JP2001009397A - レーザ照射装置 - Google Patents
レーザ照射装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 レーザ照射装置１０は偏光ビームスプリッタ
１６を含み、可変式アッテネータ１４を通過したレーザ
ビームが偏光ビームスプリッタ１６で２つの直交偏光に
分割される。偏光ビームスプリッタ１６を透過したｐ偏
光成分のレーザビームは、１／２波長板で光軸を中心に
偏光面が９０度回転され、したがってｓ偏光成分のレー
ザビームがワークに入射される。一方、偏光ビームスプ
リッタ１６の表面で反射されたｓ偏光成分のレーザビー
ムは、ミラー２０で反射され、ワークに入射される。し
たがって、ワークの両面を一度に洗浄でき、また同じ種
類の２つのワークを同時に洗浄できる。また、１／２波
長板をミラー２０とワークとの間に介挿した場合には、
ｐ偏光成分のレーザビームを利用することができる。し
たがって、同じ種類の２つのワークを同時に加工するこ
とができる。 【効果】 ｐ偏光成分およびｓ偏光成分を任意に利用す
ることができる。
１６を含み、可変式アッテネータ１４を通過したレーザ
ビームが偏光ビームスプリッタ１６で２つの直交偏光に
分割される。偏光ビームスプリッタ１６を透過したｐ偏
光成分のレーザビームは、１／２波長板で光軸を中心に
偏光面が９０度回転され、したがってｓ偏光成分のレー
ザビームがワークに入射される。一方、偏光ビームスプ
リッタ１６の表面で反射されたｓ偏光成分のレーザビー
ムは、ミラー２０で反射され、ワークに入射される。し
たがって、ワークの両面を一度に洗浄でき、また同じ種
類の２つのワークを同時に洗浄できる。また、１／２波
長板をミラー２０とワークとの間に介挿した場合には、
ｐ偏光成分のレーザビームを利用することができる。し
たがって、同じ種類の２つのワークを同時に加工するこ
とができる。 【効果】 ｐ偏光成分およびｓ偏光成分を任意に利用す
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はレーザ照射装置に関
し、特にたとえば基板のようなワークの洗浄やアニーリ
ングのためにワーク表面にレーザビームを照射する、レ
ーザ照射装置に関する。
し、特にたとえば基板のようなワークの洗浄やアニーリ
ングのためにワーク表面にレーザビームを照射する、レ
ーザ照射装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より一般に、ｐ偏光成分は基板に吸
収されやすく、ｓ偏光成分は基板に反射されやすく、し
たがって、前者はワークのアニーリングや加工のため
に、また後者はワークの洗浄のために利用できることが
知られている。
収されやすく、ｓ偏光成分は基板に反射されやすく、し
たがって、前者はワークのアニーリングや加工のため
に、また後者はワークの洗浄のために利用できることが
知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来では、ｐ偏光を利
用するレーザ照射装置とｓ偏光を利用するレーザ照射装
置とは個別に製造され、かつ個別に導入されている。他
方、使用頻度や工程配置などの関係で、ｐ偏光またはｓ
偏光を任意に利用できるレーザ照射装置の要求がある。
用するレーザ照射装置とｓ偏光を利用するレーザ照射装
置とは個別に製造され、かつ個別に導入されている。他
方、使用頻度や工程配置などの関係で、ｐ偏光またはｓ
偏光を任意に利用できるレーザ照射装置の要求がある。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、ｐ
偏光またはｓ偏光を任意に利用できる、新規なレーザ照
射装置を提供することである。
偏光またはｓ偏光を任意に利用できる、新規なレーザ照
射装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、ランダム
偏光特性をもつレーザビームを出力するパルスレーザ発
振器、レーザビームのエネルギを制御する可変式アッテ
