JP2001019590A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JP2001019590A JP2001019590A JP11191321A JP19132199A JP2001019590A JP 2001019590 A JP2001019590 A JP 2001019590A JP 11191321 A JP11191321 A JP 11191321A JP 19132199 A JP19132199 A JP 19132199A JP 2001019590 A JP2001019590 A JP 2001019590A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- gas
- chamber
- heater
- heater chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ面内均一性が高く、ウエハ毎にばらつ
かない均一一様な膜厚及び膜質の薄膜をウエハ上に成長
させる気相成長装置を提供する。 【解決手段】 本ＭＯＣＶＤ装置３０は、反応室３２、
ヒータ室３６、ヒータ室の圧力に維持する圧力調節手段
を備える。反応室は、隔板３４により区画された反応チ
ャンバ１２の上部室であって、ガス供給管２０から原料
ガスが導入され、排気管２２を介して排気される。基板
ホルダ１４は、隔板に摺動して回転する。ヒータ室は、
反応室の下に設けられ、加熱ヒータ１６を備える。圧力
調節手段は、窒素ガスを導入するガス導入管３８と、ヒ
ータ室の圧力を計測する圧力計４０と、ヒータ室を所定
流量で排気する真空ポンプ４４と、ガス導入管に設けた
マスフロー・コントローラ４６とから構成される。コン
トローラは、圧力計測値に基づいて導入ガスの流量を調
節し、ヒータ室を所定圧力に制御する。
かない均一一様な膜厚及び膜質の薄膜をウエハ上に成長
させる気相成長装置を提供する。 【解決手段】 本ＭＯＣＶＤ装置３０は、反応室３２、
ヒータ室３６、ヒータ室の圧力に維持する圧力調節手段
を備える。反応室は、隔板３４により区画された反応チ
ャンバ１２の上部室であって、ガス供給管２０から原料
ガスが導入され、排気管２２を介して排気される。基板
ホルダ１４は、隔板に摺動して回転する。ヒータ室は、
反応室の下に設けられ、加熱ヒータ１６を備える。圧力
調節手段は、窒素ガスを導入するガス導入管３８と、ヒ
ータ室の圧力を計測する圧力計４０と、ヒータ室を所定
流量で排気する真空ポンプ４４と、ガス導入管に設けた
マスフロー・コントローラ４６とから構成される。コン
トローラは、圧力計測値に基づいて導入ガスの流量を調
節し、ヒータ室を所定圧力に制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気相成長装置に関
し、更に詳細には、ウエハ面内均一性の高い、更にはウ
エハ毎に均一一様な薄膜を気相成長法により基板上に結
晶成長させる気相成長装置に関するものである。
し、更に詳細には、ウエハ面内均一性の高い、更にはウ
エハ毎に均一一様な薄膜を気相成長法により基板上に結
晶成長させる気相成長装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板上に気相成長法により半導体等の薄
膜をエピタキシャル成長させる気相成長装置は、半導体
装置の製造過程で多用されている。特に、半導体レーザ
素子等の化合物半導体装置を作製する際には、ＭＯＣＶ
Ｄ装置を使って、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）
により、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＰ
系、ＧａＮ系等の化合物半導体層を成膜することが多
い。
膜をエピタキシャル成長させる気相成長装置は、半導体
装置の製造過程で多用されている。特に、半導体レーザ
素子等の化合物半導体装置を作製する際には、ＭＯＣＶ
Ｄ装置を使って、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）
により、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＰ
系、ＧａＮ系等の化合物半導体層を成膜することが多
い。
【０００３】ここで、図４を参照して、従来のＭＯＣＶ
Ｄ装置の構成を説明する。図４は従来のＭＯＣＶＤ装置
の構成を示す模式的断面図である。従来のＭＯＣＶＤ装
置１０は、図４に示すように、石英製等の反応チャンバ
１２を備え、反応チャンバ１２内にウエハＷを載置する
基板ホルダ１４と、基板ホルダ１２の下方に加熱ヒータ
１６とを配置している。
Ｄ装置の構成を説明する。図４は従来のＭＯＣＶＤ装置
の構成を示す模式的断面図である。従来のＭＯＣＶＤ装
置１０は、図４に示すように、石英製等の反応チャンバ
１２を備え、反応チャンバ１２内にウエハＷを載置する
基板ホルダ１４と、基板ホルダ１２の下方に加熱ヒータ
１６とを配置している。
【０００４】基板ホルダ１４は、ウエハの直径より大き
な直径の円板状の部材であって、基板ホルダ１４の下側
中心に連結された回転軸１８と共に回転軸１８の回りに
回転する。反応チャンバ１２の一方の側壁には、マスフ
ロー・コントローラ（図示せず）を備えたガス供給管２
０が接続され、ガス供給管２０から反応チャンバ１２に
原料ガスが所定流量で供給される。また、反応チャンバ
１２の他方の側壁には排気管２２が接続され、反応チャ
ンバ１２を所定の圧力に維持するために、排気管２２を
介して反応チャンバ１２から未反応の原料ガス等を真空
吸引装置（図示せず）により吸引している。加熱ヒータ
１６は、反応チャンバ１２内の温度を設定温度に保持す
るように制御され、これにより基板ホルダ１４上のウエ
ハＷの温度を所定温度に維持している。
な直径の円板状の部材であって、基板ホルダ１４の下側
中心に連結された回転軸１８と共に回転軸１８の回りに
回転する。反応チャンバ１２の一方の側壁には、マスフ
ロー・コントローラ（図示せず）を備えたガス供給管２
０が接続され、ガス供給管２０から反応チャンバ１２に
原料ガスが所定流量で供給される。また、反応チャンバ
１２の他方の側壁には排気管２２が接続され、反応チャ
