JP2000313992A - バーンインソケット用金めっき材 - Google Patents
バーンインソケット用金めっき材Info
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- JP2000313992A JP2000313992A JP12092699A JP12092699A JP2000313992A JP 2000313992 A JP2000313992 A JP 2000313992A JP 12092699 A JP12092699 A JP 12092699A JP 12092699 A JP12092699 A JP 12092699A JP 2000313992 A JP2000313992 A JP 2000313992A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バーンイン試験を重ねても端子部の接触抵抗
の上昇が少なく，しか もソケットへの半導体素子の挿
入力が小さいバーンインソケット用のめっき材 を提供
することを目的としている。 【解決手段】 銅又は銅合金の母材に対し，リンを０．
０５〜２０wt％含有し残部がニッケルと不可避不純物又
はニッケルとコバルトと不可避不純物からなる合金めっ
きの中間層，ならびに，金又は金合金めっき表層とから
なる高耐熱性及び良好な挿抜性を有することを特徴とす
るバーンインソケット用金めっき材。
の上昇が少なく，しか もソケットへの半導体素子の挿
入力が小さいバーンインソケット用のめっき材 を提供
することを目的としている。 【解決手段】 銅又は銅合金の母材に対し，リンを０．
０５〜２０wt％含有し残部がニッケルと不可避不純物又
はニッケルとコバルトと不可避不純物からなる合金めっ
きの中間層，ならびに，金又は金合金めっき表層とから
なる高耐熱性及び良好な挿抜性を有することを特徴とす
るバーンインソケット用金めっき材。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体素子のバーンイ
ン試験に使用されるバーンインソケット用電極材料に係
り，特に，バーンインソケットの接触抵抗の上昇とソケ
ットへの半導体素子の挿入力を低く抑えることができる
技術に関する。
ン試験に使用されるバーンインソケット用電極材料に係
り，特に，バーンインソケットの接触抵抗の上昇とソケ
ットへの半導体素子の挿入力を低く抑えることができる
技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子は出荷前の検査として，素子
を高温で動作させるバーンイン試験を一般的に行う。バ
ーンイン試験は一般的に，半導体素子を周囲温度125〜1
50℃，動作時間120〜240時間で連続動作させて，素子の
スクリーニングを行う。
を高温で動作させるバーンイン試験を一般的に行う。バ
ーンイン試験は一般的に，半導体素子を周囲温度125〜1
50℃，動作時間120〜240時間で連続動作させて，素子の
スクリーニングを行う。
【０００３】このバーンイン試験では，半導体素子にバ
イアス電流を供給するためのバーンインソケットが使用
される。バーンインソケットはコネクタの一種であり，
IC用ソケットを例に挙げると，ICの複数のアウターリー
ド（ピン）がバーンインソケット中の端子に差し込みま
れて，ICに通電できるような構造になっている。すなわ
ち，通常のコネクタ接触子では，オスとメスのめっきは
同じ金属が使用されるが，バーンインソケットは，異種
金属間の接点で導通をとる点で，通常のコネクタ接点と
は特異な問題が生じる。
イアス電流を供給するためのバーンインソケットが使用
される。バーンインソケットはコネクタの一種であり，
IC用ソケットを例に挙げると，ICの複数のアウターリー
ド（ピン）がバーンインソケット中の端子に差し込みま
れて，ICに通電できるような構造になっている。すなわ
ち，通常のコネクタ接触子では，オスとメスのめっきは
