JP2001028414A - 放熱スペーサー - Google Patents
放熱スペーサーInfo
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- JP2001028414A JP2001028414A JP11199934A JP19993499A JP2001028414A JP 2001028414 A JP2001028414 A JP 2001028414A JP 11199934 A JP11199934 A JP 11199934A JP 19993499 A JP19993499 A JP 19993499A JP 2001028414 A JP2001028414 A JP 2001028414A
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】より高度な熱伝導性と柔軟性を有する放熱スペ
ーサーを提供すること。 【解決手段】平均粒子径10〜50μmの窒化アルミニ
ウム粉末30〜60体積%、六方晶窒化ホウ素で被覆さ
れたマグネシウム及び/又はカルシウムのホウ酸塩粉末
を主体とする粉末10〜25体積%を含有してなるシリ
コーン硬化物からなることを特徴とする放熱スペーサ
ー。
ーサーを提供すること。 【解決手段】平均粒子径10〜50μmの窒化アルミニ
ウム粉末30〜60体積%、六方晶窒化ホウ素で被覆さ
れたマグネシウム及び/又はカルシウムのホウ酸塩粉末
を主体とする粉末10〜25体積%を含有してなるシリ
コーン硬化物からなることを特徴とする放熱スペーサ
ー。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピューター、
ワードプロセッサーなどの情報処理機器におけるIC、
LSI、CPU、MPU等の半導体素子より発生する熱
を効率よく放出するのに有用な放熱スペーサーに関す
る。
ワードプロセッサーなどの情報処理機器におけるIC、
LSI、CPU、MPU等の半導体素子より発生する熱
を効率よく放出するのに有用な放熱スペーサーに関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、コンピューターやワードプロセッ
サー等の情報処理機器は、携帯用使用の薄型サイズのも
のが好まれるようになっている。それに伴い、半導体素
子も高密度化・小型化され、そこから発生する熱も増加
の一途をたどり、それを効率良く除去することが重要な
課題となっている。
サー等の情報処理機器は、携帯用使用の薄型サイズのも
のが好まれるようになっている。それに伴い、半導体素
子も高密度化・小型化され、そこから発生する熱も増加
の一途をたどり、それを効率良く除去することが重要な
課題となっている。
【0003】従来より、半導体素子より発生した熱の除
去は、半導体素子を熱伝導性シート介して放熱フィンや
金属板に取り付けて行われている。しかしながら、情報
処理機器の小型化・薄型化により、放熱フィン等を取り
付けるスペースがない場合も多くなり、その場合には情
報処理機器のケース等に直接伝熱して放熱する方式が取
られている。
去は、半導体素子を熱伝導性シート介して放熱フィンや
金属板に取り付けて行われている。しかしながら、情報
処理機器の小型化・薄型化により、放熱フィン等を取り
付けるスペースがない場合も多くなり、その場合には情
報処理機器のケース等に直接伝熱して放熱する方式が取
られている。
【0004】このような方式においては、半導体素子と
ケースの間に、そのスペースを埋める厚みを有した、シ
リコーン硬化物等の樹脂硬化物に熱伝導性フィラーの充
填された柔らかな放熱スペーサーが用いられており、更
なる高熱伝導性を付与したものが要求されている。
ケースの間に、そのスペースを埋める厚みを有した、シ
リコーン硬化物等の樹脂硬化物に熱伝導性フィラーの充
填された柔らかな放熱スペーサーが用いられており、更
