JP2010028052A - ダイヤモンド半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ダイヤモンド半導体層からなり、p型のα層2とn型のβ層3とを接触させて配されたダイヤモンド半導体素子10であって、α層2及びβ層3における電流の伝導機構が、何れも300Kの温度においてホッピング伝導であり、α層2とβ層3とを貫通する方向に電流を流した際に、電流−電圧の出力特性が整流性を示すこと。
【選択図】図1
Description
半導体素子を低損失、高周波に対応するためには直列抵抗を下げなければならず、高密度、高輝度にするためには電流密度を上げなければならない。また、電流密度を上げるためには直列抵抗を下げる必要がある。直列抵抗を下げるために不純物濃度を高くするとpn接合にかかる電界強度が高くなるため、高耐圧にする要求が発生する。すなわち、全ての半導体素子には、直列抵抗を低くし、耐圧を高くするという要求がある。また、電流密度や耐圧を上げる、すなわち高出力にすると、待機中や動作中に発生する熱量が多くなるため、半導体として熱伝導率の高い材料を用いることが好ましい。
S.M.Sze Physics of Semiconductor Device 3rd Edition P.418 Lawrence S.Pan DIAMOND:ELECTRIC PROPERTY AND APPLICATIONS P.250-252
本発明の請求項2に記載のダイヤモンド半導体素子は、請求項1において、電流の伝導機構がバンド伝導であり、ダイヤモンド半導体膜からなるγ層が、前記α層と前記β層との間に一つまたは複数配されていることを特徴とする。
本発明の請求項3に記載のダイヤモンド半導体素子は、請求項2において、前記γ層が、真性半導体であることを特徴とする。
本発明の請求項4に記載のダイヤモンド半導体素子は、請求項1ないし3のいずれかにおいて、前記α層と前記γ層との境界、前記β層と前記γ層との境界または前記α層と前記β層との境界のうち、外部に露呈している部位が、傾斜を有していることを特徴とする。
本発明の請求項5に記載のダイヤモンド半導体素子は、請求項1ないし4のいずれかにおいて、前記α層及び前記β層に含まれる不純物濃度が、有効状態密度以上であることを特徴とする。
本発明の請求項6に記載のダイヤモンド半導体素子は、請求項1ないし5のいずれかにおいて、前記α層に含まれる不純物濃度が1.63×1019cm−3以上であり、前記β層に含まれる不純物濃度が1.08×1019cm−3以上であり、且つ前記α層とβ層に含まれる不純物濃度がそれぞれ、5×1021cm−3以下であることを特徴とする。
本発明の請求項7に記載のダイヤモンド半導体素子は、請求項1ないし6のいずれかにおいて、前記整流性を保った状態で103A/cm2以上の電流を流すことができることを特徴とする。
図1は、本発明のダイヤモンド半導体素子と、該ダイヤモンド半導体素子で得られる出力特性を示した図である。図1(a)は、本発明の第一実施形態に関るダイヤモンド半導体素子10Aを模式的に示した断面図であり、図1(b)は、ダイヤモンド半導体素子10Aで得られるpn接合の出力特性を示した図であり、図1(c)は、図1(b)を片対数グラフとしたものである。
本実施形態におけるダイヤモンド半導体素子10Aは、ダイヤモンド半導体層からなり、p型のα層1とn型のβ層2とが接触させて配されている。また、α層1とβ層2とにおける電流の伝導機構が、何れも常用温度である300Kの温度においてホッピング伝導であり、α層1とβ層2とを貫通する方向に電流を流した際に、電流−電圧の出力特性が整流性を示す。以下、ダイヤモンド半導体素子10Aについて、詳細に説明する。なお、図1において、基板1上にα層2とβ層3が順に配されているが、基板1上にβ層3とα層2とが順に配されたダイヤモンド半導体素子10であってもよい。
非特許文献2に示されるように、アクセプタの有効状態密度は下記の数式(1)で計算される。
