JP2000508501A - マイクロ波パルス発生器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ナノ秒範囲のパルス持続時間を有するマイクロ波パルスを発生するためのマイクロ波パルス発生器が、一定のパルス幅の制御パルスを発生するインパルス発生器と、マイクロ波振動を発生するためのマイクロ波発振器とを有する。このマイクロ波発振器はトランジスタ増幅器を使用し、入力端子でトランジスタ増幅器に供給されたインパルス発生器の制御パルスが、マイクロ波発振器の出力端子で、前記制御パルスの推移に少なくとも近似的に後追いするタップ接続可能のマイクロ波振動を生ぜしめるように、周波数を決定する共振回路と、前記共振回路の共振回路鋭さを低減するための抵抗装置とが前記トランジスタ増幅器に接続される。

Description

【発明の詳細な説明】 マイクロ波パルス発生器 本発明は、制御パルスを発生するためのインパルス発生器と、マイクロ波振動 を発生するためのマイクロ波発振器とを具備した、ナノ秒範囲のパルス持続時間 を有する、マイクロ波パルスを発生するためのマイクロ波パルス発生器に関する 。 このようなマイクロ波パルス発生器は、通常、レーダ装置で、特にパルスレー ダ装置で正確な距離を測定するために使用される。 前記マイクロ波パルス発生器は、以下のような要求事項を満たさなければなら ない。 ａ）マイクロ波パルスのパルス持続時間は、パルスレーダにより要求された高 い解像性能が達成できるように、ナノ秒の範囲になければならない。 ｂ）パルスレーダ方式は、マイクロ波パルス搬送周波数とパルス繰返し周波数 との高いコヒーレンスを必要とする。このため発振器は、常に同一の初期位相で 振動を開始することを保証しなければならない。 ｃ）パルス持続時間に対するパルス周期の比率は、すべての目標エコーの戻り 時間が経過したとき、初めて次のマイクロ波パルスが送信される大きさにしなけ ればならない。 ｄ）マイクロ波パルス発生器のエネルギーは、パルス持続時間の経過後に可能 な限り広範囲に分解されなければならない。すなわちパルス持続からパルス休止 への移行は、非常に小さいエコーも検出できるような速さで行なわなければなら ない。パルスレーダのダイナミックレンジは、通常、約８０ないし１００ｄＢで ある。この値の範囲でマイクロ波インパルスを可能な限り短い時間で減衰させな ければならない。これは周波数を決定する共振器の鋭さが低いことを要求する。 このため一般に使用される連続マイクロ波発振器は、コヒーレントの連続パル スを発生することには適していない。このマイクロ波発振器は一般に十分な周波 数安定性を達成するために、共振回路の鋭さが大きく（Ｑ＞１００）なる。これ は結果として前記マイクロ波発振器のスイッチを投入したとき、前記マイクロ波 発振器が振動を開始するまで１００周期以上を必要とし、かつ、再び前記マイク ロ波発振器が振動を停止するまで再度１００周期以上を必要とする。したがって 特殊マイクロ波パルス発生器は、通常、製造コストが高くなり、帯域フィルタを 利用して所望の信号のフィルタ処理を必要とする非常に広帯域のスペクトルを発 生する。ところが、このようなマイクロ波パルス発生器の欠点は、その効率が非 常に悪いことである。 ドイツ特許第４４０１３５０号Ｃ１公報から、たとえばマイクロ波パルスを発 生するための方法と、電荷蓄積ダイオード（ステップリカバリダイオード＝ＳＲ Ｄ）を備えた付属の配列とが知られており、この方法はたしかに上述の要求事項 ａ）ないしｄ）については十分であるが、上述のように、非常に劣悪な効率を有 する。前記特許公報に記載された配列は、パルス差動増幅器が後置されたインパ ルス発生器を含む。この後置された整合回路値が共振器に組込まれた電荷蓄積ダ イオードにパルスを伝達する。この共振器は、電荷蓄積ダイオードの阻止キャパ シタンスと共に容量性および誘導性ＴＥＭ線路部品から成る。