JP2001024031A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JP2001024031A
JP2001024031A JP19522399A JP19522399A JP2001024031A JP 2001024031 A JP2001024031 A JP 2001024031A JP 19522399 A JP19522399 A JP 19522399A JP 19522399 A JP19522399 A JP 19522399A JP 2001024031 A JP2001024031 A JP 2001024031A
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electrode
substrate
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Mitsunori Ishizaki
光範 石崎
Tsuneo Hamaguchi
恒夫 濱口
Yoichi Kitamura
洋一 北村
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Mitsubishi Electric Corp
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    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 極めて小さな半導体素子でも不具合なしに接
合ヘッドに固定し、高い歩留りで半導体装置を製造でき
る半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 電極が複数形成された面の裏面に金属層
を形成した第１の電子部品と、表面に金属層を形成した
仮固定基板とを加熱した状態で押しつけて、前記第１の
電子部品の金属層と前記基板の金属層とを接合する工程
と、前記第１の電子部品の複数の電極に対応する位置に
複数の金属の突起電極を有する第２の電子部品の突起電
極と前記電極とが対向するように位置決めをする位置決
め工程と、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品と
を加熱しながら押しつけて、前記電極と前記突起電極と
を接合する工程と、前記第１の電子部品に形成した金属
層と前記基板表面の金属層との接合部を分離する工程を
有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子または配
線基板に突起電極を形成し、突起電極を介して半導体素
子と配線板とを接続して構成される半導体装置の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】配線板に多端子で狭ピッチの電極を有す
る半導体素子を高密度に実装する手法としてフリップチ
ップ法がよく用いられる。図１９〜２０は従来のフリッ
プチップ法による半導体装置の製造方法を示した図であ
り、たとえば”超音波併用熱圧着によるフリップチップ
ボンディング”（富岡他、3rd Symposium on Microjoin
ing and Assembly Technology in Electronics, Februa
ry 6-7,1997,Yokohama,P9-14）に記載されている。
【０００３】図１９〜２０において、１０１は半導体素
子、１０１ａは半導体素子の電極、１０２は配線板、１
０２ａは配線板の電極、１０３は接合ヘッド、１０３ａ
は接合ヘッドの真空吸引孔、１０４は配線板保持ステー
ジ、１０４ａは配線板保持ステージの真空吸引孔、１０
５は半導体素子の電極上に形成された突起電極、１０６
は超音波振動である。
【０００４】図１９は接合ヘッド１０３の真空吸引孔１
０３ａで半導体素子１０１を真空吸引し、固定した状態
で、半導体素子１０１の突起電極１０５と配線板１０２
の電極１０２ａとを位置合せした状態、図２０（ａ）は
加熱した半導体素子１０１を配線板１０２に押しつける
とともに、半導体素子１０１に超音波振動１０６を加
え、突起電極１０５と配線板１０２の電極１０２ａとを
接合した状態、図２０（ｂ）は接合ヘッド１０３の真空
吸引を停止して、接合ヘッド１０３を上方に移動させた
状態を示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図１９〜２０に示され
る半導体装置の製造方法には、つぎのような問題があ
る。
【０００６】外形が０．２５ｍｍ×０．２５ｍｍを下回
るような極めて小さい半導体素子を用いる場合、接合ヘ
ッドの真空吸引孔を半導体素子の外形に対して充分に小
さくしておかなければ、半導体素子を接合ヘッドに真空
吸引する際、図２１に示すように半導体素子１０１が真
空吸引孔１０３ａに落ち込むという問題がある。たとえ
ば、このような問題を解決するために、接合ヘッドの真
空吸引孔を充分小さくすると、吸引力不足による半導体
素子の接合ヘッドへの吸引固定の失敗や、吸引固定後の
ヘッド移動時、または接合時に半導体素子の位置ずれや
脱落が生じて製造歩留りが低下するという問題が発生す
る。
【０００７】本発明は前記のような課題を解決するため
になされたもので、極めて小さな半導体素子でも不具合
なしに接合ヘッドに固定し、高い歩留りで半導体装置を
製造できる半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１にかか
わる半導体装置の製造方法は、電極が複数形成された面
の裏面に金属層を形成した第１の電子部品と、表面に金
属層を形成した仮固定基板とを加熱した状態で押しつけ
て、前記第１の電子部品の金属層と前記基板の金属層と
を接合する工程と、前記第１の電子部品の複数の電極に
対応する位置に複数の金属の突起電極を有する第２の電
子部品の突起電極と前記電極とが対向するように位置決
めをする位置決め工程と、前記第１の電子部品と前記第
２の電子部品とを加熱しながら押しつけて、前記電極と
前記突起電極とを接合する工程と、前記第１の電子部品
に形成した金属層と前記基板表面の金属層との接合部を
分離する工程を有することを特徴とする。
【０００９】本発明の請求項２にかかわる半導体装置の
製造方法は、電極上に金属の突起電極が複数形成された
面の裏面に金属層を形成した第１の電子部品と、表面に
金属層を形成した仮固定基板とを加熱した状態で押しつ
けて、前記第１の電子部品の金属層と前記基板の金属層
とを接合する工程と、前記第１の電子部品の突起電極に
対応する位置に複数の電極を有する第２の電子部品の電
極と前記突起電極とが対向するように位置決めをする位
置決め工程と、前記第１の電子部品と前記第２の電子部
品とを加熱しながら押しつけて、前記突起電極と前記電
極とを接合する工程と、前記第１の電子部品に形成した
金属層と前記基板表面の金属層との接合部を分離する工
程を有することを特徴とする。
【００１０】本発明の請求項３にかかわる半導体装置の
製造方法は、請求項１または２記載の半導体装置の製造
方法において、前記突起電極に対応する位置にある前記
電極上に金属の突起電極を形成することを特徴とする。
【００１１】本発明の請求項４にかかわる半導体装置の
製造方法は、請求項１または２記載の半導体装置の製造
方法において、前記突起電極に対応する位置にある前記
電極上にはんだを形成することを特徴とする。
【００１２】本発明の請求項５にかかわる半導体装置の
製造方法は、請求項１または２記載の半導体装置の製造
方法において、前記突起電極ははんだであることを特徴
とする。
【００１３】本発明の請求項６にかかわる半導体装置の
製造方法は、請求項１または２記載の半導体装置の製造
方法において、前記第１の電子部品と前記第２の電子部
品とを加熱しながら押しつける際に、前記第１の電子部
品か前記第２の電子部品のうち、いずれかに超音波振動
を印加することを特徴とする。
【００１４】本発明の請求項７にかかわる半導体装置の
製造方法は、電極が複数形成された面の裏面に金属層を
形成した第１の電子部品と、表面に金属層を形成した仮
固定基板とを加熱した状態で押しつけて、前記第１の電
子部品の金属層と前記基板の金属層とを接合する工程
と、前記第１の電子部品の複数の電極に対応する位置に
複数の金属の突起電極を有する第２の電子部品上に異方
性導電接着材を形成する工程と、前記第１の電子部品の
複数の電極に対応する位置に複数の金属の突起電極を有
する第２の電子部品の突起電極と前記電極とが対向する
ように位置決めをする位置決め工程と、前記第１の電子
部品と前記第２の電子部品とを加熱しながら押しつけ
て、前記電極と前記突起電極とを接合するとともに前記
異方性導電接着材を硬化させる工程と、前記第１の電子
部品に形成した金属層と前記基板表面の金属層との接合
部を分離する工程を有することを特徴とする。
【００１５】本発明の請求項８にかかわる半導体装置の
製造方法は、電極上に金属の突起電極が複数形成された
面の裏面に金属層を形成した第１の電子部品と、表面に
金属層を形成した仮固定基板とを加熱した状態で押しつ
けて、前記第１の電子部品の金属層と前記基板の金属層
とを接合する工程と、前記第１の電子部品の複数の電極
に対応する位置に複数の金属の突起電極を有する第２の
