JP2001023525A - プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法Info
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エージング工程での青色蛍光体の発光特性劣
化を抑えるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提
供する。 【解決手段】 パネル１に第１の放電ガスを導入し、エ
ージング後に、第１の放電ガスとは組成の異なる第２の
放電ガスを導入する。
化を抑えるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提
供する。 【解決手段】 パネル１に第１の放電ガスを導入し、エ
ージング後に、第１の放電ガスとは組成の異なる第２の
放電ガスを導入する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、文字または画像表
示用のカラーテレビジョン受像機やディスプレイ等に使
用するガス放電発光を利用したプラズマディスプレイパ
ネル（ＰＤＰ）およびその製造方法に関するものであ
る。
示用のカラーテレビジョン受像機やディスプレイ等に使
用するガス放電発光を利用したプラズマディスプレイパ
ネル（ＰＤＰ）およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】以下では、従来のプラズマディスプレイ
パネルについて図面を参照しながら説明する。図４は交
流型（ＡＣ型）のプラズマディスプレイパネルの概略を
示す断面図である。
パネルについて図面を参照しながら説明する。図４は交
流型（ＡＣ型）のプラズマディスプレイパネルの概略を
示す断面図である。
【０００３】図４において、４１は前面ガラス基板であ
り、この前面ガラス基板４１上に表示電極４２が形成さ
れている。さらに、表示電極４２は、誘電体ガラス層４
３及び酸化マグネシウム（ＭｇＯ）誘電体保護層４４に
より覆われている（例えば特開平５−３４２９９１号公
報参照）。
り、この前面ガラス基板４１上に表示電極４２が形成さ
れている。さらに、表示電極４２は、誘電体ガラス層４
３及び酸化マグネシウム（ＭｇＯ）誘電体保護層４４に
より覆われている（例えば特開平５−３４２９９１号公
報参照）。
【０００４】また、４５は背面ガラス基板であり、この
背面ガラス基板４５上には、アドレス電極４６および隔
壁４７、蛍光体層（５０〜５２）が設けられており、４
９が放電ガスを封入する放電空間となっている。前記蛍
光体層はカラー表示のために、赤５０、緑５１、青５２
の３色の蛍光体層が順に配置されている。上記の各蛍光
体層（５０〜５２）は、放電によって発生する波長の短
い紫外線（波長１４７ｎｍ）により励起発光する。
背面ガラス基板４５上には、アドレス電極４６および隔
壁４７、蛍光体層（５０〜５２）が設けられており、４
９が放電ガスを封入する放電空間となっている。前記蛍
光体層はカラー表示のために、赤５０、緑５１、青５２
の３色の蛍光体層が順に配置されている。上記の各蛍光
体層（５０〜５２）は、放電によって発生する波長の短
い紫外線（波長１４７ｎｍ）により励起発光する。
【０００５】蛍光体層５０〜５２を構成する蛍光体とし
ては、一般的に以下の材料が用いられている。
ては、一般的に以下の材料が用いられている。
【０００６】青色蛍光体：ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ 緑色蛍光体：Ｚｎ2ＳｉＯ4：ＭｎまたはＢａＡｌ12Ｏ1
9：Ｍｎ 赤色蛍光体：Ｙ２Ｏ3：Ｅｕまたは（ＹｘＧｄ１−ｘ）
ＢＯ3：Ｅｕ 各色蛍光体は以下のようにして作製できる。青色蛍光体
（ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ）は、まず、炭酸バリウム
（ＢａＣＯ3）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ3）、酸化
アルミニウム（α−Ａｌ2Ｏ3）をＢａ，Ｍｇ，Ａｌの原
子比で１対１対１０になるように配合する。
9：Ｍｎ 赤色蛍光体：Ｙ２Ｏ3：Ｅｕまたは（ＹｘＧｄ１−ｘ）
ＢＯ3：Ｅｕ 各色蛍光体は以下のようにして作製できる。青色蛍光体
（ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ）は、まず、炭酸バリウム
（ＢａＣＯ3）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ3）、酸化
アルミニウム（α−Ａｌ2Ｏ3）をＢａ，Ｍｇ，Ａｌの原
子比で１対１対１０になるように配合する。
【０００７】次にこの混合物に対して所定量の酸化ユー
ロピウム（Ｅｕ2０3）を添加する。そして、適量のフラ
ックス（ＡｌＦ2，ＢａＣｌ2）と共にボールミルで混合
し、１４００℃〜１６５０℃で所定時間（例えば、０．
５時間）、還元雰囲気（Ｈ2，Ｎ2中）で焼成して得る。
ロピウム（Ｅｕ2０3）を添加する。そして、適量のフラ
ックス（ＡｌＦ2，ＢａＣｌ2）と共にボールミルで混合
し、１４００℃〜１６５０℃で所定時間（例えば、０．
５時間）、還元雰囲気（Ｈ2，Ｎ2中）で焼成して得る。
【０００８】赤色蛍光体（Ｙ２Ｏ3：Ｅｕ）は、原料と
して水酸化イットリウムＹ2(ＯＨ)3と硼酸（Ｈ3ＢＯ3）
とＹ，Ｂの原子比１対１になるように配合する。次に、
この混合物に対して所定量の酸化ユーロピウム（Ｅｕ2
Ｏ3）を添加し、適量のフラックスと共にボールミルで
混合し、空気中１２００℃〜１４５０℃で所定時間（例
えば１時間）焼成して得る。
して水酸化イットリウムＹ2(ＯＨ)3と硼酸（Ｈ3ＢＯ3）
とＹ，Ｂの原子比１対１になるように配合する。次に、
この混合物に対して所定量の酸化ユーロピウム（Ｅｕ2
Ｏ3）を添加し、適量のフラックスと共にボールミルで
混合し、空気中１２００℃〜１４５０℃で所定時間（例
えば１時間）焼成して得る。
【０００９】緑色蛍光体（Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ）は、原
料として酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化珪素(Ｓｉ０2）をＺ
ｎ，Ｓｉの原子比２対１になるように配合する。次にこ
の混合物に所定量の酸化マンガン（Ｍｎ2Ｏ3）を添加
し、ボールミルで混合後、空気中１２００℃〜１３５０
℃で所定時間（例えば０．５時間）焼成して得る。
料として酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化珪素(Ｓｉ０2）をＺ
ｎ，Ｓｉの原子比２対１になるように配合する。次にこ
の混合物に所定量の酸化マンガン（Ｍｎ2Ｏ3）を添加
し、ボールミルで混合後、空気中１２００℃〜１３５０
℃で所定時間（例えば０．５時間）焼成して得る。
【００１０】上記製法で作製された蛍光体粒子を粉砕後
ふるい分けすることにより、所定の粒径分布を有する蛍
光体材料を得る。
ふるい分けすることにより、所定の粒径分布を有する蛍
光体材料を得る。
【００１１】以下従来のＰＤＰの製造方法について説明
する。
する。
【００１２】背面ガラス基板上に、銀からなるアドレス
電極を形成し、その上に誘電体ガラスからなる可視光反
射層と、ガラス製の隔壁を所定のピッチで作成する。
電極を形成し、その上に誘電体ガラスからなる可視光反
射層と、ガラス製の隔壁を所定のピッチで作成する。
【００１３】これらの隔壁に挟まれた各空間内に、赤色
蛍光体，緑色蛍光体，青色蛍光体を含む各色蛍光体ペー
ストをそれぞれ配設することによって蛍光体層を形成
し、形成後５００℃程度で蛍光体層を焼成し、ペースト
内の樹脂成分等を除去する（蛍光体焼成工程）。
蛍光体，緑色蛍光体，青色蛍光体を含む各色蛍光体ペー
ストをそれぞれ配設することによって蛍光体層を形成
し、形成後５００℃程度で蛍光体層を焼成し、ペースト
内の樹脂成分等を除去する（蛍光体焼成工程）。
【００１４】蛍光体焼成後、背面板の周囲に前面板との
封着用ガラスフリットを塗布し、ガラスフリット内の樹
脂成分等を除去するために３５０℃程度で仮焼する（封
着用ガラスフリット仮焼工程）。
封着用ガラスフリットを塗布し、ガラスフリット内の樹
脂成分等を除去するために３５０℃程度で仮焼する（封
着用ガラスフリット仮焼工程）。
【００１５】その後、表示電極、誘電体ガラス層および
保護層を順次形成した前面板と、前記背面板を隔壁を介
して表示電極とアドレス電極が直交するよう対向配置
し、４５０℃程度で焼成し、封着用ガラスによって、周
囲を密封する（封着工程）。
