ーボン層を形成する工程と、前記ペースト状のカーボン
層に多孔質のシート部材を付着して乾燥させることによ
り前記カーボン層と前記シート部材を一体化する工程
と、前記カーボン層から前記シート部材を剥離した後、
前記カーボン層を焼成することによりエミッタを形成す
る工程と、前記エミッタから離間する位置にゲート電極
を形成する工程とを備えて成ることを特徴とする電子放
出源の製造方法が提供される。
【0012】また、本発明によれば、カソード導体とゲ
ート電極間にエミッタを配設し、前記カソード導体とゲ
ート電極間に電圧を印加することにより前記エミッタか
ら電子を放出する電子放出源の製造方法において、絶縁
基板にカソード導体を被着する工程と、前記カソード導
体に抵抗層を被着する工程と、前記抵抗層にカーボンナ
ノチューブ、フラーレン、ナノパーティクル、ナノカプ
セル及びカーボンナノホーンの中の少なくとも一つを含
むペースト材料を塗布してカーボン層を形成する工程
と、前記ペースト状のカーボン層に多孔質のシート部材
を付着して乾燥させることにより前記カーボン層と前記
シート部材を一体化する工程と、前記カーボン層から前
記シート部材を剥離した後、前記カーボン層を焼成する
ことによりエミッタを形成する工程と、前記エミッタか
ら離間する位置にゲート電極を形成する工程とを備えて
成ることを特徴とする電子放出源の製造方法が提供され
る。ここで、前記多孔質のシート部材として、例えば、
紙、布又はセラミックのシートが使用できる。
【0013】また、本発明によれば、カソード導体とゲ
ート電極間にエミッタを配設し、前記カソード導体とゲ
ート電極間に電圧を印加することにより前記エミッタか
ら電子を放出する電子放出源の製造方法において、絶縁
基板にカソード導体を被着する工程と、前記カソード導
体にカーボンナノチューブ、フラーレン、ナノパーティ
クル、ナノカプセル及びカーボンナノホーンの中の少な
くとも一つを有するカーボン材料の分散液を塗布してカ
ーボン層を形成する工程と、前記カーボン層を乾燥させ
る工程と、前記乾燥したカーボン層に粘着テープを貼付
した後、前記粘着テープを剥離させてエミッタを形成す
る工程と、前記エミッタから離間する位置にゲート電極
を形成する工程とを備えて成ることを特徴とする電子放
出源の製造方法が提供される。
【0014】さらに、本発明によれば、カソード導体と
ゲート電極間にエミッタを配設し、前記カソード導体と
ゲート電極間に電圧を印加することにより前記エミッタ
から電子を放出する電子放出源の製造方法において、絶
縁基板にカソード導体を被着する工程と、前記カソード
導体に抵抗層を被着する工程と、前記抵抗層にカーボン
ナノチューブ、フラーレン、ナノパーティクル、ナノカ
プセル及びカーボンナノホーンの中の少なくとも一つを
有するカーボン材料の分散液を塗布してカーボン層を形
成する工程と、前記カーボン層を乾燥させる工程と、前
記乾燥したカーボン層に粘着テープを貼付した後、前記
粘着テープを剥離させてエミッタを形成する工程と、前
記エミッタから離間する位置にゲート電極を形成する工
程とを備えて成ることを特徴とする電子放出源の製造方
法が提供される。
【0015】また、本発明によれば、カソード導体とゲ
ート電極間にエミッタを配設し、前記カソード導体とゲ
ート電極間に電圧を印加することにより前記エミッタか
ら電子を放出する電子放出源において、前記エミッタ
は、カーボンナノチューブ、フラーレン、ナノパーティ
クル、ナノカプセル及びカーボンナノホーンの中の少な
くとも一つを有するカーボン材料を、直接又は抵抗層を
介して前記カソード導体に被着すると共に、前記カーボ
ン材料と多孔質のシート部材又は粘着テープを一体化し
た後に該多孔質のシート部材又は粘着テープを剥離する
ことによって、前記カーボン材料の表面を剥離除去する
ことにより形成したことを特徴とする電子放出源が提供
される。
【0016】また、本発明によれば、電子放出源及び蛍
光体が被着されたアノード電極を真空気密容器内に配設
し、前記電子放出源から放出される電子を前記蛍光体に
射突させることにより発光表示を行う蛍光発光型表示器
において、電子放出源として、前記電子放出源を使用し
たことを特徴とする蛍光発光型表示器が提供される。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて、本発明の実
施の形態について説明する。尚、各図において同一部分
には同一符号を付している。図1乃至図6は、本発明の
第1の実施の形態に係る電子放出源の製造方法を説明す
るための側断面図である。
【0018】先ず、図1において、硼珪酸ガラス等の絶
縁基板101上に、銀ペーストをスクリーン印刷により
形成し、焼成することによって、カソード導体102を
約5μm程度の膜厚に被着形成する。次に、図2に示す
ように、カーボンナノチューブを含むカーボン材料のペ
ースト材料を、スクリーン印刷によりカソード導体10
2上に塗布して、カーボンナノチューブを有するカーボ
ン層201を約10μm程度の膜厚に形成する。尚、カ
ーボンナノチューブを含むペースト材料としては、アー
ク放電法によって生成したカーボンナノチューブを含む
カーボン材料を、エチルセルローズをテルピオネールに
溶解した溶液に、超音波等によって良く分散したものを
使用することができる。
