JP2001033827A - 液晶表示素子とその製造方法 - Google Patents

液晶表示素子とその製造方法

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JP2001033827A
JP2001033827A JP11204156A JP20415699A JP2001033827A JP 2001033827 A JP2001033827 A JP 2001033827A JP 11204156 A JP11204156 A JP 11204156A JP 20415699 A JP20415699 A JP 20415699A JP 2001033827 A JP2001033827 A JP 2001033827A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 数V程度の初期化電圧印加、及び励振により
容易にベンド配向が形成され、転移速度の速いOCBモ
ード型液晶表示素子を提供する。 【解決手段】 端子部、表示画素、表示画素近傍等に液
晶層を揺動する振動子を形成、固定した液晶表示素子を
用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子に関
し、特に光学補償ベンドモード(OCBモード:opt
ically self−compensated b
irefringence mode)セルにおける、
スプレイ−ベンド転移の容易な液晶表示素子に関する。
【0002】
【従来の技術】本発明の背景となる液晶及びこれを利用
した表示装置についての原理や構造や製造方法の一般的
な事項は、例えば山崎照彦他2名監修 「カラーTFT
液晶ディスプレイ」 共立出版株式会社 1996年
刊、佐々木照夫他1名編著 「液晶ディスプレイの全
て」 工業調査会 1993年刊、中田一郎他2名著
「液晶入門」 幸書房1992年刊 内田龍男編著
「次世代液晶ディスプレイ技術」工業調査会1994年
刊等に記載されている周知技術である。
【0003】また、ポリマー配向膜やその配向処理(特
にラビング処理)についても、例えば液晶若手研究会編
「液晶ディスプレイの最先端」 シグマ出版1996
年刊、特にその「7」、「8」等やその参考文献リスト
に挙げられている文献に記載され、更にこれに用いる布
の材質、使用するローラーの要目等も周知の技術であ
る。このため、これらについての詳細な説明は省略し、
本発明に直接関係の深い技術についてのみ説明する。
【0004】更に図であるが、液晶表示素子は二枚の相
対向するガラス基板、電極間に液晶が存在すること、ガ
ラス基板の断面は直方形になること等は周知事項であ
る。このため、例えば断面図においてガラス基板の断面
に横斜線を入れること等は、かえって図が煩雑となり、
更にはかえって発明の要部の位置がわかり難くなったり
するため、図で上下対象の部分であるのを示す等の他は
原則として省略する。
【0005】更に、明細書での説明に直接関係のない部
分の表示等も、図がかえって煩雑となるため原則として
省略する。
【0006】以下、本来の従来技術について説明する。
【0007】液晶表示素子は、ブラウン管等に比較して
薄型で軽量、かつ低消費電力のディスプレイ{画(映)
像表示}装置である。このためテレビやビデオなどの画
像表示装置やモニター、ワープロ、パーソナルコンピュ
ーターなどの事務(OA)機器の表示部に広くもちいら
れている。
【0008】ところで従来、液晶表示素子として例え
ば、ネマチィック液晶を用いたツイストネマチック(T
N)モードの液晶表示素子が実用化されているが、これ
は応答速度が遅く、また視野角が狭い等の欠点を有して
いる。
【0009】また、応答速度が速く、視野角が広い強誘
電性液晶(FLC)、あるいは反強誘電性液晶(AFL
C)等もあるが、現時点では耐ショック性、温度特性等
に大きな欠点があり、広く実用化されるまでには至って
いない。
【0010】また、光散乱を利用する高分子分散型液晶
を使用した表示モードは、偏光板を必要とせず、高輝度
表示が可能であるが、本質的に位相差板による視角制御
が出来ない上に、現時点では応答特性に課題を有してお
り、このためTNモードの液晶に対する優位性は少な
い。
【0011】一方、最近応答が速く視野角が広い表示モ
ードとして光学補償ベンド(OCB)モードが提案され
