JP2000330479A - 電気光学装置 - Google Patents
電気光学装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 これまでは全く使用されていなかった新しい
タイプの半導体装置を用いることによって、表示に直
接、寄与しない外周領域を狭めることのできる電気光学
装置を提供すること。 【解決手段】 液晶装置１０において、第１の基板１の
端部分で、フレキシブル基板２９が接続された入力端子
１２から液晶の封入領域４に向けて延びるＩＣ実装用の
配線パターン１９の上には球状半導体１１が分散して実
装されている。この球状半導体１１は、球状半導体材料
の表面に半導体素子が形成されたもので、表面積／体積
の効率が高い。
タイプの半導体装置を用いることによって、表示に直
接、寄与しない外周領域を狭めることのできる電気光学
装置を提供すること。 【解決手段】 液晶装置１０において、第１の基板１の
端部分で、フレキシブル基板２９が接続された入力端子
１２から液晶の封入領域４に向けて延びるＩＣ実装用の
配線パターン１９の上には球状半導体１１が分散して実
装されている。この球状半導体１１は、球状半導体材料
の表面に半導体素子が形成されたもので、表面積／体積
の効率が高い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶などの電気光
学物質を電極間に挟持する電気光学装置に関するもので
ある。さらに詳しくは、電気光学装置において電気光学
物質を駆動するための半導体装置（以下、ＩＣとい
う。）に関するものである。
学物質を電極間に挟持する電気光学装置に関するもので
ある。さらに詳しくは、電気光学装置において電気光学
物質を駆動するための半導体装置（以下、ＩＣとい
う。）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電気光学物質を電極間で駆動する各種の
電気光学装置のうち、電気光学物質として液晶を用いた
単純マトリクスタイプの液晶装置では、たとえば、図４
に示すように、各々対向する面に透明電極が形成され
た、透明な無アルカリガラスなどからなる第１の基板１
と、同じく透明な無アルカリガラスなどからなる第２の
基板２とを有している。これらの基板の一方にはギャッ
プ材含有の光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂からなるシ
ール材３が印刷等によって形成され、このシール材３に
よって、第１の基板１と第２の基板２とが所定の間隙を
介して貼り合わされている。第１の基板１と第２の基板
２との間の間隙のうち、シール材３で区画形成された封
入領域４内には液晶が封入されている。
電気光学装置のうち、電気光学物質として液晶を用いた
単純マトリクスタイプの液晶装置では、たとえば、図４
に示すように、各々対向する面に透明電極が形成され
た、透明な無アルカリガラスなどからなる第１の基板１
と、同じく透明な無アルカリガラスなどからなる第２の
基板２とを有している。これらの基板の一方にはギャッ
プ材含有の光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂からなるシ
ール材３が印刷等によって形成され、このシール材３に
よって、第１の基板１と第２の基板２とが所定の間隙を
介して貼り合わされている。第１の基板１と第２の基板
２との間の間隙のうち、シール材３で区画形成された封
入領域４内には液晶が封入されている。
【０００３】この液晶装置において、第１の基板１は第
２の基板２よりも大きいので、第１の基板１に第２の基
板２を重ねても、第１の基板１はその一部が第２の基板
２の下端縁から張り出す。この張り出し部分には封入領
域４に隣接するようにＩＣ実装領域９が形成され、ここ
に駆動用ＩＣ１４がＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓ
ｓ）実装されている。ＩＣ実装領域９よりさらに下端側
では、ＩＣ実装領域９に隣接するように複数の入力端子
１２が第１の基板１の縁に沿って形成され、これらの入
力端子１２にはフレキシブル基板２９が接続される。
２の基板２よりも大きいので、第１の基板１に第２の基
板２を重ねても、第１の基板１はその一部が第２の基板
２の下端縁から張り出す。この張り出し部分には封入領
域４に隣接するようにＩＣ実装領域９が形成され、ここ
に駆動用ＩＣ１４がＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓ
ｓ）実装されている。ＩＣ実装領域９よりさらに下端側
では、ＩＣ実装領域９に隣接するように複数の入力端子
１２が第１の基板１の縁に沿って形成され、これらの入
力端子１２にはフレキシブル基板２９が接続される。
【０００４】図５および図６はそれぞれ、図４に示す液
晶装置の第１の基板１に形成した透明電極の配置パター
ンを示す平面図、および図４に示す液晶装置の第２の基
板２に形成した透明電極の配置パターンを示す平面図で