これによりすでに 、発生するスペクトルの中心点が決定されている。帯域パスを利用してその他の フィルタ処理を施すことにより、搬送周波数ｆ_Tと、パルス長ｔ_pとを有するマイ クロ波パルスが得られる。 本発明が解決しようとする課題は、部品コストが低減されたナノ秒範囲のパル ス長ｔ_pを有するマイクロ波パルスを発生するマイクロ波インパルス発生器を提 供することである。さらに前記マイクロ波インパルス発生器の効率は、従来知ら れている要求事項の効率より少なくとも係数１０以上高くしなければならない。 この課題は、マイクロ波発振器が周波数を決定する共振回路と、抵抗装置とを 具備した能動トランジスタ増幅器を有し、その際、入力端子でトランジスタ増幅 器に供給された制御パルスがマイクロ波発振器の出力端子で制御パルスの推移に 少なくとも近似的に後追いするタップ接続可能のマイクロ波振動を生ぜしめるよ うに、前記抵抗装置が共振回路の共振回路鋭さを一定限度に低減するために設け られることにより解決される。 本発明のさらなる構成は従属請求項に記載される。 本発明の利点は、マイクロ波発振器の電源として又はマイクロ波発振器のトラ ンジスタ増幅器の制御入力に印加するために提供される適切な持続時間の制御パ ルスを発生することにより回路コストを著しく低減できることである。これによ り高価な電荷蓄積ダイオードの使用を省くこともできる。 本来のマイクロ波パルスの持続時間を決定するナノ秒範囲の制御パルスは、た とえば簡単なパルス圧縮段により発生させることができる。 一継続形成においてパルス圧縮段と発振器の結合は、駆動段および／または減 結合段により改善することができる。パルス圧縮段が反転出力信号を発生するよ うに該パルス圧縮段が構成される場合、これは反転駆動段で補償することができ る。減結合段は、好ましくはいわゆる”サーキュラースタブ”により行なうこと ができる。 さらに直列共振回路が、たとえばガリウムひ素ＦＥＴのゲート-ドレイン間隔 を容量性素子として含む前記直列共振回路を利用して発振器を構成する利点があ る。これにより特に配列の効率を明らかに改善することができる。 パルス圧縮段は、好ましくは特に簡単に２つのバイポーラトランジスタを利用 して構成することができ、このバイポーラトランジスタのベース端子部が入力パ ルスに供給され、その際、第２トランジスタのコレクタ-エミッタ間隔は、第１ トランジスタのベース-エミッタ間隔と平行に接続され、かつ、入力パルスがＲ- Ｃ素子を介して第２トランジスタに供給される。 本発明は、以下に４葉の図面を利用してより詳しく説明する。各図面は次のと おりである。 図１ 本発明に基づく配列のブロック回路図。 図２ 後置の駆動段を備えたパルス圧縮段の１実施例。 図３ マイクロ波発振器の第１実施例。 図４ 出力信号順の時間的推移。 図５ マイクロ波発振器の第２実施例。 図１に、出力信号がパルス圧縮段２の入力に供給されるインパルス発生器を１ で示す。パルス圧縮段２は、出力パルスが駆動段３の入力に供給されるナノ秒範 囲の出力パルスを発生する。駆動段３により増幅された信号は、出力側でマイク ロ波発振器５の配電電圧入力に接続される減結合回路網４に供給される。マイク ロ波発振器５の出力信号は、出力端子２４でタップ接続することができる。 インパルス発生器１は公知の方法で構成することができ、かつ、所定のパルス 周期を有する連続パルスを提供する。図２に基づき後置されたパルス圧縮段２は 入力端子６を有することができ、この入力端子は抵抗７を介してｎｐｎ-トラン ジスタ１１のベースに、抵抗８を介してｎｐｎ-トランジスタ１０のベースに、 それぞれ接続される。抵抗８とトランジスタ１０のベースとの間にはキャパシタ ンス９がアースに接続されている。トランジスタ１０のコレクタはトランジスタ １１のベースに、トランジスタ１０のエミッタはアースに、それぞれ接続される 。同様にトランジスタ１１のエミッタはアースに接続される。