JP2001005199A - レジスト剥離剤組成物及びその使用方法 - Google Patents
レジスト剥離剤組成物及びその使用方法Info
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- JP2001005199A JP2001005199A JP17108399A JP17108399A JP2001005199A JP 2001005199 A JP2001005199 A JP 2001005199A JP 17108399 A JP17108399 A JP 17108399A JP 17108399 A JP17108399 A JP 17108399A JP 2001005199 A JP2001005199 A JP 2001005199A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子回路等の製造工程における配線形
成時に不要となったレジストを高性能で除去する。 【解決手段】 アルキルアミンと、水と、有機溶剤と、
一般式化１で表される化合物及び一般式化２で表される
化合物のいずれか又はそれらの混合物とを主成分とする
レジスト剥離剤組成物。 【化１】Ｒ1（ＯＨ）2 （Ｒ1は、各々のＯＨ基が異なった炭素に結合している
直鎖又は分岐の炭素数が２〜６の飽和炭化水素であ
る。） 【化２】Ｒ2（ＯＨ）3 （Ｒ2は、各々のＯＨ基が異なった炭素に結合している
直鎖又は分岐の炭素数が３〜６の飽和炭化水素であ
る。）
成時に不要となったレジストを高性能で除去する。 【解決手段】 アルキルアミンと、水と、有機溶剤と、
一般式化１で表される化合物及び一般式化２で表される
化合物のいずれか又はそれらの混合物とを主成分とする
レジスト剥離剤組成物。 【化１】Ｒ1（ＯＨ）2 （Ｒ1は、各々のＯＨ基が異なった炭素に結合している
直鎖又は分岐の炭素数が２〜６の飽和炭化水素であ
る。） 【化２】Ｒ2（ＯＨ）3 （Ｒ2は、各々のＯＨ基が異なった炭素に結合している
直鎖又は分岐の炭素数が３〜６の飽和炭化水素であ
る。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
液晶パネルの半導体素子回路等の製造の過程で用いられ
るフォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法、詳し
くは、半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に配線を形
成するときに不要となったレジストの除去性能を向上さ
せるフォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法に関
するものである。
液晶パネルの半導体素子回路等の製造の過程で用いられ
るフォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法、詳し
くは、半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に配線を形
成するときに不要となったレジストの除去性能を向上さ
せるフォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】剥離剤組成物は、半導体集積回路、液晶
パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるフォトレ
ジストを剥離する際に用いられる。半導体素子回路又は
付随する電極部の製造は、例えば、以下のように行われ
る。まず、シリコン、ガラス等の基板上に金属膜をＣＶ
Ｄやスパッタ等の方法で積層させる。その上面にフォト
レジストを膜付けし、それを露光、現像等の処理でパタ
ーン形成する。パターン形成されたフォトレジストをマ
スクとして金属膜をエッチングする。その後、不要とな
ったフォトレジストを剥離剤組成物を用いて剥離・除去
する。その操作を繰り返すことで素子の形成が行われ
る。
パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるフォトレ
ジストを剥離する際に用いられる。半導体素子回路又は
付随する電極部の製造は、例えば、以下のように行われ
る。まず、シリコン、ガラス等の基板上に金属膜をＣＶ
Ｄやスパッタ等の方法で積層させる。その上面にフォト
レジストを膜付けし、それを露光、現像等の処理でパタ
ーン形成する。パターン形成されたフォトレジストをマ
スクとして金属膜をエッチングする。その後、不要とな
ったフォトレジストを剥離剤組成物を用いて剥離・除去
する。その操作を繰り返すことで素子の形成が行われ
る。
【０００３】従来、剥離剤組成物としては、有機アルカ
リ、無機アルカリ、有機酸、無機酸、極性溶剤等の単一
溶剤、これらの混合溶液、又はこれらの水溶液が用いら
れている。また、半導体素子回路等の製造工程における
配線形成時に不要となったレジストを除去するために、
アルキルアミン及びアルキルアンモニウム水酸化物の少
なくともいずれかと、有機溶剤と、水とを主成分とする
レジスト剥離剤組成物も良く知られている。
リ、無機アルカリ、有機酸、無機酸、極性溶剤等の単一