同じ金属が使用されるが，バーンインソケットは，異種
金属間の接点で導通をとる点で，通常のコネクタ接点と
は特異な問題が生じる。
【０００４】バーンインソケット用の端子（電極）とし
ては，従来は，Ｃｕ-1.7wt%Ｂｅ-0.3wt%Ｃｏ合金やＣｕ
-3wt%Ｔｉ合金の表面に，厚み2μm 〜４μmのニッケル
めっき中間層と，厚み0.1μm 〜0.5μm程度の金めっき
表層が形成された金属材料をプレスしたもの，あるいは
銅合金をプレスした後に，このプレス品にニッケルめっ
き中間層と金めっき表層を形成したものが使用されてき
た。ニッケルめっき中間層は，母材の銅が金めっきに拡
散するのを防止するために，また表層の金めっきは，ア
ウターリードとバーンインソケット端子との接触抵抗を
低くするために形成される。
ては，従来は，Ｃｕ-1.7wt%Ｂｅ-0.3wt%Ｃｏ合金やＣｕ
-3wt%Ｔｉ合金の表面に，厚み2μm 〜４μmのニッケル
めっき中間層と，厚み0.1μm 〜0.5μm程度の金めっき
表層が形成された金属材料をプレスしたもの，あるいは
銅合金をプレスした後に，このプレス品にニッケルめっ
き中間層と金めっき表層を形成したものが使用されてき
た。ニッケルめっき中間層は，母材の銅が金めっきに拡
散するのを防止するために，また表層の金めっきは，ア
ウターリードとバーンインソケット端子との接触抵抗を
低くするために形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが，バーンイン
ソケットは高温環境下に長時間さらされるために，バー
ンインソケットを使用中に端子部が劣化して接触抵抗が
上昇するという問題があった。試験するICなどの半導体
素子のアウターリードには，錫−鉛はんだめっきがほど
こされている。
ソケットは高温環境下に長時間さらされるために，バー
ンインソケットを使用中に端子部が劣化して接触抵抗が
上昇するという問題があった。試験するICなどの半導体
素子のアウターリードには，錫−鉛はんだめっきがほど
こされている。
【０００６】このはんだめっきとバーンインソケットの
金めっきが高温下で長時間接触すると，金とアウターリ
ードが凝着し，さらに金錫系の化合物を形成する。この
化合物は本来の金めっき表面に比較して酸化されやすい
ことから，バーンインソケット端子の表面が酸化膜で覆
われることになる。こうなると半導体素子のアウターリ
ードとバーンインソケット端子の導通が妨げられる。す
なわち，前述の貴金属と卑金属とで形成される異種金属
接点固有の問題である。
金めっきが高温下で長時間接触すると，金とアウターリ
ードが凝着し，さらに金錫系の化合物を形成する。この
化合物は本来の金めっき表面に比較して酸化されやすい
ことから，バーンインソケット端子の表面が酸化膜で覆
われることになる。こうなると半導体素子のアウターリ
ードとバーンインソケット端子の導通が妨げられる。す
なわち，前述の貴金属と卑金属とで形成される異種金属
接点固有の問題である。
【０００７】バーンインソケットには，ピンの数が１０
〜50本程度のICが差し込まれるために，ソケットへのピ
ンの挿抜力が小さいことが望まれる。特に挿入力が過大
であると，ICのピンが挿入時に折れ曲がるなどの支障が
生じるので，挿入力は小さくする必要がある。この発明
は，以上のような事情に鑑みてなされたものであり，バ
ーンイン試験を重ねても端子部の接触抵抗の上昇が少な
く，しかもソケットへの半導体素子の挿入力が小さいバ
ーンインソケット用のめっき材を提供することを目的と
している。
〜50本程度のICが差し込まれるために，ソケットへのピ
ンの挿抜力が小さいことが望まれる。特に挿入力が過大
であると，ICのピンが挿入時に折れ曲がるなどの支障が
生じるので，挿入力は小さくする必要がある。この発明
は，以上のような事情に鑑みてなされたものであり，バ
ーンイン試験を重ねても端子部の接触抵抗の上昇が少な
く，しかもソケットへの半導体素子の挿入力が小さいバ
ーンインソケット用のめっき材を提供することを目的と
