JP2000502745A - 脱水素縮合及びヒドロシリル化による多官能価ポリオルガノシロキサン(pos)を製造する方法、及びこの方法を実施するための装置 - Google Patents
脱水素縮合及びヒドロシリル化による多官能価ポリオルガノシロキサン(pos)を製造する方法、及びこの方法を実施するための装置Info
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Abstract
(57)【要約】
発明は、多官能価POSを工業規模で製造することに関する。発明の目的は、WO 96/16125に記載されているPOSを多官能化する方法を改良してそれを多官能価POSを製造する工業的方法に変えることにある。この目的は、Si−アルキル及びSiOR(R=アルキル)官能価でPOSを(半)連続製造する方法に関する発明によって達成され、その方法では、1.脱水素縮合反応装置Aに、POSを、SiH、ROHアルコール及び白金と共に連続して供給し;2.形成されたガスを排気しかつ連続してそれが含有するH2を除きかつROHを凝縮によって循環させることによって回復させ;3.1.に由来するPOSを、SiH及びSiORと共に、直ぐにヒドロシリル化反応装置Bに移送して最終的にPOSをSi−アルキル及びSiORと共に回復させる。発明は、また、この方法を実施するための装置に関する。この装置の反応装置は、多段のものである。発明は、多官能価POSの連続合成に適用し得る。
Description
【発明の詳細な説明】
脱水素縮合及びヒドロシリル化による多官能価ポリオルガノシロキサン
(POS)を製造する方法、及びこの方法を実施するための装置
発明の分野は、M、D、T及び随意にQ単位からなる線状又は環状シリコーン
、特にポリオルガノシロキサンを官能化するものである。
発明の関係において一層特に扱う官能化すべきPOSは、線状又は環状ポリオ
ルガノヒドロシロキサンである。これらのPOSに特定の性質、例えば粘着防止
性、潤滑、相容化、等(これらは、すべてシリコーンの様々でかつ変化に富む用
途において所望される性質である)を与えるために、これらのPOSを置換する
意図の官能価への付着点として働くのは、これらのPOSのSiH基である。
本発明は、多官能価POSを工業規模で製造することに関する。そのような関
係において、連続又は半連続作業モードが、バッチ様式モードに比べて、実行可
能性及び生産性の工業的要求に一層適しているのは明らかである。
本発明は、また、多官能価POSを、特に上に概略したプロセスに従って製造
するための工業的ユニットも指向する。
POSの多官能化の実際の原理は、先の国際特許出願PCT WO 96/1
6125に記載されている。その文献は、Si−OEt及びSi−H官能価を含
有するPOS IIを、例えば50 MeSiHO2/2ユニットを含有するポリ
メチルヒドロシロキサンα−ω−Si(Me)3を脱水素縮合(dehydro
condensation)することによって製造することについて開示してい
る。
エトキシ官能価に代えて、例えばイソプロポキシのようなその他のアルコキシが
もくろまれる。
脱水素縮合は、SiHを含有するPOS(I)を、白金ベースの触媒の存在に
おいて、アルコキシ官能価のプリカーサーであるアルコールに接触させて置くこ
とによって実施される。
この脱水素縮合の後に、出発SiH基の一部分がアルコキシ残基で置換される
のが認められる。
このようにして得られるPOS(II)に、次いで、残留するSiH基により
かつ出発白金触媒の存在において、オクテンのようなオレフィンのヒドロシリル
化を施す。
これより、SiHを含有するPOS(I)を、過剰のアルコールによりかつ白
金触媒の存在において、脱水素縮合することは、相当遅くなって転化度約66%
になることが観測されることができた。
出願人は、SiHを含有するPOSを多官能化するこのプロセスを工業化する
ことの問題に対面し、ある数の技術的かつ専門的な問題に直面しなければならな
かった。これらについては、以下に概略することにする。
多官能化されたPOSを製造するための工業的プロセスについての一般的な規
格値シートは、少なくとも4つの主要な要求:生産性及び実行可能性、完成品の
品質、安全、並びに実施の容易を含む。
生産性及び実行可能性に関しては、すでに上に示した通りに、連続又は半連続
でさえの作業モードをもくろまなければならないことは明らかである。
考慮する多官能化されたPOSの品質の決定要因の内の一つは、脱水素縮合に
よるSiH基の転化度(第一のタイプの官能価による置換度)を調節することに
基づく。アルコールを脱水素縮合反応体として使用する場合に、それの再現精度
を確実にするために、部分アルコキシル化の度合いを調節することが重要である
。これに関する唯一の近い従来技術、すなわち出願PCT WO 96/161
25は、それが挙げる例が、500ml三ツ口の丸底フラスコにおいてバッチ様
式で行われる実験室テストであるので、解決策(解決策の発端でさえ)をもたら
さない。
工業的安全面は、また、いくつもの理由で、この多官能化プロセスにおいて極
めて強制するものである。第一は、脱水素縮合の特徴である水素の放出が、明白
な危険であり、これは抑制すべきものであることである。第二は、Si−ORを
含有しかつSi−H(反応体=アルコール)を含有する反応中間体POS(II
)が、依然活性な白金触媒の存在において、SiHを大きな割合で含有する油で
あることから生じる。これは、潜在的に危険な混合物である、と言うのは、再出
