JP2001015839A - 光ファイバ励起固体レーザ装置 - Google Patents
光ファイバ励起固体レーザ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンドル光ファイバによる固体レーザ励起の
高効率化する。 【解決手段】 固体レーザの励起用半導体レーザとして
複数のファイバ出力半導体レーザによるバンドル光ファ
イバを用いる場合に、集合されたファイバコアの最外径
と同じか、もしくはそれよりも大きなコア径をもつシン
グルコア光ファイバを光コネクタアダプタにより接続す
ることで、励起バランスの優れた固体レーザ励起光を得
ることができ励起効率が良い固体レーザ光源の実現を図
る。
高効率化する。 【解決手段】 固体レーザの励起用半導体レーザとして
複数のファイバ出力半導体レーザによるバンドル光ファ
イバを用いる場合に、集合されたファイバコアの最外径
と同じか、もしくはそれよりも大きなコア径をもつシン
グルコア光ファイバを光コネクタアダプタにより接続す
ることで、励起バランスの優れた固体レーザ励起光を得
ることができ励起効率が良い固体レーザ光源の実現を図
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光エレクトロニクス
分野に関し、特にレーザ光源および可視レーザ光源を用
いたレーザプリンタ装置、微粒子検出装置、光造形装
置、光記録装置等のレーザ応用装置に関する。
分野に関し、特にレーザ光源および可視レーザ光源を用
いたレーザプリンタ装置、微粒子検出装置、光造形装
置、光記録装置等のレーザ応用装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体レーザにおける励起光源として用い
られる半導体レーザは、固体レーザ励起用に高い出力が
要求される。高出力を得るために半導体レーザはレーザ
の発光幅であるストライプ幅を１００μｍ以上と広げる
ことで高い出力を得ている。これら半導体レーザの発光
面は１００μｍ×１μｍと長方形であり、半導体レーザ
からの出射光は縦横方向のビーム拡がり角が大きく異な
り、プリズムなどによるビーム補正の光学系でいったん
平行ビームに整形して、集光レンズを用いて固体レーザ
結晶を励起する。集光されたビームは発光面の形状が保
存されるために長方形をしている。一般に固体レーザ共
振器のビーム形状は円形であり、レーザ発振の効率を上
げるためには共振器内のビーム形状と固体レーザに入射
される励起ビームを一致させる必要がある。励起ビーム
が長方形の場合、共振器ビーム形状（円形）から外れた
励起ビームは殆どが熱に変換されるだけでレーザ発振に
は寄与しない。
られる半導体レーザは、固体レーザ励起用に高い出力が
要求される。高出力を得るために半導体レーザはレーザ
の発光幅であるストライプ幅を１００μｍ以上と広げる
ことで高い出力を得ている。これら半導体レーザの発光
面は１００μｍ×１μｍと長方形であり、半導体レーザ
からの出射光は縦横方向のビーム拡がり角が大きく異な
り、プリズムなどによるビーム補正の光学系でいったん
平行ビームに整形して、集光レンズを用いて固体レーザ
結晶を励起する。集光されたビームは発光面の形状が保
存されるために長方形をしている。一般に固体レーザ共
振器のビーム形状は円形であり、レーザ発振の効率を上
げるためには共振器内のビーム形状と固体レーザに入射
される励起ビームを一致させる必要がある。励起ビーム
が長方形の場合、共振器ビーム形状（円形）から外れた
励起ビームは殆どが熱に変換されるだけでレーザ発振に
は寄与しない。
【０００３】このため、レーザ発振の効率を上げるため
に励起ビームの形状を円形にする方法として、光ファイ
バを伝送してきた光を固体レーザの励起光として使用す
る方法がある。光ファイバは円形状のコアとクラッドか
ら構成されており、コアの屈折率がクラッドよりも高い
ために光はコアとクラッドの境界面を全反射しながら伝
送される。このため、光ファイバのコア径に依存した円
形のビームを得ることができる。光ファイバからの出射
光を固体レーザの励起光源として使用することは公知例
（特開昭５６−２４９８９号）により知られている。ま
た、前記公知例により高い励起光を得るために複数の光
ファイバを束ねてバンドル状にして用いることも知られ
ている。図４は従来例を説明するための図であり、光フ
ァイバ出力半導体レーザ１１を複数個使用し、光ファイ
バを束ねてバンドルファイバ１２としている。バンドル
ファイバから出力されたレーザ光３１はレンズ１３によ
り固体レーザ４に集光して発振波３２を発生させ、固体
レーザ４の端面に形成されたミラー３とレーザミラー７
とで共振器を形成している。
に励起ビームの形状を円形にする方法として、光ファイ
バを伝送してきた光を固体レーザの励起光として使用す
る方法がある。光ファイバは円形状のコアとクラッドか
