JP2000321894A5 - - Google Patents

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【特許請求の範囲】
【請求項1】 交番磁界の作用で電磁誘導発熱体を発熱させることにより定着処理を行う定着装置において、前記交番磁界の発生を制御するためのスイッチング制御部に、
第1のスイッチング素子と、
前記第1のスイッチング素子に並列に接続された第1の共振コンデンサと、
前記第1のスイッチング素子に並列に接続された第2のスイッチング素子と第2の共振コンデンサとの直列接続体と、
を備えたことを特徴とする定着装置。
【請求項2】 前記スイッチング制御部により制御される磁場発生手段に供給される電力を検出する電力検出手段を備え、該電力検出手段により検出された電力に応じて、前記第1のスイッチング素子をオンするに先立って前記第2のスイッチング素子をオンすることを特徴とする請求項1記載の定着装置。
【請求項3】 前記電力検出手段は、前記スイッチング制御部に供給される電流の電流値を検出することを特徴とする請求項2記載の定着装置。
【請求項4】 前記スイッチング制御部に発生するフライバック電圧を検出する電圧検出手段を備え、前記電圧検出手段により規定値以下のフライバック電圧が検出された場合に、前記第1のスイッチング素子をオンするに先立って前記第2のスイッチング素子をオンすることを特徴とする請求項1記載の定着装置。
【請求項5】 前記電圧検出手段は、前記第1のスイッチング素子に並列に接続されたツェナーダイオードを含むことを特徴とする請求項4記載の定着装置。
【請求項6】 交流電源ラインの電圧を検出する電圧検出手段を備え、該電圧検出手段により規定値以上の交流電源ラインの電圧が検出され、かつ温度制御がなされて前記第1のスイッチング素子のオン時間が規定値以下に短縮された場合に、前記第1のスイッチング素子をオンするに先立って前記第2のスイッチング素子をオンすることを特徴とする請求項1記載の定着装置。
【請求項7】 交流電力を整流した後の直流電圧を検出する電圧検出手段を備え、該電圧検出手段により規定値以上の直流電圧が検出され、かつ温度制御がなされて前記第1のスイッチング素子のオン時間が規定値以下に短縮された場合に、前記第1のスイッチング素子をオンするに先立って前記第2のスイッチング素子をオンすることを特徴とする請求項1記載の定着装置。
【請求項8】 前記電圧検出手段により規定値以上の直流電圧が検出された旨を、前記第1のスイッチング素子のオン時間幅を制御するオン時間幅制御部に報知するためのフォトカプラを備えたことを特徴とする請求項7記載の定着装置。
【請求項9】 交番磁界の作用で電磁誘導発熱体を発熱させることにより定着処理を行う定着方法において、
第1のスイッチング素子と、前記第1のスイッチング素子に並列に接続された第1の共振コンデンサと、前記第1のスイッチング素子に並列に接続された第2のスイッチング素子と第2の共振コンデンサとの直列接続体とを用いて、前記交番磁界の発生を制御するためのスイッチング制御部の動作を制御することを特徴とする定着方法。
【請求項10】 前記スイッチング制御部により制御される磁場発生手段に供給される電力に応じて、前記第1のスイッチング素子をオンするに先立って前記第2のスイッチング素子をオンすることを特徴とする請求項9記載の定着方法。
【請求項11】 前記スイッチング制御部に供給される電流の電流値に応じて前記第2のスイッチング素子を制御することにより、前記第1のスイッチング素子をオンするに先立って前記第2のスイッチング素子をオンすることを特徴とする請求項10記載の定着方法。
【請求項12】 前記スイッチング制御部に発生するフライバック電圧が規定値以下の場合に、前記第1のスイッチング素子をオンするに先立って前記第2のスイッチング素子をオンすることを特徴とする請求項9記載の定着方法。
【請求項13】 前記フライバック電圧は、前記第1のスイッチング素子に並列に接続されたツェナーダイオードを用いて検出することを特徴とする請求項12記載の定着方法。