発し、こうして水素を予期されずかつ制御されない様式で生成する反応の可能性
を排除することができず、これは、そのような条件下で、高い危険を表すからで
ある。
また、脱水素縮合の間に生成される水素によって誘発される激しいフォーミン
グの現象により更なる技術的困難が伴う。
最も近い従来技術WO 96/16125に挙げられている通りの、SiHを
含有するPOSを多官能化するプロセスの例は、バッチ式の実験室テストであり
、上に該略した工業上の最大の関心事を考慮していない。
この事態を前提とすれば、本発明の必須の目的の内の一つは、WO 96/1
6125に記載されているPOSを多官能化するプロセスを、実行可能性及び生
産性、完成品の品質、安全、並びに最後に実施の容易の要求を満足する多官能価
POSを製造する工業的プロセスにするために、そのプロセスを改良することに
ある。
本発明の別の必須の目的は、脱水素縮合/ヒドロシリル化によって多官能価P
OSを製造するための工業的ユニットを提供するにあり、この装置は、経済的で
あり、信頼性があり、良好な性能でありかつ上に目標とする製造プロセスに適す
ることを必要とする。
これらの目的は、とりわけ、先ず第一に、SiH基を含むPOS(I)から多
官能価ポリオルガノシロキサンPOS(III)を連続又は半連続製造するに際
し、官能価(Fo1)による該POS(I)の官能化及び官能価(Fo2)のプリ
カーサーである少なくとも一種の不飽和化合物のヒドロシリル化をPOS(II
I)上に可能にする脱水素縮合を伴う反応機構に従う方法であって、本質的に下
記:
・ 少なくとも1つの連続反応装置Aに下記を連続して供給し:
− SiH基を含有する少なくとも一種のPOS(I)、
− レイビル水素を含有する少なくとも一種の官能性反応体(HXR)、好
ましくはアルコール及び/又はチオール(X=O又はS)、該反応体は、(I)
に対して過剰にするのが好ましい、
− 並びに遷移金属から選ぶ生成物を含む触媒−白金が特に好適である、該
反応装置Aは、特に下記に至る脱水素縮合の場所であり:
− 残留SiH基及
びSiFo1基(Fo1=XR)を含むPOS(II)、
− 反応体HXR、
− 並びに水素及び随意にガス状反応体HXRを含有するガス、
・ 反応装置Aから、水素を含有するガスを、それが形成されると、連続して
除去しかつ回収することを可能にし、
・ 随意に液体反応媒体を、もしこの媒体が、特にSiH/SiFo1基を含
有するPOS II及び触媒を含有するならば、捕集し、
・ 該液体反応媒体を反応装置Aから少なくとも反応装置Bに、SiFo1及
びSiFo2基を含有するPOS(III)を得るように、少なくとも一種の不
飽和官能性化合物をPOS(II)の残留SiH基によってヒドロシリル化する
ために移し、
・ 上で目標とするヒドロシリル化を進行させ、
・ このようにして形成されたSiFo1/SiFo2基を含有するPOS(I
II)を回収する
に在ることを特徴とする方法に関する本発明によって達成される。
出願人は、長くかつ骨の折れる研究の後に、思いもかけないことに、POSを
多官能化することを工業化することの問題が、水素が形成されると、それの即座
のかつ連続除去及び回収を講じることにより、並びにその上に、危険なPOS(
II)中間体を中和して無害にするために、それをできるだけ早い内にかつ急速
に他のヒドロシリル化反応装置Bの方に排出することによって、連続脱水素縮合
を行うことを伴うものであったことを立証することができた。換言すると、水素
が除かれかつ反応中間体は、それが形成されると、消費される。
これらの有利なプロセスモードは、下記の保証である:
− 生産性/実行可能性→連続作業、
− 品質→POS(I)のPOS(II)への転化度の調節、
− 安全→水素危険の最大の封じ込め、
− 作業の容易。
付随的に、発明に従うプロセスは、簡便に反応の熱を除くことを可能にし、同
時に反応バルクの温度を精確に調節することを可能にする。
推奨する水素のバルク排気は、フォーミングの禁止的問題への解決策を提供す
る。
発明の別の利点は、少なからずこのプロセスの経済性に関係する。
脱水素縮合によって生成されるガスは、蒸気形態の反応体HXR−好ましくは
アルコールROHを含む。発明の有利なモードに従えば、このガスに、水素を、
好ましくは反応体HXRの(例えば、アルコールの)蒸気を凝縮させることによ
って、分離するための処理を施す。
本明細暑中、Rは、炭素原子1〜15を含有する、好ましくは炭素原子1〜6
を含有する線状又は枝分れアルキルラジカルからなる炭化水素残基を表す。
レイビル水素を含有する反応体がアルコールである特定の場合には、官能価F
o1は、アルコキシであり、ヒドロシリル化すべき不飽和化合物がオレフィンで
ある場合には、Fo2は、官能化されたPOSを構成するユニットの(II)式
におけるWについて挙げるのと同じ定義に一致する官能性炭化水素ラジカルであ
り、WO 96/16125に記載されている通りである。その上に、このPC
T出願全体を、本出願中に援用する。官能価Fo1は、例えば下記である:メト
キシ、エトキシ及び(イソ)プロポキシである。官能価Fo2は、例えばオクチ
ル、ドデシル、ウンデシル及びトリデシルからなるアルキルラジカル(i’);
ヘキセニル及びドデセニルからなるアルケニルラジカル(2i’);シクロヘキ
セニル、1−メチル−1−シクロヘキセニルからなる不飽和脂環式ラジカル(3
i’)であり、これらは、随意に−CH2−CH2、−CH2−CH(CH3)−又
