JP2001026498A - ドーピングダイヤモンドの製造方法及び製造装置及びドーピングダイヤモンド - Google Patents
ドーピングダイヤモンドの製造方法及び製造装置及びドーピングダイヤモンドInfo
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
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- C23C16/276—Diamond only using plasma jets
-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイヤモンドフィルムへ製造中に添加物が加
えられて良い簡単なドーピングダイヤモンドの製造方法
を提供することである。 【解決手段】 プラズマジェット反応装置のノズル１６
の下側に基質４０を配置する段階と、高められた導電性
をダイヤモンドへもたらすために選択された非粉末固体
添加物を、基質とプラズマジェット反応装置との間に配
置する段階と、アークジェットを実現する段階と、基質
上にダイヤモンド４２を堆積させるために必要な反応化
学物質をアークジェットへ供給する段階と、所望厚さの
ダイヤモンドが基質上に堆積するまで化学物質を供給し
続ける段階とを有する。
えられて良い簡単なドーピングダイヤモンドの製造方法
を提供することである。 【解決手段】 プラズマジェット反応装置のノズル１６
の下側に基質４０を配置する段階と、高められた導電性
をダイヤモンドへもたらすために選択された非粉末固体
添加物を、基質とプラズマジェット反応装置との間に配
置する段階と、アークジェットを実現する段階と、基質
上にダイヤモンド４２を堆積させるために必要な反応化
学物質をアークジェットへ供給する段階と、所望厚さの
ダイヤモンドが基質上に堆積するまで化学物質を供給し
続ける段階とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ドーピングダイヤ
モンドの製造方法及び製造装置と、これらの方法によっ
て製造されたドーピングダイヤモンドとに関する。特
に、本発明は、ダイヤモンドの電導性を高めるためにＣ
ＶＤダイヤモンドに添加物を加えるための方法及び装置
と、これらの方法によって製造されたダイヤモンドとに
関する。
モンドの製造方法及び製造装置と、これらの方法によっ
て製造されたドーピングダイヤモンドとに関する。特
に、本発明は、ダイヤモンドの電導性を高めるためにＣ
ＶＤダイヤモンドに添加物を加えるための方法及び装置
と、これらの方法によって製造されたダイヤモンドとに
関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドは、均一な１．５４５オン
グストロームの原子間距離を有する四面体配置された脂
肪族のｓｐ３混成炭素の独占的共有結合の結晶組織を有
する炭素の同素体である。この構造のために、ダイヤモ
ンドは、極めて硬く、銅の約四倍の熱伝導性を有する一
方で、電気絶縁体である。ダイヤモンドは、それらの貴
石性のために最も一般に知られているが、それらの硬
さ、熱、及び電気特性は、ダイヤモンドを多くの産業利
用のために非常に役立つものとする。
グストロームの原子間距離を有する四面体配置された脂
肪族のｓｐ３混成炭素の独占的共有結合の結晶組織を有
する炭素の同素体である。この構造のために、ダイヤモ
ンドは、極めて硬く、銅の約四倍の熱伝導性を有する一
方で、電気絶縁体である。ダイヤモンドは、それらの貴
石性のために最も一般に知られているが、それらの硬
さ、熱、及び電気特性は、ダイヤモンドを多くの産業利
用のために非常に役立つものとする。
【０００３】ダイヤモンドは、高精度研削ホイールの表
面を調整するのに使用される。機械工場において、ダイ
ヤモンドを先端に有する工具は、自動車ピストン回りの
溝を切削し、他の高精度作業を実施する。ダイヤモンド
ダストを先端に有する針状体は、他のダイヤモンドの貫
通孔を孔明けするのに使用され、これは、次に、油炉の
ための送りノズルとして及び針金製造型として使用され
る。地質学者及び技術者は、深く位置する岩石層のサン
プルを入手するために、地面へ孔明けするためのダイヤ
モンド先端の中空鋼片を使用する。近年、ダイヤモンド
フィルムが、半導体装置のためのヒートシンク又は基質
としてマイクロ電子工学利用に使用される。
面を調整するのに使用される。機械工場において、ダイ
