JP2000322712A - 薄膜磁気ヘッド、及び前記薄膜磁気ヘッドを形成する基板 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド、及び前記薄膜磁気ヘッドを形成する基板Info
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
- G11B5/3166—Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 モニター素子の直流抵抗を測定しながら、ハ
イト出し加工を施すと、モニター素子の上下のシールド
層及び前記モニター素子の電極層にスメアリング（だ
れ）が生じ、このスメアリングによって、モニター素子
の電極層とシールド層とがショートし、適性に直流抵抗
を測定できないといった問題があった。 【解決手段】 モニター素子２２の電極層２８を、先端
領域Ａとこの先端領域Ａからトラック幅方向に広がりな
がら延びる後端領域Ｂとで構成する。これにより前記先
端領域ＡのＡＢＳ面での幅寸法を、従来に比べ小さくす
ることができ、適切にモニター素子２２の直流抵抗値を
測定しながら、ハイト出し加工を行うことができる。ま
た、磁気抵抗効果素子２１の電極層２６も同じ様に形成
することで、薄膜磁気ヘッドにスメアリングが発生する
のを抑制でき、歩留まり良く製造することができる。
イト出し加工を施すと、モニター素子の上下のシールド
層及び前記モニター素子の電極層にスメアリング（だ
れ）が生じ、このスメアリングによって、モニター素子
の電極層とシールド層とがショートし、適性に直流抵抗
を測定できないといった問題があった。 【解決手段】 モニター素子２２の電極層２８を、先端
領域Ａとこの先端領域Ａからトラック幅方向に広がりな
がら延びる後端領域Ｂとで構成する。これにより前記先
端領域ＡのＡＢＳ面での幅寸法を、従来に比べ小さくす
ることができ、適切にモニター素子２２の直流抵抗値を
測定しながら、ハイト出し加工を行うことができる。ま
た、磁気抵抗効果素子２１の電極層２６も同じ様に形成
することで、薄膜磁気ヘッドにスメアリングが発生する
のを抑制でき、歩留まり良く製造することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果を発
揮する磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッド、及び
前記薄膜磁気ヘッドが製造される前の段階でのモニター
素子を備えた基板に係り、特に今後の高記録密度化に伴
う狭ギャップ化に対応するために、スメアリングの発生
を低減することが可能な薄膜磁気ヘッド、及び前記薄膜
磁気ヘッドを形成する基板に関する。
揮する磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッド、及び
前記薄膜磁気ヘッドが製造される前の段階でのモニター
素子を備えた基板に係り、特に今後の高記録密度化に伴
う狭ギャップ化に対応するために、スメアリングの発生
を低減することが可能な薄膜磁気ヘッド、及び前記薄膜
磁気ヘッドを形成する基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の薄膜磁気ヘッドを形成す
る基板の部分平面図、図６は図５に示す６−６線の断面
図である。なお図５では、図６に示す上部ギャップ層１
１及び上部シールド層１２が図面上省略されている。
る基板の部分平面図、図６は図５に示す６−６線の断面
図である。なお図５では、図６に示す上部ギャップ層１
１及び上部シールド層１２が図面上省略されている。
【０００３】図６に示すように、例えばＡｌ2Ｏ3−Ｔｉ
Ｃ（アルミナ−チタンカーバイト）で形成された基板１
の上には、ＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形成された下
部シールド層３が形成され、さらに前記下部シールド層
３の上には、Ａｌ2Ｏ3などの絶縁材料から成る下部ギャ
ップ層４が形成されている。
Ｃ（アルミナ−チタンカーバイト）で形成された基板１
の上には、ＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形成された下
部シールド層３が形成され、さらに前記下部シールド層
３の上には、Ａｌ2Ｏ3などの絶縁材料から成る下部ギャ
ップ層４が形成されている。
【０００４】そして図６に示すように、複数の磁気抵抗
効果素子１３と、１つのモニター素子５とが、下部ギャ
ップ層４上であって、ＡＢＳ面方向（図示Ｘ方向）に一
列に並んで形成されている。
効果素子１３と、１つのモニター素子５とが、下部ギャ
ップ層４上であって、ＡＢＳ面方向（図示Ｘ方向）に一
列に並んで形成されている。
【０００５】図６に示すように磁気抵抗効果素子１３の
中央部には、例えば反強磁性層、固定磁性層、非磁性導
電層、及びフリー磁性層で構成されたスピンバルブ膜
（ＧＭＲ素子の１種）から成る多層膜７が形成されてい
る。前記スピンバルブ膜は巨大磁気抵抗効果を利用した
素子であり、記録媒体からの洩れ磁界の変化に応じて電
気抵抗が変わり、これにより記録信号が検出されるよう
になっている。また図に示すように前記多層膜７の両側
には、Ｃｒ（クロム）などの非磁性金属材料で形成され
た電極層８が形成されている。
中央部には、例えば反強磁性層、固定磁性層、非磁性導
電層、及びフリー磁性層で構成されたスピンバルブ膜
（ＧＭＲ素子の１種）から成る多層膜７が形成されてい
る。前記スピンバルブ膜は巨大磁気抵抗効果を利用した
素子であり、記録媒体からの洩れ磁界の変化に応じて電
気抵抗が変わり、これにより記録信号が検出されるよう
になっている。また図に示すように前記多層膜７の両側
には、Ｃｒ（クロム）などの非磁性金属材料で形成され
た電極層８が形成されている。
【０００６】また前記モニター素子５も、前記磁気抵抗
効果素子１３と全く同じ構造で形成されている。すなわ
ち、前記モニター素子５の中央部には磁気抵抗効果を発
揮する多層膜９が形成され、前記多層膜９の両側には、
Ｃｒ（クロム）などの電極層１０が形成されている。磁
気抵抗効果素子１３とモニター素子５は、下部ギャップ
層４上に同時にパターン形成される。
効果素子１３と全く同じ構造で形成されている。すなわ
ち、前記モニター素子５の中央部には磁気抵抗効果を発
揮する多層膜９が形成され、前記多層膜９の両側には、
Ｃｒ（クロム）などの電極層１０が形成されている。磁
気抵抗効果素子１３とモニター素子５は、下部ギャップ
層４上に同時にパターン形成される。
【０００７】図５に示すように、磁気抵抗効果素子１３
を構成する一対の電極層８及びモニター素子５を構成す
る一対の電極層１０は、共に多層膜７，９を挟んで、そ
の両側に左右対称に形成されている。前記電極層８，１
０は、ＡＢＳ面にて露出して形成されている。
を構成する一対の電極層８及びモニター素子５を構成す
る一対の電極層１０は、共に多層膜７，９を挟んで、そ
の両側に左右対称に形成されている。前記電極層８，１
０は、ＡＢＳ面にて露出して形成されている。
【０００８】図５に示すように、ＡＢＳ面にて露出する
多層膜７，９の両側に形成された一方の電極層８，１０
から他方の電極層８，１０までの幅寸法は、Ｔ１で形成
され、従来では前記幅寸法Ｔ１は、例えば８０μｍ以上
で形成されていた。
多層膜７，９の両側に形成された一方の電極層８，１０
から他方の電極層８，１０までの幅寸法は、Ｔ１で形成
され、従来では前記幅寸法Ｔ１は、例えば８０μｍ以上
で形成されていた。
【０００９】図６に示すように前記磁気抵抗効果素子１
３及びモニター素子５の上には、Ａｌ2Ｏ3などの絶縁材
料で形成された上部ギャップ層１１が形成され、さらに
前記上部ギャップ層１１の上にはＮｉＦｅ合金（パーマ
ロイ）などで形成された上部シールド層１２が形成され
ている。そして、図６に示すように、下部ギャップ層４
から上部ギャップ層１１までの長さ寸法は、磁気ギャッ
プＧｌとして規定されている。
３及びモニター素子５の上には、Ａｌ2Ｏ3などの絶縁材
料で形成された上部ギャップ層１１が形成され、さらに
前記上部ギャップ層１１の上にはＮｉＦｅ合金（パーマ
ロイ）などで形成された上部シールド層１２が形成され
ている。そして、図６に示すように、下部ギャップ層４
から上部ギャップ層１１までの長さ寸法は、磁気ギャッ
プＧｌとして規定されている。
【００１０】ところで、モニター素子５は、前記モニタ
ー素子５と同列に形成された複数の磁気抵抗効果素子１
３の直流抵抗（ＤＣＲ）をある所定値に定めるために設
けられた、いわゆる加工用モニターであり、加工用モニ
ターとしての役割を果たした後、前記モニター素子は除
去される。
ー素子５と同列に形成された複数の磁気抵抗効果素子１
３の直流抵抗（ＤＣＲ）をある所定値に定めるために設
けられた、いわゆる加工用モニターであり、加工用モニ
ターとしての役割を果たした後、前記モニター素子は除
去される。
【００１１】磁気抵抗効果素子１３の直流抵抗（ＤＣ
Ｒ）をある所定値に定めるためには、前記モニター素子
５を構成する電極層１０間の直流抵抗を測定しながら、
磁気抵抗効果素子及びモニター素子５のＡＢＳ面（図５
参照）を研削加工する（ハイト出し）。そして、所定の
直流抵抗値となったら、前記ＡＢＳ面の研削加工を終了
する。
Ｒ）をある所定値に定めるためには、前記モニター素子