している。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで上記課題を解決す
るために研究を行った結果，銅又は銅合金の母材に対
し，リンを０．０５〜２０wt％含有し，残部がニッケル
と不可避不純物又はニッケルとコバルトと不可避不純物
からなる合金めっきの中間層，ならびに，金又は金合金
めっき表層とからなる高耐熱性及び良好な挿抜性を有す
ることを特徴とするバーンインソケット用金めっき材。
るために研究を行った結果，銅又は銅合金の母材に対
し，リンを０．０５〜２０wt％含有し，残部がニッケル
と不可避不純物又はニッケルとコバルトと不可避不純物
からなる合金めっきの中間層，ならびに，金又は金合金
めっき表層とからなる高耐熱性及び良好な挿抜性を有す
ることを特徴とするバーンインソケット用金めっき材。
【０００９】中間層がリンを０．０５〜２０wt％，なら
びに，Sn，Cu，およびZn，のうち１種若しくは2種以上
を併せて１０〜６０wt％含有し，残部がニッケルと不可
避不純物又はニッケルとコバルトと不可避的不純物から
なる合金であることを特徴とする上記（１）に記載のバ
ーンインソケット用金めっき材。（３）中間層がリンを
０．０５〜２０wt％，ホウ素を０．０５〜２０wt％，残
部がニッケルと不可避不純物又はニッケルとコバルトと
不可避的不純物からなる合金であることを特徴とする上
記（１）に記載のバーンインソケット用金めっき材。
びに，Sn，Cu，およびZn，のうち１種若しくは2種以上
を併せて１０〜６０wt％含有し，残部がニッケルと不可
避不純物又はニッケルとコバルトと不可避的不純物から
なる合金であることを特徴とする上記（１）に記載のバ
ーンインソケット用金めっき材。（３）中間層がリンを
０．０５〜２０wt％，ホウ素を０．０５〜２０wt％，残
部がニッケルと不可避不純物又はニッケルとコバルトと
不可避的不純物からなる合金であることを特徴とする上
記（１）に記載のバーンインソケット用金めっき材。
【００１０】中間層がリンを０．０５〜２０wt％，ホウ
素を０．０５〜２０wt％，ならびに，Sn，Cu，およびZ
n，のうち１種若しくは2種以上を併せて１０〜６０wt％
含有し，残部がニッケルと不可避不純物又はニッケルと
コバルトと不可避的不純物からなる合金であることを特
徴とする上記（１）に記載のバーンインソケット用金め
っき材。
素を０．０５〜２０wt％，ならびに，Sn，Cu，およびZ
n，のうち１種若しくは2種以上を併せて１０〜６０wt％
含有し，残部がニッケルと不可避不純物又はニッケルと
コバルトと不可避的不純物からなる合金であることを特
徴とする上記（１）に記載のバーンインソケット用金め
っき材。
【００１１】（５）表層の厚みが０．０５μm〜２μmで
あることを特徴とする上記（１）から（４）に記載のバ
ーンインソケット用金めっき材。 （６）中間層の厚みが０．３μm〜３μmであることを特
徴とする上記（１）から（４）に記載のバーンインソケ
ット用金めっき材により，バーンインソケットの接触抵
抗上昇を抑えることができるという知見を得た。
あることを特徴とする上記（１）から（４）に記載のバ
ーンインソケット用金めっき材。 （６）中間層の厚みが０．３μm〜３μmであることを特
徴とする上記（１）から（４）に記載のバーンインソケ
ット用金めっき材により，バーンインソケットの接触抵
抗上昇を抑えることができるという知見を得た。
【００１２】
【作用】上記中間層のうち，ニッケルまたはコバルト
は，リン，ホウ素，銅，錫，亜鉛を中間層に入れるため
のベース元素であり，いずれの元素との間でも合金めっ
きが可能である。ニッケル-コバルト合金の場合の合金
比率は，任意の比率にすることができる。この他，ニッ
ケルまたはコバルトの作用としては，銅の金めっきへの
拡散を抑制する効果，すなわち，銅が金めっきに拡散し
て酸化し，接触抵抗を上昇させるのを防ぐはたらきがあ
る。
は，リン，ホウ素，銅，錫，亜鉛を中間層に入れるため
のベース元素であり，いずれの元素との間でも合金めっ
