JP2000323782A - 半導体レーザー及び半導体光増幅器並びにそれらの製造方法 - Google Patents
半導体レーザー及び半導体光増幅器並びにそれらの製造方法Info
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- JP2000323782A JP2000323782A JP11132799A JP13279999A JP2000323782A JP 2000323782 A JP2000323782 A JP 2000323782A JP 11132799 A JP11132799 A JP 11132799A JP 13279999 A JP13279999 A JP 13279999A JP 2000323782 A JP2000323782 A JP 2000323782A
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Abstract
い出力を達成でき、かつ、安定して良好な光出力フィー
ルドを提供し得る半導体レーザーを提供する。 【解決手段】 主励起光領域が幅の広い多モード導波路
2から構成されており、その光出射端には基本モード導
波路1が接続されている。基本モード導波路1の光出射
端には、放射光を除去する凹部32が形成されている。
Description
び半導体光増幅器並びにそれらの製造方法に関する。
パクトディスクに代表される情報入出力技術、あるい
は、光ファイバーを使った光通信技術などの様々な分野
で適用されている。この光エレクトロニクス技術を支え
るデバイスとして、これまでに様々な半導体レーザーが
開発されてきた。例えば、コンパクトディスク用の半導
体レーザーとしては、近赤外もしくは可視光帯の半導体
レーザー、光通信用の半導体レーザーとしては、長波長
帯の半導体レーザーなどがある。
ザーがある。一般的に、この導波型半導体レーザーは、
光に信号を乗せて情報を伝搬させる場合や、光ファイバ
ー増幅器の励起光源として用いる場合には、基本モード
条件を満たすように、あるいは、擬似的に基本モードと
なるように、その導波路構造が設計される。
と、多モード分散の影響を受けるという問題、あるい
は、光ファイバーなど他の光導波路やレンズに信号光を
結合する場合に、信号光を効率よく結合することが難し
くなるという問題が生じるが、導波路構造を上述のよう
に形成することにより、これらの問題を回避することが
可能である。
までに様々な半導体レーザーが開発されてきている。し
かしながら、一方では、この基本モード条件を満たすた
めに設計された構造が、逆に、そのレーザー特性を制限
していた。
幅及び厚さは基本モード条件によって所定の範囲内の幅
及び厚さに限定されていた。特に、利得飽和レベルを改
善するためには、導波路幅を大きくすることが最も簡単
な方法の一つである。しかしながら、前述の基本モード
条件の制約を受けるため、導波路幅を大きくすることに
は限界があり、このため、半導体レーザーの高出力化に
関しては、技術的な限界があった。
避する一例として、PatrickVankwikel
bergeらがIEEE Journal of Qu
antum Electronics,Vol.QE−
23,No.6,1987において、モードフィルター
付きレーザーを報告している。
ては、利得飽和レベルを改善するために、主励起光領域
は多モード導波路として形成され、この多モード導波路
に基本モード導波路を接続した構成が採用されている。
このモードフィルター付きレーザーは、基本モード導波
路は多モード光を導波することができないという原理を
利用して、基本モード光のみを導波させ、多モード光は
放射させるものである。
光として放射される多モード光は、完全に放射してしま
うわけではなく、基本モード光の脇にも僅かに出射して
しまう。このため、上記のモードフィルター付きレーザ
ーには、この点が光出力フィールドの悪化の原因になる
という問題があった。
ィルター付半導体レーザーでは放射光を除去する能力が
不十分であったという問題点に鑑みてなされたものであ
り、放射光を十分に除去し、優れた出力光フィールドを
提供することができる半導体レーザー及び半導体光増幅
器並びにそれらの製造方法を提供することを目的とす
る。
め、本発明の請求項1は、基本モード導波路と、多モー
ド導波路と、基本モード導波路の光出射端に形成され、
放射光を除去する放射光除去手段と、からなり、多モー