保護層を順次形成した前面板と、前記背面板を隔壁を介
して表示電極とアドレス電極が直交するよう対向配置
し、４５０℃程度で焼成し、封着用ガラスによって、周
囲を密封する（封着工程）。
【００１６】その後、３５０℃程度まで加熱しながらパ
ネル内を排気し（排気工程）、終了後に放電ガスを所定
の圧力だけ導入する。
ネル内を排気し（排気工程）、終了後に放電ガスを所定
の圧力だけ導入する。
【００１７】前記の工程で作製されたパネルでは、点灯
の初期段階において大きな発光特性あるいは放電特性の
経時変化が現れる。従って、作製したパネルを所定の時
間だけ放電させることによって、発光特性あるいは放電
特性を安定化させる必要がある（エージング工程）。
の初期段階において大きな発光特性あるいは放電特性の
経時変化が現れる。従って、作製したパネルを所定の時
間だけ放電させることによって、発光特性あるいは放電
特性を安定化させる必要がある（エージング工程）。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のプラズマディスプレイパネルの製造方法においては、
前記のように発光特性または放電特性を安定化させるエ
ージング工程において、特に発光特性が劣化するという
課題が存在する。
のプラズマディスプレイパネルの製造方法においては、
前記のように発光特性または放電特性を安定化させるエ
ージング工程において、特に発光特性が劣化するという
課題が存在する。
【００１９】この原因の１つとして、使用している蛍光
体が劣化するという問題があった。特に青色蛍光体とし
て使用しているＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕがエージング
工程で劣化しやすく、発光輝度低下を起こす主原因とな
っていた。
体が劣化するという問題があった。特に青色蛍光体とし
て使用しているＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕがエージング
工程で劣化しやすく、発光輝度低下を起こす主原因とな
っていた。
【００２０】そこで本発明は、このような問題に鑑み、
青色蛍光体の輝度劣化が少ないエージング工程を提供す
ることにより、高い発光効率で動作し、色温度の高いプ
ラズマディスプレイパネルを提供することを目的とする
ものである。
青色蛍光体の輝度劣化が少ないエージング工程を提供す
ることにより、高い発光効率で動作し、色温度の高いプ
ラズマディスプレイパネルを提供することを目的とする
ものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、前面板と背面板を封着し、内部空間に蛍
光体層を形成したパネルに少なくともＸｅを含む第１の
放電ガスを導入し、所定時間だけ放電を行うエージング
工程を有し、前記エージング工程後に、第１の放電ガス
をパネルから排気し、少なくともＸｅを含む第２の放電
ガスを前記パネルに導入することを特徴とする。
め、本発明は、前面板と背面板を封着し、内部空間に蛍
光体層を形成したパネルに少なくともＸｅを含む第１の
放電ガスを導入し、所定時間だけ放電を行うエージング
工程を有し、前記エージング工程後に、第１の放電ガス
をパネルから排気し、少なくともＸｅを含む第２の放電
ガスを前記パネルに導入することを特徴とする。
【００２２】前記構成において、エージング工程で第１
の放電ガスから発生する光の主成分の波長が１７２ｎｍ
であることが好ましい。
の放電ガスから発生する光の主成分の波長が１７２ｎｍ
であることが好ましい。
【００２３】また、第１の放電ガスのガス圧が第２の放
電ガスのガス圧よりも高いことが好ましい。
電ガスのガス圧よりも高いことが好ましい。
【００２４】また、第１の放電ガスのＸｅ濃度が第２の
放電ガスのＸｅ濃度よりも高いことが好ましい。
放電ガスのＸｅ濃度よりも高いことが好ましい。
【００２５】また、本発明のプラズマディスプレイパネ
ルは、一対の平行に配されたプレートの間に、電極およ
び複数色の蛍光体層とが配設され、ガス媒体が封入され
たプラズマディスプレイパネルであって、前記いずれか
の製造方法で製造されたことを特徴とする。
ルは、一対の平行に配されたプレートの間に、電極およ
び複数色の蛍光体層とが配設され、ガス媒体が封入され
たプラズマディスプレイパネルであって、前記いずれか
