JP2000348312A

JP2000348312A - 磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000348312A
Application number: JP11159905A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Inmaki; 洋一印牧; Kazunori Sato; 一徳佐藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-06-07
Filing date: 1999-06-07
Publication date: 2000-12-15

Abstract

(57)【要約】【課題】耐久性能や放熱性能の高い磁気ヘッド及びそ
の製造方法を提供すること。【解決手段】磁気テープを記録媒体としたヘリカルス
キャン方式の磁気記録再生装置の回転ドラムに搭載され
る磁気抵抗効果型の磁気ヘッド１０で、かつ、ガード材
１ｂとの接合面が平坦化されたシールド８で磁気抵抗効
果素子４が覆われたシールド型の磁気へッド１０とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気テープを情報
記録媒体として用いた高密度磁気記録・再生装置の回転
ドラムに搭載され、ヘリカルスキャンによって情報の記
録再生を行う磁気へッド及びその製造方法に関し、特に
磁気抵抗効果素子を備えた磁気抵抗効果型の磁気ヘッド
で、かつ、磁気抵抗効果素子が磁気シールドで覆われた
シールド型の磁気ヘッド及びその製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】一般に、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）
を用いた磁気ヘッド（磁気抵抗ヘッド（以下、ＭＲへッ
ドという））は、電磁誘導を利用して情報の記録再生を
行うインダクティブ型磁気ヘッドよりも高感度であり、
高密度記録に適している。このため、近年、ＭＲへッド
は、磁気ディスクを情報記録媒体として用いた磁気記録
・再生装置（以下、磁気ディスク装置という）を中心に
実用化されており、特にハードディスク装置では、ＰＲ
ＭＬ（ＰａｒｔｉａｌＲｅｓｐｏｎｓｅＭａｘｉｍ
ｕｍＬｉｋｅｌｉｈｏｏｄ）の実用化とともに、記録
面密度の向上に大きく貢献している。

【０００３】一方、デジタルＶＣＲ（ＶｉｄｅｏＣａ
ｓｓｅｔｔｅＲｅｃｏｒｄｅｒ）やデジタルデータス
トリーマー装置に代表される磁気テープを情報記録媒体
として用いた磁気記録・再生装置（以下、磁気テープ装
置という）においても、記録信号の高密度化に伴い、再
生感度の高いＭＲへッドの採用が必須であり、精力的に
実験、検討が行われている。

【０００４】しかし、一般的な浮上型の磁気ディスク装
置は、浮上スライダに搭載された磁気ヘッドが磁気ディ
スク上を浮上して動作するのに対し、一般的なヘリカル
スキャン型の磁気テープ装置は、回転ドラムに搭載され
た磁気ヘッドが磁気テープと高速摺動して動作する。そ
のため、ＭＲヘッドとした場合も磁気テープとの良好な
インターフェイスを確保するため、図１１に示すよう
に、硬質材料で成るベース材３１ａ上にＭＲ素子３４を
薄膜プロセスにより形成し、その上にベース材３１ａと
同様の硬質材料で成るガード材３１ｂを接合一体化した
後、従来の磁気ヘッドと同様の磁気テープ摺動面３０ａ
を有する外観形状のＭＲヘッド３０に加工している。

【０００５】図１２〜図２０は、従来の磁気テープ装置
用のＭＲへッドの製造方法を示す概略図であり、以下図
面に沿って作製工程を説明する。先ず、図１２に示すよ
うに、ベース材３１ａとなる鏡面加工が施された硬質材
料で成る直径３インチ〜４インチの円盤状の基板４１ａ
を用意する。そして、図１３に示すように、基板４１ａ
の表面に図１１の下層シールド３２となる軟磁性金属薄
膜４２をスパッタリング等により成膜した後、この軟磁
性金属薄膜４２上に図１１の下層半ギャップ３３となる
非磁性非導電性薄膜４３をスパッタリング等により成膜
する。

【０００６】続いて、図１４に示すように、非磁性非導
電性薄膜４３上にＳＡＬ（ＳｏｆｔＡｄｊｕｓｔＬａ
ｙｅｒ）バイアス方式のＭＲ素子３４を構成するＳＡＬ
膜４４ａ、絶縁膜４４ｂ及びＭＲ膜４４ｃをスパッタリ
ング等により順次成膜する。次に、図１５〜図１７に示
すように、フォトリソグラフィー技術により、ＭＲ素子
３４の動作の安定化を図るための図１１の磁石層３５と
なる永久磁石薄膜４５及びＭＲ素子３４の抵抗値を減少
させてセンス電流を供給するための図１１の導電層３６
となる導電性薄膜４６をＭＲ素子３４の両端側に成膜す
る。

