JP2001015846A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
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- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザ装置を基板に実装した後、不要
となるリードピン下端の切断を容易にする構造が望まれ
る。 【解決手段】 主面上に半導体レーザ素子が搭載された
ステムと、少なくとも該半導体レーザ素子に電気的に接
続され、前記ステムに固定されたリードピンと、前記ス
テム下方に延びる前記リードピンを支える樹脂と、を少
なくとも備えた半導体レーザ装置において、前記樹脂
が、リードピンの長さ方向に対して垂直な方向に、部分
的に薄くされてなることを特徴とする。
となるリードピン下端の切断を容易にする構造が望まれ
る。 【解決手段】 主面上に半導体レーザ素子が搭載された
ステムと、少なくとも該半導体レーザ素子に電気的に接
続され、前記ステムに固定されたリードピンと、前記ス
テム下方に延びる前記リードピンを支える樹脂と、を少
なくとも備えた半導体レーザ装置において、前記樹脂
が、リードピンの長さ方向に対して垂直な方向に、部分
的に薄くされてなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ディスク装置にお
いて、媒体から情報を読み出すために用いる信号検出用
の半導体レーザ装置に関する。
いて、媒体から情報を読み出すために用いる信号検出用
の半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のリードピン７を樹脂で埋め
込んだ半導体レーザ装置を示す。半導体レーザ装置はピ
ックアップの部品として光ディスク装置に組み込まれて
いる。通常半導体レーザ装置はステム５と呼ばれる金属
部品の上に半導体レーザ１、信号検出用受光素子４およ
び出力モニター用フォトダイオード２がそれぞれ適当な
接着剤により固定されている。それらの電極は金線３に
よりリードピン７上部にそれぞれ接続される。その後保
護用キャップ８をステム５にかぶせ電着等により一体化
し、さらに半導体レーザ１のレーザ光出射部上部にホロ
グラム素子９を載せた構造を有する。
込んだ半導体レーザ装置を示す。半導体レーザ装置はピ
ックアップの部品として光ディスク装置に組み込まれて
いる。通常半導体レーザ装置はステム５と呼ばれる金属
部品の上に半導体レーザ１、信号検出用受光素子４およ
び出力モニター用フォトダイオード２がそれぞれ適当な
接着剤により固定されている。それらの電極は金線３に
よりリードピン７上部にそれぞれ接続される。その後保
護用キャップ８をステム５にかぶせ電着等により一体化
し、さらに半導体レーザ１のレーザ光出射部上部にホロ
グラム素子９を載せた構造を有する。
【０００３】半導体レーザ１から出射した光は光ディス
クによって反射され、信号検出用受光素子４に戻ってく
る。信号検出用受光素子４の出力レベルにより、記録さ
れた信号の読み取りや書き込みをすることができ、かつ
トラックエラー信号およびフォーカスエラー信号を作り
出して、レーザー光が正確に信号トラックを検出する事
ができる機能を有している。これらの信号は電気的に接
続されたリードピン７により外部に取り出される。ま
た、半導体レーザ１、信号検出用受光素子４および出力
モニター用フォトダイオード２を動作させるための電流
もしくは電圧を外部から供給するためにリードピン７は
用いられる。
クによって反射され、信号検出用受光素子４に戻ってく
る。信号検出用受光素子４の出力レベルにより、記録さ
れた信号の読み取りや書き込みをすることができ、かつ
トラックエラー信号およびフォーカスエラー信号を作り
出して、レーザー光が正確に信号トラックを検出する事
ができる機能を有している。これらの信号は電気的に接
続されたリードピン７により外部に取り出される。ま
た、半導体レーザ１、信号検出用受光素子４および出力
モニター用フォトダイオード２を動作させるための電流
もしくは電圧を外部から供給するためにリードピン７は
用いられる。
【０００４】以上のような用途のため、通常ステム５下
部には10本ないし12本程度のリードピン７が並んでお
り、リードピン７は底面および側面の一部を樹脂６に埋
め込まれた構造を有している。半導体レーザ装置はこれ
らリードピン７と合致するソケットに差し込まれさらに
外部の信号処理系とつながっている。このようなステム
下部のリードピンの長さaは5mm程度あるのが普通であ
る。また、その断面方向の厚みｃは製造の容易さより2.