の製造方法で製造されたことを特徴とする。
【００２６】前記構成においては、すべてのセルを同一
電力条件で点灯させたときの発光色の色温度が７０００
Ｋ以上であることが好ましい。
電力条件で点灯させたときの発光色の色温度が７０００
Ｋ以上であることが好ましい。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態におけ
るプラズマディスプレイパネルの製造方法について説明
する。図２は、本発明の一実施の形態における交流面放
電型プラズマディスプレイパネルの概略を示す断面図で
ある。図２では、セルが１つだけ示されているが、赤、
緑、青の各色を発光するセルが多数配列されてＰＤＰが
構成されている。
るプラズマディスプレイパネルの製造方法について説明
する。図２は、本発明の一実施の形態における交流面放
電型プラズマディスプレイパネルの概略を示す断面図で
ある。図２では、セルが１つだけ示されているが、赤、
緑、青の各色を発光するセルが多数配列されてＰＤＰが
構成されている。
【００２８】このＰＤＰは、前面ガラス基板２１上に表
示電極２２と誘電体ガラス層２３、保護層（ＭｇＯ）２
４が配された前面板と、背面ガラス基板２５上にアドレ
ス電極２６、可視光反射層２７、隔壁２８および蛍光体
層２９が配された背面板とを張り合わせ、前面板と背面
板間に形成される放電空間内に放電ガスが封入された構
成となっている。
示電極２２と誘電体ガラス層２３、保護層（ＭｇＯ）２
４が配された前面板と、背面ガラス基板２５上にアドレ
ス電極２６、可視光反射層２７、隔壁２８および蛍光体
層２９が配された背面板とを張り合わせ、前面板と背面
板間に形成される放電空間内に放電ガスが封入された構
成となっている。
【００２９】蛍光体層を構成する蛍光体材料の組成とし
ては、一般的にＰＤＰの蛍光体層に使用されているもの
を用いることができる。その具体例としては、 青色蛍光体：ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ 緑色蛍光体：Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ 赤色蛍光体：Ｙ２Ｏ3：Ｅｕ を挙げることができる。
ては、一般的にＰＤＰの蛍光体層に使用されているもの
を用いることができる。その具体例としては、 青色蛍光体：ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ 緑色蛍光体：Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ 赤色蛍光体：Ｙ２Ｏ3：Ｅｕ を挙げることができる。
【００３０】使用した青色蛍光体（ＢａＭｇＡｌ10Ｏ1
7：Ｅｕ）にクリプトンエキシマランプおよびキセノン
エキシマランプを用いて１４６ｎｍおよび１７２ｎｍの
真空紫外線を照射後、クリプトンエキシマランプで前記
蛍光体を励起し、輝度を評価した。評価結果を図３に示
す。
7：Ｅｕ）にクリプトンエキシマランプおよびキセノン
エキシマランプを用いて１４６ｎｍおよび１７２ｎｍの
真空紫外線を照射後、クリプトンエキシマランプで前記
蛍光体を励起し、輝度を評価した。評価結果を図３に示
す。
【００３１】青色蛍光体（ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ）
の輝度は、１４６ｎｍ、１７２ｎｍ照射のいずれにおい
ても、照射時間とともに劣化しているが、１４６ｎｍに
よる劣化が１７２ｎｍによる劣化よりも大きかった。こ
れは、１７２ｎｍの真空紫外線のエネルギーが１４７ｎ
ｍよりも小さく、真空紫外線による蛍光体の損傷が小さ
くなったためと考えられる。
の輝度は、１４６ｎｍ、１７２ｎｍ照射のいずれにおい
ても、照射時間とともに劣化しているが、１４６ｎｍに
よる劣化が１７２ｎｍによる劣化よりも大きかった。こ
れは、１７２ｎｍの真空紫外線のエネルギーが１４７ｎ
ｍよりも小さく、真空紫外線による蛍光体の損傷が小さ
くなったためと考えられる。
【００３２】したがって、Ｘｅの共鳴線（１４７ｎｍ）
を利用して発光させるＰＤＰにおいては、エージング工
程において放電ガスから発生する光の主成分の波長が、
１７２ｎｍ（Ｘｅ分子線）の波長になるような放電ガス
を用いれば、エージング工程での蛍光体の劣化が抑えら
れることが判明した。
