JP2001007499A - ディップ半田付け方法 - Google Patents
ディップ半田付け方法Info
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- JP2001007499A JP2001007499A JP11176871A JP17687199A JP2001007499A JP 2001007499 A JP2001007499 A JP 2001007499A JP 11176871 A JP11176871 A JP 11176871A JP 17687199 A JP17687199 A JP 17687199A JP 2001007499 A JP2001007499 A JP 2001007499A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路基板に対してクリップ型リ−ドを半田浸
漬法で簡単且つ確実に半田付けすることが困難であっ
た。 【解決手段】 回路基板３の少なくなくともリ−ド５の
結合部を囲むことができる筒状体１０を用意する。筒状
体１０と基板３のリ−ド結合部をほぼ同時に液状半田７
に浸漬する。液状半田７は筒状体１０で区画されるので
液状半田７の表面の波の影響が筒状体１０の内部に及ば
ない。また、筒状体１０を液状半田７に挿入すると、筒
状体１０の内部に半田の流れが生じ、表面の半田酸化膜
が分散し、半田付けが良好に達成される。
漬法で簡単且つ確実に半田付けすることが困難であっ
た。 【解決手段】 回路基板３の少なくなくともリ−ド５の
結合部を囲むことができる筒状体１０を用意する。筒状
体１０と基板３のリ−ド結合部をほぼ同時に液状半田７
に浸漬する。液状半田７は筒状体１０で区画されるので
液状半田７の表面の波の影響が筒状体１０の内部に及ば
ない。また、筒状体１０を液状半田７に挿入すると、筒
状体１０の内部に半田の流れが生じ、表面の半田酸化膜
が分散し、半田付けが良好に達成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、クリップ型リ−ド
を有する電子部品の半田付けに好適なディップ半田付け
方法に関する。
を有する電子部品の半田付けに好適なディップ半田付け
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１に示すように回路基板装置１とし
て、回路素子２が実装された回路基板３の端子電極４に
クリップ型リ−ド５を接続したものが知られている。こ
の回路基板装置１において、クリップ型リ−ド５を端子
電極４に半田付けする際には、クリップ型リ−ド５で基
板３を挟み込み、これを図２に示すように槽６の中の溶
融液状半田７に浸漬即ちディップし、図１で破線で概略
的に示すように半田８を付着させる。リ−ド５をともな
った基板３の液状半田７への浸漬の深さは、リ−ド５の
上端またはこの近傍迄である。なお、半田はリ−ド５の
棒状導出部にも付着するが、図１では省略されている。
図２には、半田槽６の中に液状半田７を単に入れた静止
半田槽を使用した半田付け方法が示されているが、この
他に超音波印加方式や噴流方式の半田付け方法もある。
て、回路素子２が実装された回路基板３の端子電極４に
クリップ型リ−ド５を接続したものが知られている。こ
の回路基板装置１において、クリップ型リ−ド５を端子
電極４に半田付けする際には、クリップ型リ−ド５で基
板３を挟み込み、これを図２に示すように槽６の中の溶
融液状半田７に浸漬即ちディップし、図１で破線で概略
的に示すように半田８を付着させる。リ−ド５をともな
った基板３の液状半田７への浸漬の深さは、リ−ド５の
上端またはこの近傍迄である。なお、半田はリ−ド５の
棒状導出部にも付着するが、図１では省略されている。
図２には、半田槽６の中に液状半田７を単に入れた静止
半田槽を使用した半田付け方法が示されているが、この
他に超音波印加方式や噴流方式の半田付け方法もある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】静止半田槽による半田
付けは、超音波印加方式や噴流方式に比べて設備が簡単