【0019】次に、図3に示すように、ペースト状のカ
ーボン層201が乾燥する前に、一方の面からその裏面
へ複数の貫通孔を有するシート部材、例えば紙301の
一方の面がカーボン層201に当接するように、紙30
1をカーボン層201に載せて、カーボン層201の表
面に付着させる。これにより、紙301の前記一方の面
から、ペースト液とともにカーボンナノチューブ等のカ
ーボン材料が紙301の複数の貫通孔に侵入する。この
とき、空気等のガスは前記貫通孔を通して他方の面(前
記一方の面の裏面)から抜けるため、前記カーボン材料
は良好に紙301の貫通孔内に侵入できる。
【0020】この状態で、約100度Cで約10分間程
度、大気中で加熱することによってカーボン層201を
乾燥させて、カーボン層201と紙301を一体化す
る。その後、紙301を上方に引き上げて剥離させるこ
とにより、カーボン層201の表面部分が紙301と一
体になって剥離されるため、カーボン層201がその厚
み方向の中間部分で剥離すると共に、カーボン層201
の内部に含まれるカーボンナノチューブが露出して基板
101と垂直な方向又はこれに近い方向に配向する。
【0021】次に、図4に示すように、約500度Cで
約15分間程度、大気中で焼成して有機成分を除去しエ
ミッタ401を形成する。これによってカソード基板4
02を形成する。このとき、焼成によりペースト中の有
機成分が分解されガス化して除去されても、カーボン層
301の形状は変化しないのでカーボンナノチューブの
形状は保持されて、エミッタ401の表面には、基板1
01と垂直な方向又はこれに近い方向に配向した状態で
その先端部が露出したカーボンナノチューブが多数形成
される。
【0022】次に、図5に示すように、金属板(例えば
SUS材)501の上にポリプロピレン層502を形成
して成る転写形成用の剥離基板503上に、ゲート電極
504を銀ペーストで約5μm厚程度にスクリーン印刷
し、乾燥させる。次に、ゲート電極504上に、ガラス
性絶縁ペーストを約40μm厚程度にスクリーン印刷し
て乾燥させることにより絶縁性リブ505を積層形成す
る。これにより、リブ状ゲート電極506が完成する。
その後、絶縁性リブ505上に、アクリル系の粘着層5
07を印刷する。次に、図6に示すように、ゲート電極
504がエミッタ401間の凹部に位置するようにカソ
ード基板402と位置合わせを行って転写し、その後、
約560度Cで15分間程度、大気中で焼成することに
より、電界放出型の電子放出源が完成する。
【0023】以上のようにして製造された電子放出源を
真空気密容器内に配設し、カソード導体102とゲート
電極504間に駆動電圧を印加することにより、エミッ
タ401から電子放出を得ることができる。このとき、
エミッタ401には、絶縁基板101に対して垂直又は
それに近い方向に配向している多数のカーボンナノチュ
ーブが露出した状態で形成され又、その密度も大きいた
め、低電圧駆動でも電子が放出されやすく又、電子の放
出量も多くなる。また、ペースト化するための溶剤に含
まれる成分がカーボン層201の表面に残存した場合で
も、紙301とともに剥離除去されてカーボンナノチュ
ーブが露出するため、低電圧駆動で高効率な電子放出が
可能になる。
【0024】図7は、本発明の第2の実施の形態に係る
電子放出源の製造方法を説明するための側断面図であ
る。本第2の実施の形態と前記第1の実施の形態との相
違点は、前記第1の実施の形態が、絶縁基板101上に
カソード導体102を被着形成すると共にカソード導体
102にエミッタ401を直接被着形成しているのに対
し、本第2の実施の形態においては、絶縁基板101上
にカソード導体102を被着形成し、カソード導体10
2に抵抗層701を被着形成し、抵抗層701にエミッ
タ401を被着形成するようにしている点であり、その
他の点は同一である。前記のように、カソード導体10
2とエミッタ401間に、抵抗層701を設けることに
より、電子放出の安定化や、ゲート電極504とエミッ
タ401が短絡した際の過電流の発生防止が可能にな
る。
【0025】次に、本発明の第3の実施の形態について
説明する。図8乃至図10は、第3の実施の形態に係る
電子放出源の製造方法を説明するための側断面図であ
る。先ず、アーク放電法によって生成されたカーボンナ
ノチューブを含むカーボン材料を粉砕機で粉砕し、これ
を分散媒であるアセトン中に入れて超音波によって良く
分散する。暫く静置した後、分散液の上部半分程度を回
収する。
【0026】一方、図8に示すように、硼珪酸ガラス等
の絶縁基板101上に、銀ペーストをスクリーン印刷に
より形成し、焼成することによって、カソード導体10
2を約5μm程度の膜厚に被着形成する。次に、カソー
ド導体102のパターンに対応する形状の開口802を
有するマスク801を、カソード導体102に開口80
2が一致するように位置合わせを行って絶縁基板101
上に重ね、これを容器(図示せず)内に配置する。
【0027】次に、前記の如くして回収したカーボン材
料の分散液を、前記容器内に配設された基板に、マスク
801の上部から散布する。その後、これを自然乾燥さ
せた後、マスク801を取り除くと、図9に示すよう
に、絶縁基板101、カソード導体102、カソード導
体102と同一パターンに形成されたカーボン層904