ある。
晶装置の第１の基板１に形成した透明電極の配置パター
ンを示す平面図、および図４に示す液晶装置の第２の基
板２に形成した透明電極の配置パターンを示す平面図で
ある。
【０００５】図５において、第１の基板１の内側表面に
は、シール材３（一点鎖線Ｌで示す領域）で区画形成さ
れる封入領域４の内側で縦方向に延びる複数のストライ
プ状電極７ａ（第１の電極）と、封入領域４の外側でス
トライプ状電極７ａをＩＣ実装領域９に配線接続するた
めの配線部７ｂとからなる電極パターン７０を有してい
る。この電極パターン７０はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜などで形成されている。
は、シール材３（一点鎖線Ｌで示す領域）で区画形成さ
れる封入領域４の内側で縦方向に延びる複数のストライ
プ状電極７ａ（第１の電極）と、封入領域４の外側でス
トライプ状電極７ａをＩＣ実装領域９に配線接続するた
めの配線部７ｂとからなる電極パターン７０を有してい
る。この電極パターン７０はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜などで形成されている。
【０００６】図６において、第２の基板２の内側表面に
は、シール材３（一点鎖線Ｌで示す領域）で区画形成さ
れる封入領域４の内側で横方向に延びる複数のストライ
プ状電極６ａ（第２の電極）と、封入領域４の外側でス
トライプ状電極６ａを各端子に配線接続するための配線
部６ｂとからなる電極パターン６０を有している。この
電極パターン６０もＩＴＯ膜などで形成されている。
は、シール材３（一点鎖線Ｌで示す領域）で区画形成さ
れる封入領域４の内側で横方向に延びる複数のストライ
プ状電極６ａ（第２の電極）と、封入領域４の外側でス
トライプ状電極６ａを各端子に配線接続するための配線
部６ｂとからなる電極パターン６０を有している。この
電極パターン６０もＩＴＯ膜などで形成されている。
【０００７】このように構成した第１の基板１と第２の
基板２とを図４に示すように貼り合わせた状態で、第１
の基板１のストライプ状電極７ａと第２の基板２のスト
ライプ状電極６ａとは交差し、各交差部分によって複数
の画素がマトリクス状に構成される。なお、第１および
第２の基板１、２には、表面全体に配向膜（図示せ
ず。）が形成されている。
基板２とを図４に示すように貼り合わせた状態で、第１
の基板１のストライプ状電極７ａと第２の基板２のスト
ライプ状電極６ａとは交差し、各交差部分によって複数
の画素がマトリクス状に構成される。なお、第１および
第２の基板１、２には、表面全体に配向膜（図示せ
ず。）が形成されている。
【０００８】ここで、第１および第２の基板１、２を貼
り合わせた状態で、図５および図６に示す第１の基板１
の端子７ｃと第２の基板２の端子６ｃとが対向する。従
って、第１の基板１の内側表面、または第２の基板２の
内側表面に、導電粒子を含むシール材３を塗布して第１
の基板１と第２の基板２とを貼り合わせれば、第１の基
板１の各端子７ｃと、第２の基板２の各端子６ｃとは、
シール材３に含まれる導電粒子を介して導通することに
なる。従って、駆動用ＩＣ１４にフレキシブル配線基板
２９を介して信号および電源を供給すると、駆動用ＩＣ
１４は、希望する適宜のストライプ状電極６ａ、７ａに
電圧を印加することによって各画素（ストライプ状電極
６ａ、７ａの各交差部分）において液晶の配向状態を制
御し、液晶装置１０では希望の像が表示される。
り合わせた状態で、図５および図６に示す第１の基板１
の端子７ｃと第２の基板２の端子６ｃとが対向する。従
って、第１の基板１の内側表面、または第２の基板２の
内側表面に、導電粒子を含むシール材３を塗布して第１
の基板１と第２の基板２とを貼り合わせれば、第１の基
板１の各端子７ｃと、第２の基板２の各端子６ｃとは、
シール材３に含まれる導電粒子を介して導通することに
なる。従って、駆動用ＩＣ１４にフレキシブル配線基板
２９を介して信号および電源を供給すると、駆動用ＩＣ
１４は、希望する適宜のストライプ状電極６ａ、７ａに
電圧を印加することによって各画素（ストライプ状電極
６ａ、７ａの各交差部分）において液晶の配向状態を制
御し、液晶装置１０では希望の像が表示される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶装
置１０では、画像が実際に表示される領域（画像表示領
域／各画素がマトリスク状に配列されている領域）が同
じ大きさであれば、その周辺領域が狭いことが好ましい
が、従来の液晶装置１０では、駆動用ＩＣ１４を実装す
るために比較的広い領域を確保する必要があるので、表
示に直接、寄与しない周辺領域をこれ以上、狭くするこ
とができないという問題点がある。
置１０では、画像が実際に表示される領域（画像表示領
域／各画素がマトリスク状に配列されている領域）が同
じ大きさであれば、その周辺領域が狭いことが好ましい
が、従来の液晶装置１０では、駆動用ＩＣ１４を実装す
るために比較的広い領域を確保する必要があるので、表