を利用して発光させるＰＤＰにおいては、エージング工
程において放電ガスから発生する光の主成分の波長が、
１７２ｎｍ（Ｘｅ分子線）の波長になるような放電ガス
を用いれば、エージング工程での蛍光体の劣化が抑えら
れることが判明した。
【００３３】Ｘｅ分子線は、放電ガス中のＸｅの混合比
を上げＸｅの分圧を高くしたり（電気学会プラズマ研究
会資料 ＥＰ−９８−６１）、または少なくともＸｅを
含む放電ガスのガス圧を高くする（テレビジョン学会テ
レビジョン電子装置研究委員会資料第２４５号）ことで
発生させることができ、エージング工程においてＸｅ濃
度や、ガス圧をパネル完成時よりも高くすれば、エージ
ング工程での蛍光体の劣化が抑えられることが判明し
た。
を上げＸｅの分圧を高くしたり（電気学会プラズマ研究
会資料 ＥＰ−９８−６１）、または少なくともＸｅを
含む放電ガスのガス圧を高くする（テレビジョン学会テ
レビジョン電子装置研究委員会資料第２４５号）ことで
発生させることができ、エージング工程においてＸｅ濃
度や、ガス圧をパネル完成時よりも高くすれば、エージ
ング工程での蛍光体の劣化が抑えられることが判明し
た。
【００３４】以下、本発明の実施の形態におけるエージ
ング工程について説明する。図１は本実施の形態におけ
るエージング工程およびその後に続く放電ガス封入工程
を行うためのパネル製造装置の構成を模式的に示す図で
ある。
ング工程について説明する。図１は本実施の形態におけ
るエージング工程およびその後に続く放電ガス封入工程
を行うためのパネル製造装置の構成を模式的に示す図で
ある。
【００３５】パネル製造装置は、パネル１の内部空間に
ガスを導入、排気するための配管２ａ，２ｂ、パネル１
の内部空間のガス圧を調整するバルブ３ａ，３ｂ、およ
び放電電圧を印加するための駆動回路４、および加熱炉
８から構成される。
ガスを導入、排気するための配管２ａ，２ｂ、パネル１
の内部空間のガス圧を調整するバルブ３ａ，３ｂ、およ
び放電電圧を印加するための駆動回路４、および加熱炉
８から構成される。
【００３６】アドレス電極、可視光反射層、隔壁および
蛍光体層が形成された背面板５には表示領域を避けて通
気口６が２カ所以上設けられており、これらの通気口に
はガラス管７が取り付けられている。ガラス管７と放電
ガスを流すための配管２ａ，ｂを接続する。接続後、パ
ネル１の内部空間１０を配管２ｂを通して真空に排気し
ながらパネルを所定の温度まで加熱し（排気工程）、冷
却後に、配管２ａより所定のＸｅ濃度のエージング用放
電ガスを所定の圧力で導入し、駆動回路４を用いて前面
板９に形成された表示電極に所定の電圧を印加し、パネ
ル１内部で放電を発生させ、所定の時間だけエージング
を行った（エージング工程）。
蛍光体層が形成された背面板５には表示領域を避けて通
気口６が２カ所以上設けられており、これらの通気口に
はガラス管７が取り付けられている。ガラス管７と放電
ガスを流すための配管２ａ，ｂを接続する。接続後、パ
ネル１の内部空間１０を配管２ｂを通して真空に排気し
ながらパネルを所定の温度まで加熱し（排気工程）、冷
却後に、配管２ａより所定のＸｅ濃度のエージング用放
電ガスを所定の圧力で導入し、駆動回路４を用いて前面
板９に形成された表示電極に所定の電圧を印加し、パネ
ル１内部で放電を発生させ、所定の時間だけエージング
を行った（エージング工程）。
【００３７】本実施の形態ではエージング用放電ガスと
してＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、ＫｒあるいはＮ２のいずれか１
種類あるいは２種類以上を含むＸｅとの混合ガス、ある
いはＸｅ単体のガスを用い、放電ガス圧力を３００〜２
０００Ｔｏｒｒ程度に設定した。
してＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、ＫｒあるいはＮ２のいずれか１
種類あるいは２種類以上を含むＸｅとの混合ガス、ある
いはＸｅ単体のガスを用い、放電ガス圧力を３００〜２
０００Ｔｏｒｒ程度に設定した。
【００３８】前記エージング工程終了後に、パネル内部
のエージング用の放電ガスを配管２ｂを通して排気し、
その後、配管２ａより少なくもＸｅを含む所定の組成の
放電ガスを所定の圧力で導入し、ガラス管７を封止し、
ＰＤＰを作製した。
のエージング用の放電ガスを配管２ｂを通して排気し、
