JP2001015769A - 高耐圧半導体装置 - Google Patents
高耐圧半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体装置の耐圧特性を向上させる。
【解決手段】第一導電型の半導体基板の表面層に、第二
導電型の領域を深くて不純物濃度の低い領域と、浅くて
不純物濃度の高い領域との二層で形成する場合、その二
つの領域の境界部分の不純物濃度を５×１０15/cm3、望
ましくは５×１０15/cm3以下、更に１×１０15/cm3以下
にする。そして、低濃度領域の幅を高濃度領域の幅より
も広く形成する。また、第一導電型の半導体基板の表面
層に、第二導電型の領域を一層で形成する場合、その領
域の表面不純物濃度を１×１０15〜１×１０16/cm3の範
囲、望ましくは、１×１０15〜３×１０15/cm3の範囲に
する。
導電型の領域を深くて不純物濃度の低い領域と、浅くて
不純物濃度の高い領域との二層で形成する場合、その二
つの領域の境界部分の不純物濃度を５×１０15/cm3、望
ましくは５×１０15/cm3以下、更に１×１０15/cm3以下
にする。そして、低濃度領域の幅を高濃度領域の幅より
も広く形成する。また、第一導電型の半導体基板の表面
層に、第二導電型の領域を一層で形成する場合、その領
域の表面不純物濃度を１×１０15〜１×１０16/cm3の範
囲、望ましくは、１×１０15〜３×１０15/cm3の範囲に
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高耐圧半導体装
置、特にその不純物濃度分布に関する。
置、特にその不純物濃度分布に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常半導体装置は、一方の導電型の半導
体基板の表面層に、基板とは異なる導電型の領域を形成
して、いわゆるｐｎ接合の形成がおこなわれる。この半
導体装置の高耐圧化を図るのに最も一般的な方法として
は、半導体基板の比抵抗を、より高抵抗化する方法があ
る。高比抵抗の半導体基板を使用することにより、逆方
向電圧印加時に空乏層を基板側へ一層広げ、高耐圧化を
図るものである。
体基板の表面層に、基板とは異なる導電型の領域を形成
して、いわゆるｐｎ接合の形成がおこなわれる。この半
導体装置の高耐圧化を図るのに最も一般的な方法として
は、半導体基板の比抵抗を、より高抵抗化する方法があ
る。高比抵抗の半導体基板を使用することにより、逆方
向電圧印加時に空乏層を基板側へ一層広げ、高耐圧化を
図るものである。
【０００３】図６は、従来の高耐圧ダイオードの断面図
である。高比抵抗のｎベース層１の一方の表面層に逆導
電型のｐアノード領域２が形成され、その表面にアノー
ド電極５が設けられている。ｎベース層１の他方の表面
層には、ｎベース層１と同じ逆導電型で高不純物濃度の
ｎ+ カソード領域４が形成され、その表面にカソード電
極６が設けられている。
である。高比抵抗のｎベース層１の一方の表面層に逆導
電型のｐアノード領域２が形成され、その表面にアノー
ド電極５が設けられている。ｎベース層１の他方の表面
層には、ｎベース層１と同じ逆導電型で高不純物濃度の
ｎ+ カソード領域４が形成され、その表面にカソード電
極６が設けられている。
【０００４】図７は、従来の高耐圧ダイオードの不純物
濃度分布図である。縦軸は対数表示した不純物濃度、横
軸は半導体基板の厚さ方向の距離である。高比抵抗のｎ
ベース層１の一方の表面層にｐアノード領域２が形成さ
れ、ｎベース層１の他方の表面層にはｎカソード領域４
が形成されている。例えばｐアノード領域２の表面不純
物濃度は５×１０19cm-3、接合深さは３０μｍ、ｎ+ カ
ソード領域４の表面不純物濃度は１×１０20cm-3、接合
深さは３０μｍである。
濃度分布図である。縦軸は対数表示した不純物濃度、横
軸は半導体基板の厚さ方向の距離である。高比抵抗のｎ
ベース層１の一方の表面層にｐアノード領域２が形成さ