５を構成する電極層１０間の直流抵抗を測定しながら、
磁気抵抗効果素子及びモニター素子５のＡＢＳ面（図５
参照）を研削加工する（ハイト出し）。そして、所定の
直流抵抗値となったら、前記ＡＢＳ面の研削加工を終了
する。
【００１２】前述したように、複数の磁気抵抗効果素子
１３は全て同じ構造で、しかもＡＢＳ面と平行に一列上
に形成されているので、研削加工を施してモニター素子
５の直流抵抗値がある一定の直流抵抗値に達すると、各
磁気抵抗効果素子１３の直流抵抗値も所定の直流抵抗値
に達していることになる。
１３は全て同じ構造で、しかもＡＢＳ面と平行に一列上
に形成されているので、研削加工を施してモニター素子
５の直流抵抗値がある一定の直流抵抗値に達すると、各
磁気抵抗効果素子１３の直流抵抗値も所定の直流抵抗値
に達していることになる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら高記録密
度化に伴い、狭ギャップ化が進むと、前記モニター素子
５を構成する電極層１０間の直流抵抗を測定しながら、
磁気抵抗効果素子１３及びモニター素子５のＡＢＳ面を
研削加工している際に、前記ＡＢＳ面に露出しているシ
ールド層３，１２と、モニター素子５の電極層１０との
間で、スメアリング（だれ）が発生し、前記電極層１０
と前記シールド層３，１２とが電気的に接触するといっ
た問題が発生していた。このため、モニター素子５の電
極層１０間での直流抵抗（ＤＣＲ）を正確に測定でき
ず、磁気抵抗効果素子１３のハイト方向（図示Ｙ方向）
への長さ寸法を所定の直流抵抗を示す寸法値で形成する
ことができなかった。
度化に伴い、狭ギャップ化が進むと、前記モニター素子
５を構成する電極層１０間の直流抵抗を測定しながら、
磁気抵抗効果素子１３及びモニター素子５のＡＢＳ面を
研削加工している際に、前記ＡＢＳ面に露出しているシ
ールド層３，１２と、モニター素子５の電極層１０との
間で、スメアリング（だれ）が発生し、前記電極層１０
と前記シールド層３，１２とが電気的に接触するといっ
た問題が発生していた。このため、モニター素子５の電
極層１０間での直流抵抗（ＤＣＲ）を正確に測定でき
ず、磁気抵抗効果素子１３のハイト方向（図示Ｙ方向）
への長さ寸法を所定の直流抵抗を示す寸法値で形成する
ことができなかった。
【００１４】ところで前記スメアリングは、磁気抵抗効
果素子１３の電極層８とシールド層３，１２との間にも
発生する。磁気抵抗効果素子１３が形成されている基板
の部分は、前記磁気抵抗効果素子１３の直流抵抗値を所
定値に設定した後、薄膜磁気ヘッドとして製品化される
部分であるから、従来では、前記磁気抵抗効果素子１３
の電極層８とシールド層３，１２に発生していたスメア
リングを、取り除く作業を薄膜磁気ヘッドの製品化の前
に行う必要性があった。
果素子１３の電極層８とシールド層３，１２との間にも
発生する。磁気抵抗効果素子１３が形成されている基板
の部分は、前記磁気抵抗効果素子１３の直流抵抗値を所
定値に設定した後、薄膜磁気ヘッドとして製品化される
部分であるから、従来では、前記磁気抵抗効果素子１３
の電極層８とシールド層３，１２に発生していたスメア
リングを、取り除く作業を薄膜磁気ヘッドの製品化の前
に行う必要性があった。
【００１５】しかしながら狭ギャップ化が進むと、非常
に狭い磁気ギャップＧｌ間に発生したスメアリングを適
切に取り除くのは困難であり、従って薄膜磁気ヘッドの
歩留まりの低下が問題となっていた。
に狭い磁気ギャップＧｌ間に発生したスメアリングを適
切に取り除くのは困難であり、従って薄膜磁気ヘッドの
歩留まりの低下が問題となっていた。
【００１６】特に従来では、図５、６に示すように、Ａ
ＢＳ面にて露出する電極層８、１０の幅寸法Ｔ１が大き
かったため、狭ギャップ化が進むほど、ハイト出し加工
の際に、前記電極層８、１０にスメアリングが起こりや
すい構造となっていた。
ＢＳ面にて露出する電極層８、１０の幅寸法Ｔ１が大き
かったため、狭ギャップ化が進むほど、ハイト出し加工
の際に、前記電極層８、１０にスメアリングが起こりや
すい構造となっていた。
【００１７】本発明は上記問題点を解決するためのもの
であり、特に、電極層の形状を改良することで、ハイト
出し加工の際に、電極層とシールド層との間で生じるス
メアリングを低減でき、狭ギャップ化に対応可能な薄膜
磁気ヘッド、及び前記磁気磁気ヘッドを形成する基板を
提供することを目的としている。
であり、特に、電極層の形状を改良することで、ハイト
出し加工の際に、電極層とシールド層との間で生じるス
メアリングを低減でき、狭ギャップ化に対応可能な薄膜
磁気ヘッド、及び前記磁気磁気ヘッドを形成する基板を
提供することを目的としている。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、下部シールド
層と、前記下部シールド層の上に下部ギャップ層を介し
て形成された、磁気抵抗効果を発揮する多層膜と、前記
多層膜の両側に形成されて前記多層膜にバイアス磁界を
与える一対のバイアス層と、前記バイアス層上に形成さ
れて前記多層膜に導通する一対の電極層とから成る磁気
抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の上に、上部ギ
ャップ層を介して形成された上部シールド層とを有する
薄膜磁気ヘッドにおいて、前記電極層及びバイアス層
は、ＡＢＳ面からハイト方向へ一定の長さ寸法で形成さ
れる先端領域と、この先端領域との境界からトラック幅
方向に広がりを持って且つハイト方向へ向けて形成され
る後端領域とを有して構成されていることを特徴とする
ものである。
層と、前記下部シールド層の上に下部ギャップ層を介し
て形成された、磁気抵抗効果を発揮する多層膜と、前記
多層膜の両側に形成されて前記多層膜にバイアス磁界を
与える一対のバイアス層と、前記バイアス層上に形成さ
れて前記多層膜に導通する一対の電極層とから成る磁気
抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の上に、上部ギ
ャップ層を介して形成された上部シールド層とを有する
薄膜磁気ヘッドにおいて、前記電極層及びバイアス層
は、ＡＢＳ面からハイト方向へ一定の長さ寸法で形成さ
れる先端領域と、この先端領域との境界からトラック幅
方向に広がりを持って且つハイト方向へ向けて形成され
る後端領域とを有して構成されていることを特徴とする
ものである。
【００１９】本発明では上記の構成により、磁気抵抗効
果を発揮する多層膜の両側に形成されるバイアス層及び
電極層のＡＢＳ面に露出する幅寸法を、従来に比べて小
さくすることができ、前記バイアス層及び電極層と、シ
ールド層間に、スメアリング（だれ）が発生しない薄膜
磁気ヘッドを製造することが可能である。
果を発揮する多層膜の両側に形成されるバイアス層及び
電極層のＡＢＳ面に露出する幅寸法を、従来に比べて小
さくすることができ、前記バイアス層及び電極層と、シ
ールド層間に、スメアリング（だれ）が発生しない薄膜
磁気ヘッドを製造することが可能である。
【００２０】本発明では、一対の電極層及び一対のバイ
アス層の先端領域のＡＢＳ面に露出する部分の幅寸法
は、下部シールド層及び／又は上部シールド層の幅寸法
のほぼ２／３以下であることが好ましい。
アス層の先端領域のＡＢＳ面に露出する部分の幅寸法
は、下部シールド層及び／又は上部シールド層の幅寸法
のほぼ２／３以下であることが好ましい。
【００２１】また本発明では、各電極層及び各バイアス
層の先端領域のＡＢＳ面に露出する部分の幅寸法は、後
端領域の最も幅寸法の大きい部分のほぼ９／１０以下で
あることが好ましい。
層の先端領域のＡＢＳ面に露出する部分の幅寸法は、後
端領域の最も幅寸法の大きい部分のほぼ９／１０以下で
あることが好ましい。
【００２２】さらに本発明では、一対の電極層及び一対
のバイアス層の先端領域のＡＢＳ面に露出する部分の幅
寸法は、ほぼ８０μｍ以下で形成されることが好まし
い。
のバイアス層の先端領域のＡＢＳ面に露出する部分の幅
寸法は、ほぼ８０μｍ以下で形成されることが好まし
い。
【００２３】このように本発明では、ＡＢＳ面に露出す
る電極層及びバイアス層の幅寸法を、シールド層の幅寸
法との関係等において適性化することで、スメアリング
の発生を適性に防止することができ、特に上記の数値限
定により、電極層とシールド層間で起こるショート率を
１０％以下に抑えることができることが後述する実験に
よって確認されている。
る電極層及びバイアス層の幅寸法を、シールド層の幅寸
法との関係等において適性化することで、スメアリング
の発生を適性に防止することができ、特に上記の数値限
定により、電極層とシールド層間で起こるショート率を
１０％以下に抑えることができることが後述する実験に
よって確認されている。
【００２４】また本発明では、一対の電極層及び一対の
バイアス層の先端領域のＡＢＳ面に露出する部分の幅寸
法は、下部シールド層及び／又は上部シールド層の幅寸
法のほぼ１／４以下であることが好ましい。また本発明
では、各電極層及び各バイアス層の先端領域のＡＢＳ面
に露出する部分の幅寸法は、後端領域の最も幅寸法の大
きい部分のほぼ１／３以下であることが好ましい。さら
に本発明では、一対の電極層及び一対のバイアス層の先
端領域のＡＢＳ面に露出する部分の幅寸法は、ほぼ３０
μｍ以下で形成されることが好ましい。