ヤモンドを先端に有する工具は、自動車ピストン回りの
溝を切削し、他の高精度作業を実施する。ダイヤモンド
ダストを先端に有する針状体は、他のダイヤモンドの貫
通孔を孔明けするのに使用され、これは、次に、油炉の
ための送りノズルとして及び針金製造型として使用され
る。地質学者及び技術者は、深く位置する岩石層のサン
プルを入手するために、地面へ孔明けするためのダイヤ
モンド先端の中空鋼片を使用する。近年、ダイヤモンド
フィルムが、半導体装置のためのヒートシンク又は基質
としてマイクロ電子工学利用に使用される。
【０００４】自然に存在するダイヤモンドは、地中深く
のものすごい圧力及び熱を受けた純粋な炭素の結果物で
あると考えられている。人工又は人造ダイヤモンドは、
１９５５年にジェネラルエレクトリック社がグラファイ
トへ大きな圧力及び熱をもたらすために実験室装置を使
用した時に可能となった。今日において、ダイヤモンド
は、高圧での平衡状態時に、又は、低圧での準安定状態
の基で成長させることができる。ダイヤモンドを製造す
るために近年において発展した方法の一つは、化学蒸着
（ＣＶＤ）として公知である。ＣＶＤ法は、水素と、メ
タンのような気体炭素化合物との混合物を使用し、この
炭素化合物は、基質上にダイヤモンドフィルムを生成す
るために活性化されて基質と接触する。水素ガスは、水
素原子へ解離され、次いで、炭素元素を含む凝縮可能な
炭素基を形成するために炭素化合物と反応する。炭素基
は、次いで、ダイヤモンドを形成するように基質へ堆積
する。このＣＶＤ法のいくつかは、前述の転化をもたら
すために必要な活性化温度を提供するために、一般的に
は２０００°Ｃに匹敵する温度において高温フィラメン
トを使用する。これらの方法は、本分野において、高温
フィラメント化学蒸着（ＨＦＣＶＤ）と呼ばれる。もう
一つの良く知られたＣＶＤ法は、プラズマジェット法で
ある。プラズマジェット法において、気体水素原子は、
一般的に、直流電流、交流電流、又は、マイクロ波によ
って水素プラズマジェットを発生させるプラズマトーチ
へ導入される。このプラズマトーチは、気体を元素化す
るのに十分な高温（一般的には約９７２７°Ｃ（１００
００°Ｋ））である。このトーチは基質へ向けられ、反
応物質はノズル又は散布頭部を出て基質上に堆積する。
のものすごい圧力及び熱を受けた純粋な炭素の結果物で
あると考えられている。人工又は人造ダイヤモンドは、
１９５５年にジェネラルエレクトリック社がグラファイ
トへ大きな圧力及び熱をもたらすために実験室装置を使
用した時に可能となった。今日において、ダイヤモンド
は、高圧での平衡状態時に、又は、低圧での準安定状態
の基で成長させることができる。ダイヤモンドを製造す
るために近年において発展した方法の一つは、化学蒸着
（ＣＶＤ）として公知である。ＣＶＤ法は、水素と、メ
タンのような気体炭素化合物との混合物を使用し、この
炭素化合物は、基質上にダイヤモンドフィルムを生成す
るために活性化されて基質と接触する。水素ガスは、水
素原子へ解離され、次いで、炭素元素を含む凝縮可能な
炭素基を形成するために炭素化合物と反応する。炭素基
は、次いで、ダイヤモンドを形成するように基質へ堆積
する。このＣＶＤ法のいくつかは、前述の転化をもたら
すために必要な活性化温度を提供するために、一般的に
は２０００°Ｃに匹敵する温度において高温フィラメン
トを使用する。これらの方法は、本分野において、高温
フィラメント化学蒸着（ＨＦＣＶＤ）と呼ばれる。もう
一つの良く知られたＣＶＤ法は、プラズマジェット法で
ある。プラズマジェット法において、気体水素原子は、
一般的に、直流電流、交流電流、又は、マイクロ波によ
って水素プラズマジェットを発生させるプラズマトーチ
へ導入される。このプラズマトーチは、気体を元素化す
るのに十分な高温（一般的には約９７２７°Ｃ（１００
００°Ｋ））である。このトーチは基質へ向けられ、反
応物質はノズル又は散布頭部を出て基質上に堆積する。
【０００５】製造されるダイヤモンドの物理的性質が製
造行程中に変えられることは、本分野において一般的に
公知である。例えば、ＣＶＤ処理中に添加物（不純物）
を加えることが結果としてもたらされるダイヤモンドの
電気特性に影響を与えることは、文献において公知であ
る。米国特許第５１１２７７５号は、ｎ型半導性ダイヤ
モンドフィルムが、メチルアルコール、アセトン、及
び、五酸化二リンの溶液を使用するＨＦＣＶＤ法によっ
て製造可能であることを開示しており、この溶液は、Ｎ