電子部品上に異方性導電接着材を形成する工程と、前記
第１の電子部品の突起電極に対応する位置に複数の電極
を有する第２の電子部品の電極と前記突起電極とが対向
するように位置決めをする位置決め工程と、前記第１の
電子部品と前記第２の電子部品とを加熱しながら押しつ
けて、前記突起電極と前記電極とを接合するとともに前
記異方性導電接着材を硬化させる工程と、前記第１の電
子部品に形成した金属層と前記基板表面の金属層との接
合部を分離することを特徴とする。
【００１６】本発明の請求項９にかかわる半導体装置の
製造方法は、電極が複数形成された面の裏面に金属層を
形成した第１の電子部品と、表面に金属層を形成した仮
固定基板とを加熱した状態で押しつけて、前記第１の電
子部品の金属層と前記基板の金属層とを接合する工程
と、前記第１の電子部品の複数の電極に対応する位置に
複数の金属の突起電極を有する第２の電子部品上に熱硬
化型樹脂を形成する工程と、前記第１の電子部品の複数
の電極に対応する位置に複数の金属の突起電極を有する
第２の電子部品の突起電極と前記電極とが対向するよう
に位置決めをする位置決め工程と、前記第１の電子部品
と前記第２の電子部品とを加熱しながら押しつけて、前
記電極と前記突起電極とを接合するとともに前記熱硬化
型樹脂を硬化させる工程と、前記第１の電子部品に形成
した金属層と前記基板表面の金属層との接合部を分離す
る工程を有することを特徴とする。
【００１７】本発明の請求項１０にかかわる半導体装置
の製造方法は、電極上に金属の突起電極が複数形成され
た面の裏面に金属層を形成した第１の電子部品と、表面
に金属層を形成した仮固定基板とを加熱した状態で押し
つけて、前記第１の電子部品の金属層と前記基板の金属
層とを接合する工程と、前記第１の電子部品の複数の電
極に対応する位置に複数の金属の突起電極を有する第２
の電子部品上に熱硬化型樹脂を形成する工程と、前記第
１の電子部品の突起電極に対応する位置に複数の電極を
有する第２の電子部品の電極と前記突起電極とが対向す
るように位置決めをする位置決め工程と、前記第１の電
子部品と前記第２の電子部品とを加熱しながら押しつけ
て、前記突起電極と前記電極とを接合するとともに前記
熱硬化型樹脂を硬化させる工程と、前記第１の電子部品
に形成した金属層と前記基板表面の金属層との接合部を
分離する工程を有することを特徴とする。
【００１８】本発明の請求項１１にかかわる半導体装置
の製造方法は、請求項９または１０記載の半導体装置の
製造方法において、熱硬化型樹脂はＢステージ状フィル
ムであることを特徴とする。
【００１９】本発明の請求項１２にかかわる半導体装置
の製造方法は、電極が複数形成された面の裏面に金属層
を形成した第１の電子部品と、表面に金属層を形成した
仮固定基板とを加熱した状態で押しつけて、前記第１の
電子部品の金属層と前記基板の金属層とを接合する工程
と、前記第１の電子部品の複数の電極に対応する位置に
複数の金属の突起電極を有する第２の電子部品の突起電
極と前記電極とが対向するように位置決めをする位置決
め工程と、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品と
を加熱しながら押しつけて、前記電極と前記突起電極と
を接合する工程を有することを特徴とする。
【００２０】本発明の請求項１３にかかわる半導体装置
の製造方法は、電極上に金属の突起電極が複数形成され
た面の裏面に金属層を形成した第１の電子部品と、表面
に金属層を形成した仮固定基板とを加熱した状態で押し
つけて、前記第１の電子部品の金属層と前記基板の金属
層とを接合する工程と、前記第１の電子部品の突起電極
に対応する位置に複数の電極を有する第２の電子部品の
電極と前記突起電極とが対向するように位置決めをする
位置決め工程と、前記第１の電子部品と前記第２の電子
部品とを加熱しながら押しつけて、前記突起電極と前記
電極とを接合する工程を有することを特徴とする。
【００２１】本発明の請求項１４にかかわる半導体装置
の製造方法は、請求項１２または１３記載の半導体装置
の製造方法において、前記突起電極に対応する位置にあ
る前記電極上に金属の突起電極を形成することを特徴と
する。
【００２２】本発明の請求項１５にかかわる半導体装置
の製造方法は、請求項１２または１３記載の半導体装置
の製造方法において、前記突起電極に対応する位置にあ
る前記電極上にはんだを形成することを特徴とする。
【００２３】本発明の請求項１６にかかわる半導体装置
の製造方法は、請求項１２または１３記載の半導体装置
の製造方法において、前記突起電極ははんだであること
を特徴とする。
【００２４】本発明の請求項１７にかかわる半導体装置
の製造方法は、請求項１２または１３記載の半導体装置
の製造方法において、前記第１の電子部品と前記第２の
電子部品とを加熱しながら押しつける際に、前記第１の
電子部品か前記第２の電子部品のうち、いずれかに超音
波振動を印加することを特徴とする。
【００２５】本発明の請求項１８にかかわる半導体装置
の製造方法は、電極が複数形成された面の裏面に金属層
を形成した第１の電子部品と、表面に金属層を形成した
仮固定基板とを加熱した状態で押しつけて、前記第１の
電子部品の金属層と前記基板の金属層とを接合する工程
と、前記第１の電子部品の複数の電極に対応する位置に
複数の金属の突起電極を有する第２の電子部品上に異方
性導電接着材を形成する工程と、前記第１の電子部品の
複数の電極に対応する位置に複数の金属の突起電極を有
する第２の電子部品の突起電極と前記電極とが対向する
ように位置決めをする位置決め工程と、前記第１の電子
部品と前記第２の電子部品とを加熱しながら押しつけ
て、前記電極と前記突起電極とを接合するとともに前記
異方性導電接着材を硬化させる工程を有することを特徴
とする。
【００２６】本発明の請求項１９にかかわる半導体装置
の製造方法は、電極上に金属の突起電極が複数形成され
た面の裏面に金属層を形成した第１の電子部品と、表面
に金属層を形成した仮固定基板とを加熱した状態で押し
つけて、前記第１の電子部品の金属層と前記基板の金属
層とを接合する工程と、前記第１の電子部品の複数の電
極に対応する位置に複数の金属の突起電極を有する第２
の電子部品上に異方性導電接着材を形成する工程と、前
記第１の電子部品の突起電極に対応する位置に複数の電
極を有する第２の電子部品の電極と前記突起電極とが対
向するように位置決めをする位置決め工程と、前記第１
の電子部品と前記第２の電子部品とを加熱しながら押し
つけて、前記突起電極と前記電極とを接合するとともに
前記異方性導電接着材を硬化させる工程を有することを
特徴とする。
【００２７】本発明の請求項２０にかかわる半導体装置
の製造方法は、電極が複数形成された面の裏面に金属層
を形成した第１の電子部品と、表面に金属層を形成した
仮固定基板とを加熱した状態で押しつけて、前記第１の
電子部品の金属層と前記基板の金属層とを接合する工程
と、前記第１の電子部品の複数の電極に対応する位置に
複数の金属の突起電極を有する第２の電子部品上に熱硬
化型樹脂を形成する工程と、前記第１の電子部品の複数
の電極に対応する位置に複数の金属の突起電極を有する
第２の電子部品の突起電極と前記電極とが対向するよう
に位置決めをする位置決め工程と、前記第１の電子部品
と前記第２の電子部品とを加熱しながら押しつけて、前
記電極と前記突起電極とを接合するとともに前記熱硬化
型樹脂を硬化させる工程を有することを特徴とする。
【００２８】本発明の請求項２１にかかわる半導体装置
の製造方法は、電極上に金属の突起電極が複数形成され
た面の裏面に金属層を形成した第１の電子部品と、表面
に金属層を形成した仮固定基板とを加熱した状態で押し
つけて、前記第１の電子部品の金属層と前記基板の金属
層とを接合する工程と、前記第１の電子部品の複数の電
極に対応する位置に複数の金属の突起電極を有する第２
の電子部品上に熱硬化型樹脂を形成する工程と、前記第
１の電子部品の突起電極に対応する位置に複数の電極を
有する第２の電子部品の電極と前記突起電極とが対向す
るように位置決めをする位置決め工程と、前記第１の電
子部品と前記第２の電子部品とを加熱しながら押しつけ
て、前記突起電極と前記電極とを接合するとともに前記
熱硬化型樹脂を硬化させる工程を有することを特徴とす
る。
【００２９】本発明の請求項２２にかかわる半導体装置
の製造方法は、請求項１８、１９、２０または２１記載
の半導体装置の製造方法において、熱硬化型樹脂はＢス
テージ状フィルムであることを特徴とする。
【００３０】本発明の請求項２３にかかわる半導体装置
の製造方法は、請求項１、２、７、８、９、１０、１
２、１３、１８、１９、２０または２１記載の半導体装
置の製造方法において、第１の電子部品および第２の電
子部品に形成する突起電極が金であることを特徴とす
る。
【００３１】本発明の請求項２４にかかわる半導体装置
の製造方法は、請求項１、２、７、８、９、１０、１
２、１３、１８、１９、２０または２１記載の半導体装
置の製造方法において、第１の電子部品に形成する金属
層および前記基板表面に形成する金属層が金であること
を特徴とする。
【００３２】本発明の請求項２５にかかわる半導体装置
の製造方法は、請求項１、２、７、８、９、１０、１
２、１３、１８、１９、２０または２１記載の半導体装
置の製造方法において、第１の電子部品に形成する金属