ら構成されており、コアの屈折率がクラッドよりも高い
ために光はコアとクラッドの境界面を全反射しながら伝
送される。このため、光ファイバのコア径に依存した円
形のビームを得ることができる。光ファイバからの出射
光を固体レーザの励起光源として使用することは公知例
（特開昭５６−２４９８９号）により知られている。ま
た、前記公知例により高い励起光を得るために複数の光
ファイバを束ねてバンドル状にして用いることも知られ
ている。図４は従来例を説明するための図であり、光フ
ァイバ出力半導体レーザ１１を複数個使用し、光ファイ
バを束ねてバンドルファイバ１２としている。バンドル
ファイバから出力されたレーザ光３１はレンズ１３によ
り固体レーザ４に集光して発振波３２を発生させ、固体
レーザ４の端面に形成されたミラー３とレーザミラー７
とで共振器を形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記公知例では複数の
光ファイバを束ねてバンドル状のまま用いる場合やそれ
ぞれのバンドルファイバとシングルコアの単一光ファイ
バ融着して使用する方法を開示している。このようにバ
ンドル形状のままの場合には、複数のコアが存在してお
り、それぞれのコアから別々に複数の励起ビームが出力
されることになり、半導体レーザの出力差などにより励
起分布が不均一になる問題点がある。また、融着する場
合にはコア径が熱処理により拡大したり、円形状からず
れるなどにより、それぞれのコアからのビームの出射形
状が異なり、接続融着部分での損失が発生する問題点が
あった。
光ファイバを束ねてバンドル状のまま用いる場合やそれ
ぞれのバンドルファイバとシングルコアの単一光ファイ
バ融着して使用する方法を開示している。このようにバ
ンドル形状のままの場合には、複数のコアが存在してお
り、それぞれのコアから別々に複数の励起ビームが出力
されることになり、半導体レーザの出力差などにより励
起分布が不均一になる問題点がある。また、融着する場
合にはコア径が熱処理により拡大したり、円形状からず
れるなどにより、それぞれのコアからのビームの出射形
状が異なり、接続融着部分での損失が発生する問題点が
あった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記技術課題を解決する
ための手段として、本願発明者らは複数本の光ファイバ
を束ねて光コネクタを作製し、複数のコアの束の最外径
と同じかそれよりも大きなコア径を有するシングルコア
の光ファイバに光コネクタアダプタを介して、光ファイ
バ端面どうしを直接、機械的に接続することにより、融
着による変形損失の影響を低減することができる。つま
り、複数の半導体レーザの出力の不均一性や損失を低減
でき、複数の光ファイバ出力を単一の円形で安定したシ
ングルコア光ファイバとして合成できることを見い出
し、本発明に想到したものである。
ための手段として、本願発明者らは複数本の光ファイバ
を束ねて光コネクタを作製し、複数のコアの束の最外径
と同じかそれよりも大きなコア径を有するシングルコア
の光ファイバに光コネクタアダプタを介して、光ファイ
バ端面どうしを直接、機械的に接続することにより、融
着による変形損失の影響を低減することができる。つま
り、複数の半導体レーザの出力の不均一性や損失を低減
でき、複数の光ファイバ出力を単一の円形で安定したシ
ングルコア光ファイバとして合成できることを見い出
し、本発明に想到したものである。
【０００６】すなわち本発明は、励起光源としての半導
体レーザと、前記励起光源により励起される固体レーザ
結晶と、前記固体レーザ結晶から発生する発振波を反射
するレーザミラーとからなる固体レーザ光源であって、
励起光源として半導体レーザを光ファイバに結合させて
出力する光ファイバ出力半導体レーザを複数用いる場合
において、その光ファイバを複数本束ねたマルチコアバ
ンドル光ファイバの最外コア径と同じもしくはそれより
も大きなコア径をもつシングルコアの光ファイバとを光
コネクタアダプタにより接続してシングルコアからの光
ファイバ出力光を前記固体レーザの励起用に用いた光フ
ァイバ励起固体レーザ装置である。
体レーザと、前記励起光源により励起される固体レーザ
結晶と、前記固体レーザ結晶から発生する発振波を反射
するレーザミラーとからなる固体レーザ光源であって、
励起光源として半導体レーザを光ファイバに結合させて
出力する光ファイバ出力半導体レーザを複数用いる場合
において、その光ファイバを複数本束ねたマルチコアバ
ンドル光ファイバの最外コア径と同じもしくはそれより
も大きなコア径をもつシングルコアの光ファイバとを光
コネクタアダプタにより接続してシングルコアからの光
ファイバ出力光を前記固体レーザの励起用に用いた光フ
ァイバ励起固体レーザ装置である。
【０００７】さらに、本発明は、励起光源としての半導
