JP2001015267A - 有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents

有機電界発光素子及びその製造方法

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JP2001015267A
JP2001015267A JP2000013171A JP2000013171A JP2001015267A JP 2001015267 A JP2001015267 A JP 2001015267A JP 2000013171 A JP2000013171 A JP 2000013171A JP 2000013171 A JP2000013171 A JP 2000013171A JP 2001015267 A JP2001015267 A JP 2001015267A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 所望の形状の成膜防止層を精度良く形成する
ことにより、有機電界発光素子の製造工程における微細
加工を容易かつ確実に行って、非選択部分の有機発光層
の発光確率が著しく小さい有機電界発光素子を製造す
る。 【解決手段】 基板1上に、第1の電極膜2と、成膜防
止層3a,3bとが形成され、第1の電極膜2上の成膜
防止層3a,3b非形成面に有機発光層4及び第2の電
極膜5が順次積層形成された有機電界発光素子。成膜防
止層3a,3bを形成する感光性樹脂組成物は、光硬化
用の照射光に対して非透過性の物質を、感光性樹脂組成
物中の全固形分に対して0.01〜90重量%含有す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は有機電界発光素子及
びその製造方法に係り、詳しくは、有機化合物から成る
発光層に電界をかけて光を放出する薄膜型発光素子の微
細加工工程を改良した有機電界発光素子及びその製造方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、薄膜型の電界発光(EL)素子と
しては、無機材料のIII−V族化合物半導体であるZn
S、CaS、SrS等に、発光中心であるMnや希土類
元素(Eu、Ce、Tb、Sm等)をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したEL素子
は、 1)交流駆動が必要(50〜1000Hz)、 2)駆動電圧が高い(一般に200V程度)、 3)フルカラー化が困難で、特に青色が問題がある、 4)周辺駆動回路のコストが高い、 という問題点を有している。
【0003】しかし、近年、上記問題点の改良のため、
有機薄膜を用いたEL素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるために電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的とした電極種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンから成る有機正孔輸送層と8−ヒド
ロキシキノリンのアルミニウム錯体から成る有機発光層
を設けた有機電界発光素子の開発(Appl.Phy
s.Lett.,51巻,913頁,1987年)によ
り、従来のアントラセン等の単結晶を用いた電界発光素
子と比較して発光効率の大幅な改善がなされ、実用特性
に近づいている。
【0004】このような有機電界発光素子をパターニン
グする方法としては、例えば以下のような方法が挙げら
れる。
【0005】基板上に陽極膜(又は陰極膜)を形成した
後、有機発光層を形成する(この際、必要に応じて有機
正孔輸送層等を積層形成する)。次に、真空蒸着法等に
より、シャドーマスクを用いて、陰極膜(又は陽極膜)
を形成する。このようにして作製された有機電界発光素
子は、選択された陽極及び陰極に挟まれた部分の素子が
発光し、その他の非選択部分は発光しないため、所望の
部分が発光する有機電界発光素子となる。
【0006】その他に、レジストを用いてパターンとな
る壁(成膜防止層)を予め作製しておき、斜め蒸着によ
り発光層を形成する方法も試みられている(特開平5−
275172号公報)。また、レジストを用いる他の例
として、レジストの上部にオーバーハング層を新たに形
成したり、レジスト自体に特殊な処理をして逆テーパー
形状を形成して発光層を形成する方法も試みられている
(特開平8−315981号公報)。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来の有機電界発光素
子の微細加工法のうち、シャドーマスクを用いる方法で
は、真空装置内のチャンバー内で基板とマスクとの位置
合わせを数μmの精度で正確に行う必要があり、操作が
容易ではない。また、繰り返し蒸着に用いたマスクに付
着した物質が厚膜化し、マスクのパターンを狭める等の
問題も存在する。
【0008】一方、斜め蒸着によるパターニングでは、
素子サイズが小さい場合には有効な手段であるが、大型
の素子を作製しようとすると、基板の設置場所を大きく
とる必要が生じる。また、基板のソース側と反対側との
間に膜厚分布が現れるため、良好な微細加工を行うこと
ができない。更に、レジストをオーバーハング又は逆テ
ーパー形状にしてパターニングを行う従来の方法では工
程数が複雑になったり、テーパー形状の再現性が低いな
どの理由から製造コストが高くなる問題があった。
【0009】本発明は上記従来の問題点を解決し、所望
の形状の成膜防止層を精度良く形成することにより、有
機電界発光素子の製造工程における微細加工を容易かつ
確実に行って、非選択部分の有機発光層の発光確率が著
しく小さい有機電界発光素子を提供することを目的とす
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の有機電界発光素
子は、基板と、該基板上に形成された第1の電極膜と、
該第1の電極膜上に部分的に形成された成膜防止層と、
該第1の電極膜上の該成膜防止層非形成面に順次積層形
成された有機発光層及び第2の電極膜とを有する有機電
界発光素子において、該成膜防止層が感光性樹脂組成物
を用いて形成され、該感光性樹脂組成物は、該感光性樹
脂組成物の光硬化を促進せず、かつ該感光性光樹脂組成
物の光硬化用の照射光に対して非透過性の物質を含有す
ることを特徴とする。
【0011】本発明の有機電界発光素子の製造方法は、
基板上に、第1の電極膜を形成した後、該第1の電極膜
上に感光性樹脂組成物の光硬化により部分的に成膜防止
層を形成し、その後、該第1の電極膜上の該成膜防止層
非形成面に有機発光層及び第2の電極膜を順次積層形成
する有機電界発光素子の製造方法において、該感光性樹
脂組成物は、該感光性樹脂組成物の光硬化を促進せず、
かつ前記光硬化用の照射光に対して非透過性の物質を含
有することを特徴とする。
【0012】本発明では、成膜防止層形成時のパターン
露光に用いる照射光の波長、及びレジストの深さ方向の
到達光強度を制御することにより、所望の断面形状の成
膜防止層を所望のパターンで容易かつ確実に精度良く形
成することができるため、その後に形成する有機発光層
及び電極膜をより高精度に形成することができ、これら
を確実に電気的に分離して非選択部の発光確率を著しく
低減することができる。
【0013】具体的には、成膜防止層を形成する感光性
樹脂組成物として、感光性樹脂組成物の光硬化を促進せ
ず、かつ、光硬化用の照射光に対して非透過性の物質
(以下「照射光非透過性物質」と称す。)を含むものを
用いるため、 感光性樹脂組成物中の照射光非透過性物質の含有量 マスクを用いたパターン露光におけるマスクと感光