その後、配管２ａより少なくもＸｅを含む所定の組成の
放電ガスを所定の圧力で導入し、ガラス管７を封止し、
ＰＤＰを作製した。
【００３９】前記のようなエージング用放電ガスを用い
てエージングを行うことで、従来の組成でＸｅを含む放
電ガスによるエージングよりも蛍光体の発光特性劣化を
抑えることができた。
てエージングを行うことで、従来の組成でＸｅを含む放
電ガスによるエージングよりも蛍光体の発光特性劣化を
抑えることができた。
【００４０】（実施例）
【００４１】
【表１】
【００４２】パネル番号１〜６のＰＤＰは、前記実施の
形態に基づいて作製した実施例に係わるＰＤＰであっ
て、パネル番号１〜６は、エージング工程に用いるエー
ジング用放電ガスのＸｅ濃度やガス圧を変えたパネルで
ある。
形態に基づいて作製した実施例に係わるＰＤＰであっ
て、パネル番号１〜６は、エージング工程に用いるエー
ジング用放電ガスのＸｅ濃度やガス圧を変えたパネルで
ある。
【００４３】パネル番号７のＰＤＰは、比較例に係わる
ＰＤＰであり、従来の製造方法で作製したパネルで、エ
ージング工程前にＮｅ（９５％）−Ｘｅ（５％）の混合
ガスをパネルに５００Ｔｏｒｒで導入後、ガス導入用の
ガラス管を封止したパネルである。
ＰＤＰであり、従来の製造方法で作製したパネルで、エ
ージング工程前にＮｅ（９５％）−Ｘｅ（５％）の混合
ガスをパネルに５００Ｔｏｒｒで導入後、ガス導入用の
ガラス管を封止したパネルである。
【００４４】尚、第１の放電ガスのＸｅ濃度は、１０％
以上もしくは２０％以上であることが好ましい。
以上もしくは２０％以上であることが好ましい。
【００４５】前記各ＰＤＰにおいて、エージング工程で
の放電は２４時間行い、エージング工程までの製造工程
は同じ条件とした。また、パネル構成も同じ構成とし、
蛍光体膜厚は３０μｍ、エージング工程後に封入する放
電ガスはＮｅ（９５％）−Ｘｅ（５％）を５００Ｔｏｒ
ｒで封入した。
の放電は２４時間行い、エージング工程までの製造工程
は同じ条件とした。また、パネル構成も同じ構成とし、
蛍光体膜厚は３０μｍ、エージング工程後に封入する放
電ガスはＮｅ（９５％）−Ｘｅ（５％）を５００Ｔｏｒ
ｒで封入した。
【００４６】パネルの発光特性としては、比較例のパネ
ル番号７の輝度を１００とした相対輝度で示している。
また、青色セル、赤色セル、緑色セルのすべてを同一電
力条件で点灯した時の白色表示の色温度（色温度補正な
し）を測定した。
ル番号７の輝度を１００とした相対輝度で示している。
また、青色セル、赤色セル、緑色セルのすべてを同一電
力条件で点灯した時の白色表示の色温度（色温度補正な
し）を測定した。
【００４７】本実施例のパネル１〜６はいずれも従来の
パネル７に比較して輝度が向上し、色温度も高くなって
いた。
パネル７に比較して輝度が向上し、色温度も高くなって
いた。
【００４８】パネル番号１〜３の比較より、エージング
工程で用いる放電ガス中のＸｅ濃度が高くなる程、パネ
ルの発光特性が良好となることが判る。これは、Ｘｅ濃
度が高くなるにしたがって、エージング放電時に発生す
る光が１４７ｎｍ（Ｘｅ共鳴線）よりも１７２ｎｍ（Ｘ
ｅ分子線）の方が多くなるために、エージング中の蛍光
体の劣化が抑えられるためと考えられる。
工程で用いる放電ガス中のＸｅ濃度が高くなる程、パネ
ルの発光特性が良好となることが判る。これは、Ｘｅ濃
度が高くなるにしたがって、エージング放電時に発生す
る光が１４７ｎｍ（Ｘｅ共鳴線）よりも１７２ｎｍ（Ｘ
ｅ分子線）の方が多くなるために、エージング中の蛍光
体の劣化が抑えられるためと考えられる。
【００４９】また、パネル番号４〜６の比較より、エー
ジング工程で用いるＸｅを含む放電ガスのガス圧が高く
なる程、パネルの発光特性が良好となることが判る。
ジング工程で用いるＸｅを含む放電ガスのガス圧が高く
なる程、パネルの発光特性が良好となることが判る。
【００５０】これは、ガス圧が高くなるにしたがって、
エージング放電時に発生する光が１４７ｎｍ（Ｘｅ共鳴
線）よりも１７２ｎｍ（Ｘｅ分子線）の方が多くなるた
めに、エージング中の蛍光体の劣化が抑えられるためと
考えられる。
エージング放電時に発生する光が１４７ｎｍ（Ｘｅ共鳴
線）よりも１７２ｎｍ（Ｘｅ分子線）の方が多くなるた
めに、エージング中の蛍光体の劣化が抑えられるためと
考えられる。
【００５１】尚、本実施例では、エージング用放電ガス
