JP2000340811A - 集積型薄膜太陽電池およびその製造方法と製造装置 - Google Patents
集積型薄膜太陽電池およびその製造方法と製造装置Info
- Publication number
- JP2000340811A JP2000340811A JP11148217A JP14821799A JP2000340811A JP 2000340811 A JP2000340811 A JP 2000340811A JP 11148217 A JP11148217 A JP 11148217A JP 14821799 A JP14821799 A JP 14821799A JP 2000340811 A JP2000340811 A JP 2000340811A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- solar cell
- film solar
- electrode layer
- insulating protective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高エネルギーのレーザビームを用いることな
く裏面金属電極層のパターニングが可能で、かつその裏
面電極層の直接的保護層を備えながら確実に外部へ電流
を取出し得る集積型薄膜太陽電池を提供する。 【解決手段】 透明絶縁基板１上に順次に積層された透
明電極層２、半導体光電変換層３、および裏面電極層４
が複数のセルを形成するように分離溝２ａ，４ａによっ
て分離されていて、それらの複数のセルは分離溝に平行
な接続用溝３ａを介して互いに電気的に直列接続された
集積型薄膜太陽電池において、裏面電極層４はその上に
積層された絶縁保護層７によって保護されており、この
太陽電池から電流を取出すための外部電極５は絶縁保護
層７が部分的に除去された領域８において裏面電極に接
続されている。
く裏面金属電極層のパターニングが可能で、かつその裏
面電極層の直接的保護層を備えながら確実に外部へ電流
を取出し得る集積型薄膜太陽電池を提供する。 【解決手段】 透明絶縁基板１上に順次に積層された透
明電極層２、半導体光電変換層３、および裏面電極層４
が複数のセルを形成するように分離溝２ａ，４ａによっ
て分離されていて、それらの複数のセルは分離溝に平行
な接続用溝３ａを介して互いに電気的に直列接続された
集積型薄膜太陽電池において、裏面電極層４はその上に
積層された絶縁保護層７によって保護されており、この
太陽電池から電流を取出すための外部電極５は絶縁保護
層７が部分的に除去された領域８において裏面電極に接
続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は非晶質シリコン層等
を利用した集積型薄膜太陽電池に関し、特に、その裏面
電極層の保護とそこから外部へ電流を取出すための外部
電極の接続に関するものである。
を利用した集積型薄膜太陽電池に関し、特に、その裏面
電極層の保護とそこから外部へ電流を取出すための外部
電極の接続に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、薄膜太陽電池は２種類に大別す
ることができる。その第１の種類の薄膜太陽電池では、
通常はガラス等の透明絶縁基板上に、厚さ約４００ｎｍ
〜１．６μｍの透明電極層、厚さ約１００ｎｍ〜６００
ｎｍの半導体光電変換層、および厚さ約１００ｎｍ〜１
μｍの裏面金属電極層が順次に積層されている。透明電
極層は、ＳｎＯ2 、ＩＴＯ、またはＺｎＯ等の酸化物導
電物質を用いて形成され得る。光電変換層は、透明電極
層側から順に積層された非晶質半導体のｐ層、ｉ層、お
よびｎ層を含んでいる。
ることができる。その第１の種類の薄膜太陽電池では、
通常はガラス等の透明絶縁基板上に、厚さ約４００ｎｍ
〜１．６μｍの透明電極層、厚さ約１００ｎｍ〜６００
ｎｍの半導体光電変換層、および厚さ約１００ｎｍ〜１
μｍの裏面金属電極層が順次に積層されている。透明電
極層は、ＳｎＯ2 、ＩＴＯ、またはＺｎＯ等の酸化物導
電物質を用いて形成され得る。光電変換層は、透明電極
層側から順に積層された非晶質半導体のｐ層、ｉ層、お
よびｎ層を含んでいる。
【０００３】他方、第２の種類の薄膜太陽電池では、通
常は基板を兼ねる裏面金属電極上に、半導体光電変換層
と透明電極層が順次に積層されている。この光電変換層
は、裏面金属電極層側から順に積層された非晶質半導体
のｎ層、ｉ層、およびｐ層を含んでいる。
常は基板を兼ねる裏面金属電極上に、半導体光電変換層
と透明電極層が順次に積層されている。この光電変換層
は、裏面金属電極層側から順に積層された非晶質半導体
のｎ層、ｉ層、およびｐ層を含んでいる。
【０００４】これらの２種類の薄膜太陽電池のうちで、
現在では、第１種類の薄膜太陽電池が主として用いられ
ている。その１つの理由は、第１種類の太陽電池では透
明絶縁基板が表面保護用のカバーガラスを兼ねることが
できるからである。また、ＳｎＯ2 等の透明導電材が良
好な耐プラズマ性を有することが見出され、該透明電極
層上に半導体光電変換層をプラズマＣＶＤ法によって容
易に積層することが可能になったことも理由の１つであ
る。
現在では、第１種類の薄膜太陽電池が主として用いられ
ている。その１つの理由は、第１種類の太陽電池では透
明絶縁基板が表面保護用のカバーガラスを兼ねることが
できるからである。また、ＳｎＯ2 等の透明導電材が良
好な耐プラズマ性を有することが見出され、該透明電極
層上に半導体光電変換層をプラズマＣＶＤ法によって容
易に積層することが可能になったことも理由の１つであ
る。
【０００５】ところで、透明電極層に用いられる酸化物
導電物質は、一般に金属に比べて電気抵抗率が大きい。
したがって、薄膜太陽電池では、透明電極層の抵抗によ
る電流ロスを低減するためと所望の高い出力電圧を得る
ために、集積型薄膜太陽電池として用いられるのが一般
的である。
導電物質は、一般に金属に比べて電気抵抗率が大きい。
したがって、薄膜太陽電池では、透明電極層の抵抗によ
る電流ロスを低減するためと所望の高い出力電圧を得る
ために、集積型薄膜太陽電池として用いられるのが一般
的である。
【０００６】図７は、そのような従来の集積型薄膜太陽
電池の一例を模式的な断面図で示している。なお、本願
の各図においては、図面の明瞭化と簡略化のために寸法
関係などは適宜に変更されて示されており、実際の寸法
関係などを反映してはいない。
電池の一例を模式的な断面図で示している。なお、本願
の各図においては、図面の明瞭化と簡略化のために寸法
関係などは適宜に変更されて示されており、実際の寸法
関係などを反映してはいない。