トランジスタ１１ のコレクタはパルス圧縮段の出力回路を形成し、かつ、後置された駆動段３の入 力回路に結合される。このためコレクタが３つの抵抗１２、１３および１６から 成る直列回路を介して配電電圧端子１７に接続されている。抵抗１２および１３ の直列回路の中間タップはｐｎｐ-トランジスタ１８のベースに接続され、抵抗 １３および１６から成る直列回路の中間タップはトランジスタ１８のエミッタに 接続される。このトランジスタのコレクタは出力端子１９に接続される。抵抗１ ６はその両端で減結合キャパシタンス１４および１５を介してアースに接続され る。 本発明に基づくマイクロ波発振器５は、以下のようにスイッチオフすることが できる。図３に基づき、配電端子は２０で示す。この配電端子は抵抗２１を介し てサーキュラースタブＡおよびλ／４線路Ｂに接続される。サーキュラースタブ Ａとλ／４線路Ｂは減結合回路網４を形成する。λ／４線路Ｂの他端は、トラン ジスタ２５の、ここでは電界効果トランジスタの電荷ギャップを介して、かつ、 前記トランジスタと直列に接続された抵抗２６を介してアースに接続される。ト ランジスタ２５はトランジスタ増幅器を形成し、かつ、バイポーラトランジスタ とすることもできる。電界効果トランジスタ２５のドレイン端子部は、キャパシ タンス２３を介して出力端子２４に接続される。電界効果トランジスタ２５のゲ ート端子部はインダクタンス２７を介してアースに接続される。 駆動段３の出力端子１９は配電端子２０に接続される。入力端子６には所定の パルス周期を有する連続パルスが供給される。インパルス発生器１に到着するパ ルスは、パルス圧縮段２で長さｔ_pに圧縮される。これは、図２に記載する実施 例では、入力パルスの反転端がトランジスタ１１のベース-エミッタ電圧を超え る際に、このパルスを導通状態に移行させることにより行われる。これにより分 圧器１２、１３、１６に通電され、これによりトランジスタ１８を導通接続する ため、抵抗１３で十分に電圧が降下する。同時に入力パルスの反転端はＲＣ素子 ８、９を介して前記反転端により限定された時間だけ遅延される。この遅延時間 は高速トランジスタを選択することによりナノ秒の範囲から入力パルスの長さま で調整することができる。この遅延時間の経過後、トランジスタ１０が導通接続 されるため、この結果、トランジスタ１１のベース電圧はトランジスタ１０の飽 和電圧に低減される。トランジスタ１１はこれにより再び高インピーダンス状態 に復帰し、かつ、これによりトランジスタ１８も遮断する。出力端子１９には、 これにより非常に短い長さｔ_pのインパルスが提供され、このインパルスが特に 低インピーダンスの負荷をかけることができる。トランジスタ１０、１１および １８の最終的な立上り時間により、出力パルスはｓｉｎ²関数と類似の曲線形状 を有する。回路網１４、１５、１６は、単に配電端子１７に印加される動作電圧 を遮断するために利用される。パルス圧縮段２および駆動段３は、この両方の段 が処理信号を反転し、これにより非反転信号が出力１９にタップ接続できるので 、この限りにおいて本例を補足する。 上述のようにして得られた、マイクロ波パルスの持続時間に相当するインパル ス持続時間を有する信号は、マイクロ波発振器に端子１９および２０を介して配 電電圧として供給される。マイクロ波発振器５は、本例ではガリウムひ素電界効 果トランジスタとして製造されたトランジスタ２５から成る。しかしこのトラン ジスタには、適切なバイポーラトランジスタを使用することもできる。さらに、 たとえばインダクタンス２７は誘導性ＴＥＭ線路部品として製造される。マイク ロ波発振器５の周波数を決定する共振回路は、ＦＥＴの場合はゲートとドレイン との間でもしくはバイポーラトランジスタの場合はベースとコレクタとの間で、 前記線路部品と内部トランジスタキャパシタンスとから形成される。その際線路 部品２７は、トランジスタキャパシタンスと共に直列共振回路を形成し、この直 列共振回路は線路部品の長さにわたり調整することができる。