ンバ１２を所定の圧力に維持するために、排気管２２を
介して反応チャンバ１２から未反応の原料ガス等を真空
吸引装置（図示せず）により吸引している。加熱ヒータ
１６は、反応チャンバ１２内の温度を設定温度に保持す
るように制御され、これにより基板ホルダ１４上のウエ
ハＷの温度を所定温度に維持している。
【０００５】ガス供給管２０から導入された原料ガス
は、ウエハＷの上で加熱分解され、ウエハ上でＧａＡｓ
等の結晶として成長する。未反応の原料ガスは排気管２
２から排気される。例えば、ＭＯＣＶＤ法によるＧａＡ
ｓ膜の成長を例にして説明すると、通常、原料ガスとし
て、Ｇａの有機金属化合物である（ＣＨ3 ）3 Ｇａ（Ｔ
ＭＧａ、トリメチルガリウム）と、Ａｓの水素化合物で
あるＡｓＨ3 （アルシン）が用いられる。ＴＭＧａは、
Ｐｄ膜を拡散させて純化した水素をキャリアガスとして
使って、恒温槽中で蒸気圧を制御した状態でガス化され
る。一方、ＡｓＨ3 は高濃度水素で適当な濃度に希釈し
たものが用いられる。キャリアガスとしての水素とＴＭ
ＧａとＡｓＨ3 とは、混合され、反応チャンバ１２に導
入される。反応チャンバ１２内に導入された原料ガス
は、次第に、層流を形成して、６５０℃程度に加熱され
ている結晶基板上に達することにより、 （ＣＨ3 ）3 Ｇａ＋ＡｓＨ3 → ＧａＡｓ＋３ＣＨ4 という反応を進行させ、基板上にＧａＡｓが成長する。
は、ウエハＷの上で加熱分解され、ウエハ上でＧａＡｓ
等の結晶として成長する。未反応の原料ガスは排気管２
２から排気される。例えば、ＭＯＣＶＤ法によるＧａＡ
ｓ膜の成長を例にして説明すると、通常、原料ガスとし
て、Ｇａの有機金属化合物である（ＣＨ3 ）3 Ｇａ（Ｔ
ＭＧａ、トリメチルガリウム）と、Ａｓの水素化合物で
あるＡｓＨ3 （アルシン）が用いられる。ＴＭＧａは、
Ｐｄ膜を拡散させて純化した水素をキャリアガスとして
使って、恒温槽中で蒸気圧を制御した状態でガス化され
る。一方、ＡｓＨ3 は高濃度水素で適当な濃度に希釈し
たものが用いられる。キャリアガスとしての水素とＴＭ
ＧａとＡｓＨ3 とは、混合され、反応チャンバ１２に導
入される。反応チャンバ１２内に導入された原料ガス
は、次第に、層流を形成して、６５０℃程度に加熱され
ている結晶基板上に達することにより、 （ＣＨ3 ）3 Ｇａ＋ＡｓＨ3 → ＧａＡｓ＋３ＣＨ4 という反応を進行させ、基板上にＧａＡｓが成長する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
のＭＯＣＶＤ装置では、成長させた薄膜の膜質及び膜厚
のウエハ面内均一性が良好でなく、更には、ウエハ毎の
膜質及び膜厚がどうしてもばらつき勝ちで、ウエハ面内
均一性が良好で、ウエハ毎にばらつかない均一一様な膜
質の薄膜を成膜することが難しかった。上述の問題点の
説明では、ＭＯＣＶＤ装置を例にして説明したが、ＭＯ
ＣＶＤ装置に限らず、気相成長装置に普遍的な問題であ
った。
のＭＯＣＶＤ装置では、成長させた薄膜の膜質及び膜厚
のウエハ面内均一性が良好でなく、更には、ウエハ毎の
膜質及び膜厚がどうしてもばらつき勝ちで、ウエハ面内
均一性が良好で、ウエハ毎にばらつかない均一一様な膜
質の薄膜を成膜することが難しかった。上述の問題点の
説明では、ＭＯＣＶＤ装置を例にして説明したが、ＭＯ
ＣＶＤ装置に限らず、気相成長装置に普遍的な問題であ
った。
【０００７】そこで、本発明の目的は、膜厚及び膜質の
ウエハ面内均一性が高く、ウエハ毎にばらつかない均一
一様な膜厚及び膜質の薄膜をウエハ上に気相成長法によ
り成長させる気相成長装置を提供することである。
ウエハ面内均一性が高く、ウエハ毎にばらつかない均一
一様な膜厚及び膜質の薄膜をウエハ上に気相成長法によ
り成長させる気相成長装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、成長させた
薄膜の膜質及び膜厚がばらつく原因を調べた結果、図５
に示すように、ガス供給管２０から導入された原料ガス
が、加熱ヒータ１６と基板ホルダ１４との間を流れるた
めに、ウエハの温度、即ち薄膜の成長温度が変動するこ
とがわかった。特に、成長させる薄膜の膜種が変わる、
つまり原料ガスの種類、流量が変わると、原料ガスの熱
伝導率が変化するため、加熱ヒータからウエハに熱を伝
達させる際、加熱対象物であるウエハの実温度が変化す
ることが判った。そこで、本発明者は、反応チャンバを
隔板で上下に分割し、隔板上に基板ホルダを収容した反
応室と、熱ヒータを配置するヒータ室とを設け、かつヒ
ータ室に存在する気体の熱伝導率を一定に維持するため
に、単一種のガスで一定の圧力に維持することを着想
し、実験を重ねた末に、本発明を完成するに到った。
薄膜の膜質及び膜厚がばらつく原因を調べた結果、図５
に示すように、ガス供給管２０から導入された原料ガス
が、加熱ヒータ１６と基板ホルダ１４との間を流れるた
めに、ウエハの温度、即ち薄膜の成長温度が変動するこ
とがわかった。特に、成長させる薄膜の膜種が変わる、
つまり原料ガスの種類、流量が変わると、原料ガスの熱
伝導率が変化するため、加熱ヒータからウエハに熱を伝
達させる際、加熱対象物であるウエハの実温度が変化す
ることが判った。そこで、本発明者は、反応チャンバを
隔板で上下に分割し、隔板上に基板ホルダを収容した反
応室と、熱ヒータを配置するヒータ室とを設け、かつヒ
ータ室に存在する気体の熱伝導率を一定に維持するため
に、単一種のガスで一定の圧力に維持することを着想
し、実験を重ねた末に、本発明を完成するに到った。
【０００９】よって、上記目的を達成するために、上述
の知見に基づいて、本発明に係る気相成長装置は、基板
を上面に載置する基板ホルダと、基板ホルダ上の基板を
加熱する加熱ヒータとを内部に有する反応チャンバを備
え、基板ホルダ上に載置した基板を加熱しつつ反応チャ
ンバに原料ガスを導入して、気相成長法により基板上に
薄膜を結晶成長させる気相成長装置において、反応チャ
ンバを横断する隔板により反応チャンバを上下に区画し
てなる上部室として形成され、基板ホルダを隔板上に接
して収容し、原料ガスを導入して基板上に薄膜を結晶成
長させる反応室と、反応室の下に設けられ、基板を加熱
する加熱ヒータを配置したヒータ室と、ヒータ室に単一
種のガスを導入し、ヒータ室の圧力を所定圧力に維持す
る圧力調節手段とを備えることを特徴としている。