体レーザと、前記励起光源により励起される固体レーザ
結晶と、固体レーザ結晶から発生する第１の発振波の波
長を制御するための制御素子と、前記第１の発振波を基
本波として第２の発振波である第二高調波に波長変換す
るための非線形光学結晶とを有する共振器からなる第二
高調波発生装置においても、光ファイバ出力半導体レー
ザを複数本束ねたマルチコアバンドル光ファイバの最外
コア径と同じもしくはそれよりも大きなコア径をもつシ
ングルコアの光ファイバとを光コネクタアダプタにより
接続してシングルコアからの光ファイバ出力光を固体レ
ーザの励起用に用いた光ファイバ励起固体レーザ装置で
ある。
体レーザと、前記励起光源により励起される固体レーザ
結晶と、固体レーザ結晶から発生する第１の発振波の波
長を制御するための制御素子と、前記第１の発振波を基
本波として第２の発振波である第二高調波に波長変換す
るための非線形光学結晶とを有する共振器からなる第二
高調波発生装置においても、光ファイバ出力半導体レー
ザを複数本束ねたマルチコアバンドル光ファイバの最外
コア径と同じもしくはそれよりも大きなコア径をもつシ
ングルコアの光ファイバとを光コネクタアダプタにより
接続してシングルコアからの光ファイバ出力光を固体レ
ーザの励起用に用いた光ファイバ励起固体レーザ装置で
ある。
【０００８】ここで半導体レーザは、発光幅がシングル
ストライプあるいはマルチストライプ型アレー半導体レ
ーザからの光を光ファイバに結合させて、光ファイバ出
力としたものを用いることが望ましい。
ストライプあるいはマルチストライプ型アレー半導体レ
ーザからの光を光ファイバに結合させて、光ファイバ出
力としたものを用いることが望ましい。
【０００９】半導体レーザ励起波長可変固体レーザ装置
として波長750〜1000nmで発振するレーザ結晶としてＬ
ｉＳＡＦ（Cr:LiSrAlF６；クロム添加のフッ化リチュウ
ムストロンチュウムアルミニュウム）結晶を用いたレー
ザ装置が提案されているが、ここで固体レーザ結晶にＬ
ｉＳＡＦ（Cr:LiSrAlF６；クロム添加のフッ化 リチュ
ウムストロンチュウムアルミニュウム）結晶を用いた場
合には、第１の発振波を波長８００〜９００ｎｍの領域
で発生することができ、青色領域（波長４００〜４５０
ｎｍ）の第２の発振波を発生できる。またあるいは、前
記の固体レーザ結晶にＬｉＳＧＡＦ（Cr:LiSrGaF６；ク
ロム添加のフッ化リチュウムストロンチュウムガリウ
ム）結晶を用いる場合には、第１の発振波を８００〜１
０００ｎｍの領域で発生することができ、青色領域の波
長４００〜５００ｎｍの第２の発振波を発生できる。
として波長750〜1000nmで発振するレーザ結晶としてＬ
ｉＳＡＦ（Cr:LiSrAlF６；クロム添加のフッ化リチュウ
ムストロンチュウムアルミニュウム）結晶を用いたレー
ザ装置が提案されているが、ここで固体レーザ結晶にＬ
ｉＳＡＦ（Cr:LiSrAlF６；クロム添加のフッ化 リチュ
ウムストロンチュウムアルミニュウム）結晶を用いた場
合には、第１の発振波を波長８００〜９００ｎｍの領域
で発生することができ、青色領域（波長４００〜４５０
ｎｍ）の第２の発振波を発生できる。またあるいは、前
記の固体レーザ結晶にＬｉＳＧＡＦ（Cr:LiSrGaF６；ク
ロム添加のフッ化リチュウムストロンチュウムガリウ
ム）結晶を用いる場合には、第１の発振波を８００〜１
０００ｎｍの領域で発生することができ、青色領域の波
長４００〜５００ｎｍの第２の発振波を発生できる。
【００１０】また、ＬｉＳＡＦ結晶から発生する第１の
発振波長を制御するための制御素子としてＬｉＳＡＦ結
晶と非線形光学結晶の間にブリュースタ角に傾けた１枚
の複屈折結晶を配置することで、効率良くレーザ光を発
生できる。
発振波長を制御するための制御素子としてＬｉＳＡＦ結
晶と非線形光学結晶の間にブリュースタ角に傾けた１枚
の複屈折結晶を配置することで、効率良くレーザ光を発
生できる。
【００１１】また、位相整合半値幅が比較的広いＬＢＯ
（ＬｉＢ３Ｏ５）、ＢＢＯ（β−ＢａＢ２Ｏ４）、ＣＬ
ＢＯ（ＣｓＬｉＢ６Ｏ１０）、ＣＢＯ（ＣｓＢ３Ｏ
５）、ＧｄＣＯＢ（ＧｄＣａＯ（ＢＯ３）３）、ＹＣＯ
Ｂ（ＹＣａＯ（ＢＯ３）３）、ＫＮ（ＫＮｂＯ３）の少
なくとも１ つをＳＨＧ結晶である非線形光学結晶に用
いることでＳＨＧ光を発生することができる。これらの
手段を採用することで固体レーザの特長である小型で、
取り扱いが容易かつ低消費電力の固体レーザ装置を高効
率で実現できる。
（ＬｉＢ３Ｏ５）、ＢＢＯ（β−ＢａＢ２Ｏ４）、ＣＬ
ＢＯ（ＣｓＬｉＢ６Ｏ１０）、ＣＢＯ（ＣｓＢ３Ｏ
５）、ＧｄＣＯＢ（ＧｄＣａＯ（ＢＯ３）３）、ＹＣＯ
Ｂ（ＹＣａＯ（ＢＯ３）３）、ＫＮ（ＫＮｂＯ３）の少
なくとも１ つをＳＨＧ結晶である非線形光学結晶に用
いることでＳＨＧ光を発生することができる。これらの