きが可能である。ニッケル-コバルト合金の場合の合金
比率は，任意の比率にすることができる。この他，ニッ
ケルまたはコバルトの作用としては，銅の金めっきへの
拡散を抑制する効果，すなわち，銅が金めっきに拡散し
て酸化し，接触抵抗を上昇させるのを防ぐはたらきがあ
る。
【００１３】しかし，ニッケルまたはニッケル-コバル
ト合金のみを中間層とした場合，バーンインソケット使
用中の接触抵抗の上昇を防ぐことはできない。バーンイ
ンソケット使用中の接触抵抗の上昇は，バーンインソケ
ットの金めっきとアウターリードのはんだめっきとが金
属接触し，金めっき層が錫との化合物層を形成して，さ
らにその表面が錫または鉛の酸化膜ないしは酸化物層に
覆われることによるものである。この反応はNi下地めっ
きでは防ぐことができない。
ト合金のみを中間層とした場合，バーンインソケット使
用中の接触抵抗の上昇を防ぐことはできない。バーンイ
ンソケット使用中の接触抵抗の上昇は，バーンインソケ
ットの金めっきとアウターリードのはんだめっきとが金
属接触し，金めっき層が錫との化合物層を形成して，さ
らにその表面が錫または鉛の酸化膜ないしは酸化物層に
覆われることによるものである。この反応はNi下地めっ
きでは防ぐことができない。
【００１４】一方，リン，ホウ素のどちらか一方，ある
いは両方を含有したニッケル（あるいはニッケル-コバ
ルト合金）の合金を中間層とした場合，加熱によりリン
またはホウ素が表面に拡散し，表面でリン酸化物，また
は，ホウ素酸化物ないしはそれらの塩が皮膜を形成す
る。これらの皮膜は，金めっき表面の接触抵抗を上げる
ことなく，保護皮膜として，はんだとの金属接触を防ぐ
作用がある。すなわち，金とはんだとの凝着および金−
錫化合物の形成を抑制する。
いは両方を含有したニッケル（あるいはニッケル-コバ
ルト合金）の合金を中間層とした場合，加熱によりリン
またはホウ素が表面に拡散し，表面でリン酸化物，また
は，ホウ素酸化物ないしはそれらの塩が皮膜を形成す
る。これらの皮膜は，金めっき表面の接触抵抗を上げる
ことなく，保護皮膜として，はんだとの金属接触を防ぐ
作用がある。すなわち，金とはんだとの凝着および金−
錫化合物の形成を抑制する。
【００１５】さらに，ホウ素のどちらか一方，あるいは
両方を含有したニッケル（あるいはニッケル-コバルト
合金）の合金めっきの硬さは，ニッケルめっきに比べる
と硬く，このめっきを下地にした金めっき材の端子挿入
力は小さくなる。これは，金めっき材に金属を接触させ
て摺動させた場合，金は柔らかい金属であるために，摺
動の抵抗として作用する。この作用は，下地の硬度が高
いほど低くなる（金属膜の潤滑特性）ので，下地が硬い
ニッケル−リンめっきの場合には，端子挿入力が小さく
なる。
両方を含有したニッケル（あるいはニッケル-コバルト
合金）の合金めっきの硬さは，ニッケルめっきに比べる
と硬く，このめっきを下地にした金めっき材の端子挿入
力は小さくなる。これは，金めっき材に金属を接触させ
て摺動させた場合，金は柔らかい金属であるために，摺
動の抵抗として作用する。この作用は，下地の硬度が高
いほど低くなる（金属膜の潤滑特性）ので，下地が硬い
ニッケル−リンめっきの場合には，端子挿入力が小さく
なる。
【００１６】中間層のリンおよびホウ素の含有量は要求
される耐熱性などに応じて決めればよいが，０．０５wt
％未満では効果が得られず，より好ましくは０．５wt％
以上であることが望ましい。また，上限値である２０wt
％はニッケル（またはニッケル-コバルト合金）との合
金めっきが可能である上限に近い値であり，これ以上リ
ン，ホウ素を含有させることは困難になる。また，リン
およびホウ素が１５Wt％を超えると，めっき皮膜内の引
張り応力が高くなり，プレス曲げ部のめっきに割れが生
じやすくなりプレス性が悪くなるので，１５wt％以下で
あることがより望ましい。
される耐熱性などに応じて決めればよいが，０．０５wt
％未満では効果が得られず，より好ましくは０．５wt％