の知見に基づいて、本発明に係る気相成長装置は、基板
を上面に載置する基板ホルダと、基板ホルダ上の基板を
加熱する加熱ヒータとを内部に有する反応チャンバを備
え、基板ホルダ上に載置した基板を加熱しつつ反応チャ
ンバに原料ガスを導入して、気相成長法により基板上に
薄膜を結晶成長させる気相成長装置において、反応チャ
ンバを横断する隔板により反応チャンバを上下に区画し
てなる上部室として形成され、基板ホルダを隔板上に接
して収容し、原料ガスを導入して基板上に薄膜を結晶成
長させる反応室と、反応室の下に設けられ、基板を加熱
する加熱ヒータを配置したヒータ室と、ヒータ室に単一
種のガスを導入し、ヒータ室の圧力を所定圧力に維持す
る圧力調節手段とを備えることを特徴としている。
【００１０】本発明で、隔板上に接触させるようにし
て、基板ホルダを配置しているので、従来の気相成長装
置のように、原料ガスが基板ホルダ下を流れるようなこ
とは生じない。従って、薄膜の気相成長時、供給する原
料ガスの影響を受けることなく、加熱対象物であるウエ
ハを加熱することができる。また、本発明では、ヒータ
室に充満する単一種のガス、例えば窒素ガスが所定の圧
力に維持されているので、熱伝導率が一定となり、加熱
ヒータの発熱量が一定である限り、加熱ヒータから隔板
及び基板ホルダを経てウエハＷに伝達される熱量が一定
になる。これにより、加熱対象物であるウエハＷの温度
（実温度）が所定温度に安定して維持することができ
る。
て、基板ホルダを配置しているので、従来の気相成長装
置のように、原料ガスが基板ホルダ下を流れるようなこ
とは生じない。従って、薄膜の気相成長時、供給する原
料ガスの影響を受けることなく、加熱対象物であるウエ
ハを加熱することができる。また、本発明では、ヒータ
室に充満する単一種のガス、例えば窒素ガスが所定の圧
力に維持されているので、熱伝導率が一定となり、加熱
ヒータの発熱量が一定である限り、加熱ヒータから隔板
及び基板ホルダを経てウエハＷに伝達される熱量が一定
になる。これにより、加熱対象物であるウエハＷの温度
（実温度）が所定温度に安定して維持することができ
る。
【００１１】本発明で、ヒータ室に導入する単一種のガ
スは、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス、及び
水素ガスである。尚、混合比が一定である限り、混合ガ
ス、例えば窒素ガスとアルゴンとの混合ガスでも良い。
尚、ヒータ室に供給する単一種のガスを不活性ガスとす
ることにより、加熱ヒータの寿命が長くなる。仮に、活
性ガスを導入すると、加熱ヒータの熱により分解して加
熱ヒータを劣化させるおそれがある。ヒータ室の圧力に
は特に制約はないものの、実用的には、例えば大気圧以
下であれば数Torrから数百Torrの範囲で良く、大気圧以
上の加圧状態でも良い。隔板には、耐熱性の高い例えば
石英板、カーボン板等を使用する。加熱ヒータは、従来
の既知の加熱ヒータであって、例えば電気抵抗線コイル
の電気ヒータ、高周波ヒータ等である。
スは、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス、及び
水素ガスである。尚、混合比が一定である限り、混合ガ
ス、例えば窒素ガスとアルゴンとの混合ガスでも良い。
尚、ヒータ室に供給する単一種のガスを不活性ガスとす
ることにより、加熱ヒータの寿命が長くなる。仮に、活
性ガスを導入すると、加熱ヒータの熱により分解して加
熱ヒータを劣化させるおそれがある。ヒータ室の圧力に
は特に制約はないものの、実用的には、例えば大気圧以
下であれば数Torrから数百Torrの範囲で良く、大気圧以
上の加圧状態でも良い。隔板には、耐熱性の高い例えば
石英板、カーボン板等を使用する。加熱ヒータは、従来
の既知の加熱ヒータであって、例えば電気抵抗線コイル
の電気ヒータ、高周波ヒータ等である。
【００１２】本発明に係る気相成長装置は、ＭＯＣＶＤ
法により基板上に化合物半導体膜を成膜するＭＯＣＶＤ
装置に限らず、高温気相中で化学反応を利用して基板上
にシリコン、化合物半導体等の単結晶層を成長させる、
気相エピタキシャル成長装置全般に適用できる。
法により基板上に化合物半導体膜を成膜するＭＯＣＶＤ
装置に限らず、高温気相中で化学反応を利用して基板上
にシリコン、化合物半導体等の単結晶層を成長させる、
気相エピタキシャル成長装置全般に適用できる。
【００１３】本発明の好適な実施態様では、圧力調節手
段は、ヒータ室に接続され、ヒータ室に単一種のガスを
導入するガス導入管と、ヒータ室の圧力を計測し、圧力
計測値を出力する圧力計と、ヒータ室に接続された排気
管を介して、ヒータ室を排気する気体吸引ポンプと、ガ
ス導入管に取り付けられ、ヒータ室の圧力を所定圧力に
維持するように、圧力計から出力された圧力計測値に基
づいてガス導入管を流れるガスの流量をフィードバック
制御するマスフロー・コントローラとを備えている。
段は、ヒータ室に接続され、ヒータ室に単一種のガスを
導入するガス導入管と、ヒータ室の圧力を計測し、圧力
計測値を出力する圧力計と、ヒータ室に接続された排気
管を介して、ヒータ室を排気する気体吸引ポンプと、ガ
ス導入管に取り付けられ、ヒータ室の圧力を所定圧力に
維持するように、圧力計から出力された圧力計測値に基
づいてガス導入管を流れるガスの流量をフィードバック
制御するマスフロー・コントローラとを備えている。
【００１４】本発明の別の好適な実施態様では、圧力調
節手段は、マスフロー・コントローラを備えてヒータ室
に接続され、ヒータ室に単一種のガスを設定流量で導入
するガス導入管と、ヒータ室の圧力を計測し、圧力計測
値を出力する圧力計と、ヒータ室に接続された排気管を
介して、ヒータ室を排気する気体吸引ポンプと、気体吸
引ポンプの上流の排気管に取り付けられ、圧力計から出
力された圧力計測値に基づいて排気管を流れる排気ガス
の流量をフィードバック制御して、ヒータ室の圧力を所
定圧力に維持するように動作する圧力調節弁と、を備え
ている。
節手段は、マスフロー・コントローラを備えてヒータ室
に接続され、ヒータ室に単一種のガスを設定流量で導入
するガス導入管と、ヒータ室の圧力を計測し、圧力計測
値を出力する圧力計と、ヒータ室に接続された排気管を
介して、ヒータ室を排気する気体吸引ポンプと、気体吸
引ポンプの上流の排気管に取り付けられ、圧力計から出
