JP2000332014A - 絶縁膜 - Google Patents
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁膜に関し、ＣＭＯＳトランジスタのゲー
ト絶縁膜やフラッシュ・メモリのトンネル酸化膜などに
用いるシリコン酸窒化膜を薄膜化し、しかも、界面準位
密度の増加やキャリヤ易動度の劣化などを抑制しつつス
トレス耐性を確保できるようにして信頼性を向上させ
る。 【解決手段】 シリコンからなるウエハや基板などの基
体表面上に形成されて少なくともシリコン及び酸素及び
窒素を含む材料、即ち、シリコン酸窒化膜を構成できる
材料からなり且つ光電子分光法に依る分析及び炭素１ｓ
ピーク位置に依る帯電補正を行って得られる窒素１ｓピ
ークが同じく帯電補正したＳｉ3 Ｎ4 結晶の窒素１ｓピ
ーク位置と同じ位置に現れる材料からなる領域が前記基
体との界面及びその近傍、例えば界面から約５〔Å〕程
度の範囲にあるようにする。
ト絶縁膜やフラッシュ・メモリのトンネル酸化膜などに
用いるシリコン酸窒化膜を薄膜化し、しかも、界面準位
密度の増加やキャリヤ易動度の劣化などを抑制しつつス
トレス耐性を確保できるようにして信頼性を向上させ
る。 【解決手段】 シリコンからなるウエハや基板などの基
体表面上に形成されて少なくともシリコン及び酸素及び
窒素を含む材料、即ち、シリコン酸窒化膜を構成できる
材料からなり且つ光電子分光法に依る分析及び炭素１ｓ
ピーク位置に依る帯電補正を行って得られる窒素１ｓピ
ークが同じく帯電補正したＳｉ3 Ｎ4 結晶の窒素１ｓピ
ーク位置と同じ位置に現れる材料からなる領域が前記基
体との界面及びその近傍、例えば界面から約５〔Å〕程
度の範囲にあるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラッシュ・メモ
リのトンネル絶縁膜、或いは、通常の電界効果トランジ
スタに於けるゲート絶縁膜など薄膜の絶縁膜の改良に関
する。
リのトンネル絶縁膜、或いは、通常の電界効果トランジ
スタに於けるゲート絶縁膜など薄膜の絶縁膜の改良に関
する。
【０００２】
【従来の技術】例えば極微細ＣＭＯＳ（ｃｏｍｐｌｅｍ
ｅｎｔａｒｙ ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタに於けるゲート絶縁膜と
してシリコン酸化膜が用いられている。
ｅｎｔａｒｙ ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタに於けるゲート絶縁膜と
してシリコン酸化膜が用いられている。
【０００３】このゲート絶縁膜、即ち、ゲート酸化膜に
於いては、ホット・キャリヤの注入に依る素子特性の変
動、ストレス誘起リーク電流、ｐ−ＭＯＳではボロン抜
けなどの問題が起こり、ゲート酸化膜を薄膜にして素子
を高速化することが困難であった。
於いては、ホット・キャリヤの注入に依る素子特性の変
動、ストレス誘起リーク電流、ｐ−ＭＯＳではボロン抜
けなどの問題が起こり、ゲート酸化膜を薄膜にして素子
を高速化することが困難であった。
【０００４】そこで、シリコン酸窒化膜と呼ばれ、シリ
コン酸化膜に少量の窒素を含有させた絶縁膜が研究され
ている。
コン酸化膜に少量の窒素を含有させた絶縁膜が研究され
ている。
【０００５】従来の技術に依るシリコン酸窒化膜の形成
工程を説明すると次の通りである。 （Ａ） ＨＦ／Ｈ2 Ｏ→流水→ＮＨ4 ＯＨ／Ｈ2 Ｏ2 ／
Ｈ2 Ｏ→流水、の順序でシリコン・ウエハを溶液洗浄す
る。
工程を説明すると次の通りである。 （Ａ） ＨＦ／Ｈ2 Ｏ→流水→ＮＨ4 ＯＨ／Ｈ2 Ｏ2 ／
Ｈ2 Ｏ→流水、の順序でシリコン・ウエハを溶液洗浄す
る。
【０００６】（Ｂ） シリコン・ウエハを減圧式熱処理
装置（酸化炉）中にセットし、温度を８００〔℃〕、全
圧を２００〔Ｔｏｒｒ〕に維持しつつ、流量を３〔リッ
トル／分〕として酸素ガスを流入させ、時間４０〔分〕
の熱酸化処理を行う。
装置（酸化炉）中にセットし、温度を８００〔℃〕、全
圧を２００〔Ｔｏｒｒ〕に維持しつつ、流量を３〔リッ
トル／分〕として酸素ガスを流入させ、時間４０〔分〕
の熱酸化処理を行う。
【０００７】（Ｃ） シリコン・ウエハ上に熱酸化二酸
化シリコン膜を形成した後、酸素ガスの流入を停止する
と同時に流量を３〔リットル／分〕としてアルゴン・ガ
スを流入させ、また、１０〔℃／分〕の割合で温度を９
００〔℃〕まで昇温する。
化シリコン膜を形成した後、酸素ガスの流入を停止する
と同時に流量を３〔リットル／分〕としてアルゴン・ガ
スを流入させ、また、１０〔℃／分〕の割合で温度を９
００〔℃〕まで昇温する。
【０００８】（Ｄ） 温度を９００〔℃〕に昇温後、ア
ルゴン・ガスからＮ2 Ｏガスに切り替えて３０〔分〕間
の酸窒化処理を行う。尚、この場合のＮ2 Ｏガスの流量
は、３〔リットル／分〕である。
ルゴン・ガスからＮ2 Ｏガスに切り替えて３０〔分〕間
の酸窒化処理を行う。尚、この場合のＮ2 Ｏガスの流量
は、３〔リットル／分〕である。
【０００９】（Ｅ） 導入ガスを流量３〔リットル／
分〕のアルゴンのみに切り替え、７〔℃／分〕の割合で
降温しながら、装置内のＮ2 Ｏガスをパージする。
分〕のアルゴンのみに切り替え、７〔℃／分〕の割合で
降温しながら、装置内のＮ2 Ｏガスをパージする。
【００１０】前記のようにして、シリコン・ウエハ上に
は膜厚が約５〔ｎｍ〕のシリコン酸窒化膜が生成される
のであるが、この従来の技術に依って得られたシリコン
酸窒化膜には、固定電荷が増加したり、界面準位密度が
増加するなどして、キャリヤ易動度が低下する旨の問題
が起こり、この点では高速化に対しては不利となり、従
って、信頼性の維持と高速化とを同時に実現することは
困難である。
は膜厚が約５〔ｎｍ〕のシリコン酸窒化膜が生成される
のであるが、この従来の技術に依って得られたシリコン
酸窒化膜には、固定電荷が増加したり、界面準位密度が
増加するなどして、キャリヤ易動度が低下する旨の問題
が起こり、この点では高速化に対しては不利となり、従
って、信頼性の維持と高速化とを同時に実現することは
困難である。
【００１１】また、フラッシュ・メモリは、電源を切っ
ても情報が残り、１００万回以上の書き換えが可能であ
り、しかも、大容量化に適しているので、現在、急速に
多用化されつつある。
ても情報が残り、１００万回以上の書き換えが可能であ
り、しかも、大容量化に適しているので、現在、急速に
多用化されつつある。
【００１２】このフラッシュ・メモリでは、基板とフロ
ーティング・ゲートとの間にトンネル酸化膜と呼ばれる
厚さ１０〔ｎｍ〕程度のシリコン酸化膜を介在させてあ
り、このトンネル酸化膜の信頼性は、即、フラッシュ・
メモリの信頼性である為、このトンネル酸化膜の絶縁破
壊寿命、電荷トラップ量、ストレス誘起リーク電流など
の電気的信頼性を向上させなくてはならない。
ーティング・ゲートとの間にトンネル酸化膜と呼ばれる
厚さ１０〔ｎｍ〕程度のシリコン酸化膜を介在させてあ
り、このトンネル酸化膜の信頼性は、即、フラッシュ・
メモリの信頼性である為、このトンネル酸化膜の絶縁破
壊寿命、電荷トラップ量、ストレス誘起リーク電流など
の電気的信頼性を向上させなくてはならない。
【００１３】然しながら、素子を高速化する為、トンネ
ル酸化膜を薄膜化した場合、電気的信頼性が大幅に劣化
するので、この場合も信頼性の維持と高速化とを両立さ
せることは困難である。
ル酸化膜を薄膜化した場合、電気的信頼性が大幅に劣化
するので、この場合も信頼性の維持と高速化とを両立さ
せることは困難である。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明では、ＣＭＯＳ
トランジスタのゲート絶縁膜やフラッシュ・メモリのト
ンネル酸化膜などに用いるシリコン酸窒化膜を薄膜化
し、しかも、界面準位密度の増加やキャリヤ易動度の劣
化などを抑制しつつストレス耐性を確保できるようにし
て信頼性を向上させる。
トランジスタのゲート絶縁膜やフラッシュ・メモリのト
ンネル酸化膜などに用いるシリコン酸窒化膜を薄膜化
し、しかも、界面準位密度の増加やキャリヤ易動度の劣
化などを抑制しつつストレス耐性を確保できるようにし
て信頼性を向上させる。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、信頼性と素
子高速化とを両立させる為、絶縁膜、特にシリコン及び
酸素及び窒素を含む絶縁膜の成膜条件について種々な実
験を行い、且つ、得られた絶縁膜について、構造、即
ち、各元素の存在状態及び結合状態について光電子分光
法（Ｘ−ｒａｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅ
ｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＸＰＳ）で分析した。
子高速化とを両立させる為、絶縁膜、特にシリコン及び
酸素及び窒素を含む絶縁膜の成膜条件について種々な実
験を行い、且つ、得られた絶縁膜について、構造、即
ち、各元素の存在状態及び結合状態について光電子分光
法（Ｘ−ｒａｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅ
ｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＸＰＳ）で分析した。
【００１６】シリコン酸窒化膜の場合、窒素１ｓピーク
の状態を分析した結果、窒素の結合状態とその存在位置
の違いが信頼性及び薄膜化即ち素子高速化に係わる電気
特性に密接な関連をもつことが判った。
の状態を分析した結果、窒素の結合状態とその存在位置
の違いが信頼性及び薄膜化即ち素子高速化に係わる電気
特性に密接な関連をもつことが判った。
【００１７】本発明では、シリコン及び酸素及び窒素を
含む絶縁膜であって、光電子分光法（Ｘ−ｒａｙ ｐｈ
ｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：
ＸＰＳ）で分析した場合、炭素１ｓピーク位置で帯電補
正して得られる窒素１ｓピーク位置が、同じく帯電補正
したＳｉ3 Ｎ4 結晶から得られる窒素１ｓピーク位置と
同じ位置に存在するように窒素を基体との界面及びその
近傍に局在させることが基本になっている。
含む絶縁膜であって、光電子分光法（Ｘ−ｒａｙ ｐｈ
ｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：
ＸＰＳ）で分析した場合、炭素１ｓピーク位置で帯電補
正して得られる窒素１ｓピーク位置が、同じく帯電補正
したＳｉ3 Ｎ4 結晶から得られる窒素１ｓピーク位置と
同じ位置に存在するように窒素を基体との界面及びその
近傍に局在させることが基本になっている。
【００１８】図１（Ａ）は本発明に依って得られた９０
０〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜、即ち、ドライ熱酸化膜を９０
０〔℃〕のＮＯガスを含む雰囲気中で熱処理した酸窒化
膜に於いて、基体表面から５〔ｎｍ〕の部分についてＸ
ＰＳ測定した場合の窒素１ｓスペクトルを表し、この窒
素１ｓピークは、３９８〔ｅＶ〕付近に存在し、そし
て、その半値幅は１．５〔ｅＶ〕以下である。
０〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜、即ち、ドライ熱酸化膜を９０
０〔℃〕のＮＯガスを含む雰囲気中で熱処理した酸窒化
膜に於いて、基体表面から５〔ｎｍ〕の部分についてＸ
ＰＳ測定した場合の窒素１ｓスペクトルを表し、この窒
素１ｓピークは、３９８〔ｅＶ〕付近に存在し、そし
て、その半値幅は１．５〔ｅＶ〕以下である。
【００１９】図１（Ｂ）は従来の技術に依って得られた
９００〔℃〕−Ｎ2 Ｏ酸窒化膜、即ち、ドライ熱酸化膜
を９００〔℃〕のＮ2 Ｏガスを含む雰囲気中で熱処理し
た酸窒化膜に於いて、基板表面から５〔ｎｍ〕の部分に
ついてＸＰＳ測定した場合の窒素１ｓスペクトルを表
し、その窒素１ｓピークは、３９９〔ｅＶ〕付近に存在
している。
９００〔℃〕−Ｎ2 Ｏ酸窒化膜、即ち、ドライ熱酸化膜
を９００〔℃〕のＮ2 Ｏガスを含む雰囲気中で熱処理し
た酸窒化膜に於いて、基板表面から５〔ｎｍ〕の部分に
ついてＸＰＳ測定した場合の窒素１ｓスペクトルを表
し、その窒素１ｓピークは、３９９〔ｅＶ〕付近に存在
している。
【００２０】図１（Ａ）及び（Ｂ）の何れの場合に於い
ても、結合エネルギは、炭素１ｓピークを２８５〔ｅ
Ｖ〕として補正したエネルギである。
ても、結合エネルギは、炭素１ｓピークを２８５〔ｅ
Ｖ〕として補正したエネルギである。
【００２１】各図から明らかなように、本発明に依る９
００〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜と従来の技術に依る９００
〔℃〕−Ｎ2 Ｏ酸窒化膜とではピーク位置が異なってい
て、窒素の結合状態と存在位置が相違していることを窺
知できる。
００〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜と従来の技術に依る９００
〔℃〕−Ｎ2 Ｏ酸窒化膜とではピーク位置が異なってい
て、窒素の結合状態と存在位置が相違していることを窺
知できる。
【００２２】図１（Ａ）及び（Ｂ）のデータを検討した
結果、窒素１ｓピークがＳｉ3 Ｎ4結晶の窒素１ｓピー
クと同じ位置、即ち、約３９８〔ｅＶ〕に存在すること
は、窒素の結合状態がＳｉ3 Ｎ4 結晶に於けるシリコン
−窒素結合と似た状態にあって、窒素と酸素との結合は
なく、且つ、それは基体との界面及びその近傍に存在す
ることが知得された。
結果、窒素１ｓピークがＳｉ3 Ｎ4結晶の窒素１ｓピー
クと同じ位置、即ち、約３９８〔ｅＶ〕に存在すること
は、窒素の結合状態がＳｉ3 Ｎ4 結晶に於けるシリコン
−窒素結合と似た状態にあって、窒素と酸素との結合は
なく、且つ、それは基体との界面及びその近傍に存在す
ることが知得された。
【００２３】前記構造及び結合状態に在る窒素を含有す
る絶縁膜をゲート絶縁膜やトンネル酸化膜として用いる
ことに依り、フラッシュ・メモリや電界効果トランジス
タの電気的特性を向上させることができる。
る絶縁膜をゲート絶縁膜やトンネル酸化膜として用いる
ことに依り、フラッシュ・メモリや電界効果トランジス
タの電気的特性を向上させることができる。
【００２４】ここで、窒素１ｓピークの位置は、Ｓｉ3
Ｎ4 結晶から得られる窒素１ｓピークの位置と同じ位置
のみに存在することが特に好ましく、それ以外の位置に
窒素１ｓピークが存在した場合、結合状態を異にする窒
素が存在したり、或いは、窒素が基体と絶縁膜との界面
以外の部分にも存在することとなり、その場合には、界
面準位が増加するなど、従来の絶縁膜と同じような特性
になってしまう。
Ｎ4 結晶から得られる窒素１ｓピークの位置と同じ位置
のみに存在することが特に好ましく、それ以外の位置に
窒素１ｓピークが存在した場合、結合状態を異にする窒
素が存在したり、或いは、窒素が基体と絶縁膜との界面
以外の部分にも存在することとなり、その場合には、界
面準位が増加するなど、従来の絶縁膜と同じような特性
になってしまう。
【００２５】また、窒素１ｓピークの位置がＳｉ3 Ｎ4
結晶から得られる窒素１ｓピークの位置と同じ位置のみ
に存在すると共に半値幅が１．５〔ｅＶ〕以下であるこ
とが特に好ましく、これに依って、窒素が基体と絶縁膜
との界面近傍に局在していることが明確に知得できる。
結晶から得られる窒素１ｓピークの位置と同じ位置のみ
に存在すると共に半値幅が１．５〔ｅＶ〕以下であるこ
とが特に好ましく、これに依って、窒素が基体と絶縁膜
との界面近傍に局在していることが明確に知得できる。
【００２６】図１（Ｃ）は、本発明を成すに際して行っ
た実験の中の一つの結果を示すものであって、ドライ熱
酸化膜を８００〔℃〕のＮＯガスを含む雰囲気中で熱処
理した酸窒化膜、即ち、８００〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜に
於いて、基体表面から５〔ｎｍ〕の部分についてＸＰＳ
測定した場合の窒素１ｓスペクトルを表し、窒素１ｓピ
ークは、３９８〔ｅＶ〕付近と３９９〔ｅＶ〕付近の両
方に存在している。
た実験の中の一つの結果を示すものであって、ドライ熱
酸化膜を８００〔℃〕のＮＯガスを含む雰囲気中で熱処
理した酸窒化膜、即ち、８００〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜に
於いて、基体表面から５〔ｎｍ〕の部分についてＸＰＳ
測定した場合の窒素１ｓスペクトルを表し、窒素１ｓピ
ークは、３９８〔ｅＶ〕付近と３９９〔ｅＶ〕付近の両
方に存在している。
【００２７】このように、低温のＮＯガス雰囲気中で熱
処理した場合、酸窒化膜に於ける窒素１ｓピークは複数
現れるが、このような場合には、Ｓｉ3 Ｎ4 結晶の窒素
１ｓピークと同じ位置、即ち、約３９８〔ｅＶ〕に存在
する窒素１ｓのピークである第１のピークと、それ以外
の位置に存在する第２のピークなどの各ピークを半値幅
１．５〔ｅＶ〕以下のピークとして分離し、それぞれの
ピークの相対量を比較し、第１のピークが第２のピーク
など他の何れのピークよりも大きければ、前記図１
（Ａ）について説明した絶縁膜よりも性能は低くなるも
のの、従来の絶縁膜に比較すれば電気的特性は良好なの
であるが、温度９００〔℃〕の熱処理が半導体装置に於
ける他の部分に格別の悪影響がない場合には、図１
（Ａ）の結果が得られる熱処理を施した方が好ましい。
処理した場合、酸窒化膜に於ける窒素１ｓピークは複数
現れるが、このような場合には、Ｓｉ3 Ｎ4 結晶の窒素
１ｓピークと同じ位置、即ち、約３９８〔ｅＶ〕に存在
する窒素１ｓのピークである第１のピークと、それ以外
の位置に存在する第２のピークなどの各ピークを半値幅
１．５〔ｅＶ〕以下のピークとして分離し、それぞれの
ピークの相対量を比較し、第１のピークが第２のピーク
など他の何れのピークよりも大きければ、前記図１
（Ａ）について説明した絶縁膜よりも性能は低くなるも
のの、従来の絶縁膜に比較すれば電気的特性は良好なの
であるが、温度９００〔℃〕の熱処理が半導体装置に於
ける他の部分に格別の悪影響がない場合には、図１
（Ａ）の結果が得られる熱処理を施した方が好ましい。
【００２８】前記何れの場合も、要は、絶縁膜に於ける
窒素が基体と絶縁膜との界面近傍の領域に局在している
構成にすることで電気的特性が良好となるものであり、
窒素が前記界面近傍の極薄い領域に局在していること
は、ＸＰＳ測定に於いて、光電子取り出し角を若干変え
ても、窒素１ｓピーク位置がＳｉ3 Ｎ4 結晶の窒素１ｓ
ピーク位置を維持していることから判断される。
窒素が基体と絶縁膜との界面近傍の領域に局在している
構成にすることで電気的特性が良好となるものであり、
窒素が前記界面近傍の極薄い領域に局在していること
は、ＸＰＳ測定に於いて、光電子取り出し角を若干変え
ても、窒素１ｓピーク位置がＳｉ3 Ｎ4 結晶の窒素１ｓ
ピーク位置を維持していることから判断される。
【００２９】このようなことは、ＸＰＳ分析及び絶縁膜
のエッチング薄膜化を繰り返すことで実験的に確認する
ことができ、絶縁膜中に於ける窒素の９０〔％〕以上が
界面近傍の５〔Å〕以内に局在していることを容易に判
定することができる。
のエッチング薄膜化を繰り返すことで実験的に確認する
ことができ、絶縁膜中に於ける窒素の９０〔％〕以上が
界面近傍の５〔Å〕以内に局在していることを容易に判
定することができる。
【００３０】前記したところから、本発明に依る絶縁膜
に於いては、 （ａ）基体（例えばシリコンからなるウエハや基板）表
面上に形成されて少なくともシリコン及び酸素及び窒素
を含む材料（例えばシリコン酸窒化膜を構成できる材
料）からなり且つ光電子分光法に依る分析及び炭素１ｓ
ピーク位置に依る帯電補正を行って得られる窒素１ｓピ
ークが同じく帯電補正したＳｉ3 Ｎ4 結晶の窒素１ｓピ
ーク位置と同じ位置に現れる材料からなる領域が前記基
体との界面及びその近傍（例えば界面から約５〔Å〕程
度）にあることを特徴とするか、或いは、
に於いては、 （ａ）基体（例えばシリコンからなるウエハや基板）表
面上に形成されて少なくともシリコン及び酸素及び窒素
を含む材料（例えばシリコン酸窒化膜を構成できる材
料）からなり且つ光電子分光法に依る分析及び炭素１ｓ
ピーク位置に依る帯電補正を行って得られる窒素１ｓピ
ークが同じく帯電補正したＳｉ3 Ｎ4 結晶の窒素１ｓピ
ーク位置と同じ位置に現れる材料からなる領域が前記基
体との界面及びその近傍（例えば界面から約５〔Å〕程
度）にあることを特徴とするか、或いは、
【００３１】（ｂ）前記（ａ）に於いて、前記基体との
界面及びその近傍にある前記領域を電子分光法で分析し
た場合に得られる窒素１ｓピーク位置がＳｉ3 Ｎ4 結晶
から得られる窒素１ｓピークと同じ位置のみに存在する
ことを特徴とするか、或いは、
界面及びその近傍にある前記領域を電子分光法で分析し
た場合に得られる窒素１ｓピーク位置がＳｉ3 Ｎ4 結晶
から得られる窒素１ｓピークと同じ位置のみに存在する
ことを特徴とするか、或いは、
【００３２】（ｃ）前記（ａ）又は（ｂ）に於いて、前
記基体との界面及びその近傍にある前記領域は電子分光
法で分析した場合に得られる窒素１ｓピーク位置が光電
子取り出し角を変化させても変化しない範囲の厚さであ
ることを特徴とする。
記基体との界面及びその近傍にある前記領域は電子分光
法で分析した場合に得られる窒素１ｓピーク位置が光電
子取り出し角を変化させても変化しない範囲の厚さであ
ることを特徴とする。
【００３３】前記手段を採ることに依り、シリコン及び
酸素及び窒素を含む絶縁膜であっても、界面準位の増加
やキャリヤ易動度の劣化を抑制することが可能となり、
信頼性の向上と薄膜化即ち素子高速化を同時に達成する
ことができ、半導体装置の性能を高めることができる。
酸素及び窒素を含む絶縁膜であっても、界面準位の増加
やキャリヤ易動度の劣化を抑制することが可能となり、
信頼性の向上と薄膜化即ち素子高速化を同時に達成する
ことができ、半導体装置の性能を高めることができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】本発明に依る絶縁膜を作成する工
程について説明すると次の通りである。 （１） 例えば、ＨＦ／Ｈ2 Ｏ→流水→ＮＨ4 ＯＨ／Ｈ
2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏ→流水、の順序でシリコン・ウエハを溶
液洗浄するが、これは、シリコン・ウエハの清浄なシリ
コン面が表出されるか、或いは、薄い自然酸化膜で覆わ
れた状態になれば良く、特定の洗浄を行う必要はない。
程について説明すると次の通りである。 （１） 例えば、ＨＦ／Ｈ2 Ｏ→流水→ＮＨ4 ＯＨ／Ｈ
2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏ→流水、の順序でシリコン・ウエハを溶
液洗浄するが、これは、シリコン・ウエハの清浄なシリ
コン面が表出されるか、或いは、薄い自然酸化膜で覆わ
れた状態になれば良く、特定の洗浄を行う必要はない。
【００３５】（２） シリコン・ウエハを減圧式熱処理
装置（酸化炉）中にセットし、温度を８００〔℃〕、全
圧を２００〔Ｔｏｒｒ〕に維持しつつ、流量を３〔リッ
トル／分〕として酸素ガスを流入させ、時間９０〔分〕
の熱酸化処理を行う。
装置（酸化炉）中にセットし、温度を８００〔℃〕、全
圧を２００〔Ｔｏｒｒ〕に維持しつつ、流量を３〔リッ
トル／分〕として酸素ガスを流入させ、時間９０〔分〕
の熱酸化処理を行う。
【００３６】（３） シリコン・ウエハ上に熱酸化二酸
化シリコン膜を形成した後、酸素ガスの流入を停止する
と同時に流量を３〔リットル／分〕としてアルゴン・ガ
スを流入させ、また、１０〔℃／分〕の割合で温度を９
００〔℃〕まで昇温する。尚、ここで用いたアルゴン・
ガスは、他の不活性ガス、例えば窒素ガス、ヘリウム・
ガス、ネオン・ガスなどに代替して良い。
化シリコン膜を形成した後、酸素ガスの流入を停止する
と同時に流量を３〔リットル／分〕としてアルゴン・ガ
スを流入させ、また、１０〔℃／分〕の割合で温度を９
００〔℃〕まで昇温する。尚、ここで用いたアルゴン・
ガスは、他の不活性ガス、例えば窒素ガス、ヘリウム・
ガス、ネオン・ガスなどに代替して良い。
【００３７】（４） 温度を９００〔℃〕に昇温後、Ｎ
Ｏとアルゴン・ガスを同時に導入して１２〔分〕間の酸
窒化処理を行う。尚、この場合の各ガスの流量は、Ｎ
Ｏ：０．６〔リットル／分〕、アルゴン：２．４〔リッ
トル／分〕とした。
Ｏとアルゴン・ガスを同時に導入して１２〔分〕間の酸
窒化処理を行う。尚、この場合の各ガスの流量は、Ｎ
Ｏ：０．６〔リットル／分〕、アルゴン：２．４〔リッ
トル／分〕とした。
【００３８】（５） 導入ガスを流量３〔リットル／
分〕のアルゴンのみに切り替え、７〔℃／分〕の割合で
降温しながら、装置内のＮＯガスをパージする。
分〕のアルゴンのみに切り替え、７〔℃／分〕の割合で
降温しながら、装置内のＮＯガスをパージする。
【００３９】前記説明した工程を経て作成された厚さ約
５〔ｎｍ〕（エリプソメトリに依る値）の酸窒化膜から
なる絶縁膜についてＸＰＳ測定を行って得られたデータ
は本発明の原理を説明する為に用いた図１（Ａ）の線図
に見られる通りであって、図から明らかなように、窒素
１ｓピークは３９８〔ｅＶ〕付近に存在する。
５〔ｎｍ〕（エリプソメトリに依る値）の酸窒化膜から
なる絶縁膜についてＸＰＳ測定を行って得られたデータ
は本発明の原理を説明する為に用いた図１（Ａ）の線図
に見られる通りであって、図から明らかなように、窒素
１ｓピークは３９８〔ｅＶ〕付近に存在する。
【００４０】図２はホットキャリヤ耐性を表す線図であ
り、横軸に基板電流／ゲート幅〔Ａ／μｍ〕を、縦軸に
デバイス寿命〔秒〕をそれぞれ採ってある。
り、横軸に基板電流／ゲート幅〔Ａ／μｍ〕を、縦軸に
デバイス寿命〔秒〕をそれぞれ採ってある。
【００４１】図からすると、ホットキャリヤ寿命は、９
００〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜＞８００〔℃〕−ＮＯ酸窒化
膜≒９００〔℃〕−Ｎ2 Ｏ酸窒化膜＞シリコン酸化膜、
の順になっていて、９００〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜の信頼
性が最も高いことが看取される。
００〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜＞８００〔℃〕−ＮＯ酸窒化
膜≒９００〔℃〕−Ｎ2 Ｏ酸窒化膜＞シリコン酸化膜、
の順になっていて、９００〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜の信頼
性が最も高いことが看取される。
【００４２】図３は界面準位密度の窒素濃度依存性を表
す線図であり、横軸にピーク窒素濃度〔％〕を、縦軸に
界面準位密度〔cm-2〕をそれぞれ採ってある。
す線図であり、横軸にピーク窒素濃度〔％〕を、縦軸に
界面準位密度〔cm-2〕をそれぞれ採ってある。
【００４３】図３に依れば、界面準位密度は窒素濃度に
も依存するが、概ね９００〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜＜８０
０〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜≒シリコン酸化膜＜９００
〔℃〕−Ｎ2 Ｏ酸窒化膜の順に少なくなっていて、９０
０〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜の界面特性が最も良好である。
も依存するが、概ね９００〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜＜８０
０〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜≒シリコン酸化膜＜９００
〔℃〕−Ｎ2 Ｏ酸窒化膜の順に少なくなっていて、９０
０〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜の界面特性が最も良好である。
【００４４】前記結果から判るように、窒素１ｓピーク
が３９８〔ｅＶ〕付近に存在する絶縁膜を用いること
で、高いストレス耐性と低い界面準位密度を両立させる
ことができ、そして、特に窒素１ｓピークが３９８〔ｅ
Ｖ〕付近のみに存在する絶縁膜が優れていることが認識
できる。
が３９８〔ｅＶ〕付近に存在する絶縁膜を用いること
で、高いストレス耐性と低い界面準位密度を両立させる
ことができ、そして、特に窒素１ｓピークが３９８〔ｅ
Ｖ〕付近のみに存在する絶縁膜が優れていることが認識
できる。
【００４５】前記実施の形態に於ける諸データは、基体
表面から厚さ約５〔ｎｍ〕の部分をＸＰＳ測定し、光電
子取り出し角９０°で分析した情報に基づいていて、こ
のようにする理由は、基体表面からごく近い部分に於け
る差異が重要であることに依る。
表面から厚さ約５〔ｎｍ〕の部分をＸＰＳ測定し、光電
子取り出し角９０°で分析した情報に基づいていて、こ
のようにする理由は、基体表面からごく近い部分に於け
る差異が重要であることに依る。
【００４６】例えば、基体表面から厚さ１０〔ｎｍ〕の
部分に於いては、分析感度の問題から、従来の絶縁膜の
構造との差異を観察できない場合がある。
部分に於いては、分析感度の問題から、従来の絶縁膜の
構造との差異を観察できない場合がある。
【００４７】また、光電子取り出し角は、絶縁膜の膜厚
に対応して設定しなければならず、これは、絶縁膜を主
に分析する為であって、例えば薄膜の場合、基体からの
光電子量が増加し、相対的に絶縁膜の分析感度が低下す
るので、光電子取り出し角は小さくしなければならな
い。
に対応して設定しなければならず、これは、絶縁膜を主
に分析する為であって、例えば薄膜の場合、基体からの
光電子量が増加し、相対的に絶縁膜の分析感度が低下す
るので、光電子取り出し角は小さくしなければならな
い。
【００４８】図４は窒素１ｓピークに於ける結合エネル
ギの光電子取り出し角に対する依存性を表す線図であ
り、横軸に光電子取り出し角〔度〕を、縦軸に窒素１ｓ
の結合エネルギ〔ｅＶ〕をそれぞれ採ってある。
ギの光電子取り出し角に対する依存性を表す線図であ
り、横軸に光電子取り出し角〔度〕を、縦軸に窒素１ｓ
の結合エネルギ〔ｅＶ〕をそれぞれ採ってある。
【００４９】図４（Ａ）は９００〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜
を分析した結果を表し、図４（Ｂ）は８００〔℃〕−Ｎ
Ｏ酸窒化膜を分析した結果を表していて、このようにし
た理由は、図１（Ｃ）から明らかであるが、８００
〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜は、３９８〔ｅＶ〕付近及び３９
９〔ｅＶ〕付近にピークが見られので、それ等のピーク
を分離し、二つのピークそれぞれの依存性を示した。
を分析した結果を表し、図４（Ｂ）は８００〔℃〕−Ｎ
Ｏ酸窒化膜を分析した結果を表していて、このようにし
た理由は、図１（Ｃ）から明らかであるが、８００
〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜は、３９８〔ｅＶ〕付近及び３９
９〔ｅＶ〕付近にピークが見られので、それ等のピーク
を分離し、二つのピークそれぞれの依存性を示した。
【００５０】図４（Ａ）及び（Ｂ）からすると、３９８
〔ｅＶ〕付近に在るピークの結合エネルギは光電子取り
出し角に依存することなく一定であり、そして、３９９
〔ｅＶ〕以上のピークは光電子取り出し角が大きくなる
につれて結合エネルギが小さくなっていて、基体から離
れた絶縁膜中に窒素が存在することを示唆している。
〔ｅＶ〕付近に在るピークの結合エネルギは光電子取り
出し角に依存することなく一定であり、そして、３９９
〔ｅＶ〕以上のピークは光電子取り出し角が大きくなる
につれて結合エネルギが小さくなっていて、基体から離
れた絶縁膜中に窒素が存在することを示唆している。
【００５１】図５は窒素１ｓピークに於ける結合エネル
ギの絶縁膜の膜厚に対する依存性を表す線図であり、横
軸に絶縁膜の膜厚〔ｎｍ〕を、縦軸に窒素１ｓの結合エ
ネルギ〔ｅＶ〕をそれぞれ採ってある。
ギの絶縁膜の膜厚に対する依存性を表す線図であり、横
軸に絶縁膜の膜厚〔ｎｍ〕を、縦軸に窒素１ｓの結合エ
ネルギ〔ｅＶ〕をそれぞれ採ってある。
【００５２】図５（Ａ）は９００〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜
を分析した結果を表し、図５（Ｂ）は８００〔℃〕−Ｎ
Ｏ酸窒化膜を分析した結果を表していて、このようにし
た理由は、前記説明した図４の場合と全く同じである。
を分析した結果を表し、図５（Ｂ）は８００〔℃〕−Ｎ
Ｏ酸窒化膜を分析した結果を表していて、このようにし
た理由は、前記説明した図４の場合と全く同じである。
【００５３】図５（Ａ）及び（Ｂ）からすると、３９８
〔ｅＶ〕付近に在るピークの結合エネルギは絶縁膜の膜
厚に依存することなく一定であり、そして、３９９〔ｅ
Ｖ〕以上のピークは絶縁膜が厚くなるにつれて結合エネ
ルギが大きくなっていて、基体から離れた絶縁膜中に窒
素が存在することを示唆している。尚、この現象はチャ
ージ・シフトと呼ばれている。
〔ｅＶ〕付近に在るピークの結合エネルギは絶縁膜の膜
厚に依存することなく一定であり、そして、３９９〔ｅ
Ｖ〕以上のピークは絶縁膜が厚くなるにつれて結合エネ
ルギが大きくなっていて、基体から離れた絶縁膜中に窒
素が存在することを示唆している。尚、この現象はチャ
ージ・シフトと呼ばれている。
【００５４】図２乃至図５及び関連する説明から、窒素
１ｓのピーク位置が光電子取り出し角や絶縁膜の膜厚に
依存しない絶縁膜の構造にすることで、従来の絶縁膜に
比較して電気的特性は向上し、特に、絶縁膜中の窒素が
基体と絶縁膜との界面付近のみに存在し、界面から離れ
た絶縁膜中には存在しない構造にすることで、従来の絶
縁膜に比較して電気的特性は向上可能であることが理解
されよう。
１ｓのピーク位置が光電子取り出し角や絶縁膜の膜厚に
依存しない絶縁膜の構造にすることで、従来の絶縁膜に
比較して電気的特性は向上し、特に、絶縁膜中の窒素が
基体と絶縁膜との界面付近のみに存在し、界面から離れ
た絶縁膜中には存在しない構造にすることで、従来の絶
縁膜に比較して電気的特性は向上可能であることが理解
されよう。
【００５５】本発明者は、前記説明した絶縁膜をゲート
絶縁膜とするｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（ｍｅｔａｌ ｓ
ｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ
ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を作成したところ、高速動作
し且つ寿命が長いものが得られている。
絶縁膜とするｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（ｍｅｔａｌ ｓ
ｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ
ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を作成したところ、高速動作
し且つ寿命が長いものが得られている。
【００５６】その作成には、通常の技法が適用され、例
えば、 化学気相堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法の適用に依る絶縁膜上
への多結晶シリコン膜の形成。 イオン注入法の適用に依る多結晶シリコン膜への燐
イオンの打ち込み。 リソグラフィ技術の適用に依るゲートの形成。 ゲートをマスクとするイオン注入法の適用に依るＬ
ＤＤ（ｌｉｇｈｔｌｙｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）構造の
低不純物濃度ソース領域及びドレイン領域の形成。 ＣＶＤ法の適用に依る二酸化シリコン膜の形成、及
び、ドライ・エッチング法を適用した二酸化シリコン膜
の異方性エッチングに依るサイド・ウォールの形成。 ゲート及びサイド・ウォールをマスクとするイオン
注入法の適用に依るＬＤＤ構造の高不純物濃度ソース領
域及びドレイン領域の形成。 この後、層間絶縁膜の形成、電極コンタクト窓の形
成、電極配線の形成。などの工程を経る。
えば、 化学気相堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法の適用に依る絶縁膜上
への多結晶シリコン膜の形成。 イオン注入法の適用に依る多結晶シリコン膜への燐
イオンの打ち込み。 リソグラフィ技術の適用に依るゲートの形成。 ゲートをマスクとするイオン注入法の適用に依るＬ
ＤＤ（ｌｉｇｈｔｌｙｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）構造の
低不純物濃度ソース領域及びドレイン領域の形成。 ＣＶＤ法の適用に依る二酸化シリコン膜の形成、及
び、ドライ・エッチング法を適用した二酸化シリコン膜
の異方性エッチングに依るサイド・ウォールの形成。 ゲート及びサイド・ウォールをマスクとするイオン
注入法の適用に依るＬＤＤ構造の高不純物濃度ソース領
域及びドレイン領域の形成。 この後、層間絶縁膜の形成、電極コンタクト窓の形
成、電極配線の形成。などの工程を経る。
【００５７】ここで、参考の為、図１（Ｃ）に見られる
８００〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜を作成する工程について説
明する。
８００〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜を作成する工程について説
明する。
【００５８】この場合、シリコン・ウエハ上に熱酸化二
酸化シリコン膜を形成するまでの工程、即ち、図１
（Ａ）に見られる９００〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜を作成す
る工程である前記（１）〜（２）までの工程は全く同じ
であるから、その後の（３）以下に相当する工程につい
て説明する。
酸化シリコン膜を形成するまでの工程、即ち、図１
（Ａ）に見られる９００〔℃〕−ＮＯ酸窒化膜を作成す
る工程である前記（１）〜（２）までの工程は全く同じ
であるから、その後の（３）以下に相当する工程につい
て説明する。
【００５９】（３Ａ） 温度を８００〔℃〕としてシリ
コン・ウエハ上に熱酸化二酸化シリコン膜を形成した
後、そのままの温度を維持した状態で、酸素ガスの流入
を停止すると同時に流量を１．８〔リットル／分〕とし
てＮＯガスを、そして、流量を１．２〔リットル／分〕
としてアルゴン・ガスを同時に流入させ、２０〔分〕間
の酸窒化処理を行う。
コン・ウエハ上に熱酸化二酸化シリコン膜を形成した
後、そのままの温度を維持した状態で、酸素ガスの流入
を停止すると同時に流量を１．８〔リットル／分〕とし
てＮＯガスを、そして、流量を１．２〔リットル／分〕
としてアルゴン・ガスを同時に流入させ、２０〔分〕間
の酸窒化処理を行う。
【００６０】（４Ａ） 導入ガスを流量３〔リットル／
分〕のアルゴンのみに切り替えて、７〔℃／分〕の割合
で降温しながら、装置内のＮＯガスをパージする。
分〕のアルゴンのみに切り替えて、７〔℃／分〕の割合
で降温しながら、装置内のＮＯガスをパージする。
【００６１】本発明に於いては、前記説明した実施の形
態に限られず、特許請求の範囲に記載した発明の構成要
件を逸脱しない範囲で多くの改変を実現することができ
る。
態に限られず、特許請求の範囲に記載した発明の構成要
件を逸脱しない範囲で多くの改変を実現することができ
る。
【００６２】例えば、本発明に依る絶縁膜の下地として
は、単結晶シリコンのみならず、例えば多結晶シリコ
ン、アモルファス・シリコンを用いても良く、また、そ
れ等シリコンをＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓ
ｕｌａｔｏｒ）として形成するなどは任意である。
は、単結晶シリコンのみならず、例えば多結晶シリコ
ン、アモルファス・シリコンを用いても良く、また、そ
れ等シリコンをＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓ
ｕｌａｔｏｒ）として形成するなどは任意である。
【００６３】
【発明の効果】本発明に依る絶縁膜に於いては、少なく
ともシリコン及び酸素及び窒素を含む材料からなり且つ
光電子分光法に依る分析及び炭素１ｓピーク位置で帯電
補正して得られる窒素１ｓピークが同じく帯電補正した
Ｓｉ3 Ｎ4 結晶の窒素１ｓピークと同じ位置に現れる材
料からなる領域が基体との界面及びその近傍にある。
ともシリコン及び酸素及び窒素を含む材料からなり且つ
光電子分光法に依る分析及び炭素１ｓピーク位置で帯電
補正して得られる窒素１ｓピークが同じく帯電補正した
Ｓｉ3 Ｎ4 結晶の窒素１ｓピークと同じ位置に現れる材
料からなる領域が基体との界面及びその近傍にある。
【００６４】前記構成を採ることに依り、シリコン及び
酸素及び窒素を含む絶縁膜であっても、界面準位の増加
やキャリヤ易動度の劣化を抑制することが可能となり、
信頼性の向上と薄膜化即ち素子高速化を同時に達成する
ことができ、半導体装置の性能を高めることができる。
酸素及び窒素を含む絶縁膜であっても、界面準位の増加
やキャリヤ易動度の劣化を抑制することが可能となり、
信頼性の向上と薄膜化即ち素子高速化を同時に達成する
ことができ、半導体装置の性能を高めることができる。
【図１】シリコン酸窒化膜を基体表面から５〔ｎｍ〕の
部分についてＸＰＳ分析して得られた窒素１ｓスペクト
ルを表す線図である。
部分についてＸＰＳ分析して得られた窒素１ｓスペクト
ルを表す線図である。
【図２】ホットキャリヤ耐性を表す線図である。
【図３】界面準位密度の窒素濃度依存性を表す線図であ
る。
る。
【図４】窒素１ｓピークに於ける結合エネルギの光電子
取り出し角に対する依存性を表す線図である。
取り出し角に対する依存性を表す線図である。
【図５】窒素１ｓピークに於ける結合エネルギの絶縁膜
の膜厚に対する依存性を表す線図である。
の膜厚に対する依存性を表す線図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/792 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１７Ｖ 29/786 21/336 (72)発明者 入野 清 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 高崎 金剛 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 滋野 真弓 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5F001 AA06 AA43 AA62 AA63 AD03 AD12 AG03 AG22 5F040 DA19 DB01 DC01 DC08 DC09 EA08 EB12 EC07 ED03 EF02 FA05 FB02 FB04 5F058 BA20 BC11 BF29 BF30 BF55 BF64 BJ01 BJ10 5F083 EP45 EP50 ER22 JA05 PR12 PR15 PR33 5F110 AA12 AA19 CC02 EE09 EE32 EE45 FF23 FF35 FF36 GG02 GG13 GG15 HM15 QQ21
Claims (3)
- 【請求項１】基体表面上に形成されて少なくともシリコ
ン及び酸素及び窒素を含む材料からなり且つ光電子分光
法に依る分析及び炭素１ｓピーク位置に依る帯電補正を
行って得られる窒素１ｓピークが同じく帯電補正したＳ
ｉ3 Ｎ4 結晶の窒素１ｓピーク位置と同じ位置に現れる
材料からなる領域が前記基体との界面及びその近傍にあ
ることを特徴とする絶縁膜。 - 【請求項２】前記基体との界面及びその近傍にある前記
領域を電子分光法で分析した場合に得られる窒素１ｓピ
ーク位置がＳｉ3 Ｎ4 結晶から得られる窒素１ｓピーク
と同じ位置のみに存在することを特徴とする請求項１記
載の絶縁膜。 - 【請求項３】前記基体との界面及びその近傍にある前記
領域は電子分光法で分析した場合に得られる窒素１ｓピ
ーク位置が光電子取り出し角を変化させても変化しない
範囲の厚さであることを特徴とする請求項１或いは請求
項２記載の絶縁膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11142616A JP2000332014A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 絶縁膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11142616A JP2000332014A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 絶縁膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000332014A true JP2000332014A (ja) | 2000-11-30 |
| JP2000332014A5 JP2000332014A5 (ja) | 2004-12-09 |
Family
ID=15319483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11142616A Pending JP2000332014A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 絶縁膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000332014A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005197642A (ja) * | 2003-12-30 | 2005-07-21 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の酸化膜形成方法 |
| US7361613B2 (en) * | 2002-09-17 | 2008-04-22 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, manufacture and evaluation methods for semiconductor device, and process condition evaluation method |
-
1999
- 1999-05-24 JP JP11142616A patent/JP2000332014A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7361613B2 (en) * | 2002-09-17 | 2008-04-22 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, manufacture and evaluation methods for semiconductor device, and process condition evaluation method |
| CN100401493C (zh) * | 2002-09-17 | 2008-07-09 | 富士通株式会社 | 半导体器件及其评估方法和处理条件评估方法 |
| JP2005197642A (ja) * | 2003-12-30 | 2005-07-21 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の酸化膜形成方法 |
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