【０００７】図７の太陽電池においては、透明絶縁基板
１上に透明電極層２が形成される。透明電極層２はレー
ザスクライブによるパターニングによって形成された複
数の透明電極分離溝２ａによって複数の細長い短冊状の
透明電極に分離される。すなわち、透明電極分離溝２ａ
は図７の紙面に直交する方向に直線状に延びている。
１上に透明電極層２が形成される。透明電極層２はレー
ザスクライブによるパターニングによって形成された複
数の透明電極分離溝２ａによって複数の細長い短冊状の
透明電極に分離される。すなわち、透明電極分離溝２ａ
は図７の紙面に直交する方向に直線状に延びている。
【０００８】透明電極層２を覆うように形成された半導
体光電変換層３は、透明電極層２の場合と同様に、レー
ザスクライブで形成された複数の半導体層分割溝３ａに
よって複数の半導体光電変換領域に分割される。すなわ
ち、半導体層分割溝３ａの各々は、対応する透明電極分
離溝２ａに近接してそれに平行に延びている。同様に、
半導体光電変換層３を覆うように形成された裏面電極層
４も、レーザスクライブで形成された複数の裏面電極分
離溝４ａによって複数の裏面電極に分離される。
体光電変換層３は、透明電極層２の場合と同様に、レー
ザスクライブで形成された複数の半導体層分割溝３ａに
よって複数の半導体光電変換領域に分割される。すなわ
ち、半導体層分割溝３ａの各々は、対応する透明電極分
離溝２ａに近接してそれに平行に延びている。同様に、
半導体光電変換層３を覆うように形成された裏面電極層
４も、レーザスクライブで形成された複数の裏面電極分
離溝４ａによって複数の裏面電極に分離される。
【０００９】こうして、相互に重複して積層した細長い
短冊状の透明電極２、半導体光電変換領域３、および裏
面電極４がそれぞれの細長い短冊状の太陽電池セルを形
成している。ここで、裏面電極層４は半導体層分割溝３
ａを埋めるように形成されるので、図７において任意の
１つのセルの透明電極２は、そのセルの右側に隣接する
セルの裏面電極４に接続されている。すなわち、半導体
層分割溝３ａはセル間の接続用溝として利用され、基板
１上のすべてのセルが電気的に直列接続されている。な
お、非晶質の半導体光電変換層３は大きな抵抗率を有し
ているので、その極めて薄い厚さ方向のみに電流が流
れ、半導体層の膜面に平行な方向の電流は無視すること
ができる。
短冊状の透明電極２、半導体光電変換領域３、および裏
面電極４がそれぞれの細長い短冊状の太陽電池セルを形
成している。ここで、裏面電極層４は半導体層分割溝３
ａを埋めるように形成されるので、図７において任意の
１つのセルの透明電極２は、そのセルの右側に隣接する
セルの裏面電極４に接続されている。すなわち、半導体
層分割溝３ａはセル間の接続用溝として利用され、基板
１上のすべてのセルが電気的に直列接続されている。な
お、非晶質の半導体光電変換層３は大きな抵抗率を有し
ているので、その極めて薄い厚さ方向のみに電流が流
れ、半導体層の膜面に平行な方向の電流は無視すること
ができる。
【００１０】このような集積型薄膜太陽電池において、
直列接続された複数のセル配列の両端部に設けられた細
長い電流取出し部の領域内で外部電極５が接続される。
すなわち、図７の紙面に直交する方向に延びる細長い帯
状の外部電極５は裏面電極層４にはんだ付けされ、外部
電極５にはリード線６が接続される。
直列接続された複数のセル配列の両端部に設けられた細
長い電流取出し部の領域内で外部電極５が接続される。
すなわち、図７の紙面に直交する方向に延びる細長い帯
状の外部電極５は裏面電極層４にはんだ付けされ、外部
電極５にはリード線６が接続される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図７に示されているよ
うな太陽電池においては、半導体光電変換層３内で吸収
されることなく透過してきた光（特に長波長の光）を再
度光電変換層３内に反射させるために、裏面電極層４
は、一般に高い光反射性を有するＡｇやＡｌを用いて形
成される。したがって、光反射性の高い裏面金属電極層
４をレーザスクライブによってパターニングして裏面電
極分離溝４ａを形成するとき、高エネルギーのレーザ光
を必要とする。
うな太陽電池においては、半導体光電変換層３内で吸収
されることなく透過してきた光（特に長波長の光）を再
度光電変換層３内に反射させるために、裏面電極層４
は、一般に高い光反射性を有するＡｇやＡｌを用いて形
成される。したがって、光反射性の高い裏面金属電極層
４をレーザスクライブによってパターニングして裏面電
極分離溝４ａを形成するとき、高エネルギーのレーザ光
を必要とする。
【００１２】また、そのように高エネルギーのレーザ光
を用いて裏面電極層４をパターニングする場合、それに
隣接する光電変換層３に熱的なダメージを与えるおそれ
もある。
を用いて裏面電極層４をパターニングする場合、それに
隣接する光電変換層３に熱的なダメージを与えるおそれ
もある。
【００１３】さらに、図７に示されているような太陽電
池では、その裏面はＥＶＡ等を介して防湿性シートをラ
ミネートすることによって保護されるが、その前に裏面
電極層４が、その酸化や傷などの損傷を防止するため
に、より直接的に保護されることも望まれる。
池では、その裏面はＥＶＡ等を介して防湿性シートをラ
ミネートすることによって保護されるが、その前に裏面
電極層４が、その酸化や傷などの損傷を防止するため
に、より直接的に保護されることも望まれる。
【００１４】かかる従来技術における課題に鑑み、本発
明は、高エネルギーのレーザビームを用いることなく裏
面金属電極層のパターニングが可能で、かつその裏面電
極層の直接的保護層を備えながら確実に外部へ電流を取
出し得る集積型薄膜太陽電池を提供することを目的とし
ている。
明は、高エネルギーのレーザビームを用いることなく裏
面金属電極層のパターニングが可能で、かつその裏面電
極層の直接的保護層を備えながら確実に外部へ電流を取
出し得る集積型薄膜太陽電池を提供することを目的とし
ている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、透明絶
縁基板上に順次に積層された透明電極層、半導体光電変
換層、および裏面電極層が複数のセルを形成するように
実質的に直線状で互いに平行な分離溝によって分離され
ていて、それらの複数のセルは分離溝に平行な接続用溝
を介して互いに電気的に直列接続された集積型薄膜太陽
電池において、裏面電極層はその上に積層された絶縁保
護層によって保護されており、この太陽電池から電流を
取出すための外部電極は絶縁保護層が部分的に除去され
た領域において裏面電極層に接続されていることを特徴
としている。