【０００７】続いて、図１８に示すように、導電性薄膜
４６上及びＭＲ素子３４上に図１１の上層半ギャップ３
７となる非磁性非導電性薄膜４７及び上層シールド３８
となる軟磁性金属薄膜４８をスパッタリング等により成
膜する。以上の薄膜プロセスを経た基板４１ａをＭＲ素
子３４が複数個並んだ状態の複数本の短冊状バーに切り
分ける。そして、図１９に示すように、この短冊状バー
と、基板４１ａと同様の硬質材料で成るガード材３１ｂ
となる基板４１ｂを短冊加工した短冊状バーを図１１の
接着層３９となるエポキシ系接着剤４９等を用いて加圧
し接合一体化する。

【０００８】続いて、図２０に示すように、接合一体化
したものの磁気テープ摺動面３０ａとなる面を円筒研削
加工により所定の円弧形状Ｒの曲面に形成した後、当り
幅加工とチップ切断加工を行い、複数のＭＲヘッド３０
を作製する。その後、ＭＲヘッド３０をヘッドべースに
ピース接着し、へッドべース端子と電気的なコンタクト
を取り、ラッピングテープを用いて所定のＭＲ高さにな
るまで磁気テープ摺動面３０ａを研磨することにより、
磁気テープ用ＭＲヘッド装置として完成する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＭＲヘ
ッド３０の上層シールド３８は、軟磁性薄膜であり、上
層半ギャップ３７に沿って形成されている。そのため、
図１１の拡大図に示すように、上層シールド３８におけ
るＭＲ素子３４に対応する部分には、（磁石層３５十導
電層３６）−ＭＲ素子３４の厚みに相当する深さｄの窪
み３８ａが生じている。そして、上層シールド３８に深
さｄの窪み３８ａが生じたままガード材３１ｂと接合一
体化されているので、窪み３８ａ内には接着剤４９がよ
り多く充填されていることになる。

【００１０】このため、接合面全体の接合強度が一様と
ならず、ＭＲへッド３０全体の耐久性能が劣化する可能
性がある。また、代表的なエポキシ接着剤の熱伝導率
は、約３×１０^-4（Ｗ／ｍ・Ｋ）であり、その他ＭＲへ
ッド３０を構成する部材の中で最も熱伝導率が悪いガー
ド材３１ｂの材料であるアルミナ・チタン・カーバイト
と比較しても１０万倍悪い。従って、接合面全体の熱伝
導率が一様とならず、ＭＲへッド３０全体の放熱性能が
劣化する可能性がある。このＭＲへッド３０全体の放熱
性能が劣化すると、さらに以下の問題が発生する。

【００１１】即ち、ＭＲヘッド３０は、ＭＲ素子３４が
磁気テープ摺動面３０ａに露出しているシールド型ＭＲ
ヘッドであるため、情報再生時の磁気テープとの高速摺
動による摩擦熱、あるいは電流印加による発熱により抵
抗が変化し、図２１に示すようなサーマルアスピリティ
ーノイズが発生する。なお、図２１（Ａ）は、信号の記
録された磁気テープを再生した界合に発生するサーマル
アスピリティーノイズを示す波形図であり、図２１
（Ｂ）は、無信号記録時に発生しているサーマルアスピ
リティーノイズを示す波形図である。

【００１２】これは、一般的にＣｏｎｔａｃｔ−ｐｏｓ
ｉｔｉｖｅｔｈｅｒｍａｌａｓｐｅｒｉｔｉｅｓと
呼ばれ、ＭＲ素子３４が磁気テープ表面の突起に衝突す
ることで瞬時に発生し、ＭＲ素子３４に大きな抵抗変化
を与えていると言われている。このサーマルアスピリテ
ィーノイズは、ヘッド飽和や信号のクリップ等を引き起
こし、ヘッドアンプのダイナミックレンジを越えてしま
う場合も確認されている。そのため、サーマルアスピリ
ティーノイズが発生した部分では信号が損傷し、結果と
してバースト的なエラーを引き起こす。