ド導波路は基本モード導波路よりも大きな幅を有してお
り、基本モード導波路は、能動光導波路から発振される
発振光に対して、基本モードを提供し、多モード導波路
は、発振光に対して、多モードを含むモードを提供する
ものである半導体レーザーを提供する。
ード導波路は多モード導波路の光出射端に接続されてい
るものとすることができる。
放射光除去手段は基本モード導波路の光出射端に設ける
ことができる。
除去手段は、例えば、基本モード導波路が形成されてい
る領域における凹部として形成ことができる。
ド導波路は、1入力かつN出力型である1×N(Nは正
の整数)マルチモード干渉型導波路として形成すること
ができる。例えば、請求項6に記載されているように、
多モード導波路は、1入力かつ1出力型である1×1マ
ルチモード干渉型導波路とすることができる。
いるように、例えば、全反射面からなるフィルターとし
て形成することができる。
記載されているように、光吸収体からなるフィルターと
して形成することができる。
層、活性層及び第一クラッド層を順次積層する第一の過
程と、バッファ層、活性層及び第一クラッド層並びに基
板の一部を除去し、メサを形成する第二の過程と、メサ
の周囲に第一の電流ブロック層及び第二の電流ブロック
層を、第一の電流ブロック層のみがメサの側壁に接し、
かつ、第二の電流ブロック層のみが表面に露出するよう
に、順次積層する第三の過程と、第一の電流ブロック層
及びメサを覆って第二クラッド層及びキャップ層を順次
積層する第四の過程と、メサの側壁から離れた位置にお
いて、第一の電流ブロック層の途中まで達する凹部を形
成する第五の過程と、裏面電極及び表面電極とを形成す
る第六の過程と、を備える半導体レーザーの製造方法を
提供する。
と、多モード導波路と、基本モード導波路の光出射端に
形成され、放射光を除去する放射光除去手段と、両端面
に形成された反射防止層と、からなり、多モード導波路
は基本モード導波路よりも大きな幅を有しており、基本
モード導波路は、能動光導波路において増幅される増幅
光に対して、基本モードを提供し、多モード導波路は、
増幅光に対して、多モードを含むモードを提供するもの
である半導体光増幅器を提供する。
ングなどの反射防止措置を施すことにより、半導体光増
幅器を実現することができる。このため、上述の請求項
1乃至9に係る半導体レーザーをそのまま半導体光増幅
器として用いることが可能である。
ァ層、活性層及び第一クラッド層を順次積層する第一の
過程と、バッファ層、活性層及び第一クラッド層並びに
基板の一部を除去し、メサを形成する第二の過程と、メ
サの周囲に第一の電流ブロック層及び第二の電流ブロッ
ク層を、第一の電流ブロック層のみがメサの側壁に接
し、かつ、第二の電流ブロック層のみが表面に露出する
ように、順次積層する第三の過程と、第一の電流ブロッ
ク層及びメサを覆って第二クラッド層及びキャップ層を
順次積層する第四の過程と、メサの側壁から離れた位置
において、第一の電流ブロック層の途中まで達する凹部
を形成する第五の過程と、裏面電極及び表面電極とを形
成する第六の過程と、両端面に反射防止層を形成する第
七の過程と、を備える半導体光増幅器の製造方法を提供
する。
本発明の第1の実施形態に係る半導体レーザーを示す。
図1は、本実施形態に係る半導体レーザーの平面図、図
2は図1のA−A線における断面図、図3は図1のB−
B線における断面図である。本実施形態に係る半導体レ
ーザーは埋め込み(BH)構造型、かつ、1.55μm
帯の半導体レーザーである。
体レーザーは、多モード導波路領域に形成されている多
モード導波路2と、多モード導波路2の光出射端に接続
された、基本モード導波路領域に形成されている基本モ
ード導波路1と、から構成されている。
導波路1の各光出射端には凹部32が形成されており、
この凹部32は全反射面から構成されている。このた
め、図1に示すように、多モード導波路2から出射され
た放射光33は凹部32において反射する。すなわち、
凹部32は放射光を除去する放射光除去手段として機能
する。
ード導波路2は1入力かつ1出力型のマルチモード干渉
型導波路(以下、「1×1−MMI(Multimod
eInterference)」と呼ぶ)である。
が約50μm、多モード導波路2が約260μm、半導
体レーザーの全長は約310μmとなっている。
係る半導体レーザーは、凸状部を有するn−InP基板
21と、n−InP基板21の凸状部上にメサ状に形成
されたn−InPバッファ層22、活性層23及びp-