が積層形成される。ここで、カーボン層904は、密度
の大きい物(アーク放電法によってカーボンナノチュー
ブを生成する際に使用する金属触媒)が多い下層部分9
01、単層カーボンナノチューブが多い中層部分90
2、密度の小さい物(フラーレン等)が多い上層部分9
03によって構成されている。
【0028】次に、図10に示すように、カーボン層9
04の上部表面に、粘着材を有するシート部材である粘
着テープ1001を貼付して、カーボン層904と粘着
テープ1001を一体化させ、その後、粘着テープ10
01を剥離することにより、カーボン層904の上部を
覆っている上層部903を粘着テープ1001とともに
剥離除去してエミッタ1002を形成する。これによ
り、カソード基板1003が形成され、エミッタ100
2では、中層部902に含まれるカーボンナノチューブ
の先端部分が露出する。その後、第1の実施の形態と同
様にして、エミッタ1002間の凹部内にリブ状ゲート
電極を形成することにより、電子放出源が完成する。
【0029】本第3の実施の形態においても、低電圧駆
動下で電子が放出されやすく又、電子の放出量の多い電
子放出源を製造することができ、電界電子放出特性が大
きく向上した電子放出源を提供することが可能になる。
また、分散液に含まれる不要な成分がカーボン層904
の上部表面に残存している場合でも、粘着テープ100
1とともに除去されてカーボンナノチューブが露出する
ため、低電圧駆動で高効率な電子放出が可能になる。
【0030】尚、本第3の実施の形態においては、絶縁
基板101上にカソード導体102を被着形成すると共
にカソード導体102にエミッタ1002を直接被着形
成したが、前記第2の実施の形態と同様に、絶縁基板1
01上にカソード導体102を被着する工程と、カソー
ド導体102に抵抗層を被着する工程と、前記抵抗層に
エミッタ1002を被着する工程とを備えるようにして
もよい。これにより、電子放出の安定化や、ゲート電極
とエミッタ1002が短絡した際の過電流の発生防止が
可能になる。
【0031】また、上記各実施の形態においては、ゲー
ト電極をリブ状ゲート電極によって形成したが、メッシ
ュ状ゲート電極等、他の構造のゲート電極を形成するよ
うにしてもよい。さらに、エミッタの材料としてカーボ
ンナノチューブを含むカーボン材料を使用してカーボン
ナノチューブがエミッタ表面に露出するようにしたが、
フラーレン、ナノパーティクル、ナノカプセルあるいは
カーボンナノホーンを含むカーボン材料を使用してこれ
らがエミッタ表面に露出するようにしてもよい。即ち、
エミッタ301の材料として、単層又は多層のカーボン
ナノチューブ、フラーレン、ナノパーティクル、ナノカ
プセル及びカーボンナノホーンの中、少なくとも一つを
有するカーボン材料を使用することが可能である。
【0032】次に、上記電子放出源を使用して、蛍光発
光型表示器を形成する。図11は、本発明の実施の形態
に係る蛍光発光型表示器の一部切欠き側面図であり、前
記第1の実施の形態によって製造した電子放出源を使用
した蛍光発光型表示器の例である。図11において、蛍
光発光型表示器は、硼珪酸ガラスによって形成された背
面基板としての絶縁基板101、硼珪酸ガラスによって
形成された透光性の前面基板としての絶縁基板110
1、及び、絶縁基板101、1101の周囲を封着する
シールガラス1104とを有し、その内部が真空状態に
保持された真空気密容器を備えている。
【0033】また、前述したように、絶縁基板101の
内面上には、カソード導体102、カソード導体102
に連続して被着形成されたエミッタ401が積層被着さ
れている。さらに、絶縁基板101の内面上にはエミッ
タ401間の凹部内に、ゲート電極504及び絶縁性リ
ブ505によって形成されたリブ状ゲート電極506が
被着されている。一方、絶縁基板1101の内面上に
は、アノード電極1102及びアノード電極1102に
被着された蛍光体1103が積層配設されている。
【0034】尚、文字やグラフィック等を表示する形式
の蛍光発光型表示器の場合には、カソード導体102、
アノード電極1102及びゲート電極504は、各々、
マトリクス状に形成する、あるいは、特定の電極をベタ
状に形成して他の電極をマトリクス状に形成する等、適
宜目的に応じたパターンに形成する。また、大画面表示
装置の画素用発光素子として使用する蛍光発光型表示器
の場合にも、前記各電極のパターンを適宜選定して形成
する。
【0035】上記構成の蛍光発光型表示器において、カ
ソード導体102、ゲート電極504及びアノード電極
1102に所定電圧の駆動信号を供給することにより蛍
光体1103が発光し、各電極の形成パターンや駆動信
号に応じて、文字やグラフィック等の発光表示、あるい
は発光素子としての発光表示を行わせることができる。
このとき、エミッタ401の表面に露出したカーボンナ
ノチューブ等に電界集中が生じるため、低電圧駆動によ
り、高輝度で高品位な発光表示を得ることが可能にな
る。
【0036】以上述べたように本発明の実施の形態に係
る電子放出源の製造方法は、カソード導体とゲート電極
間にエミッタを配設し、前記カソード導体とゲート電極
間に電圧を印加することにより前記エミッタから電子を
放出する電子放出源の製造方法において、絶縁基板10