溶剤、これらの混合溶液、又はこれらの水溶液が用いら
れている。また、半導体素子回路等の製造工程における
配線形成時に不要となったレジストを除去するために、
アルキルアミン及びアルキルアンモニウム水酸化物の少
なくともいずれかと、有機溶剤と、水とを主成分とする
レジスト剥離剤組成物も良く知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】現在、これらのレジス
ト剥離剤組成物としては、モノエタノールアミン（ＭＥ
Ａ）と有機溶剤であるＮ−メチル−２−ピロリドン（Ｎ
ＭＰ）と水とを主成分とするものが知られている。例え
ば、特開平８−２０２０５１号公報には、アルカノール
アミン類、アルコキシアルキルアミン類又はアルコキシ
アルカノールアミン類と酸アミド類、さらに金属防食性
を向上させる目的で、糖類又は糖アルコール類を含有し
た水溶液の剥離剤が記載されている。
ト剥離剤組成物としては、モノエタノールアミン（ＭＥ
Ａ）と有機溶剤であるＮ−メチル−２−ピロリドン（Ｎ
ＭＰ）と水とを主成分とするものが知られている。例え
ば、特開平８−２０２０５１号公報には、アルカノール
アミン類、アルコキシアルキルアミン類又はアルコキシ
アルカノールアミン類と酸アミド類、さらに金属防食性
を向上させる目的で、糖類又は糖アルコール類を含有し
た水溶液の剥離剤が記載されている。
【０００５】また、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）
と、有機溶剤であるジエチレングリコールモノエチルエ
ーテル又はジエチレングリコールモノブチルエーテル
と、水とを主成分とするものも知られている。例えば、
特開平８−１９０２０５号公報には、アルカノールアミ
ン類、アルコキシアルキルアミン類又はアルコキシアル
カノールアミン類とグリコールモノアルキルエーテル、
さらに金属防食性を向上させる目的で、糖類又は糖アル
コール類を含有した水溶液の剥離剤が記載されている。
しかし、これらのレジスト剥離剤組成物は、半導体素子
回路等の製造工程における配線形成時に不要となったレ
ジストの除去性能が良くないという問題点を有してい
る。さらに、４級アンモニウムと有機溶剤とからなる剥
離剤も知られているが、このレジスト剥離剤は水を含ま
ないためレジストの除去性能が悪く、かつ、水が混入し
た場合に金属防食性が悪いという問題点を有している。
と、有機溶剤であるジエチレングリコールモノエチルエ
ーテル又はジエチレングリコールモノブチルエーテル
と、水とを主成分とするものも知られている。例えば、
特開平８−１９０２０５号公報には、アルカノールアミ
ン類、アルコキシアルキルアミン類又はアルコキシアル
カノールアミン類とグリコールモノアルキルエーテル、
さらに金属防食性を向上させる目的で、糖類又は糖アル
コール類を含有した水溶液の剥離剤が記載されている。
しかし、これらのレジスト剥離剤組成物は、半導体素子
回路等の製造工程における配線形成時に不要となったレ
ジストの除去性能が良くないという問題点を有してい
る。さらに、４級アンモニウムと有機溶剤とからなる剥
離剤も知られているが、このレジスト剥離剤は水を含ま
ないためレジストの除去性能が悪く、かつ、水が混入し
た場合に金属防食性が悪いという問題点を有している。
【０００６】これらの点に鑑み、本発明者は種々の実験
を重ねた結果、ＭＥＡ等のアルキルアミンと水と有機溶
剤と下記に示す一般式化３で表される化合物及び一般式
化４で表される化合物のいずれか又はそれらの混合物と
を主成分とするレジスト剥離剤組成物が、配線形成時に
不要となったレジストを高い性能で除去し、かつ、金属
防食性能も高いことを見出した。
を重ねた結果、ＭＥＡ等のアルキルアミンと水と有機溶
剤と下記に示す一般式化３で表される化合物及び一般式
化４で表される化合物のいずれか又はそれらの混合物と
を主成分とするレジスト剥離剤組成物が、配線形成時に
不要となったレジストを高い性能で除去し、かつ、金属
防食性能も高いことを見出した。
【０００７】本発明は、上記の知見に基づいてなされた
もので、本発明の目的は、半導体素子回路等の製造工程
における配線形成時に不要となったレジストを高性能で
除去するレジスト剥離剤組成物及びその使用方法を提供
することにある。
もので、本発明の目的は、半導体素子回路等の製造工程
における配線形成時に不要となったレジストを高性能で
除去するレジスト剥離剤組成物及びその使用方法を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のレジスト剥離剤組成物は、アルキルアミ
ンと、水と、有機溶剤と、一般式化３で表される化合物
及び一般式化４で表される化合物のいずれか又はそれら
の混合物とを主成分とするように構成されている。
めに、本発明のレジスト剥離剤組成物は、アルキルアミ
ンと、水と、有機溶剤と、一般式化３で表される化合物
及び一般式化４で表される化合物のいずれか又はそれら
の混合物とを主成分とするように構成されている。
【０００９】
【化３】Ｒ1（ＯＨ）2
【００１０】（Ｒ1は、各々のＯＨ基が異なった炭素に
結合している直鎖又は分岐の炭素数が２〜６の飽和炭化
水素である。）
結合している直鎖又は分岐の炭素数が２〜６の飽和炭化
水素である。）
【００１１】