InP第一クラッド層24と、メサ30の周囲に積層さ
れたp-InP電流ブロック層25及びn-InP電流ブ
ロック層26と、p-InP第一クラッド層24及びn-
InP電流ブロック層26上に積層されたp-InP第
二クラッド層27及びp+−InGaAsキャップ層2
8と、からなる。
1.55μm組成InGaAsPからなり、p-InP
電流ブロック層25及びn-InP電流ブロック層26
による電流狭窄構造となっており、活性層23の上に
は、p-InP第一クラッド層24、p-InP第二クラ
ッド層27及びp+−InGaAsキャップ層28が積
層されている。
流ブロック層25及びn-InP電流ブロック層26
は、p-InP電流ブロック層25のみがメサ30の側
壁に接し、かつ、n-InP電流ブロック層26のみがp
-InP第二クラッド層27に接するように形成されて
いる。
に、基本モード導波路1と多モード導波路2との第一の
相違点は導波路幅にある。図2に示すように、基本モー
ド導波路1の導波路幅(W1)はW1=2μmであり、
また、図3に示すように、多モード導波路2の導波路幅
(W2)はW2=10μmに設定されている。
は、放射光を除去するための凹部32が設けられている
点である。
に係る半導体レーザーの製造方法を説明する。
21上に、n-InPバッファ層22、1.55μm組成
InGaAsP活性層23、p-InP第一クラッド層2
4をMOVPE法を用いて順次積層する。
22は約100nm、1.55μm組成InGaAsP
活性層23は約100nm、p-InP第一クラッド層2
4は約100nmにそれぞれ設定されている。
ットエッチング法を用いて、p-InP第一クラッド層2
4上にメサ形成用マスク31を形成する。
E法)を用いて、p-InP第一クラッド層24と、
1.55μm組成InGaAsP活性層23と、n-In
Pバッファ層22と、n-InP基板21の一部を、図5
に示すように除去し、メサ30を形成する。
より、メサ30の周囲にp-InP電流ブロック層25
とn-InP電流ブロック層26とを形成する。これらの
電流ブロック層25、26の形成に際しては、p-In
P電流ブロック層25のみがメサ30の側壁に接し、か
つ、n-InP電流ブロック層26のみが表面に露出する
ようにする。
P電流ブロック層26の厚さはともに約1μmである。
ドフッ酸で除去する。
一クラッド層24及びn-InP電流ブロック層26上
に、p-InP第2クラッド層27及びp+−InGaA
sキャップ層28をMOVPE法により形成する。
ェットエッチング法を用いて、図8に示すように、メサ
30から離れた位置に放射光除去領域としての凹部32
を形成する。この凹部32は、p-InP電流ブロック
層25の途中まで達している。
及び図8から明らかであるように、ほぼ三角柱の形状を
なしている。ただし、凹部32の形状は三角柱に限定さ
れるものではなく、放射光を除去する機能を発揮し得る
形状である限りは、いかなる形状であってもよい。
全反射角による全反射面から構成されている。
面に研磨を施す。
パッタリング法を用いて形成する。
ザーの形成が完了する。
が、基本モードを発振するレーザーであり、従来の基本
モードレーザーに比べて高出力を達成することができ、
かつ、良好な出力光フィールドを提供することができる
原理を述べる。
は、主励起光領域を幅の広い多モード導波路により構成
している。このため、主励起光領域が基本モード導波路
により構成される通常の半導体レーザーと比較して、飽
和光出力レベルを改善することができる。
ーザーは、スネルの法則に基づく全反射角による全反射
面から構成される放射光除去手段としての凹部32を備
えている。このため、非導波光である放射光は凹部32
において除去される。
により除去されることに基づく効果を説明する。
は1×1−MMIから構成されているため、理想的なマ
ルチモード干渉型導波路(MMI)が実現されている限
りは、基本モード導波路1において放射光はほとんど生
じない。
作される場合、ある程度の製作誤差が生じてしまうこと
は避けられない。
合の光出力フィールドを、図9乃至12に示したグラフ
に基づいて計算を行うことにより、見積もった。
り0.25μmずれた場合について、その光出力フィー
ルドを2次元ビーム伝搬法により計算した近視野像(N
FP)を示す。図9から明らかであるように、基本モー
ドの両側に放射光が生じている。
視野像(FFP)は図10のようになり、光出力フィー
ルドが劣化している様子がわかる。すなわち、基本モー