は−(CH2)3−残基を経てケイ素に結合される。
発明に従うプロセスに関しそれ以上の詳細を提供するために、反応装置Aに、
実質的同時にSiHを含有するPOS(I)及び官能性反応体HXRを供給し、
触媒をPOS(I)及び/又は反応体HXRに入れることを述べることができる
。有利には、反応体HXR中の触媒の溶液を使用することが、実施において好都
合である。
POS(I)及びレイビル水素を含有する反応体−アルコール(エタノール)
のような−を同時に供給することは、この点において、反応の突沸及びそれに伴
う水素の放出をこのようにして制御及び軽減することができるので、安全性を向
上させることができる。
脱水素縮合反応の速度論を最適にするために、出発反応体、すなわち:POS
(I)、HXR及び触媒の内の少なくとも一種を予熱して温度30゜〜100℃
、好ましくは40゜〜80℃にすることをもくろむのが、理想的である。
発明に従えば、POS(I)のPOS(II)への転化度の再現精度を確実に
しかつこの不安定なPOS(II)に付随する潜在的な危険を最少にするのを確
実にすることを可能にするキーポイントの内の一つは、下記を含む:
− 連続反応装置Aにおいて脱水素縮合反応を実施し、
− 丁度所望する転化度を得る程の滞留時間を制定し、
− 及びプロセスの作業パラメーター(反応体の供給、温度、等)を制御するこ
とによって反応速度論を調節する。
この滞留時間は、直接POS(II)を反応装置Bに移送する時機に依存する
。これより、発明の好適な特徴に従えば、Fo1によるSiH基の置換度を測定
及び/又は計算し、一旦モル%で表すFo1によるSiH基の置換度が45、好
ましくは55に等しい又はそれよりも大きく、更に一層好ましくは60〜70に
なったら、POS(II)を脱水素縮合反応装置Aからヒドロシリル化反応装置
Bに移す。これは、取り分け、置換度を調節するために利用し得る尺度の内の一
つである。
発明に従うプロセスの実際の制御の関係において、置換度から転化度への道は
、例えば放出される水素を測定することによってたどることができる。このよう
にして測定された流量は、計算により、直接置換度を利用することを可能にする
。別法は、POS(II)の連続分析を据え付けることであろう。
ともかく、置換度をある瞬間に知ることは、この度合いを、官能性反応体HX
R及び触媒の作業パラメーター、特に反応装置AにおけるPOS(I)及びPO
S(II)の滞留時間及び/又は反応温度及び/又はPOS(I)の供給速度を
変更することによって調節することを可能にする。
出る水素によってもたらされるストリッピング作用によって生成される揮発分
の蒸気の凝縮を講じることによって、反応熱を除くことが可能である。この熱の
除去は、連続して供給する揮発性反応体の気化により及び凝縮それ自体により、
加えて、回収される反応体コンデンセートを循環させることを前提として、行わ
れる。その系は、簡単でありかつ自己調整性である。すなわち、反応温度は、例
えば約70゜〜71℃に調整される。この調整は、POS(I)のPOS(II
)への転化度を、事実上漸近的な値約66%で安定化させるための別の重要な要
因である。
発明の好適な取り合わせに従えば、Fo2のプリカーサーである少なくとも一
種の不飽和化合物をヒドロシリル化する工程を、連続、半連続又は連続モードに
従って実施し、好ましくは連続に実施するのが好ましい。
使用する生成物及びこのプロセスによって得られる生成物に関しては、特許出
願WO 96/16125に開示されているものが好適である。
それ以上の詳細については、発明に従うプロセスによって得られる多官能価P
OS(III)は、分子当たり下記を含むものであることを指摘することになる
α)一方で、少なくとも1つの官能性シロキシ単位(I):
式中、R’は、特にC1〜C6アルキルラジカルであり、Yは、C1〜C15、好ま
しくはC1〜C6アルコキシラジカルであり、及びa=0、1又は2;
β)他方で、少なくとも1つの他の官能性シロキシ単位(II):
式中、b=0、1又は2及びWは、下記の基から選ぶ、C2〜C30炭化水素基で
、Si−C結合を経てケイ素に結合されるものである;
(i)炭素原子少なくとも7を含む線状又は枝分れアルキル基、
(2i)鎖中に及び/又は鎖の末端に1つ又はそれ以上の二重結合を含有する
線状又は枝分れのC2〜C20アルケニル基、該二重結合は、共役され及び/又は
ア
ルファ位に配置されかつ有利にはオキシドエーテル又はチオエーテルからなる少
なくとも1つの活性用基と組み合わされるのが好ましい、
(3i)環中に環式炭素原子5〜20及びエチレン性二重結合1つ又は2つを
含有する不飽和の脂肪族一−又は二環式基で、随意に1つ又は2つの線状又は枝
分れのC1〜C3アルキル基で置換されるもの、該環式基は、随意に線状又は枝分
れのC2〜C10アルキレンラジカルを経てケイ素に結合され、
(4i)下記式のメルカプトアルキル基
−R1−S−A (4i)
式中、
*R1は、随意に酸素含有ヘテロ原子を少なくとも1つ含む線状又は枝分れ
のC2〜C10アルキレンラジカル又はアルキレン−シクロアルキレンラジカルを
表し、ここで、アルキレン部分は、丁度上に挙げたのと同じ定義を有し及び環状
部分は、炭素原子5〜10を含有しかつ随意に1つ又は2つの線状又は枝分れの
C1〜C3アルキル基で置換され、
*Aは、下記のいずれかに一致する:
→ 水素、
→ 又は所定の条件下でレイビル結合を経てSに接続されかつMのHによる
置換又は活性種−R1−S・の生成を可能にするマスキング基M;