手段を採用することで固体レーザの特長である小型で、
取り扱いが容易かつ低消費電力の固体レーザ装置を高効
率で実現できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】（実施例１）本発明である、バン
ドル光ファイバとシングルコア光ファイバの関係を説明
する。図１は光ファイバの構成図を説明するための図で
ある。図１（ａ）は光ファイバー単体の断面を示し、
（ｂ）は３本の光ファイバとこれに対応する最外のコア
径１０３（D3）を示し、（ｃ）は同様にそれぞれ７本、
１９本、３７本を束ねた場合の最外のコア径（１０３
（D7）（D19）（D37））を一緒に図示したものである。
図１（ａ）では光ファイバのコア１０２の径をａとし、
クラッド１０１の径をｂとしている。光ファイバを束ね
てバンドルにするには、なるべく隙間がない様に束ねる
ために、図１（ｂ）、（ｃ）に示す様にバンドルファイ
バの本数ｎは３、７、１９、３７・・本と言うように組
み合わせの本数が限られてしまう。そこでバンドル光フ
ァイバを構成した場合、集合された光ファイバの最外径
のコア径１０３をDｎで表わすとすると、例えば、ｎ=3
でＤ3=2b/√3+a、ｎ=7でＤ7=2b+aと言うように計算され
る。表１ではファイバコア径aと、クラッド径bがそれぞ
れ50μｍと125μｍの場合をa/b=50/125と表し、その計
算結果を示している。つまり、n=3でＤ3=194.3μｍ、n=
7でＤ7=300μｍ、n=19でＤ19=550μｍ、n=37でＤ37=800
μｍである。一方、同様に100μｍと140μｍの場合はa/
b=100/140とし、n=3でＤ3=261.6μｍ、n=7でＤ7=380μ
ｍ、n=19でＤ19=660μｍ、n=37でＤ37=940μｍと計算さ
れる。
ドル光ファイバとシングルコア光ファイバの関係を説明
する。図１は光ファイバの構成図を説明するための図で
ある。図１（ａ）は光ファイバー単体の断面を示し、
（ｂ）は３本の光ファイバとこれに対応する最外のコア
径１０３（D3）を示し、（ｃ）は同様にそれぞれ７本、
１９本、３７本を束ねた場合の最外のコア径（１０３
（D7）（D19）（D37））を一緒に図示したものである。
図１（ａ）では光ファイバのコア１０２の径をａとし、
クラッド１０１の径をｂとしている。光ファイバを束ね
てバンドルにするには、なるべく隙間がない様に束ねる
ために、図１（ｂ）、（ｃ）に示す様にバンドルファイ
バの本数ｎは３、７、１９、３７・・本と言うように組
み合わせの本数が限られてしまう。そこでバンドル光フ
ァイバを構成した場合、集合された光ファイバの最外径
のコア径１０３をDｎで表わすとすると、例えば、ｎ=3
でＤ3=2b/√3+a、ｎ=7でＤ7=2b+aと言うように計算され
る。表１ではファイバコア径aと、クラッド径bがそれぞ
れ50μｍと125μｍの場合をa/b=50/125と表し、その計
算結果を示している。つまり、n=3でＤ3=194.3μｍ、n=
7でＤ7=300μｍ、n=19でＤ19=550μｍ、n=37でＤ37=800
μｍである。一方、同様に100μｍと140μｍの場合はa/
b=100/140とし、n=3でＤ3=261.6μｍ、n=7でＤ7=380μ
ｍ、n=19でＤ19=660μｍ、n=37でＤ37=940μｍと計算さ
れる。
【００１３】
【表１】
【００１４】図１（ｂ）及び（ｃ）のコア径１０３（D
3）（D7）（D19）（D37）は、それぞれのシングルコア
光ファイバのコア径に対応して見立てることもできる。
例えば、a/b=50/125の光ファイバを３本束ねたバンドル
では、コアの最外径は194.3μｍとなるので、接続すべ
きシングルコア光ファイバとしてはこれよりも大きいコ
ア径、つまり１０３（D3）よりも大きい径の例えば200
μｍのものを使用しなければならないということにな
る。このように表１に示したバンドルファイバのコア径
に対して、接続する側のシングルコア光ファイバのコア
径は損失を最小限にするためにDｎと同じ、若しくはそ
れよりも大きい径を選択することが必要である。これに
よって低損失かつ効率的にシングルコアの光ファイバに
結合することができる。
3）（D7）（D19）（D37）は、それぞれのシングルコア
光ファイバのコア径に対応して見立てることもできる。
例えば、a/b=50/125の光ファイバを３本束ねたバンドル
では、コアの最外径は194.3μｍとなるので、接続すべ
きシングルコア光ファイバとしてはこれよりも大きいコ
ア径、つまり１０３（D3）よりも大きい径の例えば200
μｍのものを使用しなければならないということにな
る。このように表１に示したバンドルファイバのコア径
に対して、接続する側のシングルコア光ファイバのコア
径は損失を最小限にするためにDｎと同じ、若しくはそ
れよりも大きい径を選択することが必要である。これに
よって低損失かつ効率的にシングルコアの光ファイバに