示に直接、寄与しない周辺領域をこれ以上、狭くするこ
とができないという問題点がある。
【００１０】そこで、本発明の課題は、これまでは全く
使用されていなかった新しいタイプの半導体装置を用い
ることによって、表示に直接、寄与しない外周領域を狭
めることのできる電気光学装置を提供することにある。
使用されていなかった新しいタイプの半導体装置を用い
ることによって、表示に直接、寄与しない外周領域を狭
めることのできる電気光学装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、本発明では、第１の電極と第２の電極との間に電気
光学物質が挟持されているとともに、前記第１および第
２の電極のうちの少なくとも一方の電極が形成された基
板には、外部から信号が入力される複数の入力端子が形
成され、かつ、該入力端子に電気的に接続する配線パタ
ーン上に前記第１および前記第２の電極を介して前記電
気光学物質を駆動する半導体装置が実装されている電気
光学装置において、前記半導体装置は、球状半導体材料
の表面に半導体素子が形成された複数の球状半導体であ
ることを特徴とする。
め、本発明では、第１の電極と第２の電極との間に電気
光学物質が挟持されているとともに、前記第１および第
２の電極のうちの少なくとも一方の電極が形成された基
板には、外部から信号が入力される複数の入力端子が形
成され、かつ、該入力端子に電気的に接続する配線パタ
ーン上に前記第１および前記第２の電極を介して前記電
気光学物質を駆動する半導体装置が実装されている電気
光学装置において、前記半導体装置は、球状半導体材料
の表面に半導体素子が形成された複数の球状半導体であ
ることを特徴とする。
【００１２】本発明に用いた球状半導体は、１９９８年
７月１日発行の「日経マイクロデバイス」などにおいて
株式会社ボール・セミコンダクタ社が開示した全く新し
いタイプのＩＣである。この球状半導体は、直径が１ｍ
ｍ以下の粒状の多結晶半導体材料を単結晶化させた後、
各種の半導体プロセスを用いて半導体素子を形成したも
ので、ウエーハ状の半導体基板に比較して、面積／体積
比が高い。従って、少ない半導体材料で広い表面積を確
保できるので、同一の機能を備えるＩＣを小型に形成で
きる。また、１つ１つが小さな球状半導体であれば、複
数、用いるといっても、空いている場所に分散して配置
できる。それ故、この球状半導体を用いれば、電気光学
装置において、表示には直接、寄与しない領域（外周領
域）を狭めることができる。
７月１日発行の「日経マイクロデバイス」などにおいて
株式会社ボール・セミコンダクタ社が開示した全く新し
いタイプのＩＣである。この球状半導体は、直径が１ｍ
ｍ以下の粒状の多結晶半導体材料を単結晶化させた後、
各種の半導体プロセスを用いて半導体素子を形成したも
ので、ウエーハ状の半導体基板に比較して、面積／体積
比が高い。従って、少ない半導体材料で広い表面積を確
保できるので、同一の機能を備えるＩＣを小型に形成で
きる。また、１つ１つが小さな球状半導体であれば、複
数、用いるといっても、空いている場所に分散して配置
できる。それ故、この球状半導体を用いれば、電気光学
装置において、表示には直接、寄与しない領域（外周領
域）を狭めることができる。
【００１３】また、本発明は、上記構成において、前記
第１の電極が第１の基板に形成され、前記第２の基板が
前記第１の基板に対向して配置された第２の基板に形成
されていることを特徴とすることができ、さらには、電
気光学物質として液晶を用いることもできて、この場合
も上記と同様の効果を得ることができる。
第１の電極が第１の基板に形成され、前記第２の基板が
前記第１の基板に対向して配置された第２の基板に形成
されていることを特徴とすることができ、さらには、電
気光学物質として液晶を用いることもできて、この場合
も上記と同様の効果を得ることができる。
【００１４】本発明において、前記球状半導体は、１つ
の前記入力端子に対応して１個あるいは２個以上、実装
されている。このように実装しても、球状半導体は小さ
いので、広い面積を占有することがない。
の前記入力端子に対応して１個あるいは２個以上、実装
されている。このように実装しても、球状半導体は小さ
いので、広い面積を占有することがない。
【００１５】また、前記球状半導体を、複数の入力端子
に対応して１個あるいは２個以上、実装することもでき
る。この場合、表示には直接寄与しない領域を、より一
層狭めることができる。
に対応して１個あるいは２個以上、実装することもでき
る。この場合、表示には直接寄与しない領域を、より一
層狭めることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図面を参照して本発明の実施の形
態に係る電気光学装置を説明する前に、本形態で用いる
球状半導体を説明する。
態に係る電気光学装置を説明する前に、本形態で用いる
球状半導体を説明する。
【００１７】図１は、本発明で用いた球状半導体の説明
図である。図２（Ａ）、（Ｂ）はいずれも、球状半導体