も、エージング後に入れ替えるガスもＸｅと混合するガ
スとしてＮｅを用いたが、Ｎｅ以外でもＨｅ、Ｎｅ、Ａ
ｒ、Ｋｒ、Ｎ２やあるいはこれらの混合ガスを用いても
同様の効果が見られた。
も、エージング後に入れ替えるガスもＸｅと混合するガ
スとしてＮｅを用いたが、Ｎｅ以外でもＨｅ、Ｎｅ、Ａ
ｒ、Ｋｒ、Ｎ２やあるいはこれらの混合ガスを用いても
同様の効果が見られた。
【００５２】以上の実施例においては、面放電型のＰＤ
Ｐを例示したが、対向放電型のＰＤＰにも適用すること
ができる。さらに直流型（ＤＣ型）のＰＤＰにおいて
も、同様の効果が得られる。
Ｐを例示したが、対向放電型のＰＤＰにも適用すること
ができる。さらに直流型（ＤＣ型）のＰＤＰにおいて
も、同様の効果が得られる。
【００５３】尚、第１の放電ガスのガス圧が６００Ｔｏ
ｒｒ以上もしくは大気圧以上であることが好ましい。
ｒｒ以上もしくは大気圧以上であることが好ましい。
【００５４】また、プラズマディスプレイパネルのすべ
てのセルを同一電力条件で点灯させたときの発光色の色
温度が７０００Ｋ以上、または８０００Ｋ以上、または
９０００Ｋ以上、もしくは１００００Ｋ以上であること
が好ましい。
てのセルを同一電力条件で点灯させたときの発光色の色
温度が７０００Ｋ以上、または８０００Ｋ以上、または
９０００Ｋ以上、もしくは１００００Ｋ以上であること
が好ましい。
【００５５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、エージン
グ時に現れた蛍光体の発光特性劣化を抑えることが可能
となり、その結果、輝度および色温度の高いプラズマデ
ィスプレイパネルが実現できる。
グ時に現れた蛍光体の発光特性劣化を抑えることが可能
となり、その結果、輝度および色温度の高いプラズマデ
ィスプレイパネルが実現できる。
【図１】本発明の実施の形態に係わるパネル製造装置の
模式図
模式図
【図２】本実施の形態に係わる交流面放電型プラズマデ
ィスプレイパネルの概略断面図
ィスプレイパネルの概略断面図
【図３】本実施の形態の真空紫外線照射による輝度変化
を示す図
を示す図
【図４】従来の交流面放電型プラズマディスプレイパネ
ルの概略断面図
ルの概略断面図
１ パネル ２ａ，２ｂ 配管 ３ａ，３ｂ バルブ ４ 駆動回路 ５ 背面板 ６ 通気口 ７ ガラス管 ８ 加熱炉 ９ 前面板 １０ 内部空間
Claims (14)
- 【請求項１】 前面板と背面板を封着し、内部空間に蛍
光体層が形成されたパネルに少なくともＸｅを含む第１
の放電ガスを導入し、所定の時間だけ放電を行うエージ
ング工程を有し、前記エージング工程後に、第１の放電
ガスをパネルから排気し、少なくともＸｅを含む第２の
放電ガスを前記パネルに導入することを特徴とするプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項２】 エージング工程で第１の放電ガスから発
生する光の主成分の波長が１７２ｎｍであることを特徴
とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製
造方法。 - 【請求項３】 パネル放電で第２の放電ガスから発生す
る光の主成分の波長が１４７ｎｍであることを特徴とす
る請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方
法。 - 【請求項４】 第１の放電ガスのガス圧が第２の放電ガ
スのガス圧よりも高いことを特徴とする請求項１から３
のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造
方法。 - 【請求項５】 第１の放電ガスのガス圧が６００Ｔｏｒ
ｒ以上であることを特徴とする請求項４記載のプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項６】 第１の放電ガスのガス圧が大気圧以上で
あることを特徴とする請求項４記載のプラズマディスプ
レイパネルの製造方法。 - 【請求項７】 第１の放電ガスのＸｅ濃度が第２の放電
ガスのＸｅ濃度よりも高いことを特徴とする請求項１か
ら３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの
製造方法。 - 【請求項８】 第１の放電ガスのＸｅ濃度が１０％以上