1にカソード導体102を被着する工程と、カソード導
体102にカーボンナノチューブ、フラーレン、ナノパ
ーティクル、ナノカプセル及びカーボンナノホーンの中
の少なくとも一つを含むペースト材料を塗布してカーボ
ン層201を形成する工程と、前記ペースト状のカーボ
ン層201に紙301等の多孔質のシート部材を付着し
て乾燥させることによりカーボン層201と前記シート
部材を分離できないように一体化する工程と、カーボン
層201から前記シート部材を剥離した後、カーボン層
201を焼成することによりエミッタ401を形成する
工程と、エミッタ401から離間してカソード基板40
2上にリブ状ゲート電極506あるいはメッシュ状ゲー
ト電極を形成する工程とを備えている。したがって、前
記カーボン材料の表面に被着した溶媒成分等が除去され
ると共にカーボンナノチューブ等の電子放出材料が絶縁
基板101と垂直な方向やこれに近い方向に配向又は露
出した状態で露出し、前記電子放出材料に電界集中が生
じるため、低電圧で高効率に電子放出を生じる電子放出
源を製造することが可能になる。
【0037】また、前記製造工程中、カソード導体10
2を被着する工程とエミッタ401を形成する工程の間
に、RuO系の抵抗材料等によって形成した抵抗層7
01をカソード導体102に被着する工程を付加するよ
うにしてもよい。即ち、絶縁基板101にカソード導体
102を被着する工程と、カソード導体102に抵抗層
701を被着する工程と、抵抗層701にカーボンナノ
チューブ、フラーレン、ナノパーティクル、ナノカプセ
ル及びカーボンナノホーンの中の少なくとも一つを有す
るエミッタ401を被着形成する工程とを備えるように
してもよい。これにより、前記のように低電圧で高効率
に電子放出を生じる電子放出源を製造することが可能に
なるだけでなく、電子放出の安定化や電極短絡時の過電
流防止が可能な電子放出源の製造方法が提供される。
尚、前記多孔質のシート部材は、例えば、紙、布又はセ
ラミックのシート等、一方の面からその裏面に貫通する
複数の貫通孔を有するシート状の多孔質部材が使用でき
る。
【0038】また、本発明の実施の形態に係る電子放出
源の製造方法は、カソード導体とゲート電極間にエミッ
タを配設し、前記カソード導体とゲート電極間に電圧を
印加することにより前記エミッタから電子を放出する電
子放出源の製造方法において、絶縁基板101にカソー
ド導体102を被着する工程と、カソード導体102に
カーボンナノチューブ、フラーレン、ナノパーティク
ル、ナノカプセル及びカーボンナノホーンの中の少なく
とも一つを有するカーボン材料の分散液を塗布してカー
ボン層904を形成する工程と、カーボン層904を乾
燥させる工程と、前記乾燥したカーボン層904に粘着
テープ1001を貼付した後、前記カーボン層の上層部
とともに前記粘着テープ1001を剥離させてエミッタ
1002を形成する工程と、エミッタ1002から離間
する位置にゲート電極を形成する工程とを備えている。
したがって、エミッタ1002に含まれるカーボンナノ
チューブ等のカーボン材料表面に被着した溶媒成分等が
除去されて露出すると共に、カーボンナノチューブ等の
電子放出材料が絶縁基板101と垂直な方向やこれに近
い方向に配向又は露出した状態で露出し、前記電子放出
材料に電界集中が生じるため、低電圧で高効率に電子放
出を生じる電子放出源を製造することが可能になる。
【0039】また、前述したように、前記製造工程中、
カソード導体102を被着する工程とエミッタ1002
を形成する工程の間に、RuO系の抵抗材料等によっ
て形成した抵抗層をカソード導体102に被着する工程
を付加するようにしてもよい。即ち、絶縁基板101に
カソード導体102を被着する工程と、カソード導体1
02に抵抗層を被着する工程と、前記抵抗層にカーボン
ナノチューブ、フラーレン、ナノパーティクル、ナノカ
プセル及びカーボンナノホーンの中の少なくとも一つを
有するエミッタを被着形成する工程とを備えるようにし
てもよい。これにより、前記同様に、低電圧で高効率に
電子放出を生じる電子放出源を製造することが可能にな
るだけでなく、電子放出の安定化や電極短絡時の過電流
防止が可能な電子放出源の製造方法が提供される。
【0040】さらに、本発明の実施の形態によれば、カ
ソード導体とゲート電極間にエミッタを配設し、前記カ
ソード導体とゲート電極間に電圧を印加することにより
前記エミッタから電子を放出する電子放出源において、
エミッタ401、1002は、カーボンナノチューブ、
フラーレン、ナノパーティクル、ナノカプセル及びカー
ボンナノホーンの中の少なくとも一つを有するカーボン
材料を、直接又は抵抗層701を介してカソード導体1
02に被着すると共に、前記カーボン材料と紙301又
は粘着テープ1001を一体化した後に紙301又は粘
着テープ1001を剥離することによって、前記カーボ
ン材料の表面を剥離除去することにより形成されてい
る。したがって、エミッタ401、1002の表面に露
出したカーボンナノチューブ等に電界集中が生じるた
め、低電圧駆動により、高輝度で高品位な発光表示を得
ることが可能になる。
【0041】尚、前記各実施の形態においては、カソー
ド導体102に対してゲート電極504を上方に配設す
る立体構造の電子放出源の例で説明したが、カソード導