結合することができる。
【００１５】図２は本発明の一実施例を説明するための
図である。光ファイバ出力半導体レーザ１１を３個使用
し、光ファイバを束ねたバンドルファイバ１２と光コネ
クタ２０を介して接続している。ファイバ出力半導体レ
ーザ１１はコヒレント社製の光ファイバコア径１００μ
ｍ、出力４００ｍＷで発振波長６７０ｎｍである。表１
よりD3=261.6μｍであるため、シングルコア光ファイバ
コア径は３００μｍとした。バンドルファイバ１２は光
コネクタアダプタ２１によりコア径３００μｍのシング
ルコア光ファイバ２２と接続されている。本例の最大光
ファイバ出力は約１２００ｍＷが得られ、このときの結
合損失は０．５％であった。シングルコア光ファイバ２
２から出力されたレーザ光３１はレンズ１３により固体
レーザ４に集光される。
図である。光ファイバ出力半導体レーザ１１を３個使用
し、光ファイバを束ねたバンドルファイバ１２と光コネ
クタ２０を介して接続している。ファイバ出力半導体レ
ーザ１１はコヒレント社製の光ファイバコア径１００μ
ｍ、出力４００ｍＷで発振波長６７０ｎｍである。表１
よりD3=261.6μｍであるため、シングルコア光ファイバ
コア径は３００μｍとした。バンドルファイバ１２は光
コネクタアダプタ２１によりコア径３００μｍのシング
ルコア光ファイバ２２と接続されている。本例の最大光
ファイバ出力は約１２００ｍＷが得られ、このときの結
合損失は０．５％であった。シングルコア光ファイバ２
２から出力されたレーザ光３１はレンズ１３により固体
レーザ４に集光される。
【００１６】励起される固体レーザ結晶４は発振波を発
生し、曲率ミラーである出射側のレーザミラー７と固体
レーザ結晶４の入射端面に形成された発振波を反射する
レーザミラー３からなるレーザ共振器でレーザ光を発生
する。第一のレーザミラー３は固体レーザ結晶の半導体
レーザの入射端面に形成されており、半導体レーザから
の励起光波長に対して８５％以上を透過し、さらに基本
波波長に対しては反射率９９％以上の全反射（以下単に
ＨＲという；High-Reflection）コーティングを施して
ある。また、共振器の内側の端面には基本波波長に対し
て反射率２％以下の無反射（以下単にＡＲという；Anti
-Reflection）コーティングを施してある。このとき共
振器構造は凹平式共振器であり、第二のレーザミラー７
の曲率半径は２５ｍｍ、共振器長は２０ｍｍとし、発振
波を１％透過する反射膜コーティングを施してある。レ
ーザ結晶４にはＣｒ添加量１．５ｍｏｌ％のＬｉＳＡＦ
結晶(φ３×５ｍｍ)を用いた。このときのレーザ発振波
の出力光としては１００ｍＷが得られた。
生し、曲率ミラーである出射側のレーザミラー７と固体
レーザ結晶４の入射端面に形成された発振波を反射する
レーザミラー３からなるレーザ共振器でレーザ光を発生
する。第一のレーザミラー３は固体レーザ結晶の半導体
レーザの入射端面に形成されており、半導体レーザから
の励起光波長に対して８５％以上を透過し、さらに基本
波波長に対しては反射率９９％以上の全反射（以下単に
ＨＲという；High-Reflection）コーティングを施して
ある。また、共振器の内側の端面には基本波波長に対し
て反射率２％以下の無反射（以下単にＡＲという；Anti
-Reflection）コーティングを施してある。このとき共
振器構造は凹平式共振器であり、第二のレーザミラー７
の曲率半径は２５ｍｍ、共振器長は２０ｍｍとし、発振
波を１％透過する反射膜コーティングを施してある。レ
ーザ結晶４にはＣｒ添加量１．５ｍｏｌ％のＬｉＳＡＦ
結晶(φ３×５ｍｍ)を用いた。このときのレーザ発振波
の出力光としては１００ｍＷが得られた。
【００１７】シングルコア光ファイバ２２を用いないで
図４の従来例の様にファイババンドル１２からの励起光
でレーザ発振させた場合にはレーザ発振波の出力は８０
ｍＷしか得られなかった。本実施例１では固体レーザ結
晶としてCr:LiSAF結晶を用いたが、他の波長帯の固体レ
ーザ結晶としてＮｄやＹｂ等をドープした固体レーザ結
晶を用いたレーザにも適応可能であることは明らかであ
る。
図４の従来例の様にファイババンドル１２からの励起光
でレーザ発振させた場合にはレーザ発振波の出力は８０
ｍＷしか得られなかった。本実施例１では固体レーザ結
晶としてCr:LiSAF結晶を用いたが、他の波長帯の固体レ
ーザ結晶としてＮｄやＹｂ等をドープした固体レーザ結
晶を用いたレーザにも適応可能であることは明らかであ
る。
【００１８】（実施例２）図３は本発明の他の実施例を
説明するための共振器部分のみの図である。半導体レー
ザおよび集光光学系からなる励起光学系は実施例１と同
様である。励起される固体レーザ結晶４は基本波である
第１発振波を発生し、曲率ミラーである入射側の第一の
レーザミラー３とＳＨＧ結晶６の出射端面に形成された