なる高熱伝導性を付与したものが要求されている。
【0005】放熱スペーサー(以下、単に「スペーサ
ー」ともいう。)の高熱伝導化を達成するには、スペー
サー内に存在する熱伝導性フィラーを連続的に接触させ
ればよく、その一法として、窒化ホウ素(BN)等の熱
伝導性フィラーの充填量を多くすることが行われてい
る。しかし、この方法では、スペーサーの柔らかさが低
下し、情報処理機器のケース等との接触が悪くなって、
熱伝導性が著しく低下する等、限界があった。
ー」ともいう。)の高熱伝導化を達成するには、スペー
サー内に存在する熱伝導性フィラーを連続的に接触させ
ればよく、その一法として、窒化ホウ素(BN)等の熱
伝導性フィラーの充填量を多くすることが行われてい
る。しかし、この方法では、スペーサーの柔らかさが低
下し、情報処理機器のケース等との接触が悪くなって、
熱伝導性が著しく低下する等、限界があった。
【0006】そこで、熱伝導性の良好な窒化アルミニウ
ム(AlN)粉末をフィラーとして用いることの提案が
あるが、窒化アルミニウム粉末のみを用いて、今日要求
のある高熱伝導性を満たすには、70体積%程度又はそ
れ以上の高充填が必要となり、シリコーン等の樹脂が硬
化障害を起こすことがあるなど、スペーサーのフィラー
としては好適に用いることができないでいた。ここで、
「硬化障害」とは、例えば液状シリコーン等の樹脂に熱
を加えても硬化せず、液状の状態を保ち続けるという現
象である。
ム(AlN)粉末をフィラーとして用いることの提案が
あるが、窒化アルミニウム粉末のみを用いて、今日要求
のある高熱伝導性を満たすには、70体積%程度又はそ
れ以上の高充填が必要となり、シリコーン等の樹脂が硬
化障害を起こすことがあるなど、スペーサーのフィラー
としては好適に用いることができないでいた。ここで、
「硬化障害」とは、例えば液状シリコーン等の樹脂に熱
を加えても硬化せず、液状の状態を保ち続けるという現
象である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記に鑑み
てなされたものであり、その目的は、窒化アルミニウム
粉末を用い、硬化障害を起こさない、より高度な熱伝導
性と柔軟性を有するスペーサーを提供することである。
本発明の目的は、熱伝導性フィラーとして、平均粒子径
の最適化された窒化アルミニウム粉末と、六方晶窒化ホ
ウ素(hBN)で被覆されたマグネシウム及び/又はカ
ルシウムのホウ酸塩粉末(以下、「BN被覆ホウ酸塩粉
末」という。)を主体とする粉末とを併用することによ
って、達成することができる。
てなされたものであり、その目的は、窒化アルミニウム
粉末を用い、硬化障害を起こさない、より高度な熱伝導
性と柔軟性を有するスペーサーを提供することである。
本発明の目的は、熱伝導性フィラーとして、平均粒子径
の最適化された窒化アルミニウム粉末と、六方晶窒化ホ
ウ素(hBN)で被覆されたマグネシウム及び/又はカ
ルシウムのホウ酸塩粉末(以下、「BN被覆ホウ酸塩粉
末」という。)を主体とする粉末とを併用することによ
って、達成することができる。
【0008】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、平
均粒子径10〜50μmの窒化アルミニウム粉末30〜
60体積%、六方晶窒化ホウ素で被覆されたマグネシウ
ム及び/又はカルシウムのホウ酸塩粉末を主体とする粉
末10〜25体積%を含有してなるシリコーン硬化物か
らなることを特徴とする放熱スペーサーである。
均粒子径10〜50μmの窒化アルミニウム粉末30〜
60体積%、六方晶窒化ホウ素で被覆されたマグネシウ
ム及び/又はカルシウムのホウ酸塩粉末を主体とする粉
末10〜25体積%を含有してなるシリコーン硬化物か
らなることを特徴とする放熱スペーサーである。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明を更に詳細に説明す