体とゲート電極の双方を絶縁基板上の同一平面上に配設
することにより、平面的な電子放出源を構成することも
可能である。
【0042】
【実施例】図12は本発明の実施例に係る電子放出源の
特性評価を行うための装置を示す側断面図であり、図1
3及び図14はその特性図である。図12で使用した電
子放出源は前記第3の実施の形態に係る製造方法によっ
て製造した電子放出源であり、真空外囲器1203を構
成する絶縁性の背面基板101内面にはカソード導体1
02及びエミッタ1002が積層被着され、絶縁性基板
1101内面には、エミッタ1002に対向してアノー
ド電極1102が被着されている。また、カソード導体
102とアノード電極1102の間に、直流電源120
1及び電流計1202の直列回路が接続されている。
尚、カソード導体102とアノード電極1102の距離
は100μmで、カソード導体102及びエミッタ10
02の大きさは直径1mmの円形状に形成されている。
【0043】図13に、エミッタ1002及びアノード
電極1102間電流Iとカソード導体102及びアノー
ド電極1102間印加電圧E(I−V)特性を示すよう
に、粘着テープ1001による剥離処理を行ったもの
(処理)は約300V付近から電流が流れはじめてお
り、前記処理を行わなかったもの(未処理)に比べて、
電子放出のしきい値が低くなり又、電子放出量も増加し
ていることがわかる。また、前記処理を行ったものの方
が再現性も向上した。
【0044】また、図14にF−N(Fowler-Nordhei
m)プロットを示すように、前記処理を行ったもの(処
理)と前記処理を行わなかったもの(未処理)のいずれ
も負の傾きを有する直線であることから、電界電子放出
が生じていることは明らかである。また、前記処理を行
ったものと前記処理を行わなかったものの特性の傾斜は
等しく、且つ、前記処理を行ったものは前記処理を行わ
なかったものの特性を右方に平行移動した特性になって
いる。これにより、エミッタ1002に含まれる個々の
カーボンナノチューブの電界電子放出特性が向上したの
ではなく、電界電子放出に貢献しているカーボンナノチ
ューブの数が増加していることがわかる。
【0045】
【発明の効果】本発明によれば、低電圧で高効率な電子
放出源の製造方法を提供することが可能になる。これに
より、電子放出特性の優れた電子放出源を提供すること
が可能になる。また、低電圧駆動可能で、高輝度で高品
位な蛍光発光型表示器を提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る電子放出源の
製造方法を説明するための側断面図で、絶縁基板にカソ
ード導体を被着する工程を示す図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態に係る電子放出源の
製造方法を説明するための側断面図で、カーボン層を形
成する工程を示す図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態に係る電子放出源の
製造方法を説明するための側断面図で、カーボン層とシ
ート部材を一体化する工程を示す図である。
【図4】本発明の第1の実施の形態に係る電子放出源の
製造方法を説明するための側断面図で、エミッタを形成
する工程を示す図である。
【図5】本発明の第1の実施の形態に係る電子放出源の
製造方法を説明するための側断面図で、ゲート電極を形
成する工程を示す図である。
【図6】本発明の第1の実施の形態に係る電子放出源の
製造方法を説明するための側断面図で、ゲート電極を形
成する工程を示す図である。
【図7】本発明の第2の実施の形態に係る電子放出源の
製造方法を説明するための側断面図である。
【図8】本発明の第3の実施の形態に係る電子放出源の
製造方法を説明するための側断面図である。
【図9】本発明の第3の実施の形態に係る電子放出源の
製造方法を説明するための側断面図で、カーボン層を形
成する工程を示す図である。
【図10】本発明の第3の実施の形態に係る電子放出源
の製造方法を説明するための側断面図で、エミッタを形
成する工程を示す図である。
【図11】本発明の実施の形態に係る蛍光発光型表示器
の一部切欠き側面図である。
【図12】本発明の実施例に係る電子放出源の特性を測
定するための装置を示す図である。
【図13】本発明の実施例に係る電子放出源のI−V特
性図である。
【図14】本発明の実施例に係る電子放出源のF−Nプ
ロット特性図である。
【符号の説明】
101・・・真空気密容器を構成する背面基板としての
絶縁基板 102・・・カソード導体 201、904・・・カーボン層 301・・・シート部材としての紙 401、1002・・・エミッタ 402・・・カソード基板 504・・・ゲート電極 505・・・絶縁性リブ 506・・・リブ状ゲート電極 701・・・抵抗層 801・・・マスク 1001・・・粘着テープ 1101・・・真空気密容器を構成する前面基板として