第１の発振波を反射する第二のレーザミラー７とからな
るレーザ共振器で第１の発振波である基本波３２を発生
する。レーザ共振器中にはレーザ結晶４と波長制御素子
５とＳＨＧ結晶６が配置されている。第一のレーザミラ
ー３は半導体レーザからの励起光波長に対して８５％以
上を透過し、さらに基本波波長に対しては反射率９９％
以上の全反射（ＨＲ）コーティングを施してある。この
とき共振器構造は凹平式共振器であり、第一のレーザミ
ラー３の曲率半径は２５ｍｍ、共振器長は２０ｍｍとし
た。レーザ結晶４にはＣｒ添加量１．５ｍｏｌ％のＬｉ
ＳＡＦ結晶(φ３×５ｍｍ)を用い、結晶端面には励起光
波長と基本波波長に対して反射率２％以下の無反射（Ａ
Ｒ）コーティングを施してある。ＳＨＧ結晶６は３×３
×５ｍｍのＬＢＯ結晶である。
説明するための共振器部分のみの図である。半導体レー
ザおよび集光光学系からなる励起光学系は実施例１と同
様である。励起される固体レーザ結晶４は基本波である
第１発振波を発生し、曲率ミラーである入射側の第一の
レーザミラー３とＳＨＧ結晶６の出射端面に形成された
第１の発振波を反射する第二のレーザミラー７とからな
るレーザ共振器で第１の発振波である基本波３２を発生
する。レーザ共振器中にはレーザ結晶４と波長制御素子
５とＳＨＧ結晶６が配置されている。第一のレーザミラ
ー３は半導体レーザからの励起光波長に対して８５％以
上を透過し、さらに基本波波長に対しては反射率９９％
以上の全反射（ＨＲ）コーティングを施してある。この
とき共振器構造は凹平式共振器であり、第一のレーザミ
ラー３の曲率半径は２５ｍｍ、共振器長は２０ｍｍとし
た。レーザ結晶４にはＣｒ添加量１．５ｍｏｌ％のＬｉ
ＳＡＦ結晶(φ３×５ｍｍ)を用い、結晶端面には励起光
波長と基本波波長に対して反射率２％以下の無反射（Ａ
Ｒ）コーティングを施してある。ＳＨＧ結晶６は３×３
×５ｍｍのＬＢＯ結晶である。
【００１９】ＬＢＯ結晶の出射側つまり後方端面には基
本波波長に対して反射率９９％以上のＨＲコーティング
と、さらにＳＨＧ波長に対して反射率１％以下のＡＲコ
ーティングを施して第二のレーザミラー７とした。ま
た、ＬＢＯ結晶の入射側つまり前方端面には基本波波長
に対して反射率０．２％以下のＡＲコーティングを施し
た。波長制御素子５には厚さ０．５ｍｍの１枚の水晶板
からなる複屈折フィルタを用い、光軸に対してブリュー
スター角に配置して法線方向を軸に回転させることで波
長制御し、ＳＨＧ結晶６であるＬＢＯ結晶の変換効率が
最大となる基本波の波長に調整することでＳＨＧ出力３
０ｍＷを得た。
本波波長に対して反射率９９％以上のＨＲコーティング
と、さらにＳＨＧ波長に対して反射率１％以下のＡＲコ
ーティングを施して第二のレーザミラー７とした。ま
た、ＬＢＯ結晶の入射側つまり前方端面には基本波波長
に対して反射率０．２％以下のＡＲコーティングを施し
た。波長制御素子５には厚さ０．５ｍｍの１枚の水晶板
からなる複屈折フィルタを用い、光軸に対してブリュー
スター角に配置して法線方向を軸に回転させることで波
長制御し、ＳＨＧ結晶６であるＬＢＯ結晶の変換効率が
最大となる基本波の波長に調整することでＳＨＧ出力３
０ｍＷを得た。
【００２０】
【発明の効果】本発明では固体レーザの励起用半導体レ
ーザとして複数のファイバ出力半導体レーザによるバン
ドル光ファイバを用いる場合に集合されたファイバコア
の最外径と同じ若しくはそれよりも大きなシングルコア
光ファイバを光コネクタアダプタにより接続すること
で、励起バランスの優れた固体レーザ励起光を得ること
により、固体レーザや特にＬｉＳＡＦレーザを用いた内
部共振器型ＳＨＧレーザにおいて、励起効率が良い固体
レーザ光源を実現できた。
ーザとして複数のファイバ出力半導体レーザによるバン
ドル光ファイバを用いる場合に集合されたファイバコア
の最外径と同じ若しくはそれよりも大きなシングルコア
光ファイバを光コネクタアダプタにより接続すること
で、励起バランスの優れた固体レーザ励起光を得ること
により、固体レーザや特にＬｉＳＡＦレーザを用いた内
部共振器型ＳＨＧレーザにおいて、励起効率が良い固体
レーザ光源を実現できた。
【図１】本発明の一実施例であるバンドル光ファイバを
説明するための図である。
説明するための図である。
【図２】本発明の一実施例を説明するための図である。
【図３】本発明の他の一実施例を説明するための図であ
る。
る。
【図４】従来に提案された光ファイバ励起固体レーザを
説明するための図である。
説明するための図である。
３：第一のレーザミラー ４：レーザ結
晶 ５：波長制御素子 ６：ＳＨＧ結
晶 ７：第二のレーザミラー １１：半導体レ
ーザ １２：バンドル光ファイバ １３：レンズ ２０：光コネクタ ２１：光コネク
タアダプタ ２２：シングルコア光ファイバ ３１：励起ビー
ム ３２：基本波ビーム ３３：ＳＨＧ出