る。
る。
【0010】本発明のスペーサーのマトリックスとして
用いられるシリコーン硬化物としては、一般的な電子材
料用途に使用されているシリコーン、例えば付加反応に
より加硫する液状シリコーン樹脂、過酸化物を加硫に用
いる熱加硫型ミラブルタイプのシリコーン樹脂等を不都
合なく用いることができる。
用いられるシリコーン硬化物としては、一般的な電子材
料用途に使用されているシリコーン、例えば付加反応に
より加硫する液状シリコーン樹脂、過酸化物を加硫に用
いる熱加硫型ミラブルタイプのシリコーン樹脂等を不都
合なく用いることができる。
【0011】スペーサーは、半導体素子の発熱面と放熱
フィン等の放熱面との密着性が要求されるため、柔軟性
の良好なシリコーンが好ましく、付加反応型液状シリコ
ーンが好適となる。付加反応型液状シリコーンの具体例
としては、一分子中にビニル基とH−Si基の両方を有
する一液性のシリコーン、又は末端あるいは側鎖にビニ
ル基を有するオルガノポリシロキサンと末端あるいは側
鎖に2個以上のH−Si基を有するオルガノポリシロキ
サンとの二液性のシリコーン等がある。このような付加
反応型液状シリコーンの市販品としては、例えば東レダ
ウコーニング社製、商品名「SE−1886」等を例示
することができる。スペーサーの柔軟性は、架橋密度の
調整によって容易に調節することができる。また、シリ
コーンには、必要に応じて硬化剤等の通常の添加剤を適
宜配合することができる
フィン等の放熱面との密着性が要求されるため、柔軟性
の良好なシリコーンが好ましく、付加反応型液状シリコ
ーンが好適となる。付加反応型液状シリコーンの具体例
としては、一分子中にビニル基とH−Si基の両方を有
する一液性のシリコーン、又は末端あるいは側鎖にビニ
ル基を有するオルガノポリシロキサンと末端あるいは側
鎖に2個以上のH−Si基を有するオルガノポリシロキ
サンとの二液性のシリコーン等がある。このような付加
反応型液状シリコーンの市販品としては、例えば東レダ
ウコーニング社製、商品名「SE−1886」等を例示
することができる。スペーサーの柔軟性は、架橋密度の
調整によって容易に調節することができる。また、シリ
コーンには、必要に応じて硬化剤等の通常の添加剤を適
宜配合することができる
【0012】本発明でいうBN被覆ホウ酸塩粉末とは、
マグネシウム又はカルシウムのホウ酸塩粒子のコア部
と、その表面の全部又は一部を覆っている鱗片状hBN
からなるシェル部とで構成されているものである。マグ
ネシウム又はカルシウムのホウ酸塩とhBNの確認は、
エネルギー分散型蛍光X線測定器を用いて行うことがで
きる。コア部の割合は、粒子断面の面積占有率で10〜
80%であることが好ましく、またシェル部の厚みは数
〜十数μmであることが好ましい。
マグネシウム又はカルシウムのホウ酸塩粒子のコア部
と、その表面の全部又は一部を覆っている鱗片状hBN
からなるシェル部とで構成されているものである。マグ
ネシウム又はカルシウムのホウ酸塩とhBNの確認は、
エネルギー分散型蛍光X線測定器を用いて行うことがで
きる。コア部の割合は、粒子断面の面積占有率で10〜
80%であることが好ましく、またシェル部の厚みは数
〜十数μmであることが好ましい。
【0013】本発明で使用されるBN被覆ホウ酸塩粉末
を主体して含む粉末は、次のようにして製造することが
できる。すなわち、メラミン、ホウ酸、並びにマグネシ
ウム、カルシウムの水酸化物及び炭酸塩から選ばれた少
なくとも一種の無機化合物のモル百分率の三元組成図
(メラミン,ホウ酸,無機化合物)において、点A(3
5,60,5)、B(25,70,5)、C(5,8
0,15)、D(5,5,90)を結ぶ線で囲まれた範
囲内にある混合物を、そのままもしくは300kgf/
cm2以下、好ましくは100kgf/cm2以下の圧力
で成形した後、窒素、アンモニア等の非酸化性雰囲気