層および前記基板表面に形成する金属層の少なくともい
ずれか一方がはんだであることを特徴とする。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
の半導体装置の製造方法を説明する。
【００３４】実施の形態１ 図１〜２は本発明の実施の形態１にかかわる半導体装置
の製造方法を示す図であり、図１〜２において、１は第
１の電子部品、１ａは第１の電子部品１上の電極、１ｃ
は第１の電子部品１の裏面に形成した金属層、２は第２
の電子部品、２ａは第２の電子部品２上の電極、３は接
合ヘッド、３ａは接合ヘッド３の真空吸引孔、４は接合
ステージ、４ａは接合ステージ４の真空吸引孔、５は金
属の突起電極、７は第１の電子部品１の仮固定基板７ａ
は仮固定基板７に形成した金属層、８は表面が平滑な仮
固定ステージである。
【００３５】図１（ａ）は仮固定基板７を加熱しなが
ら、第１の電子部品１に押しつけ、仮固定基板７に形成
した金属層７ａと第１の電子部品１の裏面に形成した金
属層１ｃとを接合した状態を示す。仮固定基板７には、
たとえばセラミックやガラスやＳｉなどの非金属板また
はＣｕやＡｌなどのような金属板を用いることができ
る。また第１の電子部品１や仮固定基板７に形成する金
属層には、たとえば金や錫と鉛の合金または錫と銀の合
金よりなるはんだなどを用いることができる。
【００３６】本実施の形態では、裏面に厚さ２μｍの金
層を形成した外形０．２５ｍｍ×０．２５ｍｍのＧａＡ
ｓ半導体素子を裏面を上に向けて２００℃に加熱したＳ
ｉ板上に設置し、表面に厚さ１μｍの金層を形成した厚
さ０．２ｍｍのアルミナ基板を金層が下向きとなるよう
に、２５０℃に加熱した接合ヘッド３に真空吸引して、
１００ｇの荷重で２０〜３０秒間押し付けることによっ
て、ＧａＡｓ半導体素子の金層とアルミナ基板の金層と
を接合した。
【００３７】図１（ｂ）は第１の電子部品１上の電極１
ａと第２の電子部品２上の電極２ａに形成した突起電極
５とを位置合わせした状態を示す。本実施の形態では、
第２の電子部品２にはアルミナの配線板を用いたが、ガ
ラスセラミックスなどのセラミックスやガラスの配線板
でもよい。また、アルミナの配線板上の突起電極５は、
直径２０μｍの金ワイヤの先端を放電によって溶融およ
び凝固させ、直径約５５μｍの球を形成させたのち、ア
ルミナ配線板を２７０℃に加熱した状態で、金球を０．
２ｗの超音波を印加しながら３５ｇの荷重で２５ｍｓ間
押しつけて、金球とアルミナ配線板の電極２ａとを接合
し、金球と金ワイヤとの境界付近で金ワイヤを切断する
ことによって総数６個形成したが、突起電極５はめっき
や蒸着などで形成してもよい。
【００３８】図２（ａ）は第１の電子部品１と第２の電
子部品２とを加熱した状態で押しつけ、第１の電子部品
１上の電極１ａと第２の電子部品２上の電極２ａに形成
した突起電極５とを接合した状態を示す。接合ヘッド３
に容易に吸引と、固定できる大きさの仮固定基板７に第
１の電子部品１を仮固定したのち、第２の電子部品２と
の接合を行なうため、第１の電子部品１が極めて小さい
場合でも高い歩留りで半導体装置を製造することができ
る。本実施の形態では、接合ステージ４を１００℃に加
熱するとともに接合ヘッド３を３００℃に加熱し、４０
０ｇの荷重で２０〜３０秒押しつけて厚さ４μｍのＧａ
Ａｓ半導体素子の金電極１ａとアルミナ配線板の電極２
ａ上の金の突起電極５とを接合した。接合ヘッド３の温
度は３００℃と高温であるため、ＧａＡｓ半導体素子の
電極１ａとアルミナ基板上の突起電極５とは強固に接合
されるが、接合ステージ４の温度は１００℃と低いた
め、接合時にＧａＡｓ半導体素子の裏面の金層と仮固定
基板７の金層との接合強度は上昇しない。なお、加圧時
に、同時に超音波振動を印加すれば、より短時間での接
合が可能となる。
【００３９】図２（ｂ）は接合ヘッド３の真空吸引を維
持したまま、接合ヘッド３を上方に移動させ、第１の電
子部品１と仮固定基板７とを分離した状態を示す。本実
施の形態では、ＧａＡｓ半導体素子の電極１ａとアルミ
ナ基板上の突起電極５との接合強度に比べ、ＧａＡｓ半
導体素子の裏面の金層と仮固定基板７の金層との接合強
度が極めて低いため、ＧａＡｓ半導体素子の電極１ａと
アルミナ基板上の突起電極５との接合部を破壊すること
なく、ＧａＡｓ半導体素子と仮固定基板７との分離は容
易に行なわれる。
【００４０】実施の形態２ 図３〜４は本発明の実施の形態２による半導体装置の製
造方法を示す図であり、図３〜４中の記号は図１〜２と
同じである。
【００４１】図３（ａ）は仮固定基板７を加熱しながら
第１の電子部品１に押しつけ、仮固定基板７に形成した
金属層７ａと第１の電子部品１の裏面に形成した金属層
１ｃとを接合した状態を示す。仮固定基板７には、たと
えばセラミックやガラスやＳｉなどの非金属板またはＣ
ｕやＡｌなどのような金属板を用いることができる。ま
た第１の電子部品１や仮固定基板７に形成する金属層に
は、たとえば金や錫と鉛の合金または錫と銀の合金より
なるはんだなどを用いることができる。
【００４２】本実施の形態では、第１の電子部品１であ
る外形０．２５ｍｍ×０．２５ｍｍのＧａＡｓ半導体素
子上の電極１ａにめっきによって高さ約２０μｍの金の
突起電極５を形成することにより、ＧａＡｓ半導体素子
の裏面の金層とアルミナの仮固定基板７に形成した金層
とを接合する際、ＧａＡｓ半導体素子の能動面と仮固定
ステージ８とが直接接触しないため、ＧａＡｓ半導体素
子の能動面が破損するおそれがなくなる。金の突起電極
５は総数６個形成し、２００℃に加熱したＳｉ板上に設
置したＧａＡｓ半導体素子と２５０℃に加熱したアルミ
ナ基板とを１００ｇの荷重で２０〜３０秒間押し付ける
ことによって、ＧａＡｓ半導体素子に形成した金層とア
ルミナの仮固定基板７に形成した金層とを接合した。本
実施の形態とは別に突起電極５は蒸着でも形成可能であ
る。また、ＧａＡｓ半導体素子をウェハから切り出す前
に、金属ワイヤの先端を放電によって溶融および凝固さ
せて金属球を形成させたのち、金属球に超音波を印加し
ながらＧａＡｓ半導体素子上の電極１ａに押しつけて接
合し、金属球と金属ワイヤとの境界付近で金属ワイヤを
切断することによって突起電極５を形成してから、Ｇａ
Ａｓ半導体素子を素子ごとに分離しても突起電極付Ｇａ
Ａｓ半導体素子を得ることもできる。
【００４３】図３（ｂ）は第１の電子部品１の電極１ａ
上に形成した突起電極５と第２の電子部品２上の電極２
ａとを位置合わせした状態を示す。本実施の形態では第
２の電子部品２にはアルミナの配線板を用いたが、ガラ
スセラミックスなどのセラミックスやガラスの配線板で
もよい。
【００４４】図４（ａ）は第１の電子部品１と第２の電
子部品２とを加熱した状態で押しつけ、第１の電子部品
１の電極１ａ上の突起電極５と第２の電子部品２上の電
極２ａとを接合した状態を示す。本実施の形態では、接
合ステージ４を１００℃に加熱するとともに接合ヘッド
３を３００℃に加熱し、４００ｇの荷重で２０〜３０秒
押しつけてＧａＡｓ半導体素子の電極１ａ上の突起電極
５と表面に厚さ１μｍの金が形成されたアルミナ配線板
の電極２ａとを接合したが、その他、予めアルミナ配線
板上の電極２ａにも、たとえばめっきや蒸着または金属
ワイヤの先端を放電によって溶融および凝固させて金属
球を形成させたのち、金属球に超音波を印加しながらア
ルミナ配線板の電極２ａに押しつけて接合し、金属球と
金属ワイヤとの境界付近で金属ワイヤを切断することに
よって突起電極を形成しておき、ＧａＡｓ半導体素子の
電極１ａ上の突起電極５とアルミナ配線板の電極２ａ上
の突起電極とを接合すれば、接合後のＧａＡｓ半導体素
子とアルミナ配線板との隙間が大きくなり、両者の線膨
張係数の差によって接合部に生じる熱応力の緩和が増加
し、接続の信頼性が向上する。接合ヘッド３の温度は３
００℃と高温であるため、ＧａＡｓ半導体素子の突起電
極５とアルミナ基板上の電極２ａとは強固に接合される
が、接合ステージ４の温度は１００℃と低いため、接合
時にＧａＡｓ半導体素子裏面の金層と仮固定基板７の金
層との接合強度は上昇しない。なお、加圧時に、同時に
超音波振動を印加すれば、より短時間での接合が可能と
なる。
【００４５】図４（ｂ）は接合ヘッド３の真空吸引を維
持したまま、接合ヘッド３を上方に移動させ、第１の電
子部品１と仮固定基板７とを分離した状態を示す。本実
施の形態ではＧａＡｓ半導体素子の突起電極５とアルミ
ナ基板上の電極２ａとの接合強度に比べ、ＧａＡｓ半導
体素子裏面の金層と仮固定基板７の金層との接合強度が
極めて低いため、ＧａＡｓ半導体素子の突起電極５とア
ルミナ基板上の電極２ａとの接合部を破壊することな
く、ＧａＡｓ半導体素子と仮固定基板７との分離は容易
に行なわれる。
【００４６】実施の形態３ 図５〜６は本発明の実施の形態３による半導体装置の製
造方法を示す図であり、図５〜６において、９ははんだ
材であり、他の記号は図１〜２と同じである。
【００４７】図５（ａ）は仮固定基板７を加熱しながら
第１の電子部品１に押しつけ、仮固定基板７に形成した
金属層７ａと第１の電子部品１の裏面に形成した金属層
１ｃとを接合した状態を示す。仮固定基板７には、たと
えばセラミックやガラスやＳｉなどの非金属板またはＣ
ｕやＡｌなどのような金属板を用いることができる。ま
た第１の電子部品１や仮固定基板７に形成する金属層に