ド導波路のみによっては、放射モード光を完全に放射さ
せることは困難であることがわかる。
基本モードの外側にある放射光を除去した場合の近視野
像(NFP)に対してフーリエ変換を行うと、図12に
示すように、良好な遠視野像(FFP)が得られている
ことがわかる。すなわち、放射光を除去しさえすれば、
良好な光出力フィールドを得ることができるということ
がわかる。
射面を利用して、放射光を積極的に除去する結果とし
て、安定して良好な光出力フィールドを得ることができ
る。
ザーについて述べたが、本半導体レーザーの両端面に無
反射コーティングその他の反射防止措置を施すことによ
って、半導体光増幅器を実現することができるため、本
実施形態は、半導体レーザーと同様に、半導体光増幅器
にも適用可能である。
実施形態においては、半導体レーザー構造を単純な埋め
込み構造(BH構造)としているが、本実施形態及び第
二の実施形態は埋め込み構造に限定されるものではな
く、他の層構造に対しても適用可能である。例えば、電
流狭窄に優れるDC−PBH(Double Chan
nel Planner Buried Hetero
structure)構造に対しても本実施形態及び第
二の実施形態を適用することができる。
波長を1.55μm帯としたが、これに限定されるもの
ではない。例えば、レーザーの波長は可視光帯域であっ
ても良いし、あるいは、0.98μm帯その他の近赤外
光帯であってもよい。
バルク構造としているが、活性層23を多重量子井戸
(MQW)構造とすることも可能である。
び以下に述べる第二の実施形態においては、結晶成長に
MOVPE法、メサ30の形成にRIE法を用いたが、
これらに限定されるものではない。例えば、結晶成長方
法としてMBE法を用いることも可能であり、また、メ
サ30の形成方法としてウェットエッチング法を用いる
ことも可能である。
明の第二の実施形態に係る半導体レーザーを示す。図1
3は、本実施形態に係る半導体レーザーの平面図、図1
4は図13のA−A線における断面図、図15は図13
のB−B線における断面図である。本実施形態に係る半
導体レーザーは埋め込み(BH)構造型、かつ、1.5
5μm帯の半導体レーザーである。
導体レーザーは、多モード導波路42と、多モード導波
路42の光出射端に接続された基本モード導波路41
と、から構成されている。各基本モード導波路41には
基本モード導波路が形成されており、多モード導波路4
2には多モード導波路が形成されている。
ード導波路41の各光出射端には光吸収体62が形成さ
れている。このため、多モード導波路42から出射され
た放射光は光吸収体62に吸収される。すなわち、光吸
収体62は放射光を除去する放射光除去手段として機能
する。
ード導波路は1入力かつ1出力型のマルチモード干渉型
導波路(1×1−MMI)である。
1が約50μm、多モード導波路42が約260μm、
半導体レーザーの全長は約310μmに設定されてい
る。
態に係る半導体レーザーは、n−InP基板51と、n
−InP基板21上にメサ60の形状及び複数の光吸収
体62としての柱の形状に形成されたn−InPバッフ
ァ層52、活性層53及びp-InP第一クラッド層5
4と、メサ60及び複数の光吸収体62の周囲に積層さ
れたp-InP電流ブロック層55及びn-InP電流ブ
ロック層56と、p-InP第一クラッド層54及びn-
InP電流ブロック層56上に積層されたp-InP第
二クラッド層57及びp+−InGaAsキャップ層5
8と、からなる。
3は1.55μm組成InGaAsPからなり、p-I
nP電流ブロック層55及びn-InP電流ブロック層
56による電流狭窄構造となっており、活性層53の上
には、p-InP第一クラッド層54、p-InP第二ク
ラッド層57及びp+−InGaAsキャップ層58が
積層されている。
InP電流ブロック層55及びn-InP電流ブロック
層56は、p-InP電流ブロック層55のみがメサ6
0の側壁及び柱状の光吸収体62に接し、n-InP電
流ブロック層56のみがp-InP第二クラッド層57
に接するように、形成される。
ように、基本モード導波路41と多モード導波路42と
の第一の相違点は導波路幅にある。図14に示すよう
に、基本モード導波路41の導波路幅(W1)はW1=
2μmであり、また、図15に示すように、多モード導
波路2の導波路幅(W2)はW2=10μmに設定され
ている。
は、放射光を除去するための光吸収体62が設けられて