5mmから3mm程度の厚さがあった。
部には10本ないし12本程度のリードピン７が並んでお
り、リードピン７は底面および側面の一部を樹脂６に埋
め込まれた構造を有している。半導体レーザ装置はこれ
らリードピン７と合致するソケットに差し込まれさらに
外部の信号処理系とつながっている。このようなステム
下部のリードピンの長さaは5mm程度あるのが普通であ
る。また、その断面方向の厚みｃは製造の容易さより2.
5mmから3mm程度の厚さがあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年、取り扱う情報量
の増大化、あるいはアクセススピードの高速化の要求が
高まっており、ノートブック型パーソナルコンピュータ
にCD-ROMドライブやDVD-ROMドライブが装備されるよう
になってきた。また、MD（ミニディスク）についてはい
かにコンパクトな商品を開発できるかという点について
競争がなされている。
の増大化、あるいはアクセススピードの高速化の要求が
高まっており、ノートブック型パーソナルコンピュータ
にCD-ROMドライブやDVD-ROMドライブが装備されるよう
になってきた。また、MD（ミニディスク）についてはい
かにコンパクトな商品を開発できるかという点について
競争がなされている。
【０００６】上述したように限られたスペースの中で光
ディスク装置を組み込む場合、その読取装置の個々の構
成部品についてできるだけ小さくすることが必要であ
る。半導体レーザ装置の場合、フレキシブルな基板に設
けられた穴にリードピン部を差込み、はんだ付けされて
使用される。この時、基板の裏面から飛び出したリード
ピン７および樹脂６は省スペースの観点からは邪魔にな
ることが多かった。本発明は基板に実装した後に余分な
部分を切断しやすくする構造をもつ省スペース型の半導
体レーザ装置を供給することを目的としている。
ディスク装置を組み込む場合、その読取装置の個々の構
成部品についてできるだけ小さくすることが必要であ
る。半導体レーザ装置の場合、フレキシブルな基板に設
けられた穴にリードピン部を差込み、はんだ付けされて
使用される。この時、基板の裏面から飛び出したリード
ピン７および樹脂６は省スペースの観点からは邪魔にな
ることが多かった。本発明は基板に実装した後に余分な
部分を切断しやすくする構造をもつ省スペース型の半導
体レーザ装置を供給することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザ装置は、主面上に半導体レーザ素子が搭載されたス
テムと、少なくとも該半導体レーザ素子に電気的に接続
され、前記ステムに固定されたリードピンと、前記ステ
ム下方に延びる前記リードピンを支える樹脂と、を少な
くとも備えた半導体レーザ装置において、前記樹脂が、
リードピンの長さ方向に対して垂直な方向に、部分的に
薄くされてなることによって、上記の目的を達成する。
ーザ装置は、主面上に半導体レーザ素子が搭載されたス
テムと、少なくとも該半導体レーザ素子に電気的に接続
され、前記ステムに固定されたリードピンと、前記ステ
ム下方に延びる前記リードピンを支える樹脂と、を少な
くとも備えた半導体レーザ装置において、前記樹脂が、
リードピンの長さ方向に対して垂直な方向に、部分的に
薄くされてなることによって、上記の目的を達成する。
【０００８】前記部分的に薄くされる領域は、半導体レ
ーザ装置を基板に実装した後、不要となるリードピン下
端全体に亙っていてもよい。
ーザ装置を基板に実装した後、不要となるリードピン下
端全体に亙っていてもよい。
【０００９】この発明に係る半導体レーザ装置は、前記
樹脂が、リードピンの長さ方向に対して垂直な断面にお
いて、空洞を有してなることにより、部分的に薄くされ
てなることによって、上記の目的を達成する。
樹脂が、リードピンの長さ方向に対して垂直な断面にお
いて、空洞を有してなることにより、部分的に薄くされ
てなることによって、上記の目的を達成する。
【００１０】リードピンは、一般にステム周縁に配置さ
れているため、ステム中央部下方は、リードピンを支え
る必要がない場合が多く、そのような場合、ステム中央
部下方の樹脂に空洞を設けることにより、リードピンの
長さ方向に対して垂直な断面における樹脂総厚が薄くな
るため、後の工程での切断が容易になる。