は、たとえば金や錫と鉛の合金または錫と銀の合金より
なるはんだなどを用いることができる。本実施の形態で
は、電極１ａ上にめっきによって高さ約２０μｍの金の
突起電極５を６個形成した外形０．２５ｍｍ×０．２５
ｍｍのＧａＡｓ半導体素子を２００℃に加熱したＳｉ板
上に設置し、２５０℃に加熱したアルミナの仮固定基板
７を１００ｇの荷重で２０〜３０秒間押し付けることに
よって、ＧａＡｓ半導体素子の裏面に形成した金層とア
ルミナの仮固定基板７に形成した金層とを接合した。本
実施の形態とは別に突起電極は蒸着でも形成可能であ
る。また、ＧａＡｓ半導体素子をウェハから切り出す前
に、金属ワイヤの先端を放電によって溶融および凝固さ
せて金属球を形成させたのち、金属球に超音波を印加し
ながらＧａＡｓ半導体素子上の電極に押しつけて接合
し、金属球と金属ワイヤとの境界付近で金属ワイヤを切
断することによって、突起電極を形成してから、ＧａＡ
ｓ半導体素子を素子ごとに分離しても突起電極付ＧａＡ
ｓ半導体素子を得ることもできる。
【００４８】図５（ｂ）は第１の電子部品１の電極１ａ
上に形成した突起電極５と第２の電子部品２上の電極２
ａとを位置合わせした状態を示す。本実施の形態では第
２の電子部品２にはアルミナの配線板を用いたが、ガラ
スセラミックスなどのセラミックスやガラスの配線板、
またはプリント配線板などの樹脂配線板を用いることも
可能である。
【００４９】図６（ａ）は第１の電子部品１と第２の電
子部品２とを加熱した状態で押しつけ、はんだ材９が溶
融して第１の電子部品１の電極１ａ上の突起電極５との
あいだにぬれが生じた状態を示す。はんだ材９の厚さが
突起電極５の高さのばらつきおよび第２の電子部品２の
うねりや凹凸による高さのばらつきを吸収し、突起電極
５が第２の電子部品２の電極２ａに接触できないために
生じるオープン不良を防止することができる。さらに、
低荷重で接合可能であるため、接合時の加圧による電子
部品の破損の危険も低下する。はんだ材９には錫、イン
ジウム、錫と鉛の合金、錫と銀の合金、金と錫の合金、
インジウムと鉛の合金、錫と鉛と銀の合金、錫と鉛とイ
ンジウムとの合金などを用いることができる。
【００５０】本実施の形態では、接合ステージ４を１０
０℃に加熱するとともに接合ヘッド３を２５０℃に加熱
し、４０〜６０ｇの荷重で１０〜２０秒押しつけてＧａ
Ａｓ半導体素子の電極１ａ上の突起電極５とアルミナ配
線板の電極２ａ上に形成した厚さ約１０μｍの錫と銀か
らなるはんだ材９とを接合した。接合時に接合部の周囲
をＮ2やＡｒなどの不活性気体で満たしてＯ2濃度を低減
すれば、突起電極５を押し付けることによって溶融した
はんだ材９の表面の酸化皮膜を破壊したのち、はんだ材
９が再び酸化することが防止でき、突起電極５とのぬれ
がより容易に達成できる。さらに、接合時に超音波を印
加すればはんだ材表面の酸化皮膜の除去が促進され、接
合強度が向上する。さらに、接合部に予めフラックスを
塗付しておいても同様の効果が得られる。また、本実施
の形態とは逆に、第１の電子部品１の電極１ａにはんだ
材を形成し、第２の電子部品２に突起電極を形成してお
いても同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００５１】図６（ｂ）ははんだ材９の温度を少なくと
もはんだ材９が凝固する温度以下としたのち、接合ヘッ
ド３の真空吸引を維持したまま、接合ヘッド３を上方に
移動させ、第１の電子部品１と仮固定基板７とを分離し
た状態を示す。本実施の形態ではＧａＡｓ半導体素子の
突起電極５とアルミナ基板上の電極２ａとの接合強度に
比べ、ＧａＡｓ半導体素子裏面の金層と仮固定基板７の
金層との接合強度が極めて低いため、ＧａＡｓ半導体素
子の電極１ａとアルミナ基板上の突起電極５との接合部
を破壊することなく、ＧａＡｓ半導体素子と仮固定基板
７との分離は容易に行なわれる。
【００５２】実施の形態４ 図７〜８は本発明の実施の形態４による半導体装置の製
造方法を示す図であり、図７〜８において、５ａははん
だ材で形成された突起電極であり、他の記号は図１〜２
と同じである。
【００５３】図７（ａ）は仮固定基板７を加熱しながら
第１の電子部品１に押しつけ、仮固定基板７に形成した
金属層７ａと第１の電子部品１の裏面に形成した金属層
１ｃとを接合した状態を示す。仮固定基板７には、たと
えばセラミックやガラスやＳｉなどの非金属板またはＣ
ｕやＡｌなどのような金属板を用いることができる。ま
た第１の電子部品１や仮固定基板７に形成する金属層に
は、たとえば金や錫と鉛の合金または錫と銀の合金より
なるはんだなどを用いることができる。本実施の形態で
は、２００℃に加熱したＳｉ板上に設置した外形０．２
５ｍｍ×０．２５ｍｍのＧａＡｓ半導体素子と２５０℃
に加熱したアルミナ基板とを１００ｇの荷重で２０〜３
０秒間押し付けることによってＧａＡｓ半導体素子裏面
に形成した金層とアルミナの仮固定基板７に形成した金
層とを接合した。
【００５４】図７（ｂ）は第１の電子部品１上の電極１
ａと第２の電子部品２上の電極２ａに形成したはんだ材
で形成した突起電極５ａとを位置合わせした状態を示
す。第２の電子部品２にはアルミナの配線板の他、ガラ
スセラミックスなどのセラミックスやガラスの配線板、
またはプリント配線板などの樹脂配線板でもよい。突起
電極５ａは錫、インジウム、錫と鉛の合金、錫と銀の合
金、金と錫の合金、インジウムと鉛の合金、錫と鉛と銀
の合金、錫と鉛とインジウムとの合金などで形成するこ
とができる。本実施の形態では、線径３０μｍの錫と銀
の合金からなるワイヤの先端を放電によって溶融および
凝固させ、直径約８０μｍのはんだ球を形成し、セラミ
ック配線板を加熱した状態で、はんだ球に超音波を印加
しながら押しつけて、アルミナの配線板の電極２ａ上に
総数６個の高さ５５μｍの突起電極５ａを形成したが、
他にめっきや蒸着またははんだ材の球を電極上に設置し
たのち、溶融および凝固させる方法などでも形成可能で
ある。
【００５５】図８（ａ）は第１の電子部品１と第２の電
子部品２とを加熱した状態で第１の電子部品１上の電極
１ａと第２の電子部品２の電極２ａの突起電極５ａとを
接触させ、電極１ａと溶融した突起電極５ａとのあいだ
にぬれを生じさせて接合した状態を示す。はんだの突起
電極５ａは溶融すると極めて容易に変形するため、第２
の電子部品２のうねりや凹凸による高さのばらつきを吸
収し、突起電極５ａが第２の電子部品２の電極２ａに接
触できないために生じるオープン不良を防止することが
できる。さらに、低荷重で接合可能であるため、接合時
の加圧による電子部品の破損の危険も低下する。本実施
の形態では、接合ステージ４を１００℃に加熱するとと
もに接合ヘッド３を２５０℃に加熱し、接合部の周囲を
Ｎ2ガスで満たしてＯ2濃度を５００ｐｐｍとした状態
で、ＧａＡｓ半導体素子の電極１ａとアルミナ配線板の
電極２ａ上のはんだの突起電極５ａとを接触させ、溶融
したはんだの突起電極５ａとＧａＡｓ半導体素子の金電
極１ａとを接合した。なお、加圧時に同時に超音波振動
を印加すれば、はんだの突起電極表面の酸化皮膜の除去
が促進されて接合強度が向上するが、予め接合部にフラ
ックスを塗付しておいても同様の効果が得られる。さら
に、アルミナ配線板の電極上に予め金属の突起電極やは
んだ材を形成しておくことも可能である。
【００５６】図８（ｂ）は突起電極５ａの温度を少なく
とも突起電極５ａを構成するはんだが凝固する温度以下
としたのち、接合ヘッド３の真空吸引を維持したまま、
接合ヘッド３を上方に移動させ、第１の電子部品１と仮
固定基板７とを分離した状態を示す。本実施の形態では
ＧａＡｓ半導体素子の電極１ａとアルミナ基板上の突起
電極５ａとの接合強度に比べ、ＧａＡｓ半導体素子裏面
の金層と仮固定基板７の金層との接合強度が極めて低い
ため、ＧａＡｓ半導体素子の電極１ａとアルミナ基板上
の突起電極５ａとの接合部を破壊することなく、ＧａＡ
ｓ半導体素子と仮固定基板７との分離は容易に行なわれ
る。
【００５７】実施の形態５ 図９〜１０は本発明の実施の形態５による半導体装置の
製造方法を示す図であり、図９〜１０中の記号は図５〜
８と同じである。
【００５８】図９（ａ）は仮固定基板７を加熱しながら
第１の電子部品１に押しつけ、仮固定基板７に形成した
金属層７ａと第１の電子部品１の裏面に形成した金属層
１ｃとを接合した状態を示す。仮固定基板７には、たと
えばセラミックやガラスやＳｉなどの非金属板またはＣ
ｕやＡｌなどのような金属板を用いることができる。ま
た第１の電子部品１や仮固定基板７に形成する金属層に
は、たとえば金や錫と鉛の合金または錫と銀の合金より
なるはんだなどを用いることができる。第１の電子部品
１の電極１ａにはんだの突起電極５ａを形成することに
より、第１の電子部品１の裏面の金層と仮固定基板７に
形成した金層とを接合する際、第１の電子部品１の能動
面と仮固定ステージ８とが直接接触しないため、第１の
電子部品１の能動面が破損するおそれがなくなり、さら
に加圧時に突起電極５ａが変形して高さが小さくなって
も、突起電極５ａを溶融させれば高さが回復する利点が
ある。
【００５９】本実施の形態では、第１の電子部品１であ
る外形０．２５ｍｍ×０．２５ｍｍのＧａＡｓ半導体素
子１上の電極１ａにめっきによって高さ約２０μｍの錫
と金の合金のはんだの突起電極５ａを総数６個形成し、
２００℃に加熱したＳｉ板上に設置したＧａＡｓ半導体