さらに、これによ り振動開始のための位相条件が満たされる。抵抗２６は共振回路の鋭さを低減す るために必要となり、これにより高速の振動開始が保証される。トランジスタ２ ５により電流を制限するため、駆動段３と減結合回路網４との間のリード線に抵 抗２１が挿入される。コンデンサ２３は配電電圧を遮断するために利用され、か つ、このようにしてマイクロ波発振器５の出力信号が減結合される。 マイクロ波発振器５は、端子２０に配電電圧を印加する際に該マイクロ波発振 器が一定の共振回路の共振周波数でＣＷ信号を発生するように形成される。イン ダクタンス２７を形成する線路部品の線路長を整合する際に、抵抗２６の自己イ ンダクタンスの変換分がインダクタンス２７と平行にする必要があることに注意 しなければならない。 すでに述べたように、マイクロ波発振器５の電源供給は、長さｔ_pのインパル スにより行われる。これはパルス圧縮段と後置された駆動段３を減結合するため にサーキュラースタブＡとλ／４線路Ｂとから成る減結合回路網４を介し配電端 子２０でマイクロ波発振器５に供給される。インパルスの長さは、これによりマ イクロ波パルスの長さを決定する。サーキュラースタブＡは搬送周波数ｆ_Tのた めに、λ／４線路Ｂを介して無負荷で変換される短絡を形成する。これにより高 周波はマイクロ波発振器５から駆動段３に到達することができない。 高速の振動開始および振動停止特性を達成するために、ソース端子部は抵抗２ ６を介してアースに接続する必要がある。この抵抗２６は、マイクロ波振動が該 マイクロ波振動の振幅で供給インパルスの振幅に後追いできる範囲まで共振回路 の鋭さを低減する（図４）。 マイクロ波振動のコヒーレンスは、マイクロ波発振器５に供給するため、ほぼ ナノ秒の長さのインパルスが約２５０ｐｓの範囲にある小さい立上り時間を有し 、かつ、それによりすでにスペクトルのエネルギー分をマイクロ波発振器５の共 振周波数に結合することにより達成される。これによりマイクロ波信号の一定の 初期位相が与えられる。 マイクロ波発振器５の出力端子２４でマイクロ波パルスがキャパシタンス２３ を介して減結合される。ただしここでは、このマイクロ波パルスにまだ圧縮され たインパルスが重ね合せられるが、これはたとえば高域でフィルタ除去すること ができる。ところが発生したマイクロ波パルスが中空導体に伝送される場合、こ の中空導体は同一の特性を有するので、追加の高域処理を省くことができる。 図４は２つの連続するマイクロ波パルスＩ１およびＩ２の時間的推移を示す。 さらに、両方のパルスＩ１とＩ２との間には、たとえば距離を測定するために評 価されるエコーＥが表示される。発振器周期はｆ_Tで、パルス持続時間はｔ_pで表 す。 図５にマイクロ波発振器５のための第２実施例を示す。パルス圧縮段２からの インパルスは、本実施例では図３に記載したマイクロ波発振器のインパルス状に 与えられた動作電圧と異なり、トランジスタ増幅器５の制御電極を介してマイク ロ波発振器５に供給される。さらにマイクロ波発振器５はトランジスタ２５を有 し、このトランジスタはガリウムひ素電界効果トランジスタ（ＧａＡｓ-ＦＥＴ と略す）として製造することができる。さらにＧａＡｓ-ＦＥＴ２５のゲートに は、インダクタンス２７を形成するために誘導性ＴＥＭ線路部品が接続される（ たとえば長さλ／４およびλ／２の開放マイクロストリップ線路）。さらにＧａ Ａｓ-ＦＥＴ２５のゲートには、λ／４線路ＣとサーキュラースタブＤとから成 る減結合回路網の出力が接続される。この減結合回路網の入力は、抵抗３１を介 してマイクロ波発振器５の入力端子３２に接続される。ＧａＡｓ-ＦＥＴ２５の ドレイン端子部は、類似の方法で、λ／４線路ＥとサーキュラースタブＦとから 成る減結合回路網と、抵抗３３とを介して配電端子３４に接続される。この配電 端子３４には定電源Ｕ_Bを印加することができる。