であるという特長を有しているが、次の問題点を有す
る。 （１） 時間経過に伴い、液状半田の表面に酸化膜が形
成される。この酸化膜を除去するためには、金属製のへ
ら等で掻き取ることが必要になる。 （２） へら等で酸化膜を除去すると、液状半田の表面
に波が生じ、この波が短時間のうちに減衰しない。も
し、波が高い状態で回路基板３を液状半田７に浸漬する
と、リ−ド５の半田付け部分よりも上に液状半田が到達
し、電子部品２との相互間に付着してショ−トが生じる
おそれ、または電子部品２の半田付け部分が溶融して電
子部品２の落下が生じるおそれがある。 （３） 上記（２）の問題点を考慮して基板３の浸漬の
深さを浅くすると、半田付け不良が生じるおそれがあ
る。
付けは、超音波印加方式や噴流方式に比べて設備が簡単
であるという特長を有しているが、次の問題点を有す
る。 （１） 時間経過に伴い、液状半田の表面に酸化膜が形
成される。この酸化膜を除去するためには、金属製のへ
ら等で掻き取ることが必要になる。 （２） へら等で酸化膜を除去すると、液状半田の表面
に波が生じ、この波が短時間のうちに減衰しない。も
し、波が高い状態で回路基板３を液状半田７に浸漬する
と、リ−ド５の半田付け部分よりも上に液状半田が到達
し、電子部品２との相互間に付着してショ−トが生じる
おそれ、または電子部品２の半田付け部分が溶融して電
子部品２の落下が生じるおそれがある。 （３） 上記（２）の問題点を考慮して基板３の浸漬の
深さを浅くすると、半田付け不良が生じるおそれがあ
る。
【０００４】そこで、本発明の目的は、簡単な設備によ
って半田付けを良好に行うことができるディップ半田付
け方法を提供することにある。
って半田付けを良好に行うことができるディップ半田付
け方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するための本発明は、物品の少なくとも被半
田付け部分を筒状体で包囲し、前記筒状体の下側から液
状半田を前記被半田付け部分まで浸入させて前記被半田
付け部分の半田付けを行うディップ半田付け方法に係わ
るものである。
目的を達成するための本発明は、物品の少なくとも被半
田付け部分を筒状体で包囲し、前記筒状体の下側から液
状半田を前記被半田付け部分まで浸入させて前記被半田
付け部分の半田付けを行うディップ半田付け方法に係わ
るものである。
【０００６】なお、請求項２に示すように、筒状体を液
状半田に浸漬し、この直後に被半田付け部分を液状半田
に浸漬することができる。また、請求項３に示すよう
に、筒状体の半田浸漬の前に液状半田の表面の酸化膜を
除去することが望ましい。
状半田に浸漬し、この直後に被半田付け部分を液状半田
に浸漬することができる。また、請求項３に示すよう
に、筒状体の半田浸漬の前に液状半田の表面の酸化膜を
除去することが望ましい。
【０００７】
【発明の効果】各請求項の発明によれば、被半田付け部
分を筒状体で囲んで半田浸漬を行うので、液状半田の波
の影響を軽減した半田付けが可能になり、必要以上の半
田浸漬を抑制することができる。また、筒状体の浸漬に
よって液状半田の局部的流動が生じて液状半田の表面の
酸化膜除去又は低減効果を得ることができる。
分を筒状体で囲んで半田浸漬を行うので、液状半田の波
の影響を軽減した半田付けが可能になり、必要以上の半
田浸漬を抑制することができる。また、筒状体の浸漬に
よって液状半田の局部的流動が生じて液状半田の表面の
酸化膜除去又は低減効果を得ることができる。
【０００８】
【実施形態及び実施例】次に、図３〜図６を参照して本
発明の実施形態及び実施例を説明する。
発明の実施形態及び実施例を説明する。
【０００９】図３は図１に示す回路基板装置１と同一の
物品の半田付け装置を概略的に示す。この実施例におい
ても、回路基板装置１のクリップ型リ−ド５を基板３の
電極４（図３では図示せず）に半田付けするために、図
２と同様に槽６に溶融液状半田７を入れたものを用意す
る。また、本発明に従う筒状体１０も用意する。この筒
状体１０は液状半田７の温度に耐え且つ半田が付着し難
い材料から成る。図４に示すようにこの実施例の筒状体
１０は、３個の回路基板装置１を同時に囲むことができ
