JP2001023112A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄膜コイルの形成不良による薄膜コイルの直
流抵抗の増大や薄膜コイルの断線を防止し、薄膜コイル
を正確に所望の形状に形成することができる磁気ヘッド
を提供すること。 【解決手段】 記録媒体との摺動面近傍の非磁性基板１
１に金属磁性層１３がそれぞれ形成された一対の磁気コ
ア半体３，４同士が接合されることで磁気ギャップｇが
形成されており、前記磁気コア半体３，４の少なくとも
一方の接合面に設けられた薄膜コイル６によって磁路が
形成される磁気ヘッド１０において、前記接合面にて露
出する前記非磁性基板１１は、前記薄膜コイル６の最内
周よりも内側に配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜コイルが磁気
コア半体同士の接合面に形成されてなる磁気ヘッドの改
良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の磁気ヘッドとしては、例えばＶＣ
Ｒ（ビデオカセットレコーダー）用の磁気ヘッドとし
て、フェライトからなる磁気コアの磁気ギャップ形成面
に金属磁性層を成膜したいわゆるメタル・イン・ギャッ
プ（ＭＩＧ）型の磁気ヘッドや、非磁性セラミック基板
で金属磁性層を挟み込んだ形状の積層型ヘッドなどが実
用化されている。また、今後の高画質化及びデジタル化
などに対応するためには、例えばより高周波帯域で良好
な電磁変換特性を示す必要があり、しかも小さなドラム
上に複数の磁気ヘッドが搭載できなければならない。

【０００３】しかしながら、前述のメタル・イン・ギャ
ップ（ＭＩＧ）型の磁気ヘッドは、インピーダンスが大
きく、高周波帯域での使用には適さない。また、積層型
ヘッドは、高密度記録化によるトラック幅の減少にとも
ない、磁路を構成する金属磁性層の厚さを減少させる必
要がある。このため、積層型ヘッドは、再生効率が低下
する上に、ヘッドの複数化にもある程度の限界がある。

【０００４】そこで、高周波帯域対応の磁気ヘッドとし
ては、例えば特開平６−２５９７１７号公報に記載され
ているように、通常のＶＣＲ用磁気ヘッドよりも金属磁
性層で構成される磁路を小さくし、かつ薄膜工程を用い
て磁気ギャップ形成面（接合面）に薄膜コイルを形成し
た磁気ヘッド（以下「バルク薄膜ヘッド」という。）が
提案されている。

【０００５】図２４は、従来の磁気ヘッド１１０の構成
例を示す斜視図であり、図２５は、図２４の範囲Ｖの構
成例を示す拡大断面図である。磁気ヘッド１１０は、両
側の磁気コア半体３，４のギヤップ対向面と同一平面内
に非磁性基板の一部を露出させ、この非磁性基板１１１
（以下、単に「基板１１１」という。）と金属磁性層１
１３の一部を突き合わせたバルク薄膜ヘッドである。バ
ルク薄膜ヘッド１１０は、本構造を採用することによ
り、記録フリンジングによる実効記録幅減少量の低滅
や、再生フリンジングによる隣接クロストークの低減等
の効果が得られ、更なる面記録密度の向上が可能となっ
ている。

【０００６】バルク薄膜ヘッド１１０は、図２４のよう
に対の磁気コア半体３，４がその金属磁性層１１３，１
３同士を突き合わして接合一体化して構成されている。
対の磁気コア半体３，４は、非磁性材でなる基板１１１
の一方の側に金属磁性層１１３及びガラス１７が配置形
成されてなる。両磁気コア半体３，４の少なくとも一方
には、ヘッド巻線を設けるための図２４には図示しない
巻線溝が形成され、この巻線溝内に電磁変換を行うため
の薄膜コイル１０６による巻線が設けられる。バルク薄
膜ヘッド１１０は、金属磁性層１１３，１３同士の突き
合わせ面において、この薄膜コイル１０６を挟んで、磁
気記録媒体との摺動面８側にフロントギャップｇＦ、摺
動面８と反対側にバックギャップｇＢがそれぞれ形成さ
れている。

【０００７】磁気コア半体４及び磁気コア半体３の側面
には、薄膜コイル１０６から伸びる接続端子７，７が形
成されている。この接続端子７，７は、ワイヤー等の結
線により図示しない外部と電気的に接続される。