素子と２００℃に加熱したアルミナ基板とを１５０ｇの
荷重で２０〜３０秒間押し付けることによって、ＧａＡ
ｓ半導体素子に形成した金層とアルミナの仮固定基板７
に形成した金層とを接合した。本実施の形態とは別に、
はんだの突起電極は蒸着やはんだ材の球を電極に設置
し、溶融および凝固する方法などでも形成可能であり、
たとえばＧａＡｓ半導体素子をウェハから切り出す前
に、はんだ材からなるワイヤの先端を放電によって溶融
および凝固させてはんだ球を形成させたのち、はんだ球
に超音波を印加しながらＧａＡｓ半導体素子上の電極に
押しつけて接合し、はんだ球とはんだワイヤとの境界付
近ではんだワイヤを切断することによって突起電極を形
成してから、ＧａＡｓ半導体素子を素子ごとに分離して
もはんだの突起電極付ＧａＡｓ半導体素子を得ることも
できる。また、突起電極には、本実施の形態以外にも
錫、インジウム、錫と鉛の合金、錫と銀の合金、インジ
ウムと鉛の合金、錫と鉛と銀の合金、錫と鉛とインジウ
ムとの合金などを用いることができる。
【００６０】図９（ｂ）は第１の電子部品１の電極１ａ
上に形成した突起電極５ａと第２の電子部品２上の電極
２ａとを位置合わせした状態を示す。本実施の形態では
第２の電子部品２にはアルミナの配線板を用いたが、ガ
ラスセラミックスなどのセラミックスやガラスの配線板
またはプリント配線板などの樹脂配線板でもよい。
【００６１】図１０（ａ）は第１の電子部品１と第２の
電子部品２とを加熱した状態で押しつけ、少なくとも突
起電極５ａとはんだ材９のどちらかが溶融して両者のあ
いだにぬれが生じた状態を示す。
【００６２】突起電極５ａの高さ、もしくははんだ材９
の厚さ、またはその両者が第２の電子部品２のうねりや
凹凸による高さのばらつきを吸収し、突起電極５ａが第
２の電子部品２の電極２ａに接触できないために生じる
オープン不良を防止することができる。さらに、低荷重
で接合可能であるため、接合時の加圧による電子部品の
破損の危険も低下する。本実施の形態では、はんだ材９
には錫と銀の合金を用いたが、他にも錫、インジウム、
錫と鉛の合金、金と錫の合金、インジウムと鉛の合金、
錫と鉛と銀の合金または錫と鉛とインジウムとの合金な
どを用いることもできる。また、本実施の形態では第１
の電子部品１と第２の電子部品２とを接合する際、はん
だ材９のみ溶融させたが、同時に突起電極５ａを溶融さ
せると電子部品２のうねりや凹凸による高さのばらつき
の吸収能力はさらに向上する。また、第２の電子部品２
の電極２ａにはんだ材９を形成せず、第２の電子部品２
の電極２ａと溶融させた突起電極５ａとのぬれによって
も接合は可能である。また、第２の電子部品２の電極２
ａにはんだ材ではなく金属の突起電極を形成しておいて
も接合は可能である。接合ステージ４を１００℃に加熱
するとともに接合ヘッド３を２５０℃に加熱し、４０〜
６０ｇの荷重で１０〜２０秒押しつけてＧａＡｓ半導体
素子の電極１ａ上の突起電極５ａとアルミナ配線板の電
極２ａ上に形成した厚さ約１０μｍの錫と銀からなるは
んだ材９とを接合した。接合時に接合部の周囲をＮ2や
Ａｒなどの不活性気体で満たしてＯ2濃度を低減すれ
ば、突起電極５ａを押し付けることによって溶融したは
んだ材の表面の酸化皮膜を破壊したのち、はんだ材９が
再び酸化することが防止でき、突起電極５ａとのぬれが
より容易に達成できる。さらに、接合時に超音波を印加
すれば、はんだ材表面の酸化皮膜の除去が促進され、接
合強度が向上するが、接合部に予めフラックスを塗付し
ておいても同様の効果が得られる。
【００６３】図１０（ｂ）は突起電極５ａとはんだ材９
とがともに凝固する温度以下としたのち、接合ヘッド３
の真空吸引を維持したまま、接合ヘッド３を上方に移動
させ、第１の電子部品１と仮固定基板７とを分離した状
態を示す。本実施の形態では、ＧａＡｓ半導体素子の電
極１ａとアルミナ基板上の突起電極５ａとの接合強度に
比べ、ＧａＡｓ半導体素子裏面の金層と仮固定基板７の
金層との接合強度が極めて低いため、ＧａＡｓ半導体素
子の突起電極５ａとアルミナ基板上の電極２ａとの接合
部を破壊することなく、ＧａＡｓ半導体素子と仮固定基
板７との分離は容易に行なわれる。
【００６４】実施の形態６ 図１１〜１２は本発明の実施の形態６による半導体装置
の製造方法を示す図であり、図１１〜１２において、１
０は異方性導電接着剤であるＡＣＦ（異方性導電フィル
ム）であり、他の記号は図１〜２と同じである。
【００６５】図１１（ａ）は仮固定基板７を加熱しなが
ら第１の電子部品１に押しつけ、仮固定基板７に形成し
た金属層７ａと第１の電子部品１の裏面に形成した金属
層１ｃとを接合した状態を示す。仮固定基板７には、た
とえばセラミックやガラスやＳｉなどの非金属板または
ＣｕやＡｌなどのような金属板を用いることができる。
また第１の電子部品１や仮固定基板７に形成する金属層
には、たとえば金や錫と鉛の合金または錫と銀の合金よ
りなるはんだなどを用いることができる。本実施の形態
では、２００℃に加熱したＳｉ板上に設置した外形０．
２５ｍｍ×０．２５ｍｍのＧａＡｓ半導体素子と２５０
℃に加熱したアルミナ基板とを１００ｇの荷重で２０〜
３０秒間押し付けることによって、ＧａＡｓ半導体素子
裏面に形成した金層とアルミナの仮固定基板７に形成し
た金層とを接合した。
【００６６】図１１（ｂ）は突起電極５が形成された第
２の電子部品２上に少なくとも、電極２ａが全て覆われ
るようにＡＣＦ１０を配置した状態を示す。本実施の形
態では、第２の電子部品２にはアルミナの配線板を用い
たが、ガラスセラミックスなどのセラミックスやガラス
の配線板、またはプリント配線板のような樹脂配線板で
もよい。また、アルミナ配線板上の突起電極５は、直径
２０μｍの金ワイヤの先端を放電によって溶融および凝
固させ、直径約５５μｍの球を形成させたのち、セラミ
ック配線板を２７０℃に加熱した状態で、金球を０．２
ｗの超音波を印加しながら３５ｇの荷重で２５ｍｓ間押
しつけて、金球とアルミナ配線板の電極２ａとを接合
し、金球と金ワイヤとの境界付近で金ワイヤを切断する
ことによって総数６個形成して、さらにそののち、突起
電極を平板で加圧して突起電極の先端に平坦な面を形成
すると同時に高さを均一にそろえたが、他にもめっきや
蒸着などでも形成可能である。
【００６７】図１１（ｃ）は第１の電子部品１上の電極
１ａと第２の電子部品２上の電極２ａに形成した突起電
極５とを位置合わせした状態を示す。
【００６８】図１２（ａ）は第１の電子部品１と第２の
電子部品２とを加熱した状態で押しつけ、第１の電子部
品１上の電極１ａと第２の電子部品２上の電極２ａに形
成した突起電極５とを電気的に接続した状態でさらに加
熱を続け、ＡＣＦ１０を硬化させた状態を示す。
【００６９】図１２（ｂ）は接合ヘッド３の真空吸引を
維持したまま、接合ヘッド３を上方に移動させ、第１の
電子部品１と仮固定基板７とを分離した状態を示す。本
実施の形態では、接合ヘッド３の温度を低下させてＡＣ
Ｆ１０の温度がＡＣＦ１０のガラス転移温度以下となっ
てから接合ヘッド３を上昇させ、ＧａＡｓ半導体素子と
仮固定基板７とを分離した。なお、本実施の形態では突
起電極５は第２の電子部品２の電極２ａ上に形成した
が、第１の電子部品１の電極１ａ上に形成してもよく、
また、ＡＣＦ１０のかわりにＡＣＰを用いても同様の効
果が得られる。
【００７０】実施の形態７ 図１３〜１４は本発明の実施の形態７による半導体装置
の製造方法を示す図であり、図１３〜１４において１１
は熱硬化型樹脂の熱硬化型接着剤であり、他の記号は図
１〜２と同じである。
【００７１】図１３（ａ）は仮固定基板７を加熱ながら
第１の電子部品１に押しつけ、仮固定基板７に形成した
金属層７ａと第１の電子部品１の裏面に形成した金属層
１ｃとを接合した状態を示す。仮固定基板７には、たと
えばセラミックやガラスやＳｉなどの非金属板またはＣ
ｕやＡｌなどのような金属板を用いることができる。ま
た第１の電子部品１や仮固定基板７に形成する金属層に
は、たとえば金や錫と鉛の合金または錫と銀の合金より
なるはんだなどを用いることができる。本実施の形態で
は、２００℃に加熱したＳｉ板上に設置した外形０．２
５ｍｍ×０．２５ｍｍのＧａＡｓ半導体素子と２５０℃
に加熱したアルミナ基板とを１００ｇの荷重で２０〜３
０秒間押し付けることによってＧａＡｓ半導体素子裏面
に形成した金層とアルミナの仮固定基板７に形成した金
層とを接合した。
【００７２】図１３（ｂ）は突起電極５が形成された第
２の電子部品２上に、熱硬化型接着剤１１を配置した状
態を示す。第２の電子部品２にはアルミナの配線板やガ
ラスセラミックスなどのセラミックスやガラスの配線
板、またはプリント配線板のような樹脂配線板が使用で
きる。また、熱硬化型接着剤には、たとえばエポキシ系
の樹脂を用いることができる。本実施の形態では、アル
ミナ配線板上にめっきで突起電極５を総数６個形成し、
そののち、エポキシ系樹脂をアルミナの配線板上に配置
した。本実施の形態とは別に、突起電極５は、蒸着や金
属ワイヤの先端を放電によって溶融および凝固させて金
属球を形成させたのち、金属球に超音波を印加しながら
アルミナ配線板の電極２ａに押しつけて接合し、金属球
と金属ワイヤとの境界付近で金属ワイヤを切断すること
によっても形成可能であり、または突起電極５ははんだ
材で形成することもできる。
【００７３】図１３（ｃ）は第１の電子部品１上の電極