以上であることが望ましい。また，上限値である２０wt
％はニッケル（またはニッケル-コバルト合金）との合
金めっきが可能である上限に近い値であり，これ以上リ
ン，ホウ素を含有させることは困難になる。また，リン
およびホウ素が１５Wt％を超えると，めっき皮膜内の引
張り応力が高くなり，プレス曲げ部のめっきに割れが生
じやすくなりプレス性が悪くなるので，１５wt％以下で
あることがより望ましい。
【００１７】リン，ホウ素のほかに添加される元素とし
て，銅，亜鉛および錫は，ニッケル-リン，ニッケル-コ
バルト-リン，ニッケル-ホウ素，ニッケル-コバルト-ホ
ウ素めっき皮膜の硬さを下げて，プレス性を向上させた
い場合に必要に応じて添加する。銅，亜鉛，錫の一種以
上を併せて１０〜６０wt％含有する。これらの元素の含
有値が１０wt％未満であると，それぞれの元素の効果が
十分に発揮されない。また，６０wt％を超えると，ニッ
ケルまたはコバルト本来の効果である銅の拡散が抑えら
れなくなるためである。
て，銅，亜鉛および錫は，ニッケル-リン，ニッケル-コ
バルト-リン，ニッケル-ホウ素，ニッケル-コバルト-ホ
ウ素めっき皮膜の硬さを下げて，プレス性を向上させた
い場合に必要に応じて添加する。銅，亜鉛，錫の一種以
上を併せて１０〜６０wt％含有する。これらの元素の含
有値が１０wt％未満であると，それぞれの元素の効果が
十分に発揮されない。また，６０wt％を超えると，ニッ
ケルまたはコバルト本来の効果である銅の拡散が抑えら
れなくなるためである。
【００１８】中間層の厚みは，０．３μm未満であると
前記耐熱性の効果が低くなるため，０．３μm以上，好
ましくは１．０μm以上必要である。厚みが厚くなりす
ぎるとめっき材をプレスした後の端面にバリが発生しや
すくなり，プレス性が悪くなるため，上限を３μm以下
とする。一方，中間層と母材との間に他のめっき層，例
えばクロムめっきなどを形成し，多層めっき構造にする
ことも可能である。
前記耐熱性の効果が低くなるため，０．３μm以上，好
ましくは１．０μm以上必要である。厚みが厚くなりす
ぎるとめっき材をプレスした後の端面にバリが発生しや
すくなり，プレス性が悪くなるため，上限を３μm以下
とする。一方，中間層と母材との間に他のめっき層，例
えばクロムめっきなどを形成し，多層めっき構造にする
ことも可能である。
【００１９】表層の金または金合金めっき層の厚みは，
０．０５μm以下では低い接触抵抗を保つことができな
いため，０．０５μm以上必要である。一方，表層の厚
みが２μm以上の場合では，接触抵抗の劣化抑制効果が
飽和する一方で，めっきの製造コストが高くなるので，
金または金合金めっきの厚みは２μm以下にする必要が
ある。表層のめっき層は，金の他金合金，例えば金-コ
バルト合金，金−ニッケル合金といった合金めっきを選
択することも可能である。また，金めっき工程の後に，
封孔処理して金めっきの耐食性と潤滑性を向上させても
よい。
０．０５μm以下では低い接触抵抗を保つことができな
いため，０．０５μm以上必要である。一方，表層の厚
みが２μm以上の場合では，接触抵抗の劣化抑制効果が
飽和する一方で，めっきの製造コストが高くなるので，
金または金合金めっきの厚みは２μm以下にする必要が
ある。表層のめっき層は，金の他金合金，例えば金-コ
バルト合金，金−ニッケル合金といった合金めっきを選
択することも可能である。また，金めっき工程の後に，
封孔処理して金めっきの耐食性と潤滑性を向上させても
よい。
【００２０】中間層のめっき液として，基本となるニッ
ケル-リンの合金めっき又はニッケル-コバルト-リン合
金めっきは，公知の硫酸ニッケル-塩化ニッケル-りん酸
-亜りん酸系，又は，硫酸ニッケル-塩化ニッケル-硫酸
コバルト-りん酸-亜りん酸系等である。ここで，りん酸
はｐH調整剤である。また，ニッケルめっき液として有
名なワット浴に亜りん酸を添加したものも使用できる。
亜りん酸はその添加量を変えることにより，めっき皮膜
中のリンをコントロールするものである。