【０００８】図２４のバルク薄膜ヘッド１１０は以上の
ような構成であり、次に図２６〜図４４を参照しながら
その製造手順を説明する。まず、図２６に示すように非
磁性材からなる基板１１１を用意する。次に、図２７の
ようにこの基板１１１上に磁性コアを形成するための傾
斜面１２ｂを有する磁気コア形成溝１２を形成した後、
図２８のように斜面１２ｂ等に金属軟磁性膜でなる金属
磁性層１１３を成膜する。次に、図２９のように金属磁
性層１１３を形成した磁気コア形成溝１２に対し、例え
ば直角にフロントギャップｇＦ及びバックギヤップｇＢ
を分離する分離溝１５及び巻線溝１６を形成する。次
に、これらの分離溝１５及び巻線溝１６等は、ガラス１
７により充填された後、図３０のようにポリッシング等
により図３４の状態から図３５の状態へと平坦になるよ
うに表面処理される。この平坦化処理において、基板１
１１の一部を露出させる。フロントギャップｇＦ及びバ
ックギャップｇＢは、図３０の範囲Ｅを拡大すると図３
１（Ａ），図３１（Ｂ）及び図３１（Ｃ）のようになっ
ている。次に、ガラス１７が充填された分離溝１５内に
は、図３２のように端子溝１８が形成される。その後、
図３３のように端子溝１８内には、メッキ等により銅等
の端子様導体１９が充填された後、ポリッシング等の工
程により図３６（Ａ）の状態から図３６（Ｂ）及び図３
５の状態へと、基板１１１は再び表面が平坦化される。

【０００９】そして、以下の手順にて図２５の薄膜コイ
ル１０６が形成される。図３７（Ａ）、図３７（Ｂ）及
び図３７（Ｃ）のように概ね薄膜コイル１０６の外形の
外側及び内周の内側に対応した位置に、例えばフォトリ
ソグラフィ技術によりレジスト４４を形成する。次に図
３８のように、例えばイオンエッチングや化学エッチン
グ、パウダービームエッチング等の手法により、ガラス
１７において薄膜コイル１０６を形成する部分が選択的
にエッチングされ、コイル形成溝２０が形成される。

【００１０】次に、コイル形成溝用のレジスト４４を除
去した後、図３９（Ａ）、図３９（Ｂ）及び図３９
（Ｃ）のようにコイル形成溝２０内には、薄膜コイル１
０６の形状に対応したレジスト２２が例えばフォトリソ
グラフィ技術により形成される。次に、レジスト２２同
士の隙間には、図４０（Ａ）、図４０（Ｂ）及び図４０
（Ｃ）のようにメッキ等を用いて銅等の伝導性の良い電
導体１２３が充填される。最後に、レジスト２２は、図
４１のように除去される。このようにして、基板１１１
には、図４２のように電導体１２３でなる薄膜コイルが
形成される。

【００１１】そして、コアは、図４３のように磁気コア
半体ブロック２８ａ及び磁気コア半体ブロック２８ｂの
ように１列ずつ切断される。次に、磁気コア半体ブロッ
ク２８ａ及び磁気コア半体ブロック２８ｂは、図４４の
ようにギャップ接合が行われた後に接合したコア列が１
つずつ切断されることで、図２４のような１つのバルク
薄膜ヘッド１１０が得られる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところが、バルク薄膜
ヘッド１１０は、図３０や図３３での平坦化処理におい
て、バックギヤップｇＢに露出している基板１１１が、
図４１のように薄膜コイル１０６を形成する部分に干渉
する位置まで露出すると、以下に示す理由により、コイ
ル抵抗の増大やコイル断線等の問題が発生する。バック
ギャップｇＢ及びその近傍を構成する材料には、金属磁
性層１１３の他にも非磁性基板やガラスが使用されてい
る。そして、基板１１１の材質には、ＣａＯ−ＴｉＯ２
系、ＢａＯ−ＴｉＯ２系、ＭｎＯ−ＮｉＯ系等の非磁性
のセラミックス材が一般的に用いられいる。また、ガラ
ス１７については、金属磁性層１１３の耐熱性が一般に
６００℃程度が上限となっているため、この温度にて溶
融充填が可能なＰｂＯ一ＳｉＯ２系のいわゆる低融点ガ
ラスが一般的に使用されている。

