JP2001007348A - ダイヤモンド半導体デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
たダイヤモンド半導体デバイス及びその製造方法を提供
する。 【解決手段】 ホウ素ドープした高圧合成ダイヤモンド
又は天然のIIb型ダイヤモンドから形成されたp型ダ
イヤモンド半導体結晶2上に、例えばプラズマCVD法
によってドナー原子となるイオウをドープしたn型ダイ
ヤモンド半導体結晶層4を成長させてpn接合6を形成
したものである。このpn接合は500℃という高温下
でも良好な整流作用を示す。
Description
動作する半導体デバイスに利用し、特に高温で整流作用
するpn接合を形成したダイヤモンド半導体デバイス及
びその製造方法に関する。
広いバンドギャップを持つ極めて特殊な半導体結晶であ
り、このバンドギャップが広いことから、シリコンデバ
イスにみられるような熱による半導体特性の変化が少な
いため、かなりの高温で動作するデバイス作製が可能で
ある。
ないことから良質のn型のダイヤモンド半導体を得るの
が困難であり、したがって、その応用に限界があり、と
くにpn接合を用いた実用デバイスは作製できなかっ
た。p型ダイヤモンド半導体に関しては非常に高品質な
ダイヤモンド半導体薄膜が得られている。その代表的な
特性である正孔移動度は1500cm2 V-1s-1程度の
ものが再現性よく得られており、高速、大電流デバイス
の作製に十分なものである。
する最大の解決課題となっていたn型ダイヤモンド半導
体の合成が本発明者らにより提案されている(特願平1
1−124682号)。この提案では、マイクロ波プラ
ズマCVDにおいてイオウ化合物、代表的には硫化水素
を添加することによってダイヤモンド半導体結晶中にイ
オウ原子をドナーとして導入し、これにより良質なn型
ダイヤモンド半導体が得られている。その代表的な特性
である電子移動度は約600cm2 V-1s-1であり、活
性化エネルギー(不純物レベル)は0.38eV程度で
ある。現在のところp型ダイヤモンド半導体のものには
及ばないが十分にデバイスに適応することができる。
好なpn接合を形成したダイヤモンド半導体デバイスは
得られていない。そこで、この発明は高温であっても整
流可能なpn接合を形成したダイヤモンド半導体デバイ
ス及びその製造方法を提供することを目的とする。
に、この発明のうち請求項1記載の発明のダイヤモンド
半導体デバイスは、ドナー原子がイオウであるn型ダイ
ヤモンド半導体とp型ダイヤモンド半導体とが原子オー
ダーの急峻さでpn接合した構造を備える構成とした。
また、請求項2記載の発明は、上記構成に加え、ドナー
原子濃度が1013/cm3 〜1021/ cm3 の範囲であ
ることを特徴とするものである。請求項3記載の発明
は、pn接合が整流特性を有していることを特徴とする
ものである。請求項4記載の発明は、前記p型ダイヤモ
ンド半導体がアクセプター原子としてホウ素をドープし
たp型半導体であることを特徴とするものである。請求
項5記載の発明は、p型ダイヤモンド半導体がホウ素を
ドープした高圧合成ダイヤモンドであることを特徴とす
る。また請求項6記載の発明は、p型ダイヤモンド半導
体が天然のIIb型ダイヤモンドであることを特徴とす
る。さらに請求項7記載の発明は、n型ダイヤモンド半
導体とp型ダイヤモンド半導体とを絶縁体ダイヤモンド
基板に積層した構造を有することを特徴とする。
ド半導体デバイスでは良質かつ急峻なpn接合を有し、
非常に良好な整流作用を示す。さらに500℃の高温下
でも整流作用を示し、高温動作するpn接合ダイオード
の製作が可能になる。
イヤモンド半導体デバイス製造方法は、原料ガスの活性
化に基づき薄膜が成長する気相合成法において、p型ダ
イヤモンド半導体結晶層を形成する第1工程と、ドナー