ネータ、可変式アッテネータを通過したレーザビームの
偏光成分を直交する直線偏光に分割する偏光ビームスプ
リッタ、および少なくとも１枚の１／２波長板を備え、
パルスレーザ発振器から出力されたレーザビームが可変
式アッテネータを透過し、その透過レーザビームを偏光
ビームスプリッタで２つのビームに分割し、分割された
ビームの少なくとも一方のビームの偏光面を１／２波長
板によって任意の偏光方位に調整し、さらに偏光ビーム
スプリッタによってｐ偏光成分およびｓ偏光成分がほぼ
１：１の分割エネルギ比で分割されるようにした、レー
ザ照射装置である。
偏光特性をもつレーザビームを出力するパルスレーザ発
振器、レーザビームのエネルギを制御する可変式アッテ
ネータ、可変式アッテネータを通過したレーザビームの
偏光成分を直交する直線偏光に分割する偏光ビームスプ
リッタ、および少なくとも１枚の１／２波長板を備え、
パルスレーザ発振器から出力されたレーザビームが可変
式アッテネータを透過し、その透過レーザビームを偏光
ビームスプリッタで２つのビームに分割し、分割された
ビームの少なくとも一方のビームの偏光面を１／２波長
板によって任意の偏光方位に調整し、さらに偏光ビーム
スプリッタによってｐ偏光成分およびｓ偏光成分がほぼ
１：１の分割エネルギ比で分割されるようにした、レー
ザ照射装置である。
【０００６】第２の発明は、ランダム偏光特性をもつレ
ーザビームを出力するパルスレーザ発振器、レーザビー
ムのエネルギを制御する可変式アッテネータ、可変式ア
ッテネータを透過したレーザビームを受ける第１の１／
２波長板、第１の１／２波長板を通過したレーザビーム
の偏光成分を直交する直線偏光に分割するための偏光ビ
ームスプリッタ、および偏光ビームスプリッタによって
分割されたｐ偏光成分およびｓ偏光成分の一方を受ける
第２の１／２波長板を備える、レーザ照射装置である。
ーザビームを出力するパルスレーザ発振器、レーザビー
ムのエネルギを制御する可変式アッテネータ、可変式ア
ッテネータを透過したレーザビームを受ける第１の１／
２波長板、第１の１／２波長板を通過したレーザビーム
の偏光成分を直交する直線偏光に分割するための偏光ビ
ームスプリッタ、および偏光ビームスプリッタによって
分割されたｐ偏光成分およびｓ偏光成分の一方を受ける
第２の１／２波長板を備える、レーザ照射装置である。
【０００７】
【作用】第１の発明では、パルスレーザ発振器から出力
されたランダム偏光特性をもつレーザビームのエネルギ
が可変式アッテネータで制御される。可変式アッテネー
タを通過したレーザビームは、偏光ビームスプリッタで
その偏光成分を直交する２つの直線偏光に分割される。
分割されたビームの少なくとも一方の偏光面が、１／２
波長板によって任意の偏光方位に調整される。さらに、
たとえば偏光ビームスプリッタを適宜回転することによ
って、または可変式アッテネータと偏光ビームスプリッ
タとの間に１／２波長板を挿入してそれを調整すること
によって、偏光ビームスプリッタによってｐ偏光成分お
よびｓ偏光成分がほぼ１：１の分割エネルギ比で分割さ
れる。したがって、同時に同じ種類のワークに対して、
加工または洗浄を行うことができる。
されたランダム偏光特性をもつレーザビームのエネルギ
が可変式アッテネータで制御される。可変式アッテネー
タを通過したレーザビームは、偏光ビームスプリッタで
その偏光成分を直交する２つの直線偏光に分割される。
分割されたビームの少なくとも一方の偏光面が、１／２
波長板によって任意の偏光方位に調整される。さらに、
たとえば偏光ビームスプリッタを適宜回転することによ
って、または可変式アッテネータと偏光ビームスプリッ
タとの間に１／２波長板を挿入してそれを調整すること
によって、偏光ビームスプリッタによってｐ偏光成分お
よびｓ偏光成分がほぼ１：１の分割エネルギ比で分割さ
れる。したがって、同時に同じ種類のワークに対して、
加工または洗浄を行うことができる。
【０００８】この発明の或る局面では、偏光ビームスプ
リッタの方位を光軸を中心として４５度回転させること