【化４】Ｒ2（ＯＨ）3
【００１２】（Ｒ2は、各々のＯＨ基が異なった炭素に
結合している直鎖又は分岐の炭素数が３〜６の飽和炭化
水素である。）
結合している直鎖又は分岐の炭素数が３〜６の飽和炭化
水素である。）
【００１３】本発明のレジスト剥離剤組成物は、例え
ば、アルキルアミンと水と有機溶剤とを主成分とする剥
離剤に、上記の一般式化３で表される化合物及び一般式
化４で表される化合物のいずれか又はそれらの混合物を
添加して調製される。しかし、調製方法はこの方法に限
らず、アルキルアミン、水、有機溶剤、並びに一般式化
３で表される化合物及び一般式化４で表される化合物の
いずれか又はそれらの混合物等を同時に混合してもよ
い。要は、剥離剤組成物中に、上記の一般式化３で表さ
れる化合物及び一般式化４で表される化合物のいずれか
又はそれらの混合物が含まれるように調製すれば良く、
添加順序は適宜選択される。さらに、防食剤や界面活性
剤等の添加剤を添加することもできる。また、金属腐食
が問題とならない工程に用いる剥離剤の場合は、テトラ
アルキルアンモニウム水酸化物を添加することもでき
る。
ば、アルキルアミンと水と有機溶剤とを主成分とする剥
離剤に、上記の一般式化３で表される化合物及び一般式
化４で表される化合物のいずれか又はそれらの混合物を
添加して調製される。しかし、調製方法はこの方法に限
らず、アルキルアミン、水、有機溶剤、並びに一般式化
３で表される化合物及び一般式化４で表される化合物の
いずれか又はそれらの混合物等を同時に混合してもよ
い。要は、剥離剤組成物中に、上記の一般式化３で表さ
れる化合物及び一般式化４で表される化合物のいずれか
又はそれらの混合物が含まれるように調製すれば良く、
添加順序は適宜選択される。さらに、防食剤や界面活性
剤等の添加剤を添加することもできる。また、金属腐食
が問題とならない工程に用いる剥離剤の場合は、テトラ
アルキルアンモニウム水酸化物を添加することもでき
る。
【００１４】上記のレジスト剥離剤組成物において、一
般式化３で表される化合物としては、１，２−エタンジ
オール、１，２−プロパンジオール、３−メチル−１，
３−ブタンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジ
オール、１，３−ブタンジオール及び１，４−ブタンジ
オール等からなる群より選ばれた１種又は２種以上を用
いることができる。また、上記のレジスト剥離剤組成物
において、一般式化４で表される化合物としては、グリ
セリン等を用いることができる。また、一般式化３で表
される化合物及び一般式化４で表される化合物のいずれ
か又はそれらの混合物の添加量は５．０〜７０．０重量
％、望ましくは１０．０〜５０．０重量％である。上記
の一般式化３で表される化合物及び一般式化４で表され
る化合物のいずれか又はそれらの混合物の添加量が下限
未満の場合は、レジスト除去性能が低下するという不都
合があり、一方、上限を超える場合は、他の剥離剤成分
の含有量が低下するため、レジスト除去性能が低下する
という不都合がある。
般式化３で表される化合物としては、１，２−エタンジ
オール、１，２−プロパンジオール、３−メチル−１，
３−ブタンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジ
オール、１，３−ブタンジオール及び１，４−ブタンジ
オール等からなる群より選ばれた１種又は２種以上を用
いることができる。また、上記のレジスト剥離剤組成物
において、一般式化４で表される化合物としては、グリ
セリン等を用いることができる。また、一般式化３で表
される化合物及び一般式化４で表される化合物のいずれ
か又はそれらの混合物の添加量は５．０〜７０．０重量
％、望ましくは１０．０〜５０．０重量％である。上記
の一般式化３で表される化合物及び一般式化４で表され
る化合物のいずれか又はそれらの混合物の添加量が下限
未満の場合は、レジスト除去性能が低下するという不都
合があり、一方、上限を超える場合は、他の剥離剤成分
の含有量が低下するため、レジスト除去性能が低下する
という不都合がある。
【００１５】上記のレジスト剥離剤組成物において、ア
ルキルアミンの含有量は３．０〜５０．０重量％、望ま
しくは５．０〜３０．０重量％、さらに望ましくは５．
０〜１０．０重量％である。アルキルアミンの含有量が
下限未満の場合は、レジスト除去性能が低下するという
不都合があり、一方、上限を超える場合は、他の剥離剤
成分の含有量が低下するため、レジスト除去性能が低下
するという不都合がある。また、水の含有量は５．０〜
５０．０重量％、望ましくは１０．０〜４０．０重量
％、さらに望ましくは１０．０〜３０．０重量％であ
る。水の含有量が下限未満の場合は、レジスト除去性能
が低下するという不都合があり、一方、上限を超える場
合は、他の剥離剤成分の含有量が低下するため、レジス
ト除去性能が低下するという不都合がある。また、有機
溶剤の含有量は１０．０〜９０．０重量％、望ましくは
１５．０〜８０．０重量％である。有機溶剤の含有量が
下限未満の場合は、レジスト除去性能が低下するという
不都合があり、一方、上限を超える場合は、他の剥離剤
成分の含有量が低下するため、レジスト除去性能が低下
するという不都合がある。