れているため、ステム中央部下方は、リードピンを支え
る必要がない場合が多く、そのような場合、ステム中央
部下方の樹脂に空洞を設けることにより、リードピンの
長さ方向に対して垂直な断面における樹脂総厚が薄くな
るため、後の工程での切断が容易になる。
【００１１】この発明に係る半導体レーザ装置は、前記
空洞内に、部分的に補強用の樹脂が配置されてなること
によって、上記の目的を達成する。
空洞内に、部分的に補強用の樹脂が配置されてなること
によって、上記の目的を達成する。
【００１２】この発明に係る半導体レーザ装置は、主面
上に半導体レーザ素子が搭載されたステムと、少なくと
も該半導体レーザ素子に電気的に接続され、前記ステム
に固定されたリードピンと、前記ステム下方に延びる前
記リードピンを支える樹脂と、を少なくとも備えた半導
体レーザ装置において、前記樹脂が、対向するリードピ
ンを一単位として、硬化されたものであり、一単位間
が、空隙であることにより、上記の目的を達成する。
上に半導体レーザ素子が搭載されたステムと、少なくと
も該半導体レーザ素子に電気的に接続され、前記ステム
に固定されたリードピンと、前記ステム下方に延びる前
記リードピンを支える樹脂と、を少なくとも備えた半導
体レーザ装置において、前記樹脂が、対向するリードピ
ンを一単位として、硬化されたものであり、一単位間
が、空隙であることにより、上記の目的を達成する。
【００１３】このように対向するリードピンを一単位と
して、樹脂を硬化することにより、後の工程で切断しや
すい形状であると共に、樹脂の使用量を大幅に削減する
ことが可能になる。
して、樹脂を硬化することにより、後の工程で切断しや
すい形状であると共に、樹脂の使用量を大幅に削減する
ことが可能になる。
【００１４】この発明に係る半導体レーザ装置は、前記
一単位間に、これらを連結する樹脂が配置されてなるこ
とにより、上記の目的を達成する。
一単位間に、これらを連結する樹脂が配置されてなるこ
とにより、上記の目的を達成する。
【００１５】この発明に係る半導体レーザ装置は、主面
上に半導体レーザ素子が搭載されたステムと、少なくと
も該半導体レーザ素子に電気的に接続され、前記ステム
に固定されたリードピンと、前記ステム下方に延びる前
記リードピンを支える樹脂と、を少なくとも備えた半導
体レーザ装置において、前記樹脂が、切欠き部を有する
ことにより、上記の目的を達成する。
上に半導体レーザ素子が搭載されたステムと、少なくと
も該半導体レーザ素子に電気的に接続され、前記ステム
に固定されたリードピンと、前記ステム下方に延びる前
記リードピンを支える樹脂と、を少なくとも備えた半導
体レーザ装置において、前記樹脂が、切欠き部を有する
ことにより、上記の目的を達成する。
【００１６】このように、樹脂が切欠き部を有すること
により、リードピンの切断が尚一層容易になる。
により、リードピンの切断が尚一層容易になる。
【００１７】この発明に係る半導体レーザ装置は、主面
上に半導体レーザ素子が搭載されたステムと、少なくと
も該半導体レーザ素子に電気的に接続され、前記ステム
に固定されたリードピンと、前記ステム下方に延びる前
記リードピンを支える樹脂と、を少なくとも備えた半導
体レーザ装置において、前記樹脂が、そのリードピンの
長さ方向における一断面に、非形成領域を有することに
より、上記の目的を達成する。
上に半導体レーザ素子が搭載されたステムと、少なくと
も該半導体レーザ素子に電気的に接続され、前記ステム
に固定されたリードピンと、前記ステム下方に延びる前
記リードピンを支える樹脂と、を少なくとも備えた半導
体レーザ装置において、前記樹脂が、そのリードピンの
長さ方向における一断面に、非形成領域を有することに
より、上記の目的を達成する。
【００１８】このように、リードピンの長さ方向におけ
る一断面に、樹脂の非形成領域を設けることにより、リ
ードピンの切断時に用いられる切断機の歯に樹脂が接触
することが無いため、多数の半導体レーザ装置を切断し
ても目詰まりがおきにくい。
る一断面に、樹脂の非形成領域を設けることにより、リ
ードピンの切断時に用いられる切断機の歯に樹脂が接触
することが無いため、多数の半導体レーザ装置を切断し
ても目詰まりがおきにくい。
【００１９】この発明に係る半導体レーザ装置は、主面
上に半導体レーザ素子が搭載されたステムと、少なくと