(5i)ポリ硫黄種を含みかつ下記式に一致する基:
−R2−(−S−)x−R3 (5i)
式中、
*x=1〜6、
*R2は、上記R1としての定義を有し、
*R3は、線状又は枝分れのC1〜C10アルキルである、
(6i)少なくとも1つの環(ここで、元素の内の少なくとも1つは硫黄原子
である)を含有しかつ下記式に一致する基: 式中、
*i=0、1又は2及びj=1〜6、
*置換基R4及びR5は、R1について上に定義した通りの二価ラジカルであ
る、
(7i)下記式のスルホキシド基:
式中、記号R1及びMは、(4i)式について上に挙げた定義を有する;
γ)並びに随意に少なくとも1つの単位(III):
式中、c=0、1、2又は3、d=0又は1及びc+d≦3。
発明に従うプロセスの実施に戻って、レイビル水素を含有する試薬に関しては
、C1〜C15、好ましくはC1〜C6アルコールが好適であることを指摘すること
になる。しかし、これは、それらの対応するチオールを用いることを排除するも
のではない。
Fo2のプリカーサーである不飽和化合物に関しては、それは、ヒドロシリル
化によって上に定義した(i)〜(7i)基に一致する官能価に至ることができ
る適した構造の化合物から選ぶ。
不飽和プリカーサー化合物は、上に定義した(i)、(2i)及び(3i)基
から選ぶFo2官能価に至ることができるオレフィンから選ぶのが好ましい。
実施において、触媒は、白金をベースにする。それは、例えばKarsted
t触媒のような酸化状態0の白金でもよいが、また酸化状態II又はIVの白金
でもよい。別の代わりは、例えばカーボンブラック、シリカ、アルミナ、等のよ
うな無機チャージに担持させた白金触媒を使用することである。
発明のプロセスの変法に従えば、ヒドロシリル化の間に形成されるガス状混合
物を回収する工程をもくろむことができることに留意すべきである。そのような
ガス状化合物は、実際脱水素縮合の揮発性反応体化合物(例えば、アルコール)
又はヒドロシリル化の揮発性反応体化合物(例えば、アルケン)の蒸気で形成さ
れる。該蒸気は、それらを液状形態で回収しかつ随意にそれらをプロセスにおい
て循環させるために、凝縮させるのが好ましい。
本発明は、第二に、特に上記したプロセスを実施するための装置に関し、該装
置は、少なくとも1つの連続脱水素縮合反応装置Aに、下記:
● 下記:
− 脱水素縮合の間に形成されるガスを急速に排気及び急速に回収するため
の手段、
− 形成されたガス混合物中に含有される水素をその他のガスから分離する
ための随意の手段、
− 随意に、SiH/SiFo1基を含有するPOS(II)を受けるため
の少なくとも1つの容器
を含む、出発反応体(SiH基を含有するPOS(I)/レイビル水素を含有す
る反応体/触媒)を供給するための少なくとも1つのパイプを接続させ、
● 並びにSiH/SiFo1基を含有するPOS(II)を、下記:
− ベントガスを回収するための手段、好ましくはこれに、水素をその他の
ガスから分離するためにベントガスを処理加工するための装置を組み合わせたも
の、
− 及び好ましくは、ヒドロシリル化反応媒体を撹拌するための手段を設置
した少なくとも1つのヒドロシリル化反応装置Bに移すための少なくとも
1つのパイプを接続させ
て含むことを特徴とする。
そのような装置は、すでに上述した規格値シートの生産性/実行可能性/品質
/実施の容易及び安全基準を満足するためにデザインする。
それの利点及びそれの実施態様変種は、下記の記述から、該装置の典型的な具
体例の添付の単一図を参照して出てくるものと思う。プロセスの例示は、また、
発明のプロセスに従いかつ発明の装置を使用して実施するテストを報告すること
によって終えることになる。
添付の単一図は、脱水素縮合/ヒドロシリル化によって多官能価POSを連続
製造するための装置の具体例の略図である。
その装置は、連続脱水素縮合反応装置A及びバッチ式ヒドロシリル化反応装置
Bを含む。
反応装置Aは、本質的に、中空の円筒形カラムの全体形状のチャンバー1から
なる。このカラムは、一方で、少なくとも1つの−この場合1つの−底部反応チ
ャンバー2及び他方で、ガスを排気しかつ急速に回収するための手段の一部を形
成しかつ水素を分離するための随意の手段を収容する上部チャンバー3に更に分
けられる。
底部チャンバー2に、POS(I)の脱水素縮合の少なくとも一部についての
場所として働くことを意図する主区画室5の底部を構成する少なくとも1つの−
この場合1つの−プレート40を設置する。この典型的な具体例では、Aの底部
チャンバー2は、多段タイプのものであり、主区画室5に対応するものに加えて
、少なくとも1つの他の下部段−好ましくは1〜3、この場合3を含む。
各々の下部段は、少なくとも1つの−この場合1つの−プレート41、42、
43で形成される底部を含み、これは、上方の隣の段の底部と共に、プレート4
1、42、43についてそれぞれ区画室6、7及び8を画定する。
これらのプレート40〜43は、実際、区画室5〜8の範囲を定める横断間仕
切りであり、プレート43は、カラム1の底部と共に、キャップセクション9を
画定し、これは、POS(II)を含有する液体反応媒体を受けるための容器と
して有用であり、少なくとも1つの移送パイプ10によって反応装置Bに接続さ
れる。
各々のプレート40、41、42、43は、少なくとも1つのオーバーフロー
部材(13、13’)(この場合1つ)を含み、これは、反応液のレベルを調節
することを可能にする。参照13は、プレート40(主区画室5)のオーバーフ
