JP2000339625A - 薄膜磁気ヘッドとその製法および磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】面記録密度７Ｇｂｉｔ／ｉｎ²以上の磁気ディ
スク装置に搭載する薄膜磁気ヘッドの提供。 【解決手段】磁気抵抗効果型の再生ヘッドを有し、記録
ヘッドの上部磁気コアが先端部と後部とで構成された薄
膜磁気ヘッドにおいて、上部磁気コアのトラック幅が１
μｍ以下で、記録媒体対向面の先端部と、後部の接合端
部までの距離がギャップ深さ以上である薄膜磁気ヘッド
であり、上部磁気コアの先端部２１がコイル絶縁膜第１
層形成後に上部磁気コアの先端部２１が露出，平坦化さ
れており、上部磁気コアの後部２３と接続する前記上部
磁気コアの先端部が５〜４０度の広がり角度を有する広
がり部が形成されている薄膜磁気ヘッド。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等の記録・再生に用いられる薄膜磁気ヘッドに係わり、
該薄膜磁気ヘッドとその製法、ならびに、該薄膜磁気ヘ
ッドを搭載した磁気ディスク装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク装置および該磁気ディスク
装置を用いたディスクアレイ装置では、記録媒体上のデ
ータは磁気ヘッドにより読み書きされる。

【０００３】磁気ディスクの単位面積当たりの記録容量
を増すためには、面記録密度を高密度化する必要があ
る。

【０００４】面記録密度の向上は、トラック密度と線記
録密度を向上させることである。このうちトラック密度
向上には、磁気ヘッドのトラック幅を微細，高精度化す
る必要がある。トラック幅が狭くなると、再生出力が小
さくなるため、再生ヘッドは、現在、広く用いられてい
る磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）から巨大磁気抵
抗効果型ヘッド（ＧＭＲヘッド）にする必要がある。

【０００５】上記ＧＭＲヘッドとしては、Ｆｅ／Ｃｒ等
の多層膜を用いた多層膜型、Ｃｕ等の非磁性膜をＣｏま
たはＮｉＦｅ等の磁性膜で挟み、片側の磁性膜の磁化を
ＦｅＭｎ等の反強磁性膜で固定したスピンバルブ型、Ａ
ｌ₂Ｏ₃等の絶縁性非磁性膜をＣｏまたはＮｉＦｅ等の磁
性膜で挟み、片側の磁性膜の磁化をＦｅＭｎ等の反強磁
性膜で固定したトンネル接合型等がある。

【０００６】これらの膜に電極を設置するが、その電極
間隔を狭くすることによって再生トラックを狭トラック
化する。これらの電極間隔は、現在リフトオフ法により
形成されているが、リフトオフ法で形成できるトラック
幅は０.７μｍが限界で、それ以下のものを形成する場
合は、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）が必要
となる。また、電極材料としては、Ｔａ、Ｗ等の高融点
金属を用いる。

【０００７】記録ヘッドのトラック部分を含む磁気コア
形成方法としては、イオンミリング等のドライエッチン
グ法、または、フレームめっき法を用いることが広く知
られている。

【０００８】磁気ディスク装置の高記録密度化を達成す
るためには、磁気ヘッドの狭トラック化および高精度化
を図る必要がある。

【０００９】一方、磁気コア先端部であるトラック部分
での磁気的飽和を避けるためには、磁気コアの膜厚を厚
くする必要があり、その膜厚は２μｍから数μｍが必要
である。

【００１０】しかし、このような厚い膜をイオンミリン
グ等のドライエッチング法で形成した場合、ホトリソグ
ラフィによって形成されたレジストパターンの寸法ばら
つきに、当該レジストパターンをマスクとして磁性膜を
ドライエッチングする際の寸法ばらつきが重畳されるた
め、上部磁気コアを高精度に形成することができない。
この点、フレームめっき法では、レジストフレームの寸
法精度がそのまま上部磁気コアの寸法精度のばらつきに
なるので、寸法精度の点でイオンミリング等のドライエ
ッチング法に比べて有利である。

【００１１】上記のレジストフレームに用いるレジスト
は、めっき膜厚以上必要であるため、該レジスト膜厚と
しては、半導体素子製造で用いられる膜厚約１μｍのも
のよりもはるかに厚く、薄いものでも２〜３μｍ、厚い
もでは１０μｍもの膜厚が必要である。