さらにＧａＡｓ-ＦＥＴ２５の ドレイン端子部にはマイクロ波信号が結合コンデンサ２３を介して出力端子２４ に減結合される。ＧａＡｓ-ＦＥＴ２５のソース端子部は、抵抗２６を介してア ースに置かれる。 このマイクロ波発振器５の機能は、制御パルスの形状が図５左側に示した推移 を有すると想定される場合、すなわちｓｉｎ²関数と類似の曲線形状を有し、そ の最大値が０ボルトであり、かつ、電位Ｕ_pから出発しもしくはこの電位Ｕ_pに再 び低下することが想定される場合、以下のようになる。マイクロ波発振器５の制 御入力に、すなわち入力端子３２に、合計でピンチ-オフ電圧Ｕ_pより大きい負の 電圧が印加される場合に限り、ＧａＡｓ-ＦＥＴ２５は遮断された状態にとどま る。 入力端子３２でインパルスにより電圧が０ボルトに上昇すると、マイクロ波発振 器５は、ドレインとゲートとの間で誘導性ＴＥＭ線路部品２７と内部トランジス タキャパシタンスとから形成される直列共振回路の共振周波数で振動する。周波 数の調整はゲートで線路長にわたり行なうことができる。振動条件に必要な位相 回転は、これにより同様の影響を受ける。抵抗２６は振動回路の鋭さを制限する ため、この結果、マイクロ波発振器の高速の振動開始および振動停止が可能にな る。 パルス運転では、制御入力すなわち入力端子３２のレベルは、０ボルトと負電 圧との間で変動する。共振回路の鋭さが小さいことによりマイクロ波振動の包絡 線の形状は制御パルスの形状と等しくなる。マイクロ波振動のコヒーレンスは、 制御パルスの高速立上り端がすでにマイクロ波発振器５のスペクトルのエネルギ ー分を与えることにより達成される。初期位相は、これにより常に等しくなる。 マイクロ波発振器５の出力端子２４では、短い高速立上り端の制御パルスによる 駆動により、本質的に同様に短くならびに位相固定したマイクロ波パルスが出力 される。好ましいことに、これは現在知られているマイクロ波パルス発生器より も１オーダー高い効率で行われる。 符号の説明 １ インパルス発生器 Ａ サーキュラースタブ ２ パルス圧縮段 Ｄ サーキュラースタブ ３ 駆動段 Ｆ サーキュラースタブ ４ 減結合回路網 Ｂ λ／４線路 ５ マイクロ波発振器 Ｃ λ／４線路 ６ 入力端子 Ｅ λ／４線路 ７ 抵抗 Ｕ_B供給電圧 ８ 抵抗 ９ キャパシタンス １０ トランジスタ １１ トランジスタ １２ 抵抗 １３ 抵抗 １４ 減結合キャパシタンス １５ 減結合キャパシタンス １６ 抵抗 １７ 配電電圧端子 １８ トランジスタ １９ 出力端子 ２０ 供給端子 ２１ 抵抗 ２３ キャパシタンス ２４ 出力端子 ２５ トランジスタ、トランジスタ増幅器 ２６ 抵抗 ２７ インダクタンス ３１ 抵抗 ３２ 入力端子 ３３ 抵抗 ３４ 供給端子

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】１９９９年３月２４日（１９９９．３．２４） 【補正内容】 特許請求の範囲 １（補正後）．制御パルスを発生するためのインパルス発生器と、マイクロ波振 動を発生するためのマイクロ波発振器とを備えた、ナノ秒範囲のパルス持続時間 を有する、マイクロ波パルスを発生するためのマイクロ波パルス発生器であって 、前記マイクロ波発振器（５）が能動トランジスタ増幅器（２５）を有するマイ クロ波パルス発生器において、 トランジスタ増幅器（２５）が、周波数を決定する共振回路（２７）と、基準 電位とトランジスタ増幅器（２５）の出力端子との間に接続される抵抗装置（２ ６）とを有し、前記トランジスタ増幅器（５）に入力端子（２０、３２）で供給 されたインパルス発生器（２）の制御パルスがマイクロ波発振器（５）の出力端 子（２４）で制御パルスの推移に少なくとも近似的に後追いするタップ接続可能 なマイクロ波振動を生じさせるように、前記抵抗装置（２６）が共振回路（２７ ）の共振回路鋭さを低減するために具備されていること、を特徴とするマイクロ 波パルス発生器。 ２（補正無し）．