によって、ｐ偏光成分およびｓ偏光成分がほぼ１：１の
分割エネルギ比で分割される。
リッタの方位を光軸を中心として４５度回転させること
によって、ｐ偏光成分およびｓ偏光成分がほぼ１：１の
分割エネルギ比で分割される。
【０００９】この発明の他の局面では、可変式アッテネ
ータと偏光ビームスプリッタとの間に１／２波長板を介
挿し、その１／２波長板を適宜調整することによって、
ｐ偏光成分およびｓ偏光成分がほぼ１：１の分割エネル
ギ比で分割される。
ータと偏光ビームスプリッタとの間に１／２波長板を介
挿し、その１／２波長板を適宜調整することによって、
ｐ偏光成分およびｓ偏光成分がほぼ１：１の分割エネル
ギ比で分割される。
【００１０】第２の発明では、パルスレーザ発振器から
出力されたランダム偏光特性をもつレーザビームのエネ
ルギが可変式アッテネータで制御される。可変式アッテ
ネータを透過したレーザビームは、第１の１／２波長板
を通過して偏光ビームスプリッタで直交する直線偏光に
分割される。分割されたｐ偏光成分およびｓ偏光成分の
いずれか一方が、第２の１／２波長板を通過する。つま
り、ほぼ１：１の分割エネルギ比のｐ偏光成分またはｓ
偏光成分のレーザビームが得られるので、同時に同じ種
類のワークに対して、加工または洗浄を行うことができ
る。
出力されたランダム偏光特性をもつレーザビームのエネ
ルギが可変式アッテネータで制御される。可変式アッテ
ネータを透過したレーザビームは、第１の１／２波長板
を通過して偏光ビームスプリッタで直交する直線偏光に
分割される。分割されたｐ偏光成分およびｓ偏光成分の
いずれか一方が、第２の１／２波長板を通過する。つま
り、ほぼ１：１の分割エネルギ比のｐ偏光成分またはｓ
偏光成分のレーザビームが得られるので、同時に同じ種
類のワークに対して、加工または洗浄を行うことができ
る。
【００１１】或る実施例では、偏光ビームスプリッタで
分割された２つのビームがともにｓ偏光となるようにワ
ークに入射される。したがって、同時に同じ種類のワー
クを洗浄でき、また１つのワークの両面を同時に洗浄す
ることができる。
分割された２つのビームがともにｓ偏光となるようにワ
ークに入射される。したがって、同時に同じ種類のワー
クを洗浄でき、また１つのワークの両面を同時に洗浄す
ることができる。
【００１２】他の実施例では、偏光ビームスプリッタで
分割される２つのビームがともにｐ偏光となるようにワ
ークに入射される。したがって、同時に同じ種類のワー
クを加工できる。
分割される２つのビームがともにｐ偏光となるようにワ
ークに入射される。したがって、同時に同じ種類のワー
クを加工できる。
【００１３】
【発明の効果】この発明によれば、偏光ビームスプリッ
タでレーザビームを２つの直線偏光に分割することがで
きるので、ｐ偏光またはｓ偏光を任意に利用することが
できる。
タでレーザビームを２つの直線偏光に分割することがで
きるので、ｐ偏光またはｓ偏光を任意に利用することが
できる。
【００１４】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１５】
【実施例】図１を参照して、この実施例のレーザ照射装
置１０はパルスレーザ発振器１２を含み、パルスレーザ
発振器１２から出力されたランダム偏光特性をもつレー
ザビームは可変式アッテネータ１４に入射される。な
お、エキシマレーザまたはＨｅ−Ｎｅなどのランダム偏
光特性をもつレーザビームが、パルスレーザ発振器１２
から出力される。可変式アッテネータ１４では、パルズ
レーザ発振器１２から与えられたレーザビームの強度が
調整される。可変式アッテネータ１４を透過したレーザ
ビームは、偏光ビームスプリッタ１６に入射される。偏
光ビームスプリッタ１６では、レーザビームが直交する
２つの直線偏光に分割される。つまり、レーザビームは
偏光ビームスプリッタ１６を透過して１／２波長板１８
に入射されるとともに、偏光ビームスプリッタ１６の表
面で反射され反射鏡（ミラー）２０に照射される。１／
２波長板１８に入射されたレーザビームは光軸に対して