【００１３】本発明は、上述した事情から成されたもの
であり、耐久性能や放熱性能の高い磁気ヘッド及びその
製造方法を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明にあ
っては、磁気テープを記録媒体としたヘリカルスキャン
方式の磁気記録再生装置の回転ドラムに搭載される磁気
抵抗効果型の磁気ヘッドで、かつ、磁気抵抗効果素子が
磁気シールドで覆われたシールド型の磁気へッドにおい
て、前記磁気シールドのガード材との接合端面が平坦化
されていることにより達成される。

【００１５】また、上記目的は、本発明にあっては、磁
気テープを記録媒体としたヘリカルスキャン方式の磁気
記録再生装置の回転ドラムに搭載される磁気抵抗効果型
の磁気ヘッドで、かつ、磁気抵抗効果素子が磁気シール
ドで覆われたシールド型の磁気へッドの製造方法におい
て、前記磁気シールドを成膜した後に平坦化することに
より達成される。

【００１６】上記構成によれば、磁気シールドを平坦化
することで磁気シールド成膜後に生ずる窪みを取り除く
ことができるので、磁気シールドと例えばガード材を一
様な加圧力で均一に接合することができる。このため、
耐久性能や放熱性能を向上させ、サーマルアスピリティ
ーノイズを低減させることが可能となる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べ
る実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術
的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範
囲は、以下の説明において、特に本発明を限定する旨の
記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。

【００１８】図１は、本発明の磁気ヘッドの実施形態を
示す斜視図である。この磁気ヘッドは、磁気テープ装置
用のＭＲヘッド１０であり、硬質材料で成るベース材１
ａとガード材１ｂとの間に、軟磁性金属薄膜で成る下層
シールド２と上層シールド８が挟み込まれ、下層シール
ド２と上層シールド８との間に、非磁性非導電性薄膜で
成る下層半ギャップ３と上層半ギャップ７が挟み込ま
れ、下層半ギャップ３と上層半ギャップ７との間に、両
端側が永久磁石薄膜で成る磁石層５と導電性薄膜で成る
導電層６で挟み込まれたＭＲ素子４が挟み込まれた構成
となっている。

【００１９】下層シールド２、下層半ギャップ３、ＭＲ
素子４、上層半ギャップ７及び上層シールド８は、ベー
ス材１ａに対して薄膜プロセスにより形成されており、
ガード材１ｂは、上層シールド８に対して接着層９を介
して接合されている。そして、ＭＲヘッド１０のＭＲ素
子４が露出している面は、磁気テープ摺動面１０ａとし
て磁気テープの走行方向に沿った円弧状の曲面に加工さ
れている。

【００２０】図２〜図１０は、図１のＭＲへッド１０の
製造方法を示す概略図であり、以下図面に沿って作製工
程を説明する。なお、図面では、特徴部分を分かりやす
くするために特徴部分のみを拡大して示している場合が
あり、各部材の寸法の比率が実際と同じであるとは限ら
ない。

【００２１】先ず、図２に示すように、ベース材１ａと
なる硬質材料で成る例えば直径３インチ〜４インチの円
盤状の基板１１ａを用意し、この基板１１ａの表面に対
して鏡面加工を施す。具体的な基板１１ａの材料として
は、アルミナ・チタン・カーバイト（通称、アルチッ
ク）やα−ヘマタイト等が挙げられる。なお、基板ｌｌ
ａ上には、ＭＲヘッド１０が多数形成されるのである
が、図面においては便宜上１つのＭＲヘッド１０を形成
する場合を示す。

【００２２】そして、図３に示すように、基板１１ａの
表面に下層シールド２となる軟磁性金属薄膜１２をスパ
ッタリング等により成膜する。具体的な軟磁性金属薄膜
１２の材料としては、軟磁気特性が良好で、かつ磁気テ
ープとの走行性能が良好であることが望ましく、一般的
なビデオ装置などに搭載されているＭＩＧ（Ｍｅｔａｌ
ＩｎＧａｐ）へッド等に用いられているＦｅＡｌＳ
ｉ（センダスト）等が挙げられる。なお、基板１１ａの
材料として高硬度の軟磁性材料を用いた場合は、軟磁性
金属薄膜１２を兼ねることも可能となる。具体的な軟磁
性金属薄膜兼用基板１１ａの材料としては、Ｎｉ一Ｚｎ
系フェライトやＭｎ一Ｚｎ系フェライト等が挙げられ
る。