性樹脂組成物の成膜面との距離 を調整することにより、形成する成膜防止層の断面形
状、即ち、成膜防止層の側面と基板の板面とのなす角度
を任意に制御することができる。
【0014】なお、本発明における「照射光非透過性物
質」とは、感光性樹脂組成物を光硬化するための照射光
を透過させない(吸収及び/又は反射する)物質であ
り、かつ、照射光による該感光性樹脂組成物の光重合を
促さない物質、を意味し、例えば光重合開始系(即ち、
照射光を吸収してラジカルなどを発生し、光重合を促進
するラジカル発生剤、増感剤など)のような、該光重合
を促進する物質とは区別される。
【0015】ここで、照射光非透過性物質が光硬化を促
進しているか否かを判断するには、例えば、次のように
して確認実験を行えば良い。即ち、本発明の感光性樹脂
組成物から光重合開始系を除いた組成物を用意し、該組
成物を本発明の成膜防止層を形成する場合と同様に、基
板上に塗布して乾燥させ、マスクを介して露光した後、
現像する。当該照射光非透過性物質が光重合の促進しな
いものであれば、現像後の基板上には画像が残らないた
め、この画像の有無で光重合の促進の有無を確認でき
る。
【0016】しかも、本発明では、感光性樹脂組成物と
して、同一の光重合性組成物を主剤として用い、照射光
非透過性物質のみの配合量を増減すると共に、前記マス
クと感光性樹脂組成物の成膜面との距離を調整するのみ
で、同一のマスク露光、現像プロセス及び条件にて、種
々の断面形状の成膜防止層を容易に形成することができ
るため、有機電界発光素子に形成する成膜防止層とし
て、2以上の異なる断面形状の成膜防止層を異なるパタ
ーンで積層形成することも容易であり、最適形状の成膜
防止層を最適なパターンで組み合わせて形成することに
より、有機電界発光層及び電極膜をより一層高精度に形
成し、非選択部の発光確率をより一層低減することが可
能となる。
【0017】本発明において、感光性樹脂組成物として
は、光を吸収してラジカルを発生する光重合開始系と、
該ラジカルにより重合が誘起される付加重合性のエチレ
ン性不飽和二重結合を少なくとも1個有する化合物とを
含有する光重合性樹脂組成物を主剤とし、これに照射光
非透過性物質を添加したものが好ましい。
【0018】また、成膜防止層は、その側面と基板の板
面との角度が90°より大きい第1の成膜防止層と、該
第1の成膜防止層上の少なくとも一部に形成された、そ
の側面と基板の板面とのなす角度が90°より小さい第
2の成膜防止層とを含む2以上の成膜防止層で構成され
ることが好ましい。
【0019】本発明に係る成膜防止層は、第1の電極膜
を形成した基板上に前記感光性樹脂組成物を成膜し、マ
スクを用いるパターン露光で光を照射して光照射部の感
光性樹脂組成物を硬化させた後、未露光部を現像除去す
ることにより形成することができ、この場合において、
照射光非透過性物質を感光性樹脂組成物中の全固形分に
対して0.01〜20重量%含有する感光性樹脂組成物
を用い、感光性樹脂組成物の成膜面とマスクとの間隔を
該照射光の波長λに対して10λ〜1000λとするこ
とにより、側面と基板の板面とのなす角度が90°より
大きい成膜防止層を形成することができる。また、照射
光非透過性物質を感光性樹脂組成物中の全固形分に対し
て1〜90重量%含有する感光性樹脂組成物を用い、感
光性樹脂組成物の成膜面とマスクとの間隔を該照射光の
波長λに対して1λ〜100λとすることにより、側面
と基板の板面とのなす角度が90°より小さい成膜防止
層を形成することができる。
【0020】なお、本発明において、成膜防止層の側面
と基板とのなす角度とは、図2(a)に示す如く、側面
が略平面状の成膜防止層3であれば、当該側面3Sと基
板1の板面1Sとの交叉角θを指すが、図2(b)に示
す如く、側面が凹面状の成膜防止層3であっても、更に
は、図2(c)に示す如く、側面が凸面状の成膜防止層
3であってもその平均的な交叉角として定義され、例え
ば図2(b),(c)に示すような曲面状の側面を有す
る場合には、その接線Lと基板1の板面1Sとの交叉角
θで示される。以下において、この成膜防止層の側面と
基板の板面との交叉角度を「基板に対するテーパー角」
と称す場合がある。また、以下において、側面と基板の
板面とのなす角度が90°より小さく、成膜防止層の断
面形状が基板の板面に対して垂直よりもオーバーハング
側に傾いている成膜防止層の形状を「逆テーパー形状」
と称し、逆に、側面と基板の板面とのなす角度が90°
より大きい成膜防止層の形状を「順テーパー形状」と称
す場合がある。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、本発明の有機電界発光素子
の製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。
【0022】図1は、本発明で製造される有機電界発光
素子の実施の形態を示す模式図であって、図1(a)は
断面図(図1(c)のA−A線に沿う断面に相当す
る。)、図1(b)は図1(a)の断面と交叉方向の断
面図(図1(c)のB−B線に沿う断面に相当す
る。)、図1(c)は平面図である(ただし、図1
(c)において、有機層及び第2の電極膜は図示されて
いない。)。
【0023】図1中、1は基板、2は陽極としての導電
層、3aは第1成膜防止層、3bは第2成膜防止層、4
は正孔輸送層及び有機発光層を順次積層してなる有機層
(以下、単に「有機層」と称す。)、5は陰極としての
導電層を各々表す。
【0024】本実施例の有機電界発光素子は、基板側の
導電層2が陽極(アノード)として正孔注入層の役割を
果たすものである。
【0025】基板1は本発明に係る有機電界発光素子の
支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や
金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられ
るが、ガラス板や、ポリエステル、ポリメタアクリレー
ト、ポリカーボネート、ポリサルホンなどの透明な合成
樹脂基板が好ましい。
【0026】基板1上には導電層2が設けらている。こ
の導電層2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケ
ル、パラジウム、テルル等の金属、インジウム及び/又
はスズの酸化物などの金属酸化物やヨウ化銅、カーボン
ブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)等の
導電性高分子などにより構成される。陽極としての導電
層2の形成は、通常、スパッタリング法、真空蒸着法等
により行われることが多いが、銀などの金属微粒子或い
はヨウ化銅、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微
粒子、導電性高分子微粉末などを用いる場合には、適当
なバインダー樹脂溶液にこれらを分散し、基板上に塗布
することにより形成することもできる。更に、導電性高
分子を用いる場合は、電解重合により直接基板上に薄膜
を形成したり、基板上に塗布して形成することもできる
(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711
頁,1992年)。この導電層2はまた異なる物質の2
層以上の積層構造とすることも可能である。導電層2の
厚みは、必要とする透明性により異なるが、透明性が必
要とされる場合は、可視光の透過率が60%以上、好ま
しくは80%以上であることが望ましく、この場合、導
電層2の厚みは、通常5〜1000nm、好ましくは1
0〜500nm程度である。
【0027】なお、この陽極2としての導電層が不透明
でよい場合は、導電層2は基板1と同一のものであって
も良い。また、上記導電層を異なる物質で積層したもの
とすることも可能である。
【0028】一方、導電層5は陰極(カソード)として
有機層4に電子を注入する役割を果たす。導電層5に
は、前記導電層2と同様の材料を用いることが可能であ
るが、効率的に電子注入を行うには、仕事関数の低い金
属が好ましく、一般にはスズ、マグネシウム、インジウ
ム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金
が用いられる。導電層5についても、異なる物質の2層
以上の積層構造としても良い。導電層5の膜厚は、通
常、導電層2と同程度である。但し、電界発光素子とし
ては、導電層2及び導電層5のうち少なくとも一方は透
明性が良いことが必要であることから、導電層2と導電
層5の一方又は双方は、10〜500nm程度の膜厚
で、透明性に優れることが望まれる。
【0029】陽極としての導電層2上に形成される成膜
防止層3a及び3bは、有機層4に比較して十分高抵抗
のものであればどのようなものでも良いが、その目的に
応じて膜厚及び側面の傾き角、即ち基板に対するテーパ
ー角が適当に選ばれなければならない。
【0030】即ち、図1において、平面視形状が格子状
に形成された第1成膜防止層3aは、導電層2のパター
ニング時のエッジ付近の不均一や有機層4及び導電層5
の成膜時の素子周辺での不均一部分の影響を除き、発光
領域での均一な発光を得ることを第1の目的にしてい
る。そのためには、第1成膜防止層3aは有機層4や導
電層5の膜厚に比較して厚すぎないこと、断面形状は順
テーパー形状になっていることが望まれる。また、スト
ライプ状に形成された第2成膜防止層3bは、その後形
成される有機層4及び導電層5を第2成膜防止層3bの
段差でもって分離することを第1の目的にしている。そ
のためには、第2成膜防止層3bは有機層4や導電層5
の膜厚に比較して薄すぎないこと、断面形状は逆テーパ
ー形状になっていることが望まれる。
【0031】なお、有機層4及び導電層5を分離するこ
とを目的とする、第二成膜防止層3bの場合は、図1に
示したように、予め導電層2をストライプ状に設けてお
き、これと交わる(平行でない)ストライプ状に第2成
膜防止層3bを設けることが好ましい。導電層2と第2
成膜防止層3bとは、図1に示すように直交している場
合が好ましいが、互いに平行でなければ直交していなく
てもよい。
【0032】第1成膜防止層3aの膜厚は有機層4と導
電層5の合計の膜厚をtとした場合、0.1t〜10
t、特に0.5t〜5tであることが好ましい。第1成
膜防止層3aの膜厚が薄すぎると導電層2と導電層5の
間の比抵抗が小さくなり好ましくない。逆に厚すぎる
と、図1(b)に示すように、導電層5が第1成膜防止
層3aの上を乗り越える際に、導電層5自体の膜厚が第
1成膜防止層3aのエッジ部分で薄くなり導電層5の抵
抗値が高くなり好ましくない。
【0033】また、第1成膜防止層3aは、その側面が
基板1の板面に対し垂直よりも大きく、なだらかな丘状
に傾いている順テーパー形状であり、この傾きの度合
は、図1又は図2に示した基板1に対するテーパー角θ
の値が91゜〜170゜、特に120゜〜150゜であ
ることが好ましい。θが小さすぎると導電層5が電気的
に断線しやすくなり好ましくない。逆に、θが大きすぎ
ると成膜防止領域が大きくなりすぎ、相対的に発光素子
の発光領域(開口率)が小さくなり好ましくない。
【0034】一方、第2成膜防止層3bの膜厚は、有機
層4と導電層5の合計の膜厚tに対して2t〜200
t、特に5t〜50tであることが好ましい。第2成膜
防止層3bの膜厚が薄すぎると導電層5が第2成膜防止
層3bの上を乗り越える際の切り放しが十分でなくなり
好ましくない。逆に厚すぎると、第2成膜防止層3b自
体が倒れやすくなる等のプロセス上の問題が発生して好
ましくない。
【0035】また、第2成膜防止層3bは、その側面が
基板1の板面に対し垂直よりもオーバーハング側に傾い
ている逆テーパー形状であり、この傾きの度合は、図1
又は図2に示した基板1に対するテーパー角θの値が3
0゜〜89゜、特に45゜〜80゜であることが好まし
い。θが小さすぎると第2成膜防止層3b自体が倒れや
すくなる等のプロセス上の問題が発生して好ましくな
い。逆に、θが大きすぎると導電層5が第2成膜防止層
3bの上を乗り越える際の切り放しが十分でなくなり好
ましくない。
【0036】本発明において、この成膜防止層3a,3
bは、光硬化を担う主剤と、照射光非透過性物質とを含
む感光性樹脂組成物で形成される。
【0037】ここで、主剤としては光の照射により硬化
する透明な樹脂組成物であれば良いが、好ましくは、光
を吸収してラジカルを発生する光重合開始系と、該ラジ
カルにより重合が誘起される付加重合性のエチレン性不
飽和二重結合を少なくとも1個有する化合物(以下、
「エチレン性化合物」と称す。)を含有する光重合性樹
脂組成物であり、更に好ましくは、これに相溶性、皮膜
形成性、現像性、接着性の改善のために、結合剤として
の有機高分子物質を含有させたものが用いられる。
【0038】このうち、光重合開始系としては、紫外光
を吸収してラジカルを発生する紫外光感応型光重合開始
系、可視光を吸収してラジカルを発生する可視光感応型
光重合開始系があり、紫外光感応型光重合開始系として
は、例えば「ファインケミカル」1991年3月1日号Vo12
0,No.4,P.16〜26に記載のジアルキルアセトフエノ
ン系、ベンジルジアルキルケタール系、ベンゾイン、ベ
ンゾインアルキルエーテル系、チオキサントン誘導体、
アシルホスフインオキサイド系等、その他、特開昭58−
40302号公報、特公昭45−37377号公報に記載のヘキサア
リールビイミダゾール系、S−トリハロメチルトリアジ
ン系等が挙げられる。一方、400nm以上500nm以下の可視
光に感応する可視光感応型光重合開始系としては、例え
ば、ヘキサアリールビイミダゾールとラジカル発生剤及
び色材の系(特公昭45−37377号公報)、ヘキサアリー
ルビイミダゾールと(p−ジアルキルアミノベンジリデ
ン)ケトンの系(特開昭47−2528号、特開昭54−155292
号各公報)、環状シスーα−ジカルボニル化合物と色材
の系(特開昭48−84183号公報)、置換トリアジンとメ
ロシアニン色素の系(特開昭54−151024号公報)、ケト
クマリンと活性剤の系(特開昭52−112681号、特開昭58
−15503号、特開昭60−88005号各公報)、置換トリアジ
ンと増感剤の系(特開昭58−29803号、特開昭58−40302
号各公報)、ビイミダゾール、スチレン誘導体、チオー
ルの系(特開昭59−56403号公報)、ジアルキルアミノ
フエニル基を含有する増感剤とビイミダゾール(特開平
2−69号、特開昭57−168088号、特開平5−107761号、特
開平5−210240号、特開平4−288818号各公報)、有機過
酸化物と色素の系(特開昭59−140203号、特開昭59−18
9340号各公報)、チタノセンを光重合性開始系とするも
の(特開昭59−152396号、特開昭61−151197号、特開昭
63−10602号、特開昭63−41484号、特開平2−291号、特
開平3−12403号、特開平3−20293号、特開平3−27393
号、特開平3−52050号各公報)、またチタノセンとキサ
ンテン色素更にアミノ基或はウレタン基を有する付加重
合可能なエチレン性飽和二重結合含有化合物を組合せた
系(特開平4−221958号、特開平4−219756号各公報)等
が挙げられる。
【0039】エチレン性化合物としては、単量体又は、
側鎖もしくは主鎖にエチレン性不飽和二重結合を有する
重合体のいずれでも良い。なお、本発明における単量体
の意味するところは、所謂高分子物質に相対する概念で
あり、従って、狭義の単量体以外に二量体、三量体、オ
リゴマーをも包含するものである。
【0040】エチレン性化合物としては、例えば、不飽
和カルボン酸、脂肪族ポリヒドロキシ化合物と不飽和カ
ルボン酸とのエステル、芳香族ポリヒドロキシ化合物と
不飽和カルボン酸とのエステル、不飽和カルボン酸と多
価カルボン酸及び脂肪族ポリヒドロキシ化合物、芳香族
ポリヒドロキシ化合物等の多価ヒドロキシ化合物とのエ
ステル化反応により得られるエステル等が挙げられる。
【0041】これらのうち、脂肪族ポリヒドロキシ化合
物と不飽和カルボン酸とのエステルとしては具体的に
は、エチレングリコールジアクリレート、トリエチレン
グリコールジアクリレート、トリメチロールプロパント
リアクリレート、トリメチロールエタントリアクリレー
ト、ペンタエリスリトールジアクリレート、ペンタエリ
スリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテ
トラアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアク
リレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、グリ
セロールアクリレート等のアクリル酸エステル、これら
例示化合物のアクリレートをメタクリレートに代えたメ
タクリル酸エステル、同様にイタコネートに代えたイタ
コン酸エステル、クロトネートに代えたクロトン酸エス
テルもしくはマレエートに代えたマレイン酸エステル等
が挙げられる。
【0042】芳香族ポリヒドロキシ化合物と不飽和カル
ボン酸とのエステルとしては、ハイドロキノンジアクリ
レート、ハイドロキノンジメタクリレート、レゾルシン
ジアクリレート、レゾルシンジメタクリレート、ピロガ
ロールトリアクリレート等が挙げられる。
【0043】不飽和カルボン酸と多価カルボン酸及び多
価ヒドロキシ化合物とのエステル化反応により得られる
エステルとしては必ずしも単一物では無いが代表的な具
体例としては、アクリル酸、フタル酸及びエチレングリ
コールの縮合物、アクリル酸、マレイン酸及びジエチレ
ングリコールの縮合物、メタクリル酸、テレフタル酸及
びペンタエリスリトールの縮合物、アクリル酸、アジピ
ン酸、ブタンジオール及びグリセリンの縮合物等が挙げ
られる。
【0044】本発明において、光重合性組成物の結合剤
として使用される有機高分子物質としては、メチル(メ
タ)アクリル酸、エチル(メタ)アクリル酸、プロピル
(メタ)アクリル酸、ブチル(メタ)アクリル酸、2−
エチルヘキシル(メタ)アクリル酸、ヒドロキシエチル
(メタ)アクリル酸、ヒドロキシプロピル(メタ)アク
リル酸、ベンジル(メタ)アクリル酸等の(メタ)アク
リル酸のアルキルエステル;ヒドロキシフェニル(メ
タ)アクリル酸、メトキシフェニル(メタ)アクリル酸
等の(メタ)アクリル酸の置換基を有していても良いフ
ェニルエステル;アクリロニトリル;酢酸ビニル、パー
サチック酸ビニル、プロピオン酸ビニル、桂皮酸ビニ
ル、ピバリン酸ビニル等の酸ビニル;スチレン、α−メ
チル−スチレン等の共重合体、エピクロロヒドリンとビ
スフエノールAとのポリエーテル、可溶性ナイロン、ポ
リビニルアルキルエーテル、ポリアミド、ポリウレタ
ン、ポリエチレンテレフタレート又はイソフタレート、
アセチルセルロース及びポリビニルホルマール、ポリビ
ニルブチラール等が挙げられる。なお、本明細書におい
て、「(メタ)アクリル」とは「アクリル又はメタクリ
ル」を示す。「(メタ)アクリレート」についても同様
である。
【0045】本発明の特徴である、照射光非透過性物質
としては、染顔料、金属粉、白色顔料、蛍光顔料等の顔
料が用いられる。染顔料の具体例としては、ビクトリア
ピュアブルー(42595)、オーラミンO(41000)、カチ
ロンブリリアントフラビン(へ一シック13)、ローダミ
ン6GCP(45160)、ローダミンB(45170)、サフラニンO
K70:100(50240)、エリオグラウシンX(42080)、N
o.120/リオノールイエロー(21090)、リオノールイ
エローGRO(21090)、シムラーファーストイエロー8GF
(21105)、ペンジジンイエロー4T−564D(21095)、シ
ムラーファーストレッド4015(12355)、リオノールレ
ッド7B4401(15850)、ファーストゲンブルーTGR−L(7
4160)、リオノールブルーSM(26150)、三菱カーボン
ブラックMlOOO、三菱カーボンブラック#40、リオノー
ルブルーES(ピグメントブルー15:6)、リオノーゲン
レッドGD(ピグメントレッド168)、リオノールグリー
ン2YS(ピグメントグリーン36)等が挙げられる(な
お、上記のカッコ内の数字は、カラーインデックス
(C.I.)を意味する)。
【0046】なお、感光性樹脂組成物の成膜性、成膜防
止層内での均一分散性等を考慮した場合、この照射光非
透過性物質は平均粒径0.005〜0.5μmの微粒子
であることが好ましく、0.01〜0.3μmであれば
より好ましい。
【0047】本発明において、成膜防止層を形成する感
光性樹脂組成物は、有機高分子物質100重量部に対
し、光重合開始系を0.01〜30重量部、エチレン性
化合物を5〜100重量部の割合で含む光重合性組成物
よりなる主剤と、照射光非透過性物質とで構成される。
この照射光非透過性物質は感光性樹脂組成物中の全固形
分に対して0.01〜90重量%含有することが好まし
い。
【0048】なお、本発明において、成膜防止層の形成
に用いる感光性樹脂組成物には、形成される成膜防止層
の性能を損なわない範囲で、熱重合防止剤、可塑剤、表
面保護剤、平滑剤、密着向上剤、現像性改良剤などの、
各種添加剤を含んでいても良い。この場合、配合量は、
当該感光性樹脂組成物の組成や、配合成分自体の性質な
どにより異なるが、概ね、全固形分に対し10重量%以
下である。
【0049】本発明では、このような感光性樹脂組成物
からなる膜を、露光により光硬化させ、現像により未露
光部を除去することにより、以下に説明するように、第
1成膜防止層3aのような順テーパー形状のものも、第
2成膜防止層3bのような逆テーパー形状のものも容易
に形成することができる。
【0050】以下に、順テーパー形状の成膜防止層及び
逆テーパー形状の成膜防止層の形成方法をそれぞれ図
3,4を参照して説明する。
【0051】(1) 順テーパー形状の成膜防止層の形
成方法 図3に、順テーパー形状の成膜防止層を形成する場合の
模式図を示す。
【0052】図3中、6は成膜防止層にパターンを焼き
付けるためのガラスマスクであり、6aは光が通る窓で
ある。なお、ガラスマスクとしては市販されているもの
を適宜使用すればよい。通常は、ガラス基板に膜厚20
〜300nm程度、好ましくは50〜200nmのCr
蒸着膜などの遮光膜がパターン状に設けられたものが用
いられる。7は照射光、Dはガラスマスク6と成膜防止
層となる光重合性樹脂(ネガ型レジスト)10Aの成膜
表面とのギャップ間隔を表す。また、図3中、左側のグ
ラフは、レジスト10Aの深さ方向の到達光強度分布を
模式的に示すものであり、レジスト10A中の照射光非
透過物質含有量が比較的少ない場合は、図3中の曲線9
Aに示すように、レジスト10Aの深さ方向にわたって
比較的均一な到達光強度となる。また、図3中の10a
はレジスト10A中の照射光の到達の様子を模式的に示
したもので、濃い色の部分が照射光量が大きいことを示
している。照射光の到達の様子を示す図3中の10aの
形状が台形になるのは、レジスト10A中の照射光非透
過物質含有量が少ないことと、ギャップ間隔Dが照射光
波長に対して大きく、ガラスマスク6の光透過窓6aの
エッジ部分で生じる照射光の回折による光の拡散が生じ
るためである。
【0053】レジスト10A中の照射光非透過物質含有
量が0.01〜20重量%、より好ましくは0.1〜1
0重量%であり、またギャップ間隔Dが照射光波長λに
対して10λ〜1000λ、より好ましくは50λ〜2
00λのときに、図3中の10aに示すように、照射光
の到達領域の断面形状は台形となる。このような台形の
照射光到達領域でレジスト10Aを硬化させた後、レジ
スト10Aの非照射部分を現像除去することで、図3中
の10aの形状に近いレジストの硬化部が形成され、順
テーパー形状の成膜防止層が形成される。
【0054】(2) 逆テーパー形状の成膜防止層の形
成方法 図4に、逆テーパー形状の成膜防止層を形成する場合の
模式図を示す。
【0055】図4中、6,6a,7は図3と同様であ
る。Dはガラスマスク6と成膜防止層となる光重合性樹
脂(ネガ型レジスト)10Bの成膜表面とのギャップ間
隔を表す。また、図4中、左側のグラフはレジスト10
Bの深さ方向の到達光強度分布を模式的に示すものであ
り、レジスト10B中の照射光非透過物質含有量が比較
的多い場合は、図4中の曲線9Bに示すように、レジス
ト10Bの深さ方向にいくに従って到達光強度が減少す
る。また、図4中の10bはレジスト10B中の照射光
の到達の様子を模式的に示したもので、濃い色の部分が
照射光量が大きいことを示している。照射光の到達の様
子を示す図4中の10bの形状が逆台形になるのは、レ
ジスト10B中の照射光非透過物質含有量が多いこと
と、ギャップ間隔Dが照射光波長に対して大きくなく、
ガラスマスク6の光透過窓6aのエッジ部分で生じる照
射光の回折による光の拡散が小さいためである。
【0056】レジスト10B中の照射光非透過物質含有
量が1〜90重量%、より好ましくは5〜50重量%で
あり、またギャップ間隔Dが照射光波長λに対して1λ
〜100λ、より好ましくは10λ〜50λのときに、
図4中の10bに示すように、照射光の到達領域の断面
形状は逆台形となる。このような逆台形の照射光到達領
域でレジスト10Bを硬化させた後、レジスト10Bの
非照射部分を現像除去することで、図4中の10bの形
状に近いレジストの硬化部が形成され、逆テーパー形状
の成膜防止層が形成される。
【0057】従って、図1に示す第1成膜防止層3a及
び第2成膜防止層3bよりなる成膜防止層であれば、基
板上に照射光非透過物質を含む光重合性樹脂組成物の塗
膜を形成してパターン露光後、現像して成膜防止層を形
成するに当り、上記(1)の方法で順テーパ形状の成膜
防止層を所定の膜厚に形成して第1成膜防止層3aと
し、次いでこの第1の成膜防止層上に照射光非透過物質
を含む光重合性樹脂組成物の塗膜を形成してパターン露
光後、現像して成膜防止層を形成するに当り、上記
(2)の方法で逆テーパ形状の成膜防止層を所定の膜厚
に形成して第2成膜防止層3bを積層することにより、
容易に形成することができる。
【0058】なお、図1に示す成膜防止層は、本発明に
係る成膜防止層の一実施例であって、本発明において、
成膜防止層の形状には特に制限はなく、成膜防止層は目
的に応じて様々な形状に形成し得る。
【0059】導電層2及び成膜防止層3a及び3b上に
形成される有機層4を構成する正孔輸送層の材料として
は、陽極としての導電層2からの正孔注入効率が高く、
かつ、注入された正孔を効率良く輸送することができる
材料であることが必要である。そのためには、イオン化
ポテンシャルが小さく、しかも正孔移動度が大きく、更
に安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用
時に発生しにくいことが要求される。
【0060】このような正孔輸送化合物としては、例え
ば、特開昭59−194393号公報、米国特許第4,
175,960号、米国特許第4,923,774及び
米国特許第5,047,687号に例示される、N,
N’−ジフェニル−N,N’−(3−メチルフェニル)
−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン:1,
1’−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シク
ロヘキサン:4,4’−ビス(フェニルアミノ)クワド
ロフェニルなどの芳香族アミン系化合物、特開平2−3
11591号公報に示されるヒドラゾン化合物、米国特
許第4,950,950号公報に示されるシラザン化合
物、キナクリドン化合物等が挙げられる。これらの化合
物は、単独で用いても良く、必要に応じて2種以上を混
合して用いても良い。また、上記の化合物以外に、ポリ
ビニルカルバゾールや、ポリシラン(Appl.Phy
s.Lett.,59巻,2760頁,1991年)等
の高分子材料も使用可能である。
【0061】正孔輸送層は、上記の有機正孔輸送材料を
一般に塗布法又は真空蒸着法により成膜することによ
り、前記導電層2及び成膜防止層3a,3b上に積層形
成される。塗布法による形成の場合は有機正孔輸送化合
物の1種又は2種以上と必要により正孔のトラップにな
らないバインダー樹脂や、レベリング剤等の塗布性改良
剤などの添加剤を添加して溶解した塗布溶液を調製し、
スピンコート法などの方法により導電層2a上に塗布
し、乾燥して有機正孔輸送層を形成する。この場合、バ
インダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレ
ート、ポリエステル等を用いることができる。バインダ
ー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、
少ない方が望ましく、塗布溶液の濃度で50重量%以下
が好ましい。
【0062】真空蒸着法の場合には、有機正孔輸送材料
を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を
適当な真空ポンプで10−6Torrになるまで排気し
た後、ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ル
ツボと向き合って置かれた基板1の導電層2及び成膜防
止層3a,3b上に正孔輸送層を形成する。
【0063】このようにして形成される正孔輸送層の膜
厚は、通常10〜300nm、好ましくは30〜100
nmである。このような薄い膜を一様に形成するために
は、真空蒸着法がよく用いられる。
【0064】正孔輸送層の上に形成され、正孔輸送層と
共に有機層4を構成する有機発光層は、電界を与えられ
た電極間において陰極としての導電層5からの電子を効
率良く正孔輸送層の方向に輸送することができる化合物
で形成されることが必要である。そのためには、電子親
和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、更に安定性
に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生
しにくい化合物よりなることが要求される。また、正孔
と電子の再結合の際に発光をもたらす役割も求められ
る。更に、均一な薄膜形状を与えることも素子の安定性
の点で重要である。
【0065】このような有機発光層の材料としては、テ
トラフェニルブタジエンなどの芳香族化合物(特開昭5
7−51781号公報)、8−ヒドロキシキノリンのア
ルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−1943
93号公報、米国特許第5,151,629号、米国特
許第5,141,671号)、シクロペンタジエン誘導
体(特開平2−289675号公報)、ペリノン誘導体
(特開平2−289676号公報)、オキサジアゾール
誘導体(特開平2−216791号公報)、ビススチリ
ルベンゼン誘導体(特開平1−245087号公報、同
2−222484号公報)、ペリレン誘導体(特開平2
−189890号公報、同3−791号公報)、クマリ
ン化合物(特開平2−191694号公報、同3−79
2号公報)、希土類錯体(特開平1−256584号公
報)、ジスチリルピラジン誘導体(特開平2−2527
93号公報)、p−フェニレン化合物(特開平3−33
183号公報)、チアジアゾロピリジン誘導体(特開平
3−37293号公報)、ピロロピリジン誘導体(特開
平3−37293号公報)、ナフチリジン誘導体(特開
平3−203982号公報)などが挙げられるが、特
に、8−ヒドロキシキノリン及びその誘導体から形成さ
れる金属錯体が好ましい。前記金属錯体の中心金属とし
ては、Al、Ga、In、Sc、Y、Zn、Be、M
g、Caが好ましい。これらの金属錯体は、単独で用い
ても良く、必要に応じて2種以上を混合して使用しても
良い。
【0066】有機発光層は、これらの材料を用いて前記
有機正孔輸送層と同様の方法で形成されるが、好ましく
は、真空蒸着法により形成され、その膜厚は、通常10
〜200nm、好ましくは30〜100nmである。
【0067】なお、有機発光層には、素子の発光効率を
向上させるとともに、発光色を変える目的で、例えば、
8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材
料として、クマリン等のレーザ用蛍光色素をドープする
こと(J.Appl.Phys.,65巻,3610
頁,1989年)も行われている。本発明においても、
有機発光層にレーザ色素等の有機蛍光体を10−3〜1
0モル%ドープすることにより、素子の発光特性を更に
向上させることができる。これらの蛍光色素を有機発光
層にドーピングする場合も、基板温度を60℃から15
0℃の範囲にすることで、素子の安定性は更に向上す
る。
【0068】なお、図1に示す有機電界発光素子は、本
発明の有機電界発光素子の一実施例であって、本発明は
その要旨を超えない限り、何ら図示のものに限定される
ものではない。
【0069】例えば、基板上に形成される成膜防止層以
外の層構成としては、次の〜等を採用することがで
きる。 陽極/有機正孔輸送層/有機発光層/陰極 陽極/有機発光層/電子輸送層/陰極 陽極/有機正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/
陰極 陽極/有機正孔輸送層/有機発光層/界面層/陰極 陽極/有機正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/
界面層/陰極 上記層構成において、電子輸送層は素子の効率を更に向
上させるためのものであり、有機発光層の上に積層され
る。この電子輸送層に用いられる化合物には、陰極から
の電子注入が容易で、電子の輸送能力が更に大きいこと
が要求される。このような電子輸送材料としては、オキ
サジアゾール誘導体(Appl.Phys.Let
t.,55巻,1489頁,1989年;Jpn.J.
Appl.Phys.,31巻,1812頁,1992
年)やそれらをPMMA(ポリメチルメタクリレート)
等の樹脂に分散した系(Appl.Phys.Let
t.,61巻,2793頁,1992年)等が挙げられ
る。電子輸送層の膜厚は、通常5〜200nm、好まし
くは10〜100nmである。
【0070】また、上記層構成において界面層は陰極と
有機層とのコンタクトを向上させるためのもので、芳香
族ジアミン化合物(特開平6−267658号公報)、
キナクリドン化合物(特開平6−330031号公
報)、ナフタセン誘導体(特開平6−330032号公
報)、有機シリコン化合物(特開平6−325871号
公報)、有機リン化合物(特開平6−325872号公
報)等が挙げられる。前記界面層の膜厚は、通常2〜1
00nm、好ましくは5〜30nmである。
【0071】本発明においては、このような界面層を設
ける代わりに、有機発光層及び電子輸送層の陰極界面近
傍に上記界面層材料を50モル%以上含む領域を設けて
も良い。
【0072】このように、種々の機能を有する層を設け
た有機電界発光素子においては、陽極と陰極との間にあ
る成膜防止層以外の層を全て併せて、図1における有機
層4と考える。
【0073】また、図1に示されていないが、陰極とし
ての導電層5の上に更に基板1と同様の基板を設けるこ
ともできる。この場合、2枚の基板のうち、少なくとも
一方は透明性が高いことが必要となる。
【0074】また、図1とは逆の構造、即ち、基板上に
導電層(陰極)、有機発光層、正孔輸送層、導電層(陽
極)の順に積層することも可能であり、前記〜の層
構成についても逆の構造に積層することが可能である。
また、上述の如く少なくとも一方が透明性の高い2枚の
基板の間に前記〜のような有機電界発光素子の層構
成を設けることも可能である。
【0075】
【実施例】以下に、製造例、実施例及び比較例を挙げ
て、本発明をより具体的に説明する。
【0076】製造例1(順テーパー形状の成膜防止層の
形成) 下記成分組成の光重合性樹脂組成物を主剤として用い、
この主剤に対して、照射光非透過物質として平均粒径1
50nmの赤顔料(クロムフタールレッド)のプロピレ
ングリコールメチルエーテルアセテート(PGMAc)
分散液を添加して、光重合性樹脂組成物中の全固形成分
に対する顔料割合が2重量%のレジストを調製した。
【0077】
【化1】
【0078】このレジストを厚さ1.1mmのコーニン
グ社製1737ガラス基板上に1200rpmで30秒
間スピンコートし、1分間の放置乾燥後、70℃のホッ
トプレート上で2分間プリベークした。その後、パター
ン露光用ガラスマスク(厚さ3mmのガラス板に、膜厚
100nmのCr蒸着膜(遮蔽膜)にてパターンが形成
されているマスク。以下同様。)越しに、主波長365
nmの光を合計200mJ/cm照射した。この際、
ガラスマスクとレジスト膜とのギャップ間隔は30μm
とした。次に、炭酸カリウム(KCO)1モルに対
し炭酸水素カリウム(KHCO)0.1モルの割合で
0.3重量%の水溶液を調製し、花王製の界面活性剤
(A60)を0.3重量%の割合で混合して現像液とし
たものを、水圧0.1MPaで30秒間複数のノズルか
ら満遍なく基板に吹き付けて未露光のレジスト部を現像
し、その後水圧0.2MPaの純水で60秒間洗浄し
た。次いで、基板を120℃のホットプレート上で1分
間ポストベークして、成膜防止層を形成した。
【0079】得られた成膜防止層のエッジ部分のSEM
観察写真を図5に示す。この成膜防止層は、基板に対す
るテーパー角の平均値が約145°の順テーパー形状の
成膜防止層であった。
【0080】なお、この成膜防止層のテーパー角の平均
値は、例えば、次のようにして測定することができる。
即ち、まず、試料の断面をフラットに作製し、SEMに
よる観察で得た写真をスキャナーでコンピューターに取
り込み、この二次元微分像を作成後、最上面のみを利用
し、境界を抽出する。この境界のエッジ部分から角度を
得、これをSEM観察時の台座の傾きで補正を行って角
度を算出する。
【0081】製造例2(逆テーパー形状の成膜防止層の
形成) 製造例1で用いたものと同様の光重合性樹脂組成物を主
剤として用い、この主剤に対して、照射光非透過物質と
して平均粒径150nmの青顔料(フタロシアニンブル