も該半導体レーザ素子に電気的に接続され、前記ステム
に固定されたリードピンと、前記ステム下方に延びる前
記リードピンを支える樹脂と、を少なくとも備えた半導
体レーザ装置において、前記リードピンが、その長さ方
向の所定の位置に切欠き部を有することにより、上記の
目的を達成する。
上に半導体レーザ素子が搭載されたステムと、少なくと
も該半導体レーザ素子に電気的に接続され、前記ステム
に固定されたリードピンと、前記ステム下方に延びる前
記リードピンを支える樹脂と、を少なくとも備えた半導
体レーザ装置において、前記リードピンが、その長さ方
向の所定の位置に切欠き部を有することにより、上記の
目的を達成する。
【００２０】このように、リードピン自体に切欠き部を
有すると、さらに切断精度が向上する。
有すると、さらに切断精度が向上する。
【００２１】この発明に係る半導体レーザ装置は、リー
ドピンの長さ方向の所望の位置で切断されてなることに
より、上記の目的を達成する。
ドピンの長さ方向の所望の位置で切断されてなることに
より、上記の目的を達成する。
【００２２】以下、本発明の作用を記載する。
【００２３】リードピン７が埋め込まれた樹脂６の厚さ
が薄いことにより、基板にはんだ付けした後、不要とな
ったリードピン７および樹脂６をリードピン切断機のよ
うな機械を用いて切ることが容易になる。また、樹脂６
の一部に空洞２１を形成することでリードピン７および
樹脂６を切断する際に空洞があるために力が少なくて済
む。さらに空洞２１に補強用樹脂３１を設けることによ
り、切断した時に樹脂６がつぶれ、リードピン７が変形
したり、断線したりするのを防ぐ。また、平行する複数
のリードピン７をそれぞれ樹脂６で埋め込むことによ
り、分離形成された樹脂埋め込み部４１を作ることによ
り、切断することが容易になるとともに樹脂６の使用量
を低減する事ができる。
が薄いことにより、基板にはんだ付けした後、不要とな
ったリードピン７および樹脂６をリードピン切断機のよ
うな機械を用いて切ることが容易になる。また、樹脂６
の一部に空洞２１を形成することでリードピン７および
樹脂６を切断する際に空洞があるために力が少なくて済
む。さらに空洞２１に補強用樹脂３１を設けることによ
り、切断した時に樹脂６がつぶれ、リードピン７が変形
したり、断線したりするのを防ぐ。また、平行する複数
のリードピン７をそれぞれ樹脂６で埋め込むことによ
り、分離形成された樹脂埋め込み部４１を作ることによ
り、切断することが容易になるとともに樹脂６の使用量
を低減する事ができる。
【００２４】さらにそれら分離形成された樹脂埋め込み
部４１をつなぎ合わせる連結部５１を設けることにより
変形を防ぐ効果がある。また、樹脂６の一部に切断を容
易にするための溝６１を設けることにより、切断機の歯
が当たったとき亀裂が入りやすくなり、切断しやすい。
同様に、リードピン７の一部に切断を容易にするための
溝７１を設けることにより、切断機の歯が当たったとき
亀裂が入りやすくなり、切断しやすい。また、リードピ
ン７の長さ方向に樹脂６の形成されていない部分８１を
設けることにより、その部分をリードピン切断機で切断
すると、切断機の歯に樹脂６があたらないために、数多
くの半導体レーザ装置を切断しても目詰まりがおきにく
くなる効果がある。
部４１をつなぎ合わせる連結部５１を設けることにより
変形を防ぐ効果がある。また、樹脂６の一部に切断を容
易にするための溝６１を設けることにより、切断機の歯
が当たったとき亀裂が入りやすくなり、切断しやすい。
同様に、リードピン７の一部に切断を容易にするための
溝７１を設けることにより、切断機の歯が当たったとき
亀裂が入りやすくなり、切断しやすい。また、リードピ
ン７の長さ方向に樹脂６の形成されていない部分８１を
設けることにより、その部分をリードピン切断機で切断
すると、切断機の歯に樹脂６があたらないために、数多
くの半導体レーザ装置を切断しても目詰まりがおきにく
くなる効果がある。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下実施例により本発明の詳細な
説明を行う。従来と同一の部分は説明を簡略化する。図
１(a)(b)は本発明の１実施例である。(a)のbb'断面図が
（b）である。ステムの作製法であるが、射出成形法に
よりリードピン７を適当な型に入れ樹脂６で一体化す