を基板上に実装した状態を示す説明図である。
図である。図２（Ａ）、（Ｂ）はいずれも、球状半導体
を基板上に実装した状態を示す説明図である。
【００１８】図１において、球状半導体１１は、球状の
半導体材料（シリコン）の表面に半導体素子を形成した
もので、ウエーハ状の半導体基板に比較して、面積／体
積比が高いので、少ない半導体材料で広い表面積を確保
できるという利点がある。これに用いる球状の半導体材
料は、たとえば、直径が１ｍｍ位の粒状の多結晶半導体
材料を、誘導結合型プラズマを用いて１０００℃〜１０
０００℃のアルゴン雰囲気中で溶融させ、単結晶化させ
ることにより得ることができる。
半導体材料（シリコン）の表面に半導体素子を形成した
もので、ウエーハ状の半導体基板に比較して、面積／体
積比が高いので、少ない半導体材料で広い表面積を確保
できるという利点がある。これに用いる球状の半導体材
料は、たとえば、直径が１ｍｍ位の粒状の多結晶半導体
材料を、誘導結合型プラズマを用いて１０００℃〜１０
０００℃のアルゴン雰囲気中で溶融させ、単結晶化させ
ることにより得ることができる。
【００１９】このような球状の半導体材料の表面には、
たとえば、図１に示すような露光方法を用いれば、各種
の能動素子や記憶素子などといった半導体素子を形成す
ることができる。この露光方法では、マスクを通過した
光を、球状の半導体材料の周りを囲むように配置したミ
ラー３１１、３２１、３３１などによって球状の半導体
材料に向けて反射することによって、球状の半導体材料
の表面を一括露光する。また、エッチング工程や成膜工
程では、パイプの中にエッチングガスや原料ガスを流す
とともに、球状の半導体材料を流すことによって行われ
る。
たとえば、図１に示すような露光方法を用いれば、各種
の能動素子や記憶素子などといった半導体素子を形成す
ることができる。この露光方法では、マスクを通過した
光を、球状の半導体材料の周りを囲むように配置したミ
ラー３１１、３２１、３３１などによって球状の半導体
材料に向けて反射することによって、球状の半導体材料
の表面を一括露光する。また、エッチング工程や成膜工
程では、パイプの中にエッチングガスや原料ガスを流す
とともに、球状の半導体材料を流すことによって行われ
る。
【００２０】このようにして球状の半導体材料に各種の
半導体素子を形成した球状半導体１１は、たとえば、図
２（Ａ）に示すように、後述する基板１の上に形成され
た配線パターン１９上に実装されてＩＣを構成すること
になる。ここに示す例では、３つの球状半導体１１がい
ずれも基板１に対して電気的に接続し、かつ、２つの球
状半導体１１については球状半導体１１同士が電気的に
接続している例である。また、図２（Ｂ）に示すよう
に、複数の球状半導体１１を多段に積み上げてＩＣを構
成することもできる。
半導体素子を形成した球状半導体１１は、たとえば、図
２（Ａ）に示すように、後述する基板１の上に形成され
た配線パターン１９上に実装されてＩＣを構成すること
になる。ここに示す例では、３つの球状半導体１１がい
ずれも基板１に対して電気的に接続し、かつ、２つの球
状半導体１１については球状半導体１１同士が電気的に
接続している例である。また、図２（Ｂ）に示すよう
に、複数の球状半導体１１を多段に積み上げてＩＣを構
成することもできる。
【００２１】いずれの形態に実装する場合でも、球状半
導体１１と基板１との接続、および球状半導体１１同士
の接続は、球状半導体１１に形成されている電極１１１
の表面、あるいは配線パターン１９の表面に形成した半
田層などを用いることができる。また、半田１２に代え
て、導電性接着剤などを用いてもよい。
導体１１と基板１との接続、および球状半導体１１同士
の接続は、球状半導体１１に形成されている電極１１１
の表面、あるいは配線パターン１９の表面に形成した半
田層などを用いることができる。また、半田１２に代え
て、導電性接着剤などを用いてもよい。
【００２２】（電気光学装置の全体構成）本発明の電気
光学装置の一例として、電気光学物質に液晶を用いた電
気光学装置である液晶装置を用いて説明する。
光学装置の一例として、電気光学物質に液晶を用いた電
気光学装置である液晶装置を用いて説明する。
【００２３】図３は、本発明を適用した液晶装置の斜視
図である。この図３において、本形態の液晶装置１０
は、携帯電話などの電子機器に搭載される単純マトリク
スタイプの液晶装置であり、透明な無アルカリガラスな
どからなる第１の基板１と、同じく透明な無アルカリガ
ラスなどからなり、第１の基板１に対向して配置された
第２の基板２とを有している。これらの基板の一方には
ギャップ材含有の光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂から
なるシール材３が印刷等によって形成され、このシール
材３によって、第１の基板１と第２の基板２とが所定の
間隙を介して貼り合わされている。第１の基板１と第２
の基板２との間の間隙のうち、シール材３で区画形成さ
れた封入領域４内には液晶が封入されている。このよう
