JP2000340709A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置においてダメージを与えずに信頼
度の高い電気的接続を行うことを可能にする。 【解決手段】 半導体集積回路が形成された半導体チッ
プ１と、はんだボール取り付け面１ａに分散配置されて
取り付けられた複数の突起状端子であるはんだボール２
とからなり、格子状に設けられた２５６個のはんだボー
ル２のうち外側２列目はんだボール２ａがそれ以外のは
んだボール２と比べて高く設けられているため、検査時
のフリップチップ３のはんだボール２とテープ状回路基
板の基板側端子との接触性を向上できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
関し、特に外部端子をエリアアレイ配置とした半導体装
置の外部端子の電気的接続性向上に適用して有効な技術
に関する。

【０００２】

【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。

【０００３】ＢＧＡ（Ball Grid Array)、ＣＳＰ（Chip
Scale Package) またはベアチップなどのエリアアレイ
タイプの半導体装置の検査（例えば、バーンイン検査な
ど）あるいは試験においては、シートコンタクト方式が
検討され始めている。

【０００４】このシートコンタクト方式は、前記半導体
装置の外部端子に対応した位置に接触子である基板側端
子が形成されたテープ状回路基板（回路基板）を用い、
このテープ状回路基板を組み込んだソケット（検査装
置）がテストボード（例えば、バーンインボードなど）
に搭載され、このソケットに半導体装置をセットして検
査を行う方式である。

【０００５】その際、ソケット内では、半導体装置に荷
重が印加され、これにより、半導体装置をテープ状回路
基板に押し付けてテープ状回路基板と半導体装置との電
気的接続が行われる。

【０００６】この方法では、半導体装置の外部端子と基
板側端子（接触子）との間の押圧力を均一化するために
テープ状回路基板の下側に弾性膜を配置することもあ
る。

【０００７】なお、半導体チップを電気的検査する際の
半導体チップの表面電極とプローブ端子との電気的接続
を向上させる技術が、例えば、特開平９−１１５９７１
号公報に記載されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術のシートコンタクト方式では、外部端子の数が増える
と電気的な接続が取れない端子が発生することが判明し
た。これを改善する１つの方法として押圧力増加が考え
られ、これにより、接続不良については多少は改善され
るが、押圧力を増加すると、押圧機構が大形になるとい
う問題が発生する。

【０００９】また、押圧力増加により半導体装置の外部
端子の変形が顕著に増え、その結果、半導体装置へのダ
メージ（損傷）が増加するという問題が起こる。

【００１０】ここで、外部端子が増えた際に電気的接続
不良が発生する原因（発明者による検討結果）について
説明する。

【００１１】まず、基板側端子との間で接触の取れない
外部端子を調べると、外部端子と基板側端子（接触子）
間の位置ずれや外部端子の汚染・変形などがある。しか
し、これらを除くと、半導体装置の中央部の外部端子よ
りは外側に配置された端子、特に外側から２列目の外部
端子に接触が取れなくなるものが発生し易いことが分か
った。この現象は、外部端子の数に依存せず、また外部
端子の取り付けピッチにもほとんど依存しないことも実
験で判明した。

【００１２】この原因を究明してみると、シートコンタ
クト方式では、外側から２列目の部分に掛かる圧力が他
に比べて極めて低くなること、および中央近傍では逆に
圧力が高くなることが判明した。この圧力低下部分と接
触のとりずらい部分はほぼ一致した。

【００１３】この実験で判明した特異な現象について
は、次の様に解釈している。すなわち、半導体装置を押
し込むと、基板側端子が形成されたテープ状回路基板で
は大きな変形を強制される最外周端子に最も高い圧力が
掛かるが、それより内側の端子での圧力は低くほぼ同レ
ベルとなる。

【００１４】これに対して、弾性膜では弾性膜自体が変
形しにくい中央部分は一定変位に対して発生する圧力が
高く、外周に向かうほど弾性膜の拘束性は低下するため
圧力は低下すると推定している。このテープ回路と弾性
膜の応力の合成で、結果として半導体装置の外側から２
列目の部分に掛かる圧力が他に比べて極めて低くなり、
また、逆に中央部では圧力が高くなるものと推定してい
る。

【００１５】本発明の目的は、ダメージを与えずに信頼
度の高い電気的接続を行うことを可能にする半導体装置
およびその製造方法を提供することにある。

【００１６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１８】すなわち、本発明の半導体装置は、外部端
子として突起状端子を有した半導体装置であって、前記
半導体装置の外部端子取り付け面に複数の前記突起状端
子が分散配置され、前記突起状端子のうち外側１列目の
端子と比べて外側２列目の端子が高く設けられているも
のである。

【００１９】これにより、外側２列目の突起状端子と基
板側端子間に掛かる圧力を外側２列目の突起状端子の高
さが高くない場合と比較して高くすることができ、その
結果、検査時の半導体装置の外側２列目の突起状端子と
基板側端子との接触を確実に行うことができる。

【００２０】したがって、検査時の半導体装置の突起状
端子と回路基板の基板側端子との接触信頼性を向上で
き、これにより、半導体装置にダメージを与えずに信頼
度の高い電気的接続を行うことができる。

【００２１】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体装置の外部端子である突起状端子に対応する複数
の基板側端子が分散配置された回路基板と、基板側端子
取り付け面の反対の面側に配置された弾性膜とを備える
検査装置を用いたものであって、複数の前記突起状端子
が外部端子取り付け面に分散配置されて設けられた前記
半導体装置を準備し、前記検査装置において、前記回路
基板の前記基板側端子取り付け面に配置された外側１列
目の前記基板側端子より高く形成された外側２列目の前
記基板側端子と、前記半導体装置の前記外部端子取り付
け面の外側２列目の前記突起状端子とを対応させて前記
半導体装置と前記回路基板とを位置決めする工程と、前
記半導体装置に荷重を印加して、前記半導体装置の前記
突起状端子を前記回路基板の前記基板側端子に押し付け
る工程と、前記半導体装置の前記突起状端子と前記検査
装置の前記回路基板の前記基板側端子とを電気的に接続
して前記半導体装置を電気的に検査する工程とを有する
ものである。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

【００２３】（実施の形態１)図１は本発明の実施の形
態１の半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）
は（ｂ）のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ）は底面図、
図２は図３に示す本発明の実施の形態１の半導体装置の
製造方法に用いられる検査装置の要部のＢ−Ｂ断面の構
造の一例を示す断面図、図３は本発明の実施の形態１の
半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部の構
造の一例を示す平面図、図４は図１に示す半導体装置に
おける外部端子位置と端子変形量の関係の一例を示す計
測結果図、図５は本発明の実施の形態１の半導体装置の
製造方法に用いられる検査装置の構造の一例を示す拡大
部分断面図である。

【００２４】図１に示す本実施の形態１の半導体装置
は、外部端子であるはんだボール２（突起状端子）をエ
リアアレイ状に配置したフリップチップ３である。

【００２５】すなわち、フリップチップ３は、半導体集
積回路が形成された半導体チップ１と、はんだボール取
り付け面（外部端子取り付け面）１ａに分散配置されて
取り付けられた複数の外部端子であるはんだボール２
（突起状端子）とからなり、本実施の形態１では、その
一例として、図１（ｂ）に示すように、２５６個のはん
だボール２がはんだボール取り付け面１ａに格子状配列
で取り付けられている場合であり、さらに、図１（ａ）
に示すように、これらはんだボール２のうち外側１列目
のはんだボール２と比べて外側２列目はんだボール２ａ
が高く設けられている。

【００２６】つまり、外側２列目はんだボール２ａをそ
れ以外のはんだボール２と比べて、エリアアレイ状端子
形成面であるはんだボール取り付け面１ａに対して垂直
方向に突出させたものである。

【００２７】したがって、本実施の形態１のフリップチ
ップ３では、５２個の外側２列目はんだボール２ａがそ
れ以外のはんだボール２よりボール径が大きく形成され
ている。

【００２８】ここで、半導体チップ１は、その大きさ
が、例えば、９ｍｍ角であり、表面であるはんだボール
取り付け面１ａには0.５ｍｍピッチで、かつ１６行×１
６列の正方格子状の配置ではんだボール２が取り付けら
れている。

【００２９】なお、はんだボール２が形成されるパット
径は0.３ｍｍであり、パッド総数は２５６個である。は
んだボール２は、パッド表面上に共晶はんだを印刷法で
形成した。

【００３０】その際、外側２列目はんだボール２ａとそ
れ以外のはんだボール２とのボール径の差は、数十μｍ
程度であるが、本実施の形態１では、５２個の外側２列
目はんだボール２ａの高さ（ボール径）が平均１６０μ
ｍであり、それ以外のはんだボール２の高さが平均１４
５μｍである。

【００３１】なお、外側２列目はんだボール２ａのみを
高く形成する方法としては、はんだを印刷する際のスク
リーンマスクの開口を外側２列目の部分のみ広くし、そ
の部分でのはんだ供給量を多くする方法を用いて形成し
た。

【００３２】次に、本実施の形態１の半導体装置の製造
方法に用いる検査装置（図５参照）の構造について図
１、図２、図３および図５を用いて説明する。

【００３３】前記検査装置は、フリップチップ３を収容
可能なソケット４であり、例えば、半導体装置のバーン
イン検査などにおいて、シートコンタクト方式でフリッ
プチップ３を検査する際に用いるものである。