バイアス層の先端領域のＡＢＳ面に露出する部分の幅寸
法は、下部シールド層及び／又は上部シールド層の幅寸
法のほぼ１／４以下であることが好ましい。また本発明
では、各電極層及び各バイアス層の先端領域のＡＢＳ面
に露出する部分の幅寸法は、後端領域の最も幅寸法の大
きい部分のほぼ１／３以下であることが好ましい。さら
に本発明では、一対の電極層及び一対のバイアス層の先
端領域のＡＢＳ面に露出する部分の幅寸法は、ほぼ３０
μｍ以下で形成されることが好ましい。
【００２５】上記のように数値限定することにより、電
極層とシールド層との間で起こるショート率を５％以下
に抑えることができることが、後述する実験によって確
認されている。
極層とシールド層との間で起こるショート率を５％以下
に抑えることができることが、後述する実験によって確
認されている。
【００２６】また本発明では、前記先端領域のハイト方
向への長さ寸法が、０．５μｍ以上で２．０μｍ以下の
範囲内で形成されることが好ましい。
向への長さ寸法が、０．５μｍ以上で２．０μｍ以下の
範囲内で形成されることが好ましい。
【００２７】さらに本発明では、前記先端領域の外側縁
部からの延長線、又は前記先端領域の外側縁部が湾曲線
である場合の前記湾曲線の長さ中心での接線を第１の仮
想線とし、前記後端領域の外側縁部からの延長線、又は
前記後端領域の外側縁部が湾曲線である場合の前記湾曲
線の長さ中心での接線を第２の仮想線としたときに、ハ
イト方向に対する第１の仮想線の傾斜角αが、第２の仮
想線の傾斜角βよりも小さいことが好ましい。
部からの延長線、又は前記先端領域の外側縁部が湾曲線
である場合の前記湾曲線の長さ中心での接線を第１の仮
想線とし、前記後端領域の外側縁部からの延長線、又は
前記後端領域の外側縁部が湾曲線である場合の前記湾曲
線の長さ中心での接線を第２の仮想線としたときに、ハ
イト方向に対する第１の仮想線の傾斜角αが、第２の仮
想線の傾斜角βよりも小さいことが好ましい。
【００２８】本発明では、前記第１の仮想線が、ハイト
方向と平行に延びていてもよいし、あるいは、前記先端
領域の外側縁部は、トラック幅方向へ広がりながらハイ
ト方向へ直線状に延びていてもよい。
方向と平行に延びていてもよいし、あるいは、前記先端
領域の外側縁部は、トラック幅方向へ広がりながらハイ
ト方向へ直線状に延びていてもよい。
【００２９】また本発明は、磁気抵抗効果を発揮する多
層膜と、前記多層膜の両側に形成されて前記多層膜にバ
イアス磁界を与える一対のバイアス層と、前記バイアス
層上に形成されて前記多層膜に導通する一対の電極層と
から成る薄膜磁気ヘッド用の磁気抵抗効果素子及び、ハ
イト出し加工の際に使用される前記磁気抵抗効果素子と
同じ構造のモニター用の磁気抵抗効果素子が、下部シー
ルド層の上に下部ギャップ層を介して形成され、さらに
前記磁気抵抗効果素子の上に、上部ギャップ層を介して
上部シールド層が形成されている基板において、前記薄
膜磁気ヘッド用の磁気抵抗効果素子およびモニター用の
磁気抵抗効果素子の少なくとも一方が、前記記載の構造
であることを特徴とするものである。
層膜と、前記多層膜の両側に形成されて前記多層膜にバ
イアス磁界を与える一対のバイアス層と、前記バイアス
層上に形成されて前記多層膜に導通する一対の電極層と
から成る薄膜磁気ヘッド用の磁気抵抗効果素子及び、ハ
イト出し加工の際に使用される前記磁気抵抗効果素子と
同じ構造のモニター用の磁気抵抗効果素子が、下部シー
ルド層の上に下部ギャップ層を介して形成され、さらに
前記磁気抵抗効果素子の上に、上部ギャップ層を介して
上部シールド層が形成されている基板において、前記薄
膜磁気ヘッド用の磁気抵抗効果素子およびモニター用の
磁気抵抗効果素子の少なくとも一方が、前記記載の構造
であることを特徴とするものである。
【００３０】スピンバルブ膜（ＧＭＲ素子の１種）など
で構成された磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッド
は、まず、複数の磁気抵抗効果素子が形成されたウエハ
ー状の形体から、様々な加工が施されることにより形成
される。
で構成された磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッド
は、まず、複数の磁気抵抗効果素子が形成されたウエハ
ー状の形体から、様々な加工が施されることにより形成
される。
【００３１】ところで、前記薄膜磁気ヘッドに形成され
た磁気抵抗効果素子の露出面をＡＢＳ面と称し、記録媒
体信号の再生時において、この露出するＡＢＳ面が記録
媒体と対向する。また、ＡＢＳ面に垂直方向であって、
前記ＡＢＳ面が記録媒体と対向する際における前記記録
媒体から離れる方向をハイト方向と称しているが、この
ハイト方向における磁気抵抗効果素子の長さ寸法は、前
記磁気抵抗効果素子の直流抵抗を決定する上で非常に重
要な寸法である。
た磁気抵抗効果素子の露出面をＡＢＳ面と称し、記録媒
体信号の再生時において、この露出するＡＢＳ面が記録
媒体と対向する。また、ＡＢＳ面に垂直方向であって、
前記ＡＢＳ面が記録媒体と対向する際における前記記録
媒体から離れる方向をハイト方向と称しているが、この
ハイト方向における磁気抵抗効果素子の長さ寸法は、前
記磁気抵抗効果素子の直流抵抗を決定する上で非常に重
要な寸法である。
【００３２】磁気抵抗効果素子のハイト方向への長さ
を、前記直流抵抗との関係から所定寸法に研削加工（ハ
イト出し加工）するために、前記磁気抵抗効果素子と全
く同じ構成を有するモニター素子を、基板上に形成され
た磁気抵抗効果素子の形成位置と同列上に形成し、この
モニター素子の直流抵抗を測定しながら、磁気抵抗効果
素子及びモニター素子のＡＢＳ面に対してハイト出し加
工を施している。そして、所定の直流抵抗値となった時
点でハイト出し加工を終了すると、磁気抵抗効果素子
は、所定の直流抵抗を有するハイト方向の長さ寸法によ
って形成された状態となっている。
を、前記直流抵抗との関係から所定寸法に研削加工（ハ
イト出し加工）するために、前記磁気抵抗効果素子と全
く同じ構成を有するモニター素子を、基板上に形成され
た磁気抵抗効果素子の形成位置と同列上に形成し、この
モニター素子の直流抵抗を測定しながら、磁気抵抗効果
素子及びモニター素子のＡＢＳ面に対してハイト出し加
工を施している。そして、所定の直流抵抗値となった時
点でハイト出し加工を終了すると、磁気抵抗効果素子
は、所定の直流抵抗を有するハイト方向の長さ寸法によ
って形成された状態となっている。
【００３３】本発明では、今後の高記録密度化に伴う狭
ギャップ化に対応するために、モニター素子及び／また
は磁気抵抗効果素子を構成するバイアス層及び電極層
を、先端領域と、この先端領域との境界からハイト方向
へトラック幅方向に広がりを持って形成される後端領域
とで構成することにより、ＡＢＳ面にて露出する先端領
域の幅寸法を、従来に比べて小さく形成でき、さらに後
端側でのバイアス層及び電極層の形成領域を従来と同程
度に保つことが可能である。
ギャップ化に対応するために、モニター素子及び／また
は磁気抵抗効果素子を構成するバイアス層及び電極層
を、先端領域と、この先端領域との境界からハイト方向
へトラック幅方向に広がりを持って形成される後端領域
とで構成することにより、ＡＢＳ面にて露出する先端領
域の幅寸法を、従来に比べて小さく形成でき、さらに後
端側でのバイアス層及び電極層の形成領域を従来と同程
度に保つことが可能である。
【００３４】このように本発明では、バイアス層及び電
極層の先端領域の幅寸法を小さく形成することができる
ので、ハイト出し加工によっても、スメアリングが発生
しにくく、より適切にモニター素子の直流抵抗値を測定
しながらハイト出し加工を施すことが可能である。
極層の先端領域の幅寸法を小さく形成することができる
ので、ハイト出し加工によっても、スメアリングが発生
しにくく、より適切にモニター素子の直流抵抗値を測定
しながらハイト出し加工を施すことが可能である。
【００３５】上述した薄膜磁気ヘッドを形成する基板
は、最終的に磁気抵抗効果素子毎に切断され、いわゆる
薄膜磁気ヘッドが完成する。前記磁気抵抗効果素子のバ
イアス層及び電極層が、上記した形状で形成されている
と、完成品としての薄膜磁気ヘッドにスメアリングの発
生がなく、薄膜磁気ヘッドを歩留まり良く製造すること
ができる。
は、最終的に磁気抵抗効果素子毎に切断され、いわゆる
薄膜磁気ヘッドが完成する。前記磁気抵抗効果素子のバ
イアス層及び電極層が、上記した形状で形成されている
と、完成品としての薄膜磁気ヘッドにスメアリングの発
生がなく、薄膜磁気ヘッドを歩留まり良く製造すること
ができる。
【００３６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明における薄膜磁気
ヘッドを形成する基板の形状を示す部分平面図、図２
は、図１に示す基板の２−２線の部分断面図である。な
お図１に示す平面図には、図２に示す上部ギャップ層及
び上部シールド層は図面上省略されている。なお図１及
び図２に示す基板は、ハイト出し加工が既に行われた後
の状態で示されている。
ヘッドを形成する基板の形状を示す部分平面図、図２
は、図１に示す基板の２−２線の部分断面図である。な
お図１に示す平面図には、図２に示す上部ギャップ層及
び上部シールド層は図面上省略されている。なお図１及
び図２に示す基板は、ハイト出し加工が既に行われた後