非特許文献2に示されるように、ドナーの有効状態密度は下記の数式(2)で計算される。
すなわち、不純物密度を300Kの有効状態密度以上にすることで、常用の温度において、抵抗が低くて温度変化の小さいホッピング伝導が得られる。
すなわち、不純物密度を300Kの有効状態密度以上にすることで、常用の温度において、抵抗が低くて温度変化の小さいホッピング伝導が得られる。
一方、ダイヤモンドのB,Pの作る不純物エネルギー準位はそれぞれ価電子帯、伝導帯から0.37eV、0.57eVと大きい。したがって、本発明のダイヤモンド半導体素子10では有効状態密度以上に不純物を添加しても、図5(a)(n型)、(b)(p型)に示すように状態密度は分布する。すなわち、不純物の作る準位は局在状態であり、51a,52aに示すように伝導帯と価電子帯とが一体化しない。つまり51a,52aがそれぞれ伝導帯と価電子帯と大きく乖離していて、退縮が起こらない。
とくに、本発明において、有効状態密度以上としても、未だ不純物準位は空間的に離散している状態であるが、その間隔は2〜3nmと非常に近いため、キャリアは充満したサイトから空のサイトへ容易に移動する。すなわち、キャリアはホッピング伝導をして、その電流の抵抗は非常に小さくなっている。
ここで、Siなど従来の縮退した半導体層同士でpn接合を作ると、接合から伸びる空乏層は数nmに狭くなる。ゆえに、逆方向にはトンネル電流が流れて整流しない。有効状態密度を超えたダイヤモンドの層同士でpn接合を作った場合も空乏層は狭くなる。しかし、比誘電率はSiが約11.9、ダイヤモンドは5.7であるものの、ビルトインポテンシャルはSiが約0.7Vに対してダイヤモンドは約5V程度とかなり大きいために、空乏層の幅はSiよりも広くなる。また、ダイヤモンドは元々トンネル確率の低い間接遷移型半導体である。さらに不純物密度が有効状態密度を超えても、p層、n層がともに縮退していない。これらの理由で、逆方向のトンネル電流が小さい。ゆえに、本発明のダイヤモンド半導体素子10において、整流特性が得られる。
この際、常用の温度においてα層2及びβ層3における伝導機構をホッピング伝導となるように、不純物密度を300Kの有効状態密度以上とした本発明のダイヤモンド半導体素子10を適用した電子デバイスでは、低抵抗化が図れる。更に、本発明のダイヤモンド半導体素子は、ダイヤモンド半導体膜からなるために、10MV/cmと高い電界強度を備えているため、本発明のダイヤモンド半導体デバイスを備えた電子デバイスは、従来の半導体素子を適用したものよりも、高出力化を図ることができる。すなわち、本発明のダイヤモンド半導体デバイスを適用することで、整流性を維持したまま、例えば103A/cm2〜104A/cm2以上の電流を流すことが可能となる。
図6は、本発明の第2実施形態に関るダイヤモンド半導体素子1B(1)を示す図である。図6(a)は、本実施形態のダイヤモンド半導体素子1Bを模式的に示した断面図、図6(b)は本実施形態のダイヤモンド半導体素子1Bで得られるpn接合の出力特性を示した図である。本実施形態のダイヤモンド半導体素子1Bが、第1実施形態のダイヤモンド半導体素子1Aと異なる点は、電流の伝導機構がバンド伝導であるダイヤモンド半導体膜からなるγ層がα層2とβ層3との間に、更に配されている点である。
なお、α層2とβ層3に関しては、第1実施形態と同様である。また、図6では、基板1上にα層2とγ層6とβ層3とが順に配されている例を示しているが、基板1上にβ層3とγ層6とα層2とが順に配されていてもよい。また、γ層6は極性の同じ層、または、異なる層が複数配されていてもよい。
本実施形態における図6(b)と、第1実施形態における図1(c)とを比較すると分かるとおり、ホッピング伝導するp型のα層2とn型のβ層3との間にバンド伝導するγ層6を設けることで、順方向と逆方向との電流比である整流比を大きくすることができる。