９０度回転され、つまり偏光面が光軸に対して９０度回
転され、ワーク（図示せず）に入射される。一方、ミラ
ー２０で反射されたレーザビームはそのままワークに入
射される。
置１０はパルスレーザ発振器１２を含み、パルスレーザ
発振器１２から出力されたランダム偏光特性をもつレー
ザビームは可変式アッテネータ１４に入射される。な
お、エキシマレーザまたはＨｅ−Ｎｅなどのランダム偏
光特性をもつレーザビームが、パルスレーザ発振器１２
から出力される。可変式アッテネータ１４では、パルズ
レーザ発振器１２から与えられたレーザビームの強度が
調整される。可変式アッテネータ１４を透過したレーザ
ビームは、偏光ビームスプリッタ１６に入射される。偏
光ビームスプリッタ１６では、レーザビームが直交する
２つの直線偏光に分割される。つまり、レーザビームは
偏光ビームスプリッタ１６を透過して１／２波長板１８
に入射されるとともに、偏光ビームスプリッタ１６の表
面で反射され反射鏡（ミラー）２０に照射される。１／
２波長板１８に入射されたレーザビームは光軸に対して
９０度回転され、つまり偏光面が光軸に対して９０度回
転され、ワーク（図示せず）に入射される。一方、ミラ
ー２０で反射されたレーザビームはそのままワークに入
射される。
【００１６】また、図１に付した〜に対応する偏光
成分が、図２（Ａ）〜（Ｅ）に示される。なお、図２で
はＺ軸は紙面に対して直交する。図２（Ａ）に示すよう
に、パルスレーザ発振器１２から出力されたレーザビー
ムは、ｐ偏光成分とｓ偏光成分とを含む。可変式アッテ
ネータ１４でレーザビームの強度が調整されると、図２
（Ｂ）に示すようにｐ偏光成分に比べてｓ偏光成分が小
さくされる。なお、図２では、ｐ偏光成分とｓ偏光成分
との相対的な減衰比を示すために、ｐ偏光成分が減衰し
ていないように示しているが、実際にはｐ偏光成分も減
衰される。偏光ビームスプリッタ１６で反射され、ミラ
ー２０で反射されたレーザビームは、図２（Ｃ）に示す
ようなｓ偏光成分のレーザビームとなる。一方、偏光ビ
ームスプリッタ１６を透過したレーザビームは、図２
（Ｄ）に示すようなｐ偏光成分のレーザビームとなる。
このｐ偏光成分が１／２波長板１８で９０度回転され、
図２（Ｅ）に示すようなｓ偏光成分のレーザビームとな
る。
成分が、図２（Ａ）〜（Ｅ）に示される。なお、図２で
はＺ軸は紙面に対して直交する。図２（Ａ）に示すよう
に、パルスレーザ発振器１２から出力されたレーザビー
ムは、ｐ偏光成分とｓ偏光成分とを含む。可変式アッテ
ネータ１４でレーザビームの強度が調整されると、図２
（Ｂ）に示すようにｐ偏光成分に比べてｓ偏光成分が小
さくされる。なお、図２では、ｐ偏光成分とｓ偏光成分
との相対的な減衰比を示すために、ｐ偏光成分が減衰し
ていないように示しているが、実際にはｐ偏光成分も減
衰される。偏光ビームスプリッタ１６で反射され、ミラ
ー２０で反射されたレーザビームは、図２（Ｃ）に示す
ようなｓ偏光成分のレーザビームとなる。一方、偏光ビ
ームスプリッタ１６を透過したレーザビームは、図２
（Ｄ）に示すようなｐ偏光成分のレーザビームとなる。
このｐ偏光成分が１／２波長板１８で９０度回転され、
図２（Ｅ）に示すようなｓ偏光成分のレーザビームとな
る。
【００１７】図２（Ｂ）および（Ｃ）から分かるよう
に、ｐ偏光成分に比べてｓ偏光成分の減衰量が大きい。
つまり、このレーザ照射装置１０では、ランダム偏光特
性をもつレーザビームが可変式アッテネータ１４に入射
されると、可変式アッテネータ１４の偏光依存性によ
り、レーザビームの偏光方位によって透過率が異なる。
具体的には、可変式アッテネータ１４の透過率を１００
％に調整すると、ｐ偏光透過率とｓ偏光透過率とがほぼ
１対１の光量比に分割されるが、透過率を５０％に調整
すると、ｐ偏光透過率とｓ偏光透過率とがほぼ２対１の
光量比に分割される。このように、可変式アッテネータ
１４の透過率に応じて、ｐ偏光成分およびｓ偏光成分の
光量比が変わるので、ｐ偏光成分の大きさとｓ偏光成分
の大きさと異なってしまう。したがって、これを回避す