の絶縁基板 1102・・・アノード電極 1103・・・蛍光体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 源太郎 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (72)発明者 高梨 浩和 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (72)発明者 田辺 泰雄 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (72)発明者 坪井 利行 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (72)発明者 縄巻 健司 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 Fターム(参考) 5C031 DD09 DD19 5C036 EF01 EF06 EG02 EG12

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 カソード導体とゲート電極間にエミッタ
    を配設し、前記カソード導体とゲート電極間に電圧を印
    加することにより前記エミッタから電子を放出する電子
    放出源の製造方法において、 絶縁基板にカソード導体を被着する工程と、 前記カソード導体にカーボンナノチューブ、フラーレ
    ン、ナノパーティクル、ナノカプセル及びカーボンナノ
    ホーンの中の少なくとも一つを含むペースト材料を塗布
    してカーボン層を形成する工程と、 前記ペースト状のカーボン層に多孔質のシート部材を付
    着して乾燥させることにより前記カーボン層と前記シー
    ト部材を一体化する工程と、 前記カーボン層から前記シート部材を剥離した後、前記
    カーボン層を焼成することによりエミッタを形成する工
    程と、 前記エミッタから離間する位置にゲート電極を形成する
    工程とを備えて成ることを特徴とする電子放出源の製造
    方法。
  2. 【請求項2】 カソード導体とゲート電極間にエミッタ
    を配設し、前記カソード導体とゲート電極間に電圧を印
    加することにより前記エミッタから電子を放出する電子
    放出源の製造方法において、 絶縁基板にカソード導体を被着する工程と、 前記カソード導体に抵抗層を被着する工程と、 前記抵抗層にカーボンナノチューブ、フラーレン、ナノ
    パーティクル、ナノカプセル及びカーボンナノホーンの
    中の少なくとも一つを含むペースト材料を塗布してカー
    ボン層を形成する工程と、 前記ペースト状のカーボン層に多孔質のシート部材を付
    着して乾燥させることにより前記カーボン層と前記シー
    ト部材を一体化する工程と、 前記カーボン層から前記シート部材を剥離した後、前記
    カーボン層を焼成することによりエミッタを形成する工
    程と、 前記エミッタから離間する位置にゲート電極を形成する
    工程とを備えて成ることを特徴とする電子放出源の製造
    方法。
  3. 【請求項3】 前記多孔質のシート部材は、紙、布又は
    セラミックのシートであることを特徴とする請求項1又
    は2記載の電子放出源の製造方法。
  4. 【請求項4】 カソード導体とゲート電極間にエミッタ
    を配設し、前記カソード導体とゲート電極間に電圧を印
    加することにより前記エミッタから電子を放出する電子
    放出源の製造方法において、 絶縁基板にカソード導体を被着する工程と、 前記カソード導体にカーボンナノチューブ、フラーレ
    ン、ナノパーティクル、ナノカプセル及びカーボンナノ
    ホーンの中の少なくとも一つを有するカーボン材料の分
    散液を塗布してカーボン層を形成する工程と、 前記カーボン層を乾燥させる工程と、 前記乾燥したカーボン層に粘着テープを貼付した後、前
    記粘着テープを剥離させてエミッタを形成する工程と、 前記エミッタから離間する位置にゲート電極を形成する
    工程とを備えて成ることを特徴とする電子放出源の製造
    方法。
  5. 【請求項5】 カソード導体とゲート電極間にエミッタ
    を配設し、前記カソード導体とゲート電極間に電圧を印
    加することにより前記エミッタから電子を放出する電子
    放出源の製造方法において、 絶縁基板にカソード導体を被着する工程と、 前記カソード導体に抵抗層を被着する工程と、 前記抵抗層にカーボンナノチューブ、フラーレン、ナノ
    パーティクル、ナノカプセル及びカーボンナノホーンの
    中の少なくとも一つを有するカーボン材料の分散液を塗
    布してカーボン層を形成する工程と、 前記カーボン層を乾燥させる工程と、 前記乾燥したカーボン層に粘着テープを貼付した後、前
    記粘着テープを剥離させてエミッタを形成する工程と、 前記エミッタから離間する位置にゲート電極を形成する
    工程とを備えて成ることを特徴とする電子放出源の製造
    方法。
  6. 【請求項6】 カソード導体とゲート電極間にエミッタ
    を配設し、前記カソード導体とゲート電極間に電圧を印
    加することにより前記エミッタから電子を放出する電子
    放出源において、 前記エミッタは、カーボンナノチューブ、フラーレン、
    ナノパーティクル、ナノカプセル及びカーボンナノホー
    ンの中の少なくとも一つを有するカーボン材料を、直接
    又は抵抗層を介して前記カソード導体に被着すると共