型シリコン基質上にドーピングダイヤモンドを堆積させ
るために、蒸発して水素との反応ガスとして使用され
る。リン添加ダイヤモンドフィルムの電気抵抗は、反応
ガス中のリン濃度に係わらずに、約１０2 Ωｃｍである
ことが見い出された。この文献は、さらに、ホウ素添加
ダイヤモンドフィルムが優れた整流特性を有するショッ
トキーダイオードを製造するのに使用可能であることを
開示している。Ｚｈａｎｇ，Ｘ．Ｋ．ｅｔ ａｌ．，”
Ｂｏｒｏｎ Ｄｏｐｉｎｇ ｏｆ Ｄｉａｍｏｎｄ Ｆ
ｉｌｍｓ ｂｙ Ｂ2 Ｏ3 Ｖａｐｏｒｉｚａｔｉｏ
ｎ”，Ｐｈｙｓ．Ｓｔａｔ．Ｓｏｌ．（ａ） １３３３
７７（１９９２）参照。ホウ素添加ダイヤモンドフィル
ムの電気抵抗は、ＣＶＤ処理時におけるホウ素の温度に
依存して約１０0 Ωｃｍから１０-2Ωｃｍであることが
見い出された。公知の添加法の全ては、気体又は気体に
乗った粉末が流量制御装置によって反応室へ加えられる
ことを必要とする。種々の装置が、このために工夫され
ている。添加物供給管を備える一般的なプラズマジェッ
ト装置が、米国特許第５２６０１０６号に開示されてい
る。この供給管は、陽極の上部へ、制御された量で添加
物を供給するように構成されている。
造行程中に変えられることは、本分野において一般的に
公知である。例えば、ＣＶＤ処理中に添加物（不純物）
を加えることが結果としてもたらされるダイヤモンドの
電気特性に影響を与えることは、文献において公知であ
る。米国特許第５１１２７７５号は、ｎ型半導性ダイヤ
モンドフィルムが、メチルアルコール、アセトン、及
び、五酸化二リンの溶液を使用するＨＦＣＶＤ法によっ
て製造可能であることを開示しており、この溶液は、Ｎ
型シリコン基質上にドーピングダイヤモンドを堆積させ
るために、蒸発して水素との反応ガスとして使用され
る。リン添加ダイヤモンドフィルムの電気抵抗は、反応
ガス中のリン濃度に係わらずに、約１０2 Ωｃｍである
ことが見い出された。この文献は、さらに、ホウ素添加
ダイヤモンドフィルムが優れた整流特性を有するショッ
トキーダイオードを製造するのに使用可能であることを
開示している。Ｚｈａｎｇ，Ｘ．Ｋ．ｅｔ ａｌ．，”
Ｂｏｒｏｎ Ｄｏｐｉｎｇ ｏｆ Ｄｉａｍｏｎｄ Ｆ
ｉｌｍｓ ｂｙ Ｂ2 Ｏ3 Ｖａｐｏｒｉｚａｔｉｏ
ｎ”，Ｐｈｙｓ．Ｓｔａｔ．Ｓｏｌ．（ａ） １３３３
７７（１９９２）参照。ホウ素添加ダイヤモンドフィル
ムの電気抵抗は、ＣＶＤ処理時におけるホウ素の温度に
依存して約１０0 Ωｃｍから１０-2Ωｃｍであることが
見い出された。公知の添加法の全ては、気体又は気体に
乗った粉末が流量制御装置によって反応室へ加えられる
ことを必要とする。種々の装置が、このために工夫され
ている。添加物供給管を備える一般的なプラズマジェッ
ト装置が、米国特許第５２６０１０６号に開示されてい
る。この供給管は、陽極の上部へ、制御された量で添加
物を供給するように構成されている。
【０００６】利用によって、製造されたダイヤモンドフ
ィルムは、残留する基質上に直接的に堆積させても良
く、例えば、ダイヤモンドは切削工具の先端上に直接的
に堆積可能である。他の利用においては、独立のダイヤ
モンドフィルムが、堆積させた基質から取り外される。
これらの利用の多くは、独立のダイヤモンドを切断し、
刻み、又は、削ることが必要であり又は望まれる。この
種の技術作業の段階は、ダイヤモンドを切断し、刻み、
又は削るためにレーザを使用する。これらの作業に使用
されるレーザは比較的高価である。
ィルムは、残留する基質上に直接的に堆積させても良
く、例えば、ダイヤモンドは切削工具の先端上に直接的
に堆積可能である。他の利用においては、独立のダイヤ
モンドフィルムが、堆積させた基質から取り外される。
これらの利用の多くは、独立のダイヤモンドを切断し、
刻み、又は、削ることが必要であり又は望まれる。この
種の技術作業の段階は、ダイヤモンドを切断し、刻み、
又は削るためにレーザを使用する。これらの作業に使用
されるレーザは比較的高価である。
【０００７】放電削り（又は加工）（ＥＤＭ）は高価で
ない処理であり、これは、多くの導電物質で使用される
が、ダイヤモンドフィルムではうまく使用されない。
ない処理であり、これは、多くの導電物質で使用される
が、ダイヤモンドフィルムではうまく使用されない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、ＥＤＭ処理がダイヤモンドフィルム上で使用されて