るように平面形状長方形に形成されている。回路基板装
置１における図１の半田８を付着させる部分即ち被半田
付け部分と筒状体１０の内壁との最短距離は、回路基板
３とリ−ド５の接続部との合計の厚さの１〜５０倍また
は１〜５０ｍｍ程度に決定される。また、図４の筒状体
１０の縦幅Ｌ1 および横幅Ｌ2 は、平面形状が長方形の
半田槽６の内壁と筒状体１０の外周面との間に縦幅Ｌ1
以上の間隙が生じるように決定される。また、筒状体１
０の厚みＴ1 は比較的薄い例えば０・５〜１０ｍｍ程度
に決定される。また、筒状体１０の長さは、回路基板装
置１０の少なくとも被半田付け部分を囲むことができる
ように決定される。
物品の半田付け装置を概略的に示す。この実施例におい
ても、回路基板装置１のクリップ型リ−ド５を基板３の
電極４（図３では図示せず）に半田付けするために、図
２と同様に槽６に溶融液状半田７を入れたものを用意す
る。また、本発明に従う筒状体１０も用意する。この筒
状体１０は液状半田７の温度に耐え且つ半田が付着し難
い材料から成る。図４に示すようにこの実施例の筒状体
１０は、３個の回路基板装置１を同時に囲むことができ
るように平面形状長方形に形成されている。回路基板装
置１における図１の半田８を付着させる部分即ち被半田
付け部分と筒状体１０の内壁との最短距離は、回路基板
３とリ−ド５の接続部との合計の厚さの１〜５０倍また
は１〜５０ｍｍ程度に決定される。また、図４の筒状体
１０の縦幅Ｌ1 および横幅Ｌ2 は、平面形状が長方形の
半田槽６の内壁と筒状体１０の外周面との間に縦幅Ｌ1
以上の間隙が生じるように決定される。また、筒状体１
０の厚みＴ1 は比較的薄い例えば０・５〜１０ｍｍ程度
に決定される。また、筒状体１０の長さは、回路基板装
置１０の少なくとも被半田付け部分を囲むことができる
ように決定される。
【００１０】回路基板装置１の半田浸漬を容易に行うた
めに、回路基板装置１の保持及び移動装置１１と、半田
槽６の昇降装置１２と、筒状体支持ア−ム１３と、スト
ッパ１４とが設けられている。保持及び移動装置１１
は、回路基板３の主面が垂直即ち鉛直になるように回路
基板３の上端を保持する。昇降装置12は、半田槽６を半
田浸漬可能位置まで上昇させ、その後降下させる。
めに、回路基板装置１の保持及び移動装置１１と、半田
槽６の昇降装置１２と、筒状体支持ア−ム１３と、スト
ッパ１４とが設けられている。保持及び移動装置１１
は、回路基板３の主面が垂直即ち鉛直になるように回路
基板３の上端を保持する。昇降装置12は、半田槽６を半
田浸漬可能位置まで上昇させ、その後降下させる。
【００１１】半田浸漬を行う際には、図３に示すように
鉛直方向に延びるように配置された筒状体１０の中に回
路基板装置１の一部を位置決めする。また溶融液状半田
７の表面の半田酸化膜をへら等で掻き取ることによって
除去する。この半田酸化膜の除去作業を行うと液状半田
７の表面に波が立つ。次に、回路基板装置１及び筒状体
１０が液状半田７から離間している状態から半田槽６を
ストッパ１４まで上昇させる。これにより、回路基板装
置１の下方及び筒状体１０が液状半田７に浸漬される。
筒状体１０の下端１０ａは開放端であるため、液状半田
７が上昇すると、筒状体１０の内部に液状半田７が浸入
し、被半田付け部分としてのリ−ド５の上端までの半田
浸漬が達成される。しかる後、半田槽６を降下させ、半
田浸漬状態を解除する。
鉛直方向に延びるように配置された筒状体１０の中に回
路基板装置１の一部を位置決めする。また溶融液状半田
７の表面の半田酸化膜をへら等で掻き取ることによって
除去する。この半田酸化膜の除去作業を行うと液状半田
７の表面に波が立つ。次に、回路基板装置１及び筒状体
１０が液状半田７から離間している状態から半田槽６を
ストッパ１４まで上昇させる。これにより、回路基板装
置１の下方及び筒状体１０が液状半田７に浸漬される。
筒状体１０の下端１０ａは開放端であるため、液状半田
７が上昇すると、筒状体１０の内部に液状半田７が浸入
し、被半田付け部分としてのリ−ド５の上端までの半田
浸漬が達成される。しかる後、半田槽６を降下させ、半
田浸漬状態を解除する。
【００１２】上述の方法でリ−ド５を基板３の電極４に