た(特開平7−84254)。
【0012】これを図2に示す。
【0013】本図において、1と8は相対向するガラス
基板である。2と7は、同じく相対向する透明電極であ
る。3と6は、同じく配向膜である。そしてこの配向膜
間に液晶層4が存在する。13と16は、同じく偏光板
である。17と18は、同じく位相補償板である。 こ
のモードは、本図の左側に示す様に、対向する二枚の基
板上(間)の液晶分子を平行かつ同一方向へ配向処理
し、スプレイ配向51を形成した液晶セルに電圧印加す
ることにより、本図の右側に示すごとくセル中央にベン
ド配向(あるいはねじれ配向を含んだベンド配向)52
を誘起させることと、低電圧駆動と視野角拡大のために
位相補償板17、18を液晶セル外側に配設することを
特徴としたものである。 そして本モードの液晶表示素
子は、性能的には中間調表示領域においても高速応答が
可能であると同時に広い視野角特性を有している。
【0014】また、表示が黒になる電圧は位相補償板に
よって調整可能という特徴をも有している。なおここ
に、視野角が広いのは上下の配向膜近傍のベンド部が図
14の右側に示すごとく反対方向となっているため、相
互に補償しあうことによる。
【0015】なおまた、位相補償板を調整することによ
り、一層の低電圧駆動とすることも可能である。
【0016】ただし、OCBモードの液晶は、例えば電
波新聞 1995年5月25日等33面、特別企画「広
視野角・高速液晶ディスプレイの開発」、第26回画像
光学コンファレンス(1995年)P211〜216
「OCB型液晶を用いた広視野角・高速応答ディスプレ
イ」、フラットパネルディスプレイ 1994年版 P
170「TFTの広視野角・高速応答が可能OCBモー
ド、配向の安定化がかぎ」、その他特開平7−8425
4号、特開平9−96790号等に記載されている周知
技術である。このため、これ以上の一般的な説明は省略
する。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のOC
Bモードの液晶表示素子では、上記の文献にもある程度
記載されているが、ユーザーがこの表示方式を採用した
表示装置を使用する際には、使用のたび毎に初期のスプ
レイ配向状態から電圧印加によりベンド配向にする初期
化処理が不可欠である。
【0018】しかしながら、数V程度の電圧印加では、
この初期化処理に分単位の時間が必要である。反面、2
0V程度の高電圧を印加するようにするためには、別途
の回路が必要となり、液晶表示素子のコストアップ、信
頼性の低下、表示異常等につながったりするため好まし
くない。
【0019】このため、数V程度の電圧印加により容易
にベンド配向が形成され、そして勿論スプレイ−ベンド
転移速度の速いOCBモードの液晶表示素子が望まれて
いた。
【0020】また、テレビジョン等の高品質表示を要求
される映像装置に使用する場合には、100万個程ある
画素の中にはどうしても何等かの理由で転移しない画素
が生じるが、このような画素をそのままにしておくと映
像の品質を劣化させかねない。
【0021】このため、使用に際して全ての画素を確実
に転移させることの出来る技術の開発が望まれていた。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題に鑑
みなされたものである。
【0023】本発明は、後に詳しく説明するが、スプレ
イ−ベンド転移には、液晶層中央付近で液晶ダイレクタ
方位が基板に垂直になること、一方の配向膜界面でのプ
レチルト角が殆ど零度になること、更にはスプレイ状態
からベンド状態への転移を早めるために物理的な励振を
加えることが重要なことを発明したことに基づくもので
ある。
【0024】このため、第1に液晶表示素子の端子部等
に設けた振動子により、液晶表示素子を直接励振する構
造を有する液晶表示素子としている。
【0025】第2に、液晶表示素子の筐体部に設けた振
動子により、液晶表示素子を間接的に励振する構造を有
する液晶表示素子としている。
【0026】上記筐体部とは、回路基板、金属フレー
ム、バックライトなどを意味している。
【0027】第3に、液晶表示素子の端子部等に振動子
等を固定する場合、UV硬化型樹脂、あるいは熱硬化型
樹脂を用いてなした液晶表示素子としている。
【0028】第4に、液晶表示素子を直接励振する振動
子の実装用の電気回路等を、予め端子部に形成されてい