【請求項14】 交流電源ラインの電圧が規定値以上となり、かつ温度制御がなされて前記第1のスイッチング素子のオン時間が規定値以下に短縮された場合に、前記第1のスイッチング素子をオンするに先立って前記第2のスイッチング素子をオンすることを特徴とする請求項9記載の定着方法。
【請求項15】 交流電力を整流した後の直流電圧が規定値以上となり、かつ温度制御がなされて前記第1のスイッチング素子のオン時間が規定値以下に短縮された場合に、前記第1のスイッチング素子をオンするに先立って前記第2のスイッチング素子をオンすることを特徴とする請求項9記載の定着方法。
【請求項16】 交流電力を整流した後の直流電圧が規定値以上となった旨を、フォトカプラを用いて前記第1のスイッチング素子のオン時間幅を制御するオン時間幅制御部に報知することを特徴とする請求項14記載の定着方法。
【請求項17】 磁場を発生させるための励磁コイルと、
前記励磁コイルに直列に接続された第1のスイッチング素子と、
前記第1のスイッチング素子のスイッチング動作に応じて前記励磁コイルと共に共振する第1のコンデンサと、
前記第1のスイッチング素子のオン/オフ時における当該第1のスイッチング素子の両側の端子間の電位差を低減させるように制御する第2のスイッチング素子と、
を有することを特徴とする磁場発生回路。
【請求項18】 前記第1のコンデンサは、前記励磁コイル又は第1のスイッチング素子と並列に接続されていることを特徴とする請求項17に記載の磁場発生回路。
【請求項19】 前記第2のスイッチング素子に直列に接続されて直列回路を構成する第2のコンデンサを有し、該直列回路は、前記励磁コイル又は第1のスイッチング素子と並列に接続されていることを特徴とする請求項17又は18に記載の磁場発生回路。
【請求項20】 前記第1のスイッチング素子は、パルス幅変調によりそのスイッチング動作が制御されることを特徴とする請求項17〜19の何れかに記載の磁場発生回路。
【請求項21】 請求項17〜20の何れかに記載の磁場発生回路を有し、前記励磁コイルにより発生された磁場に基づいて熱を発生させる発熱手段を有することを特徴とする発熱装置。
【請求項22】 請求項21に記載の発熱装置を有し、記録媒体上に形成された画像を熱により該記録媒体上に定着させることを特徴とする定着装置。
【請求項23】 請求項22に記載の定着装置を有することを特徴とする画像形成装置。
また、本発明は、交流電力を整流した後の直流電圧が規定値以上となった旨を、フォトカプラを用いて前記第1のスイッチング素子のオン時間幅を制御するオン時間幅制御部に報知している。
また、本発明に係る磁場発生回路は、磁場を発生させるための励磁コイルと、前記励磁コイルに直列に接続された第1のスイッチング素子と、前記第1のスイッチング素子のスイッチング動作に応じて前記励磁コイルと共に共振する第1のコンデンサと、前記第1のスイッチング素子のオン/オフ時における当該第1のスイッチング素子の両側の端子間の電位差を低減させるように制御する第2のスイッチング素子とを有している。
また、本発明では、前記第1のコンデンサは、前記励磁コイル又は第1のスイッチング素子と並列に接続されている。
また、本発明は、前記第2のスイッチング素子に直列に接続されて直列回路を構成する第2のコンデンサを有し、該直列回路は、前記励磁コイル又は第1のスイッチング素子と並列に接続されている。
また、本発明では、前記第1のスイッチング素子は、パルス幅変調によりそのスイッチング動作が制御されるように構成されている。
また、本発明に係る発熱装置は、前記磁場発生回路を有し、前記励磁コイルにより発生された磁場に基づいて熱を発生させる発熱手段を有している。
また、本発明に係る定着装置は、前記発熱装置を有し、記録媒体上に形成された画像を熱により該記録媒体上に定着させるように構成されている。
また、本発明に係る画像形成装置は、前記定着装置を有している。
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