    に、前記カーボン材料と多孔質のシート部材又は粘着テ
    ープを一体化した後に該多孔質のシート部材又は粘着テ
    ープを剥離することによって、前記カーボン材料の表面
    を剥離除去することにより形成したことを特徴とする電
    子放出源。
  7. 【請求項7】 電子放出源及び蛍光体が被着されたアノ
    ード電極を真空気密容器内に配設し、前記電子放出源か
    ら放出される電子を前記蛍光体に射突させることにより
    発光表示を行う蛍光発光型表示器において、前記電子放
    出源として、請求項6記載の電子放出源を使用したこと
    を特徴とする蛍光発光型表示器。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002157953A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Nec Corp エミッタの製造方法及び該エミッタを用いた電界放出型冷陰極並びに平面画像表示装置
WO2003049134A1 (fr) * 2001-11-30 2003-06-12 Sony Corporation Emetteur d'electrons, emetteur d'electrons de champ a cathode froide et procede servant a fabriquer un affichage a emission d'electrons de champ a cathode froide
WO2004049373A1 (ja) * 2002-11-27 2004-06-10 Sony Corporation 電子放出素子の製造方法及び表示装置の製造方法
JP2006310124A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Sony Corp 微小電子源装置の製造方法
US7137860B2 (en) 2001-06-22 2006-11-21 Samsung Sdi Co., Ltd. Method for fabricating a field emission display with carbon-based emitter
US7276844B2 (en) 2001-06-15 2007-10-02 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for improving the emission of electron field emitters
KR100763890B1 (ko) * 2001-08-06 2007-10-05 삼성에스디아이 주식회사 Cnt를 적용한 전계방출표시소자의 제조방법
CN100360399C (zh) * 2002-03-07 2008-01-09 独立行政法人科学技术振兴机构 纳米突载体及其制造方法
KR100805318B1 (ko) * 2001-09-21 2008-02-20 삼성에스디아이 주식회사 탄소계 물질로 형성된 에미터를 갖는 전계 방출표시소자의 제조 방법
KR100830987B1 (ko) * 2002-01-07 2008-05-20 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시 소자의 제조방법
KR100839418B1 (ko) * 2002-04-10 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 소자의 감광성 카본 나노튜브 페이스트 조성물및 전계 방출 소자
KR100852690B1 (ko) * 2002-04-22 2008-08-19 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시소자용 탄소 나노 튜브 에미터 페이스트조성물 및 이를 이용한 전계 방출 표시소자용 탄소 나노튜브 에미터의 제조방법
US7449081B2 (en) 2000-06-21 2008-11-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for improving the emission of electron field emitters
WO2014034423A1 (ja) 2012-08-29 2014-03-06 国立大学法人東北大学 電界電子放出膜、電界電子放出素子、発光素子およびそれらの製造方法
CN110167873A (zh) * 2016-11-08 2019-08-23 思庭股份有限公司 用于制造涂覆有含纳米棒涂层的电子发射器的方法

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8529798B2 (en) 2000-06-21 2013-09-10 E I Du Pont De Nemours And Company Process for improving the emission of electron field emitters
US8070906B2 (en) 2000-06-21 2011-12-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for improving the emission of electron field emitters