縁基板上に順次に積層された透明電極層、半導体光電変
換層、および裏面電極層が複数のセルを形成するように
実質的に直線状で互いに平行な分離溝によって分離され
ていて、それらの複数のセルは分離溝に平行な接続用溝
を介して互いに電気的に直列接続された集積型薄膜太陽
電池において、裏面電極層はその上に積層された絶縁保
護層によって保護されており、この太陽電池から電流を
取出すための外部電極は絶縁保護層が部分的に除去され
た領域において裏面電極層に接続されていることを特徴
としている。
【００１６】絶縁保護層としては、裏面電極層の分離溝
をエッチングによって形成するために用いられたレジス
トパターンをそのまま利用することができる。
をエッチングによって形成するために用いられたレジス
トパターンをそのまま利用することができる。
【００１７】そのような集積型薄膜太陽電池は、裏面電
極層上に絶縁保護層を積層する工程と、絶縁保護層を部
分的に除去して外部電極接続領域を形成する工程と、そ
の太陽電池から電流を取出すための外部電極を外部電極
接続領域において裏面電極層に接続する工程を含む製造
方法によって得ることができる。
極層上に絶縁保護層を積層する工程と、絶縁保護層を部
分的に除去して外部電極接続領域を形成する工程と、そ
の太陽電池から電流を取出すための外部電極を外部電極
接続領域において裏面電極層に接続する工程を含む製造
方法によって得ることができる。
【００１８】外部電極接続領域を形成する工程は、溶剤
を含浸したテープ状部材によって絶縁保護層を部分的に
拭き取ることによって行なうことができる。
を含浸したテープ状部材によって絶縁保護層を部分的に
拭き取ることによって行なうことができる。
【００１９】テープ状部材が保護層に接触させられると
き、１〜１０ｋｇ／ｃｍ2 の範囲内の押圧力が加えられ
ることが好ましい。
き、１〜１０ｋｇ／ｃｍ2 の範囲内の押圧力が加えられ
ることが好ましい。
【００２０】レジスト層を硬化させる温度は、裏面電極
層にエッチングを施すときにレジストパターンが剥離し
ない程度に硬化する温度より高く、かつ溶剤で除去し得
なくなるほどに硬化する温度より低く設定される。
層にエッチングを施すときにレジストパターンが剥離し
ない程度に硬化する温度より高く、かつ溶剤で除去し得
なくなるほどに硬化する温度より低く設定される。
【００２１】集積型薄膜太陽電池の製造のために好まし
く用いられ得る製造装置は、テープ状部材を送り出すた
めの送出しロールおよび巻取るための巻取ロールと、送
出しロールと巻取ロールとの間で溶剤をテープ状部材に
含浸するための溶剤供給手段と、その溶剤供給手段と巻
取ロールとの間において溶剤が含浸されたテープ状部材
を絶縁保護層に押圧するための押圧ロールとを含む絶縁
保護層拭き取りユニットを備えている。
く用いられ得る製造装置は、テープ状部材を送り出すた
めの送出しロールおよび巻取るための巻取ロールと、送
出しロールと巻取ロールとの間で溶剤をテープ状部材に
含浸するための溶剤供給手段と、その溶剤供給手段と巻
取ロールとの間において溶剤が含浸されたテープ状部材
を絶縁保護層に押圧するための押圧ロールとを含む絶縁
保護層拭き取りユニットを備えている。
【００２２】そのような拭き取りユニットは第１方向の
移動を可能にさせる第１の移動手段によって支持され、
第１の移動手段は第１方向と交差する第２の方向の移動
を可能にさせる第２の移動手段によって支持されている
ことが好ましい。
移動を可能にさせる第１の移動手段によって支持され、
第１の移動手段は第１方向と交差する第２の方向の移動
を可能にさせる第２の移動手段によって支持されている
ことが好ましい。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下において、本発明の実施の形
態をより具体化したいくつかの実施例について図面を参
照しつつ説明する。
態をより具体化したいくつかの実施例について図面を参
照しつつ説明する。
【００２４】図１においては、本発明の一実施例による
集積型薄膜太陽電池が模式的な断面図で示されている。
この太陽電池においては、まず６５０ｍｍ×９１０ｍｍ
の面積を有する厚さ４ｍｍのガラス基板１上にＳｎＯ2
の透明電極層２が８００ｎｍの厚さに形成された。透明
電極分離溝２ａは、７ｍｍのピッチで１００μｍの幅を
有するように、レーザスクライブによってパターニング
された。
集積型薄膜太陽電池が模式的な断面図で示されている。
この太陽電池においては、まず６５０ｍｍ×９１０ｍｍ
の面積を有する厚さ４ｍｍのガラス基板１上にＳｎＯ2
の透明電極層２が８００ｎｍの厚さに形成された。透明
電極分離溝２ａは、７ｍｍのピッチで１００μｍの幅を
有するように、レーザスクライブによってパターニング
された。
【００２５】透明電極層２上には、公知の３室分離型プ
ラズマＣＶＤ装置を用いて、半導体光電変換層３が形成
された。この実施例においては、光電変換層３は非晶質
シリコン層からなり、透明電極層２側から順次に積層さ
れた厚さ約１０ｎｍのｐ型層、厚さ３００ｎｍのｉ型
層、および厚さ約３０ｎｍのｎ型層を含んでいた。この
ような半導体層３上において、各透明電極分離溝２ａか
ら１００μｍ離れた位置においてそれに平行で１００μ
ｍの幅を有する半導体層分離溝３ａがレーザスクライブ
によって形成された。
ラズマＣＶＤ装置を用いて、半導体光電変換層３が形成
された。この実施例においては、光電変換層３は非晶質
シリコン層からなり、透明電極層２側から順次に積層さ
れた厚さ約１０ｎｍのｐ型層、厚さ３００ｎｍのｉ型
層、および厚さ約３０ｎｍのｎ型層を含んでいた。この
ような半導体層３上において、各透明電極分離溝２ａか
ら１００μｍ離れた位置においてそれに平行で１００μ
ｍの幅を有する半導体層分離溝３ａがレーザスクライブ
によって形成された。
【００２６】半導体層３上には、裏面電極４として、厚
さ約１０ｎｍのＺｎＯ層と厚さ５００ｎｍの銀層が、公
知のＤＣスパッタリング装置を用いて形成された。この
ＺｎＯ層は必ずしも必要ではないが、銀層の光反射性を
改善し、かつ銀原子が半導体光電変換層３内に拡散する
ことを防止するために好ましいものである。
さ約１０ｎｍのＺｎＯ層と厚さ５００ｎｍの銀層が、公
知のＤＣスパッタリング装置を用いて形成された。この
ＺｎＯ層は必ずしも必要ではないが、銀層の光反射性を
改善し、かつ銀原子が半導体光電変換層３内に拡散する
ことを防止するために好ましいものである。
【００２７】その後、裏面電極層４を覆う絶縁保護層７
として、約１〜５μｍの範囲内の厚さのレジスト層がエ
アスプレーによって吹きつけ塗布された。このレジスト
層７は、後のエッチング工程で剥離しない程度まで硬化
する温度より高くかつ溶剤キシレンを用いて拭き取るこ