るため、このレーザ照射装置１０では、偏光ビームスプ
リッタ１６を光軸を中心に回転させることによって、エ
ネルギ比（光量比）を調整することができる。つまり、
ワークに照射される２つのレーザビームを検出し、検出
結果が等しくなるように偏光ビームスプリッタ１６を回
転させる。この実施例では、偏光ビームスプリッタ１６
はほぼ４５度回転される。したがって、２つのレーザビ
ームのエネルギ比を等しく（１：１に）することができ
る。
に、ｐ偏光成分に比べてｓ偏光成分の減衰量が大きい。
つまり、このレーザ照射装置１０では、ランダム偏光特
性をもつレーザビームが可変式アッテネータ１４に入射
されると、可変式アッテネータ１４の偏光依存性によ
り、レーザビームの偏光方位によって透過率が異なる。
具体的には、可変式アッテネータ１４の透過率を１００
％に調整すると、ｐ偏光透過率とｓ偏光透過率とがほぼ
１対１の光量比に分割されるが、透過率を５０％に調整
すると、ｐ偏光透過率とｓ偏光透過率とがほぼ２対１の
光量比に分割される。このように、可変式アッテネータ
１４の透過率に応じて、ｐ偏光成分およびｓ偏光成分の
光量比が変わるので、ｐ偏光成分の大きさとｓ偏光成分
の大きさと異なってしまう。したがって、これを回避す
るため、このレーザ照射装置１０では、偏光ビームスプ
リッタ１６を光軸を中心に回転させることによって、エ
ネルギ比（光量比）を調整することができる。つまり、
ワークに照射される２つのレーザビームを検出し、検出
結果が等しくなるように偏光ビームスプリッタ１６を回
転させる。この実施例では、偏光ビームスプリッタ１６
はほぼ４５度回転される。したがって、２つのレーザビ
ームのエネルギ比を等しく（１：１に）することができ
る。
【００１８】このため、１つのワークに対してｓ偏光成
分のレーザビームを入射する場合には、図３（Ａ）に示
すように、ワーク（ハードディスク（ＨＤ））の表面お
よび裏面を一度に洗浄することができる。また、同じ種
類の２つのワークに対してｓ偏光成分のレーザビームを
照射する場合には、２つのワークを同時に洗浄すること
もできる。このように、ワークを洗浄する場合には、ｓ
偏光成分を利用するようにしているが、これは実験によ
り得られた結果であり、ｓ偏光成分はワークに反射され
やすいためである。また、ｐ偏光成分はワークに吸収さ
れやすく、熱処理（アニーリング）などに適している。
分のレーザビームを入射する場合には、図３（Ａ）に示
すように、ワーク（ハードディスク（ＨＤ））の表面お
よび裏面を一度に洗浄することができる。また、同じ種
類の２つのワークに対してｓ偏光成分のレーザビームを
照射する場合には、２つのワークを同時に洗浄すること
もできる。このように、ワークを洗浄する場合には、ｓ
偏光成分を利用するようにしているが、これは実験によ
り得られた結果であり、ｓ偏光成分はワークに反射され
やすいためである。また、ｐ偏光成分はワークに吸収さ
れやすく、熱処理（アニーリング）などに適している。
【００１９】また、図１実施例では、偏光ビームスプリ
ッタ１６とワークとの間に１／２波長板１８を介挿した
が、１／２波長板１８をミラー２０とワークとの間に介
挿すると、ワークに対してｐ偏光成分のレーザビームを
入射することができる。したがって、図３（Ｂ）に示す
ように、２つのワーク（基板）を同時にアニーリングす
ることができる。つまり、２つの基板を同時に加工する
ことができる。なお、アニーリングの場合には、ワーク
の反射率が極小となるように、レーザビームを入射する
と、レーザビームの吸収効率が向上する。
ッタ１６とワークとの間に１／２波長板１８を介挿した
が、１／２波長板１８をミラー２０とワークとの間に介
挿すると、ワークに対してｐ偏光成分のレーザビームを
入射することができる。したがって、図３（Ｂ）に示す
ように、２つのワーク（基板）を同時にアニーリングす
ることができる。つまり、２つの基板を同時に加工する
ことができる。なお、アニーリングの場合には、ワーク
の反射率が極小となるように、レーザビームを入射する
と、レーザビームの吸収効率が向上する。