な液晶の封入は、シール材３に部分的に途切れ部分を液
晶注入口３０として形成しておき、この液晶注入口３０
から液晶を減圧注入などの方法で注入した後、液晶注入
口３０を封止剤（図示せず。）で塞ぐことによって実現
できる。
図である。この図３において、本形態の液晶装置１０
は、携帯電話などの電子機器に搭載される単純マトリク
スタイプの液晶装置であり、透明な無アルカリガラスな
どからなる第１の基板１と、同じく透明な無アルカリガ
ラスなどからなり、第１の基板１に対向して配置された
第２の基板２とを有している。これらの基板の一方には
ギャップ材含有の光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂から
なるシール材３が印刷等によって形成され、このシール
材３によって、第１の基板１と第２の基板２とが所定の
間隙を介して貼り合わされている。第１の基板１と第２
の基板２との間の間隙のうち、シール材３で区画形成さ
れた封入領域４内には液晶が封入されている。このよう
な液晶の封入は、シール材３に部分的に途切れ部分を液
晶注入口３０として形成しておき、この液晶注入口３０
から液晶を減圧注入などの方法で注入した後、液晶注入
口３０を封止剤（図示せず。）で塞ぐことによって実現
できる。
【００２４】この液晶装置１０においても、第１の基板
１は第２の基板２よりもわずかに大きいので、第１の基
板１に第２の基板２を重ねても、第１の基板１はその一
部が第２の基板２の下端縁からわずかに張り出す。この
張り出し部分の端部分には、基板辺に沿って複数の入力
端子１２が並んでおり、この入力端子１２から封入領域
４に向けてはＩＣ実装用の配線パターン１９が延びてい
る。なお、入力端子１２にはフレキシブル基板２９が接
続される。
１は第２の基板２よりもわずかに大きいので、第１の基
板１に第２の基板２を重ねても、第１の基板１はその一
部が第２の基板２の下端縁からわずかに張り出す。この
張り出し部分の端部分には、基板辺に沿って複数の入力
端子１２が並んでおり、この入力端子１２から封入領域
４に向けてはＩＣ実装用の配線パターン１９が延びてい
る。なお、入力端子１２にはフレキシブル基板２９が接
続される。
【００２５】本形態でも、第１および第２の基板１、２
には、図５および図６を参照して説明した電極パターン
が形成されている。従って、本形態の液晶装置１０にお
いて第１および第２の基板１０、２０に形成されている
電極パターンの説明は、図５および図６を参照して行
う。まず、図５に示すように、第１の基板１の内側表面
には、シール材３（一点鎖線Ｌで示す領域）で区画形成
される封入領域４の内側で縦方向に延びる複数のストラ
イプ状電極７ａ（第１の電極）と、封入領域４の外側で
ストライプ状電極７ａをＩＣ実装領域９に配線接続する
ための配線部７ｂとからなる電極パターン７０が形成さ
れている。これに対して、図６に示すように、第２の基
板２の内側表面には、シール材３（一点鎖線Ｌで示す領
域）で区画形成される封入領域４の内側で横方向に延び
る複数のストライプ状電極６ａ（第２の電極）と、封入
領域４の外側でストライプ状電極６ａを各端子に配線接
続するための配線部６ｂとからなる電極パターン６０が
形成されている。このように構成した第１の基板１と第
２の基板２とを図３に示すように貼り合わせた場合も、
第１の基板１のストライプ状電極７ａと第２の基板２の
ストライプ状電極６ａとは交差し、各交差部分によって
複数の画素がマトリクス状に構成される。また、第１お
よび第２の基板１、２を貼り合わせた状態で、図５およ
び図６に示す第１の基板１の端子７ｃと第２の基板２の
端子６ｃとが対向する。従って、第１の基板１の内側表
面、または第２の基板２の内側表面に、導電粒子を含む
シール材３を塗布して第１の基板１と第２の基板２とを
貼り合わせれば、第１の基板１の各端子７ｃと、第２の
基板２の各端子６ｃとは、シール材３に含まれる導電粒
子を介して導通することになる。
には、図５および図６を参照して説明した電極パターン
が形成されている。従って、本形態の液晶装置１０にお
いて第１および第２の基板１０、２０に形成されている
電極パターンの説明は、図５および図６を参照して行
う。まず、図５に示すように、第１の基板１の内側表面
には、シール材３（一点鎖線Ｌで示す領域）で区画形成
される封入領域４の内側で縦方向に延びる複数のストラ
イプ状電極７ａ（第１の電極）と、封入領域４の外側で
ストライプ状電極７ａをＩＣ実装領域９に配線接続する
ための配線部７ｂとからなる電極パターン７０が形成さ
れている。これに対して、図６に示すように、第２の基
板２の内側表面には、シール材３（一点鎖線Ｌで示す領
域）で区画形成される封入領域４の内側で横方向に延び
る複数のストライプ状電極６ａ（第２の電極）と、封入
領域４の外側でストライプ状電極６ａを各端子に配線接
続するための配線部６ｂとからなる電極パターン６０が
形成されている。このように構成した第１の基板１と第
２の基板２とを図３に示すように貼り合わせた場合も、