とが困難になるほど硬化する温度より低い範囲内の温度
で乾燥させられる。この実施例では、エッチング工程で
剥離しない程度の硬化温度より３０℃以上高くかつキシ
レンで拭き取りが困難になる硬化温度より３０℃以上低
い範囲の温度で乾燥硬化させられた。
として、約１〜５μｍの範囲内の厚さのレジスト層がエ
アスプレーによって吹きつけ塗布された。このレジスト
層７は、後のエッチング工程で剥離しない程度まで硬化
する温度より高くかつ溶剤キシレンを用いて拭き取るこ
とが困難になるほど硬化する温度より低い範囲内の温度
で乾燥させられる。この実施例では、エッチング工程で
剥離しない程度の硬化温度より３０℃以上高くかつキシ
レンで拭き取りが困難になる硬化温度より３０℃以上低
い範囲の温度で乾燥硬化させられた。
【００２８】こうして形成されたレジスト層７に対し
て、半導体層分割溝３ａから１００μｍだけ離れた位置
でそれに平行に１００μｍの幅でレーザスクライブする
ことによって、細長いレジスト開口部７ａにおいて裏面
電極層４の銀表面を露出させた。このとき、レジスト層
７は、高い光反射率と高い融点を有する銀層と異なっ
て、小さなエネルギーのレーザビームを用いて容易に除
去することができる。したがって、レジスト層７をレー
ザビームによってパターニングするときに、光電変換層
３が熱的な損傷を受けることがない。
て、半導体層分割溝３ａから１００μｍだけ離れた位置
でそれに平行に１００μｍの幅でレーザスクライブする
ことによって、細長いレジスト開口部７ａにおいて裏面
電極層４の銀表面を露出させた。このとき、レジスト層
７は、高い光反射率と高い融点を有する銀層と異なっ
て、小さなエネルギーのレーザビームを用いて容易に除
去することができる。したがって、レジスト層７をレー
ザビームによってパターニングするときに、光電変換層
３が熱的な損傷を受けることがない。
【００２９】このようにパターニングされたレジスト層
７をマスクとして用いながら、塩化鉄系エッチング液中
に基板１を浸漬し、レジスト層７の細長い開口部７ａに
おいて裏面電極層４に含まれる銀層とＺｎＯ層がウェッ
トエッチングによって除去され、これによって裏面電極
分離溝４ａが形成された。
７をマスクとして用いながら、塩化鉄系エッチング液中
に基板１を浸漬し、レジスト層７の細長い開口部７ａに
おいて裏面電極層４に含まれる銀層とＺｎＯ層がウェッ
トエッチングによって除去され、これによって裏面電極
分離溝４ａが形成された。
【００３０】その後、直列接続された複数のセル配列の
両端部に設けられた電流取出し領域において、外部電極
接続領域８を形成するために、レジスト層７が溶剤を含
浸させたテープ状部材によって部分的に拭き取られた。
その状態が、図２において模式的に示されている。
両端部に設けられた電流取出し領域において、外部電極
接続領域８を形成するために、レジスト層７が溶剤を含
浸させたテープ状部材によって部分的に拭き取られた。
その状態が、図２において模式的に示されている。
【００３１】図２は、集積型薄膜太陽電池の裏面を模式
的に示す平面図である。すなわち、ガラス基板１上で裏
面電極分離溝４ａによって互いに分離された複数の光電
変換セル９が、レジスト層７によって覆われている。直
列接続された複数のセル配列の両端部には、電流取出し
領域１０が設けられている。これらの両端の電流取出し
領域１０の各々において、４箇所の領域８においてレジ
スト層７が除去され、外部電極接続領域として用いられ
る。図２の例においては、幅５ｍｍの綿布テープに溶剤
キシレンを含浸させ、そのテープをレジスト層７に押圧
して拭き取ることによって電極接続領域８が形成され
た。
的に示す平面図である。すなわち、ガラス基板１上で裏
面電極分離溝４ａによって互いに分離された複数の光電
変換セル９が、レジスト層７によって覆われている。直
列接続された複数のセル配列の両端部には、電流取出し
領域１０が設けられている。これらの両端の電流取出し
領域１０の各々において、４箇所の領域８においてレジ
スト層７が除去され、外部電極接続領域として用いられ
る。図２の例においては、幅５ｍｍの綿布テープに溶剤
キシレンを含浸させ、そのテープをレジスト層７に押圧
して拭き取ることによって電極接続領域８が形成され
た。
【００３２】図５はこのような電極接続領域８を形成す
るために好ましく用いられた絶縁保護層拭き取り装置を
示す模式的な立面図であり、図６は図５に対応する平面
図である。これらの図において、太陽電池のガラス基板
１はレジスト層７を上にして拭き取り装置の基台１０１
上に配置される。この拭き取り装置は、拭き取りユニッ
ト１０２を有している。拭き取りユニット１０２は、テ
ープ状部材１０５を送り出すための送出しロール１０６
と巻取るための巻取ロール１０７を含んでいる。送出し
ロール１０６と巻取ロール１０７との間において、テー
プ状部材１０５に含浸する溶剤を供給するための溶剤供
給手段が設けられている。この溶剤供給手段は、溶剤保
持タンク１０８とそこからテープ部材１０５まで溶剤を
導く供給パイプ１０９を含んでいる。溶剤供給パイプ１
０９と巻取ロール１０７との間において、テープ状部材
１０５を絶縁保護層７に対して押圧するための押圧ロー
ル１１０が設けられている。この押圧ロール１１０はシ
リンダ１１１に接続されており、所望の圧力でテープ状
部材１０５を絶縁保護層７に対して押圧することができ
る。拭き取りユニット１０２はそれを第１の方向に移動
可能にさせる第１の移動手段１０３によって支持されて
いる。そして、その第１の移動手段は第１の方向と交差
する第２の方向の移動を可能にさせる第２の移動手段に
よって支持されており、第２の移動手段は基台１０１か
ら支持されている。
るために好ましく用いられた絶縁保護層拭き取り装置を
示す模式的な立面図であり、図６は図５に対応する平面
図である。これらの図において、太陽電池のガラス基板
１はレジスト層７を上にして拭き取り装置の基台１０１
上に配置される。この拭き取り装置は、拭き取りユニッ
ト１０２を有している。拭き取りユニット１０２は、テ
ープ状部材１０５を送り出すための送出しロール１０６
と巻取るための巻取ロール１０７を含んでいる。送出し
ロール１０６と巻取ロール１０７との間において、テー
プ状部材１０５に含浸する溶剤を供給するための溶剤供
給手段が設けられている。この溶剤供給手段は、溶剤保
持タンク１０８とそこからテープ部材１０５まで溶剤を
導く供給パイプ１０９を含んでいる。溶剤供給パイプ１
０９と巻取ロール１０７との間において、テープ状部材
１０５を絶縁保護層７に対して押圧するための押圧ロー
ル１１０が設けられている。この押圧ロール１１０はシ
リンダ１１１に接続されており、所望の圧力でテープ状