原子がイオウであるn型ダイヤモンド半導体結晶層を形
成する第2工程とを備え、原子オーダーの急峻さでpn
接合した構造を形成することを特徴とする。請求項9記
載の発明は、上記構成に加え、第1工程において、p型
ダイヤモンド半導体結晶のドーパントがホウ素であっ
て、ホウ素とp型ダイヤモンド半導体結晶の構成原子の
ソースとなる炭化水素の炭素との比が20〜20000
ppmであることを特徴とする。また請求項10記載の
発明は、上記第2工程において、イオウとダイヤモンド
半導体結晶の構成原子のソースとなる炭化水素の炭素と
の比が1000〜10000ppmであることを特徴と
するものである。さらに請求項11記載の発明は、気相
合成法において、原料ガスの活性化に電気、熱及び光の
うち少なくとも一種類を使用したことを特徴とする。
ド半導体デバイスの製造方法では、ドナー原子となるイ
オウをドープした良質のn型ダイヤモンド半導体を元に
pn接合を形成しているので、良質かつ急峻なpn接合
デバイスが製造できる。
発明による好適な実施の形態を説明する。図1(a)〜
(c)は本発明に係るpn接合を形成したダイヤモンド
半導体デバイスの概略断面図である。図1(a)を参照
すると、この発明のダイヤモンド半導体デバイス10
は、ホウ素ドープした高圧合成ダイヤモンド又は天然の
IIb型ダイヤモンドから形成されたp型ダイヤモンド
半導体結晶2上に、例えばプラズマCVD法によってド
ナー原子となるイオウをドープしたn型ダイヤモンド半
導体結晶層4を成長させてpn接合6を形成したもので
ある。
は、例えば50kbar、1500℃以上の超高圧高温
法により作製可能であり、また天然に産出するIIb型
と呼ばれるダイヤモンド結晶はホウ素を含み、p型のダ
イヤモンド半導体である。
イス20は、通常の合成ダイヤモンド又は天然ダイヤモ
ンドから形成した絶縁体ダイヤモンド基板3上に、例え
ばプラズマCVD法で形成されたホウ素ドープしたp型
ダイヤモンド半導体結晶層5と、この上に例えばプラズ
マCVD法によってイオウドープしたn型ダイヤモンド
半導体結晶層7を成長させてpn接合8を形成したもの
である。図1(c)に示すダイヤモンド半導体デバイス
30は、図1(b)に示したダイヤモンド半導体デバイ
ス20の導電型を逆にして形成されたものである。
1μm程度であるが、1nm程度以上であればよい。ま
たドープされたホウ素濃度は1013cm-3以上であれば
よく、上限は1021cm-3程度である。ホウ素ドープし
た高圧合成ダイヤモンド又は天然のIIb型ダイヤモン
ドで形成されたp型ダイヤモンド半導体結晶では厚さが
500μm程度であるが、形成可能な厚さでもよい。ま
たホウ素濃度はp型ダイヤモンド半導体を呈すればよ
く、1013cm-3以上であればよい。
7は厚さが1μm程度であるが、1nm程度以上であれ
ばよい。またドナーとしてドープされたイオウ濃度は1
013cm-3以上であり、上限は1021cm-3程度であ
る。
1,23,31,33は電極を示す。これらの電極はダ
イヤモンド上にチタン(Ti)を蒸着し、そのチタンの
酸化防止のため、さらにその上に金(Au)を蒸着して
電極としたものである。なお、図1(b)、(c)の電
極23,33は絶縁体ダイヤモンド基板の裏面側(露出
側)に形成されていてもよい。
イスの特性について説明する。図2は図1(b)で示し
たダイヤモンド半導体デバイスにおける不純物の深さ方
向の分析結果を示す図である。ダイヤモンド半導体デバ
イス20を二次イオン質量分析法(以下、「SIMS」
と記す。)で分析し、その深さ方向プロファイルは第一
層の表面からイオウドープしたn型ダイヤモンド半導体
結晶層7と、第二層のホウ素ドープしたp型ダイヤモン
ド半導体結晶層5と、図中矢印で示した範囲の絶縁体ダ
イヤモンド基板3とが図2に示されている。なお、図2