の状態で示されている。
【００３７】図２に示す符号２０は基板であり、例えば
Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ（アルミナ−チタンカーバイト）で形
成されている。また前記基板２０は、例えば４角形のブ
ロック状に加工されたものである。
Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ（アルミナ−チタンカーバイト）で形
成されている。また前記基板２０は、例えば４角形のブ
ロック状に加工されたものである。
【００３８】図１に示すように、基板２０の正面は、Ａ
ＢＳ面と呼ばれており、このＡＢＳ面に、複数の磁気抵
抗効果素子２１と１つのモニター素子２２の正面構造が
露出した状態となっている。
ＢＳ面と呼ばれており、このＡＢＳ面に、複数の磁気抵
抗効果素子２１と１つのモニター素子２２の正面構造が
露出した状態となっている。
【００３９】前記基板２０のＡＢＳ面に、レール部（図
示しない）の形成、クラウン形成等の所定の加工が施さ
れた後、基板２０が切断されて、１つの磁気抵抗効果素
子２１を有する薄膜磁気ヘッドが完成する。
示しない）の形成、クラウン形成等の所定の加工が施さ
れた後、基板２０が切断されて、１つの磁気抵抗効果素
子２１を有する薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００４０】図２に示すように、基板２０の上には、例
えばＮｉＦｅ合金（パーマロイ）で形成された下部シー
ルド層２３が形成されている。前記下部シールド層２３
の幅寸法はＴ６で形成されている。また前記下部シール
ド層２３の上には、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）、
Ｔｉ2Ｏ3、ＴｉＯ、ＷＯ3、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮなどの
絶縁材料で形成され、ギャップ長Ｇ１を有する下部ギャ
ップ層２４が形成されている。そして前記下部ギャップ
層２４の上に、複数の磁気抵抗効果素子２１と、１つの
モニター素子２２とがＸ方向（ＡＢＳ面方向）に一列に
並んで形成されている。
えばＮｉＦｅ合金（パーマロイ）で形成された下部シー
ルド層２３が形成されている。前記下部シールド層２３
の幅寸法はＴ６で形成されている。また前記下部シール
ド層２３の上には、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）、
Ｔｉ2Ｏ3、ＴｉＯ、ＷＯ3、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮなどの
絶縁材料で形成され、ギャップ長Ｇ１を有する下部ギャ
ップ層２４が形成されている。そして前記下部ギャップ
層２４の上に、複数の磁気抵抗効果素子２１と、１つの
モニター素子２２とがＸ方向（ＡＢＳ面方向）に一列に
並んで形成されている。
【００４１】図２に示すように磁気抵抗効果素子２１
は、例えばスピンバルブ膜に代表される巨大磁気抵抗効
果を利用したＧＭＲ素子や、異方性磁気抵抗効果を利用
したＡＭＲ素子で構成された多層膜２５と、前記多層膜
２５の両側に形成された一対のハードバイアス層（図示
しない）とＣｒ（クロム）などで形成された、前記多層
膜２５に導通する一対の電極層２６とで構成されてい
る。なお前記多層膜２５の幅寸法はトラック幅Ｔｗとし
て定義される。
は、例えばスピンバルブ膜に代表される巨大磁気抵抗効
果を利用したＧＭＲ素子や、異方性磁気抵抗効果を利用
したＡＭＲ素子で構成された多層膜２５と、前記多層膜
２５の両側に形成された一対のハードバイアス層（図示
しない）とＣｒ（クロム）などで形成された、前記多層
膜２５に導通する一対の電極層２６とで構成されてい
る。なお前記多層膜２５の幅寸法はトラック幅Ｔｗとし
て定義される。
【００４２】また前記モニター素子２２は、磁気抵抗効
果素子２１と全く同じ構成で形成されている。すなわ
ち、前記モニター素子２２は、磁気抵抗効果を発揮する
多層膜２７とその両側に一対のハードバイアス層と電極
層２８とで構成されている。
果素子２１と全く同じ構成で形成されている。すなわ
ち、前記モニター素子２２は、磁気抵抗効果を発揮する
多層膜２７とその両側に一対のハードバイアス層と電極
層２８とで構成されている。
【００４３】図２に示すように、磁気抵抗効果素子２１
及びモニター素子２２の上には、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ
3（アルミナ）、Ｔｉ2Ｏ3、ＴｉＯ、ＷＯ3、ＡｌＮ、Ａ
ｌＳｉＮなどの絶縁材料で形成され、ギャップ長Ｇ２を
有する上部ギャップ層２９が形成されている。そして前
記上部ギャップ層２９の上には、ＮｉＦｅ合金などで形
成された上部シールド層３０が形成されている。前記上
部シールド層３０の幅寸法はＴ５で形成されている。
及びモニター素子２２の上には、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ
3（アルミナ）、Ｔｉ2Ｏ3、ＴｉＯ、ＷＯ3、ＡｌＮ、Ａ
ｌＳｉＮなどの絶縁材料で形成され、ギャップ長Ｇ２を
有する上部ギャップ層２９が形成されている。そして前
記上部ギャップ層２９の上には、ＮｉＦｅ合金などで形
成された上部シールド層３０が形成されている。前記上
部シールド層３０の幅寸法はＴ５で形成されている。
【００４４】上述した下部シールド層２３から上部シー
ルド層３０までの多層構造体は、製品化された薄膜磁気
ヘッドの再生ヘッド部に相当する部分である。例えば磁
気抵抗効果素子２１の多層膜２５がスピンバルブ膜で構
成されている場合、記録媒体からの磁界が図２の紙面垂
直方向に侵入してくると、前記スピンバルブ膜を構成す
るフリー磁性層の磁化が変動し、スピンバルブ膜を構成
する固定磁性層の固定磁化と前記フリー磁性層の変動磁
化との関係により直流抵抗が変化し、記録磁界が再生さ
れる。
ルド層３０までの多層構造体は、製品化された薄膜磁気
ヘッドの再生ヘッド部に相当する部分である。例えば磁
気抵抗効果素子２１の多層膜２５がスピンバルブ膜で構
成されている場合、記録媒体からの磁界が図２の紙面垂
直方向に侵入してくると、前記スピンバルブ膜を構成す
るフリー磁性層の磁化が変動し、スピンバルブ膜を構成
する固定磁性層の固定磁化と前記フリー磁性層の変動磁
化との関係により直流抵抗が変化し、記録磁界が再生さ
れる。
【００４５】また、製品化された薄膜磁気ヘッドが、再
生ヘッドのみで構成されているのではなく、書き込み用
のインダクティブヘッドをも有する、いわゆる複合型薄
膜磁気ヘッドであってもよい。この場合、図２に示す上
部シールド層３０の上に、コイルとコアとで構成される
書き込み用のインダクティブヘッドが形成される。
生ヘッドのみで構成されているのではなく、書き込み用
のインダクティブヘッドをも有する、いわゆる複合型薄
膜磁気ヘッドであってもよい。この場合、図２に示す上
部シールド層３０の上に、コイルとコアとで構成される
書き込み用のインダクティブヘッドが形成される。
【００４６】本発明では、図１に示すように、モニター
素子２２の多層膜２７の両側に形成された電極層２８及
び磁気抵抗効果素子２１の多層膜２５の両側に形成され
た電極層２６は、ＡＢＳ面から一定の長さＬ１で形成さ
れた先端領域Ａと、この先端領域Ａからハイト方向（図
示Ｙ方向）にトラック幅方向（図示Ｘ方向）に広がりを
持って形成される後端領域Ｂとで構成されている。
素子２２の多層膜２７の両側に形成された電極層２８及
び磁気抵抗効果素子２１の多層膜２５の両側に形成され
た電極層２６は、ＡＢＳ面から一定の長さＬ１で形成さ
れた先端領域Ａと、この先端領域Ａからハイト方向（図
示Ｙ方向）にトラック幅方向（図示Ｘ方向）に広がりを
持って形成される後端領域Ｂとで構成されている。
【００４７】図１では、多層膜２５，２７の両側に形成
される各電極層２６，２８の先端領域Ａが一定の幅寸法
Ｔ２で形成され、前記先端領域Ａとの境界から後端領域
Ｂの幅寸法が、ハイト方向に向けて漸次的に広がった形
状となっている。なお前記電極層２６，２８の下側に形
成されているハードバイアス層も、前記電極層２６，２
８とほぼ同じ形状で形成されている。
される各電極層２６，２８の先端領域Ａが一定の幅寸法
Ｔ２で形成され、前記先端領域Ａとの境界から後端領域
Ｂの幅寸法が、ハイト方向に向けて漸次的に広がった形
状となっている。なお前記電極層２６，２８の下側に形
成されているハードバイアス層も、前記電極層２６，２
８とほぼ同じ形状で形成されている。
【００４８】従来の電極層８，１０（図５参照）では、
本発明のように先端領域Ａと後端領域Ｂとの区別がな
く、ＡＢＳ面に露出する一対の電極層８，１０の幅寸法
Ｔ１が非常に大きくなっていたが、本発明では、ＡＢＳ
面に露出する各電極層２６，２８の先端領域Ａの幅寸法
Ｔ２を、少なくとも従来のＡＢＳ面に露出する電極層
８，１０の幅寸法よりも小さく形成し、前記先端領域Ａ
の境界から幅寸法が大きくなる後端領域Ｂを設けること
で、ＡＢＳ面に露出する一対のハードバイアス層及び電
極層２６，２８の幅寸法Ｔ４を従来よりも小さくできる
と同時に、後端領域Ｂの形成領域を従来と同程度に保つ
ことが可能である。
本発明のように先端領域Ａと後端領域Ｂとの区別がな
く、ＡＢＳ面に露出する一対の電極層８，１０の幅寸法