力された圧力計測値に基づいて排気管を流れる排気ガス
の流量をフィードバック制御して、ヒータ室の圧力を所
定圧力に維持するように動作する圧力調節弁と、を備え
ている。
【００１５】本実施態様で使用する圧力調節弁は、ヒー
タ室の圧力を所定圧力に維持するように動作する弁であ
る限り、その種類に制約はないが、例えばピエゾ・バル
ブを使用することができる。
タ室の圧力を所定圧力に維持するように動作する弁であ
る限り、その種類に制約はないが、例えばピエゾ・バル
ブを使用することができる。
【００１６】本発明の更に別の好適な実施態様では、圧
力調節手段は、ヒータ室の圧力を計測し、圧力計測値を
出力する圧力計と、ヒータ室に接続された排気管を介し
て、ヒータ室を排気する気体吸引ポンプと、気体吸引ポ
ンプの上流の排気管に接続され、排気管に単一種のガス
を導入するガス導入管と、ガス導入管に取り付けられ、
ヒータ室の圧力を所定圧力に維持するように、圧力計か
ら出力された圧力計測値に基づいてガス導入管を流れる
ガスの流量をフィードバック制御するマスフロー・コン
トローラとを備えている。
力調節手段は、ヒータ室の圧力を計測し、圧力計測値を
出力する圧力計と、ヒータ室に接続された排気管を介し
て、ヒータ室を排気する気体吸引ポンプと、気体吸引ポ
ンプの上流の排気管に接続され、排気管に単一種のガス
を導入するガス導入管と、ガス導入管に取り付けられ、
ヒータ室の圧力を所定圧力に維持するように、圧力計か
ら出力された圧力計測値に基づいてガス導入管を流れる
ガスの流量をフィードバック制御するマスフロー・コン
トローラとを備えている。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例１ 本実施形態例は、本発明に係る気相成長装置の実施形態
の一例であって、図１は本実施形態例の気相成長装置の
構成を示す模式的断面図である。本実施形態例の気相成
長装置３０は、ＭＯＣＶＤ法によりウエハ上にＧａＡｓ
系、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＰ系、ＧａＮ系等の
化合物半導体膜を成膜するＭＯＣＶＤ装置であって、図
４を参照して説明した従来のＭＯＣＶＤ装置１０の構成
に加えて、反応チャンバ１２を上下に分割して設けた反
応室及びヒータ室と、ヒータ室に単一種のガスを導入
し、ヒータ室の圧力を所定圧力に維持する圧力調節手段
とを設けたことを除いて、従来のＭＯＣＶＤ装置１０の
構成と同じ構成を備えている。
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例１ 本実施形態例は、本発明に係る気相成長装置の実施形態
の一例であって、図１は本実施形態例の気相成長装置の
構成を示す模式的断面図である。本実施形態例の気相成
長装置３０は、ＭＯＣＶＤ法によりウエハ上にＧａＡｓ
系、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＰ系、ＧａＮ系等の
化合物半導体膜を成膜するＭＯＣＶＤ装置であって、図
４を参照して説明した従来のＭＯＣＶＤ装置１０の構成
に加えて、反応チャンバ１２を上下に分割して設けた反
応室及びヒータ室と、ヒータ室に単一種のガスを導入
し、ヒータ室の圧力を所定圧力に維持する圧力調節手段
とを設けたことを除いて、従来のＭＯＣＶＤ装置１０の
構成と同じ構成を備えている。
【００１８】反応室３２は、反応チャンバ１２を横断す
る石英製の隔板３４により反応チャンバ１２を上下に区
画してなる上部室として形成されていて、ガス供給管２
０から原料ガスが導入され、排気管２２を介して排気さ
れるようになっている。ウエハＷを上面に載置させる基
板ホルダ１４は、反応室３２内の隔板３４上に配置され
ていて、隔板３４に摺動して自在に回転する。ヒータ室
３６は、反応室３２の下に設けられ、ウエハＷを加熱す
る加熱ヒータ１６が配置されている。
る石英製の隔板３４により反応チャンバ１２を上下に区
画してなる上部室として形成されていて、ガス供給管２
０から原料ガスが導入され、排気管２２を介して排気さ
れるようになっている。ウエハＷを上面に載置させる基
板ホルダ１４は、反応室３２内の隔板３４上に配置され
ていて、隔板３４に摺動して自在に回転する。ヒータ室
３６は、反応室３２の下に設けられ、ウエハＷを加熱す
る加熱ヒータ１６が配置されている。
【００１９】本実施形態例では、圧力調節手段は、ヒー
タ室３６に単一種のガス、例えば窒素ガスを導入するた
めにヒータ室３６に接続されたガス導入管３８と、ヒー
タ室３６の圧力を計測し、圧力計測値を出力する圧力計
４０と、ヒータ室３６に接続されたヒータ室排気管４２
を介してヒータ室３６を所定流量で排気する真空ポンプ
４４と、ガス導入管３６に取り付けられたマスフロー・
コントローラ４６とから構成されている。マスフロー・
コントローラ４６は、圧力計４０から出力された圧力計
測値に基づいてガス導入管３８を流れるガスの流量を調
節し、ヒータ室３６の圧力を所定圧力、例えば５００To
rrにフィードバック制御する。
タ室３６に単一種のガス、例えば窒素ガスを導入するた
めにヒータ室３６に接続されたガス導入管３８と、ヒー
タ室３６の圧力を計測し、圧力計測値を出力する圧力計
４０と、ヒータ室３６に接続されたヒータ室排気管４２
を介してヒータ室３６を所定流量で排気する真空ポンプ
４４と、ガス導入管３６に取り付けられたマスフロー・
コントローラ４６とから構成されている。マスフロー・
コントローラ４６は、圧力計４０から出力された圧力計
測値に基づいてガス導入管３８を流れるガスの流量を調
節し、ヒータ室３６の圧力を所定圧力、例えば５００To
rrにフィードバック制御する。
【００２０】本実施形態例では、隔板３４上に接触させ
るようにして、基板ホルダ１４を配置しているので、従
来の気相成長装置のように、原料ガスが基板ホルダ１４
下を流れるようなことは生じない。従って、薄膜の気相
成長時、供給する原料ガスの影響を受けることなく、ウ
エハを加熱することができる。また、上述した圧力調節
手段により、ヒータ室３６に充満する窒素ガスが所定の
圧力に維持されて、熱伝導率が一定となるので、加熱ヒ
ータ１６の発熱量が一定である限り、加熱ヒータ１６か
ら隔板３４及び基板ホルダ１４を経てウエハＷに伝達さ
れる熱量が一定になる。よって、加熱対象物であるウエ