１ａと第２の電子部品２上の電極２ａに形成した突起電
極５とを位置合わせした状態を示す。
【００７４】図１４（ａ）は第１の電子部品１と第２の
電子部品２とを加熱した状態で押しつけ、第１の電子部
品１上の電極１ａと第２の電子部品２上の電極２ａに形
成した突起電極５とを電気的に接続した状態でさらに加
熱を続け、熱硬化型接着剤１１を硬化させた状態を示
す。
【００７５】図１４（ｂ）は接合ヘッド３の真空吸引を
維持したまま、接合ヘッド３を上方に移動させ、第１の
電子部品１と仮固定基板７とを分離した状態を示す。本
実施の形態では、接合ヘッド３の温度を低下させて熱硬
化型接着剤１１の温度が熱硬化型接着のガラス転移温度
以下となってから接合ヘッド３を上昇させ、ＧａＡｓ半
導体素子と仮固定基板７とを分離した。なお、本実施の
形態では、突起電極５は第２の電子部品２の電極２ａ上
に形成したが、第１の電子部品１の電極１ａ上に形成し
ても同様の効果が得られる。また、本実施の形態では、
熱硬化型接着剤１１は突起電極５を覆うように設置した
が、突起電極５の先端が熱硬化型接着剤１１より突出す
るように熱硬化型接着剤１１を設置すると、突起電極５
の先端と突起電極５を形成した電子部品２に対向する電
子部品１の電極１ａとの接触が熱硬化型接着剤１１に阻
害されず、より安定的に電気的接続を得ることが可能と
なる。さらに、熱硬化型樹脂は液状のものではなく、半
硬化状態のＢステージ状フィルムを用いると、電子部品
への配置時の取り扱いが容易で、生産性が向上する効果
がある。
【００７６】実施の形態８ 図１５〜１６は本発明の実施の形態８による半導体装置
の製造方法を示す図であり、図１５〜１６中の記号は図
３〜４と同じである。
【００７７】図１５（ａ）は仮固定基板７を加熱ながら
第１の電子部品１に押しつけ、仮固定基板７に形成した
金属層７ａと第１の電子部品１の裏面に形成した金属層
１ｃとを接合した状態を示す。突起電極５には、金や
錫、インジウム、錫と鉛の合金、錫と銀の合金、金と錫
の合金、インジウムと鉛の合金、錫と鉛と銀の合金また
は錫と鉛とインジウムとの合金などで形成することがで
きる。仮固定基板７には、たとえばセラミックやガラス
やＳｉなどの非金属板またはＣｕやＡｌなどのような金
属板を用いることができ、第１の電子部品１や仮固定基
板７に形成する金属層には、たとえば金や錫と鉛の合金
または錫と銀の合金よりなるはんだなどを用いることが
できる。本実施の形態では、第１の電子部品１である外
形０．２５ｍｍ×０．２５ｍｍのＧａＡｓ半導体素子１
上の電極１ａにめっきによって高さ約２０μｍの金の突
起電極５を総数６個形成し、周囲をＮ2ガスで満たして
Ｏ2濃度を５００ｐｐｍとした状態で２００℃に加熱し
たＳｉ板上に設置したＧａＡｓ半導体素子と２５０℃に
加熱した表面に錫と鉛からなる合金層とニッケル層とを
形成した仮固定基板７の銅基板とを４０ｇの荷重で２０
〜３０秒間押し付けることによって、ＧａＡｓ半導体素
子裏面に形成した金層と銅基板に形成した錫と鉛の合金
層とを接合した。本実施の形態とは別に突起電極と蒸着
でも形成することができる。また、ＧａＡｓ半導体素子
をウェハから切り出す前に、金属ワイヤの先端を放電に
よって溶融および凝固させて金属球を形成させたのち、
金属球に超音波を印加しながらＧａＡｓ半導体素子１上
の電極１ａに押しつけて接合し、金属球と金属ワイヤと
の境界付近で金属ワイヤを切断することによって、突起
電極５を形成してから、ＧａＡｓ半導体素子１を素子ご
とに分離しても突起電極付ＧａＡｓ半導体素子を得るこ
ともできる。
【００７８】図１５（ｂ）は第１の電子部品１の電極１
ａ上に形成した突起電極５と第２の電子部品２上の電極
２ａとを位置合わせした状態を示す。本実施の形態で
は、第２の電子部品２にはアルミナの配線板を用いた
が、ガラスセラミックスなどのセラミックスやガラスの
配線板、またはプリント配線板などの樹脂基板でもよ
い。
【００７９】図１６（ａ）は第１の電子部品１と第２の
電子部品２とを加熱した状態で押しつけ、第１の電子部
品１の電極１ａ上の突起電極５と第２の電子部品２上の
電極２ａとを接合した状態を示す。本実施の形態では、
接合ステージ４を１００℃に加熱するとともに接合ヘッ
ド３を３００℃に加熱し、４００ｇの荷重で２０〜３０
秒押しつけてＧａＡｓ半導体素子の電極１ａ上の突起電
極５と表面に厚さ１μｍの金が形成されたアルミナ配線
板の電極２ａとを接合した。接合ヘッド３の温度は３０
０℃と高温であるため、ＧａＡｓ半導体素子の電極１ａ
とアルミナ基板上の突起電極５とは強固に接合される
が、接合ステージ４の温度は１００℃と低いため、接合
中に銅基板の錫と鉛の合金層は溶融せず、ＧａＡｓ半導
体素子は固定されている。なお、加圧時に、同時に超音
波振動を印加すれば、より短時間での接合が可能とな
る。また、本実施の形態とは別に、アルミナ基板の電極
にも予め突起電極を形成しておけば、接合後のＧａＡｓ
半導体素子とアルミナ基板との間隔が広がり、熱膨張差
に起因する応力を緩和できる。また、アルミナ基板の電
極に予めはんだ材を供給しておき、突起電極とはんだ材
とのぬれによって接合すれば接合時の荷重を低減でき、
ＧａＡｓ半導体素子の破損の危険を低減できる。さら
に、突起電極をアルミナ基板の電極に形成しておき、Ｇ
ａＡＳ半導体素子の電極と直接接合するか、またはＧａ
ＡＳ半導体素子の電極にはんだ材を形成しておき、はん
だを介して接合しても同様の効果が得られる。
【００８０】図１６（ｂ）は接合ヘッド３の真空吸引を
停止して接合ヘッド３を上方に移動さた状態を示す。本
実施の形態では銅基板がＧａＡｓ半導体素子で発生する
熱を外部に放熱する放熱板となる。
【００８１】実施の形態９ 図１７〜１８は本発明の実施の形態９にかかわる半導体
装置の製造方法を示す図であり、図１７〜１８の記号は
図１３〜１４と同じである。
【００８２】図１７（ａ）は仮固定基板７を加熱しなが
ら第１の電子部品１に押しつけ、仮固定基板７に形成し
た金属層７ａと第１の電子部品１の裏面に形成した金属
層１ｃとを接合した状態を示す。仮固定基板７には、た
とえばセラミックやガラスやＳｉなどの非金属板または
ＣｕやＡｌなどのような金属板を用いることができる。
また第１の電子部品１や仮固定基板７に形成する金属層
には、たとえば金や錫と鉛の合金または錫と銀の合金よ
りなるはんだなどを用いることができる。
【００８３】本実施の形態では、周囲をＮ2ガスで満た
してＯ2濃度を５００ｐｐｍとした状態で、２００℃に
加熱したＳｉ板上に設置した外形０．２５ｍｍ×０．２
５ｍｍのＧａＡｓ半導体素子と２５０℃に加熱した表面
に錫と鉛からなる合金層とニッケル層とを形成した仮固
定基板７の銅基板とを４０ｇの荷重で２０〜３０秒間押
し付けることによって、ＧａＡｓ半導体素子に形成した
金層と銅基板に形成した錫と鉛の合金層とを接合した。
【００８４】図１７（ｂ）は突起電極５が形成された第
２の電子部品２上に、熱硬化型接着剤１１を配置した状
態を示す。第２の電子部品２にはアルミナの配線板やガ
ラスセラミックスなどのセラミックスやガラスの配線
板、またはプリント配線板のような樹脂配線板が使用で
きる。また、熱硬化型接着剤には、たとえばエポキシ系
の樹脂を用いることができる。本実施の形態では、アル
ミナ配線板上にめっきで突起電極５を総数６個形成し、
そののち、エポキシ系樹脂をアルミナの配線板上に配置
した。本実施の形態とは別に、突起電極５は、蒸着や金
属ワイヤの先端を放電によって溶融および凝固させて金
属球を形成させたのち、金属球に超音波を印加しながら
アルミナ配線板の電極２ａに押しつけて接合し、金属球
と金属ワイヤとの境界付近で金属ワイヤを切断すること
によっても形成可能である。また、突起電極５ははんだ
でもよく、またアルミナ配線板の電極２ａではなくＧａ
Ａｓ半導体素子の電極１ａに形成してもよい。
【００８５】図１７（ｃ）は第１の電子部品１上の電極
１ａと第２の電子部品２上の電極２ａに形成した突起電
極５とを位置合わせした状態を示す。
【００８６】図１８（ａ）は第１の電子部品１と第２の
電子部品２とを加熱した状態で押しつけ、第１の電子部
品１上の電極１ａと第２の電子部品２上の電極２ａに形
成した突起電極５とを電気的に接続した状態でさらに加
熱を続け、熱硬化型接着剤１１を硬化させた状態を示
す。
【００８７】図１８（ｂ）は接合ヘッド３の真空吸引を
停止して接合ヘッド３を上方に移動させた状態を示す。
銅基板はＧａＡｓ半導体素子で発生する熱を外部に放熱
する放熱板となる。本実施の形態では突起電極５は第２
の電子部品２の電極２ａ上に形成したが、第１の電子部
品１の電極１ａ上に形成しても同様の効果が得られる。
また、本実施の形態では、熱硬化型接着剤１１は突起電
極５を覆うように設置したが、突起電極５の先端が熱硬
化型接着剤１１より突出するように熱硬化型接着剤１１
を設置すると、突起電極５の先端と突起電極５を形成し
た電子部品に対向する電子部品の電極との接触が熱硬化
型接着剤１１に阻害されず、より安定的に電気的接続を
得ることが可能となる。また、熱硬化型接着剤１１は液
状のものではなく、半硬化状態のＢステージ状フィルム
を用いると、電子部品への配置時の取り扱いが容易で生
産性が向上する効果を奏することができる。さらに熱硬
化型接着剤１１の代わりに、ＡＣＦまたはＡＣＰを用い
ても同様の効果が得られる。