良い方法を提供することである。
は、ＥＤＭ処理がダイヤモンドフィルム上で使用されて
良い方法を提供することである。
【０００９】さらに、本発明の目的は、ダイヤモンドフ
ィルムへ製造中に添加物が加えられて良い簡単な方法を
提供することである。
ィルムへ製造中に添加物が加えられて良い簡単な方法を
提供することである。
【００１０】本発明のもう一つの目的は、ＥＤＭ処理が
ダイヤモンドフィルム上に使用されて良いようにダイヤ
モンドフィルムに導電性をもたらす方法を提供すること
である。
ダイヤモンドフィルム上に使用されて良いようにダイヤ
モンドフィルムに導電性をもたらす方法を提供すること
である。
【００１１】本発明のさらなる目的は、添加物が気体又
は気体に乗る粉末として供給されることを必要としない
で製造中にダイヤモンドへ添加物を加える効果的な方法
を提供することである。
は気体に乗る粉末として供給されることを必要としない
で製造中にダイヤモンドへ添加物を加える効果的な方法
を提供することである。
【００１２】本発明のもう一つの目的は、現存のプラズ
マアークＣＶＤ装置を容易に使用してダイヤモンドに添
加物を加えるための方法及び装置を提供することであ
る。
マアークＣＶＤ装置を容易に使用してダイヤモンドに添
加物を加えるための方法及び装置を提供することであ
る。
【００１３】本発明のさらなる目的は、本発明の方法及
び装置によって製造され、ＥＤＭ処理を使用して成形さ
れて良い導電性ダイヤモンドを提供することである。
び装置によって製造され、ＥＤＭ処理を使用して成形さ
れて良い導電性ダイヤモンドを提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】以下に詳細に説明するこ
れらの目的に一致して、本発明の新奇な方法は、ＤＣア
ークジェットのノズル内に又は近傍に固体添加物を配置
する段階を有している。本発明の一実施形態によれば、
アークジェットノズルの内側表面は、銅製ブラシでブラ
シかけすることによって銅層で被覆されている。本発明
のもう一つの実施形態によれば、アークジェットノズル
の内側表面は、銅メッキすることによって銅層で被覆さ
れている。本発明のもう一つの実施形態によれば、銅製
シリンダがアークジェットノズル内に配置されている。
本発明による装置は、前述したようにノズル内又は近傍
に配置された固体添加物を備えるＤＣアークジェットを
有している。本発明により製造されるダイヤモンドは、
前述したように固体添加物がノズル内又は近傍に配置さ
れたプラズマジェット処理により形成された導電性ダイ
ヤモンドである。本発明によれば、これらの方法及び装
置によって形成されたダイヤモンドの導電性は、固体添
加物の表面積を変化させることによって制御される。表
面積の増加によって、ダイヤモンドに含まれる添加物の
量が増加する。
れらの目的に一致して、本発明の新奇な方法は、ＤＣア
ークジェットのノズル内に又は近傍に固体添加物を配置
する段階を有している。本発明の一実施形態によれば、
アークジェットノズルの内側表面は、銅製ブラシでブラ
シかけすることによって銅層で被覆されている。本発明
のもう一つの実施形態によれば、アークジェットノズル
の内側表面は、銅メッキすることによって銅層で被覆さ
れている。本発明のもう一つの実施形態によれば、銅製
シリンダがアークジェットノズル内に配置されている。
本発明による装置は、前述したようにノズル内又は近傍
に配置された固体添加物を備えるＤＣアークジェットを
有している。本発明により製造されるダイヤモンドは、
前述したように固体添加物がノズル内又は近傍に配置さ
れたプラズマジェット処理により形成された導電性ダイ
ヤモンドである。本発明によれば、これらの方法及び装
置によって形成されたダイヤモンドの導電性は、固体添
加物の表面積を変化させることによって制御される。表
面積の増加によって、ダイヤモンドに含まれる添加物の
量が増加する。
【００１５】本発明によるダイヤモンドドーピングは、
一般的な添加方法より効果的であり、さらに、添加物が
気体又は懸濁流体であることを必要としないために、多
くの異なる種類の添加物の使用を可能とする。
一般的な添加方法より効果的であり、さらに、添加物が
気体又は懸濁流体であることを必要としないために、多
くの異なる種類の添加物の使用を可能とする。
【００１６】本発明のさらなる目的及び利点は、添付図
面に関する詳細な記述を参照して当業者に明らかとな