る液晶表示素子としている。
【0029】第5に、液晶表示素子を直接励振する振動
子自身が、TFTアレイ作製時に、端子部、あるいは表
示画素内、あるいは表示画素近傍、あるいは端子部以外
の非点灯領域に形成されている液晶表示素子としてい
る。
【0030】具体的には、以下の構成としている。
【0031】請求項1の発明においては、OCBモード
の液晶表示素子を直接的に励振する振動子をその端子
部、あるいはその側面に有する構造を特徴としている。
【0032】上記構成により、対向する基板内面に各々
形成された電極上の配向膜を互いに平行に配向処理し、
挟持されたスプレイ配向の液晶領域を有する液晶表示素
子において、以下の作用がなされる。
【0033】各画素毎に液晶分子は、電圧印加によるス
プレイ−ベンド転移の際に励振によって揺動された状態
となるため、初期化処理時に速やかなベンド配向への移
行がなされる。
【0034】請求項2の発明においては、OCBモード
の液晶表示素子の筐体部等に設けた振動子により、液晶
表示素子を間接的に励振する構造を有することを特徴と
している。
【0035】上記構成により、対向する基板内面に各々
形成された電極上の配向膜を互いに平行に配向処理し、
挟持されたスプレイ配向の液晶領域を有する液晶表示素
子において、以下の作用がなされる。
【0036】各画素毎に液晶分子は、電圧印加によるス
プレイ−ベンド転移の際に励振によって揺動された状態
となるため、初期化処理時に速やかなベンド配向への移
行がなされる。
【0037】請求項3の発明においては、OCBモード
の液晶表示素子を直接励振する振動子をUV硬化型樹
脂、あるいは熱硬化型樹脂等を用いて端子部等に固定す
ることを特徴としている。
【0038】上記構成により、対向する基板内面に各々
形成された電極上の配向膜を互いに平行に配向処理し、
挟持されたスプレイ配向の液晶領域を有する液晶表示素
子において、以下の作用がなされる。
【0039】端子部等に固定された振動子から発生する
励振を、確実に液晶表示素子の液晶領域に伝播すること
が出来、初期化処理時に速やかなベンド配向への移行が
なされる。
【0040】請求項4の発明においては、OCBモード
の液晶表示素子を直接励振する振動子の実装用の電気回
路等を、予め端子部等に形成することを特徴としてい
る。
【0041】上記構成により、対向する基板内面に各々
形成された電極上の配向膜を互いに平行に配向処理し、
挟持されたスプレイ配向の液晶領域を有する液晶表示素
子において、以下の作用がなされる。
【0042】端子部等に固定するチィップ型の振動子等
を、直接実装出来るパターンニング配線を端子部等に有
する。このため、振動子周辺の電気回路の簡略化がなさ
れる。
【0043】請求項5の発明においては、OCBモード
の液晶表示素子を直接励振する振動子自身を、TFTア
レイ作製時に端子部等に形成することを特徴としてい
る。
【0044】上記構成により、対向する基板内面に各々
形成された電極上の配向膜を互いに平行に配向処理し、
挟持されたスプレイ配向の液晶領域を有する液晶表示素
子において、以下の作用がなされる。
【0045】端子部等に振動子が既に形成されているた
め、振動子周辺の電気回路の簡略化がなされ、かつ振動
子実装の削減となる。
【0046】請求項6の発明においては、液晶表示素子
を直接励振する振動子自身を、TFTアレイ作製時に、
実際の表示画素内、あるいは表示画素近傍に形成するこ
とを特徴としている。
【0047】上記構成により、対向する基板内面に各々
形成された電極上の配向膜を互いに平行に配向処理し、
挟持されたスプレイ配向の液晶領域を有する液晶表示素
子において、以下の作用がなされる。
【0048】実際の表示画素内、あるいはブラックマト
リックス部等の表示画素近傍に振動子が既に形成されて
いるため、最も確実に液晶表示素子の液晶領域を励振す
ることが出来、初期化処理時に速やかなベンド配向への
移行がなされる。かつ、振動子周辺の電気回路の簡略
化、及び振動子実装の削減となる。
【0049】請求項7の発明においては、液晶表示素子
を直接励振する振動子自身を、TFTアレイ作製時に、
端子部を除く非点灯領域に形成することを特徴としてい
る。
【0050】上記構成により、対向する基板内面に各々
形成された電極上の配向膜を互いに平行に配向処理し、
挟持されたスプレイ配向の液晶領域を有する液晶表示素