第１の基板１のストライプ状電極７ａと第２の基板２の
ストライプ状電極６ａとは交差し、各交差部分によって
複数の画素がマトリクス状に構成される。また、第１お
よび第２の基板１、２を貼り合わせた状態で、図５およ
び図６に示す第１の基板１の端子７ｃと第２の基板２の
端子６ｃとが対向する。従って、第１の基板１の内側表
面、または第２の基板２の内側表面に、導電粒子を含む
シール材３を塗布して第１の基板１と第２の基板２とを
貼り合わせれば、第１の基板１の各端子７ｃと、第２の
基板２の各端子６ｃとは、シール材３に含まれる導電粒
子を介して導通することになる。
【００２６】ここで、シール材３に含まれる導電粒子
は、たとえば弾性変形可能なプラスチックビーズの表面
にメッキを施したもので、シール材３に含まれるギャッ
プ材の粒径よりもやや大きめである。従って、第１の基
板１と第２の基板２とを重ねた状態でその間隙を狭める
ような力を加えながらシール材３を溶融、硬化させる
と、導電粒子は、第１の基板１と第２の基板２との間で
押し潰された状態で第１の基板１の端子７ｃと第２の基
板２の端子６ｃとを導通させる。
は、たとえば弾性変形可能なプラスチックビーズの表面
にメッキを施したもので、シール材３に含まれるギャッ
プ材の粒径よりもやや大きめである。従って、第１の基
板１と第２の基板２とを重ねた状態でその間隙を狭める
ような力を加えながらシール材３を溶融、硬化させる
と、導電粒子は、第１の基板１と第２の基板２との間で
押し潰された状態で第１の基板１の端子７ｃと第２の基
板２の端子６ｃとを導通させる。
【００２７】（ＩＣの実装構造）このように構成した液
晶装置１０において、本形態では、図３に示すように、
第１の基板１には、広いＩＣ実装領域というものが特
別、確保されておらず、複数の入力端子１２から封入領
域４に向けて延びるＩＣ実装用の各配線パターン１９の
上に、図１および図２を参照して説明した球状半導体１
１が複数、分散して実装されている。ここで、球状半導
体１１は、１つの入力端子１２に対応して１個あるいは
２個以上、実装され、球状半導体１１同士が、図２
（Ａ）に示したように電気的に接続している場合があ
る。さらには、図２（Ｂ）に示すように、球状半導体１
１が多段積みにされる場合もある。
晶装置１０において、本形態では、図３に示すように、
第１の基板１には、広いＩＣ実装領域というものが特
別、確保されておらず、複数の入力端子１２から封入領
域４に向けて延びるＩＣ実装用の各配線パターン１９の
上に、図１および図２を参照して説明した球状半導体１
１が複数、分散して実装されている。ここで、球状半導
体１１は、１つの入力端子１２に対応して１個あるいは
２個以上、実装され、球状半導体１１同士が、図２
（Ａ）に示したように電気的に接続している場合があ
る。さらには、図２（Ｂ）に示すように、球状半導体１
１が多段積みにされる場合もある。
【００２８】このため、フレキシブル基板２９から入力
端子１２に信号および電源を供給すると、各球状半導体
１１は、希望する適宜のストライプ状電極６ａ、７ａに
所定の電圧を印加することによって各画素（ストライプ
状電極６ａ、７ａの交差部分）においてストライプ状電
極６ａ、７ａの間に挟持されている液晶に所定の電場を
印加する。たとえば、ストライプ状電極７ａには画像デ
ータが印加され、ストライプ状電極６ａには走査信号が
印加される。その結果、各画素（ストライプ状電極６
ａ、７ａの各交差部分）において液晶の配向状態が制御
される結果、液晶装置１０では希望の像が表示される。
端子１２に信号および電源を供給すると、各球状半導体
１１は、希望する適宜のストライプ状電極６ａ、７ａに
所定の電圧を印加することによって各画素（ストライプ
状電極６ａ、７ａの交差部分）においてストライプ状電
極６ａ、７ａの間に挟持されている液晶に所定の電場を
印加する。たとえば、ストライプ状電極７ａには画像デ
ータが印加され、ストライプ状電極６ａには走査信号が
印加される。その結果、各画素（ストライプ状電極６
ａ、７ａの各交差部分）において液晶の配向状態が制御
される結果、液晶装置１０では希望の像が表示される。
【００２９】（本形態の効果）このように本形態では、
第１の基板１の第２の基板２よりも張り出した部分に実
装したＩＣによって、フレキシブル基板２９から入力さ
れた信号に基づいてストライプ状電極６ａ、７ａに挟持
されている液晶を駆動するといっても、ここに用いたＩ
Ｃの機能は、従来のウエーハ状の半導体基板に比較し
て、面積／体積比が高い球状半導体材料に半導体素子を
作り込んだ複数の球状半導体１１が担っている。また、
球状半導体１１はそれ自身が小さいので、形成できる素
子が少ないが、その代わりに分散して実装することがで
きる。このため、従来のＩＣを実装するのに確保してお
いた広い面積のＩＣ実装領域が不要である。従って、第
１の基板１については第２の基板２からわずかに張り出
させればよいなど、液晶装置１０において、表示には直
接、寄与しない領域（外周領域）をかなり狭くできる。
それ故、外形寸法の割りには画像表示領域が大きい液晶