半田付けすると、次の作用効果が得られる。 （１） 溶融液状半田７の一部が、槽６の開口面積より
も十分に狭い開口面積を有する筒状体１０によって区画
され且つ半田７の表面張力による液面波抑制効果が生じ
るので、半田酸化膜の除去等で半田７の表面に波が生じ
ても、筒状体１０の内部に筒状体１０の外側の液状半田
７の波が実質的に及ばない。このため、溶融液状半田７
がリ−ド５の上端またはこの近傍まで比較的正確に付着
し、必要以上に回路基板装置１の上方に及ばない。従っ
て、半田による回路素子２の相互間短絡の発生及び回路
素子２を固着している半田の溶融による回路素子２の落
下の発生を抑えることができる。また、必要量の半田を
十分に供給してリ−ド５の電極４に対する半田付けを確
実に達成することができる。また、半田７の表面波の減
衰を待たずに半田浸漬を進めることができるので、作業
性が向上する。 （２） 図６で矢印２０で示すように筒状体１０を液状
半田７に相対的に移動するので、図６の矢印２１に示す
ように液状半田７の表面を巻き込むような半田の流動が
生じ、表面酸化膜の分散が生じ、回路基板装置１の被半
田付け部分の半田付けが酸化膜の少ない状態で達成さ
れ、半田付けの信頼性が向上する。 （３） 図６に示すような筒状体１０の内部で局部的に
半田の流動が生じ、半田の濡れ拡がりが生じ、噴流式半
田付け方法と同様に濡れ性向上の効果を得ることができ
る。従って、筒状体１０を使用するという簡単な設備に
よって噴流式半田付け方法と同様な効果が得られる。
半田付けすると、次の作用効果が得られる。 （１） 溶融液状半田７の一部が、槽６の開口面積より
も十分に狭い開口面積を有する筒状体１０によって区画
され且つ半田７の表面張力による液面波抑制効果が生じ
るので、半田酸化膜の除去等で半田７の表面に波が生じ
ても、筒状体１０の内部に筒状体１０の外側の液状半田
７の波が実質的に及ばない。このため、溶融液状半田７
がリ−ド５の上端またはこの近傍まで比較的正確に付着
し、必要以上に回路基板装置１の上方に及ばない。従っ
て、半田による回路素子２の相互間短絡の発生及び回路
素子２を固着している半田の溶融による回路素子２の落
下の発生を抑えることができる。また、必要量の半田を
十分に供給してリ−ド５の電極４に対する半田付けを確
実に達成することができる。また、半田７の表面波の減
衰を待たずに半田浸漬を進めることができるので、作業
性が向上する。 （２） 図６で矢印２０で示すように筒状体１０を液状
半田７に相対的に移動するので、図６の矢印２１に示す
ように液状半田７の表面を巻き込むような半田の流動が
生じ、表面酸化膜の分散が生じ、回路基板装置１の被半
田付け部分の半田付けが酸化膜の少ない状態で達成さ
れ、半田付けの信頼性が向上する。 （３） 図６に示すような筒状体１０の内部で局部的に
半田の流動が生じ、半田の濡れ拡がりが生じ、噴流式半
田付け方法と同様に濡れ性向上の効果を得ることができ
る。従って、筒状体１０を使用するという簡単な設備に
よって噴流式半田付け方法と同様な効果が得られる。
【００１３】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 筒状体１０と回路基板装置１とを液状半田７に
実質的に同時に浸漬しないで、筒状体１０と回路基板装
置１とを独立に変位させる構成とし、筒状体１０を半田
浸漬した直後好ましくは１〜６０秒以内に回路基板装置
１の被半田付け部分を半田浸漬することができる。この
変形された方法によっても、実施例と同一の効果を得る
ことができる。また、回路基板装置１の一部を筒状体１
０よりも僅かに早く液状半田７に浸漬させるように変形
することもできる。 （２） 複数の回路基板３の主面が互いに平行になるよ
うに複数の回路基板装置１を筒状体１０の中に配置する
ことができる。 （３） 筒状体１０を円筒状に形成することができる。 （４） 半田付け対象製品を回路基板装置１以外の電子
部品または電子装置等とすることができる。 （５） 半田槽６を昇降しないで、回路基板装置１及び
筒状体１０を昇降させることができる。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 筒状体１０と回路基板装置１とを液状半田７に