れ、ｎベース層１の他方の表面層にはｎカソード領域４
が形成されている。例えばｐアノード領域２の表面不純
物濃度は５×１０19cm-3、接合深さは３０μｍ、ｎ+ カ
ソード領域４の表面不純物濃度は１×１０20cm-3、接合
深さは３０μｍである。
【０００５】図８は、従来の別の高耐圧ダイオードの不
純物濃度分布図である。高比抵抗のｎベース層１の一方
の表面層に表面不純物濃度の低いｐ- アノード領域２１
と表面不純物濃度の高いｐ+ アノード領域２２とからな
るｐアノード領域２が形成されている。ｎベース層１の
他方の表面層にはｎ+ カソード領域４が形成されてい
る。
純物濃度分布図である。高比抵抗のｎベース層１の一方
の表面層に表面不純物濃度の低いｐ- アノード領域２１
と表面不純物濃度の高いｐ+ アノード領域２２とからな
るｐアノード領域２が形成されている。ｎベース層１の
他方の表面層にはｎ+ カソード領域４が形成されてい
る。
【０００６】ｐｎ接合の耐圧は不純物濃度勾配にも依存
し、濃度勾配が小さいほど高耐圧が得られるので、拡散
深さを深くするとともに、このように低濃度のｐ- アノ
ード領域２１を設けて高耐圧化を図ることがおこなわれ
ている。
し、濃度勾配が小さいほど高耐圧が得られるので、拡散
深さを深くするとともに、このように低濃度のｐ- アノ
ード領域２１を設けて高耐圧化を図ることがおこなわれ
ている。
【０００７】例えば、ｐ+ アノード領域２２の表面不純
物濃度は５×１０19cm-3、接合深さは８０μｍ、ｐ+ ア
ノード領域２２とｐ- アノード領域２１との境界の不純
物濃度は３×１０16cm-3、ｐ- アノード領域２１の接合
深さは１４０μｍである。
物濃度は５×１０19cm-3、接合深さは８０μｍ、ｐ+ ア
ノード領域２２とｐ- アノード領域２１との境界の不純
物濃度は３×１０16cm-3、ｐ- アノード領域２１の接合
深さは１４０μｍである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし半導体基板の高
比抵抗化により、他の特性の劣化を伴うことがある。た
とえばダイオードでは、基板の比抵抗を高くすると、順
方向電圧の上昇や逆方向サージ耐量の低下等の問題が発
生する。
比抵抗化により、他の特性の劣化を伴うことがある。た
とえばダイオードでは、基板の比抵抗を高くすると、順
方向電圧の上昇や逆方向サージ耐量の低下等の問題が発
生する。
【０００９】このため半導体素子を高耐圧化する場合、
単純に比抵抗の高い半導体基板を使用するだけでは済ま
ない。そこで半導体基板の高比抵抗化を抑制しながら高
耐圧化を図る方法が望まれる。
単純に比抵抗の高い半導体基板を使用するだけでは済ま
ない。そこで半導体基板の高比抵抗化を抑制しながら高
耐圧化を図る方法が望まれる。
【００１０】そのような方法として、高比抵抗半導体基
板表面層に形成される逆導電型の領域の不純物濃度を低
減する方法がある。これにより、逆導電型の領域の側に
も空乏層を広げて高耐圧化を図ることができる。
板表面層に形成される逆導電型の領域の不純物濃度を低
減する方法がある。これにより、逆導電型の領域の側に
も空乏層を広げて高耐圧化を図ることができる。
【００１１】しかし、基板の表面層に形成される逆導電
型の領域の不純物濃度および幅によっては、空乏層は思
ったほど広がらず耐圧向上の効果を期待できないことが
あった。このような問題に鑑み本発明の目的は、半導体
基板の比抵抗を低く抑えつつ素子耐圧の向上を図ること
にある。
型の領域の不純物濃度および幅によっては、空乏層は思
ったほど広がらず耐圧向上の効果を期待できないことが
あった。このような問題に鑑み本発明の目的は、半導体
基板の比抵抗を低く抑えつつ素子耐圧の向上を図ること
にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、第一導電型の高比抵抗半導体基板の表面
層に、第二導電型の領域が形成され、その間のｐｎ接合