ハＷの温度（実温度）を所定温度に安定して維持するこ
とができる。例えば、ＭＯＣＶＤ法により化合物半導体
膜を成長させる時、加熱対象物（基板）の実温度が安定
し、成長条件の安定化が向上し、更には不純物のドーピ
ングなど温度に影響を受ける条件が安定化する。
るようにして、基板ホルダ１４を配置しているので、従
来の気相成長装置のように、原料ガスが基板ホルダ１４
下を流れるようなことは生じない。従って、薄膜の気相
成長時、供給する原料ガスの影響を受けることなく、ウ
エハを加熱することができる。また、上述した圧力調節
手段により、ヒータ室３６に充満する窒素ガスが所定の
圧力に維持されて、熱伝導率が一定となるので、加熱ヒ
ータ１６の発熱量が一定である限り、加熱ヒータ１６か
ら隔板３４及び基板ホルダ１４を経てウエハＷに伝達さ
れる熱量が一定になる。よって、加熱対象物であるウエ
ハＷの温度（実温度）を所定温度に安定して維持するこ
とができる。例えば、ＭＯＣＶＤ法により化合物半導体
膜を成長させる時、加熱対象物（基板）の実温度が安定
し、成長条件の安定化が向上し、更には不純物のドーピ
ングなど温度に影響を受ける条件が安定化する。
【００２１】実施形態例２ 本実施形態例は本発明に係る気相成長装置の実施形態の
別の例であって、図２は本実施形態例の気相成長装置の
構成を示す模式的断面図である。本実施形態例の気相成
長装置５０は、実施形態例１と同様にＭＯＣＶＤ装置で
あって、実施形態例１のＭＯＣＶＤ装置３０とはヒータ
室３６の圧力調節手段の構成が異なることを除いて同じ
構成を備えている。
別の例であって、図２は本実施形態例の気相成長装置の
構成を示す模式的断面図である。本実施形態例の気相成
長装置５０は、実施形態例１と同様にＭＯＣＶＤ装置で
あって、実施形態例１のＭＯＣＶＤ装置３０とはヒータ
室３６の圧力調節手段の構成が異なることを除いて同じ
構成を備えている。
【００２２】本実施形態例では、圧力調節手段は、ヒー
タ室３６に単一種のガス、例えば窒素ガスを設定流量で
導入するために、マスフロー・コントローラ５２を有し
てヒータ室３６に接続されたガス導入管５４と、ヒータ
室３６の圧力を計測し、圧力計測値を出力する圧力計５
６と、ヒータ室３６に接続されたヒータ室排気管５８を
介してヒータ室３６を所定流量で排気する真空ポンプ６
０と、真空ポンプ６０の上流のヒータ室排気管５８に取
り付けられ圧力調節弁６２とから構成されている。圧力
調節弁６２は、圧力計５６から出力された圧力計測値に
基づいてフィードバク制御によりヒータ室排気管５８を
流れる排気ガスの流量を調整して、ヒータ室３６の圧力
を所定圧力、例えば５００Torrに制御するように動作す
る。圧力調節弁６２には、電圧を印加してバルブ内の径
を変化させることのできる、例えばピエゾ・バルブ等を
使用する。
タ室３６に単一種のガス、例えば窒素ガスを設定流量で
導入するために、マスフロー・コントローラ５２を有し
てヒータ室３６に接続されたガス導入管５４と、ヒータ
室３６の圧力を計測し、圧力計測値を出力する圧力計５
６と、ヒータ室３６に接続されたヒータ室排気管５８を
介してヒータ室３６を所定流量で排気する真空ポンプ６
０と、真空ポンプ６０の上流のヒータ室排気管５８に取
り付けられ圧力調節弁６２とから構成されている。圧力
調節弁６２は、圧力計５６から出力された圧力計測値に
基づいてフィードバク制御によりヒータ室排気管５８を
流れる排気ガスの流量を調整して、ヒータ室３６の圧力
を所定圧力、例えば５００Torrに制御するように動作す
る。圧力調節弁６２には、電圧を印加してバルブ内の径
を変化させることのできる、例えばピエゾ・バルブ等を
使用する。
【００２３】本実施形態例では、実施形態例１と同様
に、隔板３４上に接触させるようにして、基板ホルダ１
４を配置しているので、従来の気相成長装置のように、
原料ガスが基板ホルダ１４下を流れるようなことは生じ
ない。従って、薄膜の気相成長時、供給する原料ガスの
影響を受けることなく、加熱対象物であるウエハを加熱
することができる。また、上述した圧力調節手段によ
り、ヒータ室３６に充満する窒素ガスが所定の圧力に維
持されて、熱伝導率が一定となるので、加熱ヒータ１６
の発熱量が一定である限り、加熱ヒータ１６から隔板３
４及び基板ホルダ１４を経てウエハＷに伝達される熱量
が一定になる。よって、実施形態例１と同様に、加熱対
象物であるウエハＷの温度（実温度）を所定温度に安定
して維持することができる。
に、隔板３４上に接触させるようにして、基板ホルダ１
４を配置しているので、従来の気相成長装置のように、
原料ガスが基板ホルダ１４下を流れるようなことは生じ
ない。従って、薄膜の気相成長時、供給する原料ガスの
影響を受けることなく、加熱対象物であるウエハを加熱
することができる。また、上述した圧力調節手段によ
り、ヒータ室３６に充満する窒素ガスが所定の圧力に維
持されて、熱伝導率が一定となるので、加熱ヒータ１６
の発熱量が一定である限り、加熱ヒータ１６から隔板３
４及び基板ホルダ１４を経てウエハＷに伝達される熱量
が一定になる。よって、実施形態例１と同様に、加熱対
象物であるウエハＷの温度（実温度）を所定温度に安定
して維持することができる。
【００２４】実施形態例３ 本実施形態例は本発明に係る気相成長装置の実施形態の
更に別の例であって、図３は本実施形態例の気相成長装
置の構成を示す模式的断面図である。本実施形態例の気
相成長装置７０は、実施形態例１と同様にＭＯＣＶＤ装
置であって、実施形態例１のＭＯＣＶＤ装置３０とはヒ
ータ室３６の圧力調節手段の構成が異なることを除いて
同じ構成を備えている。
更に別の例であって、図３は本実施形態例の気相成長装
置の構成を示す模式的断面図である。本実施形態例の気
相成長装置７０は、実施形態例１と同様にＭＯＣＶＤ装
置であって、実施形態例１のＭＯＣＶＤ装置３０とはヒ
ータ室３６の圧力調節手段の構成が異なることを除いて
同じ構成を備えている。
【００２５】本実施形態例では、圧力調節手段は、ヒー
タ室３６の圧力を計測し、圧力計測値を出力する圧力計
７２と、ヒータ室３６に接続されたヒータ室排気管７４
を介してヒータ室３６を所定流量で排気する真空ポンプ
７６と、ヒータ室排気管７４に単一種のガス、例えば窒
素ガスを導入するためにヒータ室排気管７４に接続され
たガス導入管７８と、ガス導入管７８に取り付けられた