子において、以下の作用がなされる。
【0051】端子部を除く非点灯領域に振動子が既に形
成されているため、確実に液晶表示素子の液晶領域を励
振することが出来、初期化処理時に速やかなベンド配向
への移行がなされる。かつ、振動子周辺の電気回路の簡
略化、及び振動子実装の削減となる。
【0052】
【発明の実施の形態】以下、本発明の基本をその実施の
形態に基づいて説明する。
【0053】図2は本発明に係わる液晶表示素子の作
用、構成を説明するための概念図である。
【0054】そして、左側の51はスプレイ配向を示し
た液晶分子であり、右側の52はベンド配向を示した液
晶分子である。そして実際の表示では、このベンド配向
の状態が使用される。
【0055】ところで、本図の左側に示すスプレイ配向
51を示す液晶表示素子は、メーカーでの製造時やユー
ザーによる使用していない状態のものであり、使用に際
してこの状態の液晶表示素子に初期化電圧を印加する
と、右側に示すベンド配向52を形成する。
【0056】しかしこれは、前述のごとく初期化のため
の電圧印加と同時に形成されるわけではない。
【0057】すなわち、初期化電圧を加えると、以下に
示すように液晶表示素子内液晶のダイレクタ分布が過程
を経てスプレイ配向からベンド配向へと変化する。
【0058】図3は、代表的なOCBモード型液晶表示
素子に電圧を0→V1→V2→V3→V4→V5(0<
V1<V2<V3<V4<V5)と順次増加させて加え
て行った時の、液晶層内の液晶ダイレクタの動きの印加
電圧による相違を模式的に(おおよその傾向として)現
わしたものである。
【0059】なおこの場合、左右(本図では左右だが、
実際の使用状態は表と裏側)両配向膜界面での液晶プレ
チルト角(電圧無印加時での液晶プレチルト角)の初期
値は同一にしてある。
【0060】以下、本図をもとに、この配向の変化の内
容を説明する。
【0061】図3の(a)は、電圧無印加時の液晶の配
向状態(スプレイ状態)を現わしている。この場合には
当然セル中央の液晶ダイレクタは基板に水平である。
【0062】図3の(a)から図15の(g)におい
て、(外1)印は液晶ダイレクタが配向膜(基板)に水
平である液晶層厚み方向を表わしている。
【0063】
【外1】
【0064】いま、(a)の状態の液晶表示素子に閾値
以上の電圧V1を印加すると、動きを拘束する配向膜か
ら離れているため、一番動き易いセル中央の液晶分子が
最初に(b)に示す様に傾き、それに伴い一方(図では
左側)の配向膜界面での液晶プレチルト角は増大し、他
方(図では右側)の配向膜界面での液晶プレチルト角は
減少する。そしてこの時、基板に水平な液晶ダイレクタ
が存在する位置は低プレチルトの配向膜界面に近づく。
【0065】(c)及び(d)は、更に電圧が加わった
(高くなった)場合であり、図示の左側の高プレチルト
配向膜3界面でのプレチルト角は更に大きくなってお
り、図の右側の低プレチルト配向膜4界面でのプレチル
ト角は更に小さくなっている。更に電圧を上げた(d)
においては、基板に水平なダイレクタ方位を有する液晶
分子は殆ど低プレチルト配向膜界面近傍に存在すること
となっている。
【0066】(e)は、電圧V4の印加によるベンド転
移直前の配向状態を表わし、(f)は電圧V5印加によ
りベンド配向となった時点での配向状態を表わしてい
る。(e)においても配向膜に平行なダイレクタ方位を
有する液晶分子は存在するが、(f)においてはそれを
有する液晶分子は存在しない。
【0067】一旦(f)の配向状態となった液晶表示素
子は、(g)に示される配向状態(定常状態)に速やか
に移行する。
【0068】以上の転移メカニズムより、速やかなスプ
レイ−ベンド転移がなされるためには、液晶層中央付近
で液晶ダイレクタ方位が配向膜(基板)に垂直(直交)
になっていることと、一方の配向膜界面でのプレチルト
角が小さくなっていることが重要であることが判る。逆
に言うならば、かかる如くすることにより速やかなスプ
レイ−ベンド転移がなされることになる。
【0069】しかしながら前述したように、数V程度の
電圧印加では、この初期化処理に分単位の時間が必要で
ある。
【0070】反面、20V等の高電圧で印加する様にす
るためには、別途の回路が必要となり、液晶表示素子の
コストアップ、信頼性の低下、表示異常等につながった
りするため好ましくない。
【0071】即ち、このため、本発明はこのスプレイ−