いる点である。
形態に係る半導体レーザーの製造方法を説明する。
板51上に、n-InPバッファ層52、1.55μm組
成InGaAsP活性層53、p-InP第一クラッド層
54をMOVPE法を用いて順次積層する。
52は約100nm、1.55μm組成InGaAsP
活性層53は約100nm、p-InP第一クラッド層5
4は約100nmにそれぞれ設定されている。
ットエッチング法を用いて、p-InP第一クラッド層5
4上にメサ60の形成用及び複数の柱状の光吸収体62
の形成用のマスク61を形成する。マスク61は二酸化
シリコンからなる。
E法)を用いて、p-InP第一クラッド層54と、
1.55μm組成InGaAsP活性層53と、n-In
Pバッファ層52と、n-InP基板21の一部を、図1
7に示すように除去し、多モード導波路42にメサ60
を、基本モード導波路41に複数の光吸収体62をそれ
ぞれ形成する。
ェットエッチング法を用いて、メサ60上のマスク61
のみを残し、各光吸収体62上のマスク61を除去す
る。
により、メサ60の周囲にp-InP電流ブロック層5
5とn-InP電流ブロック層56とを形成する。これら
の電流ブロック層55、56の形成に際しては、p-I
nP電流ブロック層55のみがメサ60の側壁及び複数
の光吸収体62に接し、かつ、n-InP電流ブロック層
56のみが表面に露出するようにする。
P電流ブロック層56の厚さはともに約1μmである。
ドフッ酸で除去する。
第一クラッド層54及びn-InP電流ブロック層56
上に、p-InP第2クラッド層57及びp+−InGa
Asキャップ層58をMOVPE法により形成する。
施す。
パッタリング法を用いて形成する。
ザーの形成が完了する。
が、基本モードを発振するレーザーであり、従来の基本
モードレーザーに比べて高出力を達成することができ、
かつ、良好な出力光フィールドを提供することができる
原理を述べる。
は、主励起光領域を幅の広い多モード導波路により構成
している。このため、主励起光領域が基本モード導波路
により構成される通常の半導体レーザーと比較して、飽
和光出力レベルを改善することができる。
ーザーは、放射光除去手段としての光吸収体62を備え
ている。この光吸収体62は、活性層53から構成され
ており、活性層53に電流が注入されない場合には、活
性層53は光吸収層として機能する。このため、非導波
光である放射光は光吸収体62において除去される。
3と同一の層を吸収体62として利用し、放射光を積極
的に除去する結果として、安定して良好な光出力フィー
ルドを得ることができる。
実施形態は半導体レーザーについて述べたが、本半導体
レーザーの両端面に無反射コーティングその他の反射防
止措置を施すことによって、半導体光増幅器を実現する
ことができるため、本実施形態は、半導体レーザーと同
様に、半導体光増幅器にも適用可能である。
光増幅器によれば、従来の基本モードレーザー又は光増
幅器に比べて高出力を達成することができ、かつ、放射
光除去手段により、放射光が十分に除去されるため、優
れた出力光フィールドを提供することができる。
の平面図である。
法の一工程における半導体レーザーの断面図である。
法の一工程における半導体レーザーの断面図である。
法の一工程における半導体レーザーの断面図である。
法の一工程における半導体レーザーの断面図である。
法の一工程における半導体レーザーの断面図である。
光出力フィールドの近視野像(NFP)を示すグラフで
ある。
視野像(FFP)を示すグラフである。
近視野像(NFP)を示すグラフである。
遠視野像(FFP)を示すグラフである。
ーの平面図である。
方法の一工程における半導体レーザーの断面図である。
方法の一工程における半導体レーザーの断面図である。
方法の一工程における半導体レーザーの断面図である。
方法の一工程における半導体レーザーの断面図である。
Claims (17)
- 【請求項1】 基本モード導波路と、 多モード導波路と、 放射光を除去する放射光除去手段と、 からなり、 前記多モード導波路は前記基本モード導波路よりも大き
な幅を有しており、前記基本モード導波路は、能動光導
波路から発振される発振光に対して、基本モードを提供
し、 前記多モード導波路は、前記発振光に対して、多モード
を含むモードを提供するものである半導体レーザー。 - 【請求項2】 前記基本モード導波路は前記多モード導
波路の光出射端に接続されているものであることを特徴