下、温度1700〜2200℃で0.5〜24時間、好
ましくは2〜10時間焼成すると、BN被覆ホウ酸塩粉
末とhBNとの混合粉末が製造されるので、この混合粉
末を水等の溶剤中に超音波分散させ、浮遊選別すること
によって、製造することができる(例えば特願平10−
352519号明細書参照)。この場合において、24
μmJIS篩いで篩い上残分を選別すると、BN被覆ホ
ウ酸塩粉末の割合が75〜95重量%程度の混合粉末が
得られ、篩い目を粗くすると、BN被覆ホウ酸塩粉末の
割合を更に高めることができる。
を主体して含む粉末は、次のようにして製造することが
できる。すなわち、メラミン、ホウ酸、並びにマグネシ
ウム、カルシウムの水酸化物及び炭酸塩から選ばれた少
なくとも一種の無機化合物のモル百分率の三元組成図
(メラミン,ホウ酸,無機化合物)において、点A(3
5,60,5)、B(25,70,5)、C(5,8
0,15)、D(5,5,90)を結ぶ線で囲まれた範
囲内にある混合物を、そのままもしくは300kgf/
cm2以下、好ましくは100kgf/cm2以下の圧力
で成形した後、窒素、アンモニア等の非酸化性雰囲気
下、温度1700〜2200℃で0.5〜24時間、好
ましくは2〜10時間焼成すると、BN被覆ホウ酸塩粉
末とhBNとの混合粉末が製造されるので、この混合粉
末を水等の溶剤中に超音波分散させ、浮遊選別すること
によって、製造することができる(例えば特願平10−
352519号明細書参照)。この場合において、24
μmJIS篩いで篩い上残分を選別すると、BN被覆ホ
ウ酸塩粉末の割合が75〜95重量%程度の混合粉末が
得られ、篩い目を粗くすると、BN被覆ホウ酸塩粉末の
割合を更に高めることができる。
【0014】従って、本発明において、「BN被覆ホウ
酸塩粉末を主体して含む粉末」とは、BN被覆ホウ酸塩
粉末を70重量%以上(100重量%を含む)を含み、
hBN粉末を含む(0重量%を含む)粉末であると定義
される。
酸塩粉末を主体して含む粉末」とは、BN被覆ホウ酸塩
粉末を70重量%以上(100重量%を含む)を含み、
hBN粉末を含む(0重量%を含む)粉末であると定義
される。
【0015】本発明のスペーサーにおいて、BN被覆ホ
ウ酸塩粉末を主体として含む粉末の含有割合は、10〜
25体積%である。10体積%未満では、シリコーンが
硬化障害を起こすようになり、また高度な熱伝導性を付
与することができない。一方、25体積%よりも多くな
ると、窒化アルミニウム粒子の間にBN被覆ホウ酸塩粉
末が存在する割合が多くなって、窒化アルミニウム粒子
間の粒子接触が少なくなってしまい、これまた高度な高
熱伝導性を発揮させることができなくなる。
ウ酸塩粉末を主体として含む粉末の含有割合は、10〜
25体積%である。10体積%未満では、シリコーンが
硬化障害を起こすようになり、また高度な熱伝導性を付
与することができない。一方、25体積%よりも多くな
ると、窒化アルミニウム粒子の間にBN被覆ホウ酸塩粉
末が存在する割合が多くなって、窒化アルミニウム粒子
間の粒子接触が少なくなってしまい、これまた高度な高
熱伝導性を発揮させることができなくなる。
【0016】本発明においては、窒化アルミニウム粉末
は、上記BN被覆ホウ酸塩粉末を主体として含む粉末と
併用される。窒化アルミニウム粉末の粒径が重要であ
り、平均粒子径で10〜50μmでなければならない。
平均粒子径が10μm未満ではシリコーンの硬化障害が
著しく、加硫させることが困難となる。一方、50μm
をこえると、スペーサー表面に凹凸が著しく現れ、放熱
部材との密着性が低下する。
は、上記BN被覆ホウ酸塩粉末を主体として含む粉末と
併用される。窒化アルミニウム粉末の粒径が重要であ
り、平均粒子径で10〜50μmでなければならない。
平均粒子径が10μm未満ではシリコーンの硬化障害が
著しく、加硫させることが困難となる。一方、50μm
をこえると、スペーサー表面に凹凸が著しく現れ、放熱