【００１３】既に説明した通り、図３８（Ａ）、図３８
（Ｂ）及び図３８（Ｃ）に示すコイル形成溝２０は、エ
ッチング等により形成されている。図４１のように基板
１１１が薄膜コイル１０６を形成する部分にまで露出す
ると、コイル形成溝２０は、基板１１１とガラス１７と
いう２種類の材料が存在する位置に形成されることにな
る。ここで、基板１１１に用いられるセラミックス材
と、ガラス１７に用いられる低融点ガラスとのの硬度や
化学的耐久性を比較すると、いずれもセラミックス材の
方が勝っている。このため、コイル形成溝２０を形成す
る場合の単位時間当たりのエッチング量（エッチングレ
ート）は、ガラス１７よりも基板１１１の方が少なくな
る、つまり、エッチングレートが低くなる。

【００１４】例えばイオンエッチングにてコイル形成溝
２０を形成する場合においては、低融点ガラス１７のビ
ッカース硬度が４００〜５００であるのに対し、前述の
各種セラミックス材は、ビッカース硬度が８００〜１０
００と倍になっている。このため、それぞれのエッチン
グレートは、低融点ガラスが２０ｎｍ／分、セラミック
ス材が１０ｎｍ／分となっており、セラミックス材のエ
ッチングレートは低融点ガラスの半分となっている。こ
のため、イオンエッチングを用いて、例えばガラス１７
の深さが１０μｍとなるようにコイル形成溝２０を形成
した場合には、基板１１１のエッチングレートはガラス
１７のエッチングレートの半分である。このため、基板
１１１の溝深さは５μｍ程度となり、図４５（Ｂ）の範
囲ＶＯに示すようにガラス１７と基板１１１の境界に段
差Ｄが発生する場合がある。

【００１５】かかる段差Ｄがコイル形成溝２０内の薄膜
コイルを形成する部分に発生すると、薄膜コイル１０６
のメッキ工程において段差Ｄ部分でのメッキの成長方向
の違いにより、図４６のように段差Ｄにてメッキ膜（電
導体１２３）の異常成長が発生する。このため、この状
態にてバルク薄膜ヘッド１１０を作製すると、薄膜コイ
ル１０６の直流抵抗の増大やコイル断線等の問題が発生
する。

【００１６】また、前述の段差Ｄが薄膜コイル１０６を
形成する部分に存在する場合は、薄膜コイル１０６の形
成をスパッタリングにて行うと、図４７に示すように段
差Ｄの側面がスパッタ粒子進入方向Ｓに対し平行とな
り、側面に成膜される電導体１２３が殆ど成長せず、膜
厚が極端に薄くなる。このため、従来のバルク薄膜ヘッ
ド１１０は、薄膜コイル１０６における部分的な断面積
の減少によるコイル直流抵抗の増大や、場合によっては
薄膜コイル１０６が断線してしまうこと等の問題が発生
していた。

【００１７】そこで本発明は上記課題を解消し、薄膜コ
イルの形成不良による薄膜コイルの直流抵抗の増大や薄
膜コイルの断線を防止し、薄膜コイルを正確に所望の形
状に形成することができる磁気ヘッドを提供することを
目的としている。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記目的は、請求項１の
発明にあっては、記録媒体との摺動面近傍の非磁性基板
に金属磁性層がそれぞれ形成された一対の磁気コア半体
同士が接合されることで磁気ギャップが形成されてお
り、前記磁気コア半体の少なくとも一方の接合面に設け
られた薄膜コイルによって磁路が形成される磁気ヘッド
において、前記接合面にて露出する前記非磁性基板は、
前記薄膜コイルの最内周よりも内側に配置されているこ
とを特徴とする磁気ヘッドにより、達成される。

【００１９】請求項１の構成によれば、磁気コア半体の
接合面にて露出する非磁性基板が薄膜コイルの最内周よ
りも内側に配置されているので、薄膜コイルを形成する
際に、接合面に露出している非磁性基板の存在が薄膜コ
イルを形成するためのコイル形成溝の形成時に影響を与
えることがない。磁気ヘッドは、薄膜コイルを形成する
ためのコイル溝を正確に形成される。従って、このよう
な磁気ヘッドは、薄膜コイルが正確に形成される。