抵抗装置（２６）が、基準電位とトランジスタ増幅器（２５） の出力端子との間に接続された抵抗であること、を特徴とする請求項１記載のマ イクロ波パルス発生器。 ３（補正無し）．トランジスタ増幅器（２５）がトランジスタにより形成され、 かつ、周波数を決定する共振回路（２７）が内部トランジスタキャパシタンスと トランジスタ（２５）の制御端子部に接続されたインダクタンス（２７）とによ り形成されていること、を特徴とする請求項１または２記載のマイクロ波パルス 発生器。 ４（補正無し）．インダクタンスが誘導性ＴＥＭ線路部品（２７）として形成さ れていること、を特徴とする請求項３記載のマイクロ波パルス発生器。 ５（補正無し）．制御パルスのための入力端子（２０、３２）がトランジスタ増 幅器（２５）の制御入力またはトランジスタ増幅器（２５）の出力に結合されて いること、を特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項記載のマイクロ波パル ス発生器。 ６（補正無し）．インパルス発生器（２）とマイクロ波発振器（５）との間に駆 動段（３）が接続されていること、を特徴とする請求項１ないし５のいずれか１ 項記載のマイクロ波パルス発生器。 ７（補正無し）．インパルス発生器（２）とマイクロ波発振器（５）との間に減 結合段（４）が接続されていること、を特徴とする請求項１ないし６のいずれか １項記載のマイクロ波パルス発生器。 ８（補正無し）．減結合段（４）がサーキュラースタブ（Ａ）を含むこと、を特 徴とする請求項７記載のマイクロ波パルス発生器。 ９（補正無し）．マイクロ波発振器（５）がインダクタンス（２７）と、トラン ジスタのゲート／ベース-ドレイン／コレクタ間隔（２５）とを備えた直列共振 回路を含むこと、を特徴とする土記請求項のいずれか１項記載のマイクロ波パル ス発生器。 １０（補正無し）．トランジスタ（２５）のソース／エミッタ端子部にマイクロ 波インパルスが減結合されること、を特徴とする請求項９記載のマイクロ波パル ス発生器。 １１（補正無し）．トランジスタ（２５）がガリウムひ素電界効果トランジスタ またはバイポーラトランジスタであること、を特徴とする請求項９または１０記 載のマイクロ波パルス発生器。 １２（補正無し）．インパルス発生器（２）が −第１トランジスタ（１１）を有し、このトランジスタの制御端子部に一定の パルス幅のインパルスが供給され、かつ、該トランジスタの電荷ギャップを介し て出力パルスが減結合され、 −第２トランジスタ（１０）を有し、このトランジスタの電荷ギャップが第１ トランジスタ（１１）の制御端子部と基準電位との間に接続され、かつ、前記ト ランジスタの制御端子部が時限素子（８、９）を中間接続して一定のパルス幅の インパルスが与えられること、を特徴とする上記請求項のいずれか１項記載のマ イクロ波パルス発生器。 １３（補正無し）．第１トランジスタ（１１）の電荷キャップが一方で基準電位 に接続され、かつ、他方で抵抗分割器（１２、１３）を介して配電電圧端子（１ ７）に接続され、かつ、抵抗分割器（１２、１３）の抵抗（１３）の１つに第３ トランジスタ（１８）のエミッタ-ベース間隔が平行に接続され、かつ、出力パ ルスが第３トランジスタ（１８）のコレクタにタップ接続可能であること、を特 徴とする請求項１２記載のマイクロ波パルス発生器。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シュルトハイス，ダニエル ドイツ連邦共和国、デー―78132 ホルン ベルク、ライヒェンバッヒェル シュトラ ーセ 37