部材との密着性が低下する。
【0017】本発明において、窒化アルミニウム粉末の
スペーサー中の含有割合は、30〜60体積%とする。
30体積%未満では窒化アルミニウムの持つ高熱伝導性
を十分に発揮させることができず、また60体積%をこ
えると、BN被覆ホウ酸塩粒子の適切量と併用しても、
硬化障害が起こるようになる。窒化アルミニウム粉末と
しては、直接窒化法、アルミナ還元法等の製造法の区別
なく使用することができる。
スペーサー中の含有割合は、30〜60体積%とする。
30体積%未満では窒化アルミニウムの持つ高熱伝導性
を十分に発揮させることができず、また60体積%をこ
えると、BN被覆ホウ酸塩粒子の適切量と併用しても、
硬化障害が起こるようになる。窒化アルミニウム粉末と
しては、直接窒化法、アルミナ還元法等の製造法の区別
なく使用することができる。
【0018】本発明のスペーサーの硬さは、使用目的に
応じて適切な硬さが選択され、例えばアスカーC硬度で
80以下のものが使用される。また、厚みは、0.1〜
4mm、特に0.2〜2mmが一般的である。
応じて適切な硬さが選択され、例えばアスカーC硬度で
80以下のものが使用される。また、厚みは、0.1〜
4mm、特に0.2〜2mmが一般的である。
【0019】更には、その平面形状は、半導体素子と密
着できる形状ないしは半導体素子を埋没できる形状であ
れば、特に制限されるものではなく、例えば三角形、四
角形、五角形などの多角形、円形、楕円形等の任意の形
状を用いることができ、更には半導体素子が密着ないし
は埋没しやすいように凹凸を設けることもできる。
着できる形状ないしは半導体素子を埋没できる形状であ
れば、特に制限されるものではなく、例えば三角形、四
角形、五角形などの多角形、円形、楕円形等の任意の形
状を用いることができ、更には半導体素子が密着ないし
は埋没しやすいように凹凸を設けることもできる。
【0020】本発明のスペーサーは、原料の混合・成形
・加硫の各工程を経て製造される。原料の混合には、ロ
ールミル、ニーダー、バンバリーミキサー等の公知の混
合機が用いられる。成形は、押出し成形法、プレス成形
法によることが好ましい。ドクターブレード法では、使
用可能な粘度となるまで有機溶剤を添加しなければなら
ず、成形後有機溶剤を除去する工程が必要となり、生産
性に劣る。加硫温度は、50〜200℃が望ましい。5
0℃未満では加硫時間が長くなり、200℃をこえると
スペーサーが劣化する。加硫には、一般的な熱風乾燥
機、遠赤外乾燥機、マイクロ波乾燥機等を用いて行うこ
とができる。
・加硫の各工程を経て製造される。原料の混合には、ロ
ールミル、ニーダー、バンバリーミキサー等の公知の混
合機が用いられる。成形は、押出し成形法、プレス成形
法によることが好ましい。ドクターブレード法では、使
用可能な粘度となるまで有機溶剤を添加しなければなら
ず、成形後有機溶剤を除去する工程が必要となり、生産
性に劣る。加硫温度は、50〜200℃が望ましい。5
0℃未満では加硫時間が長くなり、200℃をこえると
スペーサーが劣化する。加硫には、一般的な熱風乾燥
機、遠赤外乾燥機、マイクロ波乾燥機等を用いて行うこ
とができる。
【0021】
【実施例】以下、実施例、比較例をあげて更に具体的に本
発明を説明する。
発明を説明する。
【0022】実施例1、2 比較例1〜6 付加反応型シリコーン樹脂(東芝シリコーン社製 商品
名「SE1886」)、窒化アルミニウム粉末及びBN
被覆ホウ酸カルシウム塩を含む粉末を、表1に示した所
定の割合となるよう配合し、攪拌混合した。
名「SE1886」)、窒化アルミニウム粉末及びBN
被覆ホウ酸カルシウム塩を含む粉末を、表1に示した所
定の割合となるよう配合し、攪拌混合した。
【0023】得られた混合物を、真空押出機にて厚さ1
mmとなるように押出し成形した後、160℃の乾燥機
中に10時間静置して加硫・硬化させ、適宜長さに切断
