JP2000503121A - 温度センサー及び赤外線検出器のための構造体 - Google Patents
温度センサー及び赤外線検出器のための構造体Info
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Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.基体上に形成される温度センサー及び赤外線検出器のための構造体にして 、抵抗が温度に依存しているサーミスタ層を含み、また、該サーミスタ層の両側 に配備された電気接触層を更に含んでおり、前記抵抗は前記接触層間で測定され る前記構造体において、前記サーミスタ層は単結晶量子ウェル構造体(3)でな っており、該単結晶量子ウェル構造体(3)は交互に量子ウェル層とバリヤー層 とを含んでいることを特徴とする構造体。 2.請求項1記載の構造体において、パラメータの1つあるいはそれ以上、即 ち、前記バリヤー層のバンドエッジエネルギー、前記量子ウェル層のドーピング レベル、前記量子ウェル層の厚み、及び、前記バリヤー層の厚みは前記構造体に 予め定められている温度係数を得るようにされていることを特徴とする構造体。 3.請求項1または請求項2記載の構造体において、前記基体(2;10;3 6)はシート状ガリウムヒ化物でなっており、前記量子ウェル層はn−ドーピン グされたガリウムヒ化物でなっており、また、前記バリヤー層はドーピングされ ていないアルミニウムガリウムヒ化物でなっていることを特徴とする構造体。 4.請求項1または請求項2記載の構造体において、前記基体(2;10;3 6)はシリコンシートでなっており、前記量子ウェル層はp−ドーピングされた シリコンゲルマニウムでなっており、前記バリヤー層はドーピングされていない シリコンでなっていることを特徴とする構造体。 5.請求項1または請求項2記載の構造体において、前記基体(2;10;3 6)はシート状ガリウムヒ化物でなっており、前記量子ウェル層はn−ドーピン グされたインジウムガリウムヒ化物でなっており、前記バリヤー層はドーピング されていないアルミニウムガリウムヒ化物でなっていることを特徴とする構造体 。 6.請求項1または請求項2記載の構造体において、前記基体(2;10;3 6)はサファイアシートで、言い換えれば、単結晶酸化アルミニウムのシートで なっており、前記量子ウェル層はn−ドーピングされたガリウム窒化物でなって おり、前記バリヤー層はドーピングされていないアルミニウムガリウム窒化物で なっていることを特徴とする構造体。 7.前記基体(2)が熱伝導接触する予定になっている材料の温度を測定する ようにされた請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5または請求項 6記載の構造体において、該構造体は、前記基体(2)の頂部に備えられた第1 の接触層(4)と、該第1の接触層の一部分の頂部に備えられた量子層構造体( 3)と、該量子ウェル構造体の頂部に備えられた第2の接触層(5)とを含んで おり、前記第1の接触層(4)の頂部に前記量子ウェル構造体(3)の一方の側 に金属性接点(6、7)が部分的に備えられており、また、前記第2の接触層( 5)の頂部に部分的に備えられていることを特徴とする構造体。 8.入射IR放射を測定するようにされた請求項1、請求項2、請求項3、請 求項4、請求項5または請求項6記載の構造体において、該構造体は、前記基体 (10)の頂部に配備された膜体(11)と、該膜体(11)の頂部に配備され た量子ウェル構造体(3)とを含んでおり、該量子ウェル構造体の頂部の下に、 且つ、その頂部には金属性接触層(12、13)が備えられており、前記基体は 、前記基体面(16)に対して平行に、そして、離隔された関係をなして前記膜 体(11)を支持するすように、該膜体と前記基体面(16)との間に配備され た脚部(14、15)を含んでいることを特徴とする構造体。 9.入射IR−放射を測定するようにされた請求項1、請求項2、請求項3、 請求項4、請求項5または請求項6記載の構造体において、前記基体(36)の 頂部に備えられているのは膜体(38)であり、該膜体(38)の頂部には前記 量子ウェル構造体(3)が置かれており、該量子ウェル構造体の下には、そして 、頂部には、それぞれ金属性接触層(42、43)が備えられており、前記膜体 (38)は前記基体面に平行をなしており、該膜体(38)と前記基体との間に 配備された膜体支持脚部(39)を介して、該膜体が該基体の残部に機械的に接 続されており、該脚部は、前記基体面に平行をなしており、凹所が形成されてお り、該凹所は前記脚部と前記量子ウェル構造体(3)の下との間を延在している ことを特徴とする構造体。 10.請求項7、請求項8または請求項9記載の構造体にして、2つあるいは それ以上の量子ウェル構造体(27、28、29)を有しており、該量子ウェル 構造体(27、28、29)の各々は量子ウェル層及び中間バリヤー層を含んで おり、前記量子ウェル構造体は相互に異なる活性化エネルギーを有しているとと もに一方の基体(26)上に、且つ、同じ基体(26)上に形成されていること を特徴とする構造体。 11.請求項10記載の構造体において、前記基体面(26)には第1の接触 層Aが備えられており、前記第1の接触層の頂部には第1の活性化エネルギーを 有する第1の量子ウェル構造体(26)が備えられており、該第1の量子ウェル 構造体(27)の頂部には第2の接触層Bが備えられており、それには、第2の 量子ウェル構造体(28)、第3の量子ウェル構造体(29)等が追随しており 、各々は個々の活性化エネルギーを有しており、各量子ウェル構造体間には接触 層Cが備えられており、一番上の量子ウェル構造体(29)上には接触層Dが備 えられており、前記構造体はエッチングされて前記2つの接触層としており、該 接触層の各々は量子ウェル構造体を囲繞しており、前記対の接触層は電気接点( 30−35)に接続されていることを特徴とする構造体。
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