【００３４】したがって、0.５ｍｍピッチで１６行×１
６列の正方格子状配置で合計２５６個のピン部材４ｆを
備えたものであり、このピン部材４ｆがテストボード５
に取り付けられてソケット４とテストボード５との電気
的接続が行われる。

【００３５】図５に示すように、ソケット４は、フリッ
プチップ３が配置されるソケット本体４ａと、フリップ
チップ３に荷重を印加する蓋部材４ｂとからなり、この
蓋部材４ｂには、蓋部材４ｂを閉じた際に蓋部材４ｂを
ソケット本体４ａにロックするフック部材４ｅや、フリ
ップチップ３に荷重を掛けるバネ部材４ｃおよび押圧子
４ｄなどが設けられている。

【００３６】一方、ソケット本体４ａ側には、検査時に
フリップチップ３とシートコンタクトを行うためのテー
プ状回路基板（回路基板）４ｇと、これの裏面側に配置
された弾性膜４ｊと、弾性膜４ｊを支持するベース部材
４ｋとが設けられている。

【００３７】さらに、テープ状回路基板４ｇの表面（フ
リップチップ３を支持する側の面）には、図３に示すよ
うに、フリップチップ３のはんだボール２に対応して格
子状配列で形成された複数の基板側端子４ｈと、この基
板側端子４ｈおよび外部と電気的に接続される測定用接
続端子４ｉとが設けられている。

【００３８】なお、テープ状回路基板４ｇは、例えば、
膜厚２５μｍのポリイミドフィルムによって形成され、
その表面には、0.５ｍｍピッチで、かつ１６行×１６列
の正方格子状に直径0.３ｍｍの接触子である基板側端子
４ｈが形成されている。各基板側端子４ｈは、テープ状
回路基板４ｇの外周部に形成された測定用接続端子４ｉ
とテープ上の配線によって電気的に接続されている。

【００３９】また、弾性膜４ｊは、例えば、シリコーン
ゴムなどによって形成される厚さ0.５ｍｍ程度の緩衝部
材であり、フリップチップ３に荷重が掛かった際のフリ
ップチップ３のはんだボール２のダメージを緩和させる
ものである。

【００４０】なお、図２に示すように、ベース部材４ｋ
は、テープ状回路基板４ｇとこれの裏面側に配置された
弾性膜４ｊとを支持している。

【００４１】次に、本実施の形態１の半導体装置の製造
方法について説明する。

【００４２】前記半導体装置の製造方法は、半導体製造
工程において、ソケット４を用いてフリップチップ３を
電気的に検査するものである。

【００４３】つまり、図１に示すフリップチップ３（半
導体装置）を図２、図３および図５に示すソケット４
（検査装置）に入れて所望の電気的検査（例えば、バー
ンイン検査など）を行うものである。

【００４４】まず、フリップチップ３をソケット４のソ
ケット本体４ａに入れる。

【００４５】この際、例えば、フリップチップ３の外周
部とソケット本体４ａの内周部とによってフリップチッ
プ３とテープ状回路基板４ｇとの位置決めが行われ、こ
れにより、フリップチップ３の各はんだボール２とこれ
に対応するテープ状回路基板４ｇの各基板側端子４ｈと
が対向して配置される。

【００４６】その後、ソケット４の蓋部材４ｂを閉じて
フック部材４ｅによりソケット本体４ａとの間でフック
部材４ｅをロックすると、蓋部材４ｂに取り付けられた
バネ部材４ｃのバネ力により押圧子４ｄがフリップチッ
プ３を押圧する。その際、フリップチップ３は、例え
ば、押圧子４ｄによって総圧６ｋｇｆで押され、これに
より、フリップチップ３の各はんだボール２とこれに対
応する基板側端子４ｈとが接触する。

【００４７】この状態で、ソケット４を介して所定の電
流・電圧をフリップチップ３に印加し、これにより、フ
リップチップ３の電気的特性などを検査する。

【００４８】次に、前記製造方法すなわち検査方法に基
づいて検査した結果について説明する。

【００４９】前記検査方法を用いて実施した導通検査
は、１つのフリップチップ３を１０回ソケット４に入
れ、その都度、全てのはんだボール２と全ての基板側端
子４ｈとの導通をチェックするものであり、これを１０
０個のフリップチップ３を使用して評価した。合計１０
００回のチェックに対して、１０００回とも全はんだボ
ール２（全端子）の導通を確認することができた。

【００５０】なお、本実施の形態１に対する比較例とし
て、はんだボール２の高さを全て平均１４５μｍとした
図１と同外形、同ピンの試料１００個を用いて、上記と
同様の検査を実施した。その結果、１ピン以上導通がと
れない回数が１０００回中６９回発生した。

【００５１】以上のことにより、エリアアレイタイプの
半導体装置（フリップチップ３）の外側２列目はんだボ
ール２ａを高くすることが効果の高いことが分かる。

【００５２】すなわち、フリップチップ３のはんだボー
ル２のうち外側２列目はんだボール２ａがそれ以外のは
んだボール２より高く設けられていることにより、外側
２列目はんだボール２ａと基板側端子４ｈ間に掛かる圧
力を外側２列目はんだボール２ａの高さが高くない場合
と比較して高くすることができる。

【００５３】これは、外側２列目はんだボール２ａの高
さを高くしたことにより、これに対応する弾性膜４ｊの
変形率が増加するためである。

【００５４】これにより、フリップチップ３の検査時に
フリップチップ３のはんだボール２とシートコンタクト
方式におけるテープ状回路基板４ｇの基板側端子４ｈ間
の応力を均一にすることができ、その結果、フリップチ
ップ３への押圧荷重を増加させることなくはんだボール
２と基板側端子４ｈとの接触信頼性を確保できる。

【００５５】したがって、検査時のフリップチップ３の
外側２列目はんだボール２ａと基板側端子４ｈとの接触
を確実に行うことができるため、これにより、検査時の
接触信頼性を向上できる。

【００５６】その結果、フリップチップ３（半導体装
置）にダメージを与えずに信頼度の高い電気的接続を行
うことができる。

【００５７】また、検査や試験時に応力を均一にしてフ
リップチップ３のはんだボール２を押すことになるた
め、フリップチップ３の複数のはんだボール２の変形を
ほぼ同一にすることができ、かつ、はんだボール２の高
さを同一にできる。

【００５８】したがって、フリップチップ３を、例え
ば、はんだ接続によって実装基板などに実装する場合に
おいても、前記実装基板の実装面の端子実装時の未接続
の発生を防止できる。

【００５９】ここで、図５に示すソケット４（検査装
置）を用いた導通検査後のフリップチップ３の外側１列
目から８列目までのはんだボール２の変形量の測定値を
図４のＣ線に示す。

【００６０】また、はんだボール２の高さを全て平均１
４５μｍとした図１と同外形、同ピンの比較例の通常フ
リップチップでのはんだボール２の変形量の測定値を図
４のＤ線に示す。

【００６１】図４に示すように、はんだボール２の高さ
を全て１４５μｍとした場合には、外側２列目はんだボ
ール２ａの変形が少ないことが分かる。このことから、
前記通常フリップチップのように、はんだボール２の高
さが全て同一の半導体装置の場合には、外側から２列目
のはんだボール２に掛かる圧力が低いことが予想され、
このことが前記比較例のように接触の確実性を低くする
原因であると推定できる。

【００６２】（実施の形態２）前記実施の形態１では、
外部端子である突起状端子をエリアアレイ状に配置した
フリップチップ３の外側２列目のみのはんだボール２ａ
を他のものと比べて高くする場合について説明したが、
本実施の形態２では、実施の形態１と同様に２５６ピン
のフリップチップ３（半導体装置）において、外側１列
目から４列目までの合計１９２個のはんだボール２（突
起状端子）の高さを１６０μｍとし、それ以外の６４個
のはんだボール２の高さを１４５μｍとする場合を説明
する。

【００６３】すなわち、はんだボール２のうち中央部の
端子と比べてその外側の端子が高く設けられているもの
である。

【００６４】ここで、本実施の形態２におけるフリップ
チップ３の前記中央部のはんだボール２とは、それぞれ
外側５列目から内側に配置された８行×８列の６４個の
ことであり、この６４個のはんだボール２が高さ１４５
μｍである。

【００６５】なお、外側１列目から４列目までのはんだ
ボール２の高さを高くする上では、実施の形態１と同様
に、その部分でのはんだクリーム印刷時のスクリーンマ
スクの開口面積を広くした。このフリップチップ３を図
２、図３に示す検査装置（図５に示すソケット４のこ
と）を用いて同様の導通検査を実施した。ここでは、各
フリップチップ３を１０回ずつ検査し、総数２００回の
チェックを実施した。その結果、１ピンでも導通が得ら
れないものは発生しなかった。

【００６６】この検査後に、フリップチップ３の外部端
子であるはんだボール２の変形量を列ごとに測定し、こ
の平均値を取ると図４に示すＥ線となった。外部端子で
あるはんだボール２の高さを１４５μｍと同一高さにし
た図４のＤ線の場合と比較すると、外側２列目における
はんだボール２ａの変形が増加し、逆に中央部近傍に対
応する４列目から８列目でのはんだボール２の変形は低
減していることが分かる。