ローを表示する。参照13’は、プレート41、42、43(下部区画室6、7
及び8)のオーバーフローを表示する。
主区画室5は、その中に反応体供給パイプ11及び12が入り込むものである
。この主区画室5に取り付けたオーバーフロー部材13は、区画室5内の液体反
応媒体についての所定のレベルを決める。このオーバーフロー13は、区画室5
を底部チャンバー2の下方レベルと連絡して置き、底部チャンバー2に移送パイ
プ10を配置する。本例では、底部チャンバー2の下部レベルは、キャップセク
ション9に相当し、これは、主区画室5と3つの下部区画室6、7、8によって
隔てられる。加えて、主区画室5は、その上方部分において、上部チャンバー3
と連絡している。
主区画室5に、液体反応媒体を供給パイプ11及び12より連続して供給する
ことができる。これらのパイプは、例えばPOS(I)及び反応体HXR(例え
ば、アルコール)を混合物(溶液)として、触媒、好ましくは白金触媒と共に連
続して運ぶことを可能にする。オリフィス14を開けた円筒形チューブによって
形成されるオーバーフロー部材13は、プレート40を通過し、オリフィス14
を通って過剰の液体反応媒体はプレート40から抜かれて下部区画室6に運ばれ
ることができ、これらの反応体は、プレート40を出て空にする。このオーバー
フローチューブ13は、反応装置Aのチャンバー1に対して軸方向であり、好ま
しくは上方向に延在して区画室5を上部チャンバー3と連絡して置く。これをな
すために、チューブ13は、分割間仕切り15を通って延在する。チューブ13
の上部部分は、間仕切り15よりも上の上部チャンバー3の中に出、これに開口
16を設ける。このチューブ13は、主区画室5において形成されたガスを上部
チャンバー3中に急速に排気することを可能にする。
このチューブ13に、随意に、オリフィス16の代わりに、少なくとも1つの
逆止めバルブを取り付けてもよい。発明に従えば、ガスを区画室5から上部チャ
ンバー3に運ぶためのチューブを1つ又はそれ以上設置してもよい。
プレート41、42及び43に取り付けた他のオーバーフロー部材13’は、
また、円筒形チューブであって、それらの軸が互いに一直線に合わされていない
ものからなる。底部41、42、43から延在する各々のチューブ13’の部分
の高さは、反応液のオーバーフローレベルを、それよりも越えるとこの液が下部
段中に流れることになることで、決める。このように、各々の下部区画室6、7
、8、並びにキャップセクション9は、直ぐ上の段のオーバーフロー13、13
’を経て液体反応媒体を供給することを意図する。最下段8の底部は、それのオ
ーバーフロー13’を経て反応装置Aのキャップセクション9と連絡し、それで
POS(II)を集めるることを可能にするようにする。各々の区画室におる液
体反応媒体の滞留時間は、いろいろのプレート40、41、42、43の抜き出
しレベルを調節することによって所望の通りに調整してよい。
ドレインパイプ17を各々の区画室5、6、7、8の底部部分に接続する。こ
れらのパイプ17は、ダイヤグラム上に記号で表すが、参照を付さないバルブを
含む。
上部チャンバー3に関しては、それは、底部チャンバー2と分離するための間
仕切り15によりかつ反応装置Aのカラム1の頂部によって垂直に範囲を定める
。それは、作業中に底部チャンバー2から放出されるガスを排気し、急速に回収
するための手段の一部を形成することを指摘すべきである。このガスは、次いで
、逐次に、チューブ13のオリフィス14、スロット及び開口16を通過する。
発明の有利な特徴に従えば、この上部チャンバー3は、脱水素縮合の間に生成
されるガスの水素を他の成分と分離するための手段18を含む。実施において、
これらの他の成分は、揮発性化合物(例えば、アルコール=レイビル水素を含有
する反応体)の蒸気である。手段18は、これより、上部チャンバー3において
コイルによって記号で示しかつダイヤグラム上に表す矢印fで示す流れに従って
冷却液を供給する少なくとも1つのコンデンサーからなるのが有利である。
このダイヤグラムは、また、揮発性蒸気から分離した水素を排気するためのパ
イプ19を概略的に示す。このパイプ19をカラム1の頂部部分に接続する。そ
の上に、例えばSiH基の置換度を調節することを可能にするように、この置換
度を連続して求めるための手段を設置してよいのは、このパイプ19上、又はこ
のパイプと連絡してである。これらの手段は、本質的に少なくとも1つの水素カ
ウンターからなるのが好ましく、コンピューティング(計算機で計算する)ユニ
ットにつなげるのが有利である。そのような手段は、参照を付さずかつ表さない
が、置換度(また、転化度とも呼ぶ)を連続して制御及び調節するための系に接
続してもよい。この制御系は、例えば、供給流量及び/又は各々のオーバーフロ
ー13、13’のこぼれる高さを変えることによっていろいろの段における滞留
時間を調整することによって調節を確実にしてもよい。
コンデンサー18によって生成されるコンデンセートは、間仕切り15によっ
て形成される底部チャンバー3の底部に回収される。このコンデンセートは、こ
のチャンバー3のキャップセクションから、貯蔵リザーバーに及び/又は該コン
デンセートを脱水素縮合反応(レイビル水素を含有する反応体=HXR=例えば
、アルコール)中に循環させるための循環路に接続するパイプ20を経て抜き出
してもよい。そのようなコンデンセート循環の変法では、抜き出しパイプ20を
、次いで、このチャンバーに回収されたHXRを供給することを可能にするよう
に、主区画室5に接続することになろう。この変法は、発明に従うプロセス及び
装置の好適なモードに一致する。
発明の別の変法に従えば、底部(又は間仕切り)15無しにすます。これらの
条件下で、回収されるHXRのコンデンセートを、直接主区画室5内のプレート
40上に集める。
そのような多段連続反応装置Aは、交換するための大きな表面積を備え、かか
る大きな表面積は、水素及び揮発性蒸気を含有する形成されたガスの脱水素縮合
及び排気を助成する。この交換表面は、段を増加させることによって、比例して
増大され、これは、また、カラム及び分離用プレート40〜43の直径を調節す
ることによって増大させてもよい。
そのような反応装置Aは、また、水素を逃散させるための自由表面を最適化す
ることを可能にし、それにより禁止的なフォーミングを防ぐことを可能にする。
それは、また、上に提示した通りの制御を備えることによって、官能価Fo1に
よるPOS(I)のSiH基の置換度を精確に調節することの可能性を提供する
。
水素を揮発性蒸気から凝縮によって分離するための手段18は、ガス流量を制
御し、かつコンデンセートを回収して循環させることを可能にし、これは、反応
の熱を簡便に奪い、同時に反応バルクの温度を正確に制御することの付随する効
果を有する。
この反応装置Aが、特に粗大でなく、簡単な構造でありかつ費用のかからない
ということは、また、有意な利点を構成する。
最後に、一旦Folへの漸近的な転化又は置換度に達したら、ヒドロシリル化
によって中和するために、この反応装置が、POS(II)を反応装置Bに移送
することを可能にすることにより、安全もまた最適にさせる。
本例では、反応装置Bは、参照21で表示するバッチ様式のヒドロシリル化反
応装置である。それは、例えばプロペラー−スタラーによって形成される撹拌手
段22を収容するタンクである。この反応装置21の底部をパイプ23に接続し
て、一旦形成されたPOS(III)を回収することを可能にする。
この反応装置21は、それの上部部分に、反応装置21の内部と連絡するカラ
ムからなり、好ましくは水素を他のガスと分離するためにベントガスを処理する
ための装置25を収容する、ベントガスを回収するための手段24を収容する。
これらの他のガスは、揮発性反応体の蒸気からなり、これらは、レイビル水素を
含有する化合物(例えば、アルコール)及びヒドロシリル化すべき不飽和化合物
(例えば、アルケン)になり得る。
この装置25は、反応装置Aの手段18の例に従い、少なくとも1つの−この
場合1つの−揮発性蒸気用コンデンサーからなる。このコンデンサーは、例えば
コイル(図中記号で表す)であり、コイルを通って、また図中に示す冷却液の流
れがランする。コンデンセートは、貯蔵する及び/又は循環させるためにコンデ
ンサー25の底部に回収することができる。
変法に従えば、発明に従う装置は、半連続(別の反応/排液シーケンス)又は
連続して作動するいくつもの反応装置Bを含んでも、又は代わりに連続して作動
するようにデザインする単一の反応装置Bを含んでもよい。
上記した装置において発明に従うプロセスを実施する例として、作業条件が下
記の通りであるプロセスを挙げることができる:
1.用いる生成物:
− レイビル水素を含有する官能性反応体(HXR)=エタノール
− 触媒=白金10%を含有するKarstedt
− 不飽和化合物−アルケン=オクテン
2.作業パラメーター:
− POS(I)の供給速度 . . . . 3.91 kg/h
− エタノール+触媒の供給速度 3.92 kg/h
− エタノール中の白金濃度 . . . . 24 ppm
− POS(I)の流入温度 . . . . 46℃
− エタノール+触媒の流入温度 . . . 72℃
− 反応装置Aの最下部におけるバルク温度 70℃
− ガス流量 . . . . . . . .0.910m3
− エトキシル化度 . . . . . . 0.657*
− オクテンの使用量(反応装置Aの10時間のランニング) 34.6k
g
* 100の初めのSiH基から、65.7がSiOEt基に転化された。
3.作業:
一方で、POS及び他方で、エタノール+白金触媒を、それぞれパイプ11及
び12より主区画室5に導入する。供給流量は、上に特定する。
脱水素縮合反応が、主区画室5において水素及び揮発分を放出することにより
行われ、水素及び揮発分は、チューブ13を経て上部チャンバー3の中に通る。
揮発分はコンデンサー18によって凝縮され、パイプ20で回収され、次いで、
それらを主区画室5の中に運ぶことによって循環させる。凝縮性揮発分から分離
された水素は、パイプ19を経て逃散し、回収される。
ある供給時間の後に、液体反応媒体は、区画室5においてそのオーバーフロー
レベルに達する。このレベルは、所定の滞留時間、この場合3分30秒に等しい
滞留時間に相当し、あふれて下部区画室6の中に入る。区画室5の液体オーバー
フロー容積は、470mlであるのに対し、他の3つの区画室(段)6、7、8
については、この容積は、630mlである。液体反応媒体のカスケードオーバ
ーフローイングの系は、下部区画室7及び8において続き、最後に、POS(I
I)がキャップセクション9において捕集され、このPOS(II)の転化度は
、0.66である。この転化度は、水素センサー及び転化度を連続して求めるコ
ンピューティングユニットを含む制御系によって調整し、それによりこの転化度
を、作業中流量を調節することによって調整することを可能にする。また、プレ