Ｔ１が非常に大きくなっていたが、本発明では、ＡＢＳ
面に露出する各電極層２６，２８の先端領域Ａの幅寸法
Ｔ２を、少なくとも従来のＡＢＳ面に露出する電極層
８，１０の幅寸法よりも小さく形成し、前記先端領域Ａ
の境界から幅寸法が大きくなる後端領域Ｂを設けること
で、ＡＢＳ面に露出する一対のハードバイアス層及び電
極層２６，２８の幅寸法Ｔ４を従来よりも小さくできる
と同時に、後端領域Ｂの形成領域を従来と同程度に保つ
ことが可能である。
【００４９】ＡＢＳ面に露出する一対の電極層２６，２
８及び一対のハードバイアス層の幅寸法Ｔ４を小さく形
成することで、特に前記電極層２６，２８とシールド層
２３，３０との間でのスメアリング（だれ）の発生を適
切に防止することが可能であり、また後端領域Ｂの形成
領域を従来と同程度に保つことで、磁気的及び電気的な
特性を従来と同程度に保つことが可能である。
８及び一対のハードバイアス層の幅寸法Ｔ４を小さく形
成することで、特に前記電極層２６，２８とシールド層
２３，３０との間でのスメアリング（だれ）の発生を適
切に防止することが可能であり、また後端領域Ｂの形成
領域を従来と同程度に保つことで、磁気的及び電気的な
特性を従来と同程度に保つことが可能である。
【００５０】本発明では、一対の電極層２６，２８及び
一対のハードバイアス層のＡＢＳ面に露出する幅寸法Ｔ
４が、下部シールド層２３の幅寸法Ｔ６及び／又は上部
シールド層３０の幅寸法Ｔ５のほぼ２／３以下で形成さ
れていることが好ましい。
一対のハードバイアス層のＡＢＳ面に露出する幅寸法Ｔ
４が、下部シールド層２３の幅寸法Ｔ６及び／又は上部
シールド層３０の幅寸法Ｔ５のほぼ２／３以下で形成さ
れていることが好ましい。
【００５１】また本発明では、各電極層２６，２８及び
各ハードバイアス層のＡＢＳ面に露出する幅寸法Ｔ２
が、後端領域Ｂの最も幅寸法が大きくなる部分の幅寸法
Ｔ３のほぼ９／１０以下で形成されていることが好まし
い。
各ハードバイアス層のＡＢＳ面に露出する幅寸法Ｔ２
が、後端領域Ｂの最も幅寸法が大きくなる部分の幅寸法
Ｔ３のほぼ９／１０以下で形成されていることが好まし
い。
【００５２】さらに本発明では、一対の電極層２６，２
８及び一対のハードバイアス層のＡＢＳ面にて露出する
幅寸法Ｔ４は、ほぼ８０μｍ以下であることが好まし
い。なおこの場合、多層膜２５，２７の幅寸法（すなわ
ちトラック幅Ｔｗ）はほぼ１μｍであるから、各ハード
バイアス層及び各電極層２６，２８のＡＢＳ面にて露出
する幅寸法Ｔ２は、ほぼ３９．５μｍ以下である。
８及び一対のハードバイアス層のＡＢＳ面にて露出する
幅寸法Ｔ４は、ほぼ８０μｍ以下であることが好まし
い。なおこの場合、多層膜２５，２７の幅寸法（すなわ
ちトラック幅Ｔｗ）はほぼ１μｍであるから、各ハード
バイアス層及び各電極層２６，２８のＡＢＳ面にて露出
する幅寸法Ｔ２は、ほぼ３９．５μｍ以下である。
【００５３】上記のように数値限定することで、本発明
では、前記電極層２６，２８とシールド層２３，３０間
で起こるショート率を１０％以下に抑えることができる
ことが、後述する実験によって確認されている。なおシ
ョート率は、基準の抵抗値に対し、１Ω以上の値のぶれ
を生じた場合を、ショートが生じていると認識し、１０
０個の磁気抵抗効果素子のサンプルに対し、何個の磁気
抵抗効果素子にショートが起きているかで求めている。
では、前記電極層２６，２８とシールド層２３，３０間
で起こるショート率を１０％以下に抑えることができる
ことが、後述する実験によって確認されている。なおシ
ョート率は、基準の抵抗値に対し、１Ω以上の値のぶれ
を生じた場合を、ショートが生じていると認識し、１０
０個の磁気抵抗効果素子のサンプルに対し、何個の磁気
抵抗効果素子にショートが起きているかで求めている。
【００５４】さらに本発明では、一対の電極層２６，２
８及び一対のハードバイアス層のＡＢＳ面に露出する幅
寸法Ｔ４が、下部シールド層２３の幅寸法Ｔ６及び／又
は上部シールド層３０の幅寸法Ｔ５のほぼ１／４以下で
形成されていることがより好ましい。
８及び一対のハードバイアス層のＡＢＳ面に露出する幅
寸法Ｔ４が、下部シールド層２３の幅寸法Ｔ６及び／又
は上部シールド層３０の幅寸法Ｔ５のほぼ１／４以下で
形成されていることがより好ましい。
【００５５】また本発明では、各電極層２６，２８及び
各ハードバイアス層のＡＢＳ面に露出する幅寸法Ｔ２
が、後端領域Ｂの最も幅寸法が大きくなる部分の幅寸法
Ｔ３のほぼ１／３以下で形成されていることがより好ま
しい。
各ハードバイアス層のＡＢＳ面に露出する幅寸法Ｔ２
が、後端領域Ｂの最も幅寸法が大きくなる部分の幅寸法
Ｔ３のほぼ１／３以下で形成されていることがより好ま
しい。
【００５６】さらに本発明では、一対の電極層２６，２
８及び一対のハードバイアス層のＡＢＳ面にて露出する
幅寸法Ｔ４は、ほぼ３０μｍ以下であることが好まし
い。なおこの場合、多層膜２５，２６の幅寸法（すなわ
ちトラック幅Ｔｗ）はほぼ１μｍであるから、各ハード
バイアス層及び各電極層２６，２８のＡＢＳ面にて露出
する幅寸法Ｔ２は、ほぼ１４．５μｍ以下である。
８及び一対のハードバイアス層のＡＢＳ面にて露出する
幅寸法Ｔ４は、ほぼ３０μｍ以下であることが好まし
い。なおこの場合、多層膜２５，２６の幅寸法（すなわ
ちトラック幅Ｔｗ）はほぼ１μｍであるから、各ハード
バイアス層及び各電極層２６，２８のＡＢＳ面にて露出
する幅寸法Ｔ２は、ほぼ１４．５μｍ以下である。
【００５７】上記のように数値限定することで、本発明
では、前記電極層２６，２８とシールド層２３，３０間
で起こるショート率を５％以下に抑えることができるこ
とが、後述する実験によって確認されている。さらに上
記のように数値限定する際には、上部シールド層３０
と、電極層２６，２８の後端領域Ｂの幅寸法Ｔ３との関
係をも考慮する必要がある。
では、前記電極層２６，２８とシールド層２３，３０間
で起こるショート率を５％以下に抑えることができるこ
とが、後述する実験によって確認されている。さらに上
記のように数値限定する際には、上部シールド層３０
と、電極層２６，２８の後端領域Ｂの幅寸法Ｔ３との関
係をも考慮する必要がある。
【００５８】前記上部シールド層３０は、その下側に形
成される電極層２６，２８及びこの電極層２６，２８と
導通接続し、さらにハイト方向に延びて形成される主電
極層を、前記上部シールド層３０よりも上層の形成時に
おけるスパッタ等から有効に保護するカバーリング層と
しての役目を担っており、従って前記上部シールド層３
０は、電極層３０及び主電極層よりも大きい形状で形成
されなければならない。
成される電極層２６，２８及びこの電極層２６，２８と
導通接続し、さらにハイト方向に延びて形成される主電
極層を、前記上部シールド層３０よりも上層の形成時に
おけるスパッタ等から有効に保護するカバーリング層と
しての役目を担っており、従って前記上部シールド層３
０は、電極層３０及び主電極層よりも大きい形状で形成
されなければならない。
【００５９】このように本発明では、ＡＢＳ面に露出す
る一対の電極層２６，２８及び一対のハードバイアス層
の幅寸法Ｔ４を小さくすることが可能であり、小さくす
ればするほど、ハイト出し加工時に前記電極層２６，２
８とシールド層２３，３０間でショートが起きる確率を
低減させることができる。しかしながら、あまり前記電
極層２６，２８のＡＢＳ面における幅寸法Ｔ４が小さく
なりすぎると、ハイト出し加工時における電極層２６，
２８の直流抵抗値も無視できないほど大きくなるため、
直流抵抗値の変化量は小さくなり、モニター素子２２に
おける測定感度を悪化させる原因になる。このため本発
明では、ＡＢＳ面に露出する一対の電極層２６，２８の
幅寸法Ｔ４を、具体的には１０μｍ以上に設定すること
が好ましいとしている。
る一対の電極層２６，２８及び一対のハードバイアス層
の幅寸法Ｔ４を小さくすることが可能であり、小さくす
ればするほど、ハイト出し加工時に前記電極層２６，２
８とシールド層２３，３０間でショートが起きる確率を
低減させることができる。しかしながら、あまり前記電
極層２６，２８のＡＢＳ面における幅寸法Ｔ４が小さく
なりすぎると、ハイト出し加工時における電極層２６，
２８の直流抵抗値も無視できないほど大きくなるため、
直流抵抗値の変化量は小さくなり、モニター素子２２に
おける測定感度を悪化させる原因になる。このため本発
明では、ＡＢＳ面に露出する一対の電極層２６，２８の
幅寸法Ｔ４を、具体的には１０μｍ以上に設定すること
が好ましいとしている。
【００６０】次に本発明では、前記先端領域Ａのハイト
方向（図示Ｙ方向）への長さ寸法Ｌ１は、０．５μｍか
ら２．０μｍの範囲内で形成されることが好ましい。
方向（図示Ｙ方向）への長さ寸法Ｌ１は、０．５μｍか
ら２．０μｍの範囲内で形成されることが好ましい。
【００６１】前記長さ寸法Ｌ１が、あまり長くなりすぎ
ると、幅寸法の小さい先端領域Ａがハイト方向へ長く形
成され、形成領域の大きな後端領域Ｂが、多層膜２５，
２７から離れて形成されるので、電気的及び磁気的な特
性が、従来に比べ低減する虞があるからである。
ると、幅寸法の小さい先端領域Ａがハイト方向へ長く形
成され、形成領域の大きな後端領域Ｂが、多層膜２５，
２７から離れて形成されるので、電気的及び磁気的な特
性が、従来に比べ低減する虞があるからである。
【００６２】またスメアリングの問題は、ＡＢＳ面に露