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．制御パルスを発生するためのインパルス発生器と、マイクロ波振動を発生す るためのマイクロ波発振器とを備えた、ナノ秒範囲のパルス持続時間を有する、 マイクロ波パルスを発生するためのマイクロ波パルス発生器であって、 マイクロ波発振器（５）が、周波数を決定する共振回路（２７）と、抵抗装置 （２６）とを具備した、能動トランジスタ増幅器（２５）を有し、前記トランジ スタ増幅器（５）に入力端子（２０、３２）で供給されたインパルス発生器（２ ）の制御パルスがマイクロ波発振器（５）の出力端子（２４）で制御パルスの推 移に少なくとも近似的に後追いするタップ接続可能なマイクロ波振動を生じさせ るように、前記抵抗装置（２６）が共振回路（２７）の共振回路鋭さを低減する ために具備されていること、を特徴とするマイクロ波パルス発生器。 ２．抵抗装置（２６）が、基準電位とトランジスタ増幅器（２５）の出力端子と の間に接続された抵抗であること、を特徴とする請求項１記載のマイクロ波パル ス発生器。 ３．トランジスタ増幅器（２５）がトランジスタにより形成され、かつ、周波数 を決定する共振回路（２７）が内部トランジスタキャパシタンスとトランジスタ （２５）の制御端子部に接続されたインダクタンス（２７）とにより形成されて いること、を特徴とする請求項１または２記載のマイクロ波パルス発生器。 ４．インダクタンスが誘導性ＴＥＭ線路部品（２７）として形成されていること 、を特徴とする請求項３記載のマイクロ波パルス発生器。 ５．制御パルスのための入力端子（２０、３２）がトランジスタ増幅器（２５） の制御入力またはトランジスタ増幅器（２５）の出力に結合されていること、を 特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項記載のマイクロ波パルス発生器。 ６．インパルス発生器（２）とマイクロ波発振器（５）との間に駆動段（３）が 接続されていること、を特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載のマイ クロ波パルス発生器。 ７．インパルス発生器（２）とマイクロ波発振器（５）との間に減結合段（４） が接続されていること、を特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項記載のマ イクロ波パルス発生器。 ８．減結合段（４）がサーキュラースタブ（Ａ）を含むこと、を特徴とする請求 項７記載のマイクロ波パルス発生器。 ９．マイクロ波発振器（５）がインダクタンス（２７）と、トランジスタのゲー ト／ベース-ドレイン／コレクタ間隔（２５）とを備えた直列共振回路を含むこ と、を特徴とする上記請求項のいずれか１項記載のマイクロ波パルス発生器。 １０．トランジスタ（２５）のソース／エミッタ端子部にマイクロ波インパルス が減結合されること、を特徴とする請求項９記載のマイクロ波パルス発生器。 １１．トランジスタ（２５）がガリウムひ素電界効果トランジスタまたはバイポ ーラトランジスタであること、を特徴とする請求項９または１０記載のマイクロ 波パルス発生器。 １２．インパルス発生器（２）が −第１トランジスタ（１１）を有し、このトランジスタの制御端子部に一定の パルス幅のインパルスが供給され、かつ、該トランジスタの電荷ギャップを介し て出力パルスが減結合され、 −第２トランジスタ（１０）を有し、このトランジスタの電荷ギャップが第１ トランジスタ（１１）の制御端子部と基準電位との間に接続され、かつ、前記ト ランジスタの制御端子部が時限素子（８、９）を中間接続して一定のパルス幅の インパルスが与えられること、を特徴とする上記請求項のいずれか１項記載のマ イクロ波パルス発生器。 １３．第１トランジスタ（１１）の電荷ギャップが一方で基準電位に接続され、 かつ、他方で抵抗分割器（１２、１３）を介して配電電圧端子（１７）に接続さ れ、かつ、抵抗分割器（１２、１３）の抵抗（１３）の１つに第３トランジスタ （１８）のエミッタ-ベース間隔が平行に接続され、かつ、出力パルスが第３ト ランジスタ（１８）のコレクタにタップ接続可能であること、を特徴とする請求 項１２記載のマイクロ波パルス発生器。