とする請求項1に記載の半導体レーザー。 - 【請求項3】 前記放射光除去手段は前記基本モード導
波路の光出射端に設けられていることを特徴とする請求
項2に記載の半導体レーザー。 - 【請求項4】 前記放射光除去手段は、前記基本モード
導波路が形成されている領域における凹部として形成さ
れるものであることを特徴とする請求項3に記載の半導
体レーザー。 - 【請求項5】 前記多モード導波路は、1入力かつN出
力型である1×N(Nは正の整数)マルチモード干渉型
導波路であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか
一項に記載の半導体レーザー。 - 【請求項6】 前記多モード導波路は、1入力かつ1出
力型である1×1マルチモード干渉型導波路であること
を特徴とする請求項5に記載の半導体レーザー。 - 【請求項7】 前記放射光除去手段は、全反射面からな
るフィルターであることを特徴とする請求項1乃至6の
何れか一項に記載の半導体レーザー。 - 【請求項8】 前記放射光除去手段は、光吸収体からな
るフィルターであることを特徴とする請求項1乃至6の
何れか一項に記載の半導体レーザー。 - 【請求項9】 基板上に、バッファ層、活性層及び第一
クラッド層を順次積層する第一の過程と、 前記バッファ層、活性層及び第一クラッド層並びに前記
基板の一部を除去し、メサを形成する第二の過程と、 前記メサの周囲に第一の電流ブロック層及び第二の電流
ブロック層を、前記第一の電流ブロック層のみが前記メ
サの側壁に接し、かつ、前記第二の電流ブロック層のみ
が表面に露出するように、順次積層する第三の過程と、 前記第一の電流ブロック層及び前記メサを覆って第二ク
ラッド層及びキャップ層を順次積層する第四の過程と、 前記メサの側壁から離れた位置において、前記第一の電
流ブロック層の途中まで達する凹部を形成する第五の過
程と、 裏面電極及び表面電極とを形成する第六の過程と、 を備える半導体レーザーの製造方法。 - 【請求項10】 基本モード導波路と、 多モード導波路と、 放射光を除去する放射光除去手段と、 両端面に形成された反射防止層と、 からなり、 前記多モード導波路は前記基本モード導波路よりも大き
な幅を有しており、 前記基本モード導波路は、能動光導波路において増幅さ
れる増幅光に対して、基本モードを提供し、 前記多モード導波路は、前記増幅光に対して、多モード
を含むモードを提供するものである半導体光増幅器。 - 【請求項11】 前記基本モード導波路は前記多モード
導波路の光出射端に接続されているものであることを特
徴とする請求項10に記載の半導体光増幅器。 - 【請求項12】 前記放射光除去手段は前記基本モード
導波路の光出射端に設けられていることを特徴とする請
求項11に記載の半導体光増幅器。 - 【請求項13】 前記放射光除去手段は、前記基本モー
ド導波路が形成されている領域における凹部として形成
されるものであることを特徴とする請求項12に記載の
半導体光増幅器。 - 【請求項14】前記多モード導波路は、1入力かつ1出
力型である1×1マルチモード干渉型導波路であること
を特徴とする請求項10乃至13の何れか一項に記載の
半導体光増幅器。 - 【請求項15】 前記放射光除去手段は、全反射面から
なるフィルターであることを特徴とする請求項10乃至
14の何れか一項に記載の半導体光増幅器。 - 【請求項16】 前記放射光除去手段は、光吸収体から
なるフィルターであることを特徴とする請求項10乃至
14の何れか一項に記載の半導体光増幅器。 - 【請求項17】 基板上に、バッファ層、活性層及び第
一クラッド層を順次積層する第一の過程と、 前記バッファ層、活性層及び第一クラッド層並びに前記
基板の一部を除去し、メサを形成する第二の過程と、 前記メサの周囲に第一の電流ブロック層及び第二の電流
ブロック層を、前記第一の電流ブロック層のみが前記メ
サの側壁に接し、かつ、前記第二の電流ブロック層のみ
が表面に露出するように、順次積層する第三の過程と、 前記第一の電流ブロック層及び前記メサを覆って第二ク
ラッド層及びキャップ層を順次積層する第四の過程と、 前記メサの側壁から離れた位置において、前記第一の電
流ブロック層の途中まで達する凹部を形成する第五の過
程と、 裏面電極及び表面電極とを形成する第六の過程と、 両端面に反射防止層を形成する第七の過程と、 を備える半導体光増幅器の製造方法。
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