ベンド転移を速やかに起こさせるべく、OCBモードの
液晶表示素子を励振する振動子を端子部、偏光板、液晶
パネル内部等に有する構造を特徴としている。
【0072】
【実施例】以下、本発明を、その実施例に基づいて説明
する。
【0073】(第1実施例)図1は、本発明に係わる液
晶表示素子の第1実施例の断面構成を概念的に示したも
のであり、スプレイ−ベンド転移時間の実験に用いたテ
ストセルである。本図においては、図2に示した液晶表
示素子と同じ部品(部材、構成)については、同一の符
号を付してある。なお、5はスペーサーである。
【0074】本実施例の液晶表示素子の製作(製造)で
あるが、まず透明電極2、7を有する2枚のガラス基板
1、8上に日産化学工業(株)製配向膜塗料SE−74
92をスピンコート法にて塗布し、180℃の恒温層中
で1時間硬化させて配向膜3、6を形成した。
【0075】その後、レーヨン製ラビング布を用いて各
画素毎に図4の(a)に示す方向にラビング処理をし、
積水ファインケミカル(株)製スペーサー及びストラク
トブンド352A(三井東圧化学(株)製シール樹脂の
商品名)を用いて基板間隔が6.5μmとなるように貼
り合せ、本実施例の液晶セルを作製した。
【0076】このとき、図1での上側、下側のラビング
方向は図4に示す如く両基板とも同一方向とした。
【0077】次にメルクジャパン(株)製液晶MJ96
435を真空注入法にて上記液晶セル内に注入した。
【0078】次にその偏光軸が配向膜のラビング処理方
向と45°の角度をなし、かつ、お互いの偏光軸方向が
直交するように偏光板を上下から貼合した。この偏光板
構成は、前掲の「次世代液晶ディスプレイ技術」の図
1.2にも記載されている周知技術であり、また煩雑と
なる等のため、本図内では示していない。
【0079】最後に、図1に示す如く、日本ロックタイ
ト(株)製UV硬化型樹脂352Aを用いて、テストセ
ルの端子部に超音波振動子を固定し、テストセルを作製
した。このテストセルをAとする。
【0080】(比較例)比較例として、先の第1実施例
と同じ構造かつ製造方法ではあるが、超音波振動子を固
定していない、液晶表示素子そのものをテストセルRと
する。これらのテストセルA、Rに7V矩形波を印加し
たときに、全電極領域がスプレイ配向からベンド配向へ
と転移するに要する時間を観察した。また、超音波振動
子の発振周波数は20KHzのものを使用し、矩形波を
印加するタイミングで超音波振動子への電圧印加を行っ
た。(表1)に、実施例のテストセルA、Rに7V矩形
波を印加したときに全電極領域がスプレイ配向からベン
ド配向へと転移するに要する時間を示す。
【0081】
【表1】
【0082】(表1)より明らかなように、比較例は7
秒であるのに本発明に係わる液晶表示素子の実施例1は
1秒以内と速やかに転移する。
【0083】この理由であるが、図3の(d)、(e)
の状態で液晶層に対する励振エネルギーが、結果として
液晶分子を揺動させるように作用し、電界との相乗効果
により、液晶ダイレクタがテストセル基板面、そして配
向膜面に対して直交となり易いことにある。そしてこの
ため、液晶ダイレクタの変位が極めてスムーズに進行す
るため、高速なスプレイ−ベンド転移が、実現されるこ
とにある。
【0084】また、同様の電圧印加テストで5V矩形波
を印加したときの転移時間の変化を(表2)に示す。
【0085】
【表2】
【0086】(表2)より明らかなように、比較例は3
80秒で未転移状態が残存し、これ以上放置しても転移
が進まなかったのに対し、本発明に係わる液晶表示素子
の実施例1は20秒で面内が完全に転移することが確認
された。 また、同様の電圧印加テストでテストセルA
のみに注目し、振動子の周波数を変化させ、5Vの矩形
波を印加したときの転移時間の変化を表3に示す。更に
(表3)には、テストセルAと同じセル構成で大きさの
異なるテストセルBについての結果も同時に示した。
(面積比 4A=B)
【0087】
【表3】
【0088】(表3)より明らかなように、振動子の周
波数が小さい程、転移時間が小さくなることが確認され
た。但し、この反面、テストセル内のスペーサー移動
と、これに伴う配向膜上のキズが多く発生し、表示不具
合になることが確認された。また20KHz以上ではテ
ストセルBに転移時間がやや長く、しかも振動子からの
距離が大きい部位程、転移が遅くなる傾向が確認され