【００６７】このことにより、外側２列目はんだボール
２ａに掛かる圧力が増加し、また、中央部近傍のはんだ
ボール２に掛かる圧力が減少しているため、結果的には
んだボール２に掛かる圧力が均一化されていることが推
定される。

【００６８】これにより、同一圧力でフリップチップ３
を押圧した際、中央部の外側のはんだボール２には高い
圧力が掛かることとなる。

【００６９】したがって、本実施の形態２におけるフリ
ップチップ３は、全てのはんだボール２を同一高さにし
た場合と比較して、はんだボール２の基板側端子４ｈに
対しての接触の確実性を向上できる。

【００７０】本実施の形態２の半導体装置の製造方法す
なわち検査装置によれば、フリップチップ３のはんだボ
ール２のうち中央部のはんだボール２と比べてその外側
のはんだボール２が高く設けられていることにより、中
央部におけるはんだボール２と基板側端子４ｈ間に掛か
る圧力を中央部の外側のはんだボール２の高さが高くな
い場合と比較して低くすることができる。

【００７１】これにより、フリップチップ３に一定圧力
を印加すると、中央部外側の圧力の低い外側２列目付近
のはんだボール２と基板側端子４ｈ間に掛かる圧力を高
くすることができ、その結果、外側２列目の接触信頼性
を向上できる。

【００７２】（実施の形態３)図６は本発明の実施の形
態３の半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）
は（ｂ）のＧ−Ｇ断面を示す断面図、（ｂ）は底面図で
ある。

【００７３】前記実施の形態２では、外部端子をエリア
アレイ状に配置した２５６ピンのフリップチップ３にお
いて外側１列目から４列目までの合計１９２個のはんだ
ボール２（外部端子）の高さをそれ以外のものより高く
する場合を説明したが、本実施の形態３では、実施の形
態２と同様に２５６ピンのフリップチップ３（半導体装
置）において、図６（ａ),（ｂ）に示すように、外側２
列目から４列目までの合計１３２個のはんだボール２
（外部端子）すなわち外側２〜４列目はんだボール２ｂ
の高さを１６０μｍとし、それ以外の１２４個のはんだ
ボール２の高さを１４５μｍとする場合を説明する。

【００７４】すなわち、本実施の形態３のフリップチッ
プ３においても、はんだボール２のうち中央部の端子と
比べてその外側の端子が高く設けられているものであ
る。

【００７５】ただし、外側１列目のはんだボール２は、
１４５μｍで形成されている。

【００７６】なお、本実施の形態３においても、フリッ
プチップ３の前記中央部のはんだボール２とは、実施の
形態２と同様に、それぞれ外側５列目から内側に配置さ
れた８行×８列の６４個のことである。

【００７７】また、実施の形態２と同様の方法により、
図２、図３に示す検査装置（図５に示すソケット４のこ
と）を用いて図６に示すフリップチップ３を８０個導通
検査した。その際、各フリップチップ３を１０回ずつ検
査し、総数８００回のチェックを実施した。その結果、
１ピンでも導通が得られないものの発生はゼロであっ
た。

【００７８】この検査後のフリップチップ３の外部端子
であるはんだボール２の変形量を列ごとに測定し、その
平均値を取ったものを図４のＦ線に示す。

【００７９】これによれば、はんだボール２において１
列目から４列目までを高くしたＥ線と比較して、外側２
列目のはんだボール２の変形が増加しているため、実施
の形態２の場合（Ｅ線）よりさらに応力改善がされてい
ると判断できる。

【００８０】（実施の形態４）図７は本発明の実施の形
態４の半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）
は（ｂ）のＨ−Ｈ断面を示す断面図、（ｂ）は底面図で
ある。

【００８１】前記実施の形態１では、外部端子である突
起状端子がはんだボール２で、かつ２５６ピンのフリッ
プチップ３の場合について説明した。

【００８２】これに対し、本実施の形態４の半導体装置
は、端子数２２５ピンの7.５ｍｍ角のＬＳＩ（Large Sc
ale Integration)ベアチップ７であり、２２５個の突起
状端子が１５行×１５列の格子状に配置されているもの
である。

【００８３】この突起状端子の設置ピッチは、例えば、
0.４５ｍｍであり、前記突起状端子は0.２ｍｍ角のパッ
ド端子６である。このパッド端子６の表面には金めっき
が施されており、外側２列目の４８個のパッド端子６
（以降、外側２列目パッド端子６ａという）は高さが３
μｍであり、また、他の１７７個は0.３μｍである。

【００８４】このＬＳＩベアチップ７を図２、図３に示
す検査装置（図５に示すソケット４のこと）と同様の検
査装置を用いて検査した。その際、テープ状回路基板４
ｇは0.４５ｍｍピッチで、１５行×１５列の２２５個の
接触子である基板側端子４ｈが形成されたものを用い
た。

【００８５】なお、図７（ａ),（ｂ）に示す外側２列目
パッド端子６ａ以外の高さの低いパッド端子６と基板側
端子４ｈとの導通を確実に行うために、本実施の形態４
の各基板側端子４ｈの表面には、直径約0.１ｍｍで、か
つ高さ２５μｍの突起をめっきによって形成した。

【００８６】また、導通チェックでは押圧子４ｄに印加
する総荷重を3.５ｋｇｆとし、１つのＬＳＩベアチップ
７を１０回前記検査装置に入れ、その都度全てのパッド
端子６と基板側端子４ｈ間の導通をチェックした。これ
を１００個のＬＳＩベアチップ７を使用して評価した。
その結果、合計１０００回のチェックに対して、１００
０回とも全てのパッド端子６の導通を確認することがで
きた。

【００８７】また、図７に示すＬＳＩベアチップ７に対
して、全てのパッド端子６の高さを0.３μｍと均一にし
た場合の試料も２０個作製した。これを前記同様の導通
チェックを実施したところ、２００回の検査に対して８
回は１ピン以上での未接続が発生した。

【００８８】これにより、本実施の形態４のようなパッ
ド端子６についても外側２列目の端子を高くすることに
より、検査における接触（電気的接続）の確実性を向上
できる。

【００８９】（実施の形態５）図８は本発明の実施の形
態５の半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）
は（ｂ）のＩ−Ｉ断面を示す断面図、（ｂ）は底面図で
ある。

【００９０】本実施の形態５の半導体装置は、総端子数
２２１ピンの金バンプ付き端子８（突起状端子）を有す
る9.２ｍｍ角のＬＳＩベアチップ７である。

【００９１】このＬＳＩベアチップ７の外部端子である
金バンプ付き端子８は、アルミニウム（Ａｌ）の表面電
極（電極パッド）上にワイヤバンピングによって形成さ
れたＡｕバンプである。

【００９２】なお、その際の端子配置は、千鳥配置（面
心配置ともいう）になっている。すなわち、0.７０７ｍ
ｍピッチの１１行×１１列の正方格子状の端子配列の面
心位置に0.７０７ｍｍピッチで１０行×１０列の正方格
子状端子が重なった構成になっており、金バンプ付き端
子８の最小ピッチは0.５ｍｍである。

【００９３】また、金バンプ付き端子８の高さは、外側
２列目の３６個の金バンプ付き端子８（以降、外側２列
目バンプ端子８ａという）では４２μｍ、外側２列目バ
ンプ端子８ａ以外の他の１８５個の端子では３５μｍに
なっている。なお、金バンプ高さの調節は、ワイヤバン
ピング後のボンダーヘッドでのバンプ平坦化工程時に実
施した。

【００９４】このＬＳＩベアチップ７を図２、図３に示
す検査装置（図５に示すソケット４のこと）と同様の検
査装置を用いて検査した。その際に用いたテープ状回路
基板４ｇは、ＬＳＩベアチップ７の千鳥配置の金バンプ
付き端子８に対応した位置に２２１個の接触子である基
板側端子４ｈが形成されているものである。

【００９５】また、導通チェックでは印加する総荷重を
１ｋｇｆとし、１つのＬＳＩベアチップ７を１０回前記
検査装置に入れ、その都度導通をチェックした。なお、
荷重を１ｋｇｆと低く設定したのは、荷重による金バン
プ形状変形を防止するためである。これを１００個のＬ
ＳＩベアチップ７を使用して評価した。

【００９６】その結果、合計１０００回のチェックに対
して、１０００回とも全ピンの導通を確認することがで
きた。

【００９７】また、図８に示すＬＳＩベアチップ７の金
バンプ付き端子８の高さを全て約３５μｍと均一にした
場合の試料も２０個作製した。これを前記同様の導通チ
ェックを実施したところ、検査２００回のうち１９回は
１ピン以上の端子の導通を確保することができなかっ
た。

【００９８】（実施の形態６）図９は本発明の実施の形
態６の半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）
は側面図、（ｂ）は底面図である。

【００９９】本実施の形態６の半導体装置は、１１９個
の外部端子である突起状端子を有する外形１４ｍｍ×２
２ｍｍのＢＧＡ９であり、ＢＧＡ基板９ａの表面のチッ
プ側には樹脂モールド１０が形成され、一方、その反対
側の裏面には、前記突起状端子として、1.２７ｍｍピッ
チの７行×１７列正方格子配置の共晶のはんだボール２
が形成されている。

【０１００】本実施の形態６のＢＧＡ９では、短辺の外
側２列目および外側３列目のはんだボール２（以降、外
側２，３列目はんだボール２ｃという）、かつ長辺の外
側２列目はんだボール２ａの合計４２個のみをボール径
0.８ｍｍとし、その他（短辺の外側２，３列目はんだボ
ール２ｃおよび長辺の外側２列目はんだボール２ａ以
外）の７７個の端子はボール径0.７５ｍｍを適用した。

【０１０１】なお、はんだボール径0.８ｍｍを用いた部
分の端子高さは平均で0.６２ｍｍ、0.７５ｍｍの径のは
んだボール２を用いた部分の端子の平均高さは0.６０ｍ
ｍであった。

【０１０２】このＢＧＡ９を図２、図３に示す検査装置
（図５に示すソケット４のこと）と同様の検査装置を用
いて検査した。その際、使用したテープ状回路基板４ｇ
は、ＢＧＡ９の1.２７ｍｍピッチに対応し、かつ７行×
１７列正方格子配置の１１９個の接触子である基板側端
子４ｈが形成されたものである。

【０１０３】また、導通チェックでは印加する総荷重を
1.５ｋｇｆとし、１つのＢＧＡ９を１０回前記検査装置
に入れ、その都度導通をチェックした。これを１００個
のＢＧＡ９を使用して評価した。

【０１０４】その結果、合計１０００回のチェックに対
して、１０００回とも全ピンの導通を確認することがで
きた。

【０１０５】また、図９に示すＢＧＡ９のはんだボール
２に0.７５ｍｍの径の共晶のはんだボール２を用い、全
ての端子高さを0.６０ｍｍと均一にした通常ＢＧＡも１
００個作製した。この通常ＢＧＡを前記同様の導通チェ
ックを実施したところ、検査１０００回に対して７回は
１ピン以上の端子の導通を確保することができなかっ
た。

【０１０６】（実施の形態７）図１０は図１１に示す本
発明の実施の形態７の半導体装置の製造方法に用いられ
る検査装置の要部のＪ−Ｊ断面の構造の一例を示す断面
図、図１１は図１０に示すテープ状回路基板の構造を示
す平面図である。

【０１０７】なお、前記実施の形態１〜６は、半導体装
置の外部端子の高さをその設置箇所に応じて変えたもの
であったが、本実施の形態７では、前記半導体装置の外
部端子の高さを均一にして検査を行うその方法と検査装
置の構造とを説明する。

【０１０８】図１０および図１１は、図５に示すソケッ
ト４の要部（図２、図３に示す要部）の構造の変形例を
示すものである。

【０１０９】ここで、本実施の形態７の検査装置の要部
における実施の形態１の図２、図３に示す検査装置の要
部との相違点は、テープ状回路基板４ｇ（回路基板）に
おける基板側端子取り付け面４ｌに配置された基板側端
子４ｈのうち、外側２列目基板側端子４ｍが、外側１列
目を含むその他の基板側端子４ｈより１０μｍ高く形成
されていることである。

【０１１０】なお、外側２列目基板側端子４ｍを他の基
板側端子４ｈより１０μｍ高くするには、外側２列目基
板側端子４ｍの表面を銅めっきで２５μｍ高く形成して
おき、その後、外側２列目以外の基板側端子４ｈの表面
をエッチングで１５μｍまで低くする。その際、外側２
列目を含む全ての基板側端子４ｈの表面には金めっきを
施し、その他の構成は図２、図３のものと同一にしてい
る。

【０１１１】図１１に示すテープ状回路基板４ｇが設け
られた検査装置（図５に示すソケット４）を用いて導通
検査を実施した。検査した半導体装置は、図１に示すフ
リップチップ３とほぼ同様の９ｍｍ角のものであり、そ
の表面であるはんだボール取り付け面１ａに0.５ｍｍピ
ッチで外部端子である２５６個の突起状端子を正方格子
状に配置したフリップチップ１１（図１０参照）であ
る。

【０１１２】ただし、図１０に示すフリップチップ１１
は、全てのはんだボール２が高さ１４５μｍで形成され
ている。

【０１１３】したがって、フリップチップ１１は、総端
子数２５６ピンで、それぞれの共晶ボール径が0.３ｍｍ
のものである。

【０１１４】なお、図１０、図１１に示す検査装置を用
いた検査方法すなわち半導体装置の製造方法は、実施の
形態１で説明したものと同様である。

【０１１５】ここで、このフリップチップ１１は、実施
の形態１で説明したように、それら１００個を用いて、
図２、図３に示す検査装置の要部を用いてその接触性を
評価した際、１ピン以上導通がとれない回数が１０００
回中６９回発生したものである。

【０１１６】しかし、図１０、図１１に示す要部を有し
た検査装置を用い、かつフリップチップ１１を１００個
を用いて各１０回、計１０００回の検査を実施した結
果、全てにおいて全ピンの接触（電気的接続）を確認す
ることができた。

【０１１７】本実施の形態７の半導体装置の製造方法す
なわち検査装置によれば、テープ状回路基板４ｇの外側
１列目の基板側端子４ｈより外側２列目基板側端子４ｍ
が高く形成されていることにより、フリップチップ１１
の外側２列目のはんだボール２を高く設けた場合と同様
に、外側２列目のはんだボール２と基板側端子４ｈ間に
掛かる圧力を高くすることができる。

【０１１８】その結果、検査時のフリップチップ１１の
外側２列目のはんだボール２と基板側端子４ｈとの接触
（電気的接続）を確実に行うことができる。

【０１１９】（実施の形態８）図１２は図１３に示す本
発明の実施の形態８の半導体装置の製造方法に用いられ
る検査装置の要部のＫ−Ｋ断面の構造の一例を示す断面
図、図１３は図１２に示すテープ状回路基板の構造を示
す平面図である。

【０１２０】本実施の形態８は、実施の形態７と同様に
テープ状回路基板４ｇの基板側端子４ｈの高さを変えた
ものである。本実施の形態８では、１３２個ある外側２
〜４列目基板側端子４ｎを１２４個あるそれ以外の他の
基板側端子４ｈより１０μｍ高くしたものである。

【０１２１】すなわち、図１３に示すように、テープ状
回路基板４ｇ（回路基板）の基板側端子取り付け面４ｌ
の中央部に配置された８行×８列の基板側端子４ｈ（外
側５列目から内側に配置された６４個の基板側端子４
ｈ）よりその外側に配置された基板側端子４ｈすなわち
外側２〜４列目基板側端子４ｎの高さを１０μｍ高く形
成したものである。

【０１２２】なお、基板側端子４ｈを高くする方法は、
前記実施の形態７の方法と同じくエッチングである。

【０１２３】このテープ状回路基板４ｇを用いて、シー
トコンタクト方式で、前記実施の形態７と同様にはんだ
ボール２の高さが均一で平均高さ１４５μｍの２５６ピ
ンのフリップチップ１１を用いて検査を実施した。

【０１２４】その結果、実施の形態７と同様に、フリッ
プチップ１１を１００個用いて各１０回、計１０００回
の検査を実施したが、全てにおいて、全ピンの接触（電
気的接続）を確認することができた。

【０１２５】本実施の形態８の半導体装置の製造方法す
なわち検査装置によれば、テープ状回路基板４ｇの中央
部に配置された基板側端子４ｈよりその外側の基板側端
子４ｈが高く形成されていることにより、中央部外側の
圧力の低い外側２列目付近のはんだボール２と基板側端
子４ｈ間に掛かる圧力を高くすることができる。

【０１２６】その結果、外側２列目の接触信頼性（電気
的接続の信頼性）を向上できる。

【０１２７】（実施の形態９)図１４は本発明の実施の
形態９の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の
要部の構造の一例を示す図であり、（ａ）はテープ状回
路基板の平面図、（ｂ）は（ａ）のＬ−Ｌ断面を示す断
面図、図１５は図１４に示すテープ状回路基板の構造を
示す底面図である。

【０１２８】図１４および図１５に示す検査装置の要部
は、0.５ｍｍピッチの１０行×１０列の正方格子状配列
で、かつ１００ピン端子を持つ半導体装置用のシートコ
ンタクト方式の検査装置の要部である。

【０１２９】この検査装置に設けられたテープ状回路基
板４ｇの基板側端子取り付け面４ｌに形成した円形の接
触子である基板側端子４ｈの直径は0.３ｍｍであり、各
基板側端子４ｈは、テープ状回路基板４ｇの外周部に形
成された測定用接続端子４ｉと電気的に接続されてい
る。

【０１３０】また、この厚さ５０μｍのポリイミド製テ
ープの裏面には、0.３ｍｍ角で高さ１５μｍの２８個の
四角形の突起部１２が形成されている。これらの突起部
１２の設置箇所は、テープ状回路基板４ｇの基板側端子
４ｈのうち、外側２列目基板側端子４ｍの裏面である。

【０１３１】なお、この突起部１２は、感光性樹脂を用
いて、フォトリソグラフィ技術によって形成されたもの
である。

【０１３２】さらに、このテープ状回路基板４ｇを用い
て、図２、図３の要部を有する図５に示すソケット４
（検査装置）と同様のシートコンタクト方式の検査装置
を組み立てた。その際使用した弾性膜４ｊは厚さ0.５ｍ
ｍのゴム製（例えば、シリコーンゴムなど）で、また、
この弾性膜４ｊを支持する台であるベース部材４ｋは強
化プラスチック製（例えば、ウルテムなど）である。

【０１３３】この図１４および図１５に示す検査装置
に、5.５ｍｍ角で、かつ0.５ｍｍピッチの１０行×１０
列で１００ピン端子を持つＣＳＰ１３を総荷重1.５ｋｇ
ｆで押し付けてコンタクト性（接触性）を評価した。こ
のＣＳＰ１３のはんだボール２の高さは約0.２４ｍｍと
均一であり、その直径が0.３０ｍｍの共晶のはんだボー
ル２である。

【０１３４】このＣＳＰ１３を１００個を用い、各１０
回導通検査を実施した結果、合計１０００回の検査の全
てにおいて、全ピンの接触（電気的接続）を確認するこ
とができた。

【０１３５】また、ＣＳＰ１３を１００個用い、テープ
状回路基板４ｇの裏面の突起部１２を未形成の検査装置
によってＣＳＰ１３を導通検査したところ、１０００回
のうち４９回未接触部の発生があった。これらのことに
より、図１４および図１５に示す要部を有した検査装置
を用いることにより、ＣＳＰ１３のはんだボール２の接
触性（電気的接続性）を向上できる。

【０１３６】（実施の形態１０）図１６は本発明の実施
の形態１０の半導体装置の製造方法に用いられる検査装
置の要部の構造の一例を示す図であり、（ａ）はテープ
状回路基板の平面図、（ｂ）は（ａ）のＭ−Ｍ断面を示
す断面図、図１７は図１６に示すテープ状回路基板の構
造を示す底面図である。

【０１３７】図１６および図１７に示す検査装置の要部
は、実施の形態９で説明した検査装置の要部におけるテ
ープ状回路基板４ｇの裏面に設けられる突起部１２の数
を増やしたものである。

【０１３８】すなわち、テープ状回路基板４ｇの基板側
端子４ｈのうち、外側２列目に加えて外側３列目の基板
側端子４ｈの裏面側に突起部１２を設けたものであり、
その際、外側２列目の基板側端子４ｈの裏面と同じく0.
３ｍｍ角で、かつ高さ１５μｍの突起部１２を追加し
た。したがって、突起部１２は総数４８個であるととも
に、突起部１２の形成方法は、実施の形態９と同じく感
光性樹脂を用いて、フォトリソグラフィ技術によって形
成した。

【０１３９】このテープ状回路基板４ｇを用いて、実施
の形態９と同様にシートコンタクト方式の検査装置を組
み立てた。これに5.５ｍｍ角で、かつ0.５ｍｍピッチの
１０行×１０列で１００ピン端子を持つＣＳＰ１３を用
いてコンタクト性を評価した。

【０１４０】このＣＳＰ１３を１００個用いて各１０回
導通検査の結果、合計１０００回の検査を実施したが、
全てにおいて、全ピンの接触（電気的接続）を確認する
ことができた。

【０１４１】（実施の形態１１）図１８は本発明の実施
の形態１１の半導体装置の製造方法に用いられる検査装
置の要部の構造の一例を示す図であり、（ａ）は（ｂ）
のＮ−Ｎ断面を示す断面図、（ｂ）は（ａ）に示すテー
プ状回路基板の平面図である。

【０１４２】本実施の形態１１における検査装置は、シ
ートコンタクト方式を行うにあたり、図１６、図１７に
示す前記実施の形態１０の検査装置のようにテープ状回
路基板４ｇの裏面側に突起部１２を設けるのではなく、
テープ状回路基板４ｇの裏面側に配置された弾性膜４ｊ
の裏面にテープ状回路基板４ｇの外側２列目基板側端子
４ｍに対応させて図１８（ｂ）に示すように突起部１２
を枠状に形成するものである。

【０１４３】すなわち、本実施の形態１１の検査装置で
は、膜厚0.５ｍｍの弾性膜４ｊの裏面のＣＳＰ１３の外
側２列目のはんだボール２と接触する基板側端子４ｈ
（外側２列目基板側端子４ｍのこと）の下に相当する箇
所に、高さ0.１ｍｍ、幅0.３ｍｍのポリイミド膜を接着
させて突起部１２を形成した。

【０１４４】この突起部１２が形成されたテープ状回路
基板４ｇや弾性膜４ｊを用いて前記実施の形態１０と同
様にシートコンタクト方式の検査装置を組み立てた。

【０１４５】さらに、図１８に示す要部を有する検査装
置を用い、5.５ｍｍ角の大きさで、かつ0.５ｍｍピッチ
の１０行×１０列で１００ピン端子を持つＣＳＰ１３を
用いてコンタクト性を評価した。なお、ＣＳＰ１３の突
起状端子であるはんだボール２の高さは約0.２４ｍｍ
で、かつ直径0.３０ｍｍの共晶のはんだボール２によっ
て形成されたものである。このＣＳＰ１３を１００個を
用いて各１０回導通検査を実施した。

【０１４６】その結果、合計１０００回の検査を実施し
たが、全てにおいて全ピンの接触（電気的接続）を確認
することができた。

【０１４７】（実施の形態１２）図１９は図２０に示す
本発明の実施の形態１２の半導体装置の製造方法に用い
られる検査装置の要部のＯ−Ｏ断面の構造の一例を示す
断面図、図２０は図１９に示すテープ状回路基板の構造
を示す平面図である。

【０１４８】本実施の形態１２における検査装置は、シ
ートコンタクト方式を行うにあたり、図１８に示す前記
実施の形態１１の検査装置のように弾性膜４ｊの裏面に
突起部１２を設けるのではなく、弾性膜４ｊをその裏面
側で支持する台であるベース部材４ｋに突起部１２を枠
状に形成するものである。

【０１４９】そこで、図１９および図２０は、図２、図
３に示す検査装置と同様の0.５ｍｍピッチで１６行×１
６列の正方格子状配置で合計２５６ピンを有する半導体
装置に対応した検査装置である。シートコンタクト方式
におけるテープ状回路基板４ｇおよび弾性膜４ｊは、図
２、図３に示す検査装置のものと同じものを適用した。

【０１５０】したがって、本実施の形態１２の半導体装
置の製造方法は、フリップチップ１１（半導体装置）の
外側１列目のはんだボール２（突起状端子）に接触する
テープ状回路基板４ｇの基板側端子４ｈに対して、外側
２列目はんだボール２ａに接触する基板側端子４ｈの高
さを高くする突起部１２が弾性膜４ｊを支持するベース
部材４ｋに設けられた検査装置を用いてフリップチップ
１１を電気的に検査するものである。

【０１５１】つまり、ベース部材４ｋに形成された突起
部１２は、フリップチップ１１のはんだボール２のうち
外側２列目はんだボール２ａに接触する外側２列目基板
側端子４ｍの下方に枠状に形成したものである。なお、
この突起部１２は、例えば、高さ0.１ｍｍ、幅0.５ｍｍ
であり、ベース部材４ｋと同様の強化プラスチック（例
えば、ウルテムなど）によってベース部材４ｋ製造時に
切削で加工する。

【０１５２】図１９、図２０に示す要部を有する検査装
置に0.５ｍｍピッチで１６行×１６列の正方格子状配置
で合計２５６ピンを有するフリップチップ１１を搭載
し、この状態で検査を行った。このフリップチップ１１
は、直径0.３ｍｍのＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の中高温鉛レス
はんだボールを端子に形成したものであり、その際のは
んだボール２の高さは平均0.２４ｍｍであった。また、
押圧子４ｄには、総圧５ｋｇｆを掛けた。

【０１５３】このフリップチップ１１を用いた導通検査
では、１００個の試料を各１０回検査し、合計１０００
回の検査で１０００回とも全ピンの導通を確認すること
ができた。

【０１５４】なお、比較のために、同じフリップチップ
１１を用いて、図２、図３に示す検査装置で同様に１０
００回の導通検査をしたところ、１ピン以上導通が取れ
なかったケースが８２回発生した。このことにより、図
１９、図２０の要部を有した検査装置を用いた半導体装
置の製造方法は、フリップチップ１１のはんだボール２
とテープ状回路基板４ｇの基板側端子４ｈとの接触（電
気的接続）を確実にする上で有効であることが分かる。

【０１５５】（実施の形態１３）図２１は図２２に示す
本発明の実施の形態１３の半導体装置の製造方法に用い
られる検査装置の要部のＰ−Ｐ断面の構造の一例を示す
断面図、図２２は図２１に示すテープ状回路基板の構造
を示す平面図である。

【０１５６】本実施の形態１３の検査装置は、実施の形
態１２の検査装置とほぼ同様のものであるが、ベース部
材４ｋの突起部１２をフリップチップ１１の外側１列目
から４列目までのはんだボール２に対応させ、テープ状
回路基板４ｇの外側１列目から外側４列目までの基板側
端子４ｈの下方に形成したものである。

【０１５７】すなわち、本実施の形態１３の半導体装置
の製造方法は、フリップチップ１１の中央部のはんだボ
ール２（ここでは、外側５列目から内側の８×８＝６４
個のはんだボール２）に接触するテープ状回路基板４ｇ
（回路基板）の基板側端子４ｈに対して、前記中央部の
外側のはんだボール２に接触する外側１〜４列目基板側
端子４ｐの高さを高くする突起部１２が弾性膜４ｊを支
持するベース部材４ｋに設けられた前記検査装置を用い
てフリップチップ１１を電気的に検査するものである。

【０１５８】この際の突起部１２は、高さ0.１ｍｍ、幅
2.０ｍｍで、実施の形態１２と同様に強化プラスチック
によって形成したものである。

【０１５９】図２１、図２２に示す要部を有した検査装
置に、実施の形態１２と同様に0.５ｍｍピッチで２５６
ピンを有するフリップチップ１１を搭載して検査を行っ
た。このフリップチップ１１を用いた導通検査では、１
００個の試料を各１０回検査し、これにより、合計１０
００回の検査で１０００回とも全ピンの導通を確認する
ことができた。

【０１６０】（実施の形態１４）図２３は図２４に示す
本発明の実施の形態１４の半導体装置の製造方法に用い
られる検査装置の要部のＱ−Ｑ断面の構造の一例を示す
断面図、図２４は図２３に示すテープ状回路基板の構造
を示す平面図である。

【０１６１】本実施の形態１４の検査装置は、前記実施
の形態１３の検査装置とほぼ同様のものであるが、ベー
ス部材４ｋに形成される突起部１４をフリップチップ１
１の外側２〜４列目はんだボール２ｂに対応させ、テー
プ状回路基板４ｇの外側２〜４列目基板側端子４ｎの下
方に形成したものである。

【０１６２】なお、この際の突起部１４は、高さ0.１ｍ
ｍ、幅1.５ｍｍで、前記実施の形態１３と同様に強化プ
ラスチックによって形成したものである。

【０１６３】図２３、図２４に示す要部を有した検査装
置に、実施の形態１３と同様に0.５ｍｍピッチで２５６
ピンを有するフリップチップ１１を搭載して検査を行っ
た。このフリップチップ１１を用いた導通検査では、２
００個の試料を各１０回検査し、これにより、合計２０
００回の検査で２０００回とも全ピンの導通を確認する
ことができた。

【０１６４】（実施の形態１５）図２５は図２６に示す
本発明の実施の形態１５の半導体装置の製造方法に用い
られる検査装置の要部のＳ−Ｓ断面の構造の一例を示す
断面図、図２６は図２５に示すテープ状回路基板の構造
を示す平面図である。

【０１６５】本実施の形態１５は、検査装置のベース部
材４ｋに２段構造の突起、すなわち突起部１２と突起部
１４とを形成したものである。

【０１６６】すなわち、フリップチップ１１の外側２〜
４列目はんだボール２ｂに対応してベース部材４ｋに形
成された突起部１４と、これの上に積層配置され、かつ
フリップチップ１１の外側２列目はんだボール２ａに対
応して形成された突起部１２とが設けられているベース
部材４ｋを用いるものである。

【０１６７】なお、突起部１４の幅は、1.５ｍｍであ
り、かつ厚さは0.０５ｍｍである。

【０１６８】さらに、突起部１２と突起部１４の材質
は、例えば、前記実施の形態１６と同様の強化プラスチ
ックである。

【０１６９】この検査装置に実施の形態１４と同様に0.
５ｍｍピッチで、かつ２５６ピンを有するフリップチッ
プ１１を搭載して検査を行った。このフリップチップ１
１を用いた導通検査では、２００個の試料を各１０回検
査し、合計２０００回の検査で、２０００回とも全ピン
の導通を確認することができた。

【０１７０】（実施の形態１６）図２７は図２８に示す
本発明の実施の形態１６の半導体装置の製造方法に用い
られる検査装置の要部のＲ−Ｒ断面の構造の一例を示す
断面図、図２８は図２７に示すテープ状回路基板の構造
を示す平面図である。

【０１７１】本実施の形態１６の検査装置は、前記実施
の形態１２の検査装置とほぼ同様のものであるが、検査
装置のベース部材４ｋに形成する突起部１５を、その幅
を前記実施の形態１２の突起部１２の幅の１／２程度に
するとともに、この突起部１５を弾性膜４ｊのテープ状
回路基板側の面に設けたものである。

【０１７２】すなわち、図２７、図２８に示す要部を有
する検査装置は、弾性膜４ｊのテープ状回路基板側の面
にテープ状回路基板４ｇの基板側端子４ｈの外側１列目
と２列目の間から２列目の中央付近に相当するところま
で幅0.２５ｍｍ、高さ0.１ｍｍの突起部１５を形成した
ものである。

【０１７３】この際の突起部１５の材質はポリイミドな
どであり、それを接着材によって弾性膜４ｊのテープ状
回路基板側の面に固定し、この弾性膜４ｊを備えた検査
装置を用いて検査を実施した。

【０１７４】なお、検査に用いたフリップチップ１１
は、実施の形態１５と同様、0.５ｍｍピッチでＳｎ−Ａ
ｇ−Ｃｕ系はんだの２５６ピンとした。このフリップチ
ップ１１を用いた導通検査では、１００個の試料を各１
０回検査し、合計１０００回の検査で、１０００回とも
全ピンの導通を確認することができた。

【０１７５】（実施の形態１７）図２９は図３０に示す
本発明の実施の形態１７の半導体装置の製造方法に用い
られる検査装置の要部のＴ−Ｔ断面の構造の一例を示す
部分断面図、図３０は図２９に示すテープ状回路基板の
構造を示す平面図と基板側端子を拡大して示す部分拡大
平面図である。

【０１７６】実施の形態１７に示す半導体装置の製造方
法すなわち検査方法は、複数の半導体装置を同時に検査
するものであり、図２９に示す半導体装置は、実施の形
態９で説明した5.５ｍｍ角で、かつ0.５ｍｍピッチ１０
行×１０列で１００ピン端子を有するＣＳＰ１３を４行
×４列配置して計１６個を一体とした２２ｍｍ角の大形
フリップチップ１６である。

【０１７７】したがって、図２９、図３０に示す要部を
有した検査装置は、この大形フリップチップ１６を検査
する場合に使用するものである。

【０１７８】また、前記検査装置は、複数のＣＳＰ１３
を検査するうえで、それらのはんだボール２に接触させ
る複数の基板側端子４ｈが平面状に配置された回路面
（基板側端子取り付け面４ｌ）を複数のＣＳＰ１３にお
いて共通して適用する場合に用いるものである。

【０１７９】なお、大形フリップチップ１６の突起状端
子であるはんだボール２は、総数１６００個であり、高
さ約0.２４ｍｍで、かつ直径0.３０ｍｍの共晶はんだボ
ールから形成されている。ここでは、この大形フリップ
チップ１６のコンタクト性を評価した。

【０１８０】図２９、図３０に示す要部を有した検査装
置は、１６個のＣＳＰ１３それぞれのはんだボール２に
対応して１６個のＣＳＰ１３すなわち大形フリップチッ
プ１６を搭載可能に１６００個の基板側端子４ｈが設け
られたテープ状回路基板４ｇを備え、かつ最外周に配置
されるＣＳＰ１３のそれぞれの外側１列目のはんだボー
ル２に対する基板側端子４ｈの接触圧力より外側２列目
のはんだボール２に対する基板側端子４ｈの接触圧力が
大きくなるように形成されているものであり、本実施の
形態１７ではこの検査装置を用いて大形フリップチップ
１６（ここでは、１６個のＣＳＰ１３を一体に形成した
もの）を電気的に検査する。

【０１８１】なお、図２９、図３０に示す検査装置で
は、外側１列目より外側２列目はんだボール２ａへの基
板側端子４ｈの接触圧力を大きくする手段として、ベー
ス部材４ｋ上に突起部１２を設けている。

【０１８２】この突起部１２は、各0.３ｍｍ角で、かつ
４７２個あり、高さは全て0.１ｍｍである。突起部１２
の形成位置は、各ＣＳＰ１３単位における外側２列目の
はんだボール２に対応した位置と、これに加えて１６個
のＣＳＰ１３を１つの半導体装置すなわち大形フリップ
チップ１６と見た場合のその外側２列目のはんだボール
２に対応する位置とであり（図３０参照）、これらのは
んだボール２に対応する接触子である基板側端子４ｈの
直下のベース部材４ｋ上に４７２個の突起部１２が形成
されている。

【０１８３】なお、突起部１２は、強化プラスチック
（例えば、ウルテムなど）を切削で形成したものであ
る。

【０１８４】この検査装置を用いて１０個の大形フリッ
プチップ１６（ＣＳＰ１３に換算した場合１６０個の半
導体装置）の導通検査を実施した。その際、押圧子４ｄ
を介して大形フリップチップ１６には総圧２５ｋｇｆを
印加した。各大形フリップチップ１６を１０回ずつ検査
した結果、１ピンでも未接触となるものは皆無であっ
た。

【０１８５】また、比較のために、同様の検査を突起部
１２の設けられていない検査装置を用いて実施したとこ
ろ、１００回の検査中、１６回において１ピン以上の未
接続が発生した。このことにより、図２９、図３０に示
す要部を備えた検査装置を用いた検査方法は、突起部１
２を設けない検査装置を用いた検査方法と比較して、接
触の信頼性を向上できることが分かる。

【０１８６】なお、シートコンタクト方式においては、
複数のＣＳＰ１３が集まって集合体となった際に、この
集合体（大形フリップチップ１６）は、単一のＣＳＰ１
３の場合と類似する挙動を示すことにより、本実施の形
態１７の検査装置により、前記効果を生み出すことが可
能になる。

【０１８７】（実施の形態１８）図３１は図３２に示す
本発明の実施の形態１８の半導体装置の製造方法に用い
られる検査装置の要部のＵ−Ｕ断面の構造の一例を示す
部分断面図、図３２は図３１に示すテープ状回路基板の
構造を示す平面図と基板側端子を拡大して示す部分拡大
平面図である。

【０１８８】本実施の形態１８の半導体装置の製造方法
すなわち検査方法は、前記実施の形態１７と同様に複数
の半導体装置を同時に検査するものであり、図３１に示
す半導体装置は、前記実施の形態１７で説明した5.５ｍ
ｍ角で、かつ0.５ｍｍピッチ１０行×１０列で１００ピ
ン端子を有するＣＳＰ１３を４行×４列配置して計１６
個を一体とした２２ｍｍ角の大形フリップチップ１６で
あり、図３１、図３２は、この大形フリップチップ１６
を検査する場合の検査装置の変形例を示したものであ
る。

【０１８９】なお、大形フリップチップ１６の突起状端
子であるはんだボール２は、前記実施の形態１７の場合
と同様に、総数１６００個であり、高さ約0.２４ｍｍ
で、かつ直径0.３０ｍｍの共晶はんだボールから形成さ
れている。

【０１９０】図３１、図３２に示す要部を有した検査装
置は、１６個のＣＳＰ１３それぞれのはんだボール２に
対応して１６個のＣＳＰ１３すなわち大形フリップチッ
プ１６を搭載可能に１６００個の基板側端子４ｈが設け
られたテープ状回路基板４ｇを備え、かつそれぞれのＣ
ＳＰ１３の中央部のはんだボール２（ここでは、外側３
列目から内側の６×６＝３６個のはんだボール２）に対
する基板側端子４ｈの接触圧力より前記中央部の外側に
配置された外側１，２列目のはんだボール２に対する外
側１，２列目基板側端子４ｑの接触圧力が大きくなるよ
うに形成されているものであり、本実施の形態１８で
も、前記実施の形態１７と同様に、この検査装置を用い
て大形フリップチップ１６（ここでは、１６個のＣＳＰ
１３を一体に形成したもの）を電気的に検査する。

【０１９１】なお、図３１、図３２に示す検査装置で
は、中央部よりその外側に配置されたはんだボール２ａ
への基板側端子４ｈ（ここでは、外側１，２列目基板側
端子４ｑ）の接触圧力を大きくする手段として、図３１
に示すように、ベース部材４ｋ上に配置された突起部支
持板１７に２種類の高さの突起部１２が設けられてい
る。

【０１９２】ここで、突起部支持板１７に形成された突
起部１２は、各0.３ｍｍ角で、かつ総数１０２４個であ
る。その際、突起を設ける位置は、各ＣＳＰ１３の外側
１，２列目に相当するはんだボール２に対応した位置で
あり、それぞれのＣＳＰ１３ごとに６４個ずつある。

【０１９３】また、図３１に示すように、突起部１２の
高さは２種類あり、大形フリップチップ１６における中
央部の４個分のＣＳＰ１３では高さが0.０５ｍｍであ
り、前記中央部の外側に配置されるＣＳＰ１３では高さ
が0.１ｍｍである。

【０１９４】これにより、大形フリップチップ１６の中
央部付近に配置されたＣＳＰ１３のはんだボール２と接
触する基板側端子４ｈに対して、中央部付近の外側に配
置されたＣＳＰ１３のはんだボール２に接触する基板側
端子４ｈを平均値で高くすることができる。

【０１９５】なお、平均値で高くするという表現は、個
々のＣＳＰ１３では中央近傍より、外側付近のはんだボ
ール２を高く設定しており、さらに、大形フリップチッ
プ１６のＣＳＰ１３単位では、中央近傍のＣＳＰ１３の
はんだボール２より外側のＣＳＰ１３のはんだボール２
が高くなり、したがって、個々のはんだボール２では必
ずしも中央近傍のＣＳＰ１３のはんだボール２の高さよ
り外周に配置されたＣＳＰ１３のはんだボール２の高さ
が高くなる必要が無いためである。

【０１９６】また、突起部１２が形成される突起部支持
板１７は、例えば、厚さ１ｍｍのＮｉ板であり、大小の
突起部１２はエッチングによって形成した。

【０１９７】この検査装置を用いて、前記実施の形態１
７と同様に、１０個の大形フリップチップ１６（ＣＳＰ
１３に換算した場合１６０個の半導体装置）の導通検査
を実施した。その際、大形フリップチップ１６に印加す
る圧力は、前記実施の形態１７と同様である。

【０１９８】なお、各大形フリップチップ１６を１０回
ずつ検査した結果、１ピンでも未接触となるものは皆無
であった。

【０１９９】ここで、本実施の形態１８において、ベー
ス部材４ｋ上に直接でなく、突起部支持板１７を介して
突起部１２を設けた理由は、同一の検査装置で突起部支
持板１７を交換するだけで端子配置や端子数の異なる半
導体装置に対応させることを容易に可能にするためであ
る。

【０２００】なお、図３１、図３２に示す要部を備えた
検査装置を用いた検査方法によれば、実施の形態１７の
検査方法と同様に大形フリップチップ１６のはんだボー
ル２と検査装置のテープ状回路基板４ｇの基板側端子４
ｈとの接触（電気的接続）の信頼性を向上できる。

【０２０１】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。

【０２０２】例えば、前記実施の形態１から１８では、
回路基板がテープ状回路基板４ｇの場合を説明したが、
前記回路基板は、有機基板を用いたボードなどであって
もよく、ボード端子と半導体装置の突起状端子間に掛か
る応力を均一化することにより、ボード端子と半導体装
置の突起状端子との良好な接続を可能にできる。

【０２０３】また、前記実施の形態１から１８は、全て
検査する半導体装置の突起状端子基準であり、かつ前記
突起状端子の位置基準である。一例として、回路基板
（テープ状回路基板４ｇ）の外側から５列目が高い場合
でも、その位置が適用する半導体装置の突起状端子の外
側から２列目であれば、それは前記実施の形態１から１
８を適用した製造方法である。

【０２０４】さらに、前記実施の形態１から１８では、
テープ状回路基板４ｇと弾性膜４ｊとを別の部材として
説明したが、テープ状回路基板４ｇと弾性膜４ｊとが一
体であってもよく、この場合においても、前記実施の形
態１から１８と同一の効果を得ることができる。

【０２０５】例えば、プリント基板などの有機材をベー
スにした基板では、これに相当する。

【０２０６】さらに、弾性膜４ｊに形成する突起部１
２，１５の素材は、弾性膜４ｊと同一であってもく、そ
の場合にも前記実施の形態１〜１８と同様の効果を得る
ことができる。

【０２０７】また、前記実施の形態１から１８では、テ
ープ状回路基板４ｇの接触子である基板側端子４ｈが、
正方格子状あるいは面心格子状に配置されている場合を
説明したが、その配置やピッチが不規則な場合であって
も同様の効果があることは明らかである。同様に、半導
体装置の突起状端子や基板側端子４ｈ（接触子）がフル
グリッドでなく、中央部に前記突起状端子や前記接触子
の無い場合でも適用できることは明らかである。

【０２０８】また、前記実施の形態１から１８では、検
査装置（ソケット４）を使用する検査としてバーンイン
検査の場合を説明したが、前記検査装置を用いたシート
コンタクト方式の検査としては、プローブ検査などであ
ってもよい。

【０２０９】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【０２１０】（１）．半導体装置の突起状端子のうち外
側１列目の端子と比べて外側２列目の端子が高く設けら
れていることにより、外側２列目の突起状端子と基板側
端子間に掛かる圧力を外側２列目の突起状端子の高さが
高くない場合と比較して高くすることができる。したが
って、検査時の半導体装置の外側２列目の突起状端子と
基板側端子との接触を確実に行うことができ、これによ
り、検査時の接触信頼性を向上できる。その結果、半導
体装置にダメージを与えずに信頼度の高い電気的接続を
行うことができる。

【０２１１】（２）．半導体装置の突起状端子のうち中
央部の端子と比べてその外側の端子が高く設けられてい
ることにより、中央部における突起状端子と基板側端子
間に掛かる圧力を中央部の外側の突起状端子の高さが高
くない場合と比較して低くすることができる。これによ
り、半導体装置に一定圧力を印加すると、中央部外側の
圧力の低い外側２列目付近の突起状端子と基板側端子間
に掛かる圧力を高くすることができ、その結果、外側２
列目の接触信頼性を向上できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態１の半導体
装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は（ｂ）のＡ
−Ａ断面を示す断面図、（ｂ）は底面図である。

【図２】図３に示す本発明の実施の形態１の半導体装置
の製造方法に用いられる検査装置の要部のＢ−Ｂ断面の
構造の一例を示す断面図である。

【図３】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法
に用いられる検査装置の要部の構造の一例を示す平面図
である。

【図４】図１に示す半導体装置における外部端子位置と
端子変形量の関係の一例を示す計測結果図である。

【図５】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法
に用いられる検査装置の構造の一例を示す拡大部分断面
図である。

【図６】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態３の半導体
装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は（ｂ）のＧ
−Ｇ断面を示す断面図、（ｂ）は底面図である。

【図７】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態４の半導体
装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は（ｂ）のＨ
−Ｈ断面を示す断面図、（ｂ）は底面図である。

【図８】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態５の半導体
装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は（ｂ）のＩ
−Ｉ断面を示す断面図、（ｂ）は底面図である。

【図９】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態６の半導体
装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は側面図、
（ｂ）は底面図である。

【図１０】図１１に示す本発明の実施の形態７の半導体
装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＪ−Ｊ断
面の構造の一例を示す断面図である。

【図１１】図１０に示すテープ状回路基板の構造を示す
平面図である。

【図１２】図１３に示す本発明の実施の形態８の半導体
装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＫ−Ｋ断
面の構造の一例を示す断面図である。

【図１３】図１２に示すテープ状回路基板の構造を示す
平面図である。

【図１４】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態９の半導
体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部の構造の
一例を示す図であり、（ａ）はテープ状回路基板の平面
図、（ｂ）は（ａ）のＬ−Ｌ断面を示す断面図である。

【図１５】図１４に示すテープ状回路基板の構造を示す
底面図である。

【図１６】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態１０の半
導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部の構造
の一例を示す図であり、（ａ）はテープ状回路基板の平
面図、（ｂ）は（ａ）のＭ−Ｍ断面を示す断面図であ
る。

【図１７】図１６に示すテープ状回路基板の構造を示す
底面図である。

【図１８】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態１１の半
導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部の構造
の一例を示す図であり、（ａ）は（ｂ）のＮ−Ｎ断面を
示す断面図、（ｂ）は（ａ）に示すテープ状回路基板の
平面図である。

【図１９】図２０に示す本発明の実施の形態１２の半導
体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＯ−Ｏ
断面の構造の一例を示す断面図である。

【図２０】図１９に示すテープ状回路基板の構造を示す
平面図である。

【図２１】図２２に示す本発明の実施の形態１３の半導
体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＰ−Ｐ
断面の構造の一例を示す断面図である。

【図２２】図２１に示すテープ状回路基板の構造を示す
平面図である。

【図２３】図２４に示す本発明の実施の形態１４の半導
体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＱ−Ｑ
断面の構造の一例を示す断面図である。

【図２４】図２３に示すテープ状回路基板の構造を示す
平面図である。

【図２５】図２６に示す本発明の実施の形態１５の半導
体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＳ−Ｓ
断面の構造の一例を示す断面図である。

【図２６】図２５に示すテープ状回路基板の構造を示す
平面図である。

【図２７】図２８に示す本発明の実施の形態１６の半導
体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＲ−Ｒ
断面の構造の一例を示す断面図である。

【図２８】図２７に示すテープ状回路基板の構造を示す
平面図である。

【図２９】図３０に示す本発明の実施の形態１７の半導
体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＴ−Ｔ
断面の構造の一例を示す部分断面図である。

【図３０】図２９に示すテープ状回路基板の構造を示す
平面図と基板側端子を拡大して示す部分拡大平面図であ
る。

【図３１】図３２に示す本発明の実施の形態１８の半導
体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＵ−Ｕ
断面の構造の一例を示す部分断面図である。

【図３２】図３１に示すテープ状回路基板の構造を示す
平面図と基板側端子を拡大して示す部分拡大平面図であ
る。

【符号の説明】

１ 半導体チップ １ａ はんだボール取り付け面（外部端子取り付け面） ２ はんだボール（突起状端子） ２ａ 外側２列目はんだボール ２ｂ 外側２〜４列目はんだボール ２ｃ 外側２，３列目はんだボール ３ フリップチップ（半導体装置） ４ ソケット（検査装置） ４ａ ソケット本体 ４ｂ 蓋部材 ４ｃ バネ部材 ４ｄ 押圧子 ４ｅ フック部材 ４ｆ ピン部材 ４ｇ テープ状回路基板（回路基板） ４ｈ 基板側端子 ４ｉ 測定用接続端子 ４ｊ 弾性膜 ４ｋ ベース部材 ４ｌ 基板側端子取り付け面 ４ｍ 外側２列目基板側端子 ４ｎ 外側２〜４列目基板側端子 ４ｐ 外側１〜４列目基板側端子 ４ｑ 外側１，２列目基板側端子 ５ テストボード ６ パッド端子（突起状端子） ６ａ 外側２列目パッド端子 ７ ＬＳＩベアチップ（半導体装置） ８ 金バンプ付き端子（突起状端子） ８ａ 外側２列目バンプ端子 ９ ＢＧＡ（半導体装置） ９ａ ＢＧＡ基板 １０ 樹脂モールド １１ フリップチップ １２，１４，１５ 突起部 １３ ＣＳＰ １６ 大形フリップチップ １７ 突起部支持板

フロントページの続き (72)発明者 森永 賢一郎 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 Ｆターム(参考） 4M106 AD26 BA11 BA14 CA15 DH02

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 外部端子として突起状端子を有した半導
   体装置であって、前記半導体装置の外部端子取り付け面
   に複数の前記突起状端子が分散配置され、前記突起状端
   子のうち外側１列目の端子と比べて外側２列目の端子が
   高く設けられていることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 外部端子として突起状端子を有した半導
   体装置であって、前記半導体装置の外部端子取り付け面
   に複数の前記突起状端子が分散配置され、前記突起状端
   子のうち中央部の端子と比べてその外側の端子が高く設
   けられていることを特徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】 半導体装置の外部端子である突起状端子
   に対応する複数の基板側端子が分散配置された回路基板
   と、基板側端子取り付け面の反対の面側に配置された弾
   性膜とを備える検査装置を用いた半導体装置の製造方法
   であって、 複数の前記突起状端子が外部端子取り付け面に分散配置
   されて設けられた前記半導体装置を準備し、前記検査装
   置において、前記回路基板の前記基板側端子取り付け面
   に配置された外側１列目の前記基板側端子より高く形成
   された外側２列目の前記基板側端子と、前記半導体装置
   の前記外部端子取り付け面の外側２列目の前記突起状端
   子とを対応させて前記半導体装置と前記回路基板とを位
   置決めする工程と、 前記半導体装置に荷重を印加して、前記半導体装置の前
   記突起状端子を前記回路基板の前記基板側端子に押し付
   ける工程と、 前記半導体装置の前記突起状端子と前記検査装置の前記
   回路基板の前記基板側端子とを電気的に接続して前記半
   導体装置を電気的に検査する工程とを有することを特徴
   とする半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載の半導体装置の製造方法で
   あって、複数の前記半導体装置を検査する際に、前記半
   導体装置それぞれの前記突起状端子に対応して複数の前
   記半導体装置を搭載可能に複数の前記基板側端子が設け
   られた前記回路基板を備え、最外周に配置される前記半
   導体装置のそれぞれの外側１列目の前記突起状端子に対
   する前記基板側端子の接触圧力より外側２列目の前記突
   起状端子に対する前記基板側端子の接触圧力が大きくな
   るように形成された前記検査装置を用いて複数の前記半
   導体装置を電気的に検査することを特徴とする半導体装
   置の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項３または４記載の半導体装置の製
   造方法であって、前記半導体装置の外側１列目の前記突
   起状端子に接触する前記回路基板の前記基板側端子に対
   して、外側２列目の前記突起状端子に接触する前記基板
   側端子の高さを高くする突起部が前記弾性膜を支持する
   ベース部材に設けられた前記検査装置を用いて前記半導
   体装置を電気的に検査することを特徴とする半導体装置
   の製造方法。
6. 【請求項６】 半導体装置の外部端子である突起状端子
   に対応する複数の基板側端子が分散配置された回路基板
   と、基板側端子取り付け面の反対の面側に配置された弾
   性膜とを備える検査装置を用いた半導体装置の製造方法
   であって、 複数の前記突起状端子が外部端子取り付け面に分散配置
   されて設けられた前記半導体装置を準備し、前記検査装
   置において、前記回路基板の前記基板側端子取り付け面
   の中央部に配置された前記基板側端子より高く形成され
   た前記中央部の外側の前記基板側端子と、前記半導体装
   置の前記外部端子取り付け面の前記中央部の外側の前記
   突起状端子とを対応させて前記半導体装置と前記回路基
   板とを位置決めする工程と、 前記半導体装置に荷重を印加して、前記半導体装置の前
   記突起状端子を前記回路基板の前記基板側端子に押し付
   ける工程と、 前記半導体装置の前記突起状端子と前記検査装置の前記
   回路基板の前記基板側端子とを電気的に接続して前記半
   導体装置を電気的に検査する工程とを有することを特徴
   とする半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項６記載の半導体装置の製造方法で
   あって、複数の前記半導体装置を検査する際に、前記半
   導体装置それぞれの前記突起状端子に対応して複数の前
   記半導体装置を搭載可能に複数の前記基板側端子が設け
   られた前記回路基板を備え、それぞれの前記半導体装置
   の中央部の前記突起状端子に対する前記基板側端子の接
   触圧力より前記中央部の外側の前記突起状端子に対する
   前記基板側端子の接触圧力が大きくなるように形成され
   た前記検査装置を用いて複数の前記半導体装置を電気的
   に検査することを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項６または７記載の半導体装置の製
   造方法であって、前記半導体装置の中央部の前記突起状
   端子に接触する前記回路基板の前記基板側端子に対し
   て、前記中央部の外側の前記突起状端子に接触する前記
   基板側端子の高さを高くする突起部が前記弾性膜を支持
   するベース部材に設けられた前記検査装置を用いて前記
   半導体装置を電気的に検査することを特徴とする半導体
   装置の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項３，４，５，６，７または８記載
   の半導体装置の製造方法を用いて製造したことを特徴と
   する半導体装置。