【００２０】さらに、偏光ビームスプリッタ１６とワー
クとの間に１／２波長板１８を介挿するとともに、ミラ
ー２０とワークとの間に１／２波長板を介挿すると、ｐ
偏光成分およびｓ偏光成分を得ることができる。
クとの間に１／２波長板１８を介挿するとともに、ミラ
ー２０とワークとの間に１／２波長板を介挿すると、ｐ
偏光成分およびｓ偏光成分を得ることができる。
【００２１】図４に示す他の実施例のレーザ照射装置１
０は、可変式アッテネータ１４と偏光ビームスプリッタ
１６との間に１／２波長板２２が介挿された以外は図１
実施例と同じであるため、重複した説明は省略する。な
お、図４に付した〜に対応するレーザビームの偏光
成分が、図５（Ａ）〜（Ｆ）に示してある。また、図５
においても図２と同様に、ｐ偏光成分とｓ偏光成分との
相対的な減衰比を示すため、ｐ偏光成分が減衰していな
いように示しているが、実際にはｐ偏光成分も減衰され
る。
０は、可変式アッテネータ１４と偏光ビームスプリッタ
１６との間に１／２波長板２２が介挿された以外は図１
実施例と同じであるため、重複した説明は省略する。な
お、図４に付した〜に対応するレーザビームの偏光
成分が、図５（Ａ）〜（Ｆ）に示してある。また、図５
においても図２と同様に、ｐ偏光成分とｓ偏光成分との
相対的な減衰比を示すため、ｐ偏光成分が減衰していな
いように示しているが、実際にはｐ偏光成分も減衰され
る。
【００２２】このレーザ照射装置１０では、１／２波長
板２２によって可変式アッテネータ１４を通過したレー
ザビームの分割比が調整される。つまり、上述のような
可変式アッテネータ１４の偏光依存性による光量比の誤
差が吸収される。したがって、偏光ビームスプリッタ１
６で分割された直線偏光のエネルギ比（光量比）が１：
１に調整される。なお、偏光ビームスプリッタ１６の分
割比に誤差が生じる場合には、図１実施例と同様にワー
クに照射される２つのレーザビームを検出し、検出結果
に応じて１／２波長板２２を光軸を中心に微妙に回転さ
せることによって、エネルギ比を調整することができ
る。
板２２によって可変式アッテネータ１４を通過したレー
ザビームの分割比が調整される。つまり、上述のような
可変式アッテネータ１４の偏光依存性による光量比の誤
差が吸収される。したがって、偏光ビームスプリッタ１
６で分割された直線偏光のエネルギ比（光量比）が１：
１に調整される。なお、偏光ビームスプリッタ１６の分
割比に誤差が生じる場合には、図１実施例と同様にワー
クに照射される２つのレーザビームを検出し、検出結果
に応じて１／２波長板２２を光軸を中心に微妙に回転さ
せることによって、エネルギ比を調整することができ
る。
【００２３】１／２波長板２２では、図５（Ｃ）に示す
ように、可変式アッテネータ１４から出力されたレーザ
ビームが光軸を中心にほぼ４５度回転される。この４５
度に回転されたレーザビームが、偏光ビームスプリッタ
１６を透過するとともに、偏光ビームスプリッタ１６で
反射される。したがって、偏光ビームスプリッタ１６を
透過したｐ偏光成分のレーザビームは図５（Ｅ）のよう
に示され、偏光ビームスプリッタ１６で反射され、ミラ
ー２０で反射されたｓ偏光成分のレーザビームが図５
（Ｄ）のように示される。また、偏光ビームスプリッタ
１６を透過したレーザビームは、図５（Ｆ）に示すよう
に、１／２波長板１８で光軸に対して９０度回転され、
ワークに入射される。図４（Ｄ）および（Ｆ）から分か
るように、１／２波長板２２で分割比が調整されること
によって、ワークに入射される２つのレーザビームのエ
ネルギ比がほぼ１：１に調整される。したがって、上述
の実施例と同様に、１つのワークの表面および裏面を一
度に洗浄することができ、また同じ種類の２つのワーク
を同時に洗浄することができる。
ように、可変式アッテネータ１４から出力されたレーザ
ビームが光軸を中心にほぼ４５度回転される。この４５
度に回転されたレーザビームが、偏光ビームスプリッタ
１６を透過するとともに、偏光ビームスプリッタ１６で
反射される。したがって、偏光ビームスプリッタ１６を
透過したｐ偏光成分のレーザビームは図５（Ｅ）のよう