力 １０１：光ファイバクラッド １０２：光ファイ
バコア １０３：バンドル光ファイバの最外径
晶 ５：波長制御素子 ６：ＳＨＧ結
晶 ７：第二のレーザミラー １１：半導体レ
ーザ １２：バンドル光ファイバ １３：レンズ ２０：光コネクタ ２１：光コネク
タアダプタ ２２：シングルコア光ファイバ ３１：励起ビー
ム ３２：基本波ビーム ３３：ＳＨＧ出
力 １０１：光ファイバクラッド １０２：光ファイ
バコア １０３：バンドル光ファイバの最外径
Claims (6)
- 【請求項１】 励起光源により励起される固体レーザ結
晶と、前記固体レーザ結晶から発生する発振波を反射す
るレーザミラーとからなる固体レーザ光源であって、前
記励起光源として半導体レーザを光ファイバに結合させ
て出力する光ファイバ出力半導体レーザを複数用いる場
合において、その光ファイバを複数本束ねたマルチコア
バンドル光ファイバの最外コア径と同じ若しくはそれよ
りも大きなコア径をもつシングルコアの光ファイバと
を、光コネクタアダプタにより接続することで、シング
ルコアからの光ファイバ出力光を前記固体レーザの励起
用に用いたことを特徴とする光ファイバ励起固体レーザ
装置。 - 【請求項２】 励起光源としての半導体レーザと、前記
励起光源により励起される固体レーザ結晶と、固体レー
ザ結晶から発生する第１の発振波の波長を制御するため
の制御素子と、前記第１の発振波を基本波として第２の
発振波である第二高調波に波長変換するための非線形光
学結晶とを有する共振器からなる第二高調波発生装置を
構成し、前記固体レーザの励起光源として半導体レーザ
を光ファイバに結合させて出力する光ファイバ出力半導
体レーザを複数用いる場合において、その光ファイバを
複数本束ねたマルチコアバンドル光ファイバの最外コア
径と同じ若しくはそれよりも大きなコア径をもつシング
ルコアの光ファイバとを、光コネクタアダプタにより接
続することで、シングルコアからの光ファイバ出力光を
前記固体レーザの励起用に用いたことを特徴とする光フ
ァイバ励起固体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記半導体レーザの発光幅がシングルス
トライプもしくはマルチストライプ型アレーであること
を特徴とする請求項１または２に記載の光ファイバ励起
固体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記固体レーザ結晶がＬｉＳＡＦ（Cr:L
iSrAlF６；クロム添加のフッ化リチュウムストロンチュ
ウムアルミニュウム）又はＬｉＳＧＡＦ（Cr:LiSrGaF
６；クロム添加のフッ化リチウムストロンチュウムガリ
ウム）であることを特徴とする請求項１乃至請求項３の
いずれかに記載の光ファイバ励起固体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記固体レーザ結晶から発生する第１の
発振波長を制御するための制御素子としてブリュースタ
角に傾けた１枚の複屈折結晶を用いることを特徴とする
請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の光ファイバ励
起固体レーザ装置。 - 【請求項６】 前記非線形光学結晶にＬＢＯ（ＬｉＢ３
Ｏ５）、ＢＢＯ（β−ＢａＢ２Ｏ４）、ＣＬＢＯ（Ｃｓ
ＬｉＢ６Ｏ１０）、ＣＢＯ（ＣｓＢ３Ｏ５）、ＧｄＣＯ
Ｂ（ＧｄＣａＯ（ＢＯ３）３）、ＹＣＯＢ（ＹＣａＯ
（ＢＯ３）３）、ＫＮ（ＫＮｂＯ３）の少なくとも１つ
を用いることを特徴とする請求項２乃至請求項５のいず
れかに記載の光ファイバ励起固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11187614A JP2001015839A (ja) | 1999-07-01 | 1999-07-01 | 光ファイバ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11187614A JP2001015839A (ja) | 1999-07-01 | 1999-07-01 | 光ファイバ励起固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001015839A true JP2001015839A (ja) | 2001-01-19 |
Family
ID=16209200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11187614A Pending JP2001015839A (ja) | 1999-07-01 | 1999-07-01 | 光ファイバ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001015839A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6954571B2 (en) | 2002-06-28 | 2005-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Fiber connecting method, laser apparatus and projection television |