部材１０５を絶縁保護層７に対して押圧することができ
る。拭き取りユニット１０２はそれを第１の方向に移動
可能にさせる第１の移動手段１０３によって支持されて
いる。そして、その第１の移動手段は第１の方向と交差
する第２の方向の移動を可能にさせる第２の移動手段に
よって支持されており、第２の移動手段は基台１０１か
ら支持されている。
【００３３】図２に示された実施例においては、テープ
状部材１０５として幅５ｍｍの綿布テープが用いられ、
有機溶剤としてはキシレンが用いられた。絶縁保護層７
に対するテープ状部材１０５の押圧力は３ｋｇ／ｃｍ2
に設定された。そして、図２における電流取出し領域１
０の各々内における外部電極接続領域８の各々を幅５ｍ
ｍで長さ２ｃｍに形成するために、押圧ローラ１１０が
毎秒５ｃｍの速度で３往復だけ摩擦移動させられた。こ
れによって、外部電極接続領域８において裏面電極層４
の銀表面を露出させることができた。なお、押圧ローラ
１１０の押圧力は１〜１０Ｋｇ／ｃｍ2 の範囲内にある
ことが好ましい。これは、１Ｋｇ／ｃｍ 2 以下の押圧力
では絶縁保護層７の拭き取りが不十分になりやすく、逆
に１０Ｋｇ／ｃｍ2 以上の押圧力では光電変換層に損傷
を与えて短絡が生じやすくなるからである。
状部材１０５として幅５ｍｍの綿布テープが用いられ、
有機溶剤としてはキシレンが用いられた。絶縁保護層７
に対するテープ状部材１０５の押圧力は３ｋｇ／ｃｍ2
に設定された。そして、図２における電流取出し領域１
０の各々内における外部電極接続領域８の各々を幅５ｍ
ｍで長さ２ｃｍに形成するために、押圧ローラ１１０が
毎秒５ｃｍの速度で３往復だけ摩擦移動させられた。こ
れによって、外部電極接続領域８において裏面電極層４
の銀表面を露出させることができた。なお、押圧ローラ
１１０の押圧力は１〜１０Ｋｇ／ｃｍ2 の範囲内にある
ことが好ましい。これは、１Ｋｇ／ｃｍ 2 以下の押圧力
では絶縁保護層７の拭き取りが不十分になりやすく、逆
に１０Ｋｇ／ｃｍ2 以上の押圧力では光電変換層に損傷
を与えて短絡が生じやすくなるからである。
【００３４】その後、電流取出し領域１０の各々におい
て幅５ｍｍで長さ９００ｍｍの外部電極５を外部電極接
続領域８を介して裏面電極層４へはんだ付けすることに
よって、太陽電池から電流を外部へ取出すことが可能に
された。
て幅５ｍｍで長さ９００ｍｍの外部電極５を外部電極接
続領域８を介して裏面電極層４へはんだ付けすることに
よって、太陽電池から電流を外部へ取出すことが可能に
された。
【００３５】こうして作製された図１に示されているよ
うな集積型薄膜太陽電池においては、裏面電極層４のエ
ッチングによるパターニングのために用いられたレジス
ト層７が外部電極５を接続するために全体的に除去され
ることなく、一部の限られた外部電極接続領域８のみに
おいて除去されている。したがって、エッチングの後に
そのまま残されたレジスト層７は裏面電極層４に対して
直接的な絶縁保護層として働くことができる。
うな集積型薄膜太陽電池においては、裏面電極層４のエ
ッチングによるパターニングのために用いられたレジス
ト層７が外部電極５を接続するために全体的に除去され
ることなく、一部の限られた外部電極接続領域８のみに
おいて除去されている。したがって、エッチングの後に
そのまま残されたレジスト層７は裏面電極層４に対して
直接的な絶縁保護層として働くことができる。
【００３６】図２に示されているように１つの電流取出
し領域１０内に４箇所の外部電極接続領域８を介して裏
面電極層４にはんだ付けされた外部電極５との密着強度
が、引っ張り試験によって調べられた。その結果、外部
電極５と裏面電極層４との間において、その外部電極５
は１０Ｎ以下の力では引き剥がすことができず、十分な
接着強度を有していることが確認できた。また、外部電
極５のはんだ付けまで終了した集積型薄膜太陽電池を８
５℃の温度と８５％の湿度による高温高湿状態の下で１
０００時間放置したが、外部電極５の剥離や裏面電極層
４の酸化による変質などは認められなかった。他方、図
１と図２に示されているような本発明による集積型薄膜
太陽電池の出力特性は、図７に示された従来技術による
ものに比べてほとんど差異がなかった。
し領域１０内に４箇所の外部電極接続領域８を介して裏
面電極層４にはんだ付けされた外部電極５との密着強度
が、引っ張り試験によって調べられた。その結果、外部
電極５と裏面電極層４との間において、その外部電極５
は１０Ｎ以下の力では引き剥がすことができず、十分な
接着強度を有していることが確認できた。また、外部電
極５のはんだ付けまで終了した集積型薄膜太陽電池を８
５℃の温度と８５％の湿度による高温高湿状態の下で１
０００時間放置したが、外部電極５の剥離や裏面電極層
４の酸化による変質などは認められなかった。他方、図
１と図２に示されているような本発明による集積型薄膜
太陽電池の出力特性は、図７に示された従来技術による
ものに比べてほとんど差異がなかった。
【００３７】図１に示されているような集積型薄膜太陽
電池は、従来から行なわれているように、さらにＥＶＡ
等を介して防湿性シートを付与することによってより確
実に裏面が保護されることになる。そのような防湿性シ
ートとしては、一般にＰＥＴ、Ａｌ、およびＰＥＴを積
層したものが用いられる。
電池は、従来から行なわれているように、さらにＥＶＡ
等を介して防湿性シートを付与することによってより確
実に裏面が保護されることになる。そのような防湿性シ
ートとしては、一般にＰＥＴ、Ａｌ、およびＰＥＴを積
層したものが用いられる。
【００３８】ところで、図２に示された例においては１
つの電流取出し領域１０内において４つの小さな個別の
外部電極接続領域８が形成されたが、図３に示されてい
るように、１つの電流取出し領域１０内でその幅より狭
い幅を有する一続きの外部電極接続領域８ａが形成され
てもよいことはいうまでもない。また、図４に示されて
いるように、１つの電流取出し領域１０全体において絶
縁保護層７を除去して外部電極接続領域８ｂを形成して
もよい。
つの電流取出し領域１０内において４つの小さな個別の
外部電極接続領域８が形成されたが、図３に示されてい
るように、１つの電流取出し領域１０内でその幅より狭
い幅を有する一続きの外部電極接続領域８ａが形成され
てもよいことはいうまでもない。また、図４に示されて
いるように、１つの電流取出し領域１０全体において絶
縁保護層７を除去して外部電極接続領域８ｂを形成して
もよい。
【００３９】なお、上述の裏面電極層４保護のための絶
縁保護層７としては、種々の有機材料を用いることがで
きる。また、その絶縁保護層７を拭き取り除去するため
の有機溶剤として、種々の溶剤を用いることもできる。
さらに、上述の実施例では外部電極接続領域を形成する