装置１０を実現することができる。
第１の基板１の第２の基板２よりも張り出した部分に実
装したＩＣによって、フレキシブル基板２９から入力さ
れた信号に基づいてストライプ状電極６ａ、７ａに挟持
されている液晶を駆動するといっても、ここに用いたＩ
Ｃの機能は、従来のウエーハ状の半導体基板に比較し
て、面積／体積比が高い球状半導体材料に半導体素子を
作り込んだ複数の球状半導体１１が担っている。また、
球状半導体１１はそれ自身が小さいので、形成できる素
子が少ないが、その代わりに分散して実装することがで
きる。このため、従来のＩＣを実装するのに確保してお
いた広い面積のＩＣ実装領域が不要である。従って、第
１の基板１については第２の基板２からわずかに張り出
させればよいなど、液晶装置１０において、表示には直
接、寄与しない領域（外周領域）をかなり狭くできる。
それ故、外形寸法の割りには画像表示領域が大きい液晶
装置１０を実現することができる。
【００３０】（変形例）上記においては、球状半導体１
１を、１つの入力端子１２に対応して１個あるいは２個
以上実装する例を示した。しかしながら、球状半導体１
１を、複数の入力端子１２に対応して１個あるいは２個
以上実装することもできる。この場合、表示には直接寄
与しない領域（外周領域）を、より一層狭めることがで
きる。
１を、１つの入力端子１２に対応して１個あるいは２個
以上実装する例を示した。しかしながら、球状半導体１
１を、複数の入力端子１２に対応して１個あるいは２個
以上実装することもできる。この場合、表示には直接寄
与しない領域（外周領域）を、より一層狭めることがで
きる。
【００３１】また、電気光学装置として液晶装置を前提
に実施形態を説明したが、液晶装置以外の電気光学装置
にも本発明を適用してもよい。例えば、発光ポリマーを
用いたエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）や、プラズマ
ディスプレイ（ＰＤＰ）や、電界放出素子（ＦＥＤ）等
において、本発明を適用することもできる。
に実施形態を説明したが、液晶装置以外の電気光学装置
にも本発明を適用してもよい。例えば、発光ポリマーを
用いたエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）や、プラズマ
ディスプレイ（ＰＤＰ）や、電界放出素子（ＦＥＤ）等
において、本発明を適用することもできる。
【００３２】以上、本発明の実施形態を説明したが、本
発明は前述した各実施形態に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内または特許請求の範囲の均等範囲
内でさらに各種の変形実施が可能である。
発明は前述した各実施形態に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内または特許請求の範囲の均等範囲
内でさらに各種の変形実施が可能である。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電気
光学装置に用いた球状半導体は、球状半導体材料の表面
に半導体素子を形成したので、ウエーハ状の半導体基板
に比較して、面積／体積比が高い。従って、少ない半導
体材料で広い表面積を確保できるので、この球状半導体
を用いた電気光学装置では、表示には直接、寄与しない
領域（外周領域）を狭めることができる。
光学装置に用いた球状半導体は、球状半導体材料の表面
に半導体素子を形成したので、ウエーハ状の半導体基板
に比較して、面積／体積比が高い。従って、少ない半導
体材料で広い表面積を確保できるので、この球状半導体
を用いた電気光学装置では、表示には直接、寄与しない
領域（外周領域）を狭めることができる。
【図１】本発明に係る液晶装置に用いた球状半導体の説
明図である。
明図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１に示す球状半
導体を基板上に実装した状態を示す説明図である。
導体を基板上に実装した状態を示す説明図である。
【図３】本発明を適用した単純マトリクスタイプの液晶
装置の外観を示す斜視図である。
装置の外観を示す斜視図である。
【図４】従来の単純マトリクスタイプの液晶装置の外観
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図５】図４に示す液晶装置の第１の基板に形成した透
明電極の配置パターンを示す平面図である。
明電極の配置パターンを示す平面図である。
【図６】図４に示す液晶装置の第２の基板に形成した透
明電極の配置パターンを示す平面図である。
明電極の配置パターンを示す平面図である。
１ 第１の基板 ２ 第２の基板 ３ シール材 ４ 封入領域 ６ａ ストライプ状電極（第２の電極） ７ａ ストライプ状電極（第１の電極） ９ ＩＣ実装領域 １０ 液晶装置（電気光学装置） １１ 球状半導体 １２ 入力端子 １９ ＩＣ実装用の配線パターン ２９ フレキシブル基板 ６０、７０ 電極パターン