【００２３】次に、図３に示すように、軟磁性金属薄膜
１２上にＭＲ素子４の下層半ギャップ３となる非磁性非
導電性薄膜１３をスパッタリング等により成膜する。具
体的な非磁性非導電性薄膜１３の材料としては、絶縁特
性や耐磨耗性等の観点から、Ａｌ₂Ｏ₃等が挙げられ
る。なお、この非磁性非導電性薄膜１３の膜厚は、記録
信号の周波数等に応じて適切な値に設定するようにす
る。

【００２４】次に、図４に示すように、非磁性非導電性
薄膜１３上にＳＡＬバイアス方式のＭＲ素子４となる絶
縁膜（図示せず）、軟磁性膜（ＳＡＬ膜）１４ａ、絶縁
膜１４ｂ、ＭＲ膜１４ｃ及び絶縁膜（図示せず）をスパ
ッタリング等により順次成膜する。ここで、ＳＡＬ膜１
４ａは、感磁部となるＭＲ膜１４ｃに対してバイアス磁
界を印加するためのものである。

【００２５】具体的なＳＡＬ膜１４ａ、絶縁膜１４ｂ及
びＭＲ膜１４ｃの材料としては、ＮｉＦｅＮｂ、Ｔａ及
びＮｉＦｅが挙げられる。ＭＲ素子４として構成するた
めの各膜の厚さは、例えばＴａ（５ｎｍ）／ＮｉＦｅＮ
ｂ（４３ｎｍ）／Ｔａ（５ｎｍ）／ＮｉＦｅ（４０ｎ
ｍ）／Ｔａ（１ｎｍ）とする。なお、ＭＲ素子４の材料
や膜厚は、上記の例に限るものではなく、システムの要
求等に応じて適切なものを用いるようにする。

【００２６】次に、図５〜図７に示すように、フォトリ
ソグラフィ技術により絶縁膜（図示せず）、軟磁性膜
（ＳＡＬ膜）１４ａ、絶縁膜１４ｂ、ＭＲ膜１４ｃ及び
絶縁膜（図示せず）をＭＲ素子４の形状にエッチング
し、その両端側の非磁性非導電性薄膜１３上にＭＲ素子
１４の動作の安定化を図るための磁石層５となる永久磁
石薄膜１５を成膜し、さらにＭＲ素子４の抵抗値を減少
させてセンス電流を供給するための導電層５となる、よ
り低抵抗な導電性薄膜１６を成膜する。

【００２７】すなわち、図５に示すように、フォトレジ
ストを用いて絶縁膜（図示せず）、軟磁性膜（ＳＡＬ
膜）１４ａ、絶縁膜１４ｂ、ＭＲ膜１４ｃ及び絶縁膜
（図示せず）のＭＲ素子４となる部分を覆うマスク２０
を形成する。そして、図６に示すように、エッチングを
施して、マスク２０で覆われた部分のみを残し、他の部
分を除去する。なお、ここでのエッチングは、ドライ方
式でもウェット方式でも構わないが、加工のしやすさ等
を考慮するとイオンエッチングが好適である。

【００２８】次に、図７に示すように、非磁性非導電性
薄膜１３及びマスク２０上に永久磁石薄膜１５をスパッ
タリング等により成膜する。具体的な永久磁石薄膜１５
の材料としては、保磁力Ｈｃが１０００〔Ｏｅ〕以上あ
る材料が好ましく、ＣｏＮｉＰｔやＣｏＣｒＰｔ等が挙
げられる。また、永久磁石薄膜１５の膜厚は、ＭＲ素子
４の厚みと等しくする。

【００２９】さらに、永久磁石薄膜１５上に導電性薄膜
１６をスパッタリング等により成膜する。具体的な導電
性薄膜１６の材料としては、ＣｒやＴａ等が挙げられ
る。また、導電性薄膜１６の膜厚は、システムで必要な
抵抗値、ＭＲ素子４のトラック幅等で決定する。本例の
ように上層シールド８に軟磁性薄膜を用いたものは、Ｍ
Ｒ素子４と上層シールド８間のギャップは、ＭＲ素子４
上に成膜する非磁性非導電性薄膜の厚みで完全に規定さ
れるため、上記導電性薄膜１６の厚みをある程度任意に
決定でき、ＭＲヘッド１０全体の抵抗値を減少させるこ
とが可能になる。この抵抗値が低いほど、ヘッドノイズ
（抵抗性ノイズ）を減少させ、Ｓ／Ｎ比を向上させるこ
とができる。