ために有機溶剤を含浸したテープ部材１０５による拭き
取りによって絶縁保護層７を部分的に除去する方法を説
明したが、外部電極接続領域８，８ａ，８ｂの形成方法
はこれに限られず、小さなエネルギーを有するレーザビ
ームを用いることによって形成することもでき、または
適切なブレードを用いて機械的に絶縁保護層７を部分的
に除去して形成することも可能である。
縁保護層７としては、種々の有機材料を用いることがで
きる。また、その絶縁保護層７を拭き取り除去するため
の有機溶剤として、種々の溶剤を用いることもできる。
さらに、上述の実施例では外部電極接続領域を形成する
ために有機溶剤を含浸したテープ部材１０５による拭き
取りによって絶縁保護層７を部分的に除去する方法を説
明したが、外部電極接続領域８，８ａ，８ｂの形成方法
はこれに限られず、小さなエネルギーを有するレーザビ
ームを用いることによって形成することもでき、または
適切なブレードを用いて機械的に絶縁保護層７を部分的
に除去して形成することも可能である。
【００４０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、高エネ
ルギーのレーザビームを用いることなく裏面金属電極層
のパターニングが可能で、かつその裏面電極金属層の直
接的保護層を備えながら確実に外部へ電流を取出し得る
集積型薄膜太陽電池を提供することができる。
ルギーのレーザビームを用いることなく裏面金属電極層
のパターニングが可能で、かつその裏面電極金属層の直
接的保護層を備えながら確実に外部へ電流を取出し得る
集積型薄膜太陽電池を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例による集積型薄膜太陽電池を
示す模式的な断面図である。
示す模式的な断面図である。
【図２】図１の太陽電池に対応して外部電極接続領域が
形成された状態を示す太陽電池の裏面図である。
形成された状態を示す太陽電池の裏面図である。
【図３】図２に示された外部電極接続領域の変形例を示
す太陽電池の裏面図である。
す太陽電池の裏面図である。
【図４】図２に示された外部電極接続領域のもう１つの
変形例を示す太陽電池の裏面図である。
変形例を示す太陽電池の裏面図である。
【図５】外部電極接続領域を形成するための絶縁保護層
除去装置を示す模式的な立面図である。
除去装置を示す模式的な立面図である。
【図６】図５の装置を示す上面図である。
【図７】従来技術による集積型薄膜太陽電池を示す模式
的な断面図である。
的な断面図である。
１ ガラス基板 ２ 透明電極層 ２ａ 透明電極分離溝 ３ 半導体光電変換層 ３ａ 光電変換層分割溝 ４ 裏面電極層 ４ａ 裏面電極分離溝 ５ 外部電極 ６ リード線 ７ 絶縁保護層 ７ａ 絶縁保護層の開口部 ８，８ａ，８ｂ 外部電極接続領域 ９ 細長い光電変換セル １０ 電流取出し領域 １０１ 基台 １０２ 拭き取りユニット １０３ 第１方向の移動手段 １０４ 第２方向の移動手段 １０５ テープ状部材 １０６ テープ送出しロール １０７ テープ巻取ロール １０８ 溶剤タンク １０９ 溶剤供給パイプ １１０ 押圧ローラ １１１ シリンダ
Claims (9)
- 【請求項１】 透明絶縁基板上に順次に積層された透明
電極層、半導体光電変換層、および裏面電極層が複数の
セルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な分
離溝によって分離されていて、それらの複数のセルは前
記分離溝に平行な接続用溝を介して互いに電気的に直列
接続された集積型薄膜太陽電池であって、 前記裏面電極層はその上に積層された絶縁保護層によっ
て保護されており、 前記太陽電池から電流を取出すための外部電極は前記絶
縁保護層が部分的に除去された領域において前記裏面電
極層に接続されていることを特徴とする集積型薄膜太陽
電池。 - 【請求項２】 前記絶縁保護層として、前記裏面電極層
の前記分離溝をエッチングによって形成するために用い
られたレジストパターンがそのまま利用されていること
を特徴とする請求項１に記載の集積型薄膜太陽電池。 - 【請求項３】 請求項１に記載の集積型薄膜太陽電池を
製造するための方法であって、 前記裏面電極層上に絶縁保護層を積層する工程と、 前記絶縁保護層を部分的に除去して外部電極接続領域を
形成する工程と、 前記太陽電池から電流を取出すための外部電極を前記外
部電極接続領域において前記裏面電極層に接続する工程
を含むことを特徴とする集積型薄膜太陽電池の製造方
法。 - 【請求項４】 前記外部電極接続領域を形成する工程
は、溶剤を含浸したテープ状部材によって前記絶縁保護
層を部分的に拭き取ることによって行なわれることを特
徴とする請求項３に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方
法。 - 【請求項５】 前記テープ状部材が前記絶縁保護層に接
触させられるとき、１〜１０ｋｇ／ｃｍ2 の範囲内の押
圧力が加えられることを特徴とする請求項４に記載の集
積型薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項６】 前記絶縁保護層は、前記裏面電極層の前
記分離溝をエッチングによって形成するためのレジスト
パターンとして利用されたレジスト層からなることを特
徴とする請求項３から５のいずれかの項に記載の集積型
薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項７】 前記レジスト層を硬化させる温度は、前
記裏面電極層に前記エッチングを施すときに前記レジス
トパターンが剥離しない程度に硬化する温度より高く、
かつ前記溶剤で除去し得なくなるほどに硬化する温度よ
り低く設定されることを特徴とする請求項６に記載の集
積型薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項８】 請求項４から７のいずれかの項に記載の
製造方法によって集積型薄膜太陽電池を製造するための
装置であって、 前記テープ状部材を送り出すための送出しロールおよび
巻取るための巻取ロールと、 前記送出しロールと前記巻取ロールとの間で前記溶剤を
前記テープ状部材に含浸するための溶剤供給手段と、 前記溶剤供給手段と前記巻取ロールとの間において前記
溶剤が含浸されたテープ状部材を前記絶縁保護層に押圧
するための押圧ロールとを含む絶縁保護層拭き取りユニ
ットを備えていることを特徴とする集積型薄膜太陽電池
の製造装置。 - 【請求項９】 前記拭き取りユニットは第１の方向の移
動を可能にさせる第１の移動手段によって支持されてお