| JP2008076685A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 端面近接多芯光ファイバーおよびその製造方法 |
| US8833991B2 (en) | 2010-02-10 | 2014-09-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, with light guide member having smaller exit section, and illuminating device, and vehicle headlight including the same |
| US8876344B2 (en) | 2009-12-17 | 2014-11-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vehicle headlamp with excitation light source, light emitting part and light projection section |
| WO2017002472A1 (ja) * | 2015-07-01 | 2017-01-05 | ソニー株式会社 | 光源装置及び光源装置の制御方法 |
| US9816677B2 (en) | 2010-10-29 | 2017-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and laser element |
-
1999
- 1999-07-01 JP JP11187614A patent/JP2001015839A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6954571B2 (en) | 2002-06-28 | 2005-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Fiber connecting method, laser apparatus and projection television |
| JP2008076685A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 端面近接多芯光ファイバーおよびその製造方法 |
| US8876344B2 (en) | 2009-12-17 | 2014-11-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vehicle headlamp with excitation light source, light emitting part and light projection section |
| US8833991B2 (en) | 2010-02-10 | 2014-09-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, with light guide member having smaller exit section, and illuminating device, and vehicle headlight including the same |
| US9816677B2 (en) | 2010-10-29 | 2017-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and laser element |
| US10281102B2 (en) | 2010-10-29 | 2019-05-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and laser element |
| US10465873B2 (en) | 2010-10-29 | 2019-11-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and laser element |
| WO2017002472A1 (ja) * | 2015-07-01 | 2017-01-05 | ソニー株式会社 | 光源装置及び光源装置の制御方法 |
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