【００１２】これを解決する方法として、ＳｉＯ₂膜上
に膜厚０.７〜０.８μｍのレジスト膜を形成し、エッチ
ングを行なうことによりノッチ構造体を形成し、その部
分に磁性膜を形成することで記録ヘッドのトラック幅を
画定する方法が開示（特開平７−２９６３２８号公報）
されている。

【００１３】しかし、この方法では、レジストパターン
をマスクとしてエッチングを行なうため、レジストパタ
ーンの寸法精度ばらつきに、エッチングの精度ばらつき
が重畳されて、その精度が悪くなる。また、上部磁極層
の磁極端部が記録媒体対向面に現われ、上部磁極層の磁
極端部から漏れる磁束により、磁化信号の書き込み、あ
るいは、記録された信号の消去されるのを防ぐために、
実効トラック幅が大きくなると云う問題がある。

【００１４】これらを解決するために、上部磁極層の磁
極端部を記録媒体対向面に現れないよう、図１に示すよ
うにポジレジスト３を用いてフレームめっき法で形成し
ようとすると、コイルの絶縁膜２によるハレーション等
の反射光によって、完全なフレームが形成できないと云
う問題があることが分かった。

【００１５】上記を解決する方法としては、図２に示す
ように後部のフレームをネガレジスト４を用いて形成す
る方法が開示（特開平６−２０２２７号公報）されてい
る。

【００１６】しかし、記録ヘッドのトラック幅を従来構
造のまま１μｍ程度まで狭小化した場合、ヘッドの先端
部から発生する磁界強度が低下し、記録媒体に書き込め
ないと云う問題が生ずる。

【００１７】そこで、このような記録磁界の低下を改善
するヘッドコア形状が、特開平８−２４９６１４号公報
に示されている。これによれば、磁気ギャップ後端部で
あるゼロスロートポイントからフレアポイントにかけ
て、次第にコア幅が広がるように形成することで、コア
が一様に飽和すると共にヘッド磁界を増加する効果があ
る。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】特開平６−２０２２７
号公報および特開平８−２４９６１４号公報に記載の発
明では、コイル絶縁膜の段差を形成後に、先端部の形成
を行なうためレジスト膜厚がコイル絶縁膜の段差の下で
厚くなり、そのために１μｍ程度のレジストパターン形
成を行なうことは困難である。

【００１９】また、前記の先端部での磁気的飽和を避け
るためには、高飽和密度の材料を用いる必要があり、先
端部と後部の要求を同時に満足する材料を選択すること
は、困難である。即ち、上記公報に記載の発明では、上
部磁気コアの先端部と後部の材料を最適化することはで
きず、同一材料を使用せざるを得ない。

【００２０】そのため１μｍ以下の狭トラック幅を持
つ、あるいは、データの高速転送にも対応した記録再生
分離型薄膜磁気ヘッドを得ることはできなかった。

【００２１】本発明の目的は、１μｍ以下の狭トラック
幅を有し、データの高速転送にも対応した記録再生分離
型薄膜磁気ヘッド、および、該ヘッドを用いた面記録密
度が７Ｇｂｉｔ／ｉｎ²以上有する磁気ディスク装置を
提供することにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の要旨は次のとおりである。

【００２３】〔１〕 磁気抵抗効果型の再生ヘッドを有
し、記録ヘッドの上部磁気コアが先端部と後部とで構成
された薄膜磁気ヘッドの上部磁気コアのトラック幅が１
μｍ以下で、記録媒体対向面の先端部と、後部の接合端
部までの距離がギャップ深さ以上であることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。

【００２４】〔２〕 前記上部磁気コアの先端部が、前
記記録ヘッドのコイル絶縁膜上に乗り上げ形成されてい
る前記の薄膜磁気ヘッド。

【００２５】〔３〕 前記上部磁気コアの前記先端部が
飽和磁束密度（Ｂｓ）１.５Ｔ以上の磁性膜を含む前記
の薄膜磁気ヘッド。

【００２６】〔４〕 前記上部磁気コアの前記先端部と
前記後部の飽和磁束密度が異なる前記の薄膜磁気ヘッ
ド。

【００２７】〔５〕 前記上部磁気コアの後部が磁性膜
と非磁性膜からなる多層膜である前記の薄膜磁気ヘッ
ド。

【００２８】〔６〕 磁気抵抗効果型の再生ヘッドを有
し、記録ヘッドの上部磁気コアが先端部と後部とで構成
された薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁気コアのトラッ
ク幅が１μｍ以下で、記録媒体対向面の先端部と、後部
の接合端部までの距離がギャップ深さ以上である薄膜磁
気ヘッドであり、上部磁気コアの先端部がコイル絶縁膜
第１層形成後に上部磁気コアの先端部が露出，平坦化さ
れており、上部磁気コアの後部と接続する前記上部磁気
コアの先端部が５〜４０度の広がり角度を有する広がり
部が形成されている薄膜磁気ヘッド。