に逆電圧の印加される高耐圧半導体装置において、第二
導電型の領域が表面側の不純物濃度の高濃度層とそれよ
り深い部分の不純物濃度の低濃度層との二層からなり、
二層の境界の不純物濃度が５×１０15cm-3以下であるも
のとする。
めに本発明は、第一導電型の高比抵抗半導体基板の表面
層に、第二導電型の領域が形成され、その間のｐｎ接合
に逆電圧の印加される高耐圧半導体装置において、第二
導電型の領域が表面側の不純物濃度の高濃度層とそれよ
り深い部分の不純物濃度の低濃度層との二層からなり、
二層の境界の不純物濃度が５×１０15cm-3以下であるも
のとする。
【００１３】素子試作実験およびキャリア濃度シミュレ
ーションにより、空乏層は不純物濃度が３×１０15cm-3
以下の部分で広がることを見いだした。従って、上記の
ようにすれば逆方向電圧印加時に、高比抵抗半導体基板
側へと同時に、第二導電型の低濃度層に広がる空乏層の
領域が広くなり、電界が緩和されるため耐圧特性が向上
する。
ーションにより、空乏層は不純物濃度が３×１０15cm-3
以下の部分で広がることを見いだした。従って、上記の
ようにすれば逆方向電圧印加時に、高比抵抗半導体基板
側へと同時に、第二導電型の低濃度層に広がる空乏層の
領域が広くなり、電界が緩和されるため耐圧特性が向上
する。
【００１４】二層の境界の不純物濃度が３×１０15cm-3
以下であるものとすれば、第二導電型の低濃度層と高濃
度層との境界まで空乏層が広がり、第二導電型の低濃度
層を有効に活用しつつ耐圧特性を向上させられる。
以下であるものとすれば、第二導電型の低濃度層と高濃
度層との境界まで空乏層が広がり、第二導電型の低濃度
層を有効に活用しつつ耐圧特性を向上させられる。
【００１５】更に、二層の境界の不純物濃度が１×１０
15cm-3以下であるものとすれば、空乏層の広がりは一層
広くなるので、耐圧特性が向上する。低濃度層の厚さを
高濃度層の厚さより厚くすると良い。
15cm-3以下であるものとすれば、空乏層の広がりは一層
広くなるので、耐圧特性が向上する。低濃度層の厚さを
高濃度層の厚さより厚くすると良い。
【００１６】低濃度層の厚さを厚くすることは高耐圧化
につながるが、高濃度層を厚くしても高耐圧化には有効
でない。むしろ薄い方が拡散時間等の点で有利である。
第二導電型の領域が一層である場合には、表面不純物濃
度が１×１０15〜１×１０16cm-3の範囲にあるものとす
る。
につながるが、高濃度層を厚くしても高耐圧化には有効
でない。むしろ薄い方が拡散時間等の点で有利である。
第二導電型の領域が一層である場合には、表面不純物濃
度が１×１０15〜１×１０16cm-3の範囲にあるものとす
る。
【００１７】上記と同様の作用により電界が緩和される
ため耐圧特性が向上する。更に表面不純物濃度が３×１
０15cm-3以下であるものとすれば、空乏層の広がりは一
層広くなるので、耐圧特性が向上する。
ため耐圧特性が向上する。更に表面不純物濃度が３×１
０15cm-3以下であるものとすれば、空乏層の広がりは一
層広くなるので、耐圧特性が向上する。
【００１８】
【発明の実施の形態】［実施例１］以下、図面を参照し
ながら本発明の実施例を説明する。以下の実施例ではダ
イオードを例に第一導電型をｎ型、第二導電型をｐ型と
して説明するが、これを逆に形成することも可能であ
る。
ながら本発明の実施例を説明する。以下の実施例ではダ
イオードを例に第一導電型をｎ型、第二導電型をｐ型と
して説明するが、これを逆に形成することも可能であ
る。
【００１９】図１は、本発明第一の実施例の高耐圧ダイ
オードの不純物濃度分布図である。縦軸は、対数目盛り
で表した不純物濃度、横軸は半導体基板の厚さ方向の距
離である。
オードの不純物濃度分布図である。縦軸は、対数目盛り
で表した不純物濃度、横軸は半導体基板の厚さ方向の距
離である。
【００２０】高比抵抗のｎベース層１の一方の表面層に
表面不純物濃度の低いｐ- アノード領域２１と表面不純