る。この際向かい合う5本ないしは6本のリードピン７を
一体化した合計2つの部品を作製する。その後ステム５
を挟み込むように両側から2つの部品を溶着させること
でステム全体が完成する。
説明を行う。従来と同一の部分は説明を簡略化する。図
１(a)(b)は本発明の１実施例である。(a)のbb'断面図が
（b）である。ステムの作製法であるが、射出成形法に
よりリードピン７を適当な型に入れ樹脂６で一体化す
る。この際向かい合う5本ないしは6本のリードピン７を
一体化した合計2つの部品を作製する。その後ステム５
を挟み込むように両側から2つの部品を溶着させること
でステム全体が完成する。
【００２６】前述したように、樹脂６の厚さは作製のし
やすさから通常2.5mmから3mm程度の厚さがあった。本実
施例では射出成形する際の型を樹脂が薄くなるように作
り込むことでcの厚さを2mmさらに望ましくは1mm程度ま
で薄くすることが達成される。
やすさから通常2.5mmから3mm程度の厚さがあった。本実
施例では射出成形する際の型を樹脂が薄くなるように作
り込むことでcの厚さを2mmさらに望ましくは1mm程度ま
で薄くすることが達成される。
【００２７】このような構造を有することにより、基板
にはんだ付けした後、不要となったリードピン７および
樹脂６をリードピン切断機のような機械を用いて切るこ
とが容易になる。
にはんだ付けした後、不要となったリードピン７および
樹脂６をリードピン切断機のような機械を用いて切るこ
とが容易になる。
【００２８】さらに別の実施例２について説明する。図
１(c)は実施例２について説明したものである。図１(b)
と同様に(a)のbb'断面図が（c）である（以下の実施例
でも同様）。本実施例では樹脂６の一部に空洞２１を有
する。この空洞２１は射出成形時の型に関し、上下に向
かい合うピンの間に凸部を設けることで作製が可能であ
る。射出成形後、型を取りはずすと凸部には樹脂が無
く、ステム５と溶着させることで空洞が出来上がる。こ
の空洞２１によりリードピン７および樹脂６を切断する
際に力が少なくて済む。
１(c)は実施例２について説明したものである。図１(b)
と同様に(a)のbb'断面図が（c）である（以下の実施例
でも同様）。本実施例では樹脂６の一部に空洞２１を有
する。この空洞２１は射出成形時の型に関し、上下に向
かい合うピンの間に凸部を設けることで作製が可能であ
る。射出成形後、型を取りはずすと凸部には樹脂が無
く、ステム５と溶着させることで空洞が出来上がる。こ
の空洞２１によりリードピン７および樹脂６を切断する
際に力が少なくて済む。
【００２９】図１(d)に示す別の実施例３では前記空洞
２１に補強用樹脂３１を設ける。この空洞２１および補
強用樹脂３１は前述の第2の実施例と同様、射出成形時
の型に関し、上下に向かい合うピンの間に凸部を設ける
ことで作製が可能である。空洞２１に補強用樹脂３１を
設けることにより、切断した時に樹脂６がつぶれ、リー
ドピン７が変形したり、断線したりするのを防ぐ。
２１に補強用樹脂３１を設ける。この空洞２１および補
強用樹脂３１は前述の第2の実施例と同様、射出成形時
の型に関し、上下に向かい合うピンの間に凸部を設ける
ことで作製が可能である。空洞２１に補強用樹脂３１を
設けることにより、切断した時に樹脂６がつぶれ、リー
ドピン７が変形したり、断線したりするのを防ぐ。
【００３０】図１(e)に示す別の実施例４では平行する
複数のリードピン７をそれぞれ樹脂６で埋め込むことに
より、分離形成された樹脂埋め込み部４１を作製する。
この分離形成された樹脂埋め込み部４１は射出成形時の
型に関し、上下に向かい合うリードピン７を一組とし、
互いに隣り合うリードピン７の間に凸部を設けることで
作製が可能である。このような構造を有することで不要
となったリードピン７および樹脂６をリードピン切断機
のような機械を用いて切ることが容易になる。さらには
樹脂６の使用量を低減する効果もある。
複数のリードピン７をそれぞれ樹脂６で埋め込むことに
より、分離形成された樹脂埋め込み部４１を作製する。
この分離形成された樹脂埋め込み部４１は射出成形時の
型に関し、上下に向かい合うリードピン７を一組とし、
互いに隣り合うリードピン７の間に凸部を設けることで
作製が可能である。このような構造を有することで不要