【００２９】〔７〕 前記広がり部が、上部磁気コアの
前記先端部が、磁気ヘッドコイルの絶縁膜に乗り上げて
いる部分から広くなるように形成されている上記〔６〕
の薄膜磁気ヘッド。

【００３０】〔８〕 巨大磁気抵抗効果型の再生ヘッド
を有し、記録ヘッドの上部磁気コアが先端部と後部とで
構成された薄膜磁気ヘッドの上部磁気コアのトラック幅
が１μｍ以下で、記録媒体対向面の先端部と、後部の接
合端部までの距離がギャップ深さ以上である薄膜磁気ヘ
ッドの製法において、前記上部磁気コアの先端部を形成
後、ネガレジストまたは電子線レジストを用いたフレー
ムめっき法により該上部磁気コアの後部を形成すること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製法。

【００３１】

〔９〕 前記上部磁気コアの先端部を形成
後、該上部磁気コアの先端部を非磁性膜により被覆し、
該非磁性膜を上部磁気コアが露出するよう除去すると共
に平坦化し、上部磁気コアの後部との磁気的結合を形成
する前記の薄膜磁気ヘッドの製法。

【００３２】〔１０〕 前記非磁性膜を研磨またはドラ
イエッチングによるエッチバック法で形成する前記の薄
膜磁気ヘッドの製法。

【００３３】〔１１〕 前記研磨が化学的機械研磨（Ｃ
hemical Ｍechanical Ｐolishing：ＣＭＰ）によるもの
である前記の薄膜磁気ヘッドの製法。

【００３４】〔１２〕 前記エッチバック法のドライエ
ッチング用ガスとしてＣＦ₄、Ｃ₄Ｆ₈、ＣＨＦ₃、ＢＣｌ
₃、Ｃｌ₂、ＳｉＣｌ₄、Ｎｅ、Ａｒ、ＫｒおよびＸｅか
ら選ばれる一種以上のガスを用いる前記の薄膜磁気ヘッ
ドの製法。

【００３５】〔１３〕 データの転送速度が１００ＭＨ
ｚ以上の磁気ディスク装置において、再生に磁気抵抗効
果または巨大磁気抵抗効果を用いた再生ヘッドを有し、
記録ヘッドはその上部磁気コアが先端部と後部とで構成
され、該先端部と後部の接合の端部までの距離がギャッ
プ深さ以上である薄膜磁気ヘッドを搭載したことを特徴
とする磁気ディスク装置。

【００３６】なお、上記のギャップ深さとは、磁気ヘッ
ドの媒体対向面（浮上面）から先端部の絶縁膜の端部ま
での長さを云う。

【００３７】

【発明の実施の形態】既述のように磁気ディスク装置の
高記録密度化のためには、磁気ヘッドの狭トラック化が
必須であり、狭トラック化のためには、微細レジストパ
ターンの形成が必要である。

【００３８】微細レジストパターンの形成には、レジス
トに露光する光の波長は水銀ランプのｇ線（波長：４３
６ｎｍ）から、波長の短いｉ線（波長：３６５ｎｍ）を
用いるようになり、さらに、波長の短いＫｒＦエキシマ
レーザー（波長：２４８ｎｍ）を用いる。

【００３９】解像度と焦点深度を得るためには、露光波
長を短波長化し、レンズの開口数を低くする必要があ
る。しかし、膜厚８μｍ以上のレジストを用いて１μｍ
以下のパターンの形成は現実には難しく、従って、上部
磁気コアを形成することはできない。

【００４０】そこで、上部磁気コアの先端部のみを先に
形成し、次いで後部を形成する方法では、後部が記録媒
体対向面に露出すると、露出部分から漏洩する磁界によ
る磁化信号の書き込み等の問題がある。

【００４１】一方、後部領域を記録媒体対向面に現れな
いように形成する方法では、コイルの絶縁膜からのハレ
ーションによりフレームが形成できないことを既述し
た。即ち、図１に示すようにポジレジスト３を用いフレ
ームを形成した場合、ハレーション等の反射光がポジレ
ジスト３の側面に照射され、ポジレジストフレームがえ
ぐられるように形成されてしまう。

【００４２】そこで本発明者らは、上部磁気コアの後部
を形成するフレームとしてネガレジスト（あるいは、電
子線描画用のレジスト）を用いることで、このハレーシ
ョンの問題が解決できることを見い出した。

【００４３】図２は、本発明におけるネガレジストを用
いてフレームを形成した場合の概略図である。ネガレジ
スト４は、光が当った部分のレジストが残るためフレー
ムとして残したい部分に光を照射する。これによりコイ
ル絶縁膜２の斜面部からの反射光により、図１に示すよ
うなフレームがえぐられると云う問題を解決することが
できた。

【００４４】こうしたネガレジストとしては、例えば、
東京応化工業（株）製のＴＳＭＲ−ｉＮ０１０等があ
る。

【００４５】また、電子線レジストとしては、例えば、
シプレイ・ファーイースト（株）製のＳＡＬ６０１等が
ある。この電子線レジストは、コイル絶縁膜２の斜面部
から反射する電子の動く距離が短いため、ポジレジスト
でもフレームがえぐられると云う問題は起こらない。

【００４６】なお、本発明の先端部の形成には、従来の
フレームめっき法が用いられ、しかもコイル用絶縁膜２
の第１層のみの段差が低い状態で露光できるため、レジ
スト膜厚を従来の場合よりも薄くすることができ、１μ
ｍ以下のトラック幅のフレームを形成することができ
る。

【００４７】また、トラック幅が１μｍ程度になると先
端部が飽和するため、磁界が記録媒体対向面上に出にく
くなる。この解決手段としては、図３に示すように、上
部磁気コアの先端部２１の幅を導体コイル１の絶縁膜２
に乗り上げる部分から徐々に広くし、その広がりの角度
θとしては４０度以下、好ましくは５〜４０度にすると
よい。

【００４８】また、先端部のみを高飽和磁束密度の材料
を用いるとさらに飽和を防ぐことができ、必要な記録磁
界を得ることができる。

【００４９】本発明では、図９に示すように上部磁気コ
アの先端部２１と上部磁気コアの後部２３を分割して作
製するため、それぞれの部分で最適な磁性材料を用いる
ことができる。

【００５０】例えば、先端部２１としては、先端部の飽
和を防ぐために飽和磁束密度の高いＣｏＮｉＦｅ，Ｆｅ
₅₄Ｎｉ₄₆等、あるは、Ｎｉ₈₁Ｆｅ₁₉等とＣｏＮｉＦｅ，
Ｆｅ₅₄Ｎｉ₄₆等の積層膜を使用し、後部２３としては、
高周波特性に優れたＮｉ₈１Ｆｅ₁₉や非磁性膜と磁性膜
の多層膜等を使用し、最適化することが可能となる。

【００５１】先端部を、一旦、保護膜で埋め込む方法
は、通常のスパッタ法ではＡｌ₂Ｏ₃またはＳｉＯ₂等を
形成すればよい。

【００５２】また、上部磁気コアの先端部２１と上部磁
気コアの後部２３とを磁気的に接続するには、保護膜を
ケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）で研磨する
か、または、保護膜上にレジスト膜を形成し、ベークに
よってレジスト膜を平坦化した後、レジストと保護膜を
等しい速度でイオンミリング、あるいは、リアクティブ
イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチバックして、
先に形成した上部磁気コアの先端部２１の表面を露出
し、その上に上部磁気コアの後部２３を形成すればよ
い。

【００５３】上記エッチバック用のガスとしてＣＦ₄、
Ｃ₄Ｆ₈、ＣＨＦ₃、ＢＣｌ₃、Ｃｌ₂、ＳｉＣｌ₄、Ｎｅ、
Ａｒ、ＫｒおよびＸｅの１種以上を用いることができ
る。例えば、保護膜がＡｌ₂Ｏ₃の場合、ＣＨＦ₃とＡｒ
の混合ガスまたはＢＣｌ₃を、また、保護膜がＳｉＯ₂の
場合のＣＦ₄を用いる。

【００５４】エッチング装置としては、通常の平行平板
型のＲＩＥよりも、高密度プラズマ源を搭載したものの
方が高速エッチングが可能で、スループットを向上する
ことがっできる。高密度プラズマ源としては、電子サイ
クロトロン共鳴型（ＥＣＲ）や誘導結合型（ＩＣＰ）お
よびヘリコン型のものがあり、エッチング速度について
は、いずれの装置も従来の平行平板型を用いた場合の約
１０倍の高速エッチングが可能である。

【００５５】保護膜は、イオンミリングのオーバーエッ
チング保護膜となるため、磁気特性に優れるスパッタ
膜、あるいは、多層膜をイオンミリングで加工すること
によって、上部磁気コアの後部を形成することもでき
る。

【００５６】以上のように本発明では、レジスト絶縁膜
が低段差状態において、記録トラック幅となる上部磁気
コアの先端部を、記録磁界を出力できるよう最適化した
構造に形成し、かつ、上部磁気コアの後部を先端部とは
別に形成する。そして、最適な材料および構造の上部磁
気コアの後部を形成する。これによって、記録特性に優
れた薄膜磁気ヘッドを得ることができ、該薄膜磁気ヘッ
ドを用いることで面記録密度が７Ｇｂｉｔ／ｉｎ²以上
の磁気ディスク装置を得ることができる。

【００５７】

【実施例】〔実施例 １〕図４は、本発明の磁気ディス
ク装置の概略模式図である。磁気ディスク装置は、磁気
ディスク１１上に、支持体１２の先端部に固定された磁
気ヘッド１３によって磁化信号１４を記録再生する。

【００５８】図５は、従来の記録再生分離型磁気ヘッド
の模式斜視図である。巨大磁気抵抗効果膜１５を用いた
再生ヘッドの上に、記録ヘッドが積層された構造となっ
ている。

【００５９】図６は、本発明の磁気ヘッドの製造工程を
示す模式断面図で、ギャップ深さ方向の断面を示すもの
である。

【００６０】工程（ａ）：上部シールド１９、磁気ギャ
ップ膜２０上に第一のコイル絶縁膜２ａを形成する。

【００６１】工程（ｂ）：上部磁気コアの先端部２１を
形成する。このとき、図示していないが、上部磁気コア
の先端部２１のマスクとして、ギャップ膜２０および上
部シールド１９をイオンミリングによりエッチングする
ポールトリミングと呼ばれる工程を行なうことができ
る。

【００６２】工程（ｃ）：Ａｌ₂Ｏ₃の保護膜２２をスパ
ッタ法により成膜する。

【００６３】工程（ｄ）：ＣＭＰ法により、Ａｌ₂Ｏ₃の
保護膜２２を研磨し、上部磁気コアの先端部２１の上面
を露出させる。

【００６４】工程（ｅ）：第２，第３のコイル絶縁膜２
ｂ，２ｃおよびコイル１を形成する。

【００６５】工程（ｆ）：上部磁気コアの後部２３を形
成する。上部磁気コアの後部２３の形成法として、例え
ば、ネガレジスト（ＴＳＭＲ−ｉＮ０１０）を１０００
ｒｐｍで回転塗布し、膜厚８μｍのレジストを得る。続
いてｉ線ステッパによって露光，現像し、フレームパタ
ーンを形成する。なお、ネガレジストであるため、ハレ
ーションの影響も無く、レジスト側面の角度も垂直なフ
レームが得られる。次いで、飽和磁束密度（Ｂｓ）が
１.０ＴのＮｉＦｅをめっきし、上部磁気コアの後部２
３を形成する。

【００６６】図７は上方からの概略図である。図７−
（ａ）はコイル絶縁膜２を形成後、上部磁気コアの先端
部２１を形成したものである。また、図７−（ｂ）は上
部磁気コアの後部２３を形成したものである。

【００６７】この図では、上部磁気コアの先端部２１の
形成後の保護膜は示していないが、もちろん形成しても
よい。上部磁気コアの後部２３は、スパッタ膜あるいは
多層膜を用いてイオンミリングによりパターン形成して
もよい。

【００６８】〔実施例 ２〕図８は、上部磁気コアの先
端部２１を形成後、保護膜２２を形成し、エッチバック
する工程の一例を示す模式断面図である。

【００６９】工程（ａ）：記録ヘッドの下部磁気コアを
兼用するシールドを有する再生ヘッドを形成後、記録ヘ
ッド用の磁気ギャップ２０を形成し、上部磁気コアの先
端部２１用のフレームを形成する。このフレームを用い
て飽和磁束密度（Ｂｓ）が１.６ＴのＣｏＮｉＦｅをめ
っきし、先端部を形成する。但し、再生ヘッド部は省略
した。

【００７０】工程（ｂ）：Ａｌ₂Ｏ₃保護膜２２をスパッ
タにより形成する。基板にバイアスを印加しながら、ス
パッタすることでステップカバレッジを良好にすること
ができる。

【００７１】工程（ｃ）：続いてレジストを塗布し、全
面に紫外線を照射後、１５０℃でベークし、該レジスト
表面を平坦にする。

【００７２】工程（ｄ）：ＢＣｌ₃を用いたＲＩＥによ
り、レジストとＡｌ₂Ｏ₃を同じエッチング速度でエッチ
ングし、上部磁気コアの先端部２１の表面を保護膜２２
から露出させる。もちろん、工程（ｂ）で、簡便にＣＭ
Ｐ等の研磨法により、先端部の表面を露出させてもよ
い。

【００７３】その後、電極端子等を形成し、基板を加工
して磁気ヘッドを完成した。図９に完成した本発明の薄
膜磁気ヘッドの模式斜視図を示す。

【００７４】このヘッドを搭載することにより、面記録
密度１０Ｇｂｉｔ／ｉｎ²の磁気ディスク装置を作製す
ることができた。

【００７５】図１０に本発明の磁気ディスク装置を複数
個配置し、これらを並列にアクセスするディスクアレイ
装置の概略構成図を示す。

【００７６】ディスクアレイ装置は、複数の磁気ディス
ク装置を配置し、これらに記録情報を並列にアクセスす
るものである。こうしたディスクの並列化により、デー
タ転送速度の向上を図ることができる。こうしたデータ
の高速転送を図るためには、本発明の薄膜磁気ヘッドを
搭載した磁気ディスク装置が必須である。

【００７７】

【発明の効果】本発明の磁気ヘッドの上部磁気コアの先
端部の形成を、絶縁膜段差が低い状態で行うことで、狭
トラック化が可能となり、かつ、該先端部が５〜４０度
の広がり角度を持たせることで記録特性の高い薄膜磁気
ヘッドを得ることができる。

【００７８】上記薄膜磁気ヘッドを搭載することによ
り、面記録密度７Ｇｂｉｔ／ｉｎ²以上の磁気ディスク
装置、並びに、該磁気ディスク装置を用いたディスクア
レイ装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ポジレジストを用いたフレーム形成時のハレー
ションの概略図である。

【図２】ネガレジストを用いたフレーム形成時の概略図
である。

【図３】本発明の上部磁気コアの先端部の広がり角度の
定義を示す図である。

【図４】本発明の磁気ディスク装置の概略模式図であ
る。

【図５】従来の記録再生分離型磁気ヘッドの模式斜視図
である。

【図６】本発明の磁気ヘッドの製造工程の一実施例を示
す模式断面図である。

【図７】本発明の一実施例の磁気ヘッドの上方からの概
略図である。

【図８】本発明の磁気ヘッドの製造工程の一実施例を示
す模式断面図である。

【図９】本発明の薄膜磁気ヘッドの模式斜視図である。

【図１０】本発明の磁気ディスク装置を用いたディスク
アレイ装置の概略構成図である。

【符号の説明】

１…導体コイル、２…絶縁膜、３…ポジレジスト、４…
ネガレジスト、１１…磁気ディスク、１２…支持体、１
３…磁気ヘッド、１４…磁化信号、１５…巨大磁気抵抗
効果膜、１６…電極、１７…上部磁気コア、１８…下部
シールド、１９…上部シールド、２０…磁気ギャップ、
２１…上部磁気コアの先端部、２２…保護膜、２３…上
部磁気コアの後部。

フロントページの続き (72)発明者 府山 盛明 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 鳴海 俊一 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 佐野 雅章 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 川辺 隆 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 伊藤 鉄男 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 小室 又洋 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレ−ジシステム事業部内 Ｆターム(参考） 5D033 BA01 BA08 BA13 BB43 CA05 DA01 DA04 DA07 DA08 5D034 BA02 BB12 CA06

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気抵抗効果型の再生ヘッドを有し、記
   録ヘッドの上部磁気コアが先端部と後部とで構成された
   薄膜磁気ヘッドの上部磁気コアのトラック幅が１μｍ以
   下で、記録媒体対向面の先端部と、後部の接合端部まで
   の距離がギャップ深さ以上であることを特徴とする薄膜
   磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記上部磁気コアの先端部が、前記記録
   ヘッドのコイル絶縁膜上に乗り上げ形成されている請求
   項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記上部磁気コアの前記先端部が飽和磁
   束密度（Ｂｓ）１.５Ｔ以上の磁性膜を含む請求項１に
   記載の薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 前記上部磁気コアの前記先端部と前記後
   部の飽和磁束密度が異なる請求項１に記載の薄膜磁気ヘ
   ッド。
5. 【請求項５】 前記上部磁気コアの後部が磁性膜と非磁
   性膜からなる多層膜である請求項１に記載の薄膜磁気ヘ
   ッド。
6. 【請求項６】 磁気抵抗効果型の再生ヘッドを有し、記
   録ヘッドの上部磁気コアが先端部と後部とで構成された
   薄膜磁気ヘッドにおいて、 上部磁気コアのトラック幅が１μｍ以下で、記録媒体対
   向面の先端部と、後部の接合端部までの距離がギャップ
   深さ以上である薄膜磁気ヘッドであり、上部磁気コアの
   先端部がコイル絶縁膜第１層形成後に上部磁気コアの先
   端部が露出，平坦化されており、上部磁気コアの後部と
   接続する前記上部磁気コアの先端部が５〜４０度の広が
   り角度を有する広がり部が形成されていることを特徴と
   する薄膜磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 前記広がり部が、上部磁気コアの前記先
   端部が、磁気ヘッドコイルの絶縁膜に乗り上げている部
   分から広くなるように形成されている請求項６に記載の
   薄膜磁気ヘッド。
8. 【請求項８】 磁気抵抗効果型の再生ヘッドを有し、記
   録ヘッドの上部磁気コアが先端部と後部とで構成された
   薄膜磁気ヘッドの上部磁気コアのトラック幅が１μｍ以
   下で、記録媒体対向面の先端部と、後部の接合端部まで
   の距離がギャップ深さ以上である薄膜磁気ヘッドの製法
   において、 前記上部磁気コアの先端部を形成後、ネガレジストまた
   は電子線レジストを用いたフレームめっき法により該上
   部磁気コアの後部を形成することを特徴とする薄膜磁気
   ヘッドの製法。
9. 【請求項９】 前記上部磁気コアの先端部を形成後、該
   上部磁気コアの先端部を非磁性膜により被覆し、該非磁
   性膜を上部磁気コアが露出するよう除去すると共に平坦
   化し、上部磁気コアの後部との磁気的結合を形成する請
   求項８に記載の薄膜磁気ヘッドの製法。
10. 【請求項１０】 前記非磁性膜を研磨またはドライエッ
    チングによるエッチバック法で形成する請求項９に記載
    の薄膜磁気ヘッドの製法。
11. 【請求項１１】 前記研磨が化学的機械研磨（Ｃhemica
    l Ｍechanical Ｐolishing：ＣＭＰ）によるものである
    請求項１０に記載の薄膜磁気ヘッドの製法。
12. 【請求項１２】 前記エッチバック法のドライエッチン
    グ用ガスとしてＣＦ₄、Ｃ₄Ｆ₈、ＣＨＦ₃、ＢＣｌ₃、Ｃ
    ｌ₂、ＳｉＣｌ₄、Ｎｅ、Ａｒ、ＫｒおよびＸｅから選ば
    れる一種以上のガスを用いる請求項１０に記載の薄膜磁
    気ヘッドの製法。
13. 【請求項１３】 データの転送速度が１００ＭＨｚ以上
    の磁気ディスク装置において、再生に磁気抵抗効果また
    は巨大磁気抵抗効果を用いた再生ヘッドを有し、記録ヘ
    ッドはその上部磁気コアが先端部と後部とで構成され、
    該先端部と後部の接合の端部までの距離がギャップ深さ
    以上である薄膜磁気ヘッドを搭載したことを特徴とする
    磁気ディスク装置。