であることを特徴とする請求項７記載のプラズマディス
プレイパネルの製造方法。 - 【請求項９】 第１の放電ガスのＸｅ濃度が２０％以上
であることを特徴とする請求項７記載のプラズマディス
プレイパネルの製造方法。 - 【請求項１０】 少なくともＸｅを含む第１の放電ガス
または第２の放電ガスがＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｎ２
のいずれか１種類もしくは２種類以上を含むＸｅとの混
合ガスであることを特徴とする請求項１から９のいずれ
かに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１１】 第１の放電ガスがＸｅであることを特
徴とする請求項１から３のいずれかに記載のプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１２】 一対の平行に配されたプレートの間
に、電極および複数色の蛍光体層とが配設され、ガス媒
体が封入されたプラズマディスプレイパネルであって、
請求項１から１１のいずれかの製造方法で製造されたこ
とを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項１３】 プラズマディスプレイパネルのすべて
のセルを同一電力条件で点灯させたときの発光色の色温
度が７０００Ｋ以上であることを特徴とする請求項１２
記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項１４】 青色蛍光体がＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅ
ｕであることを特徴とする請求項１２または１３記載の
プラズマディスプレイパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18872799A JP3374789B2 (ja) | 1999-07-02 | 1999-07-02 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18872799A JP3374789B2 (ja) | 1999-07-02 | 1999-07-02 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001023525A true JP2001023525A (ja) | 2001-01-26 |
| JP3374789B2 JP3374789B2 (ja) | 2003-02-10 |
Family
ID=16228731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18872799A Expired - Fee Related JP3374789B2 (ja) | 1999-07-02 | 1999-07-02 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3374789B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6992440B2 (en) | 2004-02-26 | 2006-01-31 | Asahi Glass Company, Limited | Light-emitting device and process for its production |
-
1999
- 1999-07-02 JP JP18872799A patent/JP3374789B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6992440B2 (en) | 2004-02-26 | 2006-01-31 | Asahi Glass Company, Limited | Light-emitting device and process for its production |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3374789B2 (ja) | 2003-02-10 |
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