マスフロー・コントローラ８０とから構成されている。
マスフロー・コントローラ８０は、圧力計７２から出力
された圧力計測値に基づいてフィードバク制御によりヒ
ータ室排気管７４に導入する窒素ガスの流量を調整し
て、ヒータ室３６の圧力を所定圧力、例えば５００Torr
に制御する。
タ室３６の圧力を計測し、圧力計測値を出力する圧力計
７２と、ヒータ室３６に接続されたヒータ室排気管７４
を介してヒータ室３６を所定流量で排気する真空ポンプ
７６と、ヒータ室排気管７４に単一種のガス、例えば窒
素ガスを導入するためにヒータ室排気管７４に接続され
たガス導入管７８と、ガス導入管７８に取り付けられた
マスフロー・コントローラ８０とから構成されている。
マスフロー・コントローラ８０は、圧力計７２から出力
された圧力計測値に基づいてフィードバク制御によりヒ
ータ室排気管７４に導入する窒素ガスの流量を調整し
て、ヒータ室３６の圧力を所定圧力、例えば５００Torr
に制御する。
【００２６】本実施形態例では、実施形態例１と同様
に、隔板３４上に接触させるようにして、基板ホルダ１
４を配置しているので、従来の気相成長装置のように、
原料ガスが基板ホルダ１４下を流れるようなことは生じ
ない。従って、薄膜の気相成長時、供給する原料ガスの
影響を受けることなく、加熱対象物であるウエハを加熱
することができる。また、上述した圧力調節手段によ
り、ヒータ室３６に充満する窒素ガスが所定の圧力に維
持されて、熱伝導率が一定となるので、加熱ヒータ１６
の発熱量が一定である限り、加熱ヒータ１６から隔板３
４及び基板ホルダ１４を経てウエハＷに伝達される熱量
が一定になる。よって、実施形態例１と同様に、加熱対
象物であるウエハＷの温度（実温度）を所定温度に安定
して維持することができる。
に、隔板３４上に接触させるようにして、基板ホルダ１
４を配置しているので、従来の気相成長装置のように、
原料ガスが基板ホルダ１４下を流れるようなことは生じ
ない。従って、薄膜の気相成長時、供給する原料ガスの
影響を受けることなく、加熱対象物であるウエハを加熱
することができる。また、上述した圧力調節手段によ
り、ヒータ室３６に充満する窒素ガスが所定の圧力に維
持されて、熱伝導率が一定となるので、加熱ヒータ１６
の発熱量が一定である限り、加熱ヒータ１６から隔板３
４及び基板ホルダ１４を経てウエハＷに伝達される熱量
が一定になる。よって、実施形態例１と同様に、加熱対
象物であるウエハＷの温度（実温度）を所定温度に安定
して維持することができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、気相成長法により基板
上に薄膜を成長させる気相成長装置において、反応室
と、反応室の下に設けられ、基板を加熱する加熱ヒータ
を配置したヒータ室と、ヒータ室に単一種のガスを導入
し、ヒータ室の圧力を所定圧力に維持する圧力調節手段
とを設ける。これにより、ヒータ室に充満する単一種の
ガス、例えば窒素ガスが所定の圧力に維持されて、熱伝
導率が一定となるので、加熱ヒータの発熱量が一定であ
る限り、加熱ヒータから隔板及び基板ホルダを経てウエ
ハＷに伝達される熱量が一定になり、従って加熱対象物
であるウエハＷの温度（実温度）を所定温度に安定して
維持することができる。よって、本発明に係る気相成長
装置を適用することにより、例えばＭＯＣＶＤ法により
化合物半導体膜を成長させる時、加熱対象物（ウエハ）
の実温度が安定し、従って成長条件が安定するので、高
いウエハ面内均一性で、かつウエハ毎にばらつくことな
く、良好な膜質の薄膜を基板上に安定して結晶成長させ
ることができる。
上に薄膜を成長させる気相成長装置において、反応室
と、反応室の下に設けられ、基板を加熱する加熱ヒータ
を配置したヒータ室と、ヒータ室に単一種のガスを導入
し、ヒータ室の圧力を所定圧力に維持する圧力調節手段
とを設ける。これにより、ヒータ室に充満する単一種の
ガス、例えば窒素ガスが所定の圧力に維持されて、熱伝
導率が一定となるので、加熱ヒータの発熱量が一定であ
る限り、加熱ヒータから隔板及び基板ホルダを経てウエ
ハＷに伝達される熱量が一定になり、従って加熱対象物
であるウエハＷの温度（実温度）を所定温度に安定して
維持することができる。よって、本発明に係る気相成長
装置を適用することにより、例えばＭＯＣＶＤ法により
化合物半導体膜を成長させる時、加熱対象物（ウエハ）
の実温度が安定し、従って成長条件が安定するので、高
いウエハ面内均一性で、かつウエハ毎にばらつくことな
く、良好な膜質の薄膜を基板上に安定して結晶成長させ
ることができる。
【図１】実施形態例１の気相成長装置の構成を示す模式
的断面図である。
的断面図である。
【図２】実施形態例２の気相成長装置の構成を示す模式
的断面図である。
的断面図である。
【図３】実施形態例３の気相成長装置の構成を示す模式
的断面図である。
的断面図である。
【図４】従来のＭＯＣＶＤ装置の構成を示す模式的断面
図である。
図である。
【図５】従来のＭＯＣＶＤ装置の反応チャンバ内のガス
の流れを示す模式的断面図である。
の流れを示す模式的断面図である。
１０……従来のＭＯＣＶＤ装置、１２……反応チャン
バ、１４……基板ホルダ、１６……加熱ヒータ、１８…
…回転軸、２０……ガス供給管、２２……排気管、３０
……実施形態例の気相成長装置、３２……反応室、３４
……隔板、３６……ヒータ室、３８……ガス導入管、４
０……圧力計、４２……ヒータ室排気管、４４……真空
ポンプ、４６……マスフロー・コントローラ、５０……
実施形態例２のＭＯＣＶＤ装置、５２……マスフロー・
コントローラ、５４……ガス導入管、５６……圧力計、
５８……ヒータ室排気管、６０……真空ポンプ、６２…
…圧力調節弁、７０……実施形態例３のＭＯＣＶＤ装
置、７２……圧力計、７４……ヒータ室排気管、７６…
…真空ポンプ、７８……ガス導入管、８０……マスフロ
ー・コントローラ。
バ、１４……基板ホルダ、１６……加熱ヒータ、１８…
…回転軸、２０……ガス供給管、２２……排気管、３０
……実施形態例の気相成長装置、３２……反応室、３４
……隔板、３６……ヒータ室、３８……ガス導入管、４
０……圧力計、４２……ヒータ室排気管、４４……真空
ポンプ、４６……マスフロー・コントローラ、５０……
実施形態例２のＭＯＣＶＤ装置、５２……マスフロー・