なお、この効果は、γ層6としてp型のダイヤモンド半導体層、n型のダイヤモンド半導体層及び真性半導体のダイヤモンド半導体層のいずれを用いても、同様に得ることができる。
図8は、本発明の第3実施形態に関るダイヤモンド半導体素子10C(10)を模式的に示した断面図である。本実施形態のダイヤモンド半導体素子10Cが、第2実施形態のダイヤモンド半導体素子10Bと異なる点は、α層2とγ層6との境界及びβ層3とγ層6との境界のうち、外部に露呈している部位7が、傾斜を有している点である。
なお、α層2、β層3及びγ層6に関しては、第1実施形態のダイヤモンド半導体素子10A及び第2実施形態のダイヤモンド半導体素子10Bと同様である。
なお、本実施形態においては、γ層6を設けた場合について記載したが、α層2とβ層3とからなる第1実施形態のダイヤモンド半導体素子10Aにおいても同様に、α層2とβ層3との境界のうち、外部に露呈している部位に傾斜を設けることができる。この場合も同様に、第1実施形態のダイヤモンド半導体素子と比較し、整流特性の向上が図れると共に、耐圧を高くすることが可能となる。
図9は、本発明のダイヤモンド半導体素子の作製に用いるマイクロ波プラズマCVD装置80を模式的に示した図である。マイクロ波プラズマCVD装置80は、マイクロ波を基板1の法線方向から入射するエンドランチ型のものであり、マイクロ波源81は、2.45GHzのマイクロ波を発振し、最大出力が1.5kWで、出力は必要に応じて調整可能である。このマイクロ波源81の後段には、サーキュレータ82及びダミーロード83を設け、マイクロ波源81から出たマイクロ波のうち、反射して導波管91に戻ってきた反射波を水負荷として熱吸収し、反射波がマイクロ波源81の発振器に悪影響を及ぼすことを防止している。また、サーキュレータ82の後段にチューナ84を設け、導波管91のインピーダンスを3本の棒で調整することで、マイクロ波の反射を抑え全入射電力をプラズマで消費できるようにしている。さらに、チューナ84の後段に、導波管91内に突き出たアンテナを持つアプリケータ85を設け、導波管91を進行してきたTE10モードのマイクロ波を同心円状のTM01モードに変換している。マイクロ波をTM01モードにすることで、円筒の反応容器93にマイクロ波が整合し、安定したプラズマが得られるようになる。
基板1は試料交換扉94を開けて所定位置にセッティングされる。すなわち、反応容器93内には、ステージ88上に例えばグラファイト性のサセプタ89が設けてあり、基板は、このサセプタ上に載置された基板フォルダ92にセッティングされている。
上記のマイクロ波プラズマCVD装置80を用い、基板1上にα層2を作製する。反応ガスとしては、CH4/H2を0.001%以上10%以下、B2H6/CH4を10ppm以上500000ppm以下で用いることが好ましく、より好ましくは、CH4/H2を0.01%以上1%以下、B2H6/CH4を100ppm以上10000ppm以下、更に好ましくは、CH4/H2が0.15%、B2H6/CH4が500ppmである。また、基板温度は600℃以上1300℃以下が好ましく、成膜圧力としては、5Torr以上200Torr以下が好ましい。また、マイクロ波パワーとしては、300W以上60kW以下が好ましい。
以上で、イオン注入により、本発明のダイヤモンド半導体素子10を作製することができる。
尚、特許文献として国際公開第2005/053029号パンフレットに開示されているものはダイヤモンド半導体のうちn型のみに関するものである。それは本発明のダイヤモンドのpn接合とその伝導機構とは、目的、思想、手段、およびその範囲が全く異なる全く別の発明であることは自明である。本発明は本発明者らが初めて見出した全くの新規な事項である。
実施例1として、図1に示すダイヤモンド半導体素子を作製した。
まず、ダイヤモンド基板の上に、ダイヤモンド半導体膜からなるp型のダイヤモンド半導体層(α層)をCVDにて積層させた。不純物としてはBを用いた。α層の形成に関しては、圧力は50Torr、RFパワーは1200W、CH4/H2は0.15%、B2H6/CH4は50%で形成した。
