JP3891728B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造技術に関し、特に外部端子をエリアアレイ配置とした半導体装置の外部端子の電気的接続性向上に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
以下に説明する技術は、本発明を研究、完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【０００３】
ＢＧＡ（Ball Grid Array)、ＣＳＰ（Chip Scale Package) またはベアチップなどのエリアアレイタイプの半導体装置の検査（例えば、バーンイン検査など）あるいは試験においては、シートコンタクト方式が検討され始めている。
【０００４】
このシートコンタクト方式は、前記半導体装置の外部端子に対応した位置に接触子である基板側端子が形成されたテープ状回路基板（回路基板）を用い、このテープ状回路基板を組み込んだソケット（検査装置）がテストボード（例えば、バーンインボードなど）に搭載され、このソケットに半導体装置をセットして検査を行う方式である。
【０００５】
その際、ソケット内では、半導体装置に荷重が印加され、これにより、半導体装置をテープ状回路基板に押し付けてテープ状回路基板と半導体装置との電気的接続が行われる。
【０００６】
この方法では、半導体装置の外部端子と基板側端子（接触子）との間の押圧力を均一化するためにテープ状回路基板の下側に弾性膜を配置することもある。
【０００７】
なお、半導体チップを電気的検査する際の半導体チップの表面電極とプローブ端子との電気的接続を向上させる技術が、例えば、特開平９−１１５９７１号公報に記載されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前記した技術のシートコンタクト方式では、外部端子の数が増えると電気的な接続が取れない端子が発生することが判明した。これを改善する１つの方法として押圧力増加が考えられ、これにより、接続不良については多少は改善されるが、押圧力を増加すると、押圧機構が大形になるという問題が発生する。
【０００９】
また、押圧力増加により半導体装置の外部端子の変形が顕著に増え、その結果、半導体装置へのダメージ（損傷）が増加するという問題が起こる。
【００１０】
ここで、外部端子が増えた際に電気的接続不良が発生する原因（発明者による検討結果）について説明する。
【００１１】
まず、基板側端子との間で接触の取れない外部端子を調べると、外部端子と基板側端子（接触子）間の位置ずれや外部端子の汚染・変形などがある。しかし、これらを除くと、半導体装置の中央部の外部端子よりは外側に配置された端子、特に外側から２列目の外部端子に接触が取れなくなるものが発生し易いことが分かった。この現象は、外部端子の数に依存せず、また外部端子の取り付けピッチにもほとんど依存しないことも実験で判明した。
【００１２】
この原因を究明してみると、シートコンタクト方式では、外側から２列目の部分に掛かる圧力が他に比べて極めて低くなること、および中央近傍では逆に圧力が高くなることが判明した。この圧力低下部分と接触のとりずらい部分はほぼ一致した。
【００１３】
この実験で判明した特異な現象については、次の様に解釈している。すなわち、半導体装置を押し込むと、基板側端子が形成されたテープ状回路基板では大きな変形を強制される最外周端子に最も高い圧力が掛かるが、それより内側の端子での圧力は低くほぼ同レベルとなる。
【００１４】
これに対して、弾性膜では弾性膜自体が変形しにくい中央部分は一定変位に対して発生する圧力が高く、外周に向かうほど弾性膜の拘束性は低下するため圧力は低下すると推定している。このテープ回路と弾性膜の応力の合成で、結果として半導体装置の外側から２列目の部分に掛かる圧力が他に比べて極めて低くなり、また、逆に中央部では圧力が高くなるものと推定している。
【００１５】
本発明の目的は、ダメージを与えずに信頼度の高い電気的接続を行うことを可能にする半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１６】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１８】
すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置の外部端子である突起状端子に対応する複数の基板側端子が分散配置された回路基板と、基板側端子取り付け面の反対の面側に配置された弾性膜とを備える検査装置を用いたものであって、複数の前記突起状端子が外部端子取り付け面に分散配置されて設けられた前記半導体装置を準備し、前記検査装置において、前記回路基板の前記基板側端子取り付け面に配置された外側１列目の前記基板側端子より高く形成された外側２列目の前記基板側端子と、前記半導体装置の前記外部端子取り付け面の外側２列目の前記突起状端子とを対応させて前記半導体装置と前記回路基板とを位置決めする工程と、前記半導体装置に荷重を印加して、前記半導体装置の前記突起状端子を前記回路基板の前記基板側端子に押し付ける工程と、前記半導体装置の前記突起状端子と前記検査装置の前記回路基板の前記基板側端子とを電気的に接続して前記半導体装置を電気的に検査する工程とを有するものである。
【００１９】
これにより、外側２列目の突起状端子と基板側端子間に掛かる圧力を外側２列目の突起状端子の高さが高くない場合と比較して高くすることができ、その結果、検査時の半導体装置の外側２列目の突起状端子と基板側端子との接触を確実に行うことができる。
【００２０】
したがって、検査時の半導体装置の突起状端子と回路基板の基板側端子との接触信頼性を向上でき、これにより、半導体装置にダメージを与えずに信頼度の高い電気的接続を行うことができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２３】
（実施の形態１)
図１は本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ）は底面図、図２は図３に示す本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＢ−Ｂ断面の構造の一例を示す断面図、図３は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部の構造の一例を示す平面図、図４は図１に示す半導体装置における外部端子位置と端子変形量の関係の一例を示す計測結果図、図５は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【００２４】
図１に示す本実施の形態１の半導体装置は、外部端子であるはんだボール２（突起状端子）をエリアアレイ状に配置したフリップチップ３である。
【００２５】
すなわち、フリップチップ３は、半導体集積回路が形成された半導体チップ１と、はんだボール取り付け面（外部端子取り付け面）１ａに分散配置されて取り付けられた複数の外部端子であるはんだボール２（突起状端子）とからなり、本実施の形態１では、その一例として、図１（ｂ）に示すように、２５６個のはんだボール２がはんだボール取り付け面１ａに格子状配列で取り付けられている場合であり、さらに、図１（ａ）に示すように、これらはんだボール２のうち外側１列目のはんだボール２と比べて外側２列目はんだボール２ａが高く設けられている。
【００２６】
つまり、外側２列目はんだボール２ａをそれ以外のはんだボール２と比べて、エリアアレイ状端子形成面であるはんだボール取り付け面１ａに対して垂直方向に突出させたものである。
【００２７】
したがって、本実施の形態１のフリップチップ３では、５２個の外側２列目はんだボール２ａがそれ以外のはんだボール２よりボール径が大きく形成されている。
【００２８】
ここで、半導体チップ１は、その大きさが、例えば、９ｍｍ角であり、表面であるはんだボール取り付け面１ａには0.５ｍｍピッチで、かつ１６行×１６列の正方格子状の配置ではんだボール２が取り付けられている。
【００２９】
なお、はんだボール２が形成されるパット径は0.３ｍｍであり、パッド総数は２５６個である。はんだボール２は、パッド表面上に共晶はんだを印刷法で形成した。
【００３０】
その際、外側２列目はんだボール２ａとそれ以外のはんだボール２とのボール径の差は、数十μｍ程度であるが、本実施の形態１では、５２個の外側２列目はんだボール２ａの高さ（ボール径）が平均１６０μｍであり、それ以外のはんだボール２の高さが平均１４５μｍである。
【００３１】
なお、外側２列目はんだボール２ａのみを高く形成する方法としては、はんだを印刷する際のスクリーンマスクの開口を外側２列目の部分のみ広くし、その部分でのはんだ供給量を多くする方法を用いて形成した。
【００３２】
次に、本実施の形態１の半導体装置の製造方法に用いる検査装置（図５参照）の構造について図１、図２、図３および図５を用いて説明する。
【００３３】
前記検査装置は、フリップチップ３を収容可能なソケット４であり、例えば、半導体装置のバーンイン検査などにおいて、シートコンタクト方式でフリップチップ３を検査する際に用いるものである。
【００３４】
したがって、0.５ｍｍピッチで１６行×１６列の正方格子状配置で合計２５６個のピン部材４ｆを備えたものであり、このピン部材４ｆがテストボード５に取り付けられてソケット４とテストボード５との電気的接続が行われる。
【００３５】
図５に示すように、ソケット４は、フリップチップ３が配置されるソケット本体４ａと、フリップチップ３に荷重を印加する蓋部材４ｂとからなり、この蓋部材４ｂには、蓋部材４ｂを閉じた際に蓋部材４ｂをソケット本体４ａにロックするフック部材４ｅや、フリップチップ３に荷重を掛けるバネ部材４ｃおよび押圧子４ｄなどが設けられている。
【００３６】
一方、ソケット本体４ａ側には、検査時にフリップチップ３とシートコンタクトを行うためのテープ状回路基板（回路基板）４ｇと、これの裏面側に配置された弾性膜４ｊと、弾性膜４ｊを支持するベース部材４ｋとが設けられている。
【００３７】
さらに、テープ状回路基板４ｇの表面（フリップチップ３を支持する側の面）には、図３に示すように、フリップチップ３のはんだボール２に対応して格子状配列で形成された複数の基板側端子４ｈと、この基板側端子４ｈおよび外部と電気的に接続される測定用接続端子４ｉとが設けられている。
【００３８】
なお、テープ状回路基板４ｇは、例えば、膜厚２５μｍのポリイミドフィルムによって形成され、その表面には、0.５ｍｍピッチで、かつ１６行×１６列の正方格子状に直径0.３ｍｍの接触子である基板側端子４ｈが形成されている。各基板側端子４ｈは、テープ状回路基板４ｇの外周部に形成された測定用接続端子４ｉとテープ上の配線によって電気的に接続されている。
【００３９】
また、弾性膜４ｊは、例えば、シリコーンゴムなどによって形成される厚さ0.５ｍｍ程度の緩衝部材であり、フリップチップ３に荷重が掛かった際のフリップチップ３のはんだボール２のダメージを緩和させるものである。
【００４０】
なお、図２に示すように、ベース部材４ｋは、テープ状回路基板４ｇとこれの裏面側に配置された弾性膜４ｊとを支持している。
【００４１】
次に、本実施の形態１の半導体装置の製造方法について説明する。
【００４２】
前記半導体装置の製造方法は、半導体製造工程において、ソケット４を用いてフリップチップ３を電気的に検査するものである。
【００４３】
つまり、図１に示すフリップチップ３（半導体装置）を図２、図３および図５に示すソケット４（検査装置）に入れて所望の電気的検査（例えば、バーンイン検査など）を行うものである。
【００４４】
まず、フリップチップ３をソケット４のソケット本体４ａに入れる。
【００４５】
この際、例えば、フリップチップ３の外周部とソケット本体４ａの内周部とによってフリップチップ３とテープ状回路基板４ｇとの位置決めが行われ、これにより、フリップチップ３の各はんだボール２とこれに対応するテープ状回路基板４ｇの各基板側端子４ｈとが対向して配置される。
【００４６】
その後、ソケット４の蓋部材４ｂを閉じてフック部材４ｅによりソケット本体４ａとの間でフック部材４ｅをロックすると、蓋部材４ｂに取り付けられたバネ部材４ｃのバネ力により押圧子４ｄがフリップチップ３を押圧する。その際、フリップチップ３は、例えば、押圧子４ｄによって総圧６ｋｇｆで押され、これにより、フリップチップ３の各はんだボール２とこれに対応する基板側端子４ｈとが接触する。
【００４７】
この状態で、ソケット４を介して所定の電流・電圧をフリップチップ３に印加し、これにより、フリップチップ３の電気的特性などを検査する。
【００４８】
次に、前記製造方法すなわち検査方法に基づいて検査した結果について説明する。
【００４９】
前記検査方法を用いて実施した導通検査は、１つのフリップチップ３を１０回ソケット４に入れ、その都度、全てのはんだボール２と全ての基板側端子４ｈとの導通をチェックするものであり、これを１００個のフリップチップ３を使用して評価した。合計１０００回のチェックに対して、１０００回とも全はんだボール２（全端子）の導通を確認することができた。
【００５０】
なお、本実施の形態１に対する比較例として、はんだボール２の高さを全て平均１４５μｍとした図１と同外形、同ピンの試料１００個を用いて、上記と同様の検査を実施した。その結果、１ピン以上導通がとれない回数が１０００回中６９回発生した。
【００５１】
以上のことにより、エリアアレイタイプの半導体装置（フリップチップ３）の外側２列目はんだボール２ａを高くすることが効果の高いことが分かる。
【００５２】
すなわち、フリップチップ３のはんだボール２のうち外側２列目はんだボール２ａがそれ以外のはんだボール２より高く設けられていることにより、外側２列目はんだボール２ａと基板側端子４ｈ間に掛かる圧力を外側２列目はんだボール２ａの高さが高くない場合と比較して高くすることができる。
【００５３】
これは、外側２列目はんだボール２ａの高さを高くしたことにより、これに対応する弾性膜４ｊの変形率が増加するためである。
【００５４】
これにより、フリップチップ３の検査時にフリップチップ３のはんだボール２とシートコンタクト方式におけるテープ状回路基板４ｇの基板側端子４ｈ間の応力を均一にすることができ、その結果、フリップチップ３への押圧荷重を増加させることなくはんだボール２と基板側端子４ｈとの接触信頼性を確保できる。
【００５５】
したがって、検査時のフリップチップ３の外側２列目はんだボール２ａと基板側端子４ｈとの接触を確実に行うことができるため、これにより、検査時の接触信頼性を向上できる。
【００５６】
その結果、フリップチップ３（半導体装置）にダメージを与えずに信頼度の高い電気的接続を行うことができる。
【００５７】
また、検査や試験時に応力を均一にしてフリップチップ３のはんだボール２を押すことになるため、フリップチップ３の複数のはんだボール２の変形をほぼ同一にすることができ、かつ、はんだボール２の高さを同一にできる。
【００５８】
したがって、フリップチップ３を、例えば、はんだ接続によって実装基板などに実装する場合においても、前記実装基板の実装面の端子実装時の未接続の発生を防止できる。
【００５９】
ここで、図５に示すソケット４（検査装置）を用いた導通検査後のフリップチップ３の外側１列目から８列目までのはんだボール２の変形量の測定値を図４のＣ線に示す。
【００６０】
また、はんだボール２の高さを全て平均１４５μｍとした図１と同外形、同ピンの比較例の通常フリップチップでのはんだボール２の変形量の測定値を図４のＤ線に示す。
【００６１】
図４に示すように、はんだボール２の高さを全て１４５μｍとした場合には、外側２列目はんだボール２ａの変形が少ないことが分かる。このことから、前記通常フリップチップのように、はんだボール２の高さが全て同一の半導体装置の場合には、外側から２列目のはんだボール２に掛かる圧力が低いことが予想され、このことが前記比較例のように接触の確実性を低くする原因であると推定できる。
【００６２】
（実施の形態２）
前記実施の形態１では、外部端子である突起状端子をエリアアレイ状に配置したフリップチップ３の外側２列目のみのはんだボール２ａを他のものと比べて高くする場合について説明したが、本実施の形態２では、実施の形態１と同様に２５６ピンのフリップチップ３（半導体装置）において、外側１列目から４列目までの合計１９２個のはんだボール２（突起状端子）の高さを１６０μｍとし、それ以外の６４個のはんだボール２の高さを１４５μｍとする場合を説明する。
【００６３】
すなわち、はんだボール２のうち中央部の端子と比べてその外側の端子が高く設けられているものである。
【００６４】
ここで、本実施の形態２におけるフリップチップ３の前記中央部のはんだボール２とは、それぞれ外側５列目から内側に配置された８行×８列の６４個のことであり、この６４個のはんだボール２が高さ１４５μｍである。
【００６５】
なお、外側１列目から４列目までのはんだボール２の高さを高くする上では、実施の形態１と同様に、その部分でのはんだクリーム印刷時のスクリーンマスクの開口面積を広くした。このフリップチップ３を図２、図３に示す検査装置（図５に示すソケット４のこと）を用いて同様の導通検査を実施した。ここでは、各フリップチップ３を１０回ずつ検査し、総数２００回のチェックを実施した。その結果、１ピンでも導通が得られないものは発生しなかった。
【００６６】
この検査後に、フリップチップ３の外部端子であるはんだボール２の変形量を列ごとに測定し、この平均値を取ると図４に示すＥ線となった。外部端子であるはんだボール２の高さを１４５μｍと同一高さにした図４のＤ線の場合と比較すると、外側２列目におけるはんだボール２ａの変形が増加し、逆に中央部近傍に対応する４列目から８列目でのはんだボール２の変形は低減していることが分かる。
【００６７】
このことにより、外側２列目はんだボール２ａに掛かる圧力が増加し、また、中央部近傍のはんだボール２に掛かる圧力が減少しているため、結果的にはんだボール２に掛かる圧力が均一化されていることが推定される。
【００６８】
これにより、同一圧力でフリップチップ３を押圧した際、中央部の外側のはんだボール２には高い圧力が掛かることとなる。
【００６９】
したがって、本実施の形態２におけるフリップチップ３は、全てのはんだボール２を同一高さにした場合と比較して、はんだボール２の基板側端子４ｈに対しての接触の確実性を向上できる。
【００７０】
本実施の形態２の半導体装置の製造方法すなわち検査装置によれば、フリップチップ３のはんだボール２のうち中央部のはんだボール２と比べてその外側のはんだボール２が高く設けられていることにより、中央部におけるはんだボール２と基板側端子４ｈ間に掛かる圧力を中央部の外側のはんだボール２の高さが高くない場合と比較して低くすることができる。
【００７１】
これにより、フリップチップ３に一定圧力を印加すると、中央部外側の圧力の低い外側２列目付近のはんだボール２と基板側端子４ｈ間に掛かる圧力を高くすることができ、その結果、外側２列目の接触信頼性を向上できる。
【００７２】
（実施の形態３)
図６は本発明の実施の形態３の半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は（ｂ）のＧ−Ｇ断面を示す断面図、（ｂ）は底面図である。
【００７３】
前記実施の形態２では、外部端子をエリアアレイ状に配置した２５６ピンのフリップチップ３において外側１列目から４列目までの合計１９２個のはんだボール２（外部端子）の高さをそれ以外のものより高くする場合を説明したが、本実施の形態３では、実施の形態２と同様に２５６ピンのフリップチップ３（半導体装置）において、図６（ａ),（ｂ）に示すように、外側２列目から４列目までの合計１３２個のはんだボール２（外部端子）すなわち外側２〜４列目はんだボール２ｂの高さを１６０μｍとし、それ以外の１２４個のはんだボール２の高さを１４５μｍとする場合を説明する。
【００７４】
すなわち、本実施の形態３のフリップチップ３においても、はんだボール２のうち中央部の端子と比べてその外側の端子が高く設けられているものである。
【００７５】
ただし、外側１列目のはんだボール２は、１４５μｍで形成されている。
【００７６】
なお、本実施の形態３においても、フリップチップ３の前記中央部のはんだボール２とは、実施の形態２と同様に、それぞれ外側５列目から内側に配置された８行×８列の６４個のことである。
【００７７】
また、実施の形態２と同様の方法により、図２、図３に示す検査装置（図５に示すソケット４のこと）を用いて図６に示すフリップチップ３を８０個導通検査した。その際、各フリップチップ３を１０回ずつ検査し、総数８００回のチェックを実施した。その結果、１ピンでも導通が得られないものの発生はゼロであった。
【００７８】
この検査後のフリップチップ３の外部端子であるはんだボール２の変形量を列ごとに測定し、その平均値を取ったものを図４のＦ線に示す。
【００７９】
これによれば、はんだボール２において１列目から４列目までを高くしたＥ線と比較して、外側２列目のはんだボール２の変形が増加しているため、実施の形態２の場合（Ｅ線）よりさらに応力改善がされていると判断できる。
【００８０】
（実施の形態４）
図７は本発明の実施の形態４の半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は（ｂ）のＨ−Ｈ断面を示す断面図、（ｂ）は底面図である。
【００８１】
前記実施の形態１では、外部端子である突起状端子がはんだボール２で、かつ２５６ピンのフリップチップ３の場合について説明した。
【００８２】
これに対し、本実施の形態４の半導体装置は、端子数２２５ピンの7.５ｍｍ角のＬＳＩ（Large Scale Integration)ベアチップ７であり、２２５個の突起状端子が１５行×１５列の格子状に配置されているものである。
【００８３】
この突起状端子の設置ピッチは、例えば、0.４５ｍｍであり、前記突起状端子は0.２ｍｍ角のパッド端子６である。このパッド端子６の表面には金めっきが施されており、外側２列目の４８個のパッド端子６（以降、外側２列目パッド端子６ａという）は高さが３μｍであり、また、他の１７７個は0.３μｍである。
【００８４】
このＬＳＩベアチップ７を図２、図３に示す検査装置（図５に示すソケット４のこと）と同様の検査装置を用いて検査した。その際、テープ状回路基板４ｇは0.４５ｍｍピッチで、１５行×１５列の２２５個の接触子である基板側端子４ｈが形成されたものを用いた。
【００８５】
なお、図７（ａ),（ｂ）に示す外側２列目パッド端子６ａ以外の高さの低いパッド端子６と基板側端子４ｈとの導通を確実に行うために、本実施の形態４の各基板側端子４ｈの表面には、直径約0.１ｍｍで、かつ高さ２５μｍの突起をめっきによって形成した。
【００８６】
また、導通チェックでは押圧子４ｄに印加する総荷重を3.５ｋｇｆとし、１つのＬＳＩベアチップ７を１０回前記検査装置に入れ、その都度全てのパッド端子６と基板側端子４ｈ間の導通をチェックした。これを１００個のＬＳＩベアチップ７を使用して評価した。その結果、合計１０００回のチェックに対して、１０００回とも全てのパッド端子６の導通を確認することができた。
【００８７】
また、図７に示すＬＳＩベアチップ７に対して、全てのパッド端子６の高さを0.３μｍと均一にした場合の試料も２０個作製した。これを前記同様の導通チェックを実施したところ、２００回の検査に対して８回は１ピン以上での未接続が発生した。
【００８８】
これにより、本実施の形態４のようなパッド端子６についても外側２列目の端子を高くすることにより、検査における接触（電気的接続）の確実性を向上できる。
【００８９】
（実施の形態５）
図８は本発明の実施の形態５の半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は（ｂ）のＩ−Ｉ断面を示す断面図、（ｂ）は底面図である。
【００９０】
本実施の形態５の半導体装置は、総端子数２２１ピンの金バンプ付き端子８（突起状端子）を有する9.２ｍｍ角のＬＳＩベアチップ７である。
【００９１】
このＬＳＩベアチップ７の外部端子である金バンプ付き端子８は、アルミニウム（Ａｌ）の表面電極（電極パッド）上にワイヤバンピングによって形成されたＡｕバンプである。
【００９２】
なお、その際の端子配置は、千鳥配置（面心配置ともいう）になっている。すなわち、0.７０７ｍｍピッチの１１行×１１列の正方格子状の端子配列の面心位置に0.７０７ｍｍピッチで１０行×１０列の正方格子状端子が重なった構成になっており、金バンプ付き端子８の最小ピッチは0.５ｍｍである。
【００９３】
また、金バンプ付き端子８の高さは、外側２列目の３６個の金バンプ付き端子８（以降、外側２列目バンプ端子８ａという）では４２μｍ、外側２列目バンプ端子８ａ以外の他の１８５個の端子では３５μｍになっている。なお、金バンプ高さの調節は、ワイヤバンピング後のボンダーヘッドでのバンプ平坦化工程時に実施した。
【００９４】
このＬＳＩベアチップ７を図２、図３に示す検査装置（図５に示すソケット４のこと）と同様の検査装置を用いて検査した。その際に用いたテープ状回路基板４ｇは、ＬＳＩベアチップ７の千鳥配置の金バンプ付き端子８に対応した位置に２２１個の接触子である基板側端子４ｈが形成されているものである。
【００９５】
また、導通チェックでは印加する総荷重を１ｋｇｆとし、１つのＬＳＩベアチップ７を１０回前記検査装置に入れ、その都度導通をチェックした。なお、荷重を１ｋｇｆと低く設定したのは、荷重による金バンプ形状変形を防止するためである。これを１００個のＬＳＩベアチップ７を使用して評価した。
【００９６】
その結果、合計１０００回のチェックに対して、１０００回とも全ピンの導通を確認することができた。
【００９７】
また、図８に示すＬＳＩベアチップ７の金バンプ付き端子８の高さを全て約３５μｍと均一にした場合の試料も２０個作製した。これを前記同様の導通チェックを実施したところ、検査２００回のうち１９回は１ピン以上の端子の導通を確保することができなかった。
【００９８】
（実施の形態６）
図９は本発明の実施の形態６の半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は側面図、（ｂ）は底面図である。
【００９９】
本実施の形態６の半導体装置は、１１９個の外部端子である突起状端子を有する外形１４ｍｍ×２２ｍｍのＢＧＡ９であり、ＢＧＡ基板９ａの表面のチップ側には樹脂モールド１０が形成され、一方、その反対側の裏面には、前記突起状端子として、1.２７ｍｍピッチの７行×１７列正方格子配置の共晶のはんだボール２が形成されている。
【０１００】
本実施の形態６のＢＧＡ９では、短辺の外側２列目および外側３列目のはんだボール２（以降、外側２，３列目はんだボール２ｃという）、かつ長辺の外側２列目はんだボール２ａの合計４２個のみをボール径0.８ｍｍとし、その他（短辺の外側２，３列目はんだボール２ｃおよび長辺の外側２列目はんだボール２ａ以外）の７７個の端子はボール径0.７５ｍｍを適用した。
【０１０１】
なお、はんだボール径0.８ｍｍを用いた部分の端子高さは平均で0.６２ｍｍ、0.７５ｍｍの径のはんだボール２を用いた部分の端子の平均高さは0.６０ｍｍであった。
【０１０２】
このＢＧＡ９を図２、図３に示す検査装置（図５に示すソケット４のこと）と同様の検査装置を用いて検査した。その際、使用したテープ状回路基板４ｇは、ＢＧＡ９の1.２７ｍｍピッチに対応し、かつ７行×１７列正方格子配置の１１９個の接触子である基板側端子４ｈが形成されたものである。
【０１０３】
また、導通チェックでは印加する総荷重を1.５ｋｇｆとし、１つのＢＧＡ９を１０回前記検査装置に入れ、その都度導通をチェックした。これを１００個のＢＧＡ９を使用して評価した。
【０１０４】
その結果、合計１０００回のチェックに対して、１０００回とも全ピンの導通を確認することができた。
【０１０５】
また、図９に示すＢＧＡ９のはんだボール２に0.７５ｍｍの径の共晶のはんだボール２を用い、全ての端子高さを0.６０ｍｍと均一にした通常ＢＧＡも１００個作製した。この通常ＢＧＡを前記同様の導通チェックを実施したところ、検査１０００回に対して７回は１ピン以上の端子の導通を確保することができなかった。
【０１０６】
（実施の形態７）
図１０は図１１に示す本発明の実施の形態７の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＪ−Ｊ断面の構造の一例を示す断面図、図１１は図１０に示すテープ状回路基板の構造を示す平面図である。
【０１０７】
なお、前記実施の形態１〜６は、半導体装置の外部端子の高さをその設置箇所に応じて変えたものであったが、本実施の形態７では、前記半導体装置の外部端子の高さを均一にして検査を行うその方法と検査装置の構造とを説明する。
【０１０８】
図１０および図１１は、図５に示すソケット４の要部（図２、図３に示す要部）の構造の変形例を示すものである。
【０１０９】
ここで、本実施の形態７の検査装置の要部における実施の形態１の図２、図３に示す検査装置の要部との相違点は、テープ状回路基板４ｇ（回路基板）における基板側端子取り付け面４ｌに配置された基板側端子４ｈのうち、外側２列目基板側端子４ｍが、外側１列目を含むその他の基板側端子４ｈより１０μｍ高く形成されていることである。
【０１１０】
なお、外側２列目基板側端子４ｍを他の基板側端子４ｈより１０μｍ高くするには、外側２列目基板側端子４ｍの表面を銅めっきで２５μｍ高く形成しておき、その後、外側２列目以外の基板側端子４ｈの表面をエッチングで１５μｍまで低くする。その際、外側２列目を含む全ての基板側端子４ｈの表面には金めっきを施し、その他の構成は図２、図３のものと同一にしている。
【０１１１】
図１１に示すテープ状回路基板４ｇが設けられた検査装置（図５に示すソケット４）を用いて導通検査を実施した。検査した半導体装置は、図１に示すフリップチップ３とほぼ同様の９ｍｍ角のものであり、その表面であるはんだボール取り付け面１ａに0.５ｍｍピッチで外部端子である２５６個の突起状端子を正方格子状に配置したフリップチップ１１（図１０参照）である。
【０１１２】
ただし、図１０に示すフリップチップ１１は、全てのはんだボール２が高さ１４５μｍで形成されている。
【０１１３】
したがって、フリップチップ１１は、総端子数２５６ピンで、それぞれの共晶ボール径が0.３ｍｍのものである。
【０１１４】
なお、図１０、図１１に示す検査装置を用いた検査方法すなわち半導体装置の製造方法は、実施の形態１で説明したものと同様である。
【０１１５】
ここで、このフリップチップ１１は、実施の形態１で説明したように、それら１００個を用いて、図２、図３に示す検査装置の要部を用いてその接触性を評価した際、１ピン以上導通がとれない回数が１０００回中６９回発生したものである。
【０１１６】
しかし、図１０、図１１に示す要部を有した検査装置を用い、かつフリップチップ１１を１００個を用いて各１０回、計１０００回の検査を実施した結果、全てにおいて全ピンの接触（電気的接続）を確認することができた。
【０１１７】
本実施の形態７の半導体装置の製造方法すなわち検査装置によれば、テープ状回路基板４ｇの外側１列目の基板側端子４ｈより外側２列目基板側端子４ｍが高く形成されていることにより、フリップチップ１１の外側２列目のはんだボール２を高く設けた場合と同様に、外側２列目のはんだボール２と基板側端子４ｈ間に掛かる圧力を高くすることができる。
【０１１８】
その結果、検査時のフリップチップ１１の外側２列目のはんだボール２と基板側端子４ｈとの接触（電気的接続）を確実に行うことができる。
【０１１９】
（実施の形態８）
図１２は図１３に示す本発明の実施の形態８の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＫ−Ｋ断面の構造の一例を示す断面図、図１３は図１２に示すテープ状回路基板の構造を示す平面図である。
【０１２０】
本実施の形態８は、実施の形態７と同様にテープ状回路基板４ｇの基板側端子４ｈの高さを変えたものである。本実施の形態８では、１３２個ある外側２〜４列目基板側端子４ｎを１２４個あるそれ以外の他の基板側端子４ｈより１０μｍ高くしたものである。
【０１２１】
すなわち、図１３に示すように、テープ状回路基板４ｇ（回路基板）の基板側端子取り付け面４ｌの中央部に配置された８行×８列の基板側端子４ｈ（外側５列目から内側に配置された６４個の基板側端子４ｈ）よりその外側に配置された基板側端子４ｈすなわち外側２〜４列目基板側端子４ｎの高さを１０μｍ高く形成したものである。
【０１２２】
なお、基板側端子４ｈを高くする方法は、前記実施の形態７の方法と同じくエッチングである。
【０１２３】
このテープ状回路基板４ｇを用いて、シートコンタクト方式で、前記実施の形態７と同様にはんだボール２の高さが均一で平均高さ１４５μｍの２５６ピンのフリップチップ１１を用いて検査を実施した。
【０１２４】
その結果、実施の形態７と同様に、フリップチップ１１を１００個用いて各１０回、計１０００回の検査を実施したが、全てにおいて、全ピンの接触（電気的接続）を確認することができた。
【０１２５】
本実施の形態８の半導体装置の製造方法すなわち検査装置によれば、テープ状回路基板４ｇの中央部に配置された基板側端子４ｈよりその外側の基板側端子４ｈが高く形成されていることにより、中央部外側の圧力の低い外側２列目付近のはんだボール２と基板側端子４ｈ間に掛かる圧力を高くすることができる。
【０１２６】
その結果、外側２列目の接触信頼性（電気的接続の信頼性）を向上できる。
【０１２７】
（実施の形態９)
図１４は本発明の実施の形態９の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部の構造の一例を示す図であり、（ａ）はテープ状回路基板の平面図、（ｂ）は（ａ）のＬ−Ｌ断面を示す断面図、図１５は図１４に示すテープ状回路基板の構造を示す底面図である。
【０１２８】
図１４および図１５に示す検査装置の要部は、0.５ｍｍピッチの１０行×１０列の正方格子状配列で、かつ１００ピン端子を持つ半導体装置用のシートコンタクト方式の検査装置の要部である。
【０１２９】
この検査装置に設けられたテープ状回路基板４ｇの基板側端子取り付け面４ｌに形成した円形の接触子である基板側端子４ｈの直径は0.３ｍｍであり、各基板側端子４ｈは、テープ状回路基板４ｇの外周部に形成された測定用接続端子４ｉと電気的に接続されている。
【０１３０】
また、この厚さ５０μｍのポリイミド製テープの裏面には、0.３ｍｍ角で高さ１５μｍの２８個の四角形の突起部１２が形成されている。これらの突起部１２の設置箇所は、テープ状回路基板４ｇの基板側端子４ｈのうち、外側２列目基板側端子４ｍの裏面である。
【０１３１】
なお、この突起部１２は、感光性樹脂を用いて、フォトリソグラフィ技術によって形成されたものである。
【０１３２】
さらに、このテープ状回路基板４ｇを用いて、図２、図３の要部を有する図５に示すソケット４（検査装置）と同様のシートコンタクト方式の検査装置を組み立てた。その際使用した弾性膜４ｊは厚さ0.５ｍｍのゴム製（例えば、シリコーンゴムなど）で、また、この弾性膜４ｊを支持する台であるベース部材４ｋは強化プラスチック製（例えば、ウルテムなど）である。
【０１３３】
この図１４および図１５に示す検査装置に、5.５ｍｍ角で、かつ0.５ｍｍピッチの１０行×１０列で１００ピン端子を持つＣＳＰ１３を総荷重1.５ｋｇｆで押し付けてコンタクト性（接触性）を評価した。このＣＳＰ１３のはんだボール２の高さは約0.２４ｍｍと均一であり、その直径が0.３０ｍｍの共晶のはんだボール２である。
【０１３４】
このＣＳＰ１３を１００個を用い、各１０回導通検査を実施した結果、合計１０００回の検査の全てにおいて、全ピンの接触（電気的接続）を確認することができた。
【０１３５】
また、ＣＳＰ１３を１００個用い、テープ状回路基板４ｇの裏面の突起部１２を未形成の検査装置によってＣＳＰ１３を導通検査したところ、１０００回のうち４９回未接触部の発生があった。これらのことにより、図１４および図１５に示す要部を有した検査装置を用いることにより、ＣＳＰ１３のはんだボール２の接触性（電気的接続性）を向上できる。
【０１３６】
（実施の形態１０）
図１６は本発明の実施の形態１０の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部の構造の一例を示す図であり、（ａ）はテープ状回路基板の平面図、（ｂ）は（ａ）のＭ−Ｍ断面を示す断面図、図１７は図１６に示すテープ状回路基板の構造を示す底面図である。
【０１３７】
図１６および図１７に示す検査装置の要部は、実施の形態９で説明した検査装置の要部におけるテープ状回路基板４ｇの裏面に設けられる突起部１２の数を増やしたものである。
【０１３８】
すなわち、テープ状回路基板４ｇの基板側端子４ｈのうち、外側２列目に加えて外側３列目の基板側端子４ｈの裏面側に突起部１２を設けたものであり、その際、外側２列目の基板側端子４ｈの裏面と同じく0.３ｍｍ角で、かつ高さ１５μｍの突起部１２を追加した。したがって、突起部１２は総数４８個であるとともに、突起部１２の形成方法は、実施の形態９と同じく感光性樹脂を用いて、フォトリソグラフィ技術によって形成した。
【０１３９】
このテープ状回路基板４ｇを用いて、実施の形態９と同様にシートコンタクト方式の検査装置を組み立てた。これに5.５ｍｍ角で、かつ0.５ｍｍピッチの１０行×１０列で１００ピン端子を持つＣＳＰ１３を用いてコンタクト性を評価した。
【０１４０】
このＣＳＰ１３を１００個用いて各１０回導通検査の結果、合計１０００回の検査を実施したが、全てにおいて、全ピンの接触（電気的接続）を確認することができた。
【０１４１】
（実施の形態１１）
図１８は本発明の実施の形態１１の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部の構造の一例を示す図であり、（ａ）は（ｂ）のＮ−Ｎ断面を示す断面図、（ｂ）は（ａ）に示すテープ状回路基板の平面図である。
【０１４２】
本実施の形態１１における検査装置は、シートコンタクト方式を行うにあたり、図１６、図１７に示す前記実施の形態１０の検査装置のようにテープ状回路基板４ｇの裏面側に突起部１２を設けるのではなく、テープ状回路基板４ｇの裏面側に配置された弾性膜４ｊの裏面にテープ状回路基板４ｇの外側２列目基板側端子４ｍに対応させて図１８（ｂ）に示すように突起部１２を枠状に形成するものである。
【０１４３】
すなわち、本実施の形態１１の検査装置では、膜厚0.５ｍｍの弾性膜４ｊの裏面のＣＳＰ１３の外側２列目のはんだボール２と接触する基板側端子４ｈ（外側２列目基板側端子４ｍのこと）の下に相当する箇所に、高さ0.１ｍｍ、幅0.３ｍｍのポリイミド膜を接着させて突起部１２を形成した。
【０１４４】
この突起部１２が形成されたテープ状回路基板４ｇや弾性膜４ｊを用いて前記実施の形態１０と同様にシートコンタクト方式の検査装置を組み立てた。
【０１４５】
さらに、図１８に示す要部を有する検査装置を用い、5.５ｍｍ角の大きさで、かつ0.５ｍｍピッチの１０行×１０列で１００ピン端子を持つＣＳＰ１３を用いてコンタクト性を評価した。なお、ＣＳＰ１３の突起状端子であるはんだボール２の高さは約0.２４ｍｍで、かつ直径0.３０ｍｍの共晶のはんだボール２によって形成されたものである。このＣＳＰ１３を１００個を用いて各１０回導通検査を実施した。
【０１４６】
その結果、合計１０００回の検査を実施したが、全てにおいて全ピンの接触（電気的接続）を確認することができた。
【０１４７】
（実施の形態１２）
図１９は図２０に示す本発明の実施の形態１２の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＯ−Ｏ断面の構造の一例を示す断面図、図２０は図１９に示すテープ状回路基板の構造を示す平面図である。
【０１４８】
本実施の形態１２における検査装置は、シートコンタクト方式を行うにあたり、図１８に示す前記実施の形態１１の検査装置のように弾性膜４ｊの裏面に突起部１２を設けるのではなく、弾性膜４ｊをその裏面側で支持する台であるベース部材４ｋに突起部１２を枠状に形成するものである。
【０１４９】
そこで、図１９および図２０は、図２、図３に示す検査装置と同様の0.５ｍｍピッチで１６行×１６列の正方格子状配置で合計２５６ピンを有する半導体装置に対応した検査装置である。シートコンタクト方式におけるテープ状回路基板４ｇおよび弾性膜４ｊは、図２、図３に示す検査装置のものと同じものを適用した。
【０１５０】
したがって、本実施の形態１２の半導体装置の製造方法は、フリップチップ１１（半導体装置）の外側１列目のはんだボール２（突起状端子）に接触するテープ状回路基板４ｇの基板側端子４ｈに対して、外側２列目はんだボール２ａに接触する基板側端子４ｈの高さを高くする突起部１２が弾性膜４ｊを支持するベース部材４ｋに設けられた検査装置を用いてフリップチップ１１を電気的に検査するものである。
【０１５１】
つまり、ベース部材４ｋに形成された突起部１２は、フリップチップ１１のはんだボール２のうち外側２列目はんだボール２ａに接触する外側２列目基板側端子４ｍの下方に枠状に形成したものである。なお、この突起部１２は、例えば、高さ0.１ｍｍ、幅0.５ｍｍであり、ベース部材４ｋと同様の強化プラスチック（例えば、ウルテムなど）によってベース部材４ｋ製造時に切削で加工する。
【０１５２】
図１９、図２０に示す要部を有する検査装置に0.５ｍｍピッチで１６行×１６列の正方格子状配置で合計２５６ピンを有するフリップチップ１１を搭載し、この状態で検査を行った。このフリップチップ１１は、直径0.３ｍｍのＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の中高温鉛レスはんだボールを端子に形成したものであり、その際のはんだボール２の高さは平均0.２４ｍｍであった。また、押圧子４ｄには、総圧５ｋｇｆを掛けた。
【０１５３】
このフリップチップ１１を用いた導通検査では、１００個の試料を各１０回検査し、合計１０００回の検査で１０００回とも全ピンの導通を確認することができた。
【０１５４】
なお、比較のために、同じフリップチップ１１を用いて、図２、図３に示す検査装置で同様に１０００回の導通検査をしたところ、１ピン以上導通が取れなかったケースが８２回発生した。このことにより、図１９、図２０の要部を有した検査装置を用いた半導体装置の製造方法は、フリップチップ１１のはんだボール２とテープ状回路基板４ｇの基板側端子４ｈとの接触（電気的接続）を確実にする上で有効であることが分かる。
【０１５５】
（実施の形態１３）
図２１は図２２に示す本発明の実施の形態１３の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＰ−Ｐ断面の構造の一例を示す断面図、図２２は図２１に示すテープ状回路基板の構造を示す平面図である。
【０１５６】
本実施の形態１３の検査装置は、実施の形態１２の検査装置とほぼ同様のものであるが、ベース部材４ｋの突起部１２をフリップチップ１１の外側１列目から４列目までのはんだボール２に対応させ、テープ状回路基板４ｇの外側１列目から外側４列目までの基板側端子４ｈの下方に形成したものである。
【０１５７】
すなわち、本実施の形態１３の半導体装置の製造方法は、フリップチップ１１の中央部のはんだボール２（ここでは、外側５列目から内側の８×８＝６４個のはんだボール２）に接触するテープ状回路基板４ｇ（回路基板）の基板側端子４ｈに対して、前記中央部の外側のはんだボール２に接触する外側１〜４列目基板側端子４ｐの高さを高くする突起部１２が弾性膜４ｊを支持するベース部材４ｋに設けられた前記検査装置を用いてフリップチップ１１を電気的に検査するものである。
【０１５８】
この際の突起部１２は、高さ0.１ｍｍ、幅2.０ｍｍで、実施の形態１２と同様に強化プラスチックによって形成したものである。
【０１５９】
図２１、図２２に示す要部を有した検査装置に、実施の形態１２と同様に0.５ｍｍピッチで２５６ピンを有するフリップチップ１１を搭載して検査を行った。このフリップチップ１１を用いた導通検査では、１００個の試料を各１０回検査し、これにより、合計１０００回の検査で１０００回とも全ピンの導通を確認することができた。
【０１６０】
（実施の形態１４）
図２３は図２４に示す本発明の実施の形態１４の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＱ−Ｑ断面の構造の一例を示す断面図、図２４は図２３に示すテープ状回路基板の構造を示す平面図である。
【０１６１】
本実施の形態１４の検査装置は、前記実施の形態１３の検査装置とほぼ同様のものであるが、ベース部材４ｋに形成される突起部１４をフリップチップ１１の外側２〜４列目はんだボール２ｂに対応させ、テープ状回路基板４ｇの外側２〜４列目基板側端子４ｎの下方に形成したものである。
【０１６２】
なお、この際の突起部１４は、高さ0.１ｍｍ、幅1.５ｍｍで、前記実施の形態１３と同様に強化プラスチックによって形成したものである。
【０１６３】
図２３、図２４に示す要部を有した検査装置に、実施の形態１３と同様に0.５ｍｍピッチで２５６ピンを有するフリップチップ１１を搭載して検査を行った。このフリップチップ１１を用いた導通検査では、２００個の試料を各１０回検査し、これにより、合計２０００回の検査で２０００回とも全ピンの導通を確認することができた。
【０１６４】
（実施の形態１５）
図２５は図２６に示す本発明の実施の形態１５の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＳ−Ｓ断面の構造の一例を示す断面図、図２６は図２５に示すテープ状回路基板の構造を示す平面図である。
【０１６５】
本実施の形態１５は、検査装置のベース部材４ｋに２段構造の突起、すなわち突起部１２と突起部１４とを形成したものである。
【０１６６】
すなわち、フリップチップ１１の外側２〜４列目はんだボール２ｂに対応してベース部材４ｋに形成された突起部１４と、これの上に積層配置され、かつフリップチップ１１の外側２列目はんだボール２ａに対応して形成された突起部１２とが設けられているベース部材４ｋを用いるものである。
【０１６７】
なお、突起部１４の幅は、1.５ｍｍであり、かつ厚さは0.０５ｍｍである。
【０１６８】
さらに、突起部１２と突起部１４の材質は、例えば、前記実施の形態１６と同様の強化プラスチックである。
【０１６９】
この検査装置に実施の形態１４と同様に0.５ｍｍピッチで、かつ２５６ピンを有するフリップチップ１１を搭載して検査を行った。このフリップチップ１１を用いた導通検査では、２００個の試料を各１０回検査し、合計２０００回の検査で、２０００回とも全ピンの導通を確認することができた。
【０１７０】
（実施の形態１６）
図２７は図２８に示す本発明の実施の形態１６の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＲ−Ｒ断面の構造の一例を示す断面図、図２８は図２７に示すテープ状回路基板の構造を示す平面図である。
【０１７１】
本実施の形態１６の検査装置は、前記実施の形態１２の検査装置とほぼ同様のものであるが、検査装置のベース部材４ｋに形成する突起部１５を、その幅を前記実施の形態１２の突起部１２の幅の１／２程度にするとともに、この突起部１５を弾性膜４ｊのテープ状回路基板側の面に設けたものである。
【０１７２】
すなわち、図２７、図２８に示す要部を有する検査装置は、弾性膜４ｊのテープ状回路基板側の面にテープ状回路基板４ｇの基板側端子４ｈの外側１列目と２列目の間から２列目の中央付近に相当するところまで幅0.２５ｍｍ、高さ0.１ｍｍの突起部１５を形成したものである。
【０１７３】
この際の突起部１５の材質はポリイミドなどであり、それを接着材によって弾性膜４ｊのテープ状回路基板側の面に固定し、この弾性膜４ｊを備えた検査装置を用いて検査を実施した。
【０１７４】
なお、検査に用いたフリップチップ１１は、実施の形態１５と同様、0.５ｍｍピッチでＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだの２５６ピンとした。このフリップチップ１１を用いた導通検査では、１００個の試料を各１０回検査し、合計１０００回の検査で、１０００回とも全ピンの導通を確認することができた。
【０１７５】
（実施の形態１７）
図２９は図３０に示す本発明の実施の形態１７の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＴ−Ｔ断面の構造の一例を示す部分断面図、図３０は図２９に示すテープ状回路基板の構造を示す平面図と基板側端子を拡大して示す部分拡大平面図である。
【０１７６】
実施の形態１７に示す半導体装置の製造方法すなわち検査方法は、複数の半導体装置を同時に検査するものであり、図２９に示す半導体装置は、実施の形態９で説明した5.５ｍｍ角で、かつ0.５ｍｍピッチ１０行×１０列で１００ピン端子を有するＣＳＰ１３を４行×４列配置して計１６個を一体とした２２ｍｍ角の大形フリップチップ１６である。
【０１７７】
したがって、図２９、図３０に示す要部を有した検査装置は、この大形フリップチップ１６を検査する場合に使用するものである。
【０１７８】
また、前記検査装置は、複数のＣＳＰ１３を検査するうえで、それらのはんだボール２に接触させる複数の基板側端子４ｈが平面状に配置された回路面（基板側端子取り付け面４ｌ）を複数のＣＳＰ１３において共通して適用する場合に用いるものである。
【０１７９】
なお、大形フリップチップ１６の突起状端子であるはんだボール２は、総数１６００個であり、高さ約0.２４ｍｍで、かつ直径0.３０ｍｍの共晶はんだボールから形成されている。ここでは、この大形フリップチップ１６のコンタクト性を評価した。
【０１８０】
図２９、図３０に示す要部を有した検査装置は、１６個のＣＳＰ１３それぞれのはんだボール２に対応して１６個のＣＳＰ１３すなわち大形フリップチップ１６を搭載可能に１６００個の基板側端子４ｈが設けられたテープ状回路基板４ｇを備え、かつ最外周に配置されるＣＳＰ１３のそれぞれの外側１列目のはんだボール２に対する基板側端子４ｈの接触圧力より外側２列目のはんだボール２に対する基板側端子４ｈの接触圧力が大きくなるように形成されているものであり、本実施の形態１７ではこの検査装置を用いて大形フリップチップ１６（ここでは、１６個のＣＳＰ１３を一体に形成したもの）を電気的に検査する。
【０１８１】
なお、図２９、図３０に示す検査装置では、外側１列目より外側２列目はんだボール２ａへの基板側端子４ｈの接触圧力を大きくする手段として、ベース部材４ｋ上に突起部１２を設けている。
【０１８２】
この突起部１２は、各0.３ｍｍ角で、かつ４７２個あり、高さは全て0.１ｍｍである。突起部１２の形成位置は、各ＣＳＰ１３単位における外側２列目のはんだボール２に対応した位置と、これに加えて１６個のＣＳＰ１３を１つの半導体装置すなわち大形フリップチップ１６と見た場合のその外側２列目のはんだボール２に対応する位置とであり（図３０参照）、これらのはんだボール２に対応する接触子である基板側端子４ｈの直下のベース部材４ｋ上に４７２個の突起部１２が形成されている。
【０１８３】
なお、突起部１２は、強化プラスチック（例えば、ウルテムなど）を切削で形成したものである。
【０１８４】
この検査装置を用いて１０個の大形フリップチップ１６（ＣＳＰ１３に換算した場合１６０個の半導体装置）の導通検査を実施した。その際、押圧子４ｄを介して大形フリップチップ１６には総圧２５ｋｇｆを印加した。各大形フリップチップ１６を１０回ずつ検査した結果、１ピンでも未接触となるものは皆無であった。
【０１８５】
また、比較のために、同様の検査を突起部１２の設けられていない検査装置を用いて実施したところ、１００回の検査中、１６回において１ピン以上の未接続が発生した。このことにより、図２９、図３０に示す要部を備えた検査装置を用いた検査方法は、突起部１２を設けない検査装置を用いた検査方法と比較して、接触の信頼性を向上できることが分かる。
【０１８６】
なお、シートコンタクト方式においては、複数のＣＳＰ１３が集まって集合体となった際に、この集合体（大形フリップチップ１６）は、単一のＣＳＰ１３の場合と類似する挙動を示すことにより、本実施の形態１７の検査装置により、前記効果を生み出すことが可能になる。
【０１８７】
（実施の形態１８）
図３１は図３２に示す本発明の実施の形態１８の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＵ−Ｕ断面の構造の一例を示す部分断面図、図３２は図３１に示すテープ状回路基板の構造を示す平面図と基板側端子を拡大して示す部分拡大平面図である。
【０１８８】
本実施の形態１８の半導体装置の製造方法すなわち検査方法は、前記実施の形態１７と同様に複数の半導体装置を同時に検査するものであり、図３１に示す半導体装置は、前記実施の形態１７で説明した5.５ｍｍ角で、かつ0.５ｍｍピッチ１０行×１０列で１００ピン端子を有するＣＳＰ１３を４行×４列配置して計１６個を一体とした２２ｍｍ角の大形フリップチップ１６であり、図３１、図３２は、この大形フリップチップ１６を検査する場合の検査装置の変形例を示したものである。
【０１８９】
なお、大形フリップチップ１６の突起状端子であるはんだボール２は、前記実施の形態１７の場合と同様に、総数１６００個であり、高さ約0.２４ｍｍで、かつ直径0.３０ｍｍの共晶はんだボールから形成されている。
【０１９０】
図３１、図３２に示す要部を有した検査装置は、１６個のＣＳＰ１３それぞれのはんだボール２に対応して１６個のＣＳＰ１３すなわち大形フリップチップ１６を搭載可能に１６００個の基板側端子４ｈが設けられたテープ状回路基板４ｇを備え、かつそれぞれのＣＳＰ１３の中央部のはんだボール２（ここでは、外側３列目から内側の６×６＝３６個のはんだボール２）に対する基板側端子４ｈの接触圧力より前記中央部の外側に配置された外側１，２列目のはんだボール２に対する外側１，２列目基板側端子４ｑの接触圧力が大きくなるように形成されているものであり、本実施の形態１８でも、前記実施の形態１７と同様に、この検査装置を用いて大形フリップチップ１６（ここでは、１６個のＣＳＰ１３を一体に形成したもの）を電気的に検査する。
【０１９１】
なお、図３１、図３２に示す検査装置では、中央部よりその外側に配置されたはんだボール２ａへの基板側端子４ｈ（ここでは、外側１，２列目基板側端子４ｑ）の接触圧力を大きくする手段として、図３１に示すように、ベース部材４ｋ上に配置された突起部支持板１７に２種類の高さの突起部１２が設けられている。
【０１９２】
ここで、突起部支持板１７に形成された突起部１２は、各0.３ｍｍ角で、かつ総数１０２４個である。その際、突起を設ける位置は、各ＣＳＰ１３の外側１，２列目に相当するはんだボール２に対応した位置であり、それぞれのＣＳＰ１３ごとに６４個ずつある。
【０１９３】
また、図３１に示すように、突起部１２の高さは２種類あり、大形フリップチップ１６における中央部の４個分のＣＳＰ１３では高さが0.０５ｍｍであり、前記中央部の外側に配置されるＣＳＰ１３では高さが0.１ｍｍである。
【０１９４】
これにより、大形フリップチップ１６の中央部付近に配置されたＣＳＰ１３のはんだボール２と接触する基板側端子４ｈに対して、中央部付近の外側に配置されたＣＳＰ１３のはんだボール２に接触する基板側端子４ｈを平均値で高くすることができる。
【０１９５】
なお、平均値で高くするという表現は、個々のＣＳＰ１３では中央近傍より、外側付近のはんだボール２を高く設定しており、さらに、大形フリップチップ１６のＣＳＰ１３単位では、中央近傍のＣＳＰ１３のはんだボール２より外側のＣＳＰ１３のはんだボール２が高くなり、したがって、個々のはんだボール２では必ずしも中央近傍のＣＳＰ１３のはんだボール２の高さより外周に配置されたＣＳＰ１３のはんだボール２の高さが高くなる必要が無いためである。
【０１９６】
また、突起部１２が形成される突起部支持板１７は、例えば、厚さ１ｍｍのＮｉ板であり、大小の突起部１２はエッチングによって形成した。
【０１９７】
この検査装置を用いて、前記実施の形態１７と同様に、１０個の大形フリップチップ１６（ＣＳＰ１３に換算した場合１６０個の半導体装置）の導通検査を実施した。その際、大形フリップチップ１６に印加する圧力は、前記実施の形態１７と同様である。
【０１９８】
なお、各大形フリップチップ１６を１０回ずつ検査した結果、１ピンでも未接触となるものは皆無であった。
【０１９９】
ここで、本実施の形態１８において、ベース部材４ｋ上に直接でなく、突起部支持板１７を介して突起部１２を設けた理由は、同一の検査装置で突起部支持板１７を交換するだけで端子配置や端子数の異なる半導体装置に対応させることを容易に可能にするためである。
【０２００】
なお、図３１、図３２に示す要部を備えた検査装置を用いた検査方法によれば、実施の形態１７の検査方法と同様に大形フリップチップ１６のはんだボール２と検査装置のテープ状回路基板４ｇの基板側端子４ｈとの接触（電気的接続）の信頼性を向上できる。
【０２０１】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０２０２】
例えば、前記実施の形態１から１８では、回路基板がテープ状回路基板４ｇの場合を説明したが、前記回路基板は、有機基板を用いたボードなどであってもよく、ボード端子と半導体装置の突起状端子間に掛かる応力を均一化することにより、ボード端子と半導体装置の突起状端子との良好な接続を可能にできる。
【０２０３】
また、前記実施の形態１から１８は、全て検査する半導体装置の突起状端子基準であり、かつ前記突起状端子の位置基準である。一例として、回路基板（テープ状回路基板４ｇ）の外側から５列目が高い場合でも、その位置が適用する半導体装置の突起状端子の外側から２列目であれば、それは前記実施の形態１から１８を適用した製造方法である。
【０２０４】
さらに、前記実施の形態１から１８では、テープ状回路基板４ｇと弾性膜４ｊとを別の部材として説明したが、テープ状回路基板４ｇと弾性膜４ｊとが一体であってもよく、この場合においても、前記実施の形態１から１８と同一の効果を得ることができる。
【０２０５】
例えば、プリント基板などの有機材をベースにした基板では、これに相当する。
【０２０６】
さらに、弾性膜４ｊに形成する突起部１２，１５の素材は、弾性膜４ｊと同一であってもく、その場合にも前記実施の形態１〜１８と同様の効果を得ることができる。
【０２０７】
また、前記実施の形態１から１８では、テープ状回路基板４ｇの接触子である基板側端子４ｈが、正方格子状あるいは面心格子状に配置されている場合を説明したが、その配置やピッチが不規則な場合であっても同様の効果があることは明らかである。同様に、半導体装置の突起状端子や基板側端子４ｈ（接触子）がフルグリッドでなく、中央部に前記突起状端子や前記接触子の無い場合でも適用できることは明らかである。
【０２０８】
また、前記実施の形態１から１８では、検査装置（ソケット４）を使用する検査としてバーンイン検査の場合を説明したが、前記検査装置を用いたシートコンタクト方式の検査としては、プローブ検査などであってもよい。
【０２０９】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【０２１０】
（１）．半導体装置の突起状端子のうち外側１列目の端子と比べて外側２列目の端子が高く設けられていることにより、外側２列目の突起状端子と基板側端子間に掛かる圧力を外側２列目の突起状端子の高さが高くない場合と比較して高くすることができる。したがって、検査時の半導体装置の外側２列目の突起状端子と基板側端子との接触を確実に行うことができ、これにより、検査時の接触信頼性を向上できる。その結果、半導体装置にダメージを与えずに信頼度の高い電気的接続を行うことができる。
【０２１１】
（２）．半導体装置の突起状端子のうち中央部の端子と比べてその外側の端子が高く設けられていることにより、中央部における突起状端子と基板側端子間に掛かる圧力を中央部の外側の突起状端子の高さが高くない場合と比較して低くすることができる。これにより、半導体装置に一定圧力を印加すると、中央部外側の圧力の低い外側２列目付近の突起状端子と基板側端子間に掛かる圧力を高くすることができ、その結果、外側２列目の接触信頼性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ）は底面図である。
【図２】図３に示す本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＢ−Ｂ断面の構造の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部の構造の一例を示す平面図である。
【図４】図１に示す半導体装置における外部端子位置と端子変形量の関係の一例を示す計測結果図である。
【図５】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【図６】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態３の半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は（ｂ）のＧ−Ｇ断面を示す断面図、（ｂ）は底面図である。
【図７】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態４の半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は（ｂ）のＨ−Ｈ断面を示す断面図、（ｂ）は底面図である。
【図８】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態５の半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は（ｂ）のＩ−Ｉ断面を示す断面図、（ｂ）は底面図である。
【図９】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態６の半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は側面図、（ｂ）は底面図である。
【図１０】図１１に示す本発明の実施の形態７の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＪ−Ｊ断面の構造の一例を示す断面図である。
【図１１】図１０に示すテープ状回路基板の構造を示す平面図である。
【図１２】図１３に示す本発明の実施の形態８の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＫ−Ｋ断面の構造の一例を示す断面図である。
【図１３】図１２に示すテープ状回路基板の構造を示す平面図である。
【図１４】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態９の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部の構造の一例を示す図であり、（ａ）はテープ状回路基板の平面図、（ｂ）は（ａ）のＬ−Ｌ断面を示す断面図である。
【図１５】図１４に示すテープ状回路基板の構造を示す底面図である。
【図１６】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態１０の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部の構造の一例を示す図であり、（ａ）はテープ状回路基板の平面図、（ｂ）は（ａ）のＭ−Ｍ断面を示す断面図である。
【図１７】図１６に示すテープ状回路基板の構造を示す底面図である。
【図１８】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態１１の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部の構造の一例を示す図であり、（ａ）は（ｂ）のＮ−Ｎ断面を示す断面図、（ｂ）は（ａ）に示すテープ状回路基板の平面図である。
【図１９】図２０に示す本発明の実施の形態１２の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＯ−Ｏ断面の構造の一例を示す断面図である。
【図２０】図１９に示すテープ状回路基板の構造を示す平面図である。
【図２１】図２２に示す本発明の実施の形態１３の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＰ−Ｐ断面の構造の一例を示す断面図である。
【図２２】図２１に示すテープ状回路基板の構造を示す平面図である。
【図２３】図２４に示す本発明の実施の形態１４の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＱ−Ｑ断面の構造の一例を示す断面図である。
【図２４】図２３に示すテープ状回路基板の構造を示す平面図である。
【図２５】図２６に示す本発明の実施の形態１５の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＳ−Ｓ断面の構造の一例を示す断面図である。
【図２６】図２５に示すテープ状回路基板の構造を示す平面図である。
【図２７】図２８に示す本発明の実施の形態１６の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＲ−Ｒ断面の構造の一例を示す断面図である。
【図２８】図２７に示すテープ状回路基板の構造を示す平面図である。
【図２９】図３０に示す本発明の実施の形態１７の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＴ−Ｔ断面の構造の一例を示す部分断面図である。
【図３０】図２９に示すテープ状回路基板の構造を示す平面図と基板側端子を拡大して示す部分拡大平面図である。
【図３１】図３２に示す本発明の実施の形態１８の半導体装置の製造方法に用いられる検査装置の要部のＵ−Ｕ断面の構造の一例を示す部分断面図である。
【図３２】図３１に示すテープ状回路基板の構造を示す平面図と基板側端子を拡大して示す部分拡大平面図である。
【符号の説明】
１ 半導体チップ
１ａ はんだボール取り付け面（外部端子取り付け面）
２ はんだボール（突起状端子）
２ａ 外側２列目はんだボール
２ｂ 外側２〜４列目はんだボール
２ｃ 外側２，３列目はんだボール
３ フリップチップ（半導体装置）
４ ソケット（検査装置）
４ａ ソケット本体
４ｂ 蓋部材
４ｃ バネ部材
４ｄ 押圧子
４ｅ フック部材
４ｆ ピン部材
４ｇ テープ状回路基板（回路基板）
４ｈ 基板側端子
４ｉ 測定用接続端子
４ｊ 弾性膜
４ｋ ベース部材
４ｌ 基板側端子取り付け面
４ｍ 外側２列目基板側端子
４ｎ 外側２〜４列目基板側端子
４ｐ 外側１〜４列目基板側端子
４ｑ 外側１，２列目基板側端子
５ テストボード
６ パッド端子（突起状端子）
６ａ 外側２列目パッド端子
７ ＬＳＩベアチップ（半導体装置）
８ 金バンプ付き端子（突起状端子）
８ａ 外側２列目バンプ端子
９ ＢＧＡ（半導体装置）
９ａ ＢＧＡ基板
１０ 樹脂モールド
１１ フリップチップ
１２，１４，１５ 突起部
１３ ＣＳＰ
１６ 大形フリップチップ
１７ 突起部支持板

Claims (6)

1. 半導体装置の外部端子である突起状端子に対応する複数の基板側端子が分散配置された回路基板と、基板側端子取り付け面の反対の面側に配置された弾性膜とを備える検査装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
   複数の前記突起状端子が外部端子取り付け面に分散配置されて設けられた前記半導体装置を準備し、前記検査装置において、前記回路基板の前記基板側端子取り付け面に配置された外側１列目の前記基板側端子より高く形成された外側２列目の前記基板側端子と、前記半導体装置の前記外部端子取り付け面の外側２列目の前記突起状端子とを対応させて前記半導体装置と前記回路基板とを位置決めする工程と、
   前記半導体装置に荷重を印加して、前記半導体装置の前記突起状端子を前記回路基板の前記基板側端子に押し付ける工程と、
   前記半導体装置の前記突起状端子と前記検査装置の前記回路基板の前記基板側端子とを電気的に接続して前記半導体装置を電気的に検査する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、複数の前記半導体装置を検査する際に、前記半導体装置それぞれの前記突起状端子に対応して複数の前記半導体装置を搭載可能に複数の前記基板側端子が設けられた前記回路基板を備え、最外周に配置される前記半導体装置のそれぞれの外側１列目の前記突起状端子に対する前記基板側端子の接触圧力より外側２列目の前記突起状端子に対する前記基板側端子の接触圧力が大きくなるように形成された前記検査装置を用いて複数の前記半導体装置を電気的に検査することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項１または２記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体装置の外側１列目の前記突起状端子に接触する前記回路基板の前記基板側端子に対して、外側２列目の前記突起状端子に接触する前記基板側端子の高さを高くする突起部が前記弾性膜を支持するベース部材に設けられた前記検査装置を用いて前記半導体装置を電気的に検査することを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 半導体装置の外部端子である突起状端子に対応する複数の基板側端子が分散配置された回路基板と、基板側端子取り付け面の反対の面側に配置された弾性膜とを備える検査装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
   複数の前記突起状端子が外部端子取り付け面に分散配置されて設けられた前記半導体装置を準備し、前記検査装置において、前記回路基板の前記基板側端子取り付け面の中央部に配置された前記基板側端子より高く形成された前記中央部の外側の前記基板側端子と、前記半導体装置の前記外部端子取り付け面の前記中央部の外側の前記突起状端子とを対応させて前記半導体装置と前記回路基板とを位置決めする工程と、
   前記半導体装置に荷重を印加して、前記半導体装置の前記突起状端子を前記回路基板の前記基板側端子に押し付ける工程と、
   前記半導体装置の前記突起状端子と前記検査装置の前記回路基板の前記基板側端子とを電気的に接続して前記半導体装置を電気的に検査する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項４記載の半導体装置の製造方法であって、複数の前記半導体装置を検査する際に、前記半導体装置それぞれの前記突起状端子に対応して複数の前記半導体装置を搭載可能に複数の前記基板側端子が設けられた前記回路基板を備え、それぞれの前記半導体装置の中央部の前記突起状端子に対する前記基板側端子の接触圧力より前記中央部の外側の前記突起状端子に対する前記基板側端子の接触圧力が大きくなるように形成された前記検査装置を用いて複数の前記半導体装置を電気的に検査することを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項４または５記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体装置の中央部の前記突起状端子に接触する前記回路基板の前記基板側端子に対して、前記中央部の外側の前記突起状端子に接触する前記基板側端子の高さを高くする突起部が前記弾性膜を支持するベース部材に設けられた前記検査装置を用いて前記半導体装置を電気的に検査することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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