コントローラ、５４……ガス導入管、５６……圧力計、
５８……ヒータ室排気管、６０……真空ポンプ、６２…
…圧力調節弁、７０……実施形態例３のＭＯＣＶＤ装
置、７２……圧力計、７４……ヒータ室排気管、７６…
…真空ポンプ、７８……ガス導入管、８０……マスフロ
ー・コントローラ。
Claims (5)
- 【請求項１】 基板を上面に載置する基板ホルダと、基
板ホルダ上の基板を加熱する加熱ヒータとを内部に有す
る反応チャンバを備え、基板ホルダ上に載置した基板を
加熱しつつ反応チャンバに原料ガスを導入して、気相成
長法により基板上に薄膜を結晶成長させる気相成長装置
において、 反応チャンバを横断する隔板により反応チャンバを上下
に区画してなる上部室として形成され、基板ホルダを隔
板上に接して収容し、原料ガスを導入して基板上に薄膜
を結晶成長させる反応室と、 反応室の下に設けられ、基板を加熱する加熱ヒータを配
置したヒータ室と、 ヒータ室に単一種のガスを導入し、ヒータ室の圧力を所
定圧力に維持する圧力調節手段とを備えることを特徴と
する気相成長装置。 - 【請求項２】 圧力調節手段は、 ヒータ室に接続され、ヒータ室に単一種のガスを導入す
るガス導入管と、 ヒータ室の圧力を計測し、圧力計測値を出力する圧力計
と、 ヒータ室に接続された排気管を介して、ヒータ室を排気
する気体吸引ポンプと、 ガス導入管に取り付けられ、ヒータ室の圧力を所定圧力
に維持するように、圧力計から出力された圧力計測値に
基づいてガス導入管を流れるガスの流量をフィードバッ
ク制御するマスフロー・コントローラとを備えているこ
とを特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。 - 【請求項３】 圧力調節手段は、 マスフロー・コントローラを備えてヒータ室に接続さ
れ、ヒータ室に単一種のガスを設定流量で導入するガス
導入管と、 ヒータ室の圧力を計測し、圧力計測値を出力する圧力計
と、 ヒータ室に接続された排気管を介して、ヒータ室を排気
する気体吸引ポンプと、 気体吸引ポンプの上流の排気管に取り付けられ、圧力計
から出力された圧力計測値に基づいて排気管を流れる排
気ガスの流量をフィードバック制御して、ヒータ室の圧
力を所定圧力に維持するように動作する圧力調節弁と、 を備えていることを特徴とする請求項１に記載の気相成
長装置。 - 【請求項４】 圧力調節手段は、 ヒータ室の圧力を計測し、圧力計測値を出力する圧力計
と、 ヒータ室に接続された排気管を介して、ヒータ室を排気
する気体吸引ポンプと、 気体吸引ポンプの上流の排気管に接続され、排気管に単
一種のガスを導入するガス導入管と、 ガス導入管に取り付けられ、ヒータ室の圧力を所定圧力
に維持するように、圧力計から出力された圧力計測値に
基づいてガス導入管を流れるガスの流量をフィードバッ
ク制御するマスフロー・コントローラとを備えているこ
とを特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。 - 【請求項５】 隔板上に接して収容された基板ホルダ
が、基板ホルダに直交する回転軸の回りに隔板に摺動し
て自在に回転することを特徴とする請求項１から４のう
ちのいずれか１項に記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19132199A JP4232279B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19132199A JP4232279B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001019590A true JP2001019590A (ja) | 2001-01-23 |
| JP4232279B2 JP4232279B2 (ja) | 2009-03-04 |
Family
ID=16272620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19132199A Expired - Fee Related JP4232279B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4232279B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110777365A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-02-11 | 江苏实为半导体科技有限公司 | 一种mocvd加热器源及其操作方法 |
| CN112593286A (zh) * | 2020-11-26 | 2021-04-02 | 山东大学 | 一种新型氢化物气相外延压力控制系统及方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6422025U (ja) * | 1987-07-29 | 1989-02-03 | ||
| JPH05121336A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-05-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 有機金属気相成長装置 |
| WO1996015287A2 (en) * | 1994-11-09 | 1996-05-23 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for isolating a susceptor heating element from a chemical vapor deposition environment |
| JPH10158100A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 気相成長装置 |
-
1999
- 1999-07-06 JP JP19132199A patent/JP4232279B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6422025U (ja) * | 1987-07-29 | 1989-02-03 | ||