出するバイアス層及び電極層２６，２８の幅寸法のみが
関与しており、ＡＢＳ面からハイト側内部に形成される
ハードバイアス層及び電極層２６，２８は、何ら影響を
与えるものではないので、ハイト側内部に形成されるハ
ードバイアス層及び電極層２６，２８は従来と同様に、
形成領域を大きくして形成することが好ましく、従って
前記先端領域Ａのハイト方向への長さ寸法Ｌ１は、あま
り長くならない方がより好ましい。
出するバイアス層及び電極層２６，２８の幅寸法のみが
関与しており、ＡＢＳ面からハイト側内部に形成される
ハードバイアス層及び電極層２６，２８は、何ら影響を
与えるものではないので、ハイト側内部に形成されるハ
ードバイアス層及び電極層２６，２８は従来と同様に、
形成領域を大きくして形成することが好ましく、従って
前記先端領域Ａのハイト方向への長さ寸法Ｌ１は、あま
り長くならない方がより好ましい。
【００６３】なお図１及び図２に示す基板２０は、前述
したように、ハイト出し加工が施された後の状態で示さ
れているので、ハイト出し加工の施される前にあって
は、前記先端領域Ａ及び多層膜２５，２７は、図１より
もＡＢＳ面方向（図示Ｙ２方向）に延ばされて形成され
た状態となっている。
したように、ハイト出し加工が施された後の状態で示さ
れているので、ハイト出し加工の施される前にあって
は、前記先端領域Ａ及び多層膜２５，２７は、図１より
もＡＢＳ面方向（図示Ｙ２方向）に延ばされて形成され
た状態となっている。
【００６４】次に本発明では図１に示すように、前記先
端領域Ａの外側縁部Ａ１からの延長線を第１の仮想線Ｃ
とし、さらに後端領域Ｂの外側縁部Ｂ１が湾曲面で形成
されている場合、前記湾曲面に沿う長さの中心からの接
線を第２の仮想線Ｄとするとき、ハイト方向の法線Ｅに
対する第１の仮想線Ｃの傾斜角αは、第２の仮想線Ｄの
傾斜角βに比べて小さいことが好ましい。
端領域Ａの外側縁部Ａ１からの延長線を第１の仮想線Ｃ
とし、さらに後端領域Ｂの外側縁部Ｂ１が湾曲面で形成
されている場合、前記湾曲面に沿う長さの中心からの接
線を第２の仮想線Ｄとするとき、ハイト方向の法線Ｅに
対する第１の仮想線Ｃの傾斜角αは、第２の仮想線Ｄの
傾斜角βに比べて小さいことが好ましい。
【００６５】図１に示すように、前記先端領域Ａの外側
縁部Ａ１は、ハイト方向の法線Ｅと同一方向に延びて形
成されているので、前記法線Ｅに対する前記外側縁部Ａ
１からの第１の仮想線（延長線）Ｃの傾斜角α（図示せ
ず）は０度である。
縁部Ａ１は、ハイト方向の法線Ｅと同一方向に延びて形
成されているので、前記法線Ｅに対する前記外側縁部Ａ
１からの第１の仮想線（延長線）Ｃの傾斜角α（図示せ
ず）は０度である。
【００６６】一方、後端領域Ｂの外側縁部Ｂ１は、湾曲
状に形成されており、この湾曲面に沿う長さの中点から
の接線（第２の仮想線Ｄ）は、ハイト方向の法線Ｅに対
してβだけ傾斜し、この傾斜角βは、傾斜角α（＝０
度）よりも大きくなっている。
状に形成されており、この湾曲面に沿う長さの中点から
の接線（第２の仮想線Ｄ）は、ハイト方向の法線Ｅに対
してβだけ傾斜し、この傾斜角βは、傾斜角α（＝０
度）よりも大きくなっている。
【００６７】このようにハイト方向に対する先端領域Ａ
の外側縁部Ａ１の傾斜角αを、後端領域Ｂの外側縁部Ｂ
１の傾斜角βに比べて小さく形成することにより、先端
領域Ａの幅寸法を小さく形成でき、ハイト出し加工の際
にＡＢＳ面が削られることにより、前記ＡＢＳ面に露出
する先端領域Ａの幅寸法が急激に大きくなるようなこと
がなく、より適切にスメアリングの発生を低減すること
ができる。
の外側縁部Ａ１の傾斜角αを、後端領域Ｂの外側縁部Ｂ
１の傾斜角βに比べて小さく形成することにより、先端
領域Ａの幅寸法を小さく形成でき、ハイト出し加工の際
にＡＢＳ面が削られることにより、前記ＡＢＳ面に露出
する先端領域Ａの幅寸法が急激に大きくなるようなこと
がなく、より適切にスメアリングの発生を低減すること
ができる。
【００６８】本発明では前記傾斜角αが傾斜角βよりも
小さくなれば、先端領域Ａの外側縁部Ａ１及び後端領域
Ｂの外側縁部Ｂ１の形状はどのようなものであってもよ
く、例えば図３に示すように、先端領域Ａの外側縁部Ａ
１が、ハイト方向（図示Ｙ１方向）に対し、トラック幅
方向（図示Ｘ方向）へ広がる傾斜面で形成されていても
よい。
小さくなれば、先端領域Ａの外側縁部Ａ１及び後端領域
Ｂの外側縁部Ｂ１の形状はどのようなものであってもよ
く、例えば図３に示すように、先端領域Ａの外側縁部Ａ
１が、ハイト方向（図示Ｙ１方向）に対し、トラック幅
方向（図示Ｘ方向）へ広がる傾斜面で形成されていても
よい。
【００６９】また図３に示すように、後端領域Ｂの外側
縁部Ｂ１も、ハイト方向に対し、トラック幅方向へ広が
る傾斜面で形成されていてもよい。
縁部Ｂ１も、ハイト方向に対し、トラック幅方向へ広が
る傾斜面で形成されていてもよい。
【００７０】そして図３に示すように、先端領域Ａの外
側縁部Ａ１からの延長線を第１の仮想線Ｃとし、後端領
域Ｂの外側縁部Ｂ１からの延長線を第２の仮想線Ｄとし
たとき、ハイト方向の法線Ｅに対する前記第１の仮想線
Ｃの傾斜角αは、第２の仮想線Ｄの傾斜角βに対し小さ
くなっていることがわかる。
側縁部Ａ１からの延長線を第１の仮想線Ｃとし、後端領
域Ｂの外側縁部Ｂ１からの延長線を第２の仮想線Ｄとし
たとき、ハイト方向の法線Ｅに対する前記第１の仮想線
Ｃの傾斜角αは、第２の仮想線Ｄの傾斜角βに対し小さ
くなっていることがわかる。
【００７１】また本発明では、前記先端領域Ａの外側縁
部Ａ１が、湾曲状に形成されていてもよい。この場合前
記湾曲面の長さに沿う中心からの接線を第１の仮想線Ｃ
としたとき、前記第１の仮想線Ｃのハイト方向の法線Ｅ
に対する傾斜角αが、後端領域Ｂの外側縁部Ｂ１から引
かれた第２の仮想線Ｄのハイト方向の法線Ｅに対する傾
斜角βよりも小さく形成されるようにする。
部Ａ１が、湾曲状に形成されていてもよい。この場合前
記湾曲面の長さに沿う中心からの接線を第１の仮想線Ｃ
としたとき、前記第１の仮想線Ｃのハイト方向の法線Ｅ
に対する傾斜角αが、後端領域Ｂの外側縁部Ｂ１から引
かれた第２の仮想線Ｄのハイト方向の法線Ｅに対する傾
斜角βよりも小さく形成されるようにする。
【００７２】以上詳述した図１ないし図３に示す薄膜磁
気ヘッドを形成する基板は、磁気抵抗効果素子２１の直
流抵抗値をある所定値に設定するためのハイト出し加工
が施されたものである。前記ハイト出し加工は、モニタ
ー素子２２の電極層２８，２８間の直流抵抗値を測定し
ながら、ＡＢＳ面に対して研削加工（ハイト出し加工）
を施しながら行われる。
気ヘッドを形成する基板は、磁気抵抗効果素子２１の直
流抵抗値をある所定値に設定するためのハイト出し加工
が施されたものである。前記ハイト出し加工は、モニタ
ー素子２２の電極層２８，２８間の直流抵抗値を測定し
ながら、ＡＢＳ面に対して研削加工（ハイト出し加工）
を施しながら行われる。
【００７３】この研削加工により、磁気抵抗効果素子２
１及びモニター素子２２のハイト方向の長さ寸法は短く
なっていき、モニター素子２２の電極層２８間の直流抵
抗値は徐々に大きくなっていく。
１及びモニター素子２２のハイト方向の長さ寸法は短く
なっていき、モニター素子２２の電極層２８間の直流抵
抗値は徐々に大きくなっていく。
【００７４】ＡＢＳ面から、ある一定寸法値まで研削加
工したときに、モニター素子２２の直流抵抗値が所定値
に達したら、そこで研削加工を終了すると、磁気抵抗効
果素子２１は、所定の直流抵抗を有するハイト方向の長
さ寸法によって形成された状態となっている。
工したときに、モニター素子２２の直流抵抗値が所定値
に達したら、そこで研削加工を終了すると、磁気抵抗効
果素子２１は、所定の直流抵抗を有するハイト方向の長
さ寸法によって形成された状態となっている。
【００７５】ハイト出し加工を施した後、図１に示すよ
うに、薄膜磁気ヘッドを形成する基板を、各磁気抵抗効
果素子２１間から切断線Ｆに沿って切断する。モニター
素子２２の部分は、切断後、製品化されることなく除去
されてもよいが、製品化されてもかまわない。また切断
された個々の磁気抵抗効果素子２１を有する基板は、薄
膜磁気ヘッドとして製品化される部分である。
うに、薄膜磁気ヘッドを形成する基板を、各磁気抵抗効
果素子２１間から切断線Ｆに沿って切断する。モニター
素子２２の部分は、切断後、製品化されることなく除去
されてもよいが、製品化されてもかまわない。また切断
された個々の磁気抵抗効果素子２１を有する基板は、薄
膜磁気ヘッドとして製品化される部分である。
【００７６】前述したように本発明によれば、モニター
素子２２を構成するハードバイアス層及び電極層２８
を、先端領域Ａと、この先端領域Ａからトラック幅方向
に広がる後端領域Ｂとで構成し、ＡＢＳ面に露出する前
記先端領域Ａの幅寸法を、従来に比べて小さく形成する
ことで、前記モニター素子２２の直流抵抗値を測定しな
がらハイト出し加工を施している際に、前記モニター素
子２２の電極層２８とシールド層２３，３０との間で生
じるスメアリング（だれ）の発生を低減でき、よって、
モニター素子２２の直流抵抗値を適切に測定しながらハ
イト出し加工を施すことが可能である。
素子２２を構成するハードバイアス層及び電極層２８
を、先端領域Ａと、この先端領域Ａからトラック幅方向
に広がる後端領域Ｂとで構成し、ＡＢＳ面に露出する前