り、前記第１の移動手段は前記第１方向と交差する第２
方向の移動を可能にさせる第２の移動手段によって支持
されていることを特徴とする請求項８に記載の集積型薄
膜太陽電池の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14821799A JP3619390B2 (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 集積型薄膜太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14821799A JP3619390B2 (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 集積型薄膜太陽電池の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004252488A Division JP2004336086A (ja) | 2004-08-31 | 2004-08-31 | 集積型薄膜太陽電池とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000340811A true JP2000340811A (ja) | 2000-12-08 |
| JP3619390B2 JP3619390B2 (ja) | 2005-02-09 |
Family
ID=15447905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14821799A Expired - Fee Related JP3619390B2 (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 集積型薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3619390B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010140455A1 (ja) | 2009-06-03 | 2010-12-09 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
| KR101060272B1 (ko) | 2010-04-22 | 2011-08-29 | 한국철강 주식회사 | 광기전력 장치와 이의 제조 방법 |
| JP2013131586A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Sharp Corp | 裏面電極型太陽電池の製造方法 |
| JP2013531898A (ja) * | 2010-07-05 | 2013-08-08 | ケンブリッジ エンタープライズ リミテッド | スレッドを使用した層のパターニング |
| JP2013533627A (ja) * | 2010-07-05 | 2013-08-22 | ケンブリッジ エンタープライズ リミテッド | スレッドを使用した層のパターニング |
| CN104835866A (zh) * | 2015-04-03 | 2015-08-12 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 一种采用激光制备背钝化太阳电池的背面接触结构 |
| US9570640B2 (en) | 2013-11-19 | 2017-02-14 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing solar cell module, and solar cell module |
-
1999
- 1999-05-27 JP JP14821799A patent/JP3619390B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010140455A1 (ja) | 2009-06-03 | 2010-12-09 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
| US8415195B2 (en) | 2009-06-03 | 2013-04-09 | Sony Chemical & Information Device Corporation | Method for manufacturing solar cell module |
| KR101060272B1 (ko) | 2010-04-22 | 2011-08-29 | 한국철강 주식회사 | 광기전력 장치와 이의 제조 방법 |
| CN102237440A (zh) * | 2010-04-22 | 2011-11-09 | 韩国铁钢株式会社 | 光电装置及其制造方法 |
| JP2013531898A (ja) * | 2010-07-05 | 2013-08-08 | ケンブリッジ エンタープライズ リミテッド | スレッドを使用した層のパターニング |
| JP2013533627A (ja) * | 2010-07-05 | 2013-08-22 | ケンブリッジ エンタープライズ リミテッド | スレッドを使用した層のパターニング |
| US9882130B2 (en) | 2010-07-05 | 2018-01-30 | Cambridge Enterprise Limited | Apparatus for patterning an article |
| JP2013131586A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Sharp Corp | 裏面電極型太陽電池の製造方法 |
| US9570640B2 (en) | 2013-11-19 | 2017-02-14 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing solar cell module, and solar cell module |
| CN104835866A (zh) * | 2015-04-03 | 2015-08-12 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 一种采用激光制备背钝化太阳电池的背面接触结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3619390B2 (ja) | 2005-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11081601B2 (en) | Single-step metal bond and contact formation for solar cells | |