た。
【0089】この理由は、ガラス基板内の励振エネルギ
ーの伝播損失である。これに対しては、液晶表示素子内
の数箇所に当該振動子を有する構造にすれば良い。
【0090】これらの内容から本発明の液晶表示素子に
組み合わせる振動子には、20KHz以上の周波数帯域
を有するものが実用的である。
【0091】(第2実施例)本実施例の液晶表示素子の
スプレイ−ベンド転移時間の実験に用いたテストセル
は、その機械的部分の構成、構造、セル作製方法、使用
材料等は、先の実施例1の比較例と同じである。この液
晶表示素子を図5に示すように金属フレーム、プリント
基板、固定用のゴム等でモジュール化し、プリント基板
に超音波振動子を固定した。このテストセルをCとす
る。
【0092】(比較例)比較例として、先の第1実施例
のテストセルRを用いた。これらのテストセルR、C
(Cは具体的にはモジュール形状)に7V矩形波を印加
したときに、全電極領域がスプレイ配向からベンド配向
へと転移するに要する時間を観察した。また、超音波振
動子の発振周波数は20KHzのものを使用し、矩形波
を印加するタイミングで超音波振動子への電圧印加を行
った。
【0093】(表4)に、実施例のテストセルC、Rに
7V矩形波を印加したときに全電極領域がスプレイ配向
からベンド配向へと転移するに要する時間を示す。
【0094】
【表4】
【0095】(表4)より明らかなように、本発明に係
わる液晶表示素子の実施例2は、3〜4秒以内で転移
し、実施例1のテストセルRのほぼ半分の値を示し、振
動子の筐体等への固定においても、スプレイ−ベンド転
移を速めることが確認された。
【0096】以上より明らかなように、本発明の液晶表
示素子は、従来のOCBモードの諸特性を全く犠牲にす
ることなく、高速で確実なスプレイ−ベンド配向転移を
達成することが可能であり、その実用価値は極めて大き
い。
【0097】以上、本発明をその実施例の形態として幾
つかの実施例に基づいて説明して来たが、本発明は何も
以上の実施例に限定されないのは勿論である。
【0098】即ち、例えば以下のようにしてもよい。
【0099】(1)液晶表示装置としては、OCBモー
ドだけでなく、液晶層の相転移を速めるどのようなモー
ドの液晶表示素子でも構わない。
【0100】(2)振動子の実装及び固定は、端子部や
液晶表示素子内部だけでなく、偏光上であっても良い。
【0101】(3)振動子等は超音波発振子等に限定せ
ず、例えばスピーカー等の音源等を代用してもよい。
【0102】(4)振動子等の周波数帯域は、20KH
z以上を用いることが好ましいが、基板間に配置したギ
ャップ保持用のスペーサー等を基板に固定すれば、ある
いはこれに代わる方法でスペーサー等の移動に対して内
キズ等が発生しない条件を確保出来れば、どの周波数帯
域を使用してもよい。
【0103】(5)振動子の液晶表示素子への固定方法
は、熱硬化型樹脂、UV硬化性樹脂等を用いて端子部、
可視領域以外の偏光板上に直接固定しても良いが、前述
したように、端子部等にCOG実装パターンを作製し、
チィップ型振動子を実装した後の保護樹脂塗布等で代用
しても良い。
【0104】(6)振動子の液晶表示素子端子部等への
固定は、チィップ部品等を実装する方法以外に、TFT
アレイ作製時に、振動子自身を端子部、実際の表示画素
内、表示画素近傍、可視領域以外の非点灯領域に形成し
ても良い。液晶表示素子内部に形成する場合は、表示画
素内に振動子を形成すると開口率等の低下を招く可能性
もあり、ブラックマトリックス等でマスキングされた表
示画素近傍や可視領域以外の非点灯領域に形成するのが
好ましい。
【0105】
【発明の効果】以上説明して来たように、本発明によれ
ば、OCBモードの液晶表示素子に物理的な振動を加え
ることにより、比較的低い電圧の印加でもスプレイ−ベ
ンド転移がし易くなる。
【0106】また、通常の電圧印加による相転移を確実
に、速く行わせることが可能であるため、画質を大幅に
改善することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる液晶表示素子の第1実施例〜第
2実施例に用いたテストセルの断面構成を概念的に示す
【図2】OCBモード型液晶表示素子における初期化電
圧印加によるスプレイ−ベンド転移を説明するための概
念図
【図3】OCBモード型液晶表示素子におけるスプレイ