ケル-リンの合金めっき又はニッケル-コバルト-リン合
金めっきは，公知の硫酸ニッケル-塩化ニッケル-りん酸
-亜りん酸系，又は，硫酸ニッケル-塩化ニッケル-硫酸
コバルト-りん酸-亜りん酸系等である。ここで，りん酸
はｐH調整剤である。また，ニッケルめっき液として有
名なワット浴に亜りん酸を添加したものも使用できる。
亜りん酸はその添加量を変えることにより，めっき皮膜
中のリンをコントロールするものである。
【００２１】しかし，本出願にて，いずれのめっきにお
いても，めっき浴の組成や条件は任意に選択できる。リ
ンの他の合金元素はそれぞれ，ホウ素はボランアミン錯
体（めっき皮膜中にホウ素を析出するための供給源にな
る），銅は硫酸銅等，錫は硫酸錫等，亜鉛は硫酸亜鉛等
の金属塩を少量添加することで合金化する。
いても，めっき浴の組成や条件は任意に選択できる。リ
ンの他の合金元素はそれぞれ，ホウ素はボランアミン錯
体（めっき皮膜中にホウ素を析出するための供給源にな
る），銅は硫酸銅等，錫は硫酸錫等，亜鉛は硫酸亜鉛等
の金属塩を少量添加することで合金化する。
【００２２】なお，銅の添加にあたっては，銅の自然電
位が他に比べて高いので，錯化剤を使用する。錯化剤と
して添加するグリシンは銅とニッケルを共析させるため
である。錯化剤は，めっき浴のペーハー（pH）により最
適なものを選ぶ必要がある。ただし，これらの条件の設
定では本願発明の効果はなんら制限されていない。表層
の金または金合金めっきについては，公知のシアン浴，
クエン酸浴などが使用できる。本発明は，中間層または
表層のめっき条件によって制限されることはなく，どの
ようなめっき条件を用いても有効である。
位が他に比べて高いので，錯化剤を使用する。錯化剤と
して添加するグリシンは銅とニッケルを共析させるため
である。錯化剤は，めっき浴のペーハー（pH）により最
適なものを選ぶ必要がある。ただし，これらの条件の設
定では本願発明の効果はなんら制限されていない。表層
の金または金合金めっきについては，公知のシアン浴，
クエン酸浴などが使用できる。本発明は，中間層または
表層のめっき条件によって制限されることはなく，どの
ようなめっき条件を用いても有効である。
【００２３】
【実施例】次に，本発明の効果を実施例に基づき具体的
に説明する。めっき母材には，厚み０．２ｍｍのベリリ
ウム銅（JIS C１７００）を脱脂，酸洗したものを用い
た。中間層のめっきは，請求項で示したすべてのめっき
について評価した。また，表層のめっきは金めっきと金
−コバルト合金めっきについて評価した。ニッケル−リ
ン系およびこれに錫，銅，亜鉛を添加した系のめっき条
件を表１〜４に示す。
に説明する。めっき母材には，厚み０．２ｍｍのベリリ
ウム銅（JIS C１７００）を脱脂，酸洗したものを用い
た。中間層のめっきは，請求項で示したすべてのめっき
について評価した。また，表層のめっきは金めっきと金
−コバルト合金めっきについて評価した。ニッケル−リ
ン系およびこれに錫，銅，亜鉛を添加した系のめっき条
件を表１〜４に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】
【表３】
【００２７】
【表４】
【００２８】ニッケル−コバルト−リン系を表５に示
す。
す。
【００２９】
【表５】
【００３０】ニッケル−リン−ホウ素系およびこれに
錫，銅，亜鉛を添加した系のめっき条件を表６〜９に示
す。
錫，銅，亜鉛を添加した系のめっき条件を表６〜９に示
す。
【００３１】
【表６】
【００３２】
【表７】
【００３３】
【表８】
【００３４】
【表９】
【００３５】また，表層の金めっきおよび金−ニッケル
合金めっき条件を表１０〜１１に示す。
合金めっき条件を表１０〜１１に示す。
【００３６】
【表１０】
【００３７】
【表１１】
【００３８】これらめっき材の中間層組成，中間層厚
み，表層めっき組成，表層厚みとこの他，比較材とし
て，中間層の無いもの，銅めっきを中間層としたもの，
ニッケルめっきを中間層としたもの，中間層中のリン濃