【００２０】請求項２の発明は、前記薄膜コイルは、前
記磁気コア半体のバックギャップを中心として巻線する
ように形成されていることを特徴とする。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明
の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨
の記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。図１は、本発明の好ましい実施形態としての磁気ヘ
ッド１０の構成例を示す斜視図である。図２は、図１の
磁気ヘッド１０における範囲Ｖの一部を省略した構成例
を示す拡大断面図である。この磁気ヘッド１０は、例え
ばＶＣＲ（ビデオカセットレコーダー）に用いるバルク
薄膜ヘッドに適用した例である。磁気ヘッド１０は、例
えば内蔵する巻線を薄膜によって形成させたＥＴＦ（Ｅ
ｍｂｅｄｅｄ Ｔｈｉｎ Ｆｉ１ｍ）でなるコイルを有
する。磁気ヘッド１０は、図１のように左右別々に作製
された一対の非磁性材料からなる基体１，２にそれぞれ
一方の側に磁路を構成する金属磁性層１３が形成された
磁気コア半体３，４の端面同士が、その金属磁性層１３
が形成された側を突き合わせ面（以下、「接合面」とい
う。）として突き合わされて、接合一体化されてなる。

【００２２】また、両磁気コア半体３，４の金属磁性層
１３には、ヘッド巻線に供する巻線溝５が形成され、こ
の巻線溝５を通じて電磁変換を行うための薄膜コイル６
による巻線が設けられている。この薄膜コイル６は、磁
気コア半体３，４の突き合わせ面に形成される。金属磁
性層１３の突き合わせ面において、この巻線溝５を挟ん
で、磁気記録媒体との摺動面８側にフロントギャップｇ
F 、摺動面８と反対側にバックギャップｇＢがそれぞれ
形成されている。

【００２３】そして、図１のように突き合わせ面に形成
された薄膜コイル６の接続端子７，７は、突き合わせ面
に交叉する磁気ヘッド１０の側面と同一面内に形成され
る。従って、薄膜コイル６から磁気コア半体３，４にか
けて形成された図示しない配線が、磁気ヘッド１０の側
面１０ａにある薄膜コイル６の端子すなわち接続端子
７，７に電気的接続がされている。さらに、この接続端
子７，７は、ワイヤー等の結線により外部と電気的に接
続される。

【００２４】金属磁性層１３の材料としては、センダス
ト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）が好適であるが、その他こ
れに類似した合金、またＦｅ系微結晶膜等の他の軟磁性
合金も使用できる。

【００２５】また、図２に示すように、より高周波領域
において高感度を持たせるためには、非磁性層１４を介
して複数の金属磁性層１３を形成した積層構造にするの
がよい。このような構造であることにより、金属磁性層
１３が複数に分断されるため渦電流損失を低減させるこ
とができる。このときの非磁性層１４の材料は、アルミ
ナ、ＳｉＯ２もしくはＳｉＯでも可能で、これらの混合
物でもよい。非磁性層１４の厚みは、最低限絶縁効果の
得られる厚み以上が必要であるが、余り厚すぎると実効
トラック幅が減少し再生出力が低下してしまうことを考
慮する必要がある。

【００２６】本実施形態では、Ａｌ２Ｏ３からなる下地
膜を０．１μｍ形成した後、金属磁性層１３はセンダス
トにより４μｍの厚さに、非磁性層１４はアルミナによ
り０．１５μｍの厚さとして、これらを交互に積層させ
て、金属磁性層１３を例えば３層とした積層構造を形成
した。

【００２７】磁気ヘッド１０は以上のような構成であ
り、次に図３〜図２３を参照しながらその製造方法につ
いて説明する。まず、図３に示すように非磁性基板１１
は、ＭｎＯ−ＮｉＯ系等の非磁性材料からなり、その寸
法は例えば長さ３０ｍｍ，幅３０ｍｍ，厚さ２ｍｍ程度
である。以下、「非磁性基板１１」を単に基板１１とい
う。

【００２８】次に、図４に示すようにこの基板１１の主
面上には、磁性コアを形成するための斜面を形成するた
め、片面を例えば４５°に成形した砥石によって、鉛直
面１２ａと斜面１２ｂを有する磁気コア形成溝１２が複
数本平行に形成される。斜面１２ａの傾きは、２５°〜
６０°程度が望ましく、疑似ギャップの発生の防止やト
ラック幅精度の確保を考えると３５°〜５０°程度が望
ましい。また、磁気コア形成溝１２の深さは、１３０μ
ｍ程度、幅は１５０μｍ程度とした。