となったリードピン７および樹脂６をリードピン切断機
のような機械を用いて切ることが容易になる。さらには
樹脂６の使用量を低減する効果もある。
【００３１】図１(f)に示す別の実施例５では前記分離
形成された樹脂埋め込み部４１が補強用樹脂５１により
連結されている構造にする。この構造は射出成形する際
の型を適切に作り込むことで作製可能である。このよう
な構造を有することで不要となったリードピン７および
樹脂６をリードピン切断機のような機械を用いて切るこ
とが容易になる。さらには切断時のリードピン７および
樹脂６の変形を防ぐ効果がある。
形成された樹脂埋め込み部４１が補強用樹脂５１により
連結されている構造にする。この構造は射出成形する際
の型を適切に作り込むことで作製可能である。このよう
な構造を有することで不要となったリードピン７および
樹脂６をリードピン切断機のような機械を用いて切るこ
とが容易になる。さらには切断時のリードピン７および
樹脂６の変形を防ぐ効果がある。
【００３２】図２(g)に示す別の実施例６では、樹脂６
の一部に切断を容易にするための溝６１を有する構造に
する。この構造は射出成形する際の型を適切に作り込む
ことで作製可能である。このような構造を有することで
不要となったリードピン７および樹脂６をリードピン切
断機のような機械を用いて切る際、裂け目が入りやすく
なり、切断しやすくなるとともに切断面がきれいにな
り、仕上がり寸法精度が良くなる効果がある。
の一部に切断を容易にするための溝６１を有する構造に
する。この構造は射出成形する際の型を適切に作り込む
ことで作製可能である。このような構造を有することで
不要となったリードピン７および樹脂６をリードピン切
断機のような機械を用いて切る際、裂け目が入りやすく
なり、切断しやすくなるとともに切断面がきれいにな
り、仕上がり寸法精度が良くなる効果がある。
【００３３】図２(h)(i)に示す別の実施例７では、リー
ドピン７の一部に切断を容易にするための溝７１を設け
る。この溝は、射出成形する前にあらかじめリードピン
７に凹部を作製するか、あるいは射出成形後にダイサー
のようなもので凹部を形成しても良い。このような構造
を有することで不要となったリードピン７および樹脂６
をリードピン切断機のような機械を用いて切る際、裂け
目が入りやすくなり、切断しやすくなるとともに切断面
がきれいになり、仕上がり寸法精度が良くなる効果があ
る。
ドピン７の一部に切断を容易にするための溝７１を設け
る。この溝は、射出成形する前にあらかじめリードピン
７に凹部を作製するか、あるいは射出成形後にダイサー
のようなもので凹部を形成しても良い。このような構造
を有することで不要となったリードピン７および樹脂６
をリードピン切断機のような機械を用いて切る際、裂け
目が入りやすくなり、切断しやすくなるとともに切断面
がきれいになり、仕上がり寸法精度が良くなる効果があ
る。
【００３４】図２(j)に示す別の実施例８では、リード
ピン７の長さ方向に樹脂の形成されていない部分８１を
有する構造にする。この樹脂の形成されていない部分８
１射出成形時の型に関し、リードピン７を長さ方向の中
で挟み込む部分を作り込むことで作製することが可能で
ある。このような構造を有することでリードピン７およ
び樹脂６を切断する際に力が少なくて済むと同時に。切
断機の歯に樹脂６があたらないために、数多くの半導体
レーザ装置を切断しても目詰まりがおきにくくなる効果
がある。
ピン７の長さ方向に樹脂の形成されていない部分８１を
有する構造にする。この樹脂の形成されていない部分８
１射出成形時の型に関し、リードピン７を長さ方向の中
で挟み込む部分を作り込むことで作製することが可能で
ある。このような構造を有することでリードピン７およ
び樹脂６を切断する際に力が少なくて済むと同時に。切
断機の歯に樹脂６があたらないために、数多くの半導体
レーザ装置を切断しても目詰まりがおきにくくなる効果
がある。
【００３５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、不要とな
ったリードピン、及び樹脂をリードピン切断機のような
機械を用いて切ることが容易になる。また、空洞に補強
用樹脂を設けることにより切断した時に樹脂がつぶれ、
リードピンが変形したり、断線したりするのを防ぐこと
ができる。さらに分離形成された樹脂埋め込み部をつく