【００８８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、真空吸引
方式で保持することが困難な極めて小さい電子部品で
も、真空吸引可能な仮固定基板に仮固定した状態で他の
電子部品との接合を実施し、そののち、仮固定基板を分
離することによって高い製造歩留りで半導体装置を製造
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１にかかわる半導体装置
の製造方法を示す説明図である。
【図２】 本発明の実施の形態１にかかわる半導体装置
の製造方法を示す説明図である。
【図３】 本発明の実施の形態２にかかわる半導体装置
の製造方法を示す説明図である。
【図４】 本発明の実施の形態２にかかわる半導体装置
の製造方法を示す説明図である。
【図５】 本発明の実施の形態３にかかわる半導体装置
の製造方法を示す説明図である。
【図６】 本発明の実施の形態３にかかわる半導体装置
の製造方法を示す説明図である。
【図７】 本発明の実施の形態４にかかわる半導体装置
の製造方法を示す説明図である。
【図８】 本発明の実施の形態４にかかわる半導体装置
の製造方法を示す説明図である。
【図９】 本発明の実施の形態５にかかわる半導体装置
の製造方法を示す説明図である。
【図１０】 本発明の実施の形態５にかかわる半導体装
置の製造方法を示す説明図である。
【図１１】 本発明の実施の形態６にかかわる半導体装
置の製造方法を示す説明図である。
【図１２】 本発明の実施の形態６にかかわる半導体装
置の製造方法を示す説明図である。
【図１３】 本発明の実施の形態７にかかわる半導体装
置の製造方法を示す説明図である。
【図１４】 本発明の実施の形態７にかかわる半導体装
置の製造方法を示す説明図である。
【図１５】 本発明の実施の形態８にかかわる半導体装
置の製造方法を示す説明図である。
【図１６】 本発明の実施の形態８にかかわる半導体装
置の製造方法を示す説明図である。
【図１７】 本発明の実施の形態９にかかわる半導体装
置の製造方法を示す説明図である。
【図１８】 本発明の実施の形態９にかかわる半導体装
置の製造方法を示す説明図である。
【図１９】 従来の半導体装置の製造方法を示す説明図
である。
【図２０】 従来の半導体装置の製造方法を示す説明図
である。
【図２１】 従来の半導体装置の製造方法における問題
を示す説明図である。
【符号の説明】
１ 第１の電子部品、１ａ 電極、１ｃ 金属層、２
第２の電子部品、２ａ 電極、３ 接合ヘッド、３ａ
真空吸引孔、４ 接合ステージ、４ａ 真空吸引孔、５
金属の突起電極、５ａ はんだ材で形成された突起電
極、６ 超音波振動、７ 仮固定基板、７ａ 金属層、
８ 仮固定ステージ、９ はんだ材、１０ ＡＣＦ、１
１ 熱硬化型接着剤。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北村 洋一 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F044 KK01 KK16 LL00 LL01 LL09 LL11 LL15 QQ01 QQ06

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電極が複数形成された面の裏面に金属層
    を形成した第１の電子部品と、表面に金属層を形成した
    仮固定基板とを加熱した状態で押しつけて、前記第１の
    電子部品の金属層と前記基板の金属層とを接合する工程
    と、前記第１の電子部品の複数の電極に対応する位置に
    複数の金属の突起電極を有する第２の電子部品の突起電
    極と前記電極とが対向するように位置決めをする位置決
    め工程と、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品と
    を加熱しながら押しつけて、前記電極と前記突起電極と
    を接合する工程と、前記第１の電子部品に形成した金属
    層と前記基板表面の金属層との接合部を分離する工程を
    有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 電極上に金属の突起電極が複数形成され
    た面の裏面に金属層を形成した第１の電子部品と、表面
    に金属層を形成した仮固定基板とを加熱した状態で押し
    つけて、前記第１の電子部品の金属層と前記基板の金属
    層とを接合する工程と、前記第１の電子部品の突起電極
    に対応する位置に複数の電極を有する第２の電子部品の
    電極と前記突起電極とが対向するように位置決めをする
    位置決め工程と、前記第１の電子部品と前記第２の電子
    部品とを加熱しながら押しつけて、前記突起電極と前記
    電極とを接合する工程と、前記第１の電子部品に形成し
    た金属層と前記基板表面の金属層との接合部を分離する
    工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記突起電極に対応する位置にある前記
    電極上に金属の突起電極を形成することを特徴とする請
    求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記突起電極に対応する位置にある前記
    電極上にはんだを形成することを特徴とする請求項１ま
    たは２記載の半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記突起電極ははんだであることを特徴
    とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記第１の電子部品と前記第２の電子部
    品とを加熱しながら押しつける際に、前記第１の電子部
    品および前記第２の電子部品のうち、いずれか一方に超
    音波振動を印加することを特徴とする請求項１または２
    記載の半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 電極が複数形成された面の裏面に金属層
    を形成した第１の電子部品と、表面に金属層を形成した
    仮固定基板とを加熱した状態で押しつけて、前記第１の
    電子部品の金属層と前記基板の金属層とを接合する工程
    と、前記第１の電子部品の複数の電極に対応する位置に
    複数の金属の突起電極を有する第２の電子部品上に異方
    性導電接着剤を形成する工程と、前記第１の電子部品の
    複数の電極に対応する位置に複数の金属の突起電極を有
    する第２の電子部品の突起電極と前記電極とが対向する
    ように位置決めをする位置決め工程と、前記第１の電子
    部品と前記第２の電子部品とを加熱しながら押しつけ
    て、前記電極と前記突起電極とを接合するとともに前記
    異方性導電接着剤を硬化させる工程と、前記第１の電子
    部品に形成した金属層と前記基板表面の金属層との接合
    部を分離する工程を有することを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
  8. 【請求項８】 電極上に金属の突起電極が複数形成され
    た面の裏面に金属層を形成した第１の電子部品と、表面
    に金属層を形成した仮固定基板とを加熱した状態で押し
    つけて、前記第１の電子部品の金属層と前記基板の金属
    層とを接合する工程と、前記第１の電子部品の複数の電
    極に対応する位置に複数の金属の突起電極を有する第２
    の電子部品上に異方性導電接着剤を形成する工程と、前
    記第１の電子部品の突起電極に対応する位置に複数の電
    極を有する第２の電子部品の電極と前記突起電極とが対
    向するように位置決めをする位置決め工程と、前記第１
    の電子部品と前記第２の電子部品とを加熱しながら押し
    つけて、前記突起電極と前記電極とを接合するとともに
    前記異方性導電接着剤を硬化させる工程と、前記第１の
    電子部品に形成した金属層と前記基板表面の金属層との
    接合部を分離する工程を有することを特徴とする半導体
    装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 電極が複数形成された面の裏面に金属層
    を形成した第１の電子部品と、表面に金属層を形成した
    仮固定基板とを加熱した状態で押しつけて、前記第１の
    電子部品の金属層と前記基板の金属層とを接合する工程
    と、前記第１の電子部品の複数の電極に対応する位置に
    複数の金属の突起電極を有する第２の電子部品上に熱硬
    化型樹脂を形成する工程と、前記第１の電子部品の複数
    の電極に対応する位置に複数の金属の突起電極を有する
    第２の電子部品の突起電極と前記電極とが対向するよう
    に位置決めをする位置決め工程と、前記第１の電子部品
    と前記第２の電子部品とを加熱しながら押しつけて、前
    記電極と前記突起電極とを接合するとともに前記熱硬化
    型樹脂を硬化させる工程と、前記第１の電子部品に形成
    した金属層と前記基板表面の金属層との接合部を分離す