【００２９】次に、図４に示すように基板１１の磁気コ
ア形成溝１２を形成した主面上には、スパッタ、蒸着、
ＭＢＥ（分子線エピタキシー）等の物理的気相成長法や
化学的気相成長法により図５のように金属磁性層１３が
成膜される。さらに、磁気コア形成溝１２における鉛直
面１２ａと斜面１２ｂとの間にある水平な底面１２ｃの
金属磁性層１３が、除去される。

【００３０】次に、図６に示すように基板１１には、磁
気コア形成溝１２に対しほぼ直交する方向に、隣接する
２つのコア間を分離するフロント・バックギャップ分離
溝（以下「分離溝」という。）１５と巻線溝１６とがそ
れぞれ形成される。

【００３１】分離溝１５の深さは、金属磁性層１３が完
全に分断される深さが必要であり、本実施形態では磁気
コア形成溝１２の上部から例えば１５０μｍの深さの位
置まで形成した。また、分離溝１５の幅は、フロントギ
ャップｇＦが例えば３０μｍ、バックギャップｇＢが例
えば８５μｍ残るように決定している。この幅は、任意
であり、フロントギャップｇＦとバックギャップｇＢの
長さのかねあいにより設定されるものである。

【００３２】巻線溝１６の深さは、金属磁性層１３が切
断されない深さであればよいが、深すぎると磁路長が大
きくなって磁束伝達の効率が低下する。このため、巻線
溝１６の深さは、磁気コア形成溝１２の上部より２０μ
ｍ程度の深さにすることが望ましい。巻線溝１６の幅
は、薄膜コイル６の幅と巻線数によるが、本実施形態で
は例えば１４０μｍとした。

【００３３】また、それぞれの溝１５，１６の形状は、
分離溝１５に関しては金属磁性層１３が切断されていれ
ばよく、形状は問わないが、巻線溝１６に関しては例え
ば斜めに切り込んだ形状とし、磁束が集中し高い記録感
度が得られる構成とした。尚、本実施形態では、巻線溝
１６のフロントバック側を例えば４５°の斜面を有する
砥石により形成したが、斜面の角度が４５°でなくても
構わないし、形状も円形若しくは多角形のものでも構わ
ない。

【００３４】次に、図７に示すように磁気コア形成溝１
２、分離溝１５及び巻線溝１６には、それぞれＰｂＯ−
ＳｉＯ２低融点ガラスでなるガラス１７により図１１の
ように充填され、ポリッシング等により表面が平坦化さ
れる。この平坦化の際には、基板１１の主面上の余分な
金属磁性層１３が同時に除去され、接合面に基板１１が
露出する。

【００３５】次に、図９に示すようにガラス１７により
充填された分離溝１５内には、分離溝１５及び巻線溝１
６と平行な方向に端子溝１８が形成される。この端子溝
１８は、磁気ヘッド１０においてバックギャップｇＢと
なる部分であり、分離溝１５と巻線溝１６の間の部分よ
りも外側の位置に形成される。

【００３６】次に、図１０に示すように端子溝１８内に
は、銅等の導電性の良い端子用導体１９がメッキ等によ
り充填される。そして、後述する薄膜コイル６のコイル
端子となる端子用導体１９が形成される。従って、端子
用導体１９は所定量研磨され、基板１１は、図１２のよ
うに再び表面が平坦化される。

【００３７】ここで、金属磁性層１３の露出幅３３は、
図１５のように磁気コア形成溝１２の深さ方向で一定と
なっている。これに対して、基板１１の露出幅３５は、
磁気コア形成溝１２の底部に近くなるほど増大する。こ
のため、平坦化時の研磨量が大きいほど、基板１１の露
出量３５が大きくなる。従って、接合面における基板１
１及び金属磁性層１３の露出幅の調整では、基板１１の
露出幅３５の制御が重要である。

【００３８】この平坦化処理の際には、図１４及び図１
５のように複数回、例えば２回に分けて以下のように平
坦化が行われている。まず、コイル形成溝２０（凹部）
を形成する際に基板１１の表面に露出している非磁性基
板１３の露出量３５は、図７の第１の平坦化処理及び、
図１０の第２の平坦化処理の２回の平坦化処理にて決定
される。