次に、第1半導体層の上に、ダイヤモンド半導体膜からなるn型のダイヤモンド半導体層(β層)をCVDにて積層させた。不純物としてはPを用いた。β層の形成に関しては、圧力は75Torr、RFパワーは750W、CH4/H2は0.05%、PH4/CH4は50%で形成した。
これらの条件で作製されたα層におけるBの濃度は、SIMS測定により5×1019〜3×1020cm−sであった。また、β層におけるPの濃度は、SIMS測定により4×1019〜2×1020cm−3であった。
次に、β層を貫いてα層に到達するようにエッチングした。その後、α層と電気的に接続された第1主電極と、β層と電気的に接続された第2主電極とを形成し、これを実施例1のダイヤモンド半導体素子とした。
実施例1のダイヤモンド半導体素子においては、Siが整流しないような高濃度な不純物層を持つにも関らず、図1(b),(c)に示すような整流が観察された。更に、α層及びβ層共に300Kにてホッピング伝導が観察され、低抵抗化が図れた。
実施例1と同様にダイヤモンド基板上にα層をCVDにて形成した後、α層上に、ダイヤモンド半導体膜からなるi型のダイヤモンド半導体層(γ層)を形成した。γ層の形成に関しては、圧力は25Torr、RFパワーは750W、CH4/H2は0.025〜0.1%で形成した。次に、実施例1と同様にγ層上にβ層をCVDにて形成した。
次に、β層及びγ層を貫いてα層に達するようにエッチングした。その後、実施例1と同様にα層と電気的に接続された第1主電極及びβ層と電気的に接続された第2主電極を作製し、これを実施例2のダイヤモンド半導体素子とした。
実施例2のダイヤモンド半導体素子において、図6に示すような整流特性が観測され、実施例1のダイヤモンド半導体素子よりも良好な整流特性が得られた。また、pn接合はα層とβ層と共にホッピング伝導が観察され、低抵抗が図れた。
Claims (7)
- ダイヤモンド半導体層からなり、p型のα層とn型のβ層とを接触させて配されたダイヤモンド半導体素子であって、
前記α層及び前記β層における電流の伝導機構が、何れも300Kの温度においてホッピング伝導であり、前記α層と前記β層とを貫通する方向に電流を流した際に、電流−電圧の出力特性が整流性を示すことを特徴とするダイヤモンド半導体素子。 - 電流の伝導機構がバンド伝導であり、ダイヤモンド半導体膜からなるγ層が、前記α層と前記β層との間に一つまたは複数配されていることを特徴とする請求項1に記載のダイヤモンド半導体素子。
- 前記γ層が、真性半導体であることを特徴とする請求項2に記載のダイヤモンド半導体素子。
- 前記α層と前記γ層との境界、前記β層と前記γ層との境界または前記α層と前記β層との境界のうち、外部に露呈している部位が、傾斜を有していることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のダイヤモンド半導体素子。
- 前記α層及び前記β層に含まれる不純物濃度が、有効状態密度以上であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のダイヤモンド半導体素子。
- 前記α層に含まれる不純物濃度が1.63×1019cm−3以上であり、前記β層に含まれる不純物濃度が1.08×1019cm−3以上であり、且つ前記α層とβ層に含まれる不純物濃度がそれぞれ、5×1021cm−3以下であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載のダイヤモンド半導体素子。
- 前記整流性を保った状態で103A/cm2以上の電流を流すことができることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載のダイヤモンド半導体素子。
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