【００３０】その後、図８に示すように、マスク２０
を、マスク２０上に成膜された永久磁石薄膜１５及び導
電性薄膜１６とともに除去する。続いて、ＭＲ素子４と
なる部分を含む導電性薄膜１６上に上層半ギャップ７と
なる非磁性非導電性薄膜１７をスパッタリング等により
成膜する。具体的な非磁性非導電性薄膜１７の材料とし
ては、非磁性非導電性薄膜１３と同様に絶縁特性や耐磨
耗性等の観点から、Ａｌ₂Ｏ₃が挙げられる。また、非
磁性非導電性薄膜１７の膜厚も、記録信号の周波数等に
応じて適切な値に設定する。

【００３１】続いて、図８に示すように、非磁性非導電
性薄膜１７上に上層シールド８となる軟磁性薄膜１８を
スパッタリング等により成膜する。具体的な軟磁性薄膜
１８の材料としては、軟磁気特性が良好な材料であると
同時に、３００°Ｃ以下の低温熱処理で軟磁気特性が得
られる材料が望ましく、Ｃｏ系非晶質材料が挙げられ
る。この理由は、Ｆｅ系結晶質磁性材料のような５００
°Ｃ程度の熱処理を必要とするものは、その熱処理によ
りＭＲ素子１４の磁気特性等が劣化するおそれがあるか
らである。以上の薄膜プロセスを経た基板１１ａをＭＲ
素子１４が複数個並んだ状態の複数本の短冊状バーに切
り分ける。以上の工程は従来の製造方法と同一である。

【００３２】ここで、従来技術で述べたように、上層シ
ールド８となる軟磁性薄膜１８に深さｄの窪み１８ａが
生じたままガード材１ｂとなる基板１１ｂと接合一体化
すると、窪み１８ａ内に接着剤１９がより多く充填され
ることになるため、接合面全体の接合強度や熱伝導率が
一様とならず、ＭＲへッド１０全体の耐久性能や放熱性
能が劣化する可能性がある。そこで、本実施形態におい
ては、この窪み１８ａを除去することで、接合面全体の
接着層１９の厚さを均一にし、接合面全体の接合強度や
熱伝導率を一様にしている。

【００３３】先ず、図９に示すように、軟磁性薄膜１８
をＳｉＯ₂砥粒を用いたバフ研磨により窪み１８ａの深
さｄに相当する量だけ研磨すると同時に、軟磁性薄膜１
８の表面を鏡面状態に仕上げる。このときの表面粗さ
は、０．３ｎｍ＜Ｒａ＜２ｎｍの範囲が適当である。次
に、図１０に示すように、軟磁性薄膜１８の表面及び基
板１１ｂの接合表面に接着剤１９を塗布し、それぞれの
接着剤塗布面同士を貼り合わせ、２５０°Ｃ程度の低温
雰囲気中で加熟、加圧処理を施して均一な厚さの接着層
９を形成することにより接合一体化する。

【００３４】具体的なガード材１ｂとなる基板１１ｂの
材料としては、ベース材１ａとなる基板１１ａの材料と
同一の硬質材料が望ましく、アルチックやα−ヘマタイ
ト等が挙げられる。また、具体的な接着剤１９の材料と
しては、特に限定されるものではないが、信頼性、実績
の面からエポキシ系接着剤が挙げられる。このときの熱
処理温度は２５０°Ｃ程度と低温であるため、その他構
成材料の劣化は伴わない。

【００３５】以上のように、軟磁性薄膜１８の成膜後に
生ずる窪み１８ａを研磨により取り除き、軟磁性薄膜１
８を平坦化することで、一様な加圧力で接合することが
可能になる。このため、接合面全体の接着剤１９の厚さ
が均一になり、接合面全体の接合強度や熱伝導率が一様
になるので、ＭＲへッド１０全体の耐久性能を向上させ
ることが可能になると同時に、ＭＲへッド１０全体の放
熱性能を向上させることが可能になり、サーマルアスピ
リティーノイズを低減させることができる。