ることで使用量を低減する効果がある。さらには樹脂あ
るいはリードピンの一部に切断を容易にするための溝を
有する構造により切断面がきれいになり、仕上がり寸法
精度が良くなる効果がある。さらにはリードピンの長さ
方向に樹脂の形成されていない部分を有する構造にする
ことで数多くの半導体レーザ装置を切断しても目詰まり
がおきにくくなる効果がある。
ったリードピン、及び樹脂をリードピン切断機のような
機械を用いて切ることが容易になる。また、空洞に補強
用樹脂を設けることにより切断した時に樹脂がつぶれ、
リードピンが変形したり、断線したりするのを防ぐこと
ができる。さらに分離形成された樹脂埋め込み部をつく
ることで使用量を低減する効果がある。さらには樹脂あ
るいはリードピンの一部に切断を容易にするための溝を
有する構造により切断面がきれいになり、仕上がり寸法
精度が良くなる効果がある。さらにはリードピンの長さ
方向に樹脂の形成されていない部分を有する構造にする
ことで数多くの半導体レーザ装置を切断しても目詰まり
がおきにくくなる効果がある。
【図１】(a)は本発明の代表的な実施例を示す半導体レ
ーザ装置の正面図、(b)は本発明の実施例１を示す図１
(a)のbb'断面図、(c)は本発明の実施例２を示す半導体
レーザ装置のbb'断面図、(d)は本発明の実施例３を示す
半導体レーザ装置のbb'断面図、(e)は本発明の実施例４
を示す半導体レーザ装置のbb'断面図、(f)は本発明の実
施例５を示す半導体レーザ装置のbb'断面図である。
ーザ装置の正面図、(b)は本発明の実施例１を示す図１
(a)のbb'断面図、(c)は本発明の実施例２を示す半導体
レーザ装置のbb'断面図、(d)は本発明の実施例３を示す
半導体レーザ装置のbb'断面図、(e)は本発明の実施例４
を示す半導体レーザ装置のbb'断面図、(f)は本発明の実
施例５を示す半導体レーザ装置のbb'断面図である。
【図２】(g)は本発明の実施例６を示す半導体レーザ装
置の正面図、(h)は本発明の実施例７を示す半導体レー
ザ装置の正面図、(i)は本発明の実施例７を示す図２(h)
のC部拡大斜視図、(j)は本発明の実施例８を示す半導体
レーザ装置の正面図である。
置の正面図、(h)は本発明の実施例７を示す半導体レー
ザ装置の正面図、(i)は本発明の実施例７を示す図２(h)
のC部拡大斜視図、(j)は本発明の実施例８を示す半導体
レーザ装置の正面図である。
【図３】(a)は従来のキャップをかぶせる前の半導体レ
ーザ装置を示す正面図、(b)は図３(a)の上面図、(c)従
来の半導体レーザ装置を示す正面図、(d)：図３(c)のb
b'断面図である。
ーザ装置を示す正面図、(b)は図３(a)の上面図、(c)従
来の半導体レーザ装置を示す正面図、(d)：図３(c)のb
b'断面図である。
１ レーザダイオード ２ モニター用フォトダイオード ３ 金線 ４ 信号検出用フォトダイオード ５ ステム ６ 樹脂 ７ リードピン ８ キャップ ９ ホログラム素子 21 空洞 31 補強用樹脂 41 分離形成された樹脂埋め込み部 51 補強用樹脂 61 樹脂に設けられた切断を容易にするための溝 71 リードピンに設けられた切断を容易にするための溝 81 樹脂の形成されていない部分
Claims (9)
- 【請求項１】 主面上に半導体レーザ素子が搭載された
ステムと、 少なくとも該半導体レーザ素子に電気的に接続され、前
記ステムに固定されたリードピンと、 前記ステム下方に延びる前記リードピンを支える樹脂
と、を少なくとも備えた半導体レーザ装置において、 前記樹脂は、リードピンの長さ方向に対して垂直な方向
に、部分的に薄くされてなることを特徴とする半導体レ
ーザ装置。 - 【請求項２】 前記樹脂は、リードピンの長さ方向に対
して垂直な断面において、空洞を有してなることによ
り、部分的に薄くされてなることを特徴とする請求項１
に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記空洞内に、部分的に補強用の樹脂が
配置されてなることを特徴とする請求項２に記載の半導
体レーザ装置。 - 【請求項４】 主面上に半導体レーザ素子が搭載された
ステムと、 少なくとも該半導体レーザ素子に電気的に接続され、前
記ステムに固定されたリードピンと、 前記ステム下方に延びる前記リードピンを支える樹脂