中、a、bで示したプロファイルはバックグラウンドで
ある。
子、例えばホウ素(B)、イオウ(S)などが極めて拡
散しにくいという特徴を有しており、これがpn接合の
形成には有利に働き、図2に示すように、界面の不純物
濃度の変化が極めて急峻である。すなわち、p型ダイヤ
モンド半導体結晶層とn型ダイヤモンド半導体結晶層と
が原子オーダーで切り替わってpn接合が形成されてい
る。したがって、本発明のダイヤモンド半導体デバイス
で形成されたpn接合は、非常に良質かつ原子オーダー
で急峻である。
ド特性を示す図である。図3を参照すると、この発明の
ダイヤモンド半導体デバイスは順方向には電流が流れる
が、逆方向には電流が流れない良好な整流特性を有して
いる。また400℃、500℃という高温においても良
好な整流特性を有する。
である。図4に示すように、室温においては6桁程度の
整流特性が得られ、500℃においても3桁程度の整流
特性が得られている。したがって、この発明に係るホウ
素ドープによるp型ダイヤモンド半導体とイオウドープ
によるn型ダイヤモンド半導体とのpn接合を備えるダ
イオードは、高温においても整流作用を有する。
の例を示したが、これに限らず、例えばpnp接合、n
pn接合も可能であり、またダイヤモンド絶縁体層を挟
んだ接合にしてもよい。
イス製造方法について説明する。この発明のダイヤモン
ド半導体デバイスは気相合成法により製造可能である。
気相合成法としては、原料ガスを活性化する方法に応
じ、電気、熱及び光エネルギーの少なくともいずれを利
用すればよいが、本実施形態では電気エネルギー及び熱
エネルギーを利用したマイクロ波プラズマCVD法によ
る例を示す。
プラズマCVD装置の概略構成図である。図5に示すよ
うに、マイクロ波プラズマCVD装置40は、例えば
2.45GHzのマイクロ波発生装置41とアイソレー
タ及びパワーモニター43とチューナー45とを有し、
マイクロ波が照射される反応管47と、この反応管47
を真空排気する真空ポンプ(図示しない)と、反応管4
7に原料ガスである混合ガス又はパージ用ガスを切り換
えて供給するガス供給ライン49と、複数の光学窓5
1,51と、反応管内に設けられた基板ホルダー53
と、この基板ホルダー53上に設置された絶縁体ダイヤ
モンド基板55を加熱又は冷却する温度制御システム5
7とを備え、基板上にガスが供給されてマイクロ波プラ
ズマ59が発生するようになっている。なお、基板温度
は光高温計でモニターしている。
条件の一例を図6に示す。図6を参照して、本実施形態
ではアルカン、アルケン等の揮発性炭化水素/イオウ化
合物/水素の混合ガスを原料ガスとして使用する。炭化
水素はダイヤモンドの構成元素である炭素のソースとし
て、イオウ化合物はドナー原子のソースとして、また水
素はキャリアガスとして使用している。
(H2 S)、二硫化炭素(CS2 )等の無機イオウ化合
物、低級アルキルメルカプタン等の有機イオウ化合物が
挙げられるが、硫化水素が最も好ましい。したがって、
混合ガスとしてはメタン/硫化水素/水素を使用するの
が好ましい。
1%〜5%、好ましくは0.5%〜3.0%で使用する
のがよい。混合ガス中のイオウ化合物の濃度は1ppm
〜2000ppm、好ましくは5ppm〜200ppm
で使用するのがよい。
10〜100ppmである。硫化水素の濃度が増加する
とキャリア濃度が増加するが、この範囲では移動度は硫
化水素の添加量が50ppmで最大となるところから5
0ppmが最も好ましい。
部の体積、供給ガス流量及び排気量等によるが、本実施
形態では200ml/minである。ガス流量は各ガス
種に対応したマスフローコントローラで制御するが、硫
化水素の添加量は、例えば100ppm硫化水素/水素
の混合ガスボンベを用い、キャリア水素で希釈してマス
フローコントローラで流量制御して所定の添加量の割合
に制御している。