Claims (5)
- 【請求項１】 第１の電極と第２の電極との間に電気光
学物質が挟持されているとともに、前記第１および第２
の電極のうちの少なくとも一方の電極が形成された基板
には、外部から信号が入力される複数の入力端子が形成
され、かつ、該入力端子に電気的に接続する配線パター
ン上に前記第１および前記第２の電極を介して前記電気
光学物質を駆動する半導体装置が実装されている電気光
学装置において、 前記半導体装置は、球状半導体材料の表面に半導体素子
が形成された複数の球状半導体であることを特徴とする
電気光学装置。 - 【請求項２】 請求項１において、前記第１の電極が第
１の基板に形成され、前記第２の電極が前記第１の基板
に対向して配置された第２の基板に形成されていること
を特徴とする電気光学装置。 - 【請求項３】 請求項２において、前記電気光学物質と
して液晶を用いたことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかにおいて、前
記球状半導体は、１つの前記入力端子に対応して１個あ
るいは２個以上、実装されていることを特徴とする電気
光学装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至３のいずれかにおいて、前
記球状半導体は、複数の前記入力端子に対応して１個あ
るいは２個以上、実装されていることを特徴とする電気
光学装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13605199A JP2000330479A (ja) | 1999-05-17 | 1999-05-17 | 電気光学装置 |
| US09/572,383 US6771239B1 (en) | 1999-05-17 | 2000-05-16 | Method for manufacturing an active matrix substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13605199A JP2000330479A (ja) | 1999-05-17 | 1999-05-17 | 電気光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000330479A true JP2000330479A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15166040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13605199A Pending JP2000330479A (ja) | 1999-05-17 | 1999-05-17 | 電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000330479A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003029722A (ja) * | 2001-07-18 | 2003-01-31 | Sharp Corp | アクティブマトリクス型表示装置 |
| US6771239B1 (en) * | 1999-05-17 | 2004-08-03 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing an active matrix substrate |
-
1999
- 1999-05-17 JP JP13605199A patent/JP2000330479A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6771239B1 (en) * | 1999-05-17 | 2004-08-03 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing an active matrix substrate |
| JP2003029722A (ja) * | 2001-07-18 | 2003-01-31 | Sharp Corp | アクティブマトリクス型表示装置 |
| JP4689097B2 (ja) * | 2001-07-18 | 2011-05-25 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040329 |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050705 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050819 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050905 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070821 |