ー)のPGMAc分散液を添加して、光重合性樹脂組成
物中の全固形成分に対する顔料割合が25重量%のレジ
ストを調製した。
【0082】このレジストをコーニング社製1737ガ
ラス基板上に1200rpmで30秒間のスピンコート
し、1分間の放置乾燥後、70℃のホットプレート上で
2分間プリベークした。その後、パターン露光用ガラス
マスク越しに、主波長365nmの光を合計800mJ
/cm照射した。この際、ガラスマスクとレジスト膜
とのギャップ間隔は10μmとした。その後、製造例1
と同様にして現像、洗浄、ポストベークを行って、成膜
防止層を形成した。
【0083】得られた成膜防止層のエッジ部分のSEM
観察写真を図6に示す。この成膜防止層は、基板に対す
るテーパー角の平均値が約50°の逆テーパー形状の成
膜防止層であった。
【0084】実施例1 ガラス基板1として厚さ1.1mmのコーニング社製1
737ガラスを用い、その上に陽極2としてインジウム
・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を120nm堆積し
(ジオマテック社製;電子ビーム成膜品;シート抵抗2
0Ω)、ITO膜付きガラス基板を得た。
【0085】この基板を用いて、図1に示す構造を有す
る有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
【0086】まず、ガラス基板1上に堆積されたITO
透明導電膜を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッ
チングを用いて線幅270μm、ピッチ300μmのス
トライプパターンに加工し陽極用導電層2とした。
【0087】次に、製造例1と同様の方法で順テーパー
形状の成膜防止層3aを形成した。成膜防止層3aは2
50μm×250μmの開口部が300μmのピッチで
平面上に並んだ窓枠状の構造とした。この成膜防止層3
aの形成に当っては、その膜厚が約0.5μmとなるよ
うにレジストの粘度を調整した。得られた成膜防止層3
aの基板に対するテーパー角(平均値)は約146°で
あった。
【0088】次に、製造例2と同様の方法で逆テーパー
形状の成膜防止層3bを成膜防止層3aの上に形成し
た。成膜防止層3bは線幅30μm、ピッチ300μm
のストライプパターンとし、陽極用導電層2に直交し、
成膜防止層3a上に位置するよう配置した。この成膜防
止層3bの形成に当っては、その膜厚が約4μmとなる
ようにレジストの粘度を調整した。得られた成膜防止層
3bの基板に対するテーパー角(平均値)は約52°で
あった。
【0089】このようにして得られた2層の成膜防止層
3a,3bを有する基板1を、純水洗浄後、窒素ブロー
で乾燥させ、UV/オゾン洗浄を10分間行った後、真
空蒸着槽内に設置し、クライオポンプを用いて1.1×
10−6Torr(約1.5×10−4Pa)まで真空
引きした。
【0090】次に、真空蒸着槽内に配置されたモリブデ
ンボートに入れた以下に示す銅フタロシアニン(結晶形
はβ型)を加熱して、真空度1.1×10−6Torr
(約1.5×10−4Pa)、蒸着時間1分で蒸着を行
ない、膜厚20nmの正孔注入層を形成した。
【0091】
【化2】
【0092】次に、同じく真空蒸着槽内に配置されたセ
ラミックルツボに入れた、以下に示す、4,4'-ビス[N-
(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニルを、ルツ
ボの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して、蒸着するこ
とにより、正孔注入層の上に正孔輸送層を積層した。こ
の時のルツボの温度は、230〜240℃の範囲で制御
し、蒸着時の真空度8×10−7Torr(約1.1×
10−4Pa)、蒸着時間1分50秒で膜厚60nmの
正孔輸送層を形成した。
【0093】
【化3】
【0094】次に、発光機能を有する有機発光層の材料
として、以下に示すアルミニウムの8−ヒドロキシキノ
リン錯体(Al(CNO))を上記正孔輸送層
の上に同様にして蒸着した。この時のルツボの温度は3
10〜320℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は9×
10−7Torr(約1.2×10−4Pa)、蒸着時
間は2分40秒で、膜厚75nmの有機発光層を形成し
た。
【0095】
【化4】
【0096】上記の正孔注入層、正孔輸送層及び有機発
光層を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
【0097】次に、真空槽内で、陰極用導電層5とし
て、マグネシウムと銀の合金電極を2元同時蒸着法によ
って膜厚100nmとなるように蒸着した。蒸着はモリ
ブデンボートを用いて、真空度1×10−5Torr
(約1.3×10−3Pa)、蒸着時間3分10秒で行
った。また、マグネシウムと銀の原子比は10:1.1
とした。更に続いて、真空蒸着槽内において、アルミニ
ウムをモリブデンボートを用いて100nmの膜厚でマ
グネシウム・銀合金膜の上に積層して陰極用導電層5を
完成させた。アルミニウム蒸着時の真空度は2.3×1
−5Torr(約3.1×10−3Pa)、蒸着時間
は1分40秒とした。以上のマグネシウム・銀合金とア
ルミニウムの2層型陰極の蒸着時の基板温度は室温に保
持した。
【0098】次に、陰極まで形成し終えた基板を窒素ガ
スで満たされたドライボックス内に移動し、シール作業
を行った。まず、素子の周辺にエポキシ系の光重合性樹
脂(粘度:45Pa・s、硬化条件:4000mJ/c
)を幅1mmで塗布した。ここで陽極及び陰極の電
極取り出し部分はシールの外側となるようにした。次に
封止部材として厚さ0.7mmのガラス板をシール部に
固着した後、出力200Wの高圧水銀ランプにより封止
部材越しに光重合性樹脂に照射し、光重合性樹脂を完全
に硬化させた。その後、ドライボックスから基板を取り
出し、300μm×300μmサイズのセルが並んだ有
機電界発光素子を得た。
【0099】この素子に陽極用導電層2にプラス、陰極
用導電層5にマイナス印加となるように駆動回路を接続
し点灯試験をしたところ、ライン欠陥等のない均一な発
光パターンが得られた。
【0100】次に、この素子を初期輝度200cd/m
で全面点灯による寿命試験を行ったところ、500時
間駆動経過後の輝度保持率は82%であり、パターン欠
陥も見られなかった。
【0101】更に同様の方法で9個の有機電界発光素子
を作製し、計10個の素子について初期の点灯試験及び
500時間の駆動試験を行ったところ、駆動試験後の輝
度保持率の平均は81%であり、パターン欠陥等はいず
れの素子にも全く見られなかった。
【0102】比較例1 実施例1と同様にしてガラス基板に堆積された透明導電
膜を加工して、幅270μm、ピッチ300μmのIT
Oパターン基板を得た。
【0103】次に、有機電界発光素子用に従来から一般
に用いられている市販のネガ型のフォトレジストV−2
59PA(新日鐵化学)を用いて順テーパー形状の成膜
防止層をメーカー指定の専用の現像液及びプロセスを用
いて形成した。更にその上に市販されているネガ型のフ
ォトレジストZPN1100(日本ゼオン社製)を用い
て逆テーパー形状の成膜防止層を前記現像液とは別のメ
ーカー指定の専用の現像液及びプロセスを用いて形成し
た。
【0104】これらの成膜防止層の膜厚と基板に対する
テーパー角を別の同一条件で作製したサンプルを用いて
測定したところ、V−259PAを用いた成膜防止層の
膜厚は約0.42μm、テーパー角は約122°であ
り、ZPN1100を用いた成膜防止層の膜厚は約4.