る。
面に関する詳細な記述を参照して当業者に明らかとな
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１を参照すると、本発明による
プラズマジェットＣＶＤ装置１０は、全体として、エン
ジン１２と、炭化水素ガス噴射ディスク１４と、プラズ
マジェット散布頭部（ノズル）１６と、基質保持部１８
と、反応室２０とを有している。このエンジン１２は、
好ましくは、アークジェットエンジンであり、横方向の
水素ガス入口２２と、陰極２４と、エンジン壁２６と、
エンジン壁上の絶縁内張り２８と、陽極３０とを有して
いる。炭化水素ガス噴射ディスク１４には、ガス供給部
３２とガス噴射ポート３４とが設けられている。ノズル
１６は、反応室２０内の基質保持部１８へ向けられてい
る。基質保持部１８は、好ましくは、冷却水３６によっ
て冷却される。反応室２０は、好ましくは、排出部３８
が設けられ、ダイヤモンド堆積処理中において低い真空
程度に保持される。
プラズマジェットＣＶＤ装置１０は、全体として、エン
ジン１２と、炭化水素ガス噴射ディスク１４と、プラズ
マジェット散布頭部（ノズル）１６と、基質保持部１８
と、反応室２０とを有している。このエンジン１２は、
好ましくは、アークジェットエンジンであり、横方向の
水素ガス入口２２と、陰極２４と、エンジン壁２６と、
エンジン壁上の絶縁内張り２８と、陽極３０とを有して
いる。炭化水素ガス噴射ディスク１４には、ガス供給部
３２とガス噴射ポート３４とが設けられている。ノズル
１６は、反応室２０内の基質保持部１８へ向けられてい
る。基質保持部１８は、好ましくは、冷却水３６によっ
て冷却される。反応室２０は、好ましくは、排出部３８
が設けられ、ダイヤモンド堆積処理中において低い真空
程度に保持される。
【００１８】本発明の第一実施形態によれば、ノズルの
内側表面１７は、銅、鉄、シリコン、又はホウ素のよう
な固体添加物で被覆されている。本実施形態によれば、
この被覆は、銅を含むワイヤブラシでノズル１６の内側
表面１７をブラシかけするような、又は、電気メッキす
るような、又は、ＰＶＤ又はＣＶＤによるような、又
は、任意の薄いフィルムによるような幾つかの異なる方
法で実現されて良い。内側表面１７が固体非粉末形状に
被覆されて、基質４０は基質保持部１８に設置され、反
応室２０は排気され、陰極２４及び陽極３０は電圧印加
され、水素が入口２２を介して供給され、メタンがガス
供給部３２を介して供給され、基質保持部１８は冷却水
３６によって冷却される。陰極２４と陽極３０との間の
放電アークは、水素の温度をプラズマ状態へ上昇させ、
その結果として、水素は、メタンと混合され、ノズル１
６を通る水素元素及び炭素元素の流れがノズルの内側表
面１７上の被覆を蒸発させるようにメタンを分解する。
炭素元素及び蒸発した添加物は、最後に、基質４０へ衝
突し、ダイヤモンドフィルム４２を形成する。ダイヤモ
ンドフィルム４２は、同じ処理であるが添加物がノズル
の内側に被覆されていない場合により形成されたダイヤ
モンドフィルムより３から５の大きさの単位の高い導電
性を有している。この高められた導電性は、ダイヤモン
ドがＥＤＭ処理によって加工可能とすることを見い出
す。
内側表面１７は、銅、鉄、シリコン、又はホウ素のよう
な固体添加物で被覆されている。本実施形態によれば、
この被覆は、銅を含むワイヤブラシでノズル１６の内側
表面１７をブラシかけするような、又は、電気メッキす
るような、又は、ＰＶＤ又はＣＶＤによるような、又
は、任意の薄いフィルムによるような幾つかの異なる方
法で実現されて良い。内側表面１７が固体非粉末形状に
被覆されて、基質４０は基質保持部１８に設置され、反
応室２０は排気され、陰極２４及び陽極３０は電圧印加
され、水素が入口２２を介して供給され、メタンがガス
供給部３２を介して供給され、基質保持部１８は冷却水
３６によって冷却される。陰極２４と陽極３０との間の
放電アークは、水素の温度をプラズマ状態へ上昇させ、
その結果として、水素は、メタンと混合され、ノズル１
６を通る水素元素及び炭素元素の流れがノズルの内側表
面１７上の被覆を蒸発させるようにメタンを分解する。
炭素元素及び蒸発した添加物は、最後に、基質４０へ衝
突し、ダイヤモンドフィルム４２を形成する。ダイヤモ
ンドフィルム４２は、同じ処理であるが添加物がノズル
の内側に被覆されていない場合により形成されたダイヤ
モンドフィルムより３から５の大きさの単位の高い導電