US7449082B2 (en) 2000-06-21 2008-11-11 E.I. Du Pont De Nemours And Company Process for improving the emissions of electron field emitters
US7449081B2 (en) 2000-06-21 2008-11-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for improving the emission of electron field emitters
JP2002157953A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Nec Corp エミッタの製造方法及び該エミッタを用いた電界放出型冷陰極並びに平面画像表示装置
US7276844B2 (en) 2001-06-15 2007-10-02 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for improving the emission of electron field emitters
US7137860B2 (en) 2001-06-22 2006-11-21 Samsung Sdi Co., Ltd. Method for fabricating a field emission display with carbon-based emitter
KR100763890B1 (ko) * 2001-08-06 2007-10-05 삼성에스디아이 주식회사 Cnt를 적용한 전계방출표시소자의 제조방법
KR100805318B1 (ko) * 2001-09-21 2008-02-20 삼성에스디아이 주식회사 탄소계 물질로 형성된 에미터를 갖는 전계 방출표시소자의 제조 방법
WO2003049134A1 (fr) * 2001-11-30 2003-06-12 Sony Corporation Emetteur d'electrons, emetteur d'electrons de champ a cathode froide et procede servant a fabriquer un affichage a emission d'electrons de champ a cathode froide
KR100925143B1 (ko) * 2001-11-30 2009-11-05 소니 가부시끼 가이샤 전자방출체, 냉음극 전계전자 방출소자 및 냉음극전계전자 방출표시장치의 제조방법
KR100830987B1 (ko) * 2002-01-07 2008-05-20 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시 소자의 제조방법
CN100360399C (zh) * 2002-03-07 2008-01-09 独立行政法人科学技术振兴机构 纳米突载体及其制造方法
KR100839418B1 (ko) * 2002-04-10 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 소자의 감광성 카본 나노튜브 페이스트 조성물및 전계 방출 소자
KR100852690B1 (ko) * 2002-04-22 2008-08-19 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시소자용 탄소 나노 튜브 에미터 페이스트조성물 및 이를 이용한 전계 방출 표시소자용 탄소 나노튜브 에미터의 제조방법
WO2004049373A1 (ja) * 2002-11-27 2004-06-10 Sony Corporation 電子放出素子の製造方法及び表示装置の製造方法
JP2006310124A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Sony Corp 微小電子源装置の製造方法
WO2014034423A1 (ja) 2012-08-29 2014-03-06 国立大学法人東北大学 電界電子放出膜、電界電子放出素子、発光素子およびそれらの製造方法
US9324556B2 (en) 2012-08-29 2016-04-26 Tohoku University Field electron emission film, field electron emission device, light emission device, and method for producing them
CN110167873A (zh) * 2016-11-08 2019-08-23 思庭股份有限公司 用于制造涂覆有含纳米棒涂层的电子发射器的方法
CN110167873B (zh) * 2016-11-08 2022-02-11 思庭股份有限公司 用于制造涂覆有含纳米棒涂层的电子发射器的方法

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