実質的に同時に浸漬しないで、筒状体１０と回路基板装
置１とを独立に変位させる構成とし、筒状体１０を半田
浸漬した直後好ましくは１〜６０秒以内に回路基板装置
１の被半田付け部分を半田浸漬することができる。この
変形された方法によっても、実施例と同一の効果を得る
ことができる。また、回路基板装置１の一部を筒状体１
０よりも僅かに早く液状半田７に浸漬させるように変形
することもできる。 （２） 複数の回路基板３の主面が互いに平行になるよ
うに複数の回路基板装置１を筒状体１０の中に配置する
ことができる。 （３） 筒状体１０を円筒状に形成することができる。 （４） 半田付け対象製品を回路基板装置１以外の電子
部品または電子装置等とすることができる。 （５） 半田槽６を昇降しないで、回路基板装置１及び
筒状体１０を昇降させることができる。
【図１】回路基板装置の一部を示す側面図である。
【図２】従来のディップ半田付け装置を示す一部切欠正
面図である。
面図である。
【図３】本発明の実施例のディップ半田付け装置を示す
一部切欠正面図である。
一部切欠正面図である。
【図４】本発明の実施例の筒状体と回路基板装置との関
係を概略的に示す平面図である。
係を概略的に示す平面図である。
【図５】図４の筒状体と回路基板装置の正面図である。
【図６】筒状体の中の半田の動きを示す断面図である。
１ 回路基板装置 ２ 回路素子 ３ 基板 ４ 電極 ５ クリップ型リ−ド ６ 半田槽 ７ 液状半田 １０ 筒状体
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２３Ｋ 3/00 ３１０ Ｂ２３Ｋ 3/00 ３１０Ｐ Ｈ０１Ｒ 43/02 Ｈ０１Ｒ 43/02 Ａ Ｆターム(参考） 4E080 AA01 AB03 BA09 DA04 EA02 EA05 5E051 LA06 LB06 5E319 AB01 CC23 GG20
Claims (3)
- 【請求項１】 物品の少なくとも被半田付け部分を筒状
体で包囲し、前記筒状体の下側から液状半田を前記被半
田付け部分まで浸入させて前記被半田付け部分の半田付
けを行うことを特徴とするディップ半田付け方法。 - 【請求項２】 筒状体の一部を液状半田に浸漬して前記
筒状体の中に半田を浸入させ、この直後に物品の被半田
付け部分を前記筒状体の中の半田に浸漬して前記被半田
付け部分の半田付けを行うことを特徴とするディップ半
田付け方法。 - 【請求項３】 前記筒状体に半田を浸入させる前に、液
状半田の表面に形成されている酸化膜を除去することを
特徴とする請求項１または２記載のディップ半田付け方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11176871A JP2001007499A (ja) | 1999-06-23 | 1999-06-23 | ディップ半田付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11176871A JP2001007499A (ja) | 1999-06-23 | 1999-06-23 | ディップ半田付け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001007499A true JP2001007499A (ja) | 2001-01-12 |
Family
ID=16021258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11176871A Withdrawn JP2001007499A (ja) | 1999-06-23 | 1999-06-23 | ディップ半田付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001007499A (ja) |
-
1999
- 1999-06-23 JP JP11176871A patent/JP2001007499A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060905 |