物濃度の高いｐ+ アノード領域２２とからなるｐアノー
ド領域２が形成されている。ｎベース層１の他方の表面
層にはｎカソード領域４が形成されている。ｐ+ アノー
ド領域２２の表面にはアノード電極が設けられ、ｎカソ
ード領域４の表面にはカソード電極が設けられている。
ｐアノード領域２が二層からなっているのは、図６の例
と同じであるが、二層の境界の不純物濃度が４×１０15
cm-3と低い点が特徴的である。
表面不純物濃度の低いｐ- アノード領域２１と表面不純
物濃度の高いｐ+ アノード領域２２とからなるｐアノー
ド領域２が形成されている。ｎベース層１の他方の表面
層にはｎカソード領域４が形成されている。ｐ+ アノー
ド領域２２の表面にはアノード電極が設けられ、ｎカソ
ード領域４の表面にはカソード電極が設けられている。
ｐアノード領域２が二層からなっているのは、図６の例
と同じであるが、二層の境界の不純物濃度が４×１０15
cm-3と低い点が特徴的である。
【００２１】数値例としては例えば、ｎベース層１の比
抵抗が４５Ωcm、ｐ+ アノード領域２２の表面不純物濃
度は５×１０19cm-3、拡散深さが７０μm 、ｐ- アノー
ド領域２１の表面不純物濃度は６×１０15cm-3、拡散深
さが１４０μm である。例えばｐ+ アノード領域２２は
ほう素の、ｐ- アノード領域２１はアルミニウムのイオ
ン注入と拡散により形成される。このダイオードの耐圧
は約２０００V であった。
抵抗が４５Ωcm、ｐ+ アノード領域２２の表面不純物濃
度は５×１０19cm-3、拡散深さが７０μm 、ｐ- アノー
ド領域２１の表面不純物濃度は６×１０15cm-3、拡散深
さが１４０μm である。例えばｐ+ アノード領域２２は
ほう素の、ｐ- アノード領域２１はアルミニウムのイオ
ン注入と拡散により形成される。このダイオードの耐圧
は約２０００V であった。
【００２２】両層の拡散深さは、拡散時間により調節で
き、それにより両層の境界の不純物濃度も調節すること
ができる。アルミニウムは拡散係数が大きいので深い拡
散領域の形成に適している。
き、それにより両層の境界の不純物濃度も調節すること
ができる。アルミニウムは拡散係数が大きいので深い拡
散領域の形成に適している。
【００２３】図２は、素子内部の不純物濃度分布およ
び、シミュレーションによる逆方向電圧（２０００V ）
印加時のキャリアの分布図である。縦軸は対数表示した
不純物濃度、キャリア濃度であり、横軸はアノード側表
面からの距離である。
び、シミュレーションによる逆方向電圧（２０００V ）
印加時のキャリアの分布図である。縦軸は対数表示した
不純物濃度、キャリア濃度であり、横軸はアノード側表
面からの距離である。
【００２４】空乏層は、ｎベース層１側に１００μm 以
上広がっている。一方、ｐ-アノード領域２１側では、
空乏層は不純物濃度が３×１０15cm-3以下の部分に広が
り、それ以上の不純物濃度の領域にはほとんど広がって
いない。また、不純物濃度が１×１０15cm-3以下のとき
には略完全に空乏化している。
上広がっている。一方、ｐ-アノード領域２１側では、
空乏層は不純物濃度が３×１０15cm-3以下の部分に広が
り、それ以上の不純物濃度の領域にはほとんど広がって
いない。また、不純物濃度が１×１０15cm-3以下のとき
には略完全に空乏化している。
【００２５】従って、ｐアノード領域２を二層で形成す
ることにより、逆方向電圧が印可されたとき不純物濃度
の低いｐ-アノード領域２１内に空乏層を広げることが
でき、電界を低減して、半導体装置の耐圧向上を図るこ
とができることが確かめられた。
ることにより、逆方向電圧が印可されたとき不純物濃度
の低いｐ-アノード領域２１内に空乏層を広げることが
でき、電界を低減して、半導体装置の耐圧向上を図るこ
とができることが確かめられた。
【００２６】特にｐ+ アノード領域２２とｐ-アノード
領域２１との境界の不純物濃度を３×１０15cm-3以下に
なるように形成するのが望ましいことがわかる。更に境