度の低いもの，中間層厚みの薄いものおよび表層金めっ
き厚みの薄いものも用意した。
み，表層めっき組成，表層厚みとこの他，比較材とし
て，中間層の無いもの，銅めっきを中間層としたもの，
ニッケルめっきを中間層としたもの，中間層中のリン濃
度の低いもの，中間層厚みの薄いものおよび表層金めっ
き厚みの薄いものも用意した。
【００３９】これら比較材のめっき組成と厚みを，また
評価は，評価材と９０wt％Sn−１０wt％Pbめっきの施さ
れた銅合金とを接触させた状態で，大気中で１５０℃，
１２０時間加熱し，加熱前後の接触抵抗を測定した。接
触抵抗の測定は，（株）山崎精機研究所製の電気接点シ
ミュレーターCRS−１１３−Au型を使用して行った。加
熱後の接触抵抗が15ｍΩ以下であれば，評価材は良好な
耐熱性を有すると判定した。
評価は，評価材と９０wt％Sn−１０wt％Pbめっきの施さ
れた銅合金とを接触させた状態で，大気中で１５０℃，
１２０時間加熱し，加熱前後の接触抵抗を測定した。接
触抵抗の測定は，（株）山崎精機研究所製の電気接点シ
ミュレーターCRS−１１３−Au型を使用して行った。加
熱後の接触抵抗が15ｍΩ以下であれば，評価材は良好な
耐熱性を有すると判定した。
【００４０】挿入力測定は，評価材をメス端子に打抜
き，これを市販のICピンの１本と勘合させ，コネクタ挿
抜力測定装置（アイコーエンジニアリング製モデル1310
DI）を使用して測定した。挿入力が６０ｇ以下であれ
ば，挿入力は十分に低いと判断した。プレス性の評価
は，評価材を端子にプレスして，曲げ部とプレス端面を
観察して行った。結果を表１２に示す。これより，いず
れも，実施材の方が優れていることがわかる。
き，これを市販のICピンの１本と勘合させ，コネクタ挿
抜力測定装置（アイコーエンジニアリング製モデル1310
DI）を使用して測定した。挿入力が６０ｇ以下であれ
ば，挿入力は十分に低いと判断した。プレス性の評価
は，評価材を端子にプレスして，曲げ部とプレス端面を
観察して行った。結果を表１２に示す。これより，いず
れも，実施材の方が優れていることがわかる。
【００４１】
【表１２】
【００４２】
【発明の効果】以上記述した通り，本発明により，耐熱
性及び良好な挿抜性を有するバーンインソケット用金め
っき材を供給することが可能になる。
性及び良好な挿抜性を有するバーンインソケット用金め
っき材を供給することが可能になる。
Claims (6)
- 【請求項１】 銅又は銅合金の母材に対し，リンを０．
０５〜２０wt％含有し残部がニッケルと不可避不純物又
はニッケルとコバルトと不可避不純物からなる合金めっ
きの中間層，ならびに，金又は金合金めっき表層とから
なる高耐熱性及び良好な挿抜性を有することを特徴とす
るバーンインソケット用金めっき材。 - 【請求項２】 中間層がリンを０．０５〜２０wt％，な
らびに，Sn，Cu，およびZn，のうち１種若しくは2種以
上を併せて１０〜６０wt％含有し，残部がニッケルと不
可避不純物又はニッケルとコバルトと不可避的不純物か
らなる合金であることを特徴とする請求項１に記載のバ
ーンインソケット用金めっき材。 - 【請求項３】 中間層がリンを０．０５〜２０wt％，ホ
ウ素を０．０５〜２０wt％，残部がニッケルと不可避不
純物又はニッケルとコバルトと不可避的不純物からなる
合金であることを特徴とする請求項１に記載のバーンイ
ンソケット用金めっき材。 - 【請求項４】 中間層がリンを０．０５〜２０wt％，ホ
ウ素を０．０５〜２０wt％，ならびに，Sn，Cu，および
Zn，のうち１種若しくは2種以上を併せて１０〜６０wt
％含有し，残部がニッケルと不可避不純物又はニッケル
とコバルトと不可避的不純物からなる合金であることを
特徴とする請求項１に記載のバーンインソケット用金め
っき材。 - 【請求項５】表層の厚みが０．０５μm〜２μmであるこ
とを特徴とする請求項１から請求項４に記載のバーンイ
ンソケット用金めっき材。 - 【請求項６】中間層の厚みが０．３μm〜３μmであるこ