記先端領域Ａの幅寸法を、従来に比べて小さく形成する
ことで、前記モニター素子２２の直流抵抗値を測定しな
がらハイト出し加工を施している際に、前記モニター素
子２２の電極層２８とシールド層２３，３０との間で生
じるスメアリング（だれ）の発生を低減でき、よって、
モニター素子２２の直流抵抗値を適切に測定しながらハ
イト出し加工を施すことが可能である。
【００７７】また磁気抵抗効果素子２１を構成するハー
ドバイアス層及び電極層２６を、先端領域Ａと、この先
端領域Ａからトラック幅方向に広がる後端領域Ｂとで構
成し、ＡＢＳ面に露出する前記先端領域Ａの幅寸法を、
従来に比べて小さく形成することで、製品化された際に
おける薄膜磁気ヘッドにスメアリングが発生するのを適
切に抑制でき、歩留まり良く前記薄膜磁気ヘッドを製造
することが可能である。
ドバイアス層及び電極層２６を、先端領域Ａと、この先
端領域Ａからトラック幅方向に広がる後端領域Ｂとで構
成し、ＡＢＳ面に露出する前記先端領域Ａの幅寸法を、
従来に比べて小さく形成することで、製品化された際に
おける薄膜磁気ヘッドにスメアリングが発生するのを適
切に抑制でき、歩留まり良く前記薄膜磁気ヘッドを製造
することが可能である。
【００７８】また本発明は、基板上に形成されるモニタ
ー素子２２及び磁気抵抗効果素子２１の全てに適用され
ることが好ましいが、モニター素子２２側のみ、あるい
は磁気抵抗効果素子２１側のみに本発明を適用すること
も可能である。
ー素子２２及び磁気抵抗効果素子２１の全てに適用され
ることが好ましいが、モニター素子２２側のみ、あるい
は磁気抵抗効果素子２１側のみに本発明を適用すること
も可能である。
【００７９】
【実施例】本発明では、モニター素子２２のＡＢＳ面に
露出する一対の電極層２８，２８の幅寸法Ｔ４（μ
ｍ）、上部シールド層３０の幅寸法Ｔ５に対する前記幅
寸法Ｔ４の比率（％）、及び、各電極層２８のＡＢＳ面
に露出する幅寸法Ｔ２と、各電極層２８の後端領域Ｂの
最も大きい部分の幅寸法Ｔ３との比率（％）と、ショー
ト率との関係を実験した。
露出する一対の電極層２８，２８の幅寸法Ｔ４（μ
ｍ）、上部シールド層３０の幅寸法Ｔ５に対する前記幅
寸法Ｔ４の比率（％）、及び、各電極層２８のＡＢＳ面
に露出する幅寸法Ｔ２と、各電極層２８の後端領域Ｂの
最も大きい部分の幅寸法Ｔ３との比率（％）と、ショー
ト率との関係を実験した。
【００８０】まず実験に使用したモニター素子２２を有
する基板２０上の各層の寸法値について以下に説明す
る。
する基板２０上の各層の寸法値について以下に説明す
る。
【００８１】前記基板２０上には、ＡＢＳ面方向におけ
る幅寸法を１２０μｍとした下部シールド層２３を形成
し、さらに前記下部シールド層２３の上に、０．１８μ
ｍのギャップ長Ｇ１を有する下部ギャップ層２４を形成
する。
る幅寸法を１２０μｍとした下部シールド層２３を形成
し、さらに前記下部シールド層２３の上に、０．１８μ
ｍのギャップ長Ｇ１を有する下部ギャップ層２４を形成
する。
【００８２】さらに前記下部ギャップ層２４上に図１に
示すモニター素子２２をパターン形成する。このモニタ
ー素子２２を構成する多層膜２７は、そのトラック幅Ｔ
ｗが１．０μｍであり、ハイト方向における長さ寸法が
０．８±０．１μｍである。
示すモニター素子２２をパターン形成する。このモニタ
ー素子２２を構成する多層膜２７は、そのトラック幅Ｔ
ｗが１．０μｍであり、ハイト方向における長さ寸法が
０．８±０．１μｍである。
【００８３】さらに前記モニター素子２２の上に、０．
１８μｍのギャップ長Ｇ２を有する上部ギャップ層２９
を形成し、前記上部ギャップ層２９の上に、ＡＢＳ面方
向における幅寸法が１１０μｍの上部シールド層３０を
形成する。
１８μｍのギャップ長Ｇ２を有する上部ギャップ層２９
を形成し、前記上部ギャップ層２９の上に、ＡＢＳ面方
向における幅寸法が１１０μｍの上部シールド層３０を
形成する。
【００８４】以上の寸法値で形成された各層を有する基
板２０を、モニター素子２２の電極層２８の幅寸法ごと
に１００個ずつ形成している。
板２０を、モニター素子２２の電極層２８の幅寸法ごと
に１００個ずつ形成している。
【００８５】また実験では、平均粒径が１／８μｍの砥
粒サイズを有する加工装置を用いて、モニター素子２２
の電極層２８間の直流抵抗の測定を行ないながらＡＢＳ
面の研除加工を施している。
粒サイズを有する加工装置を用いて、モニター素子２２
の電極層２８間の直流抵抗の測定を行ないながらＡＢＳ
面の研除加工を施している。
【００８６】図４は、一対の電極層２８の幅寸法Ｔ４、
前記幅寸法Ｔ４／上部シールド層３０の幅寸法Ｔ５、及
び各電極層２８の幅寸法Ｔ２／後端領域Ｂの幅寸法Ｔ３
と、ショート率との関係を示すグラフである。なおここ
でショート率とは、ＡＢＳ面の研除加工の際に、基準の
直流抵抗値に対して１Ω以上の値がぶれた場合をショー
トが生じているのを認識し、このような状態となったサ
ンプルが、同じ電極層２８の幅寸法Ｔ４を有する１００
個のサンプル中、何個あるかで計算したものである。
前記幅寸法Ｔ４／上部シールド層３０の幅寸法Ｔ５、及
び各電極層２８の幅寸法Ｔ２／後端領域Ｂの幅寸法Ｔ３
と、ショート率との関係を示すグラフである。なおここ
でショート率とは、ＡＢＳ面の研除加工の際に、基準の
直流抵抗値に対して１Ω以上の値がぶれた場合をショー
トが生じているのを認識し、このような状態となったサ
ンプルが、同じ電極層２８の幅寸法Ｔ４を有する１００
個のサンプル中、何個あるかで計算したものである。
【００８７】図４に示すように、電極層２８の幅寸法Ｔ
４が大きくなるにつれて、ショート率が大きくなること
がわかる。特に、前記電極層２８の幅寸法Ｔ４が８０μ
ｍ以上になると、ショート率が１０％以上になることが
わかる。
４が大きくなるにつれて、ショート率が大きくなること
がわかる。特に、前記電極層２８の幅寸法Ｔ４が８０μ
ｍ以上になると、ショート率が１０％以上になることが
わかる。
【００８８】また、上記したように上部シールド層３０
の幅寸法Ｔ５を、１１０μｍで形成したから、幅寸法Ｔ
４／幅寸法Ｔ５が、約７３％以上になると、ショート率
が１０％を越えることがわかる。
の幅寸法Ｔ５を、１１０μｍで形成したから、幅寸法Ｔ
４／幅寸法Ｔ５が、約７３％以上になると、ショート率
が１０％を越えることがわかる。
【００８９】また上記実験では、多層膜２７（図２参
照）の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）を約１μｍで形成し
ているから、一対の電極層２８，２８のＡＢＳ面に露出
する幅寸法Ｔ４を８０μｍ以上とした場合、各電極層２
８のＡＢＳ面にて露出する幅寸法Ｔ２（図１参照）は、
約３９．５μｍ以上になる。さらに上記実験では、各電
極層２８の後端領域Ｂの最も幅寸法が大きくなる部分の
幅寸法Ｔ５を、約４４μｍで形成しているので、幅寸法
Ｔ２／幅寸法Ｔ３が、約８９．８％以上になると、ショ
ート率が１０％以上になることがわかる。
照）の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）を約１μｍで形成し
ているから、一対の電極層２８，２８のＡＢＳ面に露出
する幅寸法Ｔ４を８０μｍ以上とした場合、各電極層２
８のＡＢＳ面にて露出する幅寸法Ｔ２（図１参照）は、
約３９．５μｍ以上になる。さらに上記実験では、各電
極層２８の後端領域Ｂの最も幅寸法が大きくなる部分の
幅寸法Ｔ５を、約４４μｍで形成しているので、幅寸法
Ｔ２／幅寸法Ｔ３が、約８９．８％以上になると、ショ
ート率が１０％以上になることがわかる。
【００９０】本発明では、ショート率はできるだけ低い
ことが好ましく、具体的には１０％以下を好ましい範囲
とした。
ことが好ましく、具体的には１０％以下を好ましい範囲
とした。
【００９１】そこで、ショート率が１０％以下になる幅
寸法Ｔ４、幅寸法Ｔ４／幅寸法Ｔ５、及び幅寸法Ｔ２／
幅寸法Ｔ３を図４から導き出すと、幅寸法Ｔ４をほぼ８
０μｍ以下、幅寸法Ｔ４／幅寸法Ｔ５を、ほぼ２／３以
下、さらには、幅寸法Ｔ２／幅寸法Ｔ３を、ほぼ９／１
０以下にすれば、ショート率を１０％以下に抑えること
ができるとわかる。
寸法Ｔ４、幅寸法Ｔ４／幅寸法Ｔ５、及び幅寸法Ｔ２／
幅寸法Ｔ３を図４から導き出すと、幅寸法Ｔ４をほぼ８
０μｍ以下、幅寸法Ｔ４／幅寸法Ｔ５を、ほぼ２／３以
下、さらには、幅寸法Ｔ２／幅寸法Ｔ３を、ほぼ９／１
０以下にすれば、ショート率を１０％以下に抑えること
ができるとわかる。
【００９２】次に本発明では、より好ましいショート率
の範囲を５％以下とした。そこで、ショート率が５％以
下になる幅寸法Ｔ４、幅寸法Ｔ４／幅寸法Ｔ５、及び幅
寸法Ｔ２／幅寸法Ｔ３を図４から導き出すと、幅寸法Ｔ
４をほぼ３０μｍ以下、幅寸法Ｔ４／幅寸法Ｔ５を、ほ
ぼ１／４以下、さらには、幅寸法Ｔ２／幅寸法Ｔ３を、
ほぼ１／３以下にすれば、ショート率を１０％以下に抑
えることができるとわかる。
の範囲を５％以下とした。そこで、ショート率が５％以
下になる幅寸法Ｔ４、幅寸法Ｔ４／幅寸法Ｔ５、及び幅
寸法Ｔ２／幅寸法Ｔ３を図４から導き出すと、幅寸法Ｔ
４をほぼ３０μｍ以下、幅寸法Ｔ４／幅寸法Ｔ５を、ほ
ぼ１／４以下、さらには、幅寸法Ｔ２／幅寸法Ｔ３を、
ほぼ１／３以下にすれば、ショート率を１０％以下に抑
えることができるとわかる。
【００９３】なお上記実験では、電極層の幅寸法に関し