界の不純物濃度が１×１０15cm-3以下になるようにすれ
ば、ｐ-アノード領域２１はほぼ完全に空乏化されるこ
とから耐圧向上を図ることができる。
領域２１との境界の不純物濃度を３×１０15cm-3以下に
なるように形成するのが望ましいことがわかる。更に境
界の不純物濃度が１×１０15cm-3以下になるようにすれ
ば、ｐ-アノード領域２１はほぼ完全に空乏化されるこ
とから耐圧向上を図ることができる。
【００２７】［実施例２］図３は、本発明第二の実施例
の高耐圧ダイオードの不純物濃度分布図である。実施例
１では素子表面のｐアノード領域２を不純物濃度の異な
る二層での形成とし、不純物濃度が低濃度のｐ-アノー
ド領域２１の幅と高濃度のｐ+ アノード領域２２の幅を
等しいか、高濃度の方を広くなるように形成した。この
実施例２の高耐圧ダイオードでは、二層の境界の不純物
濃度が４×１０15cm-3と低い点は実施例１の高耐圧ダイ
オードと同じであるが、不純物濃度が低いｐ-アノード
領域２１の幅を高濃度のｐ+ アノード領域２２の幅より
も広くした点が異なっている。
の高耐圧ダイオードの不純物濃度分布図である。実施例
１では素子表面のｐアノード領域２を不純物濃度の異な
る二層での形成とし、不純物濃度が低濃度のｐ-アノー
ド領域２１の幅と高濃度のｐ+ アノード領域２２の幅を
等しいか、高濃度の方を広くなるように形成した。この
実施例２の高耐圧ダイオードでは、二層の境界の不純物
濃度が４×１０15cm-3と低い点は実施例１の高耐圧ダイ
オードと同じであるが、不純物濃度が低いｐ-アノード
領域２１の幅を高濃度のｐ+ アノード領域２２の幅より
も広くした点が異なっている。
【００２８】数値例としては例えば、ｐ+ アノード領域
２２の表面不純物濃度は５×１０19cm-3、拡散深さが２
０μm 、ｐ+ アノード領域２２とｐ- アノード領域２１
との境界の不純物濃度は４×１０15cm-3、ｐ- アノード
領域２１の厚さが８０μm である。例えばｐ+ アノード
領域２２はほう素の、ｐ- アノード領域２１はアルミニ
ウムのイオン注入と拡散により形成される。
２２の表面不純物濃度は５×１０19cm-3、拡散深さが２
０μm 、ｐ+ アノード領域２２とｐ- アノード領域２１
との境界の不純物濃度は４×１０15cm-3、ｐ- アノード
領域２１の厚さが８０μm である。例えばｐ+ アノード
領域２２はほう素の、ｐ- アノード領域２１はアルミニ
ウムのイオン注入と拡散により形成される。
【００２９】ｐアノード領域２の全体の幅が同じ場合、
不純物濃度が低濃度のｐ- アノード領域２１の領域幅を
高濃度のｐ+ アノード領域２２の領域幅よりも広くする
ことにより、空乏層の広がることのできる領域を大きく
することができるため、素子をより高耐圧化することが
できる。また、ｐ+ アノード領域２２を形成するための
時間を短縮できる利点もある。
不純物濃度が低濃度のｐ- アノード領域２１の領域幅を
高濃度のｐ+ アノード領域２２の領域幅よりも広くする
ことにより、空乏層の広がることのできる領域を大きく
することができるため、素子をより高耐圧化することが
できる。また、ｐ+ アノード領域２２を形成するための
時間を短縮できる利点もある。
【００３０】［実施例３］実施例１、２では素子表面の
ｐアノード領域を表面不純物濃度の異なる二層での形成
としているが、これを一層のｐアノード領域で形成する
こともできる。図４は、一層で形成した第三の実施例の
高耐圧ダイオードの不純物濃度分布図である。ただし、
この場合素子の表面にまで空乏層が達することの無いよ
うに表面不純物濃度を１×１０15cm-3以上にする必要が
ある。
ｐアノード領域を表面不純物濃度の異なる二層での形成
としているが、これを一層のｐアノード領域で形成する
こともできる。図４は、一層で形成した第三の実施例の
高耐圧ダイオードの不純物濃度分布図である。ただし、
この場合素子の表面にまで空乏層が達することの無いよ
うに表面不純物濃度を１×１０15cm-3以上にする必要が