ルキルアミンの含有量は３．０〜５０．０重量％、望ま
しくは５．０〜３０．０重量％、さらに望ましくは５．
０〜１０．０重量％である。アルキルアミンの含有量が
下限未満の場合は、レジスト除去性能が低下するという
不都合があり、一方、上限を超える場合は、他の剥離剤
成分の含有量が低下するため、レジスト除去性能が低下
するという不都合がある。また、水の含有量は５．０〜
５０．０重量％、望ましくは１０．０〜４０．０重量
％、さらに望ましくは１０．０〜３０．０重量％であ
る。水の含有量が下限未満の場合は、レジスト除去性能
が低下するという不都合があり、一方、上限を超える場
合は、他の剥離剤成分の含有量が低下するため、レジス
ト除去性能が低下するという不都合がある。また、有機
溶剤の含有量は１０．０〜９０．０重量％、望ましくは
１５．０〜８０．０重量％である。有機溶剤の含有量が
下限未満の場合は、レジスト除去性能が低下するという
不都合があり、一方、上限を超える場合は、他の剥離剤
成分の含有量が低下するため、レジスト除去性能が低下
するという不都合がある。
【００１６】アルキルアミンとしては、モノメチルアミ
ン、モノエチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミ
ン、２−エチルヘキシルアミン、２−エチルヘキシルオ
キシプロピルアミン、２−エトキシプロピルアミン、ジ
メチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジ
ブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、
トリプロピルアミン、トリブチルアミン、３−ジエチル
アミノプロピルアミン、ジ−２−エチルヘキシルアミ
ン、ジブチルアミノプロピルアミン、テトラメチルエチ
レンジアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、ｔ−ブチル
アミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、メチルアミノプロピル
アミン、ジメチルアミノプロピルアミン、メチルイミノ
ビスプロピルアミン、３−メトキシプロピルアミン、ア
リルアミン、ジアリルアミン、トリアリルアミン、イソ
プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、イミノプロピ
ルアミン、イミノビスプロピルアミン、モノエタノール
アミン（ＭＥＡ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、アミノエチル
エタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノール
アミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチ
ルエタノールアミン、３−アミノ−１−プロパノール、
Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル
アミン等を用いることができる。
ン、モノエチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミ
ン、２−エチルヘキシルアミン、２−エチルヘキシルオ
キシプロピルアミン、２−エトキシプロピルアミン、ジ
メチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジ
ブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、
トリプロピルアミン、トリブチルアミン、３−ジエチル
アミノプロピルアミン、ジ−２−エチルヘキシルアミ
ン、ジブチルアミノプロピルアミン、テトラメチルエチ
レンジアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、ｔ−ブチル
アミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、メチルアミノプロピル
アミン、ジメチルアミノプロピルアミン、メチルイミノ
ビスプロピルアミン、３−メトキシプロピルアミン、ア
リルアミン、ジアリルアミン、トリアリルアミン、イソ
プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、イミノプロピ
ルアミン、イミノビスプロピルアミン、モノエタノール
アミン（ＭＥＡ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、アミノエチル
エタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノール
アミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチ
ルエタノールアミン、３−アミノ−１−プロパノール、
Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル
アミン等を用いることができる。
【００１７】また、有機溶剤としては、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロ
ソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、メト
キシメチルプロピオネート、エトキシエチルプロピオネ
ート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテー
ト、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸イソプ
ロピル、ピルビン酸エチル、２−ヘプタノール、３−メ
チル１−ブタノール、２−メチル１−ブタノール、２−
メチル２−ブタノール、メチルジグライム、メチルイソ
ブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノ
ン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノ
ブチルエーテル（ブチルジグリコール、ＢＤＧ）、ピリ
ジン、ジメチルスルホキサイド（ＤＭＳＯ）、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクト
ン、スルホラン等の有機溶剤を用いることができる。
ブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロ
ソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、メト
キシメチルプロピオネート、エトキシエチルプロピオネ
ート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテー
ト、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸イソプ
ロピル、ピルビン酸エチル、２−ヘプタノール、３−メ
チル１−ブタノール、２−メチル１−ブタノール、２−
メチル２−ブタノール、メチルジグライム、メチルイソ
ブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノ
ン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノ
ブチルエーテル（ブチルジグリコール、ＢＤＧ）、ピリ
ジン、ジメチルスルホキサイド（ＤＭＳＯ）、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクト
ン、スルホラン等の有機溶剤を用いることができる。
【００１８】本発明のレジスト剥離剤組成物の使用方法
は、半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に配線を形成
する場合に不要となったレジストを、上記の本発明のレ
ジスト剥離剤組成物を用いて剥離・除去することを特徴
としている。
は、半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に配線を形成
する場合に不要となったレジストを、上記の本発明のレ
ジスト剥離剤組成物を用いて剥離・除去することを特徴
としている。
【００１９】
【実施例】以下に実施例及び比較例を示し、本発明の特
徴とするところをより一層明確にする。 実施例１〜２６、比較例１〜７ シリコン酸化膜上にＡｌ／Ｔｉの順でスパッタにより膜
付けした基板を、パターニングされたレジストをマスク
としてＣｌ2とＢＣｌ3を用いてドライエッチングし、続
いて酸素を用いてレジスト表面を軽くアッシングしたレ
ジストを剥離対象物とした。この剥離対象物を下記の剥
離条件で処理した。すなわち、この剥離対象物を表１に
示す組成に調製された剥離剤組成物中に３０℃で２分間
浸漬した後、２４℃の純水で１分間シャワーリンスし、
最後に純水をＮ2ガスを用いてエアーガンで吹き飛ばし
た。走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にてレジスト除去の程度
を観察し、レジスト除去性を比較した。結果を表１に示
す。表１において、◎印は「残渣なし」、○印は「ほぼ
残渣なし」、×印は「残渣が多く観察される」を示して
いる。
徴とするところをより一層明確にする。 実施例１〜２６、比較例１〜７ シリコン酸化膜上にＡｌ／Ｔｉの順でスパッタにより膜
付けした基板を、パターニングされたレジストをマスク
としてＣｌ2とＢＣｌ3を用いてドライエッチングし、続
いて酸素を用いてレジスト表面を軽くアッシングしたレ
ジストを剥離対象物とした。この剥離対象物を下記の剥
離条件で処理した。すなわち、この剥離対象物を表１に
示す組成に調製された剥離剤組成物中に３０℃で２分間
浸漬した後、２４℃の純水で１分間シャワーリンスし、
最後に純水をＮ2ガスを用いてエアーガンで吹き飛ばし
た。走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にてレジスト除去の程度
を観察し、レジスト除去性を比較した。結果を表１に示
す。表１において、◎印は「残渣なし」、○印は「ほぼ
残渣なし」、×印は「残渣が多く観察される」を示して
いる。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１において、ＭＥＡはモノエタノールア