ート40〜43のこぼれる高さを調節してもよい。
このようにして得られたPOS(II)を、ヒドロシリル化を施して無害にし
かつPOS(III)に転化するために、パイプ16を経て反応装置B中に連続
して移す。蒸発したエタノール及びオクテンを凝縮させ、次いで回収しかつ随意
に手段23によって循環させる。反応装置20をパイプ22により排液すること
によって、POS(III)を回収する。
発明は、発明に種々の変更を発明の範囲から逸脱しないでなし得るので、記載
しかつ表す例に制限されない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1. SiH基を含むPOS(I)から多官能価ポリオルガノシロキサン(P OS)(III)を連続又は半連続製造するに際し、官能価(Fo1)による官 能化及び官能価(Fo2)のプリカーサーである少なくとも一種の不飽和化合物 のヒドロシリル化をPOS(III)上に可能にする脱水素縮合を伴う反応機構 に従う方法であって、本質的に下記: ・ 少なくとも1つの連続反応装置Aに下記を連続して供給し: − SiH基を含有する少なくとも一種のPOS(I)、 − レイビル水素を含有する少なくとも一種の官能性反応体(HXR)、好 ましくはアルコール及び/又はチオール(X=O又はS)、該反応体は、(I) に対して過剰であるのが好ましい、 − 及び遷移金属から選ぶ生成物を含む触媒−白金が特に好適である、該反 応装置Aは、特に下記に至る脱水素縮合の場所であり: − 残留SiH基及びSiFo1基(Fo1=XR)を含むPOS(II)、 − 反応体HXR、 − 並びに水素及び随意にガス状反応体HXRを含有するガス、 ・ 反応装置Aから、水素を含有するガスを、それが形成されると、連続して 除去しかつ回収することを可能にし、 ・ 随意に液体反応媒体を、もしこの媒体が、特にSiH/SiFo1基を含 有するPOS II及び触媒を含有するならば、捕集し、 ・ 該液体反応媒体を反応装置Aから少なくとも1つの反応装置Bに、SiF o1及びSiFo2基を含有するPOS(III)を得るように、少なくとも一種 の不飽和官能性化合物をPOS(II)の残留SiH基によってヒドロシリル化 するために移し、 ・ 上で目標とするヒドロシリル化を進行させ、 ・ このようにして形成されたSiFo1/SiFo2基を含有するPOS(I II)を回収する に在ることを特徴とする方法。 2. 下記: ・ 脱水素縮合によって生成されるガスが、水素の外に、蒸気形態のHXRを 含み、 ・ 及び該ガスに、H2を−好ましくはHXRの蒸気を凝縮させることによっ て、分離するための処理を施す ことを特徴とする請求項1の方法。 3. 反応装置Aに、実質的同時にSiHを含有するPOS(I)及び反応体 HXRを供給し、触媒をPOS(I)及び/又は反応体HXRに入れることを特 徴とする請求項1又は2の方法。 4. 出発反応体:POS(I)、HXR及び触媒の内の少なくとも一種を予 熱して温度30゜〜100℃、好ましくは40゜〜80℃にすることをもたらす ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一の方法。 5. 下記: ・ Fo1によるSiH基の置換度を測定及び/又は計算し、 ・ 並びに一旦モル%で表すFo1によるSiH基の置換度が45、好ましく は55に等しい又はそれよりも大きく、更に一層好ましくは60〜70になった ら、POS(II)を脱水素縮合反応装置Aからヒドロシリル化反応装置Bに移 し、それで上記の置換度をこうして特に制御するようにする ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一の方法。 6. Fo2のプリカーサーである少なくとも一種の不飽和化合物をヒドロシ リル化する工程を、連続、半連続又は連続モードに従って、好ましくは連続に実 施することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一の方法。 7. 下記: ・ 多官能価POS(III)が、分子当たり下記を含むものである: α)一方で、少なくとも1つの官能性シロキシ単位(I): 式中、R’は、特にC1〜C6アルキルラジカルであり、Yは、C1〜C15アルコ キ シラジカルであり、及びa=0、1又は2; β)他方で、少なくとも1つの他の官能性シロキシ単位(II): 式中、b=0、1又は2及びWは、下記の基から選ぶ、C2〜C30炭化水素基で 、Si−C結合を経てケイ素に結合されるものである; (i)炭素原子少なくとも7を含む線状又は枝分れアルキル基、 (2i)鎖中に及び/又は鎖の末端に1つ又はそれ以上の二重結合を含有する 線状又は枝分れのC2〜C20アルケニル基、該二重結合は、共役され及び/又は アルファ位に配置されかつ有利にはオキシドエーテル又はチオエーテルからなる 少なくとも1つの活性用基と組み合わされるのが好ましい、 (3i)環中に環式炭素原子5〜20及びエチレン性二重結合1つ又は2つを 含有する不飽和の脂肪族一−又は二環式基で、随意に1つ又は2つの線状又は枝 分れのC1〜C3アルキル基で置換されるもの、該環式基は、随意に線状又は枝分 れのC2〜C10アルキレンラジカルを経てケイ素に結合され、 (4i)下記式のメルカプトアルキル基 −R1−S−A (4i) 式中、 *R1は、随意に酸素含有ヘテロ原子を少なくとも1つ含む線状又は枝分れ のC2〜C10アルキレンラジカル又はアルキレン−シクロアルキレンラジカルを 