とを特徴とする請求項１から請求項４に記載のバーンイ
ンソケット用金めっき材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12092699A JP2000313992A (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | バーンインソケット用金めっき材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12092699A JP2000313992A (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | バーンインソケット用金めっき材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000313992A true JP2000313992A (ja) | 2000-11-14 |
Family
ID=14798410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12092699A Pending JP2000313992A (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | バーンインソケット用金めっき材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000313992A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7632112B2 (en) | 2004-12-03 | 2009-12-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electrical contact component, coaxial connector, and electrical circuit device including the same |
| KR20230081905A (ko) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | (주)엠케이켐앤텍 | 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액, 이의 도금방법, 및 이를 이용하여 도금된 도전성 입자 |
-
1999
- 1999-04-28 JP JP12092699A patent/JP2000313992A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7632112B2 (en) | 2004-12-03 | 2009-12-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electrical contact component, coaxial connector, and electrical circuit device including the same |
| KR20230081905A (ko) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | (주)엠케이켐앤텍 | 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액, 이의 도금방법, 및 이를 이용하여 도금된 도전성 입자 |
| KR102610613B1 (ko) * | 2021-11-30 | 2023-12-07 | (주)엠케이켐앤텍 | 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액, 이의 도금방법, 및 이를 이용하여 도금된 도전성 입자 |
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