ミンを示し、ＢＨＥＣＨＡはＮ，Ｎ−ビス（２−ヒドロ
キシエチル）シクロヘキシルアミンを示し、ＢＤＧはジ
エチレングリコールモノブチルエーテルを示し、ＮＭＰ
はＮ−メチル−２−ピロリドンを示し、ＤＥＧＭＥＥは
ジエチレングリコールモノエチルエーテルを示し、ＥＧ
は１，２−エタンジオールを示し、ＰＧは１，２−プロ
パンジオールを示し、ＭＢＤは３−メチル−１，３−ブ
タンジオールを示し、ＭＰＤは２−メチル−１，３−プ
ロパンジオールを示し、１，３ＢＤＯは１，３−ブタン
ジオールを示し、１，４ＢＤＯは１，４−ブタンジオー
ルを示している。また、ヒドロキシルアミン（ＨＡ）は
残渣除去性能を向上させるために添加されている。
ミンを示し、ＢＨＥＣＨＡはＮ，Ｎ−ビス（２−ヒドロ
キシエチル）シクロヘキシルアミンを示し、ＢＤＧはジ
エチレングリコールモノブチルエーテルを示し、ＮＭＰ
はＮ−メチル−２−ピロリドンを示し、ＤＥＧＭＥＥは
ジエチレングリコールモノエチルエーテルを示し、ＥＧ
は１，２−エタンジオールを示し、ＰＧは１，２−プロ
パンジオールを示し、ＭＢＤは３−メチル−１，３−ブ
タンジオールを示し、ＭＰＤは２−メチル−１，３−プ
ロパンジオールを示し、１，３ＢＤＯは１，３−ブタン
ジオールを示し、１，４ＢＤＯは１，４−ブタンジオー
ルを示している。また、ヒドロキシルアミン（ＨＡ）は
残渣除去性能を向上させるために添加されている。
【００２２】表１から、上記の一般式化３で表される化
合物及び一般式化４で表される化合物のいずれか又はそ
れらの混合物を含まない剥離剤組成物（比較例１〜
６）、並びに一般式化３で表される化合物及び一般式化
４で表される化合物のいずれか又はそれらの混合物を７
５重量％含む剥離剤組成物（比較例７）は、レジスト除
去性が劣るが、一般式化３で表される化合物及び一般式
化４で表される化合物のいずれか又はそれらの混合物を
５〜７０重量％含む剥離剤組成物（実施例１〜２６）
は、レジスト除去性能が優れていることがわかる。
合物及び一般式化４で表される化合物のいずれか又はそ
れらの混合物を含まない剥離剤組成物（比較例１〜
６）、並びに一般式化３で表される化合物及び一般式化
４で表される化合物のいずれか又はそれらの混合物を７
５重量％含む剥離剤組成物（比較例７）は、レジスト除
去性が劣るが、一般式化３で表される化合物及び一般式
化４で表される化合物のいずれか又はそれらの混合物を
５〜７０重量％含む剥離剤組成物（実施例１〜２６）
は、レジスト除去性能が優れていることがわかる。
【００２３】つぎに、本発明の剥離剤組成物の使用方法
の一例について説明する。半導体基板上又は液晶用ガラ
ス基板上に金属薄膜をＣＶＤやスパッタ等により形成さ
せる。その上面にフォトレジストを膜付けした後、露
光、現像等の処理でパターン形成する。パターン形成さ
れたフォトレジストをマスクとして金属薄膜をエッチン
グする。その後、不要となったフォトレジストを本発明
の剥離剤組成物を用いて剥離・除去して配線等が形成さ
れた半導体素子が製造される。
の一例について説明する。半導体基板上又は液晶用ガラ
ス基板上に金属薄膜をＣＶＤやスパッタ等により形成さ
せる。その上面にフォトレジストを膜付けした後、露
光、現像等の処理でパターン形成する。パターン形成さ
れたフォトレジストをマスクとして金属薄膜をエッチン
グする。その後、不要となったフォトレジストを本発明
の剥離剤組成物を用いて剥離・除去して配線等が形成さ
れた半導体素子が製造される。
【００２４】
【発明の効果】本発明は上記のように構成されているの
で、つぎのような効果を奏する。 （１） 剥離剤に、上記の一般式化３で表される化合物
及び一般式化４で表される化合物のいずれか又はそれら
の混合物を含ませることにより、半導体素子回路等の製
造工程における配線形成時に不要となったレジストを高
性能で除去することができる。また、本発明のレジスト
剥離剤組成物は、金属防食性能も高い。
で、つぎのような効果を奏する。 （１） 剥離剤に、上記の一般式化３で表される化合物
及び一般式化４で表される化合物のいずれか又はそれら
の混合物を含ませることにより、半導体素子回路等の製
造工程における配線形成時に不要となったレジストを高
性能で除去することができる。また、本発明のレジスト
剥離剤組成物は、金属防食性能も高い。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小谷 武 兵庫県龍野市龍野町中井236 ナガセ電子 化学株式会社兵庫工場内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA30 LA03 5F046 MA02
Claims (8)
- 【請求項１】 アルキルアミンと、水と、有機溶剤と、
一般式化１で表される化合物及び一般式化２で表される
化合物のいずれか又はそれらの混合物とを主成分とする
ことを特徴とするレジスト剥離剤組成物。 【化１】Ｒ1（ＯＨ）2 （Ｒ1は、各々のＯＨ基が異なった炭素に結合している
直鎖又は分岐の炭素数が２〜６の飽和炭化水素であ
る。） 【化２】Ｒ2（ＯＨ）3 （Ｒ2は、各々のＯＨ基が異なった炭素に結合している
直鎖又は分岐の炭素数が３〜６の飽和炭化水素であ