    る工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  10. 【請求項１０】 電極上に金属の突起電極が複数形成さ
    れた面の裏面に金属層を形成した第１の電子部品と、表
    面に金属層を形成した仮固定基板とを加熱した状態で押
    しつけて、前記第１の電子部品の金属層と前記基板の金
    属層とを接合する工程と、前記第１の電子部品の複数の
    電極に対応する位置に複数の金属の突起電極を有する第
    ２の電子部品上に熱硬化型樹脂を形成する工程と、前記
    第１の電子部品の突起電極に対応する位置に複数の電極
    を有する第２の電子部品の電極と前記突起電極とが対向
    するように位置決めをする位置決め工程と、前記第１の
    電子部品と前記第２の電子部品とを加熱しながら押しつ
    けて、前記突起電極と前記電極とを接合するとともに前
    記熱硬化型樹脂を硬化させる工程と、前記第１の電子部
    品に形成した金属層と前記基板表面の金属層との接合部
    を分離する工程を有することを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  11. 【請求項１１】 熱硬化型樹脂はＢステージ状フィルム
    であることを特徴とする請求項９または１０記載の半導
    体装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 電極が複数形成された面の裏面に金属
    層を形成した第１の電子部品と、表面に金属層を形成し
    た仮固定基板とを加熱した状態で押しつけて、前記第１
    の電子部品の金属層と前記基板の金属層とを接合する工
    程と、前記第１の電子部品の複数の電極に対応する位置
    に複数の金属の突起電極を有する第２の電子部品の突起
    電極と前記電極とが対向するように位置決めをする位置
    決め工程と、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品
    とを加熱しながら押しつけて、前記電極と前記突起電極
    とを接合する工程を有することを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
  13. 【請求項１３】 電極上に金属の突起電極が複数形成さ
    れた面の裏面に金属層を形成した第１の電子部品と、表
    面に金属層を形成した仮固定基板とを加熱した状態で押
    しつけて、前記第１の電子部品の金属層と前記基板の金
    属層とを接合する工程と、前記第１の電子部品の突起電
    極に対応する位置に複数の電極を有する第２の電子部品
    の前記電極と前記突起電極とが対向するように位置決め
    をする位置決め工程と、前記第１の電子部品と前記第２
    の電子部品とを加熱しながら押しつけて、前記突起電極
    と前記電極とを接合する工程を有することを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記突起電極に対応する位置にある前
    記電極上に金属の突起電極を形成することを特徴とする
    請求項１２または１３項記載の半導体装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記突起電極に対応する位置にある前
    記電極上にはんだを形成することを特徴とする請求項１
    ２または１３記載の半導体装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記突起電極ははんだであることを特
    徴とする請求項１２または１３記載の半導体装置の製造
    方法。
  17. 【請求項１７】 前記第１の電子部品と前記第２の電子
    部品とを加熱しながら押しつける際に、前記第１の電子
    部品および前記第２の電子部品のうち、いずれか一方に
    超音波振動を印加することを特徴とする請求項１２また
    は１３記載の半導体装置の製造方法。
  18. 【請求項１８】 電極が複数形成された面の裏面に金属
    層を形成した第１の電子部品と、表面に金属層を形成し
    た仮固定基板とを加熱した状態で押しつけて、前記第１
    の電子部品の金属層と前記基板の前記金属層とを接合す
    る工程と、前記第１の電子部品の複数の電極に対応する
    位置に複数の金属の突起電極を有する第２の電子部品上
    に異方性導電接着剤を形成する工程と、前記第１の電子
    部品の複数の電極に対応する位置に複数の金属の突起電
    極を有する第２の電子部品の突起電極と前記電極とが対
    向するように位置決めをする位置決め工程と、前記第１
    の電子部品と前記第２の電子部品とを加熱しながら押し
    つけて、前記電極と前記突起電極とを接合するとともに
    前記異方性導電接着剤を硬化させる工程を有することを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
  19. 【請求項１９】 電極上に金属の突起電極が複数形成さ
    れた面の裏面に金属層を形成した第１の電子部品と、表
    面に金属層を形成した仮固定基板とを加熱した状態で押
    しつけて、前記第１の電子部品の金属層と前記基板の金
    属層とを接合する工程と、前記第１の電子部品の複数の
    電極に対応する位置に複数の金属の突起電極を有する第
    ２の電子部品上に異方性導電接着剤を形成する工程と、
    前記第１の電子部品の突起電極に対応する位置に複数の
    電極を有する第２の電子部品の電極と前記突起電極とが
    対向するように位置決めをする位置決め工程と、前記第
    １の電子部品と前記第２の電子部品とを加熱しながら押
    しつけて、前記突起電極と前記電極とを接合するととも
    に前記異方性導電接着剤を硬化させる工程を有すること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
  20. 【請求項２０】 電極が複数形成された面の裏面に金属
    層を形成した第１の電子部品と、表面に金属層を形成し
    た仮固定基板とを加熱した状態で押しつけて、前記第１
    の電子部品の金属層と前記基板の金属層とを接合する工
    程と、前記第１の電子部品の複数の電極に対応する位置
    に複数の金属の突起電極を有する第２の電子部品上に熱
    硬化型樹脂を形成する工程と、前記第１の電子部品の複
    数の電極に対応する位置に複数の金属の突起電極を有す
    る第２の電子部品の突起電極と前記電極とが対向するよ
    うに位置決めをする位置決め工程と、前記第１の電子部
    品と前記第２の電子部品とを加熱しながら押しつけて、
    前記電極と前記突起電極とを接合するとともに前記熱硬
    化型樹脂を硬化させる工程を有することを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  21. 【請求項２１】 電極上に金属の突起電極が複数形成さ
    れた面の裏面に金属層を形成した第１の電子部品と、表
    面に金属層を形成した仮固定基板とを加熱した状態で押
    しつけて、前記第１の電子部品の金属層と前記基板の金
    属層とを接合する工程と、前記第１の電子部品の複数の
    電極に対応する位置に複数の金属の突起電極を有する第
    ２の電子部品上に熱硬化型樹脂を形成する工程と、前記
    第１の電子部品の突起電極に対応する位置に複数の電極
    を有する第２の電子部品の電極と前記突起電極とが対向
    するように位置決めをする位置決め工程と、前記第１の
    電子部品と前記第２の電子部品とを加熱しながら押しつ
    けて、前記突起電極と前記電極とを接合するとともに前
    記熱硬化型樹脂を硬化させる工程を有することを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
  22. 【請求項２２】 熱硬化型樹脂はＢステージ状フィルム
    であることを特徴とする請求項１８、１９、２０または
    ２１記載の半導体装置の製造方法。
  23. 【請求項２３】 第１の電子部品および第２の電子部品
    に形成する突起電極が金であることを特徴とする請求項
    １、２、７、８、９、１０、１２、１３、１８、１９、
    ２０または２１記載の半導体装置の製造方法。
  24. 【請求項２４】 第１の電子部品に形成する金属層およ
    び前記基板表面に形成する金属層が金であることを特徴
    とする請求項１、２、７、８、９、１０、１２、１３、
    １８、１９、２０または２１記載の半導体装置の製造方
    法。
  25. 【請求項２５】 第１の電子部品に形成する金属層およ
    び前記基板表面に形成する金属層の少なくともいずれか
    一方がはんだであることを特徴とする請求項１、２、
    ７、８、９、１０、１２、１３、１８、１９、２０また
    は２１記載の半導体装置の製造方法。
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