| JPH05121336A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-05-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 有機金属気相成長装置 |
| WO1996015287A2 (en) * | 1994-11-09 | 1996-05-23 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for isolating a susceptor heating element from a chemical vapor deposition environment |
| JPH10158100A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 気相成長装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110777365A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-02-11 | 江苏实为半导体科技有限公司 | 一种mocvd加热器源及其操作方法 |
| CN112593286A (zh) * | 2020-11-26 | 2021-04-02 | 山东大学 | 一种新型氢化物气相外延压力控制系统及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4232279B2 (ja) | 2009-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9177799B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and substrate manufacturing method of forming silicon carbide films on the substrate | |
| EP1432844B1 (en) | Apparatus for inverted cvd | |
| JP2797233B2 (ja) | 薄膜成長装置 | |
| US5487358A (en) | Apparatus for growing silicon epitaxial layer | |
| US6830618B2 (en) | Manufacturing method for producing silicon carbide crystal using source gases and apparatus for the same | |
| US8440270B2 (en) | Film deposition apparatus and method | |
| JP4232279B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH06275544A (ja) | 半導体加工装置 | |
| JP2008506617A (ja) | ＳｉとＧｅを含有する膜の堆積方法 | |
| JP2649693B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JP4341457B2 (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ装置およびダイヤモンド膜を成長する方法 | |
| JP2005228757A (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
| JP2793239B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH10149986A (ja) | ダイヤモンドｎ型半導体膜の製造方法およびその装置 | |
| JPS63164424A (ja) | 気相成長方法 | |
| JP2022109716A (ja) | 二元系化合物半導体の製造方法および製造装置 | |
| JPH0822958A (ja) | 材料ガス供給方法および材料ガス供給装置 | |
| JP2019129298A (ja) | 成膜装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH07249578A (ja) | 有機金属気相成長方法 | |
| JPH06104195A (ja) | ３−５族化合物半導体への不純物拡散方法 | |
| JPS59232993A (ja) | 気相成長法および気相成長装置 | |
| JPS62199014A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPH05243161A (ja) | 気相成長装置及びエピタキシャル膜の成長方法 | |
| JPS61155291A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPS61284915A (ja) | 薄膜気相成長装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060111 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060111 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080527 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080603 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080729 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081118 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081201 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131219 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |