JP2000331919A - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
基板処理装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JP2000331919A JP2000331919A JP11141740A JP14174099A JP2000331919A JP 2000331919 A JP2000331919 A JP 2000331919A JP 11141740 A JP11141740 A JP 11141740A JP 14174099 A JP14174099 A JP 14174099A JP 2000331919 A JP2000331919 A JP 2000331919A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板を支持した状態で該基板に処理を施す場
合に、基板に対して裏面洗浄等の処理が十分には行えな
い等の問題点を解決して、十分に該洗浄等の処理を行え
るようにした基板処理装置及び半導体装置の製造方法を
提供する。 【解決手段】 基板2を支持した状態で該基板に処理
を施す基板処理装置において、上記処理は基板の一方の
面の側から行い、上記基板の処理不要周縁部全周にのみ
接触24する支持1を行って、上記処理を施す。これに
より表面側を支持して裏面を処理することを可能とす
る。半導体ウエーハ基板2を支持した状態で該基板に
処理を施す工程を含む半導体装置の製造方法において、
上記処理は基板の一方の面の側から行い、上記基板の処
理不要周縁部全周にのみ接触する支持1を行って、上記
処理を施す。
合に、基板に対して裏面洗浄等の処理が十分には行えな
い等の問題点を解決して、十分に該洗浄等の処理を行え
るようにした基板処理装置及び半導体装置の製造方法を
提供する。 【解決手段】 基板2を支持した状態で該基板に処理
を施す基板処理装置において、上記処理は基板の一方の
面の側から行い、上記基板の処理不要周縁部全周にのみ
接触24する支持1を行って、上記処理を施す。これに
より表面側を支持して裏面を処理することを可能とす
る。半導体ウエーハ基板2を支持した状態で該基板に
処理を施す工程を含む半導体装置の製造方法において、
上記処理は基板の一方の面の側から行い、上記基板の処
理不要周縁部全周にのみ接触する支持1を行って、上記
処理を施す。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置及び
半導体装置の製造方法に関する。本発明の基板処理装置
は、基板の一方の面に各種処理を施す場合に、他方の面
に洗浄処理その他の処理を行う場合に好適に利用でき、
また本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウエーハ
基板の一方の面にレジストコーティングその他の各種処
理を施す場合に、他方の面に洗浄処理その他の処理を行
う場合に好適に利用できる。
半導体装置の製造方法に関する。本発明の基板処理装置
は、基板の一方の面に各種処理を施す場合に、他方の面
に洗浄処理その他の処理を行う場合に好適に利用でき、
また本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウエーハ
基板の一方の面にレジストコーティングその他の各種処
理を施す場合に、他方の面に洗浄処理その他の処理を行
う場合に好適に利用できる。
【0002】
【従来の技術】従来より各種基板に対して様々な処理が
施され、たとえば、半導体ウエーハ(ウエーハ基板)に
対して素子形成等のためにレジストをコーティングする
処理が行われる。レジストコーティング処理は、一般に
回転塗布(スピンコーティング)で行われ、そのためウ
エーハはスピンチャック上に支持される。一般に図3に
示すように、ウエーハを吸着支持部するスピンチャック
1’でウエーハ2の裏面(レジストコーティングを施す
側と反対側の面)を真空で吸着し、レジストノズル3か
らレジストをウエーハ2の表面に吐出して、該面にレジ
ストを塗布する。このときモーター等の駆動源でスピン
チャック1’を回転することによりウエーハ2を回転さ
せ、レジストをウエーハ面に均一にコーティングする。
施され、たとえば、半導体ウエーハ(ウエーハ基板)に
対して素子形成等のためにレジストをコーティングする
処理が行われる。レジストコーティング処理は、一般に
回転塗布(スピンコーティング)で行われ、そのためウ
エーハはスピンチャック上に支持される。一般に図3に
示すように、ウエーハを吸着支持部するスピンチャック
1’でウエーハ2の裏面(レジストコーティングを施す
側と反対側の面)を真空で吸着し、レジストノズル3か
らレジストをウエーハ2の表面に吐出して、該面にレジ
ストを塗布する。このときモーター等の駆動源でスピン
チャック1’を回転することによりウエーハ2を回転さ
せ、レジストをウエーハ面に均一にコーティングする。
【0003】従来のウエーハ吸着用スピンチャック1’
の形状は、円盤型で、ウエーハ2の裏面殆ど全体がこの
スピンチャック1’と接触して、保持される。図3に、
符号23で、ウエーハ裏面とレート3とスピンチャック
1’との接触部分を示す。符号21はウエーハ表面(素
子形成面)、22はウエーハ裏面を示す。符号5は、整
流版を示す。
の形状は、円盤型で、ウエーハ2の裏面殆ど全体がこの
スピンチャック1’と接触して、保持される。図3に、
符号23で、ウエーハ裏面とレート3とスピンチャック
1’との接触部分を示す。符号21はウエーハ表面(素
子形成面)、22はウエーハ裏面を示す。符号5は、整
流版を示す。
【0004】従来、ウエーハ2の裏面22を洗浄すると
き、ウエーハ裏面22側のバックリンスノズル4から洗
浄用のリンス液である薬液等を吐出して、洗浄を行う。
従来技術の場合、符号41で模式的に示すように、裏面
リンスは、ウエーハ2の周辺でしか行えず、裏面全面の
洗浄は達成できない。
き、ウエーハ裏面22側のバックリンスノズル4から洗
浄用のリンス液である薬液等を吐出して、洗浄を行う。
従来技術の場合、符号41で模式的に示すように、裏面
リンスは、ウエーハ2の周辺でしか行えず、裏面全面の
洗浄は達成できない。
【0005】ウエーハ表面21のレジスト等の裏面への
回り込みについては効果はあるが、スピンチャック1’
との接触部分23については薬液等による裏面洗浄がで
きず、ウエーハ全体のゴミ等の汚染についての裏面洗浄
効果は期待できない。
回り込みについては効果はあるが、スピンチャック1’
との接触部分23については薬液等による裏面洗浄がで
きず、ウエーハ全体のゴミ等の汚染についての裏面洗浄
効果は期待できない。
【0006】裏面リンスにより洗浄されない部分のゴミ
等が、たとえば、レジスト露光を行うための露光装置の
ウエーハステージに付着すると、焦点(フォーカスポイ
ント)が合わないことがあり、このときいわゆるピンボ
ケになって、正常なパターンが形成できなくなって、ピ
ンボケによるパターン不良となる。
等が、たとえば、レジスト露光を行うための露光装置の
ウエーハステージに付着すると、焦点(フォーカスポイ
ント)が合わないことがあり、このときいわゆるピンボ
ケになって、正常なパターンが形成できなくなって、ピ
ンボケによるパターン不良となる。
【0007】ウエーハ表面洗浄のためのスクラバーも、
同じような形態でウエーハを吸着しているので、ウエー
ハ吸着部分の裏面洗浄効果が無く、このため、後プロセ
ス装置へのゴミ等の持ち込みが発生するおそれがある。
同じような形態でウエーハを吸着しているので、ウエー
ハ吸着部分の裏面洗浄効果が無く、このため、後プロセ
ス装置へのゴミ等の持ち込みが発生するおそれがある。
【0008】上記の問題は、支持した状態の基板に何ら
かの処理を施すときには、常に問題になることである。
基板の一方の面にのみ何らかの処理が必要な場合でも、
他方の面に何の処理も不要であるということは通常無
く、特に洗浄処理は必須であることが多いからである。
かの処理を施すときには、常に問題になることである。
基板の一方の面にのみ何らかの処理が必要な場合でも、
他方の面に何の処理も不要であるということは通常無
く、特に洗浄処理は必須であることが多いからである。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みてなされたもので、基板を支持した状態で該基板に
処理を施す場合に、基板に対して十分な処理が達成でき
なくなること、たとえば基板の裏面洗浄が十分には行え
なくなること等の問題点を解決して、十分な処理を施せ
て、爾後のゴミ汚染等による問題が生じること等を防止
できる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
鑑みてなされたもので、基板を支持した状態で該基板に
処理を施す場合に、基板に対して十分な処理が達成でき
なくなること、たとえば基板の裏面洗浄が十分には行え
なくなること等の問題点を解決して、十分な処理を施せ
て、爾後のゴミ汚染等による問題が生じること等を防止
できる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明に係る基板処理装
置は、基板を支持した状態で該基板に処理を施す基板処
理装置において、上記処理は基板の一方の面の側から行
うようにし、かつ上記基板の処理不要周縁部全周にのみ
接触する支持を行って、上記処理を施すようにしたこと
を特徴とする。
置は、基板を支持した状態で該基板に処理を施す基板処
理装置において、上記処理は基板の一方の面の側から行
うようにし、かつ上記基板の処理不要周縁部全周にのみ
接触する支持を行って、上記処理を施すようにしたこと
を特徴とする。
【0011】本発明によれば、基板の支持を、基板の処
理不要周縁部にのみ接触する支持によって行うので、従
来とは表裏を逆にした基板支持も可能となる。すなわち
基板の支持を、基板の主たる面、たとえば半導体ウエー
ハ基板の場合は素子形成面(表面)側で支持する場合
も、基板の処理不要周縁部のみが接触して支持されるの
で、不都合は起きない。たとえば半導体ウエーハは、そ
の素子形成面(表面)の周辺は、いわゆる理収外とされ
る部分、つまり製品として対象外の部分とされる(素子
チップが完全でなかったり、周辺で加工が完全には期待
できないような部分)ので、この部分に接触する支持で
あれば、不都合は起きないのである。このように本発明
では、従来とは表裏を逆にした基板支持も可能となる結
果、先に説明した裏面洗浄処理は、従来とは表裏を逆に
して、該裏面洗浄を従来でいう表面側から、施すことが
できる。これにより裏面の全面洗浄が可能になり、従来
技術のような、後プロセスへのゴミ等の持ち込み等の問
題は避けることができる。裏面洗浄時には、基板の表面
である素子形成面が支持されて真空チャック等される
が、上記した理由で、不都合は無い。また、周縁部全周
での接触支持であるので、平坦性には問題が無い。
理不要周縁部にのみ接触する支持によって行うので、従
来とは表裏を逆にした基板支持も可能となる。すなわち
基板の支持を、基板の主たる面、たとえば半導体ウエー
ハ基板の場合は素子形成面(表面)側で支持する場合
も、基板の処理不要周縁部のみが接触して支持されるの
で、不都合は起きない。たとえば半導体ウエーハは、そ
の素子形成面(表面)の周辺は、いわゆる理収外とされ
る部分、つまり製品として対象外の部分とされる(素子
チップが完全でなかったり、周辺で加工が完全には期待
できないような部分)ので、この部分に接触する支持で
あれば、不都合は起きないのである。このように本発明
では、従来とは表裏を逆にした基板支持も可能となる結
果、先に説明した裏面洗浄処理は、従来とは表裏を逆に
して、該裏面洗浄を従来でいう表面側から、施すことが
できる。これにより裏面の全面洗浄が可能になり、従来
技術のような、後プロセスへのゴミ等の持ち込み等の問
題は避けることができる。裏面洗浄時には、基板の表面
である素子形成面が支持されて真空チャック等される
が、上記した理由で、不都合は無い。また、周縁部全周
での接触支持であるので、平坦性には問題が無い。
【0012】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半
導体ウエーハ基板を支持した状態で該基板に処理を施す
工程を含む半導体装置の製造方法において、上記処理は
基板の一方の面の側から行うようにし、かつ上記基板の
処理不要周縁部全周にのみ接触する支持を行って、上記
処理を施すことを特徴とする。
導体ウエーハ基板を支持した状態で該基板に処理を施す
工程を含む半導体装置の製造方法において、上記処理は
基板の一方の面の側から行うようにし、かつ上記基板の
処理不要周縁部全周にのみ接触する支持を行って、上記
処理を施すことを特徴とする。
【0013】本発明によれば、上記本発明に係る基板処
理装置について述べたのと同じ理由により、従来とは表
裏を逆にした半導体ウエーハ基板の処理が可能となり、
上記と同様の効果を得ることができる。たとえばレジス
ト塗布等の処理と裏面洗浄処理等とを共に一方の側(従
来で言う表面側)から施すようにして、十分な処理たと
えば後プロセスへのゴミ等の持ち込み等の問題の無い裏
面洗浄処理等を実現できる。
理装置について述べたのと同じ理由により、従来とは表
裏を逆にした半導体ウエーハ基板の処理が可能となり、
上記と同様の効果を得ることができる。たとえばレジス
ト塗布等の処理と裏面洗浄処理等とを共に一方の側(従
来で言う表面側)から施すようにして、十分な処理たと
えば後プロセスへのゴミ等の持ち込み等の問題の無い裏
面洗浄処理等を実現できる。
【0014】なお特開平3−145715号公報には、
半導体基板をその周縁部の4点で吸着支持するスピンコ
ーティング装置が記載されているが、この手段は周縁部
全周での接触支持でない。またこの公報に係る技術は最
小面積での密着を行うことが特徴で、内周部での支持で
もよく、かつ、洗浄(レジスト溶剤による洗浄)は上述
した従来技術と同様、裏面側のバックリンスノズルで行
う。かつこの公報には、表裏を逆にした支持について
は、記載が無い。
半導体基板をその周縁部の4点で吸着支持するスピンコ
ーティング装置が記載されているが、この手段は周縁部
全周での接触支持でない。またこの公報に係る技術は最
小面積での密着を行うことが特徴で、内周部での支持で
もよく、かつ、洗浄(レジスト溶剤による洗浄)は上述
した従来技術と同様、裏面側のバックリンスノズルで行
う。かつこの公報には、表裏を逆にした支持について
は、記載が無い。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
てさらに説明し、また、図面を参照して本発明の好まし
い実施の形態例を説明する。但し当然のことではある
が、本発明は以下の説明及び図示の形態例により限定を
受けるものではない。
てさらに説明し、また、図面を参照して本発明の好まし
い実施の形態例を説明する。但し当然のことではある
が、本発明は以下の説明及び図示の形態例により限定を
受けるものではない。
【0016】以下に図面を参照して説明する基板処理装
置は、半導体ウエーハ基板にレジストをスピンコーティ
ングする装置であり、またスピンコーティング時に本発
明の半導体装置の製造方法適用して半導体デバイスを得
る例である。その他、本発明の適用分野は任意であり、
特に限定はなく、各種基板に適用できる。各種基板につ
いて、該基板を、表面及び裏面を順不同に順次処理を施
す側に向けて支持することを可能とした形態で好ましく
実施できる。たとえば半導体基板の素子形成面とは反対
側の面(裏面)をレジストコーティング等の処理を施す
側(レジストノズルと同じ側)に向けて支持し、洗浄処
理を行い、その後、素子形成面を処理を施す側に向けて
支持して、該素子形成面に対してレジストコーティング
等の処理を施す形態で、実施できる。その他、コーター
・デベロッペー等のレジストコーティング、レジストス
ピン現像や裏面洗浄処理に限られず、ウエーハ・スクラ
バー等、ウエーハ等の基板の両主面に結果的に何らかの
処理を施す場合の技術として汎用できる。
置は、半導体ウエーハ基板にレジストをスピンコーティ
ングする装置であり、またスピンコーティング時に本発
明の半導体装置の製造方法適用して半導体デバイスを得
る例である。その他、本発明の適用分野は任意であり、
特に限定はなく、各種基板に適用できる。各種基板につ
いて、該基板を、表面及び裏面を順不同に順次処理を施
す側に向けて支持することを可能とした形態で好ましく
実施できる。たとえば半導体基板の素子形成面とは反対
側の面(裏面)をレジストコーティング等の処理を施す
側(レジストノズルと同じ側)に向けて支持し、洗浄処
理を行い、その後、素子形成面を処理を施す側に向けて
支持して、該素子形成面に対してレジストコーティング
等の処理を施す形態で、実施できる。その他、コーター
・デベロッペー等のレジストコーティング、レジストス
ピン現像や裏面洗浄処理に限られず、ウエーハ・スクラ
バー等、ウエーハ等の基板の両主面に結果的に何らかの
処理を施す場合の技術として汎用できる。
【0017】以下、図面を参照して、本発明の好ましい
一実施の形態例を説明する。図1及び図2を参照する。
この例は、半導体ウエーハ基板にレジストをスピンコー
ティングする場合に用いるスピンコーターであり、該レ
ジストコーティング処理、及び裏面洗浄処理を行うもの
である。
一実施の形態例を説明する。図1及び図2を参照する。
この例は、半導体ウエーハ基板にレジストをスピンコー
ティングする場合に用いるスピンコーターであり、該レ
ジストコーティング処理、及び裏面洗浄処理を行うもの
である。
【0018】図1は本例の構成を側方から見た図で示す
ものである。図1に示すように、この実施の形態例にお
いては、基板2は、その周縁部全周にのみ接触する支持
によって、支持される。支持部材1は、本例ではスピン
チャックであるが、従来のスピンチャック1’が、図3
に示したように、基板の被支持面の殆どに接触するのに
対し、この例では、支持部材1と基板2の接触部分24
は、基板2の周縁部のみである。かつ、支持は、本例の
構成を基板2及び接触部分24についてのみ上方から見
た図である図2に示すように、周縁部全周にわたって行
われ、安定した、平坦性に全く問題のない支持が実現さ
れる。
ものである。図1に示すように、この実施の形態例にお
いては、基板2は、その周縁部全周にのみ接触する支持
によって、支持される。支持部材1は、本例ではスピン
チャックであるが、従来のスピンチャック1’が、図3
に示したように、基板の被支持面の殆どに接触するのに
対し、この例では、支持部材1と基板2の接触部分24
は、基板2の周縁部のみである。かつ、支持は、本例の
構成を基板2及び接触部分24についてのみ上方から見
た図である図2に示すように、周縁部全周にわたって行
われ、安定した、平坦性に全く問題のない支持が実現さ
れる。
【0019】基板2を支持する支持部材1(スピンチャ
ック)を上記の構成にしたので、裏面リンス時には、前
述の従来技術とは逆に、基板2の素子形成面21(基板
表面)をチャックし、基板2の裏面22を上面として支
持する。図1及び図2はこの状態を示している。このと
き、支持部材1と基板2の接触部分24は、基板2の素
子形成面21の上記理収部に該当する部分とする。この
結果、素子形成面21側で支持を行っても、何ら不都合
は生じない。
ック)を上記の構成にしたので、裏面リンス時には、前
述の従来技術とは逆に、基板2の素子形成面21(基板
表面)をチャックし、基板2の裏面22を上面として支
持する。図1及び図2はこの状態を示している。このと
き、支持部材1と基板2の接触部分24は、基板2の素
子形成面21の上記理収部に該当する部分とする。この
結果、素子形成面21側で支持を行っても、何ら不都合
は生じない。
【0020】本例において、基板2の裏面リンスのため
の裏面洗浄ノズル6は、レジストノズル3(図3参照)
と同じ側に配置する。これを用いて、裏面リンスは図の
上部から行うようにする。洗浄処理を、素子形成面(表
面)について施すことを要する場合があっても、本例で
は同じ側から洗浄処理を行う。なお本例では、結果的
に、レジストコーティング処理と、洗浄処理とは、同じ
側からその処理を行うことになる。
の裏面洗浄ノズル6は、レジストノズル3(図3参照)
と同じ側に配置する。これを用いて、裏面リンスは図の
上部から行うようにする。洗浄処理を、素子形成面(表
面)について施すことを要する場合があっても、本例で
は同じ側から洗浄処理を行う。なお本例では、結果的
に、レジストコーティング処理と、洗浄処理とは、同じ
側からその処理を行うことになる。
【0021】上記したように、本実施の形態例では、半
導体ウエーハ基板2の裏面洗浄を従来技術とは異なり、
上面から行うことで、ウエーハ裏面全面の洗浄が可能と
なったものである。すなわち、スピンチャックのウエー
ハのチャックング手段を上記のように従来とは変更した
ので、薬液等のリンス液によるウエーハ裏面全面の十分
な洗浄が可能となった。このように、ウエーハ裏面全面
のゴミ等を除去できるので、ゴミ等による不都合、たと
えば後工程でのゴミ等に起因する問題が解消される。た
とえば、裏面洗浄が不完全であったときの、露光装置の
ウエーハステージ(一般にコンタクト吸着)へのゴミ等
の持ち込みが防止され、いわゆるピンボケによるパター
ン不良などを防止できて、適正なパターンが得られ、ウ
エーハ平坦性の良いプロセスを実現できる。
導体ウエーハ基板2の裏面洗浄を従来技術とは異なり、
上面から行うことで、ウエーハ裏面全面の洗浄が可能と
なったものである。すなわち、スピンチャックのウエー
ハのチャックング手段を上記のように従来とは変更した
ので、薬液等のリンス液によるウエーハ裏面全面の十分
な洗浄が可能となった。このように、ウエーハ裏面全面
のゴミ等を除去できるので、ゴミ等による不都合、たと
えば後工程でのゴミ等に起因する問題が解消される。た
とえば、裏面洗浄が不完全であったときの、露光装置の
ウエーハステージ(一般にコンタクト吸着)へのゴミ等
の持ち込みが防止され、いわゆるピンボケによるパター
ン不良などを防止できて、適正なパターンが得られ、ウ
エーハ平坦性の良いプロセスを実現できる。
【0022】本例によれば、ウエーハの裏面に付着した
ゴミ等の除去を目的としたレジストパターニングの前洗
浄作業について、作業削減を示現することが可能であ
る。
ゴミ等の除去を目的としたレジストパターニングの前洗
浄作業について、作業削減を示現することが可能であ
る。
【0023】
【発明の効果】上述したように、本発明の基板処理装置
及び半導体装置の製造方法によれば、基板を支持した状
態で該基板に処理を施す場合に、基板に対して十分な処
理が達成できなくなること(基板の裏面洗浄が十分には
行えなくなること等)の問題点を解決して、十分な処理
を施せて、爾後のゴミ汚染等による問題が生じること等
を防止できると言う効果が得られる。
及び半導体装置の製造方法によれば、基板を支持した状
態で該基板に処理を施す場合に、基板に対して十分な処
理が達成できなくなること(基板の裏面洗浄が十分には
行えなくなること等)の問題点を解決して、十分な処理
を施せて、爾後のゴミ汚染等による問題が生じること等
を防止できると言う効果が得られる。
【図1】 本発明の実施の形態例1に係る基板処理装置
(スピンコーター)の構成を側方から示す図である。
(スピンコーター)の構成を側方から示す図である。
【図2】 本発明の実施の形態例1に係る基板処理装置
(スピンコーター)の構成を上方から示す図である。
(スピンコーター)の構成を上方から示す図である。
【図3】 従来技術の基板処理装置(スピンコーター)
の構成を側方から示す図である。
の構成を側方から示す図である。
1・・・(基板)支持部材(スピンチャック)、2・・
・基板(半導体ウエーハ)、21・・・基板表面(素子
形成面)、22・・・基板裏面、24・・・基板と支持
部材(スピンチャック)との接触部分、6・・・裏面洗
浄ノズル。
・基板(半導体ウエーハ)、21・・・基板表面(素子
形成面)、22・・・基板裏面、24・・・基板と支持
部材(スピンチャック)との接触部分、6・・・裏面洗
浄ノズル。
Claims (8)
- 【請求項1】 基板を支持した状態で該基板に処理を施
す基板処理装置において、 上記処理は基板の一方の面の側から行うようにし、かつ
上記基板の処理不要周縁部全周にのみ接触する支持を行
って、上記処理を施すことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項2】 上記基板を、表面及び裏面を順不同に順
次処理を施す側に向けて支持することを可能としたこと
を特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 【請求項3】 半導体基板の素子形成面とは反対側の面
を処理を施す側に向けて支持し、洗浄処理を行い、その
後、素子形成面を処理を施す側に向けて支持して、該素
子形成面に対して処理を施すことを特徴とする請求項2
に記載の基板処理装置。 - 【請求項4】 上記素子形成面に対して施す処理が、該
素子形成面へのレジストコーティング処理であることを
特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。 - 【請求項5】 半導体ウエーハ基板を支持した状態で該
基板に処理を施す工程を含む半導体装置の製造方法にお
いて、 上記処理は基板の一方の面の側から行うようにし、かつ
上記基板の処理不要周縁部全周にのみ接触する支持を行
って、上記処理を施すことを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項6】 上記基板を、表面及び裏面を順不同に順
次処理を施す側に向けて支持することを可能としたこと
を特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項7】 上記基板の素子形成面とは反対側の面を
処理を施す側に向けて支持し、洗浄処理を行い、その
後、素子形成面を処理を施す側に向けて支持して、該素
子形成面に対して処理を施すことを特徴とする請求項5
に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項8】 上記素子形成面に対して施す処理が、該
素子形成面へのレジストコーティング処理であることを
特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11141740A JP2000331919A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP11141740A JP2000331919A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006310674A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ位置決め用治具及びウエーハ固定用スタンド並びにウエーハ分析方法 |
-
1999
- 1999-05-21 JP JP11141740A patent/JP2000331919A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006310674A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ位置決め用治具及びウエーハ固定用スタンド並びにウエーハ分析方法 |
JP4578315B2 (ja) * | 2005-05-02 | 2010-11-10 | 信越半導体株式会社 | ウエーハ位置決め用治具及びウエーハ固定用スタンド並びにウエーハ分析方法 |
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