【００３６】以上の例では、軟磁性薄膜１８の表面及び
基板１１ｂの接合表面に接着剤１９を塗布して接合一体
化する場合について説明したが、この接着剤１９の代わ
りに、金属熱拡散接合法を用いて軟磁性薄膜１８の表面
及び基板１１ｂの接合表面を接合一体化するようにして
もよい。具体的には、図１０に示すように、軟磁性薄膜
１８の表面を鏡面状態に仕上げると共に、基板１１ｂの
接合表面も鏡面状態に仕上げる。そして、軟磁性薄膜１
８の表面と基板１１ｂの接合表面に図１の接合層９’と
なる接合用金属薄膜１９’をスパッタリング等により成
膜する。

【００３７】具体的な接合用金属薄膜１９’の材料とし
ては、熱伝導率が高い金属が望ましく、Ａｕ、Ａｇ、Ｐ
ｔ等の貴金属が挙げられる。特に、Ａｕは、低温熱処理
（２５０°Ｃ程度）で非常に強固な接合強度が得られる
ため好ましい。Ａｕの膜厚としては、あまり厚すぎると
摺動時に偏磨耗を引き起こしやすいため、３０ｎｍ〜１
００ｎｍ程度が好ましい。さらに、接合用金属薄膜１
９’の下地膜として、Ｃｒを３０ｎｍ〜１００ｎｍ程度
成膜することにより、さらに強固な接合強度が得られる
ため好ましい。

【００３８】そして、それぞれの接合用金属薄膜成膜面
同士を合わせ、例えば２５０°Ｃ程度の低温で、かつ１
×１０^-5Ｔｏｒｒ〜２×１０^-5Ｔｏｒｒ程度の真空度の
雰囲気中で加熟処理を施し、１００ｋｇｆ／ｃｍ²程度
の圧力で加圧処理を施して接合一体化する。このときの
熱処理温度は２５０°Ｃ程度と低温であるため、その他
構成材料の劣化は伴わない。また、熱伝導率が高い接合
用金属薄膜１９’を使用しているため、ＭＲへッド１０
全体の放熱性能をさらに向上させることが可能になり、
サーマルアスピリティーノイズを大幅に低減させること
ができる。

【００３９】そして、接合一体化したものの磁気テープ
摺動面１０ａとなる面を円筒研削加工により所定の円弧
形状Ｒの曲面に形成した後、当り幅加工とチップ切断加
工を行い、複数のＭＲへッド１０を作製する。その後、
ＭＲヘッド１０をヘッドべースにピース接着し、へッド
べース端子と電気的なコンタクトを取り、ラッピングテ
ープを用いて所定のＭＲ高さになるまで磁気テープ摺動
面１０ａを研磨することにより、ＭＲヘッド装置として
完成する。

【００４０】なお、上述した実施形態では、ＭＲヘッド
１０を構成する各部材、並びにその材料、大きさ及び膜
厚等について、具体的な例を挙げて説明したが、本発明
はこれに限定されるものではない。例えば、ハードディ
スク装置等で実用化されているＭＲヘッドと同様な構造
を有する、いわゆるシールド型のＳＡＬバイアス方式の
ＭＲヘッドを挙げているが、バイアス法等はこれに限定
されるものではない。

【００４１】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、磁気シ
ールド成膜後に生ずる窪みを研磨により取り除き、磁気
シールドを平坦化するようにしているので、耐久性能や
放熱性能を高めることができる。これにより、サーマル
アスピリティーノイズを低減し、磁気記録信号の欠落を
低減することが可能となる。特に磁気テープ装置におい
ては、磁気記録信号欠落によるエラーの発生を軽減でき
るため、エラー訂正回路への負担を必要以上に掛けずに
すむことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気ヘッドの実施形態を示す斜視図。