に示され、偏光ビームスプリッタ１６で反射され、ミラ
ー２０で反射されたｓ偏光成分のレーザビームが図５
（Ｄ）のように示される。また、偏光ビームスプリッタ
１６を透過したレーザビームは、図５（Ｆ）に示すよう
に、１／２波長板１８で光軸に対して９０度回転され、
ワークに入射される。図４（Ｄ）および（Ｆ）から分か
るように、１／２波長板２２で分割比が調整されること
によって、ワークに入射される２つのレーザビームのエ
ネルギ比がほぼ１：１に調整される。したがって、上述
の実施例と同様に、１つのワークの表面および裏面を一
度に洗浄することができ、また同じ種類の２つのワーク
を同時に洗浄することができる。
【００２４】また、図１実施例と同様に、１／２波長板
１８をミラー２０とワークとの間に介挿した場合には、
ほぼ１：１のエネルギ比のｐ偏光成分のレーザビームを
得ることができる。したがって、同じ種類の２つのワー
クを同時に加工することができる。
１８をミラー２０とワークとの間に介挿した場合には、
ほぼ１：１のエネルギ比のｐ偏光成分のレーザビームを
得ることができる。したがって、同じ種類の２つのワー
クを同時に加工することができる。
【００２５】さらに、図１実施例と同様に、偏光ビーム
スプリッタ１６とワークとの間に１／２波長板１８を介
挿するとともに、ミラー２０とワークとの間に１／２波
長板を介挿すると、ｐ偏光成分およびｓ偏光成分を得る
ことができる。
スプリッタ１６とワークとの間に１／２波長板１８を介
挿するとともに、ミラー２０とワークとの間に１／２波
長板を介挿すると、ｐ偏光成分およびｓ偏光成分を得る
ことができる。
【００２６】これらの実施例によれば、ｐ偏光成分およ
びｓ偏光成分のレーザビームを任意に利用することがで
きる。
びｓ偏光成分のレーザビームを任意に利用することがで
きる。
【００２７】なお、これらの実施例では、偏光ビームス
プリッタ１６をｐ偏光成分が透過する場合について示し
たが、偏光ビームスプリッタ１６を光軸を中心に９０度
回転させることによって、ｓ偏光成分が透過するように
することもできる。
プリッタ１６をｐ偏光成分が透過する場合について示し
たが、偏光ビームスプリッタ１６を光軸を中心に９０度
回転させることによって、ｓ偏光成分が透過するように
することもできる。
【図１】この発明の一実施例を示す図解図である。
【図２】図１実施例に示す各光路におけるレーザビーム
の偏光成分を示す図解図である。
の偏光成分を示す図解図である。
【図３】この発明の適用例を示す図解図である。
【図４】この発明の他の実施例を示す図解図である。
【図５】図３に示す各光路におけるレーザビームの偏光
成分を示す図解図である。
成分を示す図解図である。
１０ …レーザ照射装置 １２ …パルスレーザ発振器 １４ …可変式アッテネータ １６ …偏光ビームスプリッタ １８，２２ …１／２波長板 ２０ …ミラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原 裕紀 兵庫県伊丹市奥畑５丁目10番地 株式会社 クボタ内 (72)発明者 井町 弘 兵庫県伊丹市奥畑５丁目10番地 株式会社 クボタ内 Ｆターム(参考） 3B116 AA02 AA03 BC01 4E068 AC00 CA04 CB10 CD04 CD05 CD08 DA11
Claims (6)
- 【請求項１】ランダム偏光特性をもつレーザビームを出
力するパルスレーザ発振器、 前記レーザビームのエネルギを制御する可変式アッテネ
ータ、 前記可変式アッテネータを通過したレーザビームの偏光
成分を直交する直線偏光に分割する偏光ビームスプリッ
タ、および少なくとも１枚の１／２波長板を備え、 前記パルスレーザ発振器から出力されたレーザビームが
前記可変式アッテネータを透過し、その透過レーザビー
ムを前記偏光ビームスプリッタで２つのビームに分割
し、分割されたビームの少なくとも一方のビームの偏光
面を前記１／２波長板によって任意の偏光方位に調整
し、さらに前記偏光ビームスプリッタによってｐ偏光成