【００３９】第１の平坦化処理は、図１１のように基板
１１の表面を覆っているガラス１７を図１２のように除
去し、金属磁性層１３を基板１１の表面に露出させるた
めに行われている。これにより、次工程である図９の端
子溝入れの位置決めが容易になる。図１４に示すよう
に、第１の平坦化処理での基板１１の露出量３６は、磁
気コア形成溝１２の頂点からの研磨量３９により決定さ
れる。また、第１の平坦化処理での基板１１の露出量３
６は、磁気コア形成溝１２の磁気コア形成面１２ｂが傾
斜面のため研磨量３９が多くなるほど露出量３６が増加
する。

【００４０】第２の平坦化処理は、後述するように図１
６においてレジスト４４を均一な厚みで形成するために
基板１１の表面を平滑にする必要があることから行われ
る。第２の平坦化処理は、図１３（Ａ）のように端子溝
１８内に端子用導体１９を充填した際に端子溝１８から
はみ出した端子用導体１９を除去し、図１３（Ｂ）に示
すように基板１１の表面を平滑にするために行ってい
る。これらの平坦化処理での基板１１の露出量３５は、
図１４に示すように前述の第１の平坦化処理での露出量
３６に、第２の平坦化処理の研磨にて増加した露出量３
７を加えたものとなる。尚、この第２の平坦化処理で
も、第１の平坦化処理と同様に研磨量４０が多くなるほ
ど基板１１の露出量３６が増加する。

【００４１】以上のように、基板１１の接合面における
露出量３５は、第１の平坦化処理における研磨量３９及
び第２の平坦化処理における研磨量４０によって決定さ
れる。よって、基板１１が接合面にて薄膜コイル６を形
成するための部分まで露出しないためには、第２の平坦
化処理後の基板１１の露出量３５が薄膜コイル６の最内
周よりも内側に位置するように図１４の研磨量３７を調
整すれば良い。

【００４２】本実施形態における薄膜コイル６の場合
は、図２０（Ｂ）に示すように金属磁性層１３から薄膜
コイル６最内周までの距離Ｌが例えば２０μｍとなって
いる。図１５のように、磁気コア形成溝１２の斜面１２
ｂの角度θは、例えば４５度となっている。このため、
第１の平坦化処理の研磨量３９及び第２の平坦化処理の
研磨量４０の合計としての総研磨量４１が、磁気コア形
成溝１２の頂点から２０μｍ以下になるようにすれば、
基板１１の露出量３５を２０μｍ以下にすることができ
る。そこで本実施形態では、それぞれの平坦化処理の研
磨量を例えば８μｍとし、基板１１の露出量を例えば１
６μｍとした。

【００４３】続いて、ガラス１７に薄膜コイル６を形成
する工程について説明する。図８は、図１０中の破線で
囲まれた領域Ｅについて拡大した様子を示している。図
１６（Ａ）、図１６（Ｂ）及び図１６（Ｃ）に示すよう
に、概ね薄膜コイル６の外形に対応した位置にレジスト
４４がフォトリソグラフィ技術により形成される。次に
図１７（Ａ）、図１７（Ｂ）及び図１７（Ｃ）に示すよ
うに、ガラス１７には、イオンエッチングや化学エッチ
ング、パウダービームエッチング等の手法により選択的
にエッチングによってコイル形成溝２０が形成される。

【００４４】次に、図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）及び図
１８（Ｃ）に示すように、コイル形成溝２０には、薄膜
コイル６の形状に対応したレジスト２２が例えばフォト
リソグラフィー技術により形成される。このときレジス
ト２２のパターンは、前述の端子用導体１９を覆うよう
に形成される。次に、図１９（Ａ）、図１９（Ｂ）及び
図１９（Ｃ）に示すようにメッキ等を用いて銅等の導電
性の良い電導体２３がレジスト２２間の溝に充填され、
図２０（Ａ）及び図２０（Ｂ）のようにレジスト２２を
除去して電導体２３でなる渦巻き形状の薄膜コイル６が
形成される。

【００４５】次に、基板１１は、図２１における切断ヶ
所ａ−ａ′、切断ヶ所ｂ−ｂ′にて切断され、磁気コア
を構成する１列ずつの磁気半体コアブロック２８ａ，２
８ｂに分割される。これらの一対の磁気コア半体ブロッ
ク２８ａ，２８ｂは、図２２に示すように貼り合わされ
て接合一体化され、図２３のように磁気コアブロック２
９を形成する。

【００４６】本実施形態では、両磁気コア半体ブロック
２８ａ，２８ｂに薄膜コイル２３を形成しているがこれ
に限られず、例えば一方の磁気コア半体ブロックのみに
薄膜コイル６を形成する構成であっても良い。