性を有している。この高められた導電性は、ダイヤモン
ドがＥＤＭ処理によって加工可能とすることを見い出
す。
【００１９】図２へ目を向けると、本発明の第二実施形
態によって、筒状銅製内張り１９がノズル１６’の内側
に配置され、それにより、この内張りは、ノズルの内側
表面１７’によって収納されて支持される。本発明の方
法及び装置は、図１を参照して述べたものとは異なって
いる。結果としてもたらされるダイヤモンドの導電性
は、添加物無しに形成されたダイヤモンドより大きさの
単位が大きく、銅製内張りの表面積によって決定される
ことは明らかである。
態によって、筒状銅製内張り１９がノズル１６’の内側
に配置され、それにより、この内張りは、ノズルの内側
表面１７’によって収納されて支持される。本発明の方
法及び装置は、図１を参照して述べたものとは異なって
いる。結果としてもたらされるダイヤモンドの導電性
は、添加物無しに形成されたダイヤモンドより大きさの
単位が大きく、銅製内張りの表面積によって決定される
ことは明らかである。
【００２０】本発明によって、ＥＤＭ加工を促進するた
めに、結果としてもたらされるダイヤモンドは、少なく
とも０．０１（Ωｃｍ）-1及び好ましくは１．０（Ωｃ
ｍ） -1の導電性を有していなければならない。従って、
約０．０１（Ωｃｍ）-1の導電性を有するダイヤモンド
を製造するために、５ｃｍ2 の表面積を有する銅製内張
りが、プラズマジェット装置のノズル内に配置される。
ダイヤモンドは、圧力、電力、温度、及びガス組成（ノ
ズルの詳細と共にこれらの因子は、結果物に影響を与え
るが、経験的に調整可能である）の標準状態において基
質上に堆積する。この結果としてもたらされるダイヤモ
ンドは、約０．０１（Ωｃｍ）-1の導電性を有してい
る。
めに、結果としてもたらされるダイヤモンドは、少なく
とも０．０１（Ωｃｍ）-1及び好ましくは１．０（Ωｃ
ｍ） -1の導電性を有していなければならない。従って、
約０．０１（Ωｃｍ）-1の導電性を有するダイヤモンド
を製造するために、５ｃｍ2 の表面積を有する銅製内張
りが、プラズマジェット装置のノズル内に配置される。
ダイヤモンドは、圧力、電力、温度、及びガス組成（ノ
ズルの詳細と共にこれらの因子は、結果物に影響を与え
るが、経験的に調整可能である）の標準状態において基
質上に堆積する。この結果としてもたらされるダイヤモ
ンドは、約０．０１（Ωｃｍ）-1の導電性を有してい
る。
【００２１】約０．１（Ωｃｍ）-1の導電性を有するダ
イヤモンドを製造するために、５０ｃｍ2 の表面積を有
する銅製内張りが、プラズマジェット装置のノズル内に
配置される。ダイヤモンドは、圧力、電力、温度、及び
ガス組成（経験的に調整可能である）の標準状態におい
て基質上に堆積する。この結果としてもたらされるダイ
ヤモンドは、約０．１（Ωｃｍ）-1の導電性を有してい
る。
イヤモンドを製造するために、５０ｃｍ2 の表面積を有
する銅製内張りが、プラズマジェット装置のノズル内に
配置される。ダイヤモンドは、圧力、電力、温度、及び
ガス組成（経験的に調整可能である）の標準状態におい
て基質上に堆積する。この結果としてもたらされるダイ
ヤモンドは、約０．１（Ωｃｍ）-1の導電性を有してい
る。
【００２２】約１．０（Ωｃｍ）-1の導電性を有するダ
イヤモンドを製造するために、５００ｃｍ2 の表面積を
有する銅製内張りが、プラズマジェット装置のノズル内
に配置される。ダイヤモンドは、圧力、電力、温度、及
びガス組成（経験的に調整可能である）の標準状態にお
いて基質上に堆積する。この結果としてもたらされるダ
イヤモンドは、約１．０（Ωｃｍ）-1の導電性を有して
いる。
イヤモンドを製造するために、５００ｃｍ2 の表面積を
有する銅製内張りが、プラズマジェット装置のノズル内
に配置される。ダイヤモンドは、圧力、電力、温度、及
びガス組成（経験的に調整可能である）の標準状態にお
いて基質上に堆積する。この結果としてもたらされるダ
イヤモンドは、約１．０（Ωｃｍ）-1の導電性を有して
いる。
【００２３】ここに、ＣＶＤダイヤモンドの元の場所で
の固体状態ドーピングのための方法及び装置と、それに
より製造されるダイヤモンドとの幾つかの実施形態を説
明及び図示した。本発明の特定実施形態が説明された
が、本発明がこれに限定されることは意図されておら
ず、本発明は、本技術が許容する広い範囲であり、明細
書はそのように読まれることが意図されている。こうし