ある。
【００３１】図５は、ｐアノード領域２の表面不純物濃
度と、高耐圧ダイオードの耐圧との関係を示す特性図で
ある。横軸は、対数目盛りで表した表面不純物濃度であ
る。ｎベース層１の比抵抗をパラメータとした。
度と、高耐圧ダイオードの耐圧との関係を示す特性図で
ある。横軸は、対数目盛りで表した表面不純物濃度であ
る。ｎベース層１の比抵抗をパラメータとした。
【００３２】表面不純物濃度が１×１０16/cm 以下であ
れば、ｎベース層１の比抵抗が３５Ωcmのものでも１５
００V 以上の耐圧とすることができ、比抵抗が４５Ωcm
の場合は、１７００V 以上の耐圧とすることができた。
これは、空乏層がｐアノード領域２内に広がり、電界が
低減されたためである。
れば、ｎベース層１の比抵抗が３５Ωcmのものでも１５
００V 以上の耐圧とすることができ、比抵抗が４５Ωcm
の場合は、１７００V 以上の耐圧とすることができた。
これは、空乏層がｐアノード領域２内に広がり、電界が
低減されたためである。
【００３３】以上の実施例ではダイオードを例とした
が、ダイオードに限らず、トランジスタ等の他のデバイ
スへ本発明を適用することも可能である。
が、ダイオードに限らず、トランジスタ等の他のデバイ
スへ本発明を適用することも可能である。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、第
一導電型の高比抵抗半導体基板とその表面層に第二導電
型の領域が形成される高耐圧半導体装置において、第二
導電型の領域が、表面側の不純物濃度の高濃度層とそれ
より深い部分の不純物濃度の低濃度層との二層からなる
場合には、第二導電型の二層の境界の不純物濃度を５×
１０15cm-3以下とし、第二導電型の領域が一層の場合に
は、その表面不純物濃度を１×１０15〜１×１０16cm-3
とすることにより、高耐圧化半導体装置が実現できる。
一導電型の高比抵抗半導体基板とその表面層に第二導電
型の領域が形成される高耐圧半導体装置において、第二
導電型の領域が、表面側の不純物濃度の高濃度層とそれ
より深い部分の不純物濃度の低濃度層との二層からなる
場合には、第二導電型の二層の境界の不純物濃度を５×
１０15cm-3以下とし、第二導電型の領域が一層の場合に
は、その表面不純物濃度を１×１０15〜１×１０16cm-3
とすることにより、高耐圧化半導体装置が実現できる。
【００３５】更に不純物濃度を下げれば、逆方向電圧印
加時の空乏層の広がりが促進され、高耐圧化が容易とな
る。
加時の空乏層の広がりが促進され、高耐圧化が容易とな
る。
【図１】本発明実施例１のダイオードの不純物分布図
【図２】逆方向電圧印加時の素子内部の不純物濃度分布
およびシミュレーションによるキャリア分布図
およびシミュレーションによるキャリア分布図
【図３】本発明実施例２のダイオードの不純物分布図
【図４】本発明実施例３のダイオードの不純物分布図
【図５】実施例３のダイオードのｐアノード領域の表面
不純物濃度と耐圧の関係を示す特性図
不純物濃度と耐圧の関係を示す特性図
【図６】従来のダイオードの断面図
【図７】従来のダイオードの不純物分布図
【図８】従来の別のダイオードの不純物分布図
１ ｎベース層 ２ ｐアノード領域 ４ ｎカソード領域 ５ アノード電極 ６ カソード電極 ２１ ｐ- アノード領域 ２２ ｐ+ アノード領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 降旗 博明 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 久保山 貴博 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】第一導電型の高比抵抗半導体基板の表面層
に、第二導電型の領域が形成され、その間のｐｎ接合に
逆電圧の印加される高耐圧半導体装置において、第二導
電型の領域が表面側の不純物濃度の高濃度層とそれより