してスペーサーを作製した。得られたスペーサーの熱伝
導率と圧縮率を以下に従い測定した。それらの結果を表
1に示す。
mmとなるように押出し成形した後、160℃の乾燥機
中に10時間静置して加硫・硬化させ、適宜長さに切断
してスペーサーを作製した。得られたスペーサーの熱伝
導率と圧縮率を以下に従い測定した。それらの結果を表
1に示す。
【0024】(1)熱伝導率:スペーサーをTO−3型
銅製ヒーターケースと銅板との間に挟み、スペーサー厚
みの10%を圧縮した後、銅製ヒーターケースに電力5
Wかけて4分間保持し、銅製ヒーターケースと銅板との
温度差を測定し、熱伝導率(W/m・K)={電力
(W)×厚み(m)}/{温度差(K)×測定面積(m
2 )}、にて熱伝導率を算出した。 (2)圧縮率:スペーサーを1cm2角に打ち抜いた
後、精密万能試験機(島津製作所製商品名「オートグラ
フ」)により、厚さ方向に1kgfの荷重をかけたとき
の圧縮変形量を計測し、圧縮率(%)={圧縮変形量
(mm)×100}/元の厚さ(mm)にて、圧縮率を
算出した。
銅製ヒーターケースと銅板との間に挟み、スペーサー厚
みの10%を圧縮した後、銅製ヒーターケースに電力5
Wかけて4分間保持し、銅製ヒーターケースと銅板との
温度差を測定し、熱伝導率(W/m・K)={電力
(W)×厚み(m)}/{温度差(K)×測定面積(m
2 )}、にて熱伝導率を算出した。 (2)圧縮率:スペーサーを1cm2角に打ち抜いた
後、精密万能試験機(島津製作所製商品名「オートグラ
フ」)により、厚さ方向に1kgfの荷重をかけたとき
の圧縮変形量を計測し、圧縮率(%)={圧縮変形量
(mm)×100}/元の厚さ(mm)にて、圧縮率を
算出した。
【0025】
【表1】
【0026】実施例3 BN被覆ホウ酸カルシウム塩を含む粉末のかわりに、B
N被覆ホウ酸マグネシウム塩を含む粉末を用いたこと以
外は、実施例1に準じてスペーサーを作製した。その結
果を表1に示す。
N被覆ホウ酸マグネシウム塩を含む粉末を用いたこと以
外は、実施例1に準じてスペーサーを作製した。その結
果を表1に示す。
【0027】なお、BN被覆ホウ酸カルシウム塩を含む
粉末(又はBN被覆ホウ酸マグネシウム塩を含む粉末)
は、次のようにして製造されたものを使用した。
粉末(又はBN被覆ホウ酸マグネシウム塩を含む粉末)
は、次のようにして製造されたものを使用した。
【0028】ホウ酸60モル%、メラミン28モル%、
水酸化カルシウム(又は水酸化マグネシウム)12モル
%の配合比でヘンシェルミキサーを用いて混合した。そ
れを温度85℃、相対湿度90%の恒温恒湿槽中で7時
間保持した後、アルミナ乳鉢で軽く解砕し、圧力100
kgf/cm2で金型成形した。成形物(直径約40m
m×高さ15mm)の全量(約1000g)をpBN製
坩堝に充填し、高周波誘導炉にて、窒素気流中、210
0℃で6時間焼成した。
水酸化カルシウム(又は水酸化マグネシウム)12モル
%の配合比でヘンシェルミキサーを用いて混合した。そ
れを温度85℃、相対湿度90%の恒温恒湿槽中で7時
間保持した後、アルミナ乳鉢で軽く解砕し、圧力100
kgf/cm2で金型成形した。成形物(直径約40m
m×高さ15mm)の全量(約1000g)をpBN製
坩堝に充填し、高周波誘導炉にて、窒素気流中、210
0℃で6時間焼成した。
【0029】次いで、焼成物をアルミナ製乳鉢で解砕
し、150μmの乾式篩いにより整粒した後、更にエタ
ノール中で超音波分散させてから再び湿式篩いにより2
4μm未満の微粉を除去し、乾燥させてBN被覆ホウ酸
カルシウム塩(又はBN被覆ホウ酸マグネシウム塩)を
約92重量%と、hBNを約8重量%を含む粉末を製造
した。
し、150μmの乾式篩いにより整粒した後、更にエタ
ノール中で超音波分散させてから再び湿式篩いにより2
4μm未満の微粉を除去し、乾燥させてBN被覆ホウ酸
カルシウム塩(又はBN被覆ホウ酸マグネシウム塩)を