て実験を行っているが、上記した数値限定は、前記電極
層の下側に形成されている前記電極層とほぼ同じ形状の
ハードバイアス層の幅寸法にも適正できるものである。
て実験を行っているが、上記した数値限定は、前記電極
層の下側に形成されている前記電極層とほぼ同じ形状の
ハードバイアス層の幅寸法にも適正できるものである。
【００９４】また上記実験では上部シールド層３０の幅
寸法Ｔ５に対して、電極層２８の幅寸法Ｔ４の比率を求
めているが、下部シールド層２３の幅寸法Ｔ６に対する
幅寸法Ｔ４の比率も、上記した幅寸法Ｔ４／幅寸法Ｔ５
の比率と同じ値になることが好ましい。
寸法Ｔ５に対して、電極層２８の幅寸法Ｔ４の比率を求
めているが、下部シールド層２３の幅寸法Ｔ６に対する
幅寸法Ｔ４の比率も、上記した幅寸法Ｔ４／幅寸法Ｔ５
の比率と同じ値になることが好ましい。
【００９５】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、モニター
素子及び／または磁気抵抗効果素子を構成するバイアス
層及び電極層を、ＡＢＳ面に露出して形成される先端領
域Ａと、前記先端領域Ａとの境界からハイト方向にトラ
ック幅方向に広がる後端領域Ｂとで構成することで、従
来に比べＡＢＳ面に露出する前記バイアス層及び電極層
の幅寸法を小さく形成でき、また前記バイアス層及び電
極層の後端側では、形成領域を従来と同程度に保つこと
が可能である。
素子及び／または磁気抵抗効果素子を構成するバイアス
層及び電極層を、ＡＢＳ面に露出して形成される先端領
域Ａと、前記先端領域Ａとの境界からハイト方向にトラ
ック幅方向に広がる後端領域Ｂとで構成することで、従
来に比べＡＢＳ面に露出する前記バイアス層及び電極層
の幅寸法を小さく形成でき、また前記バイアス層及び電
極層の後端側では、形成領域を従来と同程度に保つこと
が可能である。
【００９６】本発明のように、ＡＢＳ面に露出するバイ
アス層及び電極層の幅寸法を小さく形成することで、モ
ニター素子にて直流抵抗値を測定しながらハイト出し加
工を施す際に、前記モニター素子の電極層とシールド層
との間で生じるスメアリングの発生を低減でき、前記直
流抵抗の測定を適切に行うことが可能である。
アス層及び電極層の幅寸法を小さく形成することで、モ
ニター素子にて直流抵抗値を測定しながらハイト出し加
工を施す際に、前記モニター素子の電極層とシールド層
との間で生じるスメアリングの発生を低減でき、前記直
流抵抗の測定を適切に行うことが可能である。
【００９７】また磁気抵抗効果素子の電極層とシールド
層との間で生じるスメアリングの発生を低減できること
で、製品化される薄膜磁気ヘッドの歩留まりを向上させ
ることができる。
層との間で生じるスメアリングの発生を低減できること
で、製品化される薄膜磁気ヘッドの歩留まりを向上させ
ることができる。
【図１】本発明における薄膜磁気ヘッドを形成する基板
の部分平面図、
の部分平面図、
【図２】図１に示す２−２線の断面図、
【図３】本発明における他の実施形態を示す薄膜磁気ヘ
ッドを形成する基板の部分平面図、
ッドを形成する基板の部分平面図、
【図４】モニター素子の電極層の幅寸法とショート率と
の関係を示すグラフ、
の関係を示すグラフ、
【図５】従来における薄膜磁気ヘッドを形成する基板の
部分平面図、
部分平面図、
【図６】図５に示す６−６線の断面図、
２０ 基板 ２１ 磁気抵抗効果素子 ２２ モニター素子 ２３ 下部シールド層 ２４ 下部ギャップ層 ２５、２７ 多層膜 ２６、２８ 電極層 ２９ 上部ギャップ層 ３０ 上部シールド層
Claims (12)
- 【請求項１】 下部シールド層と、前記下部シールド層
の上に下部ギャップ層を介して形成された、磁気抵抗効
果を発揮する多層膜と、前記多層膜の両側に形成されて
前記多層膜にバイアス磁界を与える一対のバイアス層
と、前記バイアス層上に形成されて前記多層膜に導通す
る一対の電極層とから成る磁気抵抗効果素子と、前記磁
気抵抗効果素子の上に、上部ギャップ層を介して形成さ
れた上部シールド層とを有する薄膜磁気ヘッドにおい
て、 前記電極層及びバイアス層は、ＡＢＳ面からハイト方向
へ一定の長さ寸法で形成される先端領域と、この先端領
域との境界からトラック幅方向に広がりを持って且つハ
イト方向へ向けて形成される後端領域とを有して構成さ
れていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 一対の電極層及び一対のバイアス層の先
端領域のＡＢＳ面に露出する部分の幅寸法は、下部シー
ルド層及び／又は上部シールド層の幅寸法のほぼ２／３
以下である請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 各電極層及び各バイアス層の先端領域の
ＡＢＳ面に露出する部分の幅寸法は、後端領域の最も幅
寸法の大きい部分のほぼ９／１０以下である請求項１ま
たは２に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 一対の電極層及び一対のバイアス層の先
端領域のＡＢＳ面に露出する部分の幅寸法は、ほぼ８０
μｍ以下で形成される請求項１ないし３のいずれかに記
載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 一対の電極層及び一対のバイアス層の先
端領域のＡＢＳ面に露出する部分の幅寸法は、下部シー
ルド層及び／又は上部シールド層の幅寸法のほぼ１／４
以下である請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 各電極層及び各バイアス層の先端領域の
ＡＢＳ面に露出する部分の幅寸法は、後端領域の最も幅
寸法の大きい部分のほぼ１／３以下である請求項１また
は５に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 一対の電極層及び一対のバイアス層の先
端領域のＡＢＳ面に露出する部分の幅寸法は、ほぼ３０
μｍ以下で形成される請求項１、５または６に記載の薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】 前記先端領域のハイト方向への長さ寸法
が、ほぼ０．５μｍ以上で２．０μｍ以下の範囲内で形
成される請求項１ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項９】 前記先端領域の外側縁部からの延長線、
又は前記先端領域の外側縁部が湾曲線である場合の前記
湾曲線の長さ中心での接線を第１の仮想線とし、前記後
端領域の外側縁部からの延長線、又は前記後端領域の外
側縁部が湾曲線である場合の前記湾曲線の長さ中心での
接線を第２の仮想線としたときに、ハイト方向に対する
第１の仮想線の傾斜角αが、第２の仮想線の傾斜角βよ
りも小さい請求項１ないし８のいずれかに記載の薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項１０】 前記第１の仮想線が、ハイト方向と平
行に延びている請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１１】 前記先端領域の外側縁部は、トラック
幅方向へ広がりながらハイト方向へ直線状に延びる傾斜
面である請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１２】 磁気抵抗効果を発揮する多層膜と、前
記多層膜の両側に形成されて前記多層膜にバイアス磁界
を与える一対のバイアス層と、前記バイアス層上に形成
されて前記多層膜に導通する一対の電極層とから成る薄
膜磁気ヘッド用の磁気抵抗効果素子及び、ハイト出し加
工の際に使用される前記磁気抵抗効果素子と同じ構造の
モニター用の磁気抵抗効果素子が、下部シールド層の上
に下部ギャップ層を介して形成され、さらに前記磁気抵
抗効果素子の上に、上部ギャップ層を介して上部シール
ド層が形成されている基板において、 前記薄膜磁気ヘッド用の磁気抵抗効果素子およびモニタ
ー用の磁気抵抗効果素子の少なくとも一方が、前記請求
項１ないし１１のいずれかに記載の構造であることを特
徴とする薄膜磁気ヘッドを形成する基板。
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|---|---|---|---|
| JP11128544A JP2000322712A (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 薄膜磁気ヘッド、及び前記薄膜磁気ヘッドを形成する基板 |
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|---|---|---|---|
| JP11128544A JP2000322712A (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 薄膜磁気ヘッド、及び前記薄膜磁気ヘッドを形成する基板 |
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2000
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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