配向からベンド配向への液晶ダイレクタの動きを説明す
るための概念図
【図4】本発明に係わる液晶表示素子の第1実施例、第
2実施例の基板上配向膜への配向処理としてのラビング
方向及び様子を示す図
【図5】本発明に係わる液晶表示素子の第2実施例のテ
ストセル(モジュール形態)の断面図を概念的に示す図
【符号の説明】
1,8 ガラス基板 2,7 透明電極 3,6 配向膜 4 液晶層 5 スペーサー 51 電圧無印加時の液晶配向(スプレイ配向) 52 電圧印加時の液晶配向(ベンド配) 9 テストセル 13,16 偏光板 17,18 位相補償板 19 金属フレーム 20 プリント基板 21 固定用ゴム 22 バックライト 53 振動子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 服部 勝治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 2H088 EA02 HA05 HA06 HA08 HA16 HA18 HA28 JA04 JA09 JA14 KA17 MA01 MA07 MA10 2H089 HA40 KA19 NA09 NA37 QA16 RA04 RA07 RA11 TA07 TA09 TA15 TA18 2H093 NC03 ND01 ND32 ND49 NE06 NE10 NF04 NF09 NF14 NH16

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 対向する基板内面に各々形成された電極
    上の配向膜を互いに平行に配向処理し、挟持されたスプ
    レイ配向の液晶領域を有する液晶表示素子において、 前記液晶表示素子の端子部、あるいは側面から液晶表示
    素子を直接励振する構造を有することを特徴とする液晶
    表示素子。
  2. 【請求項2】 対向する基板内面に各々形成された電極
    上の配向膜を互いに平行に配向処理し、挟持されたスプ
    レイ配向の液晶領域を有する液晶表示素子において、 前記液晶表示素子の筐体部から液晶表示素子を間接励振
    する構造を有することを特徴とする液晶表示素子。
  3. 【請求項3】 対向する基板内面に各々形成された電極
    上の配向膜を互いに平行に配向処理し、挟持されたスプ
    レイ配向の液晶領域を有する液晶表示素子において、液
    晶表示素子を直接励振する振動子をUV硬化型樹脂、あ
    るいは熱硬化型樹脂を用いて端子部等に固定し、実装す
    ることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
  4. 【請求項4】 対向する基板内面に各々形成された電極
    上の配向膜を互いに平行に配向処理し、挟持されたスプ
    レイ配向の液晶領域を有する液晶表示素子において、液
    晶表示素子を直接励振する振動子の実装用の電気回路等
    を、予め端子部に形成することを特徴とする液晶表示素
    子。
  5. 【請求項5】 対向する基板内面に各々形成された電極
    上の配向膜を互いに平行に配向処理し、挟持されたスプ
    レイ配向の液晶領域を有する液晶表示素子において、液
    晶表示素子を直接励振する振動子自身を、TFTアレイ
    作製時に、端子部等に形成することを特徴とする液晶表
    示素子の製造方法。
  6. 【請求項6】 対向する基板内面に各々形成された電極
    上の配向膜を互いに平行に配向処理し、挟持されたスプ
    レイ配向の液晶領域を有する液晶表示素子において、液
    晶表示素子を直接励振する振動子自身を、TFTアレイ
    作製時に、実際の表示画素内、あるいは表示画素近傍に
    形成することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
  7. 【請求項7】 対向する基板内面に各々形成された電極
    上の配向膜を互いに平行に配向処理し、挟持されたスプ
    レイ配向の液晶領域を有する液晶表示素子において、液
    晶表示素子を直接励振する振動子自身を、TFTアレイ
    作製時に、端子部を除く非点灯領域に形成することを特
    徴とする液晶表示素子の製造方法。
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