表し、ここで、アルキレン部分は、丁度上に挙げたのと同じ定義を有し及び環状 部分は、炭素原子5〜10を含有しかつ随意に1つ又は2つの線状又は枝分れの C1〜C3アルキル基で置換され、 *Aは、下記のいずれかに一致する: → 水素、 → 又は所定の条件下でレイビル結合を経てSに接続されかつMのHによる 置換又は活性種−R1−S・の生成を可能にするマスキング基M; (5i)ポリ硫黄種を含みかつ下記式に一致する基: −R2−(−S−)x−R3 (5i) 式中、 *x=1〜6、 *R2は、上記R1としての定義を有し、 *R3は、線状又は枝分れのC1〜C10アルキルである、 (6i)少なくとも1つの環(ここで、元素の内の少なくとも1つは硫黄原子 である)を含有しかつ下記式に一致する基: 式中、 *i=0、1又は2及びj=1〜6、 *置換基R4及びR5は、R1について上に定義した通りの二価ラジカルであ り、 (7i)下記式のスルホキシド基: 式中、記号R1及びMは、(4i)式について上に挙げた定義を有する; γ)並びに随意に少なくとも1つの単位(III): 式中、c=0、1、2又は3、d=0又は1及びc+d≦3、 ・ レイビル水素を含有する反応体が、アルコールROH(R=C1〜C15ア ルキル)であり、 ・ 並びに触媒が白金をベースにする ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一の方法。 8. 特に、請求項1〜7のいずれか一の方法を実施するための装置であって 、少なくとも1つの連続脱水素縮合反応装置Aに、下記: ● 下記: − 脱水素縮合の間に形成されるガスを急速に排気及び急速に回収するため の手段(3、5、13、14、15、16、19)、 − 形成されたガス混合物中に含有される水素をその他のガスから分離する ための随意の手段(18)、 − 随意に、SiH/SiFo1基を含有するPOS(II)を受けるため の少なくとも1つの容器(9) を含む、出発反応体(SiH基を含有するPOS(I)/レイビル水素を含有す る反応体/触媒)を供給するための少なくとも1つのパイプ(11,12)を接 続させ、 ● 並びにSiH/SiFo1基を含有するPOS(II)を、下記: − ベントガスを回収するための手段(24)、好ましくはこれに、水素を その他のガスから分離するためにベントガスを処理加工するための装置(25) を組み合わせたもの、 − 及び好ましくは、ヒドロシリル化反応媒体を撹拌するための手段(22 ) を設置した少なくとも1つのヒドロシリル化反応装置Bに移すための少なくとも 1つのパイプを接続させ て含むことを特徴とする装置。 9. 下記: ・ 反応装置Aが、下記を収容するチャンバー(1)を含み: − 一方で、脱水素縮合の少なくとも一部についての場所として働くこと を意図する主区画室5の底部を構成する少なくとも1つのプレート(40)を設 置した少なくとも1つの底部反応チャンバー(2)、 − 及び他方で、ガスを排気しかつ急速に回収する手段の一部を形成しか つ水素を分離するための随意の手段(18)を収容する上部チャンバー(3)、 ・ 主区画室(5)が、その中に反応体供給パイプ(11、12)が入り込む ものであり、 ・ 該区画室(5)に、区画室(5)内の液体反応媒体についての所定のレベ ルを決めるオーバーフロータイプの少なくとも1つの部材(13)を装備し、該 オーバーフロー(13)は、この区画室を底部チャンバー(2)の下方レベルと 連絡して置き、底部チャンバー(2)に、POS(II)を反応装置Aから反応 装置Bに移送するためのパイプ(10)を1つ(又はそれ以上)配置し、 ・ 並びにこの主区画室(5)は、その上部部分を経て、上部チャンバー(3 )と連絡する ことを特徴とする請求項8の装置。 10. 下記: ・ Aの底部チャンバー(2)が、多段タイプのものであり、主区画室(5) に対応するものに加えて、少なくとも1つの他の下部段−好ましくは1〜3を含 み、各々の下部段は、少なくとも1つのプレート(41、42、43)で形成さ れる底部を含み、これは、上方の隣の段と共に、区画室(6、7、8)を画定し かつ反応液のレベルを調節することを可能にする少なくとも1つのオーバーフロ ー部材(13’)を含み、各々の下部区画室(6、7、8)は、直ぐ上の段のオ ーバーフロー(13、13’)を経て液体反応媒体を供給することを意図し、 ・ 及び最下段8の底部(43)は、それのオーバーフロー13’を経て反応 装置Aのキャップセクション(9)と連絡し、それでPOS(II)を回収する ことを可能にするようにすることを特徴とする請求項8又は9の装置。 11. 下記: ・ 反応装置A及びBが、各々水素と他のベントガスとを分離するための手段 を含み、 ・ 及びこれらの手段が、特に少なくとも1つの揮発性蒸気コンデンサー(1 8、25)からなる ことを特徴とする請求項8〜10のいずれか一の装置。 12. SiH基の置換度を調節することを可能にするように、この置換度を 連続して求めるための手段を含み、該手段は、好ましくは本質的にコンピューテ ィングユニットにつなげた少なくとも1つの水素カウンターからなることを特徴 とする請求項8〜11のいずれか一の装置。 13. 半連続に(別の反応/排液シーケンス)か又は連続してのいずれかで 作動するいくつもの反応装置B、又は代わりに連続して作動するようにデザイン する単一の反応装置Bを含むことを特徴とする請求項8〜12のいずれか一の装 置。
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