分およびｓ偏光成分がほぼ１：１の分割エネルギ比で分
割されるようにした、レーザ照射装置。 - 【請求項２】前記偏光ビームスプリッタの方位を光軸を
中心として４５度回転させることによって前記分割エネ
ルギ比を設定する、請求項１記載のレーザ照射装置。 - 【請求項３】前記可変式アッテネータと前記偏光ビーム
スプリッタとの間に１／２波長板を介挿することによっ
て前記分割エネルギ比を設定する、請求項１記載のレー
ザ照射装置。 - 【請求項４】ランダム偏光特性をもつレーザビームを出
力するパルスレーザ発振器、 前記レーザビームのエネルギを制御する可変式アッテネ
ータ、 前記可変式アッテネータを透過したレーザビームを受け
る第１の１／２波長板、 前記第１の１／２波長板を通過したレーザビームの偏光
成分を直交する直線偏光に分割するための偏光ビームス
プリッタ、および前記偏光ビームスプリッタによって分
割されたｐ偏光成分およびｓ偏光成分の一方を受ける第
２の１／２波長板を備える、レーザ照射装置。 - 【請求項５】前記偏光ビームスプリッタによって分割し
た２つのビームがともにｓ偏光となるようにワークに入
射するようにした、請求項１ないし４のいずれかに記載
のレーザ照射装置。 - 【請求項６】前記偏光ビームスプリッタによって分割し
た２つのビームがともにｐ偏光となるようにワークに入
射するようにした、請求項１ないし４のいずれかに記載
のレーザ照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11178746A JP2001009397A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | レーザ照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11178746A JP2001009397A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | レーザ照射装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001009397A true JP2001009397A (ja) | 2001-01-16 |
Family
ID=16053872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11178746A Withdrawn JP2001009397A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | レーザ照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001009397A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013248659A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Micronics Japan Co Ltd | 照射装置及び照射方法 |
| CN116140816A (zh) * | 2023-03-09 | 2023-05-23 | 深圳铭创智能装备有限公司 | 激光3d蚀刻清洗设备 |
-
1999
- 1999-06-24 JP JP11178746A patent/JP2001009397A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013248659A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Micronics Japan Co Ltd | 照射装置及び照射方法 |
| CN116140816A (zh) * | 2023-03-09 | 2023-05-23 | 深圳铭创智能装备有限公司 | 激光3d蚀刻清洗设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060905 |