て、特定の添加物が開示されているが、他の添加物が本
発明の方法に使用可能であることは明らかである。さら
に、筒状の固体添加物が図示されているが、他の形状の
固体添加物が、同様の結果物を得るために使用可能であ
ると認められる。さらに、プラズマジェット装置に関し
ての特定形状が開示されているが、本発明の方法が他の
ＣＶＤ装置で使用可能であることは明らかである。それ
により、他の変更が、請求の範囲の精神及び範囲から逸
脱することなく、提供された本発明に成すことが可能で
あることは、当業者によって明らかである。
の固体状態ドーピングのための方法及び装置と、それに
より製造されるダイヤモンドとの幾つかの実施形態を説
明及び図示した。本発明の特定実施形態が説明された
が、本発明がこれに限定されることは意図されておら
ず、本発明は、本技術が許容する広い範囲であり、明細
書はそのように読まれることが意図されている。こうし
て、特定の添加物が開示されているが、他の添加物が本
発明の方法に使用可能であることは明らかである。さら
に、筒状の固体添加物が図示されているが、他の形状の
固体添加物が、同様の結果物を得るために使用可能であ
ると認められる。さらに、プラズマジェット装置に関し
ての特定形状が開示されているが、本発明の方法が他の
ＣＶＤ装置で使用可能であることは明らかである。それ
により、他の変更が、請求の範囲の精神及び範囲から逸
脱することなく、提供された本発明に成すことが可能で
あることは、当業者によって明らかである。
【図１】本発明の第一実施形態の装置の一部における断
面概略図である。
面概略図である。
【図２】本発明の第二実施形態の装置の一部における断
面概略図である。
面概略図である。
１６…ノズル ４０…基質 ４２…ダイヤモンド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン エル．ユスシンスキー アメリカ合衆国，マサチューセッツ 01570，ウェブスター，キルディアー ア イランド ロード 142
Claims (8)
- 【請求項１】 ドーピングダイヤモンドの製造方法であ
って、 プラズマジェット反応装置のノズルの下側に基質を配置
する段階と、 高められた導電性を前記ダイヤモンドへもたらすために
選択された非粉末固体添加物を、前記基質と前記プラズ
マジェット反応装置との間に配置する段階と、 アークジェットを実現する段階と、 前記基質上にダイヤモンドを堆積させるために必要な反
応化学物質を前記アークジェットへ供給する段階と、 所望厚さのダイヤモンドが前記基質上に堆積するまで前
記化学物質を供給し続ける段階とを有するドーピングダ
イヤモンドの製造方法。 - 【請求項２】 前記非粉末固体添加物は、銅、シリコ
ン、及び、ホウ素から成る一団から選択される請求項１
に記載の製造方法。 - 【請求項３】 前記非粉末固体添加物は、５から５００
ｃｍ2 の間の表面積を有する請求項１に記載の製造方
法。 - 【請求項４】 所望厚さの前記ダイヤモンドを放電削り
又は放電加工する段階を有する請求項１に記載の製造方
法。 - 【請求項５】 ドーピングダイヤモンドの製造装置であ
って、 ノズルを有するプラズマジェット反応装置と、 前記ノズルの下側に位置する反応室と、 前記反応室と前記ノズルとの間に配置された非粉末固体
添加物とを具備するドーピングダイヤモンドの製造装
置。 - 【請求項６】 前記ノズルは内側表面を有し、前記非粉
末固体添加物は前記内側表面に配置される請求項５に記
載の製造装置。 - 【請求項７】 ノズル及び堆積基質と、前記ノズルと前
記堆積基質との間に配置された非粉末固体添加物とを有
するＣＶＤ装置において、ＣＶＤ反応化学物質と前記粉
末固体添加物とが前記堆積基質上に堆積し、前記ＣＶＤ
装置を使用する方法によって製造されたダイヤモンドフ
ィルムから成る導電性のドーピングダイヤモンド。 - 【請求項８】 前記非粉末固体添加物は、前記ノズルの
内側表面に配置される請求項７に記載のドーピングダイ
ヤモンド。
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|---|---|---|---|
| US09/334305 | 1999-06-16 | ||
| US09/334,305 US6274837B1 (en) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | Method and apparatus for in-situ solid state doping of CVD diamonds and diamonds so made |