素の混合ガスボンベを使用する。硫化水素濃度を50p
pmに設定しているので、全流量が200ml/min
の場合、キャリア水素ガスを100ml/minとして
100ppm硫化水素/水素の混合ガスボンベから10
0ml/minを流すと、全体で硫化水素濃度が50p
pmに設定できる。
たい30〜60Torr内であり、本実施形態では40
Torrとした。マイクロ波放電では比較的高い圧力で
グロー放電を維持する。ダイヤモンドを析出する基板の
温度は700℃〜1100℃とするが、本実施形態では
830℃である。また絶縁体ダイヤモンド基板の(10
0)面にダイヤモンド半導体層をホモエピタキシャル成
長させるが、(100)面に限らず、例えば(111)
面や(110)面でもよい。
条件の一例を図7に示す。図7に示すように、本実施形
態では混合ガスとしてCH4 /B2 H6 /H2 を使用す
るのが好ましい。ホウ素化合物のジボラン(B2 H6 )
はアクセプター原子のソースとして使用している。混合
ガス中のCH4 は1.0%、B2 H6 は0.1〜100
ppm、B/C比は20〜20000ppmである。
2 H6 )/水素の混合ガスボンベを使用し、反応管に導
入するジボラン濃度を50ppmに設定する。全ガス流
量は200〜500ml/minであるが、本実施形態
ではn型ダイヤモンド半導体のプロセスと連続させるた
め全ガス流量を200ml/minにしている。
n型ダイヤモンド半導体のプロセスと連続させるため同
じ圧力の40Torrに設定する。基板温度は700℃
〜950℃であるが、n型ダイヤモンド半導体のプロセ
スと連続させるため同じ温度の830℃である。
ンド半導体デバイスの製造方法について説明する。先
ず、基板ホルダーに表面を洗浄処理した(100)絶縁
体ダイヤモンド基板を設置して、ガス供給ラインから水
素パージを数回繰り返し真空容器内の窒素や酸素を除去
後、基板ホルダーを加熱しつつ基板表面温度が830℃
となるように制御するとともに、40Torrに圧力制
御する。なお、基板表面温度は例えば光高温計で測定す
る。
クロ波放電させるとともに、ガス供給ラインでパージ用
水素ガスと混合ガスとを切り換えて反応管に、メタン1
%/ジボラン50ppm/水素の混合ガス200ml/
minを導入すると、基板上方にプラズマが発生し、こ
のプラズマ流が絶縁体ダイヤモンド基板に供給され、p
型ダイヤモンド半導体結晶層がエピタキシャル成長す
る。
切り換えて反応管にメタン1%/硫化水素50ppm/
水素の混合ガス200ml/minを導入し、発生した
プラズマ流が、成長したp型ダイヤモンド半導体層上に
供給され、n型ダイヤモンド半導体層がエピタキシャル
成長する。
パージに切り換えるとともにマイクロ波放電を停止し、
基板加熱を停止又は冷却する。最後に、室温に戻った
ら、常圧復帰した反応管の基板ホルダーから、絶縁体ダ
イヤモンド基板上にp型ダイヤモンド半導体結晶層とn
型ダイヤモンド半導体結晶層とが積層したダイヤモンド
半導体デバイスを取り出し、電極を蒸着する。
体デバイスでは、高品質のp型ダイヤモンド半導体と最
適なドナーとなるイオウをドープしたn型ダイヤモンド
半導体とでpn接合を形成しているので、良質なpn接
合デバイスができる。したがって非常に良好な整流特性
を有するpn接合ダイオードができる。なおpn接合の
製造方法について説明したが、これに限らず、形成する
ダイヤモンド半導体の導電型を代えることにより、pn
p接合、npn接合も製造可能であり、ダイヤモンド絶
縁体層を挟んだ接合も製造可能である。
モンド半導体デバイスでは、良質かつ急峻なpn接合を
有し非常に良好な整流作用を示すという効果を有する。
また、この発明のダイヤモンド半導体デバイス製造方法
では、ドナー原子となるイオウをドープした良質のn型
ダイヤモンド半導体を元にpn接合を形成しているの