と、を少なくとも備えた半導体レーザ装置において、 前記樹脂は、対向するリードピンを一単位として、硬化
されたものであり、一単位間は、空隙であることを特徴
とする半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記一単位間に、これらを連結する樹脂
が配置されてなることを特徴とする請求項４に記載の半
導体レーザ装置。 - 【請求項６】 主面上に半導体レーザ素子が搭載された
ステムと、 少なくとも該半導体レーザ素子に電気的に接続され、前
記ステムに固定されたリードピンと、 前記ステム下方に延びる前記リードピンを支える樹脂
と、を少なくとも備えた半導体レーザ装置において、 前記樹脂は、切欠き部を有することを特徴とする半導体
レーザ装置。 - 【請求項７】 主面上に半導体レーザ素子が搭載された
ステムと、 少なくとも該半導体レーザ素子に電気的に接続され、前
記ステムに固定されたリードピンと、 前記ステム下方に延びる前記リードピンを支える樹脂
と、を少なくとも備えた半導体レーザ装置において、 前記樹脂は、そのリードピンの長さ方向における一断面
に、非形成領域を有することを特徴とする半導体レーザ
装置。 - 【請求項８】 主面上に半導体レーザ素子が搭載された
ステムと、 少なくとも該半導体レーザ素子に電気的に接続され、前
記ステムに固定されたリードピンと、 前記ステム下方に延びる前記リードピンを支える樹脂
と、を少なくとも備えた半導体レーザ装置において、 前記リードピンは、その長さ方向の所定の位置に切欠き
部を有することを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれかに記載の半導
体レーザ装置は、リードピンの長さ方向の所望の位置で
切断されてなることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18460199A JP3579299B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18460199A JP3579299B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001015846A true JP2001015846A (ja) | 2001-01-19 |
| JP3579299B2 JP3579299B2 (ja) | 2004-10-20 |
Family
ID=16156074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18460199A Expired - Fee Related JP3579299B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3579299B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7489716B2 (en) | 2006-01-19 | 2009-02-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device, method for manufacturing the same and optical pickup apparatus |
-
1999
- 1999-06-30 JP JP18460199A patent/JP3579299B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7489716B2 (en) | 2006-01-19 | 2009-02-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device, method for manufacturing the same and optical pickup apparatus |
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|---|---|
| JP3579299B2 (ja) | 2004-10-20 |
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