5μm、テーパー角は約65°であった。なお、これら
の成膜防止層の形成パターンは実施例1における成膜防
止層の形成パターンと同様とした。
【0105】その後、実施例1と同様にして、正孔注入
層、正孔輸送層、有機発光層及び陰極用導電層を形成
し、同様にシールを行って有機電界発光素子を得た。
【0106】この素子に実施例1と同様の方法で点灯試
験をしたところ、ライン欠陥等のない均一な発光パター
ンが得られた。
【0107】次に、この素子を初期輝度200cd/m
で全面点灯による寿命試験を行ったところ、100時
間駆動経過後には多数のパターン欠陥が見られるように
なり、150時間駆動後には点灯しなくなった。
【0108】更に同様の方法で9個の有機電界発光素子
を作製し、計10個の素子について初期の点灯試験及び
駆動試験を行ったところ、初期にパターン欠陥がみられ
た素子が2個、100時間駆動後にパターン欠陥がみら
れた素子が6個であり、素子が点灯しなくなるまでの1
0素子の平均の駆動時間は160時間であった。
【0109】上記実施例1及び比較例1の素子の評価結
果を以下の表1にまとめて示す。表1より本発明の有機
電界発光素子が非常に高性能で性能の安定性、信頼性に
優れることがわかる。
【0110】
【表1】
【0111】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の有機電界発
光素子及びその製造方法によれば、有機電界発光素子の
製造工程における微細加工を容易かつ確実に行って、非
選択部の有機発光層の発光確率が著しく小さい有機電界
発光素子を提供することができる。特に、本発明による
素子はパターン欠陥発生率が非常に小さく、発光寿命特
性にも著しく優れている。
【0112】従って、本発明による有機電界発光素子は
フラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュー
タ用や壁掛けテレビ)や表示板、標識灯への応用が考え
られ、その技術的価値は非常に大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機電界発光素子の実施の形態を示す
模式図であって、図1(a)は断面図、図1(b)は図
1(a)の断面と交叉方向の断面図、図1(c)は平面
図である。
【図2】成膜防止層の基板に対するテーパー角を示す説
明図である。
【図3】順テーパー形状の成膜防止層の形成方法を説明
する模式図である。
【図4】逆テーパー形状の成膜防止層の形成方法を説明
する模式図である。
【図5】製造例1で形成した順テーパー形状の成膜防止
層のエッジ部分のSEM観察写真である。
【図6】製造例2で形成した逆テーパー形状の成膜防止
層のエッジ部分のSEM観察写真である。
【符号の説明】
1 基板 2 導電層(陽極) 3 成膜防止層 3a 第1成膜防止層 3b 第2成膜防止層 4 有機層(正孔輸送層+有機発光層) 5 導電層(陰極) 6 ガラスマスク 6a 光透過窓 7 照射光 10A,10B レジスト

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、該基板上に形成された第1の電
    極膜と、該第1の電極膜上に部分的に形成された成膜防
    止層と、該第1の電極膜上の該成膜防止層非形成面に順
    次積層形成された有機発光層及び第2の電極膜とを有す
    る有機電界発光素子において、 該成膜防止層が感光性樹脂組成物を用いて形成され、 該感光性樹脂組成物は、該感光性樹脂組成物の光硬化を
    促進せず、かつ該感光性光樹脂組成物の光硬化用の照射
    光に対して非透過性の物質を含有することを特徴とする
    有機電界発光素子。
  2. 【請求項2】 該感光性樹脂組成物が、光を吸収してラ
    ジカルを発生する光重合開始系と、該ラジカルにより重
    合が誘起される付加重合性のエチレン性不飽和二重結合
    を少なくとも1個有する化合物とを含有する光重合性樹
    脂組成物であることを特徴とする請求項1に記載の有機
    電界発光素子。
  3. 【請求項3】 該成膜防止層の側面と、該基板の板面と
    のなす角度が90°より小さいことを特徴とする請求項
    1又は2に記載の有機電界発光素子。
  4. 【請求項4】 該第1の電極膜がストライプ状に形成さ
    れており、該成膜防止層が該第1の電極膜と平行でない
    ストライプ状に形成されていることを特徴とする請求項
    3に記載の有機電界発光素子。
  5. 【請求項5】 該該成膜防止層の側面と、該基板の板面
    とのなす角度が90°より大きいことを特徴とする請求
    項1又は2に記載の有機電界発光素子。
  6. 【請求項6】 該成膜防止層は、その側面と基板の板面
    とのなす角度が90°より大きい第1の成膜防止層と、
    該第1の成膜防止層上の少なくとも一部に形成された、
    その側面と基板の板面とのなす角度が90°より小さい
    第2の成膜防止層とを含む2以上の成膜防止層で構成さ
    れること特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に
    記載の有機電界発光素子。
  7. 【請求項7】 基板上に、第1の電極膜を形成した後、
    該第1の電極膜上に感光性樹脂組成物の光硬化により部
    分的に成膜防止層を形成し、その後、該第1の電極膜上
    の該成膜防止層非形成面に有機発光層及び第2の電極膜
    を順次積層形成する有機電界発光素子の製造方法におい
    て、 該感光性樹脂組成物は、該感光性樹脂組成物の光硬化を
    促進せず、かつ前記光硬化用の照射光に対して非透過性
    の物質を含有することを特徴とする有機電界発光素子の
    製造方法。
  8. 【請求項8】 第1の電極膜を形成した基板上に前記感
    光性樹脂組成物を成膜し、マスクを用いるパターン露光
    で光を照射して光照射部の感光性樹脂組成物を硬化させ
    た後、未露光部を現像除去することにより成膜防止層を
    形成するに当り、 該感光性樹脂組成物として、前記感光性樹脂組成物の光
    硬化を促進せず、かつ光硬化用の照射光に対して非透過
    性の物質を該感光性樹脂組成物中の全固形分に対して
    0.01〜20重量%含有する感光性樹脂組成物を用
    い、感光性樹脂組成物の成膜面とマスクとの間隔を該照
    射光の波長λに対して10λ〜1000λとすることに
    より、 側面と基板の板面とのなす角度が90°より大きい成膜
    防止層を形成することを特徴とする請求項7に記載の有
    機電界発光素子の製造方法。
  9. 【請求項9】 第1の電極膜を形成した基板上に前記感
    光性樹脂組成物を成膜し、マスクを用いるパターン露光
    で光を照射して光照射部の感光性樹脂組成物を硬化させ
    た後、未露光部を現像除去することにより成膜防止層を
    形成するに当り、 該感光性樹脂組成物として、前記感光性樹脂組成物の光
    硬化を促進せず、かつ光硬化用の照射光に対して非透過
    性の物質を該感光性樹脂組成物中の全固形分に対して1
    〜90重量%含有する感光性樹脂組成物を用い、感光性
    樹脂組成物の成膜面とマスクとの間隔を該照射光の波長
    λに対して1λ〜100λとすることにより、 側面と基板の板面とのなす角度が90°より小さい成膜
    防止層を形成することを特徴とする請求項7に記載の有
    機電界発光素子の製造方法。
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