約92重量%と、hBNを約8重量%を含む粉末を製造
した。
【0030】上記BN被覆ホウ酸塩粉末のhBN被覆率
は約84%、平均粒子径は17μm、BN被覆ホウ酸塩
粒子断面のホウ酸カルシウム塩(又はホウ酸マグネシウ
ム塩)の占める割合は約60%であった。なお、hBN
被覆率とホウ酸塩の占める割合は、100個の粒子につ
いて測定した平均値である。
は約84%、平均粒子径は17μm、BN被覆ホウ酸塩
粒子断面のホウ酸カルシウム塩(又はホウ酸マグネシウ
ム塩)の占める割合は約60%であった。なお、hBN
被覆率とホウ酸塩の占める割合は、100個の粒子につ
いて測定した平均値である。
【0031】
【発明の効果】本発明によれば、より高度な熱伝導性と
柔軟性を有するスペーサーが提供される。
柔軟性を有するスペーサーが提供される。
Claims (1)
- 【請求項1】 平均粒子径10〜50μmの窒化アルミ
ニウム粉末30〜60体積%、六方晶窒化ホウ素で被覆
されたマグネシウム及び/又はカルシウムのホウ酸塩粉
末を主体とする粉末10〜25体積%を含有してなるシ
リコーン硬化物からなることを特徴とする放熱スペーサ
ー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11199934A JP2001028414A (ja) | 1999-07-14 | 1999-07-14 | 放熱スペーサー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11199934A JP2001028414A (ja) | 1999-07-14 | 1999-07-14 | 放熱スペーサー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001028414A true JP2001028414A (ja) | 2001-01-30 |
Family
ID=16416035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11199934A Pending JP2001028414A (ja) | 1999-07-14 | 1999-07-14 | 放熱スペーサー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001028414A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018074247A1 (ja) * | 2016-10-18 | 2018-04-26 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物 |
-
1999
- 1999-07-14 JP JP11199934A patent/JP2001028414A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018074247A1 (ja) * | 2016-10-18 | 2018-04-26 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物 |
JPWO2018074247A1 (ja) * | 2016-10-18 | 2019-01-17 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物 |
US11248154B2 (en) | 2016-10-18 | 2022-02-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Thermoconductive silicone composition |
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