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|---|---|
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| EP (1) | EP1061154A1 (ja) |
| JP (1) | JP2001026498A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US3697721A (en) * | 1971-01-08 | 1972-10-10 | Air Prod & Chem | Pyrolytic graphite nozzles and guide tubes for welding torches |
| US4228142A (en) * | 1979-08-31 | 1980-10-14 | Holcombe Cressie E Jun | Process for producing diamond-like carbon |
| US5094878A (en) * | 1989-06-21 | 1992-03-10 | Nippon Soken, Inc. | Process for forming diamond film |
| JPH03163820A (ja) | 1989-11-22 | 1991-07-15 | Tokai Univ | ダイヤモンドｎ型半導体およびダイヤモンドｐ―ｎ接合ダイオードの製造方法 |
| JPH0649634B2 (ja) * | 1990-03-26 | 1994-06-29 | 工業技術院長 | 水素プラズマジェットを用いた六方晶ダイヤモンドの合成法 |
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| US5260106A (en) | 1990-08-03 | 1993-11-09 | Fujitsu Limited | Method for forming diamond films by plasma jet CVD |
| US5204145A (en) * | 1991-03-04 | 1993-04-20 | General Electric Company | Apparatus for producing diamonds by chemical vapor deposition and articles produced therefrom |
| US5698328A (en) * | 1994-04-06 | 1997-12-16 | The Regents Of The University Of California | Diamond thin film electron emitter |
| JPH09501612A (ja) * | 1994-04-08 | 1997-02-18 | マーク エー． レイ， | 選択的プラズマ成長 |
| FR2727433B1 (fr) * | 1994-11-30 | 1997-01-03 | Kodak Pathe | Procede pour la fabrication de couches de diamant dope au bore |
| US5686152A (en) | 1995-08-03 | 1997-11-11 | Johnson; Linda F. | Metal initiated nucleation of diamond |
| JPH09260364A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
-
1999
- 1999-06-16 US US09/334,305 patent/US6274837B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
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- 2000-05-11 EP EP00109985A patent/EP1061154A1/en not_active Withdrawn
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