【図２】図１の磁気へッドの製造方法を示す第１の概略
図。

【図３】図１の磁気へッドの製造方法を示す第２の概略
図。

【図４】図１の磁気へッドの製造方法を示す第３の概略
図。

【図５】図１の磁気へッドの製造方法を示す第４の概略
図。

【図６】図１の磁気へッドの製造方法を示す第５の概略
図。

【図７】図１の磁気へッドの製造方法を示す第６の概略
図。

【図８】図１の磁気へッドの製造方法を示す第７の概略
図。

【図９】図１の磁気へッドの製造方法を示す第８の概略
図。

【図１０】図１の磁気へッドの製造方法を示す第９の概
略図。

【図１１】従来の磁気ヘッドの一例を示す斜視図。

【図１２】図１１の磁気へッドの製造方法を示す第１の
概略図。

【図１３】図１１の磁気へッドの製造方法を示す第２の
概略図。

【図１４】図１１の磁気へッドの製造方法を示す第３の
概略図。

【図１５】図１１の磁気へッドの製造方法を示す第４の
概略図。

【図１６】図１１の磁気へッドの製造方法を示す第５の
概略図。

【図１７】図１１の磁気へッドの製造方法を示す第６の
概略図。

【図１８】図１１の磁気へッドの製造方法を示す第７の
概略図。

【図１９】図１１の磁気へッドの製造方法を示す第８の
概略図。

【図２０】図１１の磁気へッドの製造方法を示す第９の
概略図。

【図２１】図１１の磁気へッドにより信号の記録された
磁気テープを再生した界合に発生するサーマルアスピリ
ティーノイズを示す波形図（Ａ）及び無信号記録時に発
生しているサーマルアスピリティーノイズを示す波形図
（Ｂ）。

【符号の説明】

１ａ・・・ベース材、１ｂ・・・ガード材、２・・・下
層シールド、３・・・下層半ギャップ、４・・・ＭＲ素
子、５・・・磁石層、６・・・導電層、７・・・上層半
ギャップ、８・・・上層シールド、９・・・接着層、
９’・・・接合層、１０・・・ＭＲヘッド、１１ａ、１
１ｂ・・・基板、１２・・・軟磁性金属薄膜、１３・・
・非磁性非導電性薄膜、１４ａ・・・軟磁性膜（ＳＡＬ
膜）、１４ｂ・・・絶縁膜、１４ｃ・・・ＭＲ膜、１５
・・・永久磁石薄膜、１６・・・導電性薄膜、１７・・
・非磁性非導電性薄膜、１８・・・軟磁性薄膜、１９・
・・接着剤、１９’・・・接合用金属薄膜、２０・・・
マスク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気テープを記録媒体としたヘリカルス
キャン方式の磁気記録再生装置の回転ドラムに搭載され
る磁気抵抗効果型の磁気ヘッドで、かつ、磁気抵抗効果
素子が磁気シールドで覆われたシールド型の磁気へッド
において、前記磁気シールドのガード材との接合面が平坦化されて
いることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】前記磁気シールドが、軟磁性金属薄膜で
形成されている請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項３】前記磁気シールドの平坦化面が、接着層
を介して前記ガード材と接合されている請求項１に記載
の磁気ヘッド。
【請求項４】前記接着層が、エポキシ系接着剤で形成
されている請求項３に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】前記磁気シールドの平坦化面が、金属熱
拡散接合法により前記ガード材と接合されている請求項
１に記載の磁気ヘッド。
【請求項６】前記金属熱拡散接合法に用いる接合用金
属薄膜が、金で形成されている請求項５に記載の磁気ヘ
ッド。
【請求項７】前記金属熱拡散接合法に用いる接合用金
属薄膜の下地膜が、クロムで形成されている請求項５に
記載の磁気ヘッド。
【請求項８】磁気テープを記録媒体としたヘリカルス
キャン方式の磁気記録再生装置の回転ドラムに搭載され
る磁気抵抗効果型の磁気ヘッドで、かつ、磁気抵抗効果
素子が磁気シールドで覆われたシールド型の磁気へッド
の製造方法において、前記磁気シールドを成膜した後に平坦化することを特徴
とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】前記磁気シールドとして軟磁性金属薄膜
を成膜する請求項８に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】前記磁気シールドを平坦化した後に接
着剤を塗布してガード材と接合する請求項８に記載の磁
気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】前記接着剤としてエポキシ系接着剤を
塗布する請求項１０に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】前記磁気シールドを平坦化した後に金
属熱拡散接合法によりガード材と接合する請求項８に記
載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】接合用金属薄膜として金を成膜し金属
熱拡散接合する請求項１２に記載の磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項１４】接合用金属薄膜の下地膜としてクロム
を成膜し金属熱拡散接合する請求項１２に記載の磁気ヘ
ッドの製造方法。