深い部分の不純物濃度の低濃度層との二層からなり、二
層の境界の不純物濃度が５×１０15cm -3以下であること
を特徴とする高耐圧半導体装置。 - 【請求項２】二層の境界の不純物濃度が３×１０15cm-3
以下であることを特徴とする請求項１に記載の高耐圧半
導体装置。 - 【請求項３】二層の境界の不純物濃度が１×１０15cm-3
以下であることを特徴とする請求項１に記載の高耐圧半
導体装置。 - 【請求項４】低濃度層の厚さが高濃度層の厚さより厚い
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の
高耐圧半導体装置。 - 【請求項５】第一導電型の高比抵抗半導体基板の表面層
に、第二導電型の領域が形成され、その間のｐｎ接合に
逆電圧の印加される高耐圧半導体装置において、第二導
電型の領域の表面不純物濃度が１×１０15〜１×１０16
cm-3の範囲にあることを特徴とする高耐圧半導体装置。 - 【請求項６】第二導電型の領域の表面不純物濃度が３×
１０15cm-3以下であることを特徴とする請求項５に記載
の高耐圧半導体装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18918199A JP2001015769A (ja) | 1999-07-02 | 1999-07-02 | 高耐圧半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18918199A JP2001015769A (ja) | 1999-07-02 | 1999-07-02 | 高耐圧半導体装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001015769A true JP2001015769A (ja) | 2001-01-19 |
Family
ID=16236862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18918199A Withdrawn JP2001015769A (ja) | 1999-07-02 | 1999-07-02 | 高耐圧半導体装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001015769A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086414A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 逆阻止型絶縁ゲート形半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010171283A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ＰｉＮダイオード |
| JP2017041626A (ja) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2018082174A (ja) * | 2016-11-14 | 2018-05-24 | ３−５ パワー エレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング３−５ Ｐｏｗｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ＧｍｂＨ | Ｉｉｉ−ｖ族半導体ダイオード |
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-
1999
- 1999-07-02 JP JP18918199A patent/JP2001015769A/ja not_active Withdrawn
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