る。） - 【請求項２】 一般式化１で表される化合物が、１，２
−エタンジオール、１，２−プロパンジオール、３−メ
チル−１，３−ブタンジオール、２−メチル−１，３−
プロパンジオール、１，３−ブタンジオール及び１，４
−ブタンジオールからなる群より選ばれた１種又は２種
以上である請求項１記載のレジスト剥離剤組成物。 - 【請求項３】 一般式化２で表される化合物がグリセリ
ンである請求項１記載のレジスト剥離剤組成物。 - 【請求項４】 一般式化１で表される化合物及び一般式
化２で表される化合物のいずれか又はそれらの混合物の
添加量が５．０〜７０．０重量％である請求項１、２又
は３記載のレジスト剥離剤組成物。 - 【請求項５】 アルキルアミンの含有量が３．０〜５
０．０重量％である請求項１〜４のいずれかに記載のレ
ジスト剥離剤組成物。 - 【請求項６】 水の含有量が５．０〜５０．０重量％で
ある請求項１〜５のいずれかに記載のレジスト剥離剤組
成物。 - 【請求項７】 有機溶剤の含有量が１０．０〜９０．０
重量％である請求項１〜６のいずれかに記載のレジスト
剥離剤組成物。 - 【請求項８】 半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に
配線を形成する場合に不要となったレジストを、請求項
１〜７のいずれかに記載のレジスト剥離剤組成物を用い
て剥離・除去することを特徴とするレジスト剥離剤組成
物の使用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17108399A JP4269117B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | レジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17108399A JP4269117B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | レジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001005199A true JP2001005199A (ja) | 2001-01-12 |
| JP4269117B2 JP4269117B2 (ja) | 2009-05-27 |
Family
ID=15916700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17108399A Expired - Fee Related JP4269117B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | レジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4269117B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002278091A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フォトレジスト剥離剤組成物および該組成物を用いたフォトレジストの剥離方法 |
| US8239184B2 (en) | 2006-03-13 | 2012-08-07 | Newtalk, Inc. | Electronic multilingual numeric and language learning tool |
-
1999
- 1999-06-17 JP JP17108399A patent/JP4269117B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002278091A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フォトレジスト剥離剤組成物および該組成物を用いたフォトレジストの剥離方法 |
| JP4608664B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2011-01-12 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離剤組成物および該組成物を用いたフォトレジストの剥離方法 |
| US8239184B2 (en) | 2006-03-13 | 2012-08-07 | Newtalk, Inc. | Electronic multilingual numeric and language learning tool |
| US8798986B2 (en) | 2006-03-13 | 2014-08-05 | Newtalk, Inc. | Method of providing a multilingual translation device for portable use |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4269117B2 (ja) | 2009-05-27 |
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