【００４７】また、図示の例では、ヘッドチップは１列
毎に切断してから接合を行っているが、各磁気コア半体
に切断してから接合を行ってもよい。ヘッドチップの接
合方法には、金接合のほか接着剤を用いた接合方法等を
用いることができる。

【００４８】最後に、図２３の接合一体化した磁気コア
ブロック２９を所定の箇所にて切断する。この切断によ
って、切断面には薄膜コイル２３の端部を接続した端子
用導体１９からなるコイル端子、即ち図１の接続端子
７，７が露出する。このようにして、図１及び図２に示
した構造の磁気ヘッド１０を得ることができる。

【００４９】本発明の実施形態によれば、前述の平坦化
処理において、基板１１が薄膜コイル６の最内周よりも
内側に位置するように露出量を調整しているため薄膜コ
イル６を形成する部分に従来生じていたような有害な段
差が形成されることがない。このため、本発明の実施形
態によれば、かかる段差に起因して薄膜コイル６の断面
積が狭くなることによる直流抵抗の増大や、さらに薄膜
コイル６の断面積が狭くなることによるコイル断線等を
防止することができる。従って、本発明の実施形態によ
れば、薄膜コイル６が正確に所望の形状に形成された磁
気ヘッド１０を提供することができる。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
薄膜コイルの形成不良による薄膜コイルの直流抵抗の増
大や薄膜コイルの断線を防止し、薄膜コイルを正確に所
望の形状に形成することができる磁気ヘッドを提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の好ましい実施形態としての磁気ヘッド
の構成例を示す斜視図。

【図２】図１の磁気ヘッドにおける範囲Ｖの一部を省略
した構成例を示す拡大断面図。

【図３】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例を
示す工程図。

【図４】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例を
示す工程図。

【図５】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例を
示す工程図。

【図６】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例を
示す工程図。

【図７】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例を
示す工程図。

【図８】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例を
示す工程図。

【図９】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例を
示す工程図。

【図１０】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例
を示す工程図。

【図１１】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例
を示す工程図。

【図１２】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例
を示す工程図。

【図１３】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例
を示す工程図。

【図１４】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例
を示す工程図。

【図１５】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例
を示す工程図。

【図１６】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例
を示す工程図。

【図１７】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例
を示す工程図。

【図１８】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例
を示す工程図。

【図１９】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例
を示す工程図。

【図２０】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例
を示す工程図。

【図２１】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例
を示す工程図。

【図２２】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例
を示す工程図。

【図２３】図１の磁気ヘッドの製造工程の一工程の一例
を示す工程図。

【図２４】従来の磁気ヘッドの構成例を示す斜視図。

【図２５】図２４の磁気ヘッドにおける範囲Ｖの一部を
省略した構成例を示す拡大断面図。

【図２６】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図２７】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図２８】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図２９】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図３０】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図３１】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図３２】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図３３】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図３４】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図３５】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図３６】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図３７】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図３８】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図３９】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図４０】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図４１】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図４２】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図４３】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図４４】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図４５】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図４６】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【図４７】図２４の従来の磁気ヘッドの製造工程の一工
程の一例を示す工程図。

【符号の説明】

１・・・基体、２・・・基体、３・・・磁気コア半体、
４・・・磁気コア半体、６・・・薄膜コイル、１１・・
・非磁性基板、１３・・・金属磁性層、ｇＢ・・・バッ
クギャップ

フロントページの続き (72)発明者 高橋 伸司 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5D093 AA01 AB03 AC01 AD05 AD13 AE01 BC09 CA07 DA02 EA02 HA02 HB15 HC03 JA05 5D111 AA01 AA13 AA23 BB12 BB18 DD04 DD06 FF06 FF15 GG16 JJ32 KK01 KK05

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記録媒体との摺動面近傍の非磁性基板に
   金属磁性層がそれぞれ形成された一対の磁気コア半体同
   士が接合されることで磁気ギャップが形成されており、
   前記磁気コア半体の少なくとも一方の接合面に設けられ
   た薄膜コイルによって磁路が形成される磁気ヘッドにお
   いて、 前記接合面にて露出する前記非磁性基板は、前記薄膜コ
   イルの最内周よりも内側に配置されていることを特徴と
   する磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記薄膜コイルは、前記磁気コア半体の
   バックギャップを中心として巻線するように形成されて
   いる請求項１に記載の磁気ヘッド。