で、良質かつ急峻なpn接合デバイスを製造することが
できるという効果を有する。したがって、高温下でも動
作可能なpn接合デバイスの製作が可能になる。
ド半導体デバイスの概略断面図であり、(a)はp型ダ
イヤモンド半導体結晶上にn型ダイヤモンド半導体結晶
層を成長させて形成したダイヤモンド半導体デバイス、
(b)は絶縁体ダイヤモンド基板上にp型ダイヤモンド
半導体結晶層とn型ダイヤモンド半導体結晶層とを積層
させて形成したダイヤモンド半導体デバイス、(c)は
(b)と逆導電型に形成したダイヤモンド半導体デバイ
スを示す図である。
スにおける不純物の深さ方向分析結果を示す図である。
す図である。
D装置の概略構成図である。
長条件の一例を示す図である。
長条件の一例を示す図である。
Claims (11)
- 【請求項1】 p型ダイヤモンド半導体とドナー原子が
イオウであるn型ダイヤモンド半導体とが原子オーダー
の急峻さでpn接合した構造を備えるダイヤモンド半導
体デバイス。 - 【請求項2】 前記ドナー原子濃度が1013/cm3 〜
1021/ cm3 の範囲であることを特徴とする、請求項
1に記載のダイヤモンド半導体デバイス。 - 【請求項3】 前記pn接合が整流特性を有しているこ
とを特徴とする、請求項1又は2に記載のダイヤモンド
半導体デバイス。 - 【請求項4】 前記p型ダイヤモンド半導体がアクセプ
ター原子としてホウ素をドープしたp型半導体であるこ
とを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のダイ
ヤモンド半導体デバイス。 - 【請求項5】 前記p型ダイヤモンド半導体がホウ素を
ドープした高圧合成ダイヤモンドであることを特徴とす
る、請求項1〜3のいずれかに記載のダイヤモンド半導
体デバイス。 - 【請求項6】 前記p型ダイヤモンド半導体が天然のI
Ib型ダイヤモンドであることを特徴とする、請求項1
〜3のいずれかに記載のダイヤモンド半導体デバイス。 - 【請求項7】 前記n型ダイヤモンド半導体と前記p型
ダイヤモンド半導体とを絶縁体ダイヤモンド基板に積層
した構造を有することを特徴とする、請求項1〜4のい
ずれかに記載のダイヤモンド半導体デバイス。 - 【請求項8】 原料ガスの活性化に基づき薄膜が成長す
る気相合成法であって、 p型ダイヤモンド半導体結晶層を形成する第1工程と、
ドナー原子がイオウであるn型ダイヤモンド半導体結晶
層を形成する第2工程とを備え、原子オーダーの急峻さ
でpn接合した構造を形成することを特徴とする、ダイ
ヤモンド半導体デバイス製造方法。 - 【請求項9】 前記第1工程において、p型ダイヤモン
ド半導体結晶のドーパントがホウ素であって、このホウ
素とp型ダイヤモンド半導体結晶の構成原子のソースと
なる炭化水素の炭素との比が20〜20000ppmで
あることを特徴とする、請求項8に記載のダイヤモンド
半導体デバイス製造方法。 - 【請求項10】 前記第2工程において、前記イオウと
ダイヤモンド半導体結晶の構成原子のソースとなる炭化
水素の炭素との比が1000〜10000ppmである
ことを特徴とする、請求項8に記載のダイヤモンド半導
体デバイス製造方法。 - 【請求項11】 前記気相合成法において、前記原料ガ
スの活性化に電気、熱及び光のうち少なくとも一種類を
使用したことを特徴とする、請求項8に記載のダイヤモ
ンド半導体デバイス製造方法。
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- 2000-06-21 WO PCT/JP2000/004064 patent/WO2000079603A1/ja active Application Filing
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