| US9935224B2 (en) | Encapsulating layer adapted to be applied to back-sheets for photovoltaic modules including back-contact cells | |
| KR102313263B1 (ko) | 금속 포일을 사용하는 태양 전지의 금속화 | |
| TWI390747B (zh) | 使用單石模組組合技術製造的光伏打模組 | |
| US8563347B2 (en) | Method for producing a thin-film photovoltaic cell having an etchant-resistant electrode and an integrated bypass diode and a panel incorporating the same | |
| JPH0472392B2 (ja) | ||
| JPS62190882A (ja) | 薄膜太陽電池の集積直列接続方法 | |
| WO2013182955A2 (en) | Back-sheet for photovoltaic modules comprising back-contact solar cells | |
| KR20200130494A (ko) | 레이저 빔을 이용하는 반도체 기판을 위한 국소 금속화 | |
| JP3619390B2 (ja) | 集積型薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP2010157553A (ja) | 配線シート、配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュール、配線シート付き太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
| US11646387B2 (en) | Laser assisted metallization process for solar cell circuit formation | |
| JP5140132B2 (ja) | 配線基板付き裏面電極型太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび配線基板付き裏面電極型太陽電池セルの製造方法 | |
| EP3660927B1 (en) | Photovoltaic module | |
| WO2010150749A1 (ja) | 太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール | |
| US20120295395A1 (en) | Method for producing an array of thin-film photovoltaic cells having a totally separated integrated bypass diode associated with a plurality of cells and method for producing a panel incorporating the same | |
| JP2004336086A (ja) | 集積型薄膜太陽電池とその製造方法 | |
| JPH07263733A (ja) | 薄膜光電変換装置およびその製造方法 | |
| JP4085304B2 (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法 | |
| JP5288149B2 (ja) | 集積型薄膜素子の製造方法 | |
| JP2001044467A (ja) | 集積型薄膜太陽電池の洗浄装置 | |
| WO2014042109A1 (ja) | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 | |
| JPH06268241A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| US20220158012A1 (en) | Protection coating for solar cell wafers | |
| JP3332487B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040413 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040420 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040618 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040803 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040831 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20041006 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041102 